JP3963712B2 - 有機el素子構造体 - Google Patents

有機el素子構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP3963712B2
JP3963712B2 JP2001367255A JP2001367255A JP3963712B2 JP 3963712 B2 JP3963712 B2 JP 3963712B2 JP 2001367255 A JP2001367255 A JP 2001367255A JP 2001367255 A JP2001367255 A JP 2001367255A JP 3963712 B2 JP3963712 B2 JP 3963712B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
inorganic moisture
flexible substrate
proof
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001367255A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003168556A (ja
Inventor
幸男 藤井
幸一 藤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2001367255A priority Critical patent/JP3963712B2/ja
Publication of JP2003168556A publication Critical patent/JP2003168556A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3963712B2 publication Critical patent/JP3963712B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機EL素子構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子は次世代平面型ディスプレイとして期待されている。有機EL素子内の複数の画素に分割すれば、各画素を選択的に発光させることができる。
【0003】
有機EL素子は、有機蛍光物質への電荷注入による発光を利用するものである。初期型の有機EL素子は特開昭59−194393号公報に記載されており、有機蛍光色素を薄膜発光層とし、これと電子写真の感光体等に用いられている有機電荷輸送化合物とを積層した二層構造を有する。
【0004】
この有機EL素子は、駆動電圧が5V前後と低いこと、RGBの三原色の発光が可能であること、応答速度が速いことなどの特徴があり、液晶ディスプレイ(LCD)用バックライトやシート状照明光源といった平面発光体、小型ディスプレイからTV、モニターといった大型ディスプレイへの応用が期待されている(Jpn. J. Appl. Phys. 第27巻、L269頁(1988年)、J. J. Appl. Phys. 第65巻、3610頁(1989年)。
【0005】
有機EL素子では、表示品質の向上、発光体の劣化による輝度低下、保存中に発光面に現れるダークスポットの発生防止が最大の課題とされている。有機EL素子層は有機層を陰極材及び陽極材で挟んでなるものであり、有機EL素子層は防湿材によって被覆されているが、有機EL素子層における輝度低下やダークスポットの成長は以下の原因によって生じると言われている。
【0006】
▲1▼シール材を通じて有機EL素子層内に侵入した水分や酸素、構成材料中の不純物によって、その陰極材(Mg,Alなどの活性金属)が酸化し、有機層との界面が剥離し、発光機能が著しく低下する。▲2▼陰極材が酸化することで導電性が低下したため、発光機能が著しく低下する。▲3▼有機層の劣化が促進された結果、発光機能が著しく低下する。
【0007】
このような原因に鑑みて、使用材料を精製したり、不活性雰囲気での素子を形成したり、素子を低融点ガラスやシール材を用いて金属缶やガラス基板で封止するといった対策が考えられている。
【0008】
一方、このような有機EL素子層を含む有機EL素子構造体としては機械的強度の観点から可撓性のものが期待されている。有機EL素子層をガラス・金属といった極めて化学的・寸法的に安定な物質に代わってプラスチックフィルム等の可撓性透明樹脂基板上に作製し、可撓性ディスプレイとすることも一部で検討されている。
【0009】
一般に、樹脂材料は金属やガラス材料に比べて水分や酸素の透過性が高い。したがって、樹脂材料を有機EL素子用の基板として用いる場合には、前述したようにダークスポットの発生や素子の劣化を抑える意味からも、高い防湿機能(ガスバリア機能)を付与することが必要とされ、基本的にガス不透過性のセラミックからなる薄膜(以下無機防湿層とする)を可撓性基板上に積層し、防湿性を付与することが試みられている。
【0010】
しかしながら、これらの無機防湿層として用いられる無機材料は、一般には脆性材料であり、機械的な引っ張り変形に対しては弱いという特徴を有する。このため、無機防湿層中の微小欠陥はマクロな破壊を誘引することから、下地となる可撓性基板表面の傷や付着物を予め排除し、無機防湿層の破損を抑えることも有機EL素子の劣化防止に有効とされている。
【0011】
また、有機EL素子用の可撓性基板としては樹脂層と薄いガラス基板を多数積層した基板上に有機EL素子を形成し、素子を樹脂層で封止する方法(特開平11−329715)、酸化ケイ素と窒化ケイ素からなる無機防湿層を積層し樹脂で封止する方法(特開平09−161967)が提案され、この方法では厚さ200μm以下の薄いガラス基板と樹脂層を複数積層している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、可撓性基板上に形成した有機EL素子を無機防湿層で封止した可撓性有機EL素子構造体においては、数百μmの厚みがある樹脂基板に対して、1μm以下の無機防湿層と数十μmの封止樹脂層が積層された構造を有し、その構造的非対称性から、素子全体が曲げ変形を受けた場合に無機防湿層に亀裂が生じる。この結果、有機EL素子層の劣化が加速する。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、ダークスポットの発生や輝度低下が抑制される有機EL素子構造体を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明に係る有機EL素子構造体は、可撓性基板上に複数の層を積層してなり、可撓性基板の底面と複数の層の最表面層の露出表面との間の厚み方向領域で規定される有機EL素子構造体であって、複数の層は、最表面層と可撓性基板との間に介在する有機EL素子層と、有機EL素子層を挟む無機防湿層とを備え、有機EL素子層は電圧が印加されるための導電性物質を有しており、無機防湿層は、有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置し、有機EL素子層を完全に覆うように形成されており、かつ可撓性基板からの距離が遠い方の無機防湿層は、有機EL素子層上の導電性物質に密着し、この無機防湿層は物理的気相堆積法又は化学的気相堆積法により、前記導電性物質に対して形成されていることを特徴とする。
【0014】
なお、「可撓性基板」における「基板」は樹脂フィルム等の「薄膜」を含むものである。有機EL素子構造体は可撓性を有するが、無機防湿層が有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置するので、構造体湾曲時に無機防湿層の表面及び裏面を引っ張る力が略等しくなり、無機防湿層内に生じる応力を著しく低減させることができる。これにより、無機防湿層の欠陥発生率が低下し、したがって、これらの間に挟まれた有機EL素子層の劣化が抑制され、この結果として、ダークスポットの発生が抑制され、長寿命化が達成される。
【0015】
なお、「略中央部」とは、可撓性基板の底面から最表面層の露出表面までの厚みをDとすると、この厚み方向の中心から全体の厚みDの±10%以内の距離に位置する領域を意味するものとする。
【0016】
脆性材料ではあるが防湿性(ガスバリア性)に優れるものが無機防湿層として用いることができる。このような無機防湿層は、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、スズ、インジウムからなる群から選択される少なくとも1つの元素の酸化物、窒化物、酸窒化物若しくはフッ化物、又はこれらの混合物からなる。
【0017】
仮に、無機防湿層に微小な欠陥が生じた場合にも、前記複数の層が、可撓性基板からの距離が遠い方の無機防湿層上に密着した透明樹脂保護層を備えている場合には、この欠陥からの有機EL素子層へのガス導入を透明樹脂保護層が抑制する。
【0018】
可撓性基板は非晶質透明樹脂からなることが好ましい。このような非晶質透明樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォン及びシクロオレフィンポリマーからなる群から選択される少なくとも1つの樹脂からなる。
【0019】
無機防湿層を略中央部に配置すれば、最終的なダークスポット発生の抑制には効果があるが、その他の層の材料及び厚みが無機防湿層内の歪を低減するように設定されていれば、無機防湿層における欠陥発生を更に抑制し、最終的なダークスポット発生を抑制する。前記複数の層のそれぞれは、有機EL素子層の厚み方向を半径とする曲率半径が20mmの曲げ変形を与えた場合に、無機防湿層に発生する歪が1%以下となるように、材料及び厚みが設定されることが好ましい。
【0020】
可撓性基板の厚みT 、透明樹脂保護層の厚みT 、透明樹脂保護層層の弾性率Ec及び可撓性基板の弾性率Efは無機防湿層内の歪発生に大きく寄与しており、これらのパラメータが以下の不等式:
0.8≦ (Ec×Tc)/(Ef×Tf) ≦1.2
を満たす場合には無機防湿層内の歪発生を著しく抑制することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る有機EL素子構造体について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【0022】
図1は実施の形態に係る有機EL素子構造体の縦断面図である。まず、有機E素子構造体の構成について説明する。
【0023】
有機EL素子構造体は、可撓性基板1上に複数の層2,3,4,5,6,7,8,9を積層してなり、可撓性基板1の底面1Xと複数の層2,3,4,5,6,7,8,9の最表面層9の露出表面9Xとの間の厚み方向領域で規定される。なお、これらの各構成要素間は密着している。
【0024】
この有機EL素子構造体は、可撓性基板1上に順次積層された下部無機防湿層2、透明電極(陽極層)3、正孔輸送(注入)層4、蛍光体層5、電子輸送(注入)層6及び陰極層7を備えている。陰極層7上には上部無機防湿層8が形成されており、層3〜7からなる有機EL素子層を下部無機防湿層2と共に挟み、且つ、その側面まで含めて被覆している。上部無機防湿層8上には透明樹脂保護層(最表面層)9が密着して設けられている。
【0025】
陽極層3と陰極層7との間に電圧を印加すると、陽極層3から注入された正孔が正孔輸送層4を介して蛍光体層5内に到達し、陰極層7から注入された電子が電子輸送層6を介して蛍光体層5内に到達し、これらが蛍光体層5内部で再結合することによって蛍光体層5が発光する。蛍光体層5の発光は、透明な可撓性基板1を介して外部へ出射する。
【0026】
無機防湿層2,8は有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置する。なお、可撓性基板1における基板とは、樹脂フィルム等の薄膜を含む意味で用いられる。有機EL素子構造体は可撓性を有するが、無機防湿層2,8が有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置するので、構造体湾曲時に無機防湿層の表面及び裏面を引っ張る力が略等しくなり、無機防湿層2,8内に生じる応力を著しく低減させることができる。これにより、無機防湿層2,8の欠陥発生率が低下し、したがって、これらの間に挟まれた有機EL素子層3〜7の劣化が抑制され、この結果として、ダークスポットの発生が抑制され、長寿命化が達成される。
【0027】
なお、「略中央部」とは、可撓性基板1の底面1Xから透明樹脂保護層(最表面層)9の露出表面9Xまでの厚みをDとすると、この厚み方向の中心から全体の厚みDの±10%以内の距離に位置する領域を意味するものとする。
【0028】
仮に、無機防湿層2,8に微小な欠陥が生じた場合にも、この構造体は可撓性基板1からの距離が遠い方の無機防湿層8上に密着した透明樹脂保護層9を備えているので、この欠陥からの有機EL素子層へのガス導入を透明樹脂保護層9が抑制する。
【0029】
無機防湿層2,8を略中央部に配置すれば、最終的なダークスポット発生の抑制には効果があるが、その他の層の材料及び厚みが無機防湿層内の歪を低減するように設定されていれば、無機防湿層2,8における欠陥発生を更に抑制し、最終的なダークスポット発生を抑制することができる。
【0030】
複数の層2〜9のそれぞれは、有機EL素子層の厚み方向を半径とする曲率半径が20mmの曲げ変形を与えた場合に、無機防湿層2,8に発生する歪が1%以下となるように、それぞれの材料及び厚みが設定される。
【0031】
可撓性基板1の厚みT 、透明樹脂保護層の厚みT 、透明樹脂保護層層の弾性率Ec及び可撓性基板の弾性率Efは無機防湿層2,8内の歪発生に大きく寄与しており、これらのパラメータが以下の不等式を満たす場合には、無機防湿層2,8内の歪発生を著しく抑制することができる。
0.8≦ (Ec×Tc)/(Ef×Tf) ≦1.2
【0032】
次に、可撓性基板1、下部無機防湿層2、陽極層3、正孔輸送層4、蛍光体層5、電子輸送層6、陰極層7、上部無機防湿層8及び透明樹脂保護層9の材料について説明する。
【0033】
まず、可撓性基板1について説明する。
【0034】
可撓性基板1を構成する材料としては、真空薄膜形成に使用できる樹脂であれば問題なく用いることができる。
【0035】
可撓性基板1を構成する材料としては、ポリカーボネート、メタクリル酸メチル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリサルフォン,ポリエ−テルサルフォン,ポリエ−テルエ−テルケトン,ポリフェノキシエ−テル,ポリアリレ−ト,フッ素樹脂,ポリプロピレンのほか、ARTON(JSR(株))、ZEONEX、ZEONOR(日本ゼオン(株))といったシクロオレフィンポリマー、TAC(三酢酸セルロース)等が使用可能である。
【0036】
可撓性基板1は、非晶質透明樹脂からなることが好ましい。特に好ましい非晶質透明樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォン及びシクロオレフィンポリマーからなる群から選択される少なくとも1つの樹脂からなる。
【0037】
可撓性基板1を構成する材料としては、ガラス転移温度(Tg)が100℃以上であり、且つ、高い透明性を有する材料が挙げられ、このような観点から、可撓性基板1の材料としは、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ−テルサルフォン又はシクロオレフィンポリマーを用いることができる。これらの樹脂を複数組み合わせて用いてもよい。
【0038】
可撓性基板1の少なくとも有機EL素子層を形成する表面に存在する突起や傷は、可撓性基板1上に形成される下部無機防湿層2の欠陥(ピンホールや亀裂)の原因となるばかりでなく、有機EL素子層の電極に突起が発生する原因ともなる。このような突起は、有機EL素子の電極の短絡、電場の集中による素子劣化を促進するなど素子寿命を縮める要因となるため、極力排除すべきものであることから、可撓性基板1の表面の平滑性としては表面粗さRaが50nm以下、より好ましくは10nm以下であることが望ましい。
【0039】
可撓性基板1の厚さは、特に制限されるものではないが、本来の目的である基板のフレキシビリティーを損なわず、且つ、ある程度の機械的強度を有するものである必要から6〜500μm、特に12〜250μmが好適である。
【0040】
なお、可撓性基板1の成形法としては押し出し、流延法などが利用可能であるが、特に表面平滑性に優れる流延法が好ましい。また、このように成形されたフィルムを更に、延伸やアニールといった熱処理、平滑処理を施してもよい。
【0041】
次に、下部無機防湿層2について説明する。
【0042】
樹脂材料は金属やガラス材料に比べて水分や酸素の透過性が高い。これに対してセラミックや金属層といった無機系材料は基本的にはガスを透過しない。下部無機防湿層2は、酸化ケイ素や酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化錫或いは酸化インジウム−酸化錫といった透明セラミックス層を用いる。
【0043】
脆性材料ではあるが防湿性(ガスバリア性)に優れるものが無機防湿層2として用いることができる。このような無機防湿層2は、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、スズ、インジウムからなる群から選択される少なくとも1つの元素の酸化物、窒化物、酸窒化物若しくはフッ化物、又はこれらの混合物からなる。
【0044】
特に、酸窒化ケイ素は、酸化ケイ素の透明性と窒化ケイ素の密着力と強度特性を兼ね備えた材料である。
【0045】
酸窒化ケイ素の組成は、その組成式をSiOxyと表現したとき、0.4≦x≦1.2y、1.8≦x+1.5yであることが好ましい。xが1.2yより大きい場合、無機防湿層2の強度と密着力が低下する。また、xが0.4未満である場合、無機防湿層2は褐色を帯びてくるため発光素子の構成材料としては好ましくない。また、x+1.5yが1.8未満の場合にも同様に無機防湿層は褐色を呈し発光素子の構成材料としては好ましくなくなる。
【0046】
次に、陽極層3について説明する。
【0047】
陽極層3に使用される導電性材料は、4.0eVより大きな仕事関数を持つものが好適であり、炭素、アルミニウム、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられるが、これらに限定されるものではない。陽極層3は、必要があれば二層以上の層構成により形成することができる。透明電極としての陽極層3は、上記の導電性材料を使用して、所定の透光性を確保するように形成するが、可撓性基板1と陽極層3を合わせた可視光透過率は50%以上とすることが望ましい。
【0048】
次に、正孔輸送層4について説明する。
【0049】
正孔輸送層4の構成材料としては、陽極層3から効率よく正孔が注入され、正孔を輸送する能力を持ち、蛍光体層5又は蛍光体層5中の有機発光体材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成能な化合物が好ましい。
【0050】
正孔輸送層4の構成材料としては、具体的には、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、スチルベン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに限定されるものではない。
【0051】
正孔輸送層4の層厚は、少なくともピンホールが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚いと、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。したがって、正孔輸送層の厚みは、好ましくは1nm〜1μm、更に好ましくは2nm〜500nm、特に好ましくは5〜200nmである。
【0052】
次に、蛍光体層5について説明する。
【0053】
蛍光体層5は有機発光体材料及び必要に応じてこれに添加するドーピング材料からなる。
【0054】
有機発光体材料は、薄膜形成能に優れ、薄膜状態において電極又は正孔輸送層、電子輸送層から注入された正孔と電子を蛍光体層5中で効率よく再結合させて、その時に発生するエネルギーによって励起することができ、励起状態から基底状態に戻る際のエネルギー放出である発光強度の高い材料である。
【0055】
ドーピング材料は、蛍光体層5からの輝度を向上させたり、発光色を変えたりする場合に蛍光体層5に添加する材料である。ドーピング材料は蛍光体層5に添加された状態で必要な特性を発揮すれば良く、薄膜形成能に乏しく、或いは、単独の薄膜状態では発光しなくても原理的には良いこととなる。
【0056】
有機発光体材料又はドーピング材料の具体的な例としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クマリン、ビススチリル、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等、及びこれらの誘導体やポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体などの高分子化合物があるが、これらに限定されるものではない。
【0057】
蛍光体層5の厚みは、好ましくは1nm〜1μm、更に好ましくは2nm〜500nmである。電流密度を上げて発光効率を上げるためには5〜200nmの範囲が好ましい。
【0058】
次に、電子輸送層6について説明する。
【0059】
電子輸送層6の構成材料としては、電子を輸送する能力を持ち、蛍光体層又は有機発光体材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム等の金属錯体化合物、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体などの含窒素五員誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
【0060】
有機EL素子における正孔輸送層4、蛍光体層5、電子輸送層6の各層では、正孔もしくは電子が効率よく電極から注入され、層中で輸送されるよう、正孔注入材料、有機発光体材料、ドーピング材料又は電子注入材料を同一層中に二種類以上混合して使用することも出来る。また、正孔輸送層4、蛍光体層5、電子輸送層6は、それぞれ二層以上の層構成により形成することもできる。
【0061】
また、蛍光体層5には、陽極層3から注入した正孔もしくは陰極層7から注入した電子を有機発光体材料あるいはドーピング材料まで効率よく輸送するために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を添加しても良い。更に、正孔輸送層4に電子受容物質を、電子輸送層6に電子供与性物質を添加して増感させることもできる。
【0062】
電子輸送層6の層厚は、少なくともピンホールが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚いと、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。したがって、電子輸送層の厚みは、好ましくは1nm〜1μm、更に好ましくは2nm〜500nm、特に好ましくは5〜200nmである。
【0063】
次に、陰極層7について説明する。
【0064】
陰極層7に使用される導電性物質としては、4.0eVより小さな仕事関数を持つものが好適であり、セシウム、ルビジウム、カリウム、ナトリウム、リチウム、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム、ユーロピウム、イッテルビウム、サマリウム、セリウム、エルビウム、ガドリニウム、イットリウム、ネオジム、ランタン、スカンジウム等、これらと4eV以上の金属元素との合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。
【0065】
次に、上部無機防湿層8について説明する。
【0066】
上部無機防湿層8は下部無機防湿層において用いることができる材料を使用することができる。
【0067】
次に、透明樹脂保護層9について説明する。
【0068】
透明樹脂保護層9の構成材料としては、特に制限はないが、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシアクリレート樹脂等の硬化性樹脂のほか、ポリカーボネート、メタクリル酸メチル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリサルフォン,ポリエ−テルサルフォン,ポリエ−テルエ−テルケトン,ポリフェノキシエ−テル,ポリアリレ−ト,フッ素樹脂,ポリプロピレンのほか、ARTON(JSR(株))、ZEONEX、ZE
ONOR(日本ゼオン(株))といったシクロオレフィンポリマー、TAC(三酢酸
セルロース)等のフィルムを積層して使用することが可能である。
【0069】
これらの透明樹脂保護層9の積層方法としては、透明樹脂層の溶液を塗布し、乾燥し、所定の層厚の樹脂層を形成する、所謂キャスト法や、所定の層厚に予め設定されたフィルムを積層し接着する積層法を用いることができる。
【0070】
また、上部無機防湿層8のバリア性を補間する目的では、透明樹脂保護層9として、公知のフッ素系樹脂やポリオレフィン樹脂といった低水分透過性の樹脂又はポリビニルアルコール樹脂、塩化ビニール樹脂は低酸素透過性の樹脂を積層して用いることも有効である。これらの樹脂を積層することによって、無機防湿層8に微小な欠陥が存在した場合にもガス透過量を抑制することが可能となる。
【0071】
また、下部無機防湿層2のバリア性を補間する目的として、透明樹脂保護層9と同じ上記材料を用いることができる。
【0072】
なお、透明樹脂保護層9の構成材料としては可撓性基板1と機械的に同等の特性を有する材料を用いることができる。
【0073】
次に、図1に示した有機EL素子構造体の作製方法について説明する。まず、可撓性基板1上に無機防湿層2を形成する。無機防湿層2の成層装置としては、巻き取り連続式や枚葉式のものが使用可能であり、また無機防湿層2を形成する方法としては、DCスパッタ、RFスパッタ法といった物理的気相堆積法の他、化学的気相堆積法が使用できる。
【0074】
スパッタ法に用いるターゲット原料としては、成膜する無機防湿層の金属ターゲット、酸化物、窒化物、及びこれら化合物の混合物ターゲットが使用可能である。
【0075】
ケイ素化合物を無機防湿層2として用いる場合では、金属ケイ素、金属ケイ素と二酸化ケイ素の混合物,一酸化ケイ素単体、及びケイ素と二酸化ケイ素と一酸化ケイ素の混合物、窒化ケイ素、酸化ケイ素と窒化ケイ素の混合物などが挙げられ、アルゴンガスなどの放電性の不活性ガスの存在下で、酸素、窒素といった反応性ガスの流量比率を調節することで層組成が最適化可能である。
【0076】
次に、無機防湿層2を形成した可撓性基板1上に陽極層3を形成する。陽極層3は、導電性の金属酸化物層、半透明の金属薄膜等の電極パターンを有する。これら電極パターンの形成法は特に制限無く、一般的なスパッタ法などの真空成層とレジストマスクを介したエッチング法の組み合わせ作製可能である。
【0077】
しかる後、陽極層3上に正孔輸送層4を形成する。正孔輸送層4の成層方法としては、特に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、溶液又は高分子化合物との混合溶液・混合融液でのスピンコーティングやディッピング、バーコート、ロールコート等の塗布法を用いることができる。
【0078】
次に、正孔輸送層4上に蛍光体層5を形成する。蛍光体層5を構成する有機発光体材料としては前述の低分子系発光体若しくは高分子系発光体又は高分子発光体を用い、これに適当な電荷輸送材料を含ませる。
【0079】
ここで、有機EL素子の蛍光体層の成層法に関して述べる。特に低分子発光体を用いる場合には蒸着、スパッタ等により形成することが一般的である。発光体にパターンを形成する必要がある場合には所望の形状の開口部を有するスパッタマスクを基板上に被せてから発光体を堆積することも可能である。また高分子発光体を用いる場合、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法等の湿式成層法が例示される。
【0080】
湿式成層法の場合、各層を形成する材料を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散して薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜においても、成層性向上、層のピンホール防止等のため、適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【0081】
更に、蛍光体層5上に、必要に応じて電子輸送層6を形成する。電子輸送層6の形成方法としては、特に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、溶液又は高分子化合物との混合溶液・混合融液でのスピンコーティングやディッピング、バーコート、ロールコート等の塗布法を用いることができる。
【0082】
蛍光体層5又は電子輸送層6上に陰極層7を形成する。陰極層7の形成法としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、直流スパッタ、RFスパッタ、イオンプレーティングなどの方法が挙げられる。本発明は、陰極の安定性あるいは他の特性を改善するために、多元合金にすることを妨げない。また、陰極は必要に応じて二層以上の金属又は合金により構成されても良く、層の下部と上部でその組成や成分比率が連続的に変化しても良い。
【0083】
次に、陰極層7上に上部無機防湿層8を形成する。上部無機防湿層8の形成方法は、下部無機防湿層の形成方法と同一である。
【0084】
更に、上部無機防湿層8上に透明樹脂保護層9を形成する。透明樹脂保護層9の形成方法としては上述のキャスト法や積層法を用いることができる。
【0085】
上記有機EL素子構造体は、可撓性基板上に無機防湿層2,8を備えたものであるが、これらの無機防湿層2,8とは別の無機防湿層を更に備えたものであることは、信頼性を更に向上させるという点で有用である。
【0086】
図2はこのような有機EL素子構造体の縦断面図である。図1に示したものとの相違点は、可撓性基板1が、その内部に無機防湿層1aを備え、透明樹脂保護層9が、その内部に無機防湿層9aを備えている点である。これらの無機防湿層1a,9aは、有機EL素子層へのガスバリアとして機能する。
【0087】
なお、本例では、樹脂製の可撓性基板本体の底面に無機防湿層1a及び透明樹脂保護層1bを形成したものを新たな可撓性基板1としている。また、透明樹脂保護層本体の表面に無機防湿層9a及び透明樹脂保護層9bを形成したものを新たな透明樹脂保護層9としている。したがって、可撓性基板1の底面1Xと透明樹脂保護層9bの露出表面9Xとの間の厚み方向の領域が、有機EL素子構造体として規定される。
【0088】
なお、有機EL層を挟む無機防湿層は、有機EL層と外部を完全に遮断する観点から、この有機EL層を完全に覆うことが好ましい。
【0089】
また、有機EL層を挟む無機防湿層は合計2層の無機防湿層であることが好ましいが、特限定されるものではなく、合計3層以上であってもよい。
【0090】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0091】
(実施例1)
図1に示した有機EL素子構造体を製造した。まず、厚さ200μm、10cm□のポリエーテルスルホン(PES)基板(可撓性基板1)を超純水槽に浸漬し、超音波洗浄を20分行った。この基板を超純水槽から引き上げ、乾燥したのち、RFスパッタ装置(アネルバ製SPF−530H)を用いて、酸窒化ケイ素層(無機防湿層2)を約200nm成層した。
【0092】
なお、酸窒化ケイ素層の成層は、高純度ケイ素(Bドープ)をターゲットとして、真空度0.5Pa、アルゴン50sccm、酸素1.3sccm、窒素2.6sccm、印加パワー0.48W、電極間距離70%、基板回転数24rpmで30分行った。形成された酸窒化ケイ素層の透過率を図3に示す。なお、図3は入射光の波長(nm)と透過率(%)の関係を示すグラフである。
【0093】
無機防湿層2を形成した可撓性基板1の無機防湿層2上に、マスクスパッタリングによって、110nmの厚みでITO層(陽極層3)を形成し、ITO層上にTPDを50nm(正孔輸送層4)蒸着した後、蛍光体層5/電子輸送層6としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3 )を60nm蒸着した。続いて、陰極層7の第1の金属層としてリチウム−アルミニウム合金(リチウム濃度:1wt%)を40nm蒸着した。
【0094】
更に、可撓性基板1への無機防湿層2の形成と同条件で陰極層7上に酸窒化ケイ素層(無機防湿層8)を200nm形成する。この際、陰極層7の端部を構成する電極パッド(外部接点部分)はスパッタマスクで覆い、電極パッドへの絶縁性無機防湿層の堆積を防止した。
【0095】
この電極に外部端子を取り付けた後、アクリル系光硬化樹脂を10μmの厚さで塗布し、厚さ200μmのポリエーテルスルホン(PES)基板を積層したのち、水銀ランプで約1J/cm2の光照射を行い樹脂を硬化することで封止を行い、これらからなる透明樹脂保護層9を形成した。
【0096】
製造された有機EL素子構造体に半径20mmの曲げ変形を与えた場合に無機防湿層近傍に発生する歪は0.2%と計算される。
【0097】
(比較例1)
陰極層7上に厚さ200μmのPES基板を接着せず、その他は実施例1と同じ方法で有機EL素子構造体を作成した。この構造体に半径20mmの曲げ変形を与えた場合に無機防湿層2,8近傍に発生する歪は1.0%と計算される。
【0098】
(評価及び結果)
実施例及び比較例の素子に直流電圧5Vを印加したところ、安定なEL発光が観察された。輝度はほぼ電流密度に比例していた。実施例の有機EL素子構造体を20mmφの円筒に巻きつけ、試験後の素子の外観を顕微鏡観察したところ、無機防湿層2,8に特に変化は認められなかった。
【0099】
比較例の有機EL素子構造体を実施例と同様に20mmφの円筒に巻きつけた。試験後の外観を顕微鏡観察したところ無機防湿層2,8の表面に微小なクラックが多数観察された。
【0100】
【発明の効果】
本発明の有機EL素子構造体によれば、有機EL素子層の劣化が大幅に抑制され、ダークスポットの低減、長寿命化が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る有機EL素子構造体の縦断面図である。
【図2】別の実施の形態に係る有機EL素子構造体の縦断面図である。
【図3】入射光の波長(nm)と透過率(%)の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…可撓性基板、1X…底面、9a…無機防湿層、1a…無機防湿層、1b…透明樹脂保護層、2…下部無機防湿層、3…陽極層、4…正孔輸送層、5…蛍光体層、6…電子輸送オ層、7…陰極層、8…上部無機防湿層、8…下部無機防湿層、9…最表面層(透明樹脂保護層)、9b…透明樹脂保護層、9X…露出表面。

Claims (7)

  1. 可撓性基板上に複数の層を積層してなり、前記可撓性基板の底面と前記複数の層の最表面層の露出表面との間の厚み方向領域で規定される有機EL素子構造体であって、
    前記複数の層は、前記最表面層と前記可撓性基板との間に介在する有機EL素子層と、該有機EL素子層を挟む無機防湿層とを備え、
    前記有機EL素子層は電圧が印加されるための導電性物質を有しており、
    前記無機防湿層は、前記有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置し、前記有機EL素子層を完全に覆うように形成されており、かつ前記可撓性基板からの距離が遠い方の無機防湿層は、前記有機EL素子層上の前記導電性物質に密着し、この無機防湿層は物理的気相堆積法又は化学的気相堆積法により、前記導電性物質に対して形成されていることを特徴とする有機EL素子構造体。
  2. 前記無機防湿層は、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、スズ、インジウムからなる群から選択される少なくとも1つの元素の酸化物、窒化物、酸窒化物若しくはフッ化物、又はこれらの混合物からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子構造体。
  3. 前記複数の層は、前記可撓性基板からの距離が遠い方の前記無機防湿層上に密着した透明樹脂保護層を備えることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子構造体。
  4. 前記可撓性基板が非晶質透明樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子構造体。
  5. 前記非晶質透明樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォン及びシクロオレフィンポリマーからなる群から選択される少なくとも1つの樹脂からなることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子構造体。
  6. 前記複数の層のそれぞれは、前記有機EL素子層の厚み方向を半径とする曲率半径が20mmの曲げ変形を与えた場合に、前記無機防湿層に発生する歪が1%以下となるように、材料及び厚みが設定されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子構造体。
  7. 可撓性基板の厚みT 、透明樹脂保護層の厚みT 、透明樹脂保護の弾性率Ec及び可撓性基板の弾性率Efは以下の不等式:
    0.8≦(Ec×Tc)/(Ef×Tf)≦1.2
    を満たすことを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子構造体。
JP2001367255A 2001-11-30 2001-11-30 有機el素子構造体 Expired - Fee Related JP3963712B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001367255A JP3963712B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 有機el素子構造体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001367255A JP3963712B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 有機el素子構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003168556A JP2003168556A (ja) 2003-06-13
JP3963712B2 true JP3963712B2 (ja) 2007-08-22

Family

ID=19177033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001367255A Expired - Fee Related JP3963712B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 有機el素子構造体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3963712B2 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005038661A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び光源
US7291967B2 (en) 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
WO2005027582A1 (ja) * 2003-09-10 2005-03-24 Fujitsu Limited 表示装置及びその製造方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
JP4656906B2 (ja) * 2003-10-21 2011-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2005311171A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Kansai Tlo Kk 有機半導体デバイス
US7579054B2 (en) 2004-06-25 2009-08-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Substrate for flexible displays
JP2006253055A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用フレキシブル基板及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006308859A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 表示装置
US8193705B2 (en) * 2005-11-02 2012-06-05 Ifire Ip Corporation Laminated conformal seal for electroluminescent displays
US8115326B2 (en) * 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
TWI420722B (zh) 2008-01-30 2013-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 具有封裝單元之裝置
WO2009118848A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 パイオニア株式会社 有機elディスプレイ
CN108511615B (zh) 2013-03-08 2020-03-03 日本先锋公司 发光元件
US9543546B2 (en) 2013-06-18 2017-01-10 Konica Minolta, Inc. Organic light-emitting element
JP6477468B2 (ja) * 2013-06-28 2019-03-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2016-08-25 パイオニア株式会社 発光装置
JP6563796B2 (ja) * 2015-12-03 2019-08-21 双葉電子工業株式会社 封止構造、有機el表示装置、及びセンサ
WO2017170056A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 シャープ株式会社 有機el表示装置
JP2020064704A (ja) * 2017-02-22 2020-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
EP3575087A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-04 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Protection of foldable electronics
JP2019117808A (ja) * 2019-04-24 2019-07-18 パイオニア株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003168556A (ja) 2003-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3963712B2 (ja) 有機el素子構造体
CN103022364B (zh) 电致发光元件以及采用它的发光器件
KR100478525B1 (ko) 광 누출이 없고 개선된 광 추출 효율을 갖는 전기발광체를이용한 발광 소자 및 표시 장치
JP2001307873A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2000260572A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2004327414A (ja) 有機el素子およびその製造方法
JP4810739B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP3987770B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4537596B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH1041067A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP4310843B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JP2003297554A (ja) 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
JP2001313164A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
JP3492535B2 (ja) 有機薄膜el素子とその製造方法
JPH11195484A (ja) 有機el素子
JPH07166160A (ja) 有機薄膜el素子
JP2003229269A (ja) 有機el素子
JP2001307871A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2008021575A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子の製造方法
US20050122041A1 (en) Organic electroluminescent device
JP2003297550A (ja) 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
JPH11121172A (ja) 有機el素子
JP2004227943A (ja) 有機el発光素子およびその製造方法
JP2007273487A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH11135264A (ja) 有機el素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040622

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070405

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070522

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees