JP2000306973A - 処理システム - Google Patents

処理システム

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JP2000306973A
JP2000306973A JP11111452A JP11145299A JP2000306973A JP 2000306973 A JP2000306973 A JP 2000306973A JP 11111452 A JP11111452 A JP 11111452A JP 11145299 A JP11145299 A JP 11145299A JP 2000306973 A JP2000306973 A JP 2000306973A
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processing unit
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Hiroichi Inada
博一 稲田
Kazunari Ueda
一成 上田
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Tokyo Electron Ltd
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品手数を増大させることもなく、更には撮
像手段を設置するためのスペースを考慮することもな
く、処理ユニット内の必要な場所の監視が行える処理シ
ステムの提供。 【解決手段】 処理ユニット間でウェハWを搬送する搬
送装置50、60に撮像手段としてのCCDカメラ61
及びレーザ変位計62を設ける。搬送装置50、60は
CCDカメラ61及びレーザ変位計62で各処理ユニッ
ト毎に所定の撮像を行い、処理ユニット内の必要な場所
の監視を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス製造の技術分野に属し、特に基板を搬送する搬送装
置にユニット監視用の撮像手段を備えた処理システムに
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ(以
下、「ウェハ」という。)等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【0003】この塗布現像処理システムには、ウェハの
塗布現像処理に必要な一連の処理、例えばレジストの定
着性を向上させるための疎水化処理(アドヒージョン処
理)、レジスト液の塗布を行うレジスト塗布処理、レジ
スト液塗布後のウェハを加熱してレジスト膜を硬化させ
る加熱処理、露光後のウェハを所定の温度で加熱するた
めの加熱処理、露光後のウェハに対して現像処理を施す
現像処理等の各処理を個別に行う処理ユニットが備えら
れている。
【0004】これら処理ユニットにはそれぞれ監視すべ
き事項があり、従って多数のユニットを備えた塗布現像
処理システム全体でみると監視項目が相当な数になる。
例えば、スピンコート式のレジスト塗布ユニットや現像
処理ユニットにおいては回転する基板の中心にレジスト
液や現像液等の処理液が供給されているかどうかを監視
する必要がある。また、その際に省レジや均一塗布等と
いう観点から遠心力によって伸展する処理液の状態、特
に伸展する液縁の広がり具合を監視する必要がある。更
に、処理液を供給するためのノズルの先端に発生する液
だれを監視する必要もある。また、加熱処理ユニットや
冷却処理ユニットにおいては、ウェハが熱板や冷却板の
所定の位置に載置されているかを監視する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、例えば各処理
ユニットの監視が必要とされる位置にそれぞれCCDカ
メラ等の撮像手段を設置し、その撮像結果に基づき上記
の監視を行うことが考えられるが、監視すべき位置が多
数に及ぶことからCCDカメラ等の部品点数が非常に多
くなる、という課題がある。また、各処理ユニットは小
型・薄型化の要求が強いため、CCDカメラ等の撮像手
段を設置するためのスペースが確保できないことがあ
る、という課題がある。
【0006】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたもので、部品手数を増大させることもなく、更には
撮像手段を設置するためのスペースを考慮することもな
く、処理ユニット内の必要な場所の監視が行える処理シ
ステムを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理システムは、基板に対して所定の処理
を施す複数の処理ユニットと、少なくともこれら処理ユ
ニット間で基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置に
設けられ、前記処理ユニット内を撮像する撮像手段とを
具備することを特徴とする。
【0008】本発明のかかる構成によれば、各処理ユニ
ットに対してアクセスする搬送装置に処理ユニット内を
撮像する撮像手段を設けたので、各処理ユニットの必要
な場所毎に監視のための撮像手段を設ける必要がなくな
る。従って、部品手数を増大させることもなく、更には
撮像手段を設置するためのスペースを考慮することもな
く、処理ユニット内の必要な場所の監視が行える。
【0009】本発明の一の形態によれば、前記処理ユニ
ットには、前記撮像手段では撮像できない位置を撮像す
るための他の撮像手段が設けられていることを特徴とす
る。かかる構成によれば、搬送装置に設けられた撮像手
段によって撮像できない場所、例えば搬送装置との基板
を受け渡すための処理ユニットの開口部を塞ぐためのシ
ャッターの内側を撮像し、監視することができるので、
必要にして十分な監視を行うことができる。
【0010】本発明の一の形態によれば、前記撮像手段
は、少なくともCCDカメラと、前記CCDカメラを水
平面上で回動する回動駆動機構とを具備することを特徴
とする。かかる構成によれば、処理ユニット内の水平面
上を隈無く撮像し、監視することができる。
【0011】本発明の一の形態によれば、前記撮像手段
は、少なくとも前記CCDカメラ及び前記回動駆動機構
を前記処理ユニットに対して進退駆動する進退駆動機構
を更に具備することを特徴とする。かかる構成によれ
ば、処理ユニットの奥深い位置まで撮像し、監視するこ
とができるばかりか、例えば基板表面を走査しながら基
板表面を撮像し、監視することができる。
【0012】本発明の一の形態によれば、前記搬送装置
は、基板を保持しつつ前記処理ユニットに対して進退自
在な保持ピンと、前記保持ピンを昇降駆動する昇降駆動
機構とを具備し、前記撮像手段は、前記保持ピンと共に
前記昇降駆動機構により昇降駆動されることを特徴とす
る。かかる構成によれば、処理ユニット内の上下部を隈
無く撮像し、監視することができる。
【0013】本発明の一の形態によれば、前記撮像手段
は、複数種類の撮像装置を具備することを特徴とする。
かかる構成によれば、ユニット毎の撮像条件に応じて最
適に撮像することができる。例えば、画像処理が必要な
場合にはCCDカメラを用い、表面高さ(表面状態)を
検出したい場合にはレーザ変位計を用いることができ
る。
【0014】本発明の一の形態によれば、前記撮像手段
により前記処理ユニット内の所定の位置を所定の手順で
撮像させるオートモードと手動走操作で前記撮像手段に
より前記処理ユニット内の所望の位置を撮像させるマニ
ュアルモードとを具備することを特徴とする。かかる構
成によれば、例えば事故が発生した場合にオートモード
からマニュアルモードに切り替えて通常撮像しない位置
まで撮像することができる。従って、より細かな監視を
行うことができる。
【0015】本発明の一の形態によれば、前記処理ユニ
ットには、基板に対して液処理を施す液系処理ユニット
と、基板に対して熱処理を施す熱系処理ユニットとがあ
り、前記撮像手段は、前記液系処理ユニットに対しては
処理プロセスを監視し、前記熱系処理ユニットに対して
は基板の物理的な位置を監視するために用いられること
を特徴とする。かかる構成によれば、処理システム全般
にわたり監視することが可能となる。
【0016】本発明の一の形態によれば、前記液系処理
ユニットに対する処理プロセスの監視は、前記撮像手段
による基板表面の撮像結果に基づき液処理を監視する工
程を含むことを特徴とする。また、本発明の一の形態に
よれば、前記液処理を監視する工程は、液処理された基
板表面の色合いまたは色むらに基づき行われることを特
徴とする。かかる監視結果に基づき例えば現像時間の管
理等を行うことが可能となる。例えば現像処理が正確に
行われた場合の基板表面の色合いのパターンを予め用意
しておき、これと撮像結果とのパターンマッチングを現
像時にリアルタイムで行いながらマッチングした時点で
現像を停止することで、アクティブな現像時間の管理を
行うことが可能となる。
【0017】本発明の一の形態によれば、前記処理ユニ
ットは、基板の保持しつつ回転するスピンチャックと、
前記保持回転される基板のほぼ中心に処理液を供給する
ノズルとを有し、前記撮像手段は、前記処理液が供給さ
れる基板表面を撮像し、前記撮像手段による撮像結果に
基づき処理液が基板のほぼ中心に供給されているか否か
を監視することを特徴とする。また、本発明の一の形態
によれば、前記処理ユニットは、基板の保持しつつ回転
するスピンチャックと、前記保持回転される基板のほぼ
中心に処理液を供給するノズルとを有し、前記撮像手段
は、前記ノズルの先端を撮像し、前記撮像手段による撮
像結果に基づき前記ノズルの先端に液だれが発生してい
るか否かを監視することを特徴とする。更に、本発明の
一の形態によれば、前記処理ユニットは、基板の保持し
つつ回転するスピンチャックと、前記保持回転される基
板のほぼ中心に処理液を供給するノズルとを有し、前記
撮像手段は、前記保持回転される基板に供給された処理
液の伸展状態を監視するレーザ変位計を有することを特
徴とする。また、本発明の一の形態によれば、前記処理
ユニットは、基板に対して加熱または冷却処理する処理
板を有し、前記撮像手段は、前記処理板上の基板を撮像
し、前記撮像手段による撮像結果に基づき、基板が前記
処理板の所定の位置に載置されたか否かを監視すること
を特徴とする。かかる構成により、部品手数を増大させ
ることもなく、更には撮像手段を設置するためのスペー
スを考慮することもなく、処理ユニット内の必要な場所
の監視が行える。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態について説明する。図1〜図3は実施
の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図
1は平面から、図2、図3は側面から見た様子を各々示
している。
【0019】この塗布現像処理システム1は、例えば2
5枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム1に対して搬入出したり、カセットCに対して
ウェハWを搬入出するためのカセットステーション2
と、塗布現像処理工程の中でウェハWに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
処理ステーション3と、この処理ステーション3に隣接
して設けられる露光装置4との間でウェハWの受け渡し
をするためのインターフェイス部5とを一体に接続した
構成を有している。
【0020】カセットステーション2では、カセット載
置台10上の位置決め突起10aの位置に、複数個のカ
セットCがウェハWの出入口を処理ステーション3側に
向けてX方向(図1中の上下方向)に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットCの配列方向(X方
向)及びカセットCに収容されたウェハWの配列方向
(Z方向;垂直方向)に移動可能なウェハ搬送体11が
搬送路12に沿って移動自在であり、各カセットCに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
【0021】このウェハ搬送体11はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第1冷却処理ユニット群
70の多段ユニット部に属するエクステンションユニッ
ト74や第1加熱処理ユニット群90に属するアライメ
ントユニット92に対してアクセスできるように構成さ
れている。
【0022】処理ステーション3では、正面側にレジス
ト塗布ユニット群20が、背面側に現像処理ユニット群
30がそれぞれ配置されている。正面側に現像処理ユニ
ット群30を、背面側にレジスト塗布ユニット群20を
それぞれ配置しても勿論構わない。
【0023】レジスト塗布ユニット群20は図2及び図
3に示すように、カップCP内でウェハWをスピンチャ
ックに載せてレジスト液を塗布して、該ウェハWに対し
てレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット21、
22が並列配置され、さらにこれら各レジスト塗布ユニ
ット21、22の上段にはレジスト塗布ユニット23、
24が積み重ねられて構成されている。
【0024】現像処理ユニット群30は、カップCP内
でウェハWをスピンチャックに載せて現像液を供給し
て、該ウェハWに対して現像処理を施す現像処理ユニッ
ト31、32が並列配置され、さらにこれら各現像処理
ユニット31、32の上段には現像処理ユニット33、
34が積み重ねられて構成されている。
【0025】処理ステーション3の中心部には、ウェハ
Wを載置自在な受け渡し台40が備えられている。
【0026】この受け渡し台40を挟んで上記レジスト
処理ユニット群20と現像処理ユニット群30とは相対
向しており、レジスト処理処置群20と受け渡し台40
との間には第1搬送装置50が、現像処理ユニット群3
0と受け渡し台40との間には第2搬送装置60がそれ
ぞれ装備されている。
【0027】第1搬送装置50と第2搬送装置60とは
基本的に同一の構成を有しており、第1搬送装置50の
構成を図4に基づいて説明すると、第1搬送装置50
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
51、52からなる筒状支持体53の内側に、上下方向
(Z方向)に昇降自在なウェハ搬送手段54を備えてい
る。筒状支持体53はモータ55の回転軸に接続されて
おり、このモータ55の回転駆動力で、前記回転軸を中
心としてウェハ搬送手段54と共に一体に回転する。従
って、ウェハ搬送手段54はθ方向に回転自在となって
いる。
【0028】ウェハ搬送手段54の搬送基台56上に
は、図5にも示すように、ウェハWを保持する2本のピ
ンセット57、58が上下に備えられている。各ピンセ
ット57、58は基本的に同一の構成を有しており、筒
状支持体53の両壁部51、52間の側面開口部を通過
自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセッ
ト57、58は搬送基台56に内蔵されたモータ(図示
せず)により前後方向の移動が自在となっている。更
に、これらピンセット57、58の上にはCCDカメラ
支持部材59が備えられている。このCCDカメラ支持
部材59は搬送基台56に内蔵されたモータ(図示せ
ず)により前後方向の移動が自在となっている。また、
CCDカメラ支持部材59の先端上部には水平方向を撮
像するCCDカメラ61が備えられ、先端下部には下方
向の高低変位を検出するレーザ変位計62が搭載されて
いる(第2搬送装置60には不搭載)。CCDカメラ6
1はCCDカメラ支持部材59に内蔵されたモータ(図
示せず)によりθ方向に回転自在となっている。なお、
このようなCCDカメラ61やレーザ変位計62は特別
の支持部材に設けることなくピンセット57、58と一
体化しても構わない。
【0029】図6に示すようにCCDカメラ61及びレ
ーザ変位計62による撮像結果は制御部63に送られ
る。制御部63には表示部64及びキーボード等の入力
部65が接続されている。制御部63はCCDカメラ6
1等の動作を制御してこれらの撮像結果に基づき所定の
監視を行い、その監視結果は表示部64に表示される。
なお、監視結果を音により報知してもよいし、LAN接
続されたホスト側に通報して集中管理するようにしても
構わない。また、このような監視には、CCDカメラ6
1を使って処理ユニット内の所定の位置を所定の手順で
撮像させるオートモードの他、入力部65での手動走操
作でCCDカメラ61により処理ユニット内の所望の位
置を撮像させるマニュアルモードがある。
【0030】図7は上述したレジスト塗布ユニット21
〜24の概略的構成を示す図である。図7に示すよう
に、これらユニットのほぼ中央部にはカップCPが配置
され、カップCP内にはウェハWを回転可能保持するス
ピンチャック140が配置されている。スピンチャック
140の上部にはレジスト液(或いはシンナ)をウェハ
Wに対して供給するためのノズル141が配置されてい
る。スピンチャック140は昇降自在とされている。ま
た、ノズル141は図示を省略した支持部材の先端に設
けされており、この支持部材の基部が回動することによ
ってカップCPの外側にある待避位置66まで移動する
ようになっている。
【0031】そして、図8に示すようにノズル141が
待避位置に移動し、スピンチャック140が昇降した状
態で第1搬送装置50のピンセット58からスピンチャ
ック140上にウェハWが受け渡される。
【0032】次に、図9に示すように第1搬送装置50
のピンセット58が待避し、スピンチャック140が下
降し、ノズル141がウェハW上の中心に移動すると共
に第1搬送装置50のCCDカメラ61がノズル141
に近接してノズル141の先端を撮像する。制御部63
はこの撮像結果に基づき図10に示すようにノズル14
1の先端にレジスト液の液だれ67が発生していないか
を確認する。例えば制御部63は図10に示したような
画面を検出した場合には表示部64にその旨を表示した
り、或いは処理ユニットの動作を停止する。
【0033】次に、図11に示すようにCCDカメラ6
1が下降すると共に、スピンチャック140が回転し、
ノズル141の先端からウェハWの表面へのレジスト液
の供給が開始される。CCDカメラ61はウェハWの表
面にレジスト液が供給される状態を撮像する。制御部6
3はこの撮像結果に基づき図12に示すようにレジスト
液がウェハWの中心Cに供給されているか否かを確認す
る。例えば制御部63は図12に示したような画面を検
出した場合には表示部64にその旨を表示したり、或い
はレジスト液がウェハWの中心に供給されるようにノズ
ル141を移動する。
【0034】次に、図13に示すようにCCDカメラ6
1と共にレーザ変位計62がウェハWの外周方向へ移動
する。この移動速度はレジスト液がウェハW上を遠心力
により伸展する速度にほぼ同期させる。これにより、レ
ーザ変位計62は伸展するレジスト液の縁の広がり具合
を撮像する。なお、このように同期移動させるのではな
く、レーザ変位計を予め所定の位置に配置しておき、液
の到達時間や膜厚等を監視してもよい。制御部63はこ
の撮像結果に基づき図14に示すようにウェハWを伸展
するレジスト液の縁にギザギザ68が現れたような場合
にはスピンチャック140の回転数を制御したり、レジ
スト液の吐出量や吐出圧、到達時間、膜厚等を制御す
る。これにより省レジスト液や均一塗布が実現される。
【0035】そして、レジスト液の供給が終了すると、
スピンチャック140の回転が停止し、ノズル141が
待避位置に移動し、スピンチャック140が上昇し、ス
ピンチャック140から第1搬送装置50のピンセット
58へウェハWが受け渡される。
【0036】なお、現像処理ユニット31〜34につい
ても図7に示したものとほぼ同様の構成であるので説明
は省略するが、現像処理ユニット31〜34においても
CCDカメラ61を使った監視を行うことが可能であ
る。例えば、現像処理工程においては、ウェハW表面は
現像の進行に従って色合いまたは色むらが変化する。そ
こで、例えば最適に現像された際のウェハW表面の色合
いまたは色むらを予め記憶しておき、現像時にCCDカ
メラ61によりウェハW表面を撮像し、その撮像結果が
予め記憶してあるウェハW表面の色合いまたは色むらと
マッチングしたときに現像処理を停止するようにすれ
ば、最適な現像が行える。或いはウェハW表面の色合い
または色むらにある種の異常が発見されたらその旨を報
知するように構成してもよい。
【0037】図15は上記のプリベーキングユニット9
4、95、101、102、ポストベーキングユニット
96、97、98、105、106、107の概略図で
ある。
【0038】図15に示すように、筐体201のほぼ中
央にはウェハWに対して加熱処理を施すためのホットプ
レート202が配置されている。このホットプレート2
02上にはホットプレート202上でウェハWを浮かせ
て保持するためのプロキシミティピン203が配置さ
れ、更にホットプレート202上のほぼ中央のウェハ載
置位置205に向けて傾斜面206を有する複数のガイ
ド207がウェハ載置位置205を取り囲むように設け
られている。
【0039】また、筐体201には搬送装置50、60
との間でウェハWの受け渡しを行うための開口部208
が設けられている。この開口部208は窓部材209に
より開閉自在とされて、搬送装置50、60との間でウ
ェハWの受け渡す際には開口部208は開き、ユニット
内でウェハWを加熱処理する際には開口部208が窓部
材209によって閉じるように構成されている。
【0040】更に、このユニットには、搬送装置50、
60との間でウェハWの受け渡しを行うための昇降ピン
(図示を省略)がホットプレート202表面から出没可
能に配置されている。そして、昇降ピンがホットプレー
ト202表面から突き出た状態で搬送装置からウェハW
を受け取って下降し、ホットプレート202表面から没
入する。これにより、ウェハWはホットプレート202
表面上に載置されるようになっている。
【0041】また、このユニット内には、他の撮像手段
としてのCCDカメラ210が所定の位置に配置されて
いる。このCCDカメラ210は後述する搬送装置50
のCCDカメラ61によっては撮像できない部分、例え
ば窓部材209の内側を撮像するものである。これによ
りユニット内を隈無く撮像して監視することが可能とな
る。
【0042】ここで、搬送装置50のCCDカメラ61
はホットプレート202上に載置されているウェハWを
撮像する。制御部63はこの撮像結果に基づき図16に
示すように搬送ミス等によりウェハWがガイド207の
上に乗り上げてしまったことを検出すると、表示部64
にその旨を表示したり、或いは昇降ピン(図示を省略)
を昇降させてウェハWの再度の位置合わせを行わせる。
これによりウェハWの熱処理を正確に行うことができ
る。
【0043】なお、クーリングユニットについても上記
の加熱系のユニットとほぼ同様の構成であり、同様の監
視を行うことができる。
【0044】次に、このように構成された塗布現像処理
システム1の動作について説明する。まずカセットステ
ーション2においてウェハ搬送体11がカセットCにア
クセスして未処理のウェハWを1枚取り出す。次いで、
このウェハWはウェハ搬送体11により第1加熱処理ユ
ニット群90のアライメントユニット92に搬送され
る。アライメントユニット92で位置合わせを終了した
ウェハWは、第2搬送装置60に装備された下側のピン
セット58に保持された状態で、同じ第1加熱処理ユニ
ット群90に属するアドヒージョンユニット91に搬送
される。次いで、この疎水化処理終了後、ウェハWは第
2搬送装置60のピンセット58に保持された状態で、
受け渡し台40に搬送される。
【0045】次いで、ウェハWは第1搬送装置50に装
備された下側のピンセット58に保持されて、受け渡し
台40から第1冷却処理ユニット群70に搬送され、第
1冷却処理ユニット群70の例えばクーリングユニット
72に搬入される。
【0046】そして、クーリングユニット72で所定の
冷却処理が終了したウェハWは、第1搬送装置50のピ
ンセット58に保持された状態で、レジスト塗布ユニッ
ト群20に搬送される。
【0047】レジスト塗布ユニット群20に搬送された
ウェハWは、例えばレジスト塗布ユニット21に搬入さ
れ、レジスト膜が形成される。そして、レジスト膜が形
成されたウェハWは、その後第1搬送装置50の上側の
ピンセット57に保持された状態で、受け渡し台40に
搬送される。
【0048】受け渡し台40に搬送されたウェハWは、
第2搬送装置60のピンセット58に保持され、今度は
第2加熱処理ユニット群100に搬送される。そして第
2加熱処理ユニット群100に属する、例えばプリベー
キングユニット101に搬入されて所定の加熱処理が施
される。
【0049】かかる加熱処理終了後のウェハWは第2搬
送装置のピンセット58に保持された状態で、第2冷却
処理ユニット群80に搬送される。そして、第2冷却処
理ユニット群80の例えばクーリングユニット85に搬
入されて、冷却処理が施される。クーリングユニット8
5で冷却処理が終了したウェハWは、その後エクステン
ションユニット84に搬入されて、その場で待機する。
【0050】次いで、ウェハWはウェハ搬送体110に
よってエクステンションユニット84から搬出され、周
辺露光装置112に搬送される。そして、周辺露光装置
112で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェハ
Wは露光装置4に搬送されて、所定の露光処理が施され
る。
【0051】露光装置4でパターンが露光されたウェハ
Wは、ウェハ搬送体110で第2加熱処理ユニット群1
00に搬送され、例えばポストエクスポージャベーキン
グユニット103に搬入される。かかる露光処理後の加
熱処理が終了したウェハWは第2搬送装置60のピンセ
ット58に保持されて、第2冷却処理ユニット群80の
例えばクーリングユニット81に搬入される。
【0052】このクーリングユニット81で所定の冷却
処理が終了したウェハWは、第1搬送装置50のピンセ
ット58に保持されて、受け渡し台40に搬送される。
その後、ウェハWはピンセット58に保持された状態で
受け渡し台40から現像処理ユニット群30に搬送され
ると共に、例えば現像処理ユニット31に搬入されて所
定の現像処理が施される。
【0053】かかる現像処理が終了したウェハWは、第
2搬送装置60のピンセット57に保持された状態で第
2加熱処理ユニット群100に搬送される。そして、第
2加熱処理ユニット群100に属する、例えばポストベ
ーキングユニット105に搬入されて現像処理後の加熱
処理が施される。
【0054】ポストベーキングユニット105における
加熱処理が終了したウェハWは、第2搬送装置60のピ
ンセット57に保持された状態で受け渡し台40に搬送
される。
【0055】受け渡し台40に搬送されたウェハWは、
その後第1搬送装置50のピンセット58に保持されて
第1冷却処理ユニット群70に搬送され、第1冷却処理
ユニット群70に属する例えばクーリングユニット71
に搬入される。このクーリングユニット71で所定温度
まで積極的に冷却処理されたウェハWは、その後エクス
テンションユニット74に搬入されてその場で待機す
る。そして、エクステンションユニット74からウェハ
搬送体11で搬出され、カセット載置台10上のカセッ
トCに収納される。こうして、ウェハWに対する一連の
塗布現像処理が終了する。
【0056】そして、本実施形態では以上の一連の動作
において搬送装置50、60におけるCCDカメラ61
及びレーザ変位計62が各ユニット毎に上述した監視を
行うものである。従って、各ユニット毎にこのような撮
像手段を設ける必要がなくなるので、部品点数の削減及
び処理ユニットの小型薄型化が可能となる。
【0057】なお、本発明は、上述した実施形態には限
定されない。例えば、搬送装置50、60にCCDカメ
ラ61及びレーザ変位計62の他に他の撮像手段を搭載
させるようにしてもよく、更にランプ等の照明手段を搭
載するようにしても構わない。
【0058】また、レジスト塗布ユニットや現像処理ユ
ニット内にも専用の撮像手段を配置してもよい。これに
より、これら液処理系のユニットについても隈無く撮像
して監視が行えるようになる。
【0059】更に、基板にはウェハWを使用する例を挙
げて説明したが、本発明はかかる例には限定されず、例
えばLCD基板を使用する場合においても適用すること
が可能である。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各処理ユニットに対してアクセスする搬送装置に処理ユ
ニット内を撮像する撮像手段を設けたので、各処理ユニ
ットの必要な場所毎に監視のための撮像手段を設ける必
要がなくなる。従って、部品手数を増大させることもな
く、更には撮像手段を設置するためのスペースを考慮す
ることもなく、処理ユニット内の必要な場所の監視が行
える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における塗布現像処理シス
テムの構成を示す平面図である。
【図2】図1に示した塗布現像処理システムの左側面図
である。
【図3】図1に示した塗布現像処理システムの右側面図
である。
【図4】図1に示した搬送装置の斜視図である。
【図5】図5に示した搬送装置におけるウェハ搬送手段
の側面図である。
【図6】図1に示した塗布現像処理システムにおける制
御系を示すブロック図である。
【図7】図1に示した塗布現像処理システムにおけるレ
ジスト塗布ユニットの概略的構成を示す図である。
【図8】図7に示したレジスト塗布ユニットの動作説明
図(その1)である。
【図9】図7に示したレジスト塗布ユニットの動作説明
図(その2)である。
【図10】図7に示したレジスト塗布ユニットにおける
監視例の説明図(その1)である。
【図11】図7に示したレジスト塗布ユニットの動作説
明図(その3)である。
【図12】図7に示したレジスト塗布ユニットにおける
監視例の説明図(その2)である。
【図13】図7に示したレジスト塗布ユニットの動作説
明図(その4)である。
【図14】図7に示したレジスト塗布ユニットにおける
監視例の説明図(その3)である。
【図15】図1に示した塗布現像処理システムにおける
プリベーキングユニット及びポストベーキングユニット
の概略構成を示す図である。
【図16】図15に示したプリベーキングユニット及び
ポストベーキングユニットにおける監視例の説明図であ
る。
【符号の説明】 21〜24 レジスト塗布ユニット 94、95、101、102 プリベーキングユニッ
ト 96、97、105〜107 ポストベーキングユニ
ット 50、60 搬送装置 57、58 ピンセット 61 CCDカメラ 62 レーザ変位計 W ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA02 FA01 FA03 FA09 FA12 GA47 GA48 GA49 GA50 JA04 JA13 JA31 MA02 MA26 MA27 5F046 CD01 CD03 CD10 DA29 JA02 JA16 JA22 JA27 LA18

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に対して所定の処理を施す複数の処
    理ユニットと、 少なくともこれら処理ユニット間で基板を搬送する搬送
    装置と、 前記搬送装置に設けられ、前記処理ユニット内を撮像す
    る撮像手段とを具備することを特徴とする処理システ
    ム。
  2. 【請求項2】 前記処理ユニットには、前記撮像手段で
    は撮像できない位置を撮像するための他の撮像手段が設
    けられていることを特徴とする請求項1に記載の処理シ
    ステム。
  3. 【請求項3】 前記撮像手段は、少なくともCCDカメ
    ラと、前記CCDカメラを水平面上で回動する回動駆動
    機構とを具備することを特徴とする請求項1または請求
    項2に記載の処理システム。
  4. 【請求項4】 前記撮像手段は、少なくとも前記CCD
    カメラ及び前記回動駆動機構を前記処理ユニットに対し
    て進退駆動する進退駆動機構を更に具備することを特徴
    とする請求項3に記載の処理システム。
  5. 【請求項5】 前記搬送装置は、基板を保持しつつ前記
    処理ユニットに対して進退自在な保持ピンと、前記保持
    ピンを昇降駆動する昇降駆動機構とを具備し、 前記撮像手段は、前記保持ピンと共に前記昇降駆動機構
    により昇降駆動されることを特徴とする請求項1から請
    求項4のうちいずれか1項に記載の処理システム。
  6. 【請求項6】 前記撮像手段は、複数種類の撮像装置を
    具備することを特徴ととする請求項1から請求項5のう
    ちいずれか1項に記載の処理システム。
  7. 【請求項7】 前記撮像手段により前記処理ユニット内
    の所定の位置を所定の手順で撮像させるオートモードと
    手動走操作で前記撮像手段により前記処理ユニット内の
    所望の位置を撮像させるマニュアルモードとを具備する
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のうちいずれか
    1項に記載の処理システム。
  8. 【請求項8】 前記処理ユニットには、基板に対して液
    処理を施す液系処理ユニットと、基板に対して熱処理を
    施す熱系処理ユニットとがあり、 前記撮像手段は、前記液系処理ユニットに対しては処理
    プロセスを監視し、前記熱系処理ユニットに対しては基
    板の物理的な位置を監視するために用いられることを特
    徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記
    載の処理システム。
  9. 【請求項9】 前記液系処理ユニットに対する処理プロ
    セスの監視は、前記撮像手段による基板表面の撮像結果
    に基づき液処理を監視する工程を含むことを特徴とする
    請求項8に記載の処理システム。
  10. 【請求項10】 前記液処理を監視する工程は、液処理
    された基板表面の色合いまたは色むらに基づき行われる
    ことを特徴とする請求項9に記載の処理システム。
  11. 【請求項11】 前記処理ユニットは、基板の保持しつ
    つ回転するスピンチャックと、前記保持回転される基板
    のほぼ中心に処理液を供給するノズルとを有し、 前記撮像手段は、前記処理液が供給される基板表面を撮
    像し、 前記撮像手段による撮像結果に基づき処理液が基板のほ
    ぼ中心に供給されているか否かを監視することを特徴と
    する請求項1から請求項10のうちいずれか1項に記載
    の処理システム。
  12. 【請求項12】 前記処理ユニットは、基板の保持しつ
    つ回転するスピンチャックと、前記保持回転される基板
    のほぼ中心に処理液を供給するノズルとを有し、 前記撮像手段は、前記ノズルの先端を撮像し、 前記撮像手段による撮像結果に基づき前記ノズルの先端
    に液だれが発生しているか否かを監視することを特徴と
    する請求項1から請求項11のうちいずれか1項に記載
    の処理システム。
  13. 【請求項13】 前記処理ユニットは、基板の保持しつ
    つ回転するスピンチャックと、前記保持回転される基板
    のほぼ中心に処理液を供給するノズルとを有し、 前記撮像手段は、前記保持回転される基板に供給された
    処理液の伸展状態を監視するレーザ変位計を有すること
    を特徴とする請求項1から請求項12のうちいずれか1
    項に記載の処理システム。
  14. 【請求項14】 前記処理ユニットは、基板に対して加
    熱または冷却処理する処理板を有し、 前記撮像手段は、前記処理板上の基板を撮像し、 前記撮像手段による撮像結果に基づき、基板が前記処理
    板の所定の位置に載置されたか否かを監視することを特
    徴とする請求項1から請求項13のうちいずれか1項に
    記載の処理システム。
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