JP2001313164A

JP2001313164A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末

Info

Publication number: JP2001313164A
Application number: JP2000129128A
Authority: JP
Inventors: Takashi Hamano; 敬史濱野; Takahiro Komatsu; 隆宏小松; Akira Gyotoku; 明行徳; Koji Yoshida; 宏治吉田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-04-28
Filing date: 2000-04-28
Publication date: 2001-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、帯電防止性に優れた高分子フィル
ムの材料及びその特性の最適化を図り、或いは高分子フ
ィルムに機能を付加することにより、或いは有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造工程において除電対策を
施すことにより、様々な環境下での使用が可能であり、
最適な発光性能を維持する事ができる有機エレクトロル
ミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
を提供する事を目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子は、透明または半透明の高分子フィルム上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯電防
止層を有する事を特徴する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、種々の表示装置や
表示装置の光源又はバックライト、若しくは光通信機器
に使用される発光素子等に用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子とは、固
体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであ
り、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクト
ロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイ
のバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開
が一部で図られている。しかし、無機エレクトロルミネ
ッセンス素子は発光させるために必要な電圧が１００Ｖ
以上と高く、しかも青色発光が難しいため、ＲＧＢの三
原色によるフルカラー化が困難である。

【０００３】一方、有機材料を用いたエレクトロルミネ
ッセンス素子に関する研究も古くから注目され、様々な
検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから
本格的な実用化研究へは進展しなかった。

【０００４】しかし、１９８７年にコダック社のＣ．
Ｗ．Ｔａｎｇらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層
の２層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子が提案され、１０Ｖ以下の低
電圧にもかかわらず１０００ｃｄ／ｍ²以上の高い発光
輝度が得られることが明らかとなった〔Ｃ．Ｗ．Ｔａｎ
ｇａｎｄＳ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ：Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ、５１（１９８７）９１３等参照〕。
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注
目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有す
る有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が
盛んに行われている。

【０００５】ここで、従来の一般的な有機エレクトロル
ミネッセンス素子の構成について図５を用いて説明す
る。

【０００６】図５は従来の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の要部断面図である。

【０００７】図５において、１はガラス基板、２は陽
極、３は正孔輸送層、４は発光層、５は陰極である。

【０００８】図５に示すように有機エレクトロルミネッ
センス素子は、ガラス基板上にスパッタリング法や抵抗
加熱蒸着法等により形成されたＩＴＯ等の透明な導電性
膜からなる陽極２と、陽極２上に同じく抵抗加熱蒸着法
等により形成されたＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−
ビス（３−メチルフェニル）−１、１’−ジフェニル−
４、４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと略称する。）等か
らなる正孔輸送層３と、正孔輸送層３上に抵抗加熱蒸着
法等により形成された８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌ
ｉｎｅＡｌｕｍｉｎｕｍ（以下、Ａｌｑ₃と略称す
る。）等からなる発光層４と、発光層４上に抵抗加熱蒸
着法等により形成された３００ｎｍ以下の膜厚の金属膜
からなる陰極５とを備えている。

【０００９】上記構成を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子の陽極２をプラス極として、また陰極５をマ
イナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽
極２から正孔輸送層３を介して発光層４に正孔が注入さ
れ、陰極５から発光層４に電子が注入される。発光層４
では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成され
る励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現
象が起こる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このような有機エレク
トロルミネッセンス素子においては、通常、その基板と
してガラスが使用されている。しかしながら、基板がガ
ラスである場合には割れを防止する為に、その取り扱い
には完成品だけでなく製造工程においても細心の注意が
必要である。加えて、可撓性がないことにより、曲面状
に形成することができず、様々な形状に加工することも
困難であるため種々の用途に対応できない。また、軽量
化を図る上でもガラス自体の重量が問題となっていた。

【００１１】そこで、有機エレクトロルミネッセンス素
子の基板に可撓性を有する高分子フィルムを使用して、
上述した問題点の解決を図る事が提案されている。

【００１２】例えば、特開平６−１２４７８５号公報に
は、高分子フィルム等の表面形状を規定することで発光
効率、安定性を向上させる発明がなされている。また、
特開平７−１５３５７１号公報では素子部の両側を吸湿
性及び防湿性のフィルムで挟む構成の発明が開示されて
いる。更には、特開平８−１６７４７５号公報によるガ
スバリア性、水蒸気バリア性に優れたフィルムを使用す
る方法や、特開平１０−２１４６８３号公報の水分不透
過性の接合改善膜を導入する方法等により高分子フィル
ム使用時の安定性の改善がなされている。このように上
記何れの発明においても発光効率、安定性等の改善はな
されている。

【００１３】しかしながら、高分子フィルムは、一般に
ガラスに比べ静電気が発生し易く、静電気によって、有
機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した表示装置の
故障を引き起こしたり、帯電することによって、ゴミが
付着する等の問題がある。特に、製造工程での高分子フ
ィルムへのゴミの付着は、有機エレクトロルミネッセン
ス素子において黒点（ダークスポット）と呼ばれる非発
光部の原因となっていた。更に、製造工程のみならず完
成品においても、高分子フィルム表面にゴミが付着する
ことにより、有機エレクトロルミネッセンス素子発光に
よる表示の視認性を阻害すると言う問題があった。ま
た、帯電した高分子フィルムに付着したゴミを取り除く
事も困難であった。そして、上記何れの発明においても
これらの課題を解決するものはなく、十分な特性が得ら
れているものはない。

【００１４】本発明は上記問題点に鑑み、帯電防止性に
優れた高分子フィルムの材料及びその特性の最適化を図
り、或いは高分子フィルムに機能を付加することによ
り、或いは有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工
程において除電対策を施すことにより、様々な環境下で
の使用が可能であり、最適な発光性能を維持する事がで
きる有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた
表示装置及び携帯端末を提供する事を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透
明または半透明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔
を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を
注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素
子であって、高分子フィルムは、帯電防止層を有する構
成としたものである。

【００１６】この構成により、良好な帯電防止効果が得
られると共に、良好な発光輝度特性を有するものであ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、透明ま
たは半透明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注
入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入
する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子で
あって、前記高分子フィルムは、帯電防止層を有する事
を特徴する有機エレクトロルミネッセンス素子としたも
のであり、帯電防止性に優れているので、静電気障害を
引き起こすこともなく、さらに、ゴミの付着もなく、最
適な発光性能を維持する事ができる。

【００１８】請求項２に記載の発明は、透明または半透
明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注入する陽
極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記高分子フィルムは、帯電防止剤を含有する事を特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子としたもので
あり、帯電防止性に優れているので、静電気障害を引き
起こすこともなく、さらに、ゴミの付着もなく、最適な
発光性能を維持する事ができる。

【００１９】請求項３に記載の発明は、透明または半透
明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注入する陽
極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記高分子フィルムは、帯電防止処理されている事を特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子としたもの
であり、帯電防止性に優れているので、静電気障害を引
き起こすこともなく、さらに、ゴミの付着もなく、最適
な発光性能を維持する事ができる。

【００２０】本発明の請求項４に記載の発明は、透明ま
たは半透明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注
入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入
する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子で
あって、前記高分子フィルムは、その表面抵抗が、１０
¹¹Ω／ｓｑ．以下である事を特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子としたものであり、帯電防止性に優
れているので、静電気障害を引き起こすこともなく、さ
らに、ゴミの付着もなく、最適な発光性能を維持する事
ができる。

【００２１】請求項５に記載の発明は、透明または半透
明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注入する陽
極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記高分子フィルムは、帯電防止処理された事を特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、ゴミの
付着もなく、最適な発光性能を維持する事ができる。

【００２２】請求項６に記載の発明は、透明または半透
明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注入する陽
極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記高分子フィルムは、相対湿度２０％ＲＨ以上の大気
中で洗浄処理された事を特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であり、帯電防止性に優れているので、
ゴミの付着もなく、最適な発光性能を維持する事ができ
る。

【００２３】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６に
おいて、陽極と陰極を駆動する駆動手段とを備えた事を
特徴とする表示装置であり、帯電防止性に優れているの
で、静電気障害を引き起こすこともなく、さらに、ゴミ
の付着もなく、最適な発光性能を維持する事ができ、良
好な表示を行うことができる。

【００２４】請求項８に記載の発明は、請求項７におい
て、陽極がストライプ状に個々電気的に分離され、陰極
がストライプ状に個々電気的に分離されて構成されて、
画像表示配列を有する事を特徴とする表示装置であり、
帯電防止性に優れているので、静電気障害を引き起こす
こともなく、さらに、ゴミの付着もなく、最適な発光性
能を維持する事ができ、単純マトリックス方式での良好
な表示を行うことができる。

【００２５】請求項９に記載の発明は、音声を音声信号
に変換する音声信号変換手段と、電話番号等を入力する
操作手段と、着信表示や電話番号等を表示する表示手段
と、音声信号を送信信号に変換する通信手段と、受信信
号を音声信号に変換する受信手段と、送信信号及び受信
信号を送受信するアンテナと、各部を制御する制御手段
を備えた携帯端末であって、表示手段が請求項７，８い
ずれか１記載の表示装置から構成されたことを特徴とす
る携帯端末であり、帯電防止性に優れているので、静電
気障害を引き起こすこともなく、さらに、ゴミの付着も
なく、最適な発光性能を維持する事ができ、阻害のない
安定した表示を行うことができ、更に軽量化を図ること
ができる。

【００２６】以下、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子について、詳細に説明する。

【００２７】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子の基板となる透明または半透明の高分子フィルム（以
下、単に「フィルム」と呼ぶこともある。）としては、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリ
フッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリア
クリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂等が
用いられる。

【００２８】なお、本発明において、透明または半透明
なる定義は、有機エレクトロルミネッセンス素子による
発光の視認を妨げない程度の透明性を示すものである。

【００２９】次に、これらの高分子フィルムに求められ
る特性を以下に示す。

【００３０】高分子フィルムは、その表面抵抗が、１０
¹¹Ω／ｓｑ．以下であり、好ましくは１０⁹Ω／ｓｑ．
以下である。そして、更に好ましくは１０⁷Ω／ｓｑ．
以下である。

【００３１】ここで、高分子フィルムは、一般にガラス
に比べ静電気が発生し易く、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造工程において、帯電したフィルム表面に
ゴミが付着し、このゴミが原因となり、黒点と呼ばれる
非発光部が形成される。また、場合によっては発光部の
ドット抜けなどが生じ、最適な発光性能を維持すること
ができない。

【００３２】そこで、高分子フィルムの表面抵抗が１０
¹¹Ω／ｓｑ．以下であれば、フィルム表面へのゴミの付
着が抑制される。

【００３３】また、高分子フィルムの表面抵抗が１０⁹
Ω／ｓｑ．以下であれば、フィルム表面の帯電が減少す
るため、静電気によるゴミの引き付け効果が弱まり、最
適な発光面を得ることができる。

【００３４】更に、ドットマトリックスのような微小パ
ターンを形成する場合、ゴミの影響を強く受けるため、
フィルムの表面抵抗が１０⁷Ω／ｓｑ．以下であること
が好ましい。

【００３５】また、有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造工程のみならず完成品においても、フィルム表面
の静電気によって、フィルム表面にゴミが付着し易く、
素子表示の視認性が悪くなるなどの不都合が生じる。更
に、フィルム表面に帯電した静電気が有機エレクトロル
ミネッセンス素子に流れることで、素子や駆動回路が破
損するといった静電気障害を生じることもある。

【００３６】そこで、フィルムの表面抵抗が１０¹¹Ω／
ｓｑ．以下であれば、フィルム表面へのゴミの付着が抑
制される。

【００３７】また、フィルムの表面抵抗が１０⁹Ω／ｓ
ｑ．以下であればフィルム表面の帯電が減少するため、
静電気によるゴミの引き付け効果は弱まり、また、帯電
による静電気障害を引き起こすこともなく、最適な発光
面を得ることができる。

【００３８】更に、ドットマトリックスのような微小パ
ターンを形成する場合、ゴミの影響を強く受けるため、
フィルムの表面抵抗が１０⁷Ω／ｓｑ．以下であること
が好ましい。

【００３９】次に、帯電防止層としては、フィルム表
面、あるいはフィルム表面の無機層の表面に形成するも
ので、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光に
対して透過率が高く、導電性の高い材料を、フィルム表
面の全面に形成した単層構造、有機エレクトロルミネッ
センス素子からの発光に対して透過率が低く、導電性の
高い材料を、フィルム表面の非発光部に配して形成した
単層構造、フィルム表面に防湿層を設け、その表面に吸
湿型帯電防止剤を塗布して形成した２層構造、あるい
は、上記帯電防止層およびその他の機能層を組み合わせ
た積層構造から構成することができる。

【００４０】帯電防止剤としては、導電型帯電防止剤と
して、導電性塗料・導電性プラスチック・無機酸化物・
導電性カーボン・金属繊維等が用いられ、有機エレクト
ロルミネッセンス素子からの発光に対する透過率、およ
び、導電性を加味して適宜選択し用いる。この中でも、
無機酸化物をフィラーとする導電性塗料、特に透明導電
性塗料が、加工適正、発光に対する透過率に優れており
好ましい。

【００４１】また、これら導電型帯電防止剤をフィルム
表面の帯電防止層として用いるのではなく、フィルム内
にこれら帯電防止剤を配し、フィルム自体に帯電防止効
果を付加することもできる。

【００４２】吸湿型帯電防止剤としては、カチオン系界
面活性剤・アニオン系界面活性剤・両イオン界面活性剤
等の界面活性剤、透明ガラス質高分子膜帯電防止剤、シ
クロヘキサン系帯電防止剤、ポリマー系帯電防止剤が用
いられ、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光
に対する透過率、および、導電性を加味して適宜選択し
用いる。

【００４３】帯電防止処理方法としては、製造工程にお
いて、フィルムを除電バーあるいはアースに接触させな
がら加工する、あるいは、製造工程中、適宜、コロナ放
電、自己放電、紫外線照射、軟Ｘ線照射、放射線照射等
により生成したイオンを照射する等のいわゆる除電処理
を行う方法、あるいは、製造工程中、有機膜を蒸着する
前の洗浄行程を、相対湿度２０％ＲＨ以上の大気中で行
う等の方法がある。なお、本発明において帯電防止処理
方法とは、いわゆる除電処理を含むものである。

【００４４】次に、有機エレクトロルミネッセンス素子
の陽極について説明する。陽極は、正孔を注入する電極
であり、正孔を効率良く発光層或いは正孔輸送層に注入
することが必要である。そして陽極は、光透性の導電膜
であり、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ
（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物、あ
るいは、ＳｎＯ：Ｓｂ（アンチモン）、ＺｎＯ：Ａｌ
（アルミニウム）といった混合物からなる透明導電膜
や、ポリピロール等の導電性高分子等を用いる事がで
き、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法または
電解重合法、化学重合法により形成する。また、陽極
は、十分な導電性を持たせるため、または、基板として
の高分子フィルム表面の凹凸による不均一発光を防ぐた
めに、１０ｎｍ以上の厚さにすることが望ましい。ま
た、十分な透明性を持たせるために２００ｎｍ以下の厚
さにすることが望ましい。

【００４５】また、陽極に非晶質炭素膜を設けても良
い。この場合には、共に正孔注入電極としての機能を有
する。即ち、陽極から非晶質炭素膜を介して発光層或い
は正孔輸送層に正孔が注入される。また、非晶質炭素膜
は、陽極と発光層或いは正孔輸送層との間にスパッタ法
により形成されてなる。スパッタリングによるカーボン
ターゲットとしては、等方性グラファイト、異方性グラ
ファイト、ガラス状カーボン等があり、特に限定するも
のではないが、純度の高い等方性グラファイトが適して
いる。非晶質炭素膜が優れている点を具体的に示すと、
理研計器製の表面分析装置ＡＣ−１を使って、非晶質炭
素膜の仕事関数を測定すると、非晶質炭素膜の仕事関数
は、Ｗ_c＝５．４０ｅＶである。ここで、一般に陽極と
してよく用いられているＩＴＯの仕事関数は、Ｗ_ITO＝
５．０５ｅＶであるので、非晶質炭素膜を用いた方が発
光層或いは正孔輸送層に効率よく正孔を注入できる。ま
た、非晶質炭素膜をスパッタリング法にて形成する際、
非晶質炭素膜の電気抵抗値を制御するために、窒素ある
いは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で反応性スパッ
タリングする。さらに、スパッタリング法などによる薄
膜形成技術では、膜厚を５ｎｍ以下にすると膜が島状構
造となり均質な膜が得られない。そのため、非晶質炭素
膜の膜厚が５ｎｍ以下では電気抵抗が高くなり過ぎ、そ
の結果、電流が流れず、効率の良い発光が得られない。
また、非晶質炭素膜の膜厚を１００ｎｍ以上とすると、
膜の色が黒味を帯び、有機エレクトロルミネッセンス素
子の発光が十分に透過しなくなる。

【００４６】また、発光層としては、可視領域で蛍光特
性を有し、かつ成膜性の良い蛍光体からなるものが好ま
しく、Ａｌｑ₃やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢ
ｑ₂）の他に、２、５−ビス（５、７−ジ−ｔ−ペンチ
ル−２−ベンゾオキサゾリル）−１、３、４−チアジア
ゾール、４、４’−ビス（５、７−ベンチル−２−ベン
ゾオキサゾリル）スチルベン、４、４’−ビス〔５、７
−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサ
ゾリル〕スチルベン、２、５−ビス（５、７−ジ−ｔ−
ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２、
５−ビス（〔５−α、α−ジメチルベンジル〕−２−ベ
ンゾオキサゾリル）チオフェン、２、５−ビス〔５、７
−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサ
ゾリル〕−３、４−ジフェニルチオフェン、２、５−ビ
ス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェ
ン、４、４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフ
ェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−
２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾ
オキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビ
ニル〕ナフト〔１、２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオ
キサゾール系、２、２’−（ｐ−フェニレンジビニレ
ン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、
２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニ
ル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カ
ルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベ
ンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、ビス（８−キノ
リノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ−８−キノリノ
ール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）イ
ンジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）ア
ルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−
クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロ
ロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス
（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８
−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンド
リジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、
１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１、４
−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（４
−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、
１、４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１、４
−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス
（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリ
ルベンゼン系化合物や、２、５−ビス（４−メチルスチ
リル）ピラジン、２、５−ビス（４−エチルスチリル）
ピラジン、２、５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニ
ル〕ピラジン、２、５−ビス（４−メトキシスチリル）
ピラジン、２、５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニ
ル〕ピラジン、２、５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビ
ニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタ
ルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾー
ル誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン
誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体
や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さら
に、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等
も用いられる。

【００４７】また、発光層のみの単層構造の他に、正孔
輸送層と発光層又は発光層と電子輸送層の２層構造や、
正孔輸送層と発光層と電子輸送層の３層構造のいずれの
構造でもよい。但し、このような２層構造又は３層構造
の場合には、正孔輸送層と陽極が、又は電子輸送層と陰
極が接するように積層して形成される。

【００４８】そして、正孔輸送層としては、正孔移動度
が高く、透明で成膜性の良いものが好ましくＴＰＤの他
に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロ
シアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニ
ンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１、１−ビス
｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキ
サン、４、４’、４’’−トリメチルトリフェニルアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−
Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ、Ｎ−ジ−Ｐ−トリ
ルアミノ）ナフタレン、４、４’−ビス（ジメチルアミ
ノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ、
Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノ
ビフェニル、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ
−トリル−４、Ｎ、Ｎ−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−１、１’−４、４’−ジアミ
ン、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ
−ル等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルア
ミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’
−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オ
キサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリ
アリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラ
ゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニー
ルアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキ
サゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フ
ルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘
導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オ
リゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリ
ディン系化合物や、ポリ３−メチルチオフェン等の有機
材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子
中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高
分子分散系の正孔輸送層も用いられる。

【００４９】また、電子輸送層としては、１、３−ビス
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１、３、４−オキサ
ジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジア
ゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体等が用いられる。

【００５０】陰極は、電子を注入する電極であり、電子
を効率良く発光層或いは電子輸送層に注入することが必
要であり、仕事関数の小さいＡｌ（アルミニウム）、Ｉ
ｎ（インジウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｔｉ（チタ
ン）、Ａｇ（銀）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロ
ンチウム）等の金属、あるいは、これらの金属の酸化物
やフッ化物およびその合金、積層体等が一般に用いられ
る。特に仕事関数の小さなＭｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金、特開
平５−１２１１７２号公報記載のＡｌ−Ｌｉ合金やＳｒ
−Ｍｇ合金あるいはＡｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等
あるいはＬｉＯ ₂／ＡｌやＬｉＦ／Ａｌ等の積層構造が
好適である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着、電子ビー
ム蒸着、スパッタ法が用いられる。

【００５１】さらに陰極の上に蒸着やスパッタリング等
もしくは塗布法により大気中の酸素や水分の影響を遮断
するための封止膜を設ける場合もある。その材料とし
て、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機酸
化物、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止効果のあるシラ
ン系の高分子材料等が挙げられる。

【００５２】以下に本発明の実施の形態について説明す
る。

【００５３】（実施の形態１）本発明の実施の形態にお
ける有機エレクトロルミネッセンス素子について述べ
る。

【００５４】図１は、本発明の実施の形態における有機
エレクトロルミネッセンス素子の要部断面図である。

【００５５】図１において、陽極２、正孔輸送層３、発
光層４、陰極５は従来の技術で説明したものと同様のも
のであるので、同一の符号を付して説明を省略する。ま
た、６は高分子フィルムである。

【００５６】本実施の形態における有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、高分子フィルム６の表面に帯電防止
層７を備えている。そして、その表面抵抗の値が少なく
とも１０¹¹Ω／ｓｑ．以下になっていることが好まし
い。高分子フィルム６、帯電防止層７の構成材料、形成
方法は上述した構成材料、形成方法や従来公知の材料の
中から適宜選択して用いることができる。更に、帯電防
止層７を設けずに、高分子フィルム６内に帯電防止剤を
含有させてもよく、両者の組み合わせであってもよい。

【００５７】なお、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、
陰極５の構成材料、形成方法も上述した構成材料、形成
方法や従来公知のものを用いることができる。

【００５８】更に、本実施の形態においては、正孔輸送
層と発光層からなる二層構造の場合について説明した
が、その構造については前述のように特にこれに限定さ
れるものではない。

【００５９】また、封止の形態については、無機酸化物
による保護膜を形成して封止する等の適宜手段を採用す
ることができる。他に保護膜とシールド材等との組み合
わせであっても何等問題ない。

【００６０】以上のように、本実施の形態によれば、フ
ィルム表面の帯電防止性に優れているので、静電気障害
を引き起こすこともなく、さらに、ゴミの付着もなく、
最適な発光性能を維持する事ができる。

【００６１】（実施の形態２）次に、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を用いた表示装置について説
明する。

【００６２】図２は、本発明の実施の形態における有機
エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の概略
斜視図である。

【００６３】図２において、陽極２、正孔輸送層３、発
光層４、陰極５、高分子フィルム６は、実施の形態１と
同一の符号を付してここでは説明を省略する。

【００６４】本実施の形態においては、図２に示すよう
に、陽極２は線状にパターニングされており、これに略
直交する形で陰極５も同様に線状にパターニングされて
いる。

【００６５】そして、この表示装置の陽極２をプラス
側、陰極５をマイナス側とし、図示しない駆動手段とし
ての駆動回路（ドライバ）に接続し、選択した陽極２、
陰極５に直流電圧または直流電流を印加すれば、直交す
る部分の発光層４が発光し、単純マトリックス方式の表
示装置として使用することができる。

【００６６】本実施の形態においては、高分子フィルム
６は、そのフィルム内部に帯電防止剤を含有するもので
ある。そして、好ましくは、表面抵抗の値が少なくとも
１０ ¹¹Ω／ｓｑ．以下になっていることである。このよ
うなドットマトリックスのような微小パターンを形成す
る場合では、ゴミの影響を強く受けるため、フィルムの
表面抵抗が１０⁷Ω／ｓｑ．以下であることがより好ま
しい。高分子フィルム６や含有させる帯電防止剤の構成
材料、形成方法は上述した構成材料、形成方法や従来公
知の材料の中から適宜選択して用いることができる。更
に、高分子フィルム６内に帯電防止剤を含有させずに、
帯電防止層を設けてもよく、両者の組み合わせであって
もよい。ここで、表面抵抗を下げ過ぎると、高分子フィ
ルム６上にパターニングされた陽極２が実質的に導通す
ることになるが、パターニングされた陽極２間の絶縁性
を保持できる表面抵抗で有ることは言うまでもない。

【００６７】なお、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、
陰極５の構成材料、形成方法も上述した構成材料、形成
方法や従来公知のものを用いることができる。

【００６８】以上のように、本実施の形態の表示装置に
おいても、フィルム表面の帯電防止性に優れているの
で、静電気障害を引き起こすこともなく、さらに、ゴミ
の付着もなく、最適な発光性能を維持する事ができる。

【００６９】また、本実施の形態においては、単純マト
リックス方式の表示装置について説明したが、アクティ
ブマトリックス方式の表示装置でもよく、高分子フィル
ム６にＴＦＴを形成すればよい。その場合にも高分子フ
ィルム６が帯電防止されていることは言うまでもない。

【００７０】（実施の形態３）次に、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を用いた携帯端末について説
明する。図３及び図４はそれぞれ本発明の実施の形態に
おける有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示
装置を備えた携帯端末を示す斜視図及びブロック図であ
る。図３及び図４において、８は音声を音声信号に変換
するマイク、９は音声信号を音声に変換するスピーカ
ー、１０はダイヤルボタン等から構成される操作部、１
１は着信等を表示する表示部であり本発明の有機エレク
トロルミネッセンスを用いた表示装置より構成されてい
る、１２はアンテナ、１３はマイク８からの音声信号を
送信信号に変換する送信部で、送信部１３で作製された
送信信号は、アンテナ１２を通して外部に放出される。
１４はアンテナ１２で受信した受信信号を音声信号に変
換する受信部で、受信部１４で作成された音声信号はス
ピーカー９にて音声に変換される。１５は送信部１３，
受信部１４，操作部１０，表示部１１を制御する制御部
である。

【００７１】マイク８は、使用者（発信者）の通話時の
音声等が入力され、スピーカー９からは相手側の音声や
告知音が出力されて使用者（受信者）に伝達される。な
お、携帯端末として、ページャーを用いる場合には、マ
イク８は特に設けなくてもよい。

【００７２】更に、操作部１０には、ダイヤルボタンと
してのテンキーや各種の機能キーを備えている。また、
テンキーや各種の機能キーだけでなく、文字キー等を備
えていてもよい。この操作部１０から、電話番号、氏
名、時刻、各種機能の設定、Ｅメールアドレス、ＵＲＬ
等の所定のデータが入力される。更に操作部１０は、こ
のようなキーボードによる操作だけでなく、ペン入力装
置、音声入力装置、磁気又は光学入力装置を用いてもよ
い。

【００７３】表示部１１は、操作部１０から入力される
所定のデータやメモリに記憶された電話番号、Ｅメール
アドレス、ＵＲＬ等のデータ或いはキャラクタアイコン
等が表示される。

【００７４】また、アンテナ１２は、電波の送信か受信
の少なくとも一方を行う。なお、本実施の形態では、信
号の送信、受信を電波で行うので、アンテナ（ヘリカル
アンテナ、平面アンテナ等）を設けたが、光通信等を行
う場合には、発光素子や受光素子をアンテナの代わりに
設けてもよい。この場合には、発光素子で信号を他の通
信機器などに送信し、受光素子で外部からの信号を受信
する。

【００７５】送信部１３、受信部１４は、それぞれ、音
声信号を送信信号に変換し、受信した受信信号を音声信
号に変換する。

【００７６】更に、制御部１５は、図示されていないＣ
ＰＵやメモリ等を用いた従来公知の手法により構成され
ており、送信部１３、受信部１４、及び、操作部１０、
表示部１１を制御する。より具体的には、これら各部に
設けられた図示しない各制御回路、駆動回路等に命令を
与える。例えば、制御部１５からの表示命令を受けた表
示制御回路は、表示駆動回路を駆動し、表示部１１に表
示が行われる。

【００７７】以下その動作の一例について説明する。

【００７８】先ず、着信があった場合には、受信部１４
から制御部１５に着信信号を送出し、制御部１５は、そ
の着信信号に基づいて、表示部１１に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部１０から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部１５に送出されて、
制御部１５は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ１２で受信した信号は、受信部１４で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー９から音声として出力さ
れると共に、マイク８から入力された音声は、音声信号
に変換され、送信部１３を介し、アンテナ１２を通して
外部に送出される。

【００７９】次に、発信する場合について説明する。

【００８０】まず、発信する場合には、操作部１０から
発信する旨の信号が、制御部１５に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部１０から制御部１５に
送られてくると、制御部１５は送信部１３を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ１２から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ１２を介し受信部１４を通して
制御部１５に送られると、制御部１５は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ１２で受信した信号は、受
信部１４で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
９から音声として出力されると共に、マイク８から入力
された音声は、音声信号に変換され、送信部１３を介
し、アンテナ１２を通して外部に送出される。

【００８１】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う携帯端末についても同様な効果を得ることができる。

【００８２】このような本実施の形態による携帯端末に
おいても、フィルム表面の帯電防止性に優れているの
で、静電気障害を引き起こすこともなく、さらに、ゴミ
の付着もなく、最適な発光性能を維持する事ができる。

【００８３】特に近年、携帯端末はより軽量であること
が求められており、従来の有機エレクトロルミネッセン
ス素子のガラス基板に代えて、高分子フィルムを用いる
事は飛躍的な軽量化をもたらすことが可能となる。そし
て、携帯端末のような表示領域が比較的狭い場合では、
その表示領域において、阻害のない安定した表示が求め
られている。よって、本発明の有機エレクトロルミネッ
センス素子を用いることにより、最適な発光性能を維持
することは極めて有効であって、更にゴミ付着による阻
害を抑制する事も極めて有効である。

【００８４】

【実施例】（実施例１）ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）上に膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した
後、ＩＴＯ膜上にレジスト材（東京応化社製、ＯＦＰＲ
−８００）をスピンコート法により塗布して厚さ１０μ
ｍのレジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジ
スト膜を所定の形状にパターニングした。次に、このフ
ィルム基板を６０℃で５０％の塩酸中に浸漬して、レジ
スト膜が形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチング
した後、レジスト膜も除去し、所定のパターンのＩＴＯ
膜からなる陽極が形成されたポリエチレンテレフタレー
トフィルム基板を得た。

【００８５】次に、このフィルム基板の陽極が形成され
た面とは逆の表面に、導電性を有する無機酸化物をフィ
ラーとする透明導電性塗料を塗布し、帯電防止膜とし
た。

【００８６】次に、このフィルム基板を、洗剤（フルウ
チ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗
浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１
（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶
液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分
間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで
基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。

【００８７】次に、フィルム基板の陽極側の表面に、２
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸
着装置内にて、正孔輸送層としてＴＰＤを約５０ｎｍの
膜厚で形成した。

【００８８】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてＡｌｑ₃を約６０ｎｍの膜厚
で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に０．２ｎｍ／ｓであった。

【００８９】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着
源として、陰極を１５０ｎｍの膜厚で成膜した。

【００９０】このようにして得られた実施例１の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の高分子フィルム表面抵抗
を測定すると２．５×１０⁷Ω／ｓｑ．であった。

【００９１】（実施例２）実施例１と同様の材料、同様
の方法で、所定のパターンのＩＴＯ膜からなる陽極が形
成されたポリエチレンテレフタレートフィルム基板を得
た。

【００９２】次に、実施例１で用いた導電性を有する無
機酸化物の添加量を減少させて、このフィルム基板の陽
極が形成された面とは逆の表面に、導電性を有する無機
酸化物をフィラーとする透明導電性塗料を塗布し、帯電
防止膜とした。

【００９３】次に、このフィルム基板を、洗剤（フルウ
チ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗
浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１
（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶
液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分
間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで
基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。

【００９４】次に、フィルム基板の陽極側の表面に、２
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸
着装置内にて、正孔輸送層としてＴＰＤを約５０ｎｍの
膜厚で形成した。

【００９５】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてＡｌｑ₃を約６０ｎｍの膜厚
で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に０．２ｎｍ／ｓであった。

【００９６】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着
源として、陰極を１５０ｎｍの膜厚で成膜した。

【００９７】このようにして得られた実施例２の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の高分子フィルム表面抵抗
は１０⁹Ω／ｓｑ．オーダーであった。

【００９８】（実施例３）実施例１と同様の材料、同様
の方法で、所定のパターンのＩＴＯ膜からなる陽極が形
成されたポリエチレンテレフタレートフィルム基板を得
た。

【００９９】次に、実施例２で用いた導電性を有する無
機酸化物の添加量を減少させて、このフィルム基板の陽
極が形成された面とは逆の表面に、導電性を有する無機
酸化物をフィラーとする透明導電性塗料を塗布し、帯電
防止膜とした。

【０１００】次に、このフィルム基板を、洗剤（フルウ
チ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗
浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１
（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶
液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分
間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで
基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。

【０１０１】次に、フィルム基板の陽極側の表面に、２
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸
着装置内にて、正孔輸送層としてＴＰＤを約５０ｎｍの
膜厚で形成した。

【０１０２】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてＡｌｑ₃を約６０ｎｍの膜厚
で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に０．２ｎｍ／ｓであった。

【０１０３】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着
源として、陰極を１５０ｎｍの膜厚で成膜した。

【０１０４】このようにして得られた実施例３の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の高分子フィルム表面抵抗
は１０¹¹Ω／ｓｑ．オーダーであった。

【０１０５】（実施例４）上記実施例１と同様の材料、
同様の方法で、所定のパターンのＩＴＯ膜からなる陽極
が形成されたポリエチレンテレフタレートフィルム基板
を得た。

【０１０６】次に、このフィルム基板を、相対湿度３２
％ＲＨの部屋へ移し、上記実施例１と同様に，洗剤によ
る超音波洗浄、純水による超音波洗浄、アンモニア水・
過酸化水素水・水を混合した溶液による超音波洗浄、７
０℃の純水による超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒
素ブロアーで基板に付着した水分を除去した。

【０１０７】次に、相対湿度２０％ＲＨの部屋にあるオ
ーブンを用いて加熱して乾燥した。

【０１０８】次に、フィルム基板の陽極側の表面に、２
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸
着装置内にて、正孔輸送層としてＴＰＤを約５０ｎｍの
膜厚で形成した。

【０１０９】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてＡｌｑ₃を約６０ｎｍの膜厚
で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に０．２ｎｍ／ｓであった。

【０１１０】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着
源として、陰極を１５０ｎｍの膜厚で成膜し、実施例４
の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。

【０１１１】（比較例１）実施例１と同様に、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）上に膜厚１６０ｎｍのＩ
ＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜上にレジスト材（東京応
化社製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗
布して厚さ１０μｍのレジスト膜を形成し、マスク、露
光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングし
た。次に、このフィルム基板を６０℃で５０％の塩酸中
に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のＩＴ
Ｏ膜をエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定の
パターンのＩＴＯ膜からなる陽極が形成されたポリエチ
レンテレフタレートフィルム基板を得た。

【０１１２】次に、このフィルム基板を、相対湿度２０
％ＲＨの部屋で、洗剤（フルウチ化学社製、セミコクリ
ーン）による５分間の超音波洗浄、純水による１０分間
の超音波洗浄、アンモニア水１（体積比）に対して過酸
化水素水１と水５を混合した溶液による５分間の超音波
洗浄、７０℃の純水による５分間の超音波洗浄の順に洗
浄処理した後、窒素ブロアーで基板に付着した水分を除
去し、さらに加熱して乾燥した。

【０１１３】次に、フィルム基板の陽極側の表面に、２
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸
着装置内にて、正孔輸送層としてＴＰＤを約５０ｎｍの
膜厚で形成した。

【０１１４】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてＡｌｑ₃を約６０ｎｍの膜厚
で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に０．２ｎｍ／ｓであった。

【０１１５】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着
源として、陰極を１５０ｎｍの膜厚で成膜した。

【０１１６】なお、このようにして得られた比較例１の
有機エレクトロルミネッセンス素子の高分子フィルム表
面抵抗は１０¹⁶Ω／ｓｑ．オーダーであった。

【０１１７】このようにして得られた実施例１〜３及び
比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動し
て発光させ、評価テストを実施した。

【０１１８】そのテスト結果を（表１）に示す。

【０１１９】

【表１】

【０１２０】ここで、（表１）の評価項目における評価
方法及びその評価基準について説明する。

【０１２１】発光面の視認性は、各素子を同一雰囲気下
一定時間放置した後、ゴミ付着による発光面の視認性の
程度を目視にて評価した。評価は、○，△，×の三段階
評価であり、その評価基準は、○：良好，△：許容でき
る，×：阻害ありである。

【０１２２】ゴミ除去容易性は、一定量のホコリを発光
面に散布付着させ、この発光面に対してエアーを一定時
間噴出させた後、発光面に残留したホコリを目視にて評
価した。評価は、○，△，×の三段階評価であり、その
評価基準は、○：良好，△：許容できる，×：阻害あり
である。

【０１２３】非発光部による阻害性は、非発光部（黒
点）による視認性阻害の有無を目視にて評価した。評価
は、○，×の二段階評価であり、その評価基準は、○：
阻害あり，×：阻害なしである。

【０１２４】また、実施例４及び比較例１の加工におけ
る評価、得られた実施例４及び比較例１の有機エレクト
ロルミネッセンス素子を駆動して発光させ評価テストを
実施した結果を（表２）に示す。

【０１２５】

【表２】

【０１２６】ここで、（表２）の評価項目における評価
方法及びその評価基準について説明する。

【０１２７】加工適正は、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の加工における高分子フィルム張り付きよる取り
扱い阻害の有無について評価した。評価は、○，×の二
段階評価であり、その評価基準は、○：阻害あり，×：
阻害なしである。

【０１２８】非発光部による阻害性は、非発光部（黒
点）による視認性阻害の有無を目視にて評価した。評価
は、○，×の二段階評価であり、その評価基準は、○：
阻害あり，×：阻害なしである。

【０１２９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、有機エ
レクトロルミネッセンス素子の基板として使用する高分
子フィルムの材料及びその特性の最適化を図り、或いは
高分子フィルムに機能を付加することで、或いは有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造工程を工夫すること
で、帯電防止性に優れ、最適な発光性能を維持する事が
できる有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用い
た表示装置及び携帯端末を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネセンス素子の要部断面図

【図２】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置の概略斜視図

【図３】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置を備えた携帯端末を
示す斜視図

【図４】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置を備えた携帯端末を
示すブロック図

【図５】従来の有機エレクトロルミネセンス素子の要部
断面図

【符号の説明】

１ガラス基板２陽極３正孔輸送層４発光層５陰極６高分子フィルム７帯電防止層８マイク９スピーカー１０操作部１１表示部１２アンテナ１３送信部１４受信部１５制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者行徳明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者吉田宏治大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 BA07 CA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C080 AA06 BB05 DD28 FF03 FF09 JJ02 JJ06 5K023 AA07 BB28 HH06 QQ00 RR00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯
電防止層を有する事を特徴する有機エレクトロルミネッ
センス素子。
【請求項２】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯
電防止剤を含有する事を特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
【請求項３】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯
電防止処理されている事を特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【請求項４】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、そ
の表面抵抗が、１０¹¹Ω／ｓｑ．以下である事を特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯
電防止処理された事を特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
【請求項６】透明または半透明の高分子フィルム上に、
少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発
光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、相
対湿度２０％ＲＨ以上の大気中で洗浄処理された事を特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】請求項１〜６いずれか１記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子と、前記陽極と前記陰極を駆動
する駆動手段とを備えた事を特徴とする表示装置。
【請求項８】前記陽極がストライプ状に個々電気的に分
離され、前記陰極がストライプ状に個々電気的に分離さ
れて構成されて、画像表示配列を有する事を特徴とする
請求項７記載の表示装置。
【請求項９】音声を音声信号に変換する音声信号変換手
段と、電話番号等を入力する操作手段と、着信表示や電
話番号等を表示する表示手段と、音声信号を送信信号に
変換する通信手段と、受信信号を音声信号に変換する受
信手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信する
アンテナと、各部を制御する制御手段を備えた携帯端末
であって、前記表示手段が請求項７，８いずれか１記載
の表示装置から構成された事を特徴とする携帯端末。