JP3944611B2 - ジアルケニルビフェニル誘導体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、ジアルケニルビフェニル誘導体、より詳しくは４−アルケニル−４’−アルケニルビフェニル及びそれを含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。 これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、高速応答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化のためには直接的には（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは（ｉｉ）弾性定数を大きくすることが必要であるが、弾性定数を大きくすると閾値電圧が上昇することが多いので粘性を小さくすることが効果的である。
【０００３】
液晶材料の粘性を小さくするためには、液晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤としては通常、２環性のｎ型液晶性化合物が用いられることが多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相上限温度（ＴN-I)をあまり低下させないならば、化合物単独では必ずしもネマチック液晶性を示す必要はない。
【０００４】
応答の高速化には液晶材料の屈折率異方性も重要な物性である。液晶素子応答を高速化するためには、素子のセル厚を薄くすることが最も効果的であるが、干渉縞の発生によるセルの色むらを防止するためには、セル厚（ｄ(μm)）と屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）がある一定の値（0.5、1.0、1.6、2.2）をとらなければならない。通常は0.5あるいは1.0に設定されるが、従ってセル厚を薄くするためには液晶材料の屈折率異方性を大きくする必要がある。現在用いられている減粘剤のなかで、シクロヘキサン系の２環性ｎ型液晶化合物ではこの値が小さいため、屈折率異方性が比較的大きい液晶組成物には充分な量を添加することができず、その効果があまり期待できない。
【０００５】
こうした目的にかなうような、減粘効果に優れ且つ屈折率異方性の比較的大きい液晶性化合物としては例えば、一般式（ＩＩ）
【０００６】
【化２】
【０００７】
（式中、Ｒａ及びＲｂは直鎖状アルキル基を表わす。）で表わされるビフェニル誘導体が知られており、現在よく用いられている。しかしながら、この一般式（ＩＩ）の化合物の減粘効果は、表示品質の向上に伴う液晶材料の粘性低下の要求には応え難くなってきているのが実情である。また、一般式（ＩＩ）の化合物は液晶性があまり高くなく、その添加によるネマチック相上限温度の降下が著しいという問題点を有する。
【０００８】
液晶化合物においてその側鎖アルキル基に二重結合を導入してアルケニルとすることにより粘性の低下や、ネマチック相上限温度の上昇といった効果が得られる場合があることが知られている。そこで本発明者らは一般式（ＩＩ）の化合物において片側の側鎖をアルケニル基に変換した一般式（ＩＩＩ）
【０００９】
【化３】
【００１０】
（式中、Ｒｃは直鎖状アルキル基を表わし、ｌは２以上の整数を表わし、Ｒｄは水素原子又はアルキル基を表わす。）のビフェニル誘導体を合成し、その減粘剤としての効果を検討した。しかしながら、一般式（ＩＩＩ）の化合物は液晶組成物に添加した場合のネマチック相上限温度に関しては若干の効果が見られたものの、予想に反して粘性においては一般式（ＩＩ）の化合物より劣っていた。
【００１１】
従って、減粘効果に優れ且つ屈折率異方性の比較的大きい液晶性化合物であって、且つ液晶組成物に添加した場合のネマチック相上限温度の降下がより少ない減粘剤が要求されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、減粘効果に優れた液晶性化合物としてジアルケニルビフェニル誘導体を提供し、さらにこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００１４】
【化４】
【００１５】
（式中、Ｒ及びＲ’はそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表わし、Ｒ及び／又はＲ’がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)又はシス(Z)配置を表わし、ｍ及びｎはｍ≦ｎであってそれぞれ独立的に２〜８の整数を表わす。）で表わされるジアルケニルビフェニル誘導体を提供する。
【００１６】
式中、Ｒ及びＲ’は好ましくは水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基を表わし、さらに好ましくは水素を表わす。ｍ及びｎは好ましくは２〜４の整数を表わす。さらに側鎖があまり長くなると減粘効果が低下するのでｍ＋ｎは６以下であることがさらに好ましく、特にｍは２が好ましい。又、ｍ＝ｎ＝２が好ましい。
【００１７】
従って、一般式（Ｉ）で表わされる化合物のうち好ましいのは以下の式（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
【００１８】
【化５】
の各化合物であり、この中でも式（Ｉａ）が特に好ましい。
一般式（Ｉ）の化合物は一般的には以下のように、一般式（ＩＶａ）
【００１９】
【化６】
【００２０】
（式中、Ｒ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ＸはＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｂ(ＯＨ)2、ＴｉＲ１Ｒ２、ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５、ＳｎＲ６Ｒ７Ｒ８を表わす。ここでＲ１〜Ｒ８は低級アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。）で表わされる有機金属化合物と、一般式（Ｖｂ）
【００２１】
【化７】
【００２２】
（式中、Ｒ’及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｙは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表わす。）で表わされる化合物とを遷移金属触媒の存在下に反応させることにより製造することができる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム(0)系、パラジウム(II)系及びニッケル(II)系等が一般的に用いられる。もちろん一般式（ＩＶａ）と一般式（Ｖｂ）を用いる代わりに、一般式（Ｖａ）
【００２３】
【化８】
【００２４】
（式中、Ｒ’、ｎ及びＸは前述の意味を表わす。）で表わされる有機金属化合物と、一般式（ＩＶｂ）
【００２５】
【化９】
【００２６】
（式中、Ｒ、ｍ及びＹは前述の意味を表わす。）で表わされる化合物とを同様に反応させても良い。
あるいは、特にＲ＝Ｒ’であり、且つｍ＝ｎである場合には、一般式（ＩＶｃ）
【００２７】
【化１０】
【００２８】
（式中、Ｒ及びｍは前述の意味を表わし、Ｚは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。）で表わされるハロゲン化ベンゼン誘導体を銅粉存在下に加熱することにより製造することもできる。
【００２９】
また、このＲ＝Ｒ’であり且つｍ＝ｎである場合に限り、式（ＶＩａ）
【００３０】
【化１１】
【００３１】
の４，４’−ジホルミルビフェニルに式（ＶＩＩａ）
【００３２】
【化１２】
【００３３】
のウィッティヒ反応剤を反応させ、次いで酸で加水分解する工程をｍ回繰り返し、一般式（ＶＩｂ）
【００３４】
【化１３】
【００３５】
（式中、ｍは前述の意味を表わす。）で表わされるビフェニル−４，４’−ジアルカナールを得て、これに一般式（ＶＩＩｂ）
【００３６】
【化１４】
【００３７】
（式中、Ｒは前述の意味を表わす。）で表わされるウィッティヒ反応剤を反応させることによる製造方法も考えることができる。しかしながら、この方法では中間体の溶媒に対する溶解度が極端に低いこと、加水分解の進行が遅く副反応が優先して起こり目的物の反応収率が非常に低いなどの問題点があり、実際にこの方法で製造することは不可能に近い。
【００３８】
斯くして製造された本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の中で代表的な化合物の一つである式（Ｉａ）
【００３９】
【化１５】
【００４０】
の化合物３０重量％及びホスト液晶組成物（Ｈ）
【００４１】
【化１６】
【００４２】
７０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。ここでホスト液晶（Ｈ）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I)： １１６．７℃
粘度（２０℃）： １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ２１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．０９０
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００４３】
このとき、（Ｍ−ａ）の物性値は以下の通りとなった。
ＴN-I: ７６．４℃
粘度（２０℃）： １３．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １２．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１１３
これに対して、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである一般式（ＩＩａ）
【００４４】
【化１７】
【００４５】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−１）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７０．２℃
粘度（２０℃）： １４．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １３．３ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０７
以上から明らかなように、一般式（Ｉａ）、一般式（ＩＩａ）の化合物は共にホスト液晶（Ｈ）に添加することによりその粘性及び応答性を大幅に改善させているけれども、一般式（Ｉａ）の方がより改善効果が著しいことがわかる。さらに（Ｍ−１）のＴN-Iは（ＭＲ−１）よりも約６゜も高く、本発明の一般式（Ｉａ）の化合物は、比較化合物である一般式（ＩＩａ）と比較するとネマチック相上限温度をあまり低下させないことが理解できる。また、屈折率異方性も（Ｍ−１）がやや大きい。
【００４６】
また、片方の側鎖がアルケニル基である一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである一般式（ＩＩＩａ）
【００４７】
【化１８】
【００４８】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−２）を調整した。その物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７１．２℃
粘度（２０℃）： １８．９ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １５．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０８
以上からＴN-Iは（ＭＲ−１）よりわずかに高いけれども、本発明の一般式（Ｉａ）の化合物を含有する（Ｍ−１）と比較するとかなり低く、応答時間や粘性では（ＭＲ−２）にもはるかに劣っていることがわかる。従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来から知られているビフェニル系の減粘性液晶性化合物と比較して、その両側鎖にアルケニル基を導入することにより、予想もできなかったような優れた効果を示すことが明らかとなった。
【００４９】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また一般式（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表わされる化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものであり、特に、一般式（Ｉ）においてｍ及びｎがそれぞれ独立的に２〜４の整数である化合物を含有する液晶組成物、あるいは一般式（Ｉ）においてｍ＝ｎ＝２である化合物を含有する液晶組成物が好ましい。
【００５０】
この組成物中において、一般式（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００５１】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００５２】
本発明の一般式（Ｉ）の化合物は新規であり、本発明者等がはじめて報告するものであるが、液晶分子の両側鎖がともにアルケニル基である化合物は知られていなかったわけでなく、特開昭６１−８３１３６号公報において式（Ｒａ）あるいは式（Ｒｂ）
【００５３】
【化１９】
【００５４】
等の化合物が既に報告されている。この特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式の範囲は非常に広く、極めて広義に解釈するならば、本発明の化合物もこの一般式に包含されると考えられなくもない。しかしながら、以下に述べるように本発明は特開昭６１−８３１３６号公報とは独立して新規であると考えられるべきでる。
【００５５】
まず、特開昭６１−８３１３６号公報には側鎖の一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物と両方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物とが含まれるが、一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物と比較して、両方の側鎖をアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基とすることによる効果については全くふれられていない。また、特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式は、その選択により中心骨格だけでも１０００種類をはるかに越える組み合わせが可能であって、実際に合成されているものはそのうちのわずかにすぎない。本文中には好ましい液晶中心骨格（コア）としてその例が１８例挙げられているが、この中には本発明の化合物のようにビフェニル骨格は含まれていない。実際、両側鎖がアルケニル基（アルケニルオキシ基ではなく）である化合物の例はほとんどがエステル化合物であり、本発明の一般式（Ｉ）の化合物のようなビフェニル誘導体の例はない。さらに、特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている合成方法を用いて本発明の一般式（Ｉ）の化合物を製造しようとすると、４’−アルケニル−４−シアノビフェニルにアルケニルグリニヤール反応剤を反応させ、加水分解して得られたケトンをヒドラジンでWolff-Kishner還元する方法に限られる。しかしながら、この方法では還元時に２重結合の移動が生じる危険性が強く、例えば３−アルケニル基を導入することは非常に困難である。
【００５６】
以上のように本発明の化合物は特開昭６１−８３１３６号公報に含まれるものでも、あるいはそれにより容易に類推できるものでもないことは明らかであり、新規であると考えられるべきであることがわかる。
【００５７】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５８】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。また転移温度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡で行った。組成物の「％」は「重量％」を表わす。
（実施例１） ４，４’−ビス（３−ブテニル）ビフェニルの合成。
【００５９】
【化２０】
【００６０】
マグネシウム２．１ｇを乾燥させたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５ｍＬ中に懸濁させた。これに４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼン１８．０ｇのＴＨＦ７２ｍＬ溶液を溶媒が穏やかに還流する速度で滴下した。滴下終了後、攪拌しながら室温まで放冷し不溶物を濾別してグリニヤール反応剤を調製した。４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼン１６．４ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)９００ｍｇを加えた。これに上記のグリニヤール反応剤溶液を３０℃以下で２時間かけて滴下し、さらに室温で５時間攪拌した。稀塩酸を加え、ヘキサンで抽出し、水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物２１．３ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製しさらにエタノールから低温で再結晶させて、表記化合物１３．８ｇを得た。
【００６１】
相転移温度： ２０℃以下（Ｃｒ→Ｓ）、 ７１℃（Ｓ→Ｉ）、
ＭＳ： ｍ／ｅ＝２６２（Ｐ＋）
１ＨＮＭＲ：δ＝２．１〜２．７（ｍ，８Ｈ）、４．９〜５．１（ｍ，２Ｈ）、７．１（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）
（実施例２） 液晶組成物の調製
特にアクティブマトリックス駆動用として好適なホスト液晶（Ｈ）
【００６２】
【化２１】
【００６３】
を調製した。この（Ｈ）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I)： １１６．７℃
粘度（２０℃）： １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ２１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．０９０
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００６４】
このホスト液晶（Ｈ）７０％及び実施例１で得た式（Ｉａ）
【００６５】
【化２２】
【００６６】
３０％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。このとき、（Ｍ−ａ）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７６．４℃
粘度（２０℃）： １３．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １２．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１１３
このように、ネマチック相上限温度（ＴN-I)は降下しているけれども、その粘度は大幅に低下し、応答時間も大幅に改善されていることがわかる。また、屈折率異方性も２５％も大きくすることができた。従って、一般式（Ｉ）の化合物は低粘性高速応答性液晶組成物の構成成分として非常に有用であることがわかる。（比較例１）
実施例２において、式（Ｉａ）の化合物に換えて、両側鎖が直鎖状アルキル基である本発明外の一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の中で代表的な化合物の一つである式（ＩＩａ）
【００６７】
【化２３】
【００６８】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−１）を調製した。この物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７０．２℃
粘度（２０℃）： １４．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １３．３ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０７
このように、式（ＩＩａ）の化合物もホスト液晶（Ｈ）に添加することによりその粘性及び応答性を大幅に改善させているけれども、本発明の式（Ｉａ）と比較するとその改善効果は少し劣っている。さらに（ＭＲ−１）のＴN-Iは（Ｍ−１）よりも約６゜も低く、式（ＩＩａ）の化合物は式（Ｉａ）の化合物よりもネマチック相上限温度の降下の度合いが大きくなってしまっていることがわかる。また、屈折率異方性も（Ｍ−１）ほど大きくすることができない。
（比較例２）
実施例２において、式（Ｉａ）の化合物に換えて、片方の側鎖がアルケニル基である本発明外の一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである式（ＩＩＩａ）
【００６９】
【化２４】
【００７０】
３０％及びホスト液晶（Ｈ）７０％からなる液晶組成物（ＭＲ−２）を調製した。この物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７１．２℃
粘度（２０℃）： １８．９ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １５．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０８
以上から（ＭＲ−２）のＴN-Iは（ＭＲ−１）よりわずかに高いけれども、本発明に係わる（Ｍ−１）と比較するとかなり低く、応答時間や粘性の改善効果においては（ＭＲ−２）のほうがはるかに劣っていることがわかる。
【００７１】
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来から知られているビフェニル系の減粘性液晶性化合物と比較して、その両側鎖にアルケニル基を導入することにより、予想もできなかったような優れた効果を示すことが明らかとなった。
【００７２】
【発明の効果】
本発明により提供される、ジアルケニルビフェニル誘導体は、実施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に製造することができる。得られたジアルケニルビフェニル誘導体を含有する液晶組成物は、従来用いられている同様あるいは類似骨格を有する減粘性液晶性化合物と比較して、その減粘効果及び応答性の改善効果に優れるため、実用的液晶として特に高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、ジアルケニルビフェニル誘導体、より詳しくは４−アルケニル−４’−アルケニルビフェニル及びそれを含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。 これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、高速応答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化のためには直接的には（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは（ｉｉ）弾性定数を大きくすることが必要であるが、弾性定数を大きくすると閾値電圧が上昇することが多いので粘性を小さくすることが効果的である。
【０００３】
液晶材料の粘性を小さくするためには、液晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤としては通常、２環性のｎ型液晶性化合物が用いられることが多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相上限温度（ＴN-I)をあまり低下させないならば、化合物単独では必ずしもネマチック液晶性を示す必要はない。
【０００４】
応答の高速化には液晶材料の屈折率異方性も重要な物性である。液晶素子応答を高速化するためには、素子のセル厚を薄くすることが最も効果的であるが、干渉縞の発生によるセルの色むらを防止するためには、セル厚（ｄ(μm)）と屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）がある一定の値（0.5、1.0、1.6、2.2）をとらなければならない。通常は0.5あるいは1.0に設定されるが、従ってセル厚を薄くするためには液晶材料の屈折率異方性を大きくする必要がある。現在用いられている減粘剤のなかで、シクロヘキサン系の２環性ｎ型液晶化合物ではこの値が小さいため、屈折率異方性が比較的大きい液晶組成物には充分な量を添加することができず、その効果があまり期待できない。
【０００５】
こうした目的にかなうような、減粘効果に優れ且つ屈折率異方性の比較的大きい液晶性化合物としては例えば、一般式（ＩＩ）
【０００６】
【化２】
（式中、Ｒａ及びＲｂは直鎖状アルキル基を表わす。）で表わされるビフェニル誘導体が知られており、現在よく用いられている。しかしながら、この一般式（ＩＩ）の化合物の減粘効果は、表示品質の向上に伴う液晶材料の粘性低下の要求には応え難くなってきているのが実情である。また、一般式（ＩＩ）の化合物は液晶性があまり高くなく、その添加によるネマチック相上限温度の降下が著しいという問題点を有する。
【０００８】
液晶化合物においてその側鎖アルキル基に二重結合を導入してアルケニルとすることにより粘性の低下や、ネマチック相上限温度の上昇といった効果が得られる場合があることが知られている。そこで本発明者らは一般式（ＩＩ）の化合物において片側の側鎖をアルケニル基に変換した一般式（ＩＩＩ）
【０００９】
【化３】
（式中、Ｒｃは直鎖状アルキル基を表わし、ｌは２以上の整数を表わし、Ｒｄは水素原子又はアルキル基を表わす。）のビフェニル誘導体を合成し、その減粘剤としての効果を検討した。しかしながら、一般式（ＩＩＩ）の化合物は液晶組成物に添加した場合のネマチック相上限温度に関しては若干の効果が見られたものの、予想に反して粘性においては一般式（ＩＩ）の化合物より劣っていた。
【００１１】
従って、減粘効果に優れ且つ屈折率異方性の比較的大きい液晶性化合物であって、且つ液晶組成物に添加した場合のネマチック相上限温度の降下がより少ない減粘剤が要求されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、減粘効果に優れた液晶性化合物としてジアルケニルビフェニル誘導体を提供し、さらにこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００１４】
【化４】
（式中、Ｒ及びＲ’はそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表わし、Ｒ及び／又はＲ’がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)又はシス(Z)配置を表わし、ｍ及びｎはｍ≦ｎであってそれぞれ独立的に２〜８の整数を表わす。）で表わされるジアルケニルビフェニル誘導体を提供する。
【００１６】
式中、Ｒ及びＲ’は好ましくは水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基を表わし、さらに好ましくは水素を表わす。ｍ及びｎは好ましくは２〜４の整数を表わす。さらに側鎖があまり長くなると減粘効果が低下するのでｍ＋ｎは６以下であることがさらに好ましく、特にｍは２が好ましい。又、ｍ＝ｎ＝２が好ましい。
【００１７】
従って、一般式（Ｉ）で表わされる化合物のうち好ましいのは以下の式（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
【００１８】
【化５】
一般式（Ｉ）の化合物は一般的には以下のように、一般式（ＩＶａ）
【００１９】
【化６】
（式中、Ｒ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ＸはＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｂ(ＯＨ)2、ＴｉＲ１Ｒ２、ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５、ＳｎＲ６Ｒ７Ｒ８を表わす。ここでＲ１〜Ｒ８は低級アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。）で表わされる有機金属化合物と、一般式（Ｖｂ）
【００２１】
【化７】
（式中、Ｒ’及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｙは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表わす。）で表わされる化合物とを遷移金属触媒の存在下に反応させることにより製造することができる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム(0)系、パラジウム(II)系及びニッケル(II)系等が一般的に用いられる。もちろん一般式（ＩＶａ）と一般式（Ｖｂ）を用いる代わりに、一般式（Ｖａ）
【００２３】
【化８】
（式中、Ｒ’、ｎ及びＸは前述の意味を表わす。）で表わされる有機金属化合物と、一般式（ＩＶｂ）
【００２５】
【化９】
（式中、Ｒ、ｍ及びＹは前述の意味を表わす。）で表わされる化合物とを同様に反応させても良い。
あるいは、特にＲ＝Ｒ’であり、且つｍ＝ｎである場合には、一般式（ＩＶｃ）
【００２７】
【化１０】
（式中、Ｒ及びｍは前述の意味を表わし、Ｚは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。）で表わされるハロゲン化ベンゼン誘導体を銅粉存在下に加熱することにより製造することもできる。
【００２９】
また、このＲ＝Ｒ’であり且つｍ＝ｎである場合に限り、式（ＶＩａ）
【００３０】
【化１１】
の４，４’−ジホルミルビフェニルに式（ＶＩＩａ）
【００３２】
【化１２】
のウィッティヒ反応剤を反応させ、次いで酸で加水分解する工程をｍ回繰り返し、一般式（ＶＩｂ）
【００３４】
【化１３】
（式中、ｍは前述の意味を表わす。）で表わされるビフェニル−４，４’−ジアルカナールを得て、これに一般式（ＶＩＩｂ）
【００３６】
【化１４】
（式中、Ｒは前述の意味を表わす。）で表わされるウィッティヒ反応剤を反応させることによる製造方法も考えることができる。しかしながら、この方法では中間体の溶媒に対する溶解度が極端に低いこと、加水分解の進行が遅く副反応が優先して起こり目的物の反応収率が非常に低いなどの問題点があり、実際にこの方法で製造することは不可能に近い。
【００３８】
斯くして製造された本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の中で代表的な化合物の一つである式（Ｉａ）
【００３９】
【化１５】
の化合物３０重量％及びホスト液晶組成物（Ｈ）
【００４１】
【化１６】
７０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。ここでホスト液晶（Ｈ）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I)： １１６．７℃
粘度（２０℃）： １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ２１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．０９０
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００４３】
このとき、（Ｍ−ａ）の物性値は以下の通りとなった。
ＴN-I: ７６．４℃
粘度（２０℃）： １３．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １２．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１１３
これに対して、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである一般式（ＩＩａ）
【００４４】
【化１７】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−１）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７０．２℃
粘度（２０℃）： １４．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １３．３ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０７
以上から明らかなように、一般式（Ｉａ）、一般式（ＩＩａ）の化合物は共にホスト液晶（Ｈ）に添加することによりその粘性及び応答性を大幅に改善させているけれども、一般式（Ｉａ）の方がより改善効果が著しいことがわかる。さらに（Ｍ−１）のＴN-Iは（ＭＲ−１）よりも約６゜も高く、本発明の一般式（Ｉａ）の化合物は、比較化合物である一般式（ＩＩａ）と比較するとネマチック相上限温度をあまり低下させないことが理解できる。また、屈折率異方性も（Ｍ−１）がやや大きい。
【００４６】
また、片方の側鎖がアルケニル基である一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである一般式（ＩＩＩａ）
【００４７】
【化１８】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−２）を調整した。その物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７１．２℃
粘度（２０℃）： １８．９ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １５．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０８
以上からＴN-Iは（ＭＲ−１）よりわずかに高いけれども、本発明の一般式（Ｉａ）の化合物を含有する（Ｍ−１）と比較するとかなり低く、応答時間や粘性では（ＭＲ−２）にもはるかに劣っていることがわかる。従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来から知られているビフェニル系の減粘性液晶性化合物と比較して、その両側鎖にアルケニル基を導入することにより、予想もできなかったような優れた効果を示すことが明らかとなった。
【００４９】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また一般式（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表わされる化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものであり、特に、一般式（Ｉ）においてｍ及びｎがそれぞれ独立的に２〜４の整数である化合物を含有する液晶組成物、あるいは一般式（Ｉ）においてｍ＝ｎ＝２である化合物を含有する液晶組成物が好ましい。
【００５０】
この組成物中において、一般式（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００５１】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００５２】
本発明の一般式（Ｉ）の化合物は新規であり、本発明者等がはじめて報告するものであるが、液晶分子の両側鎖がともにアルケニル基である化合物は知られていなかったわけでなく、特開昭６１−８３１３６号公報において式（Ｒａ）あるいは式（Ｒｂ）
【００５３】
【化１９】
等の化合物が既に報告されている。この特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式の範囲は非常に広く、極めて広義に解釈するならば、本発明の化合物もこの一般式に包含されると考えられなくもない。しかしながら、以下に述べるように本発明は特開昭６１−８３１３６号公報とは独立して新規であると考えられるべきでる。
【００５５】
まず、特開昭６１−８３１３６号公報には側鎖の一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物と両方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物とが含まれるが、一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物と比較して、両方の側鎖をアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基とすることによる効果については全くふれられていない。また、特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式は、その選択により中心骨格だけでも１０００種類をはるかに越える組み合わせが可能であって、実際に合成されているものはそのうちのわずかにすぎない。本文中には好ましい液晶中心骨格（コア）としてその例が１８例挙げられているが、この中には本発明の化合物のようにビフェニル骨格は含まれていない。実際、両側鎖がアルケニル基（アルケニルオキシ基ではなく）である化合物の例はほとんどがエステル化合物であり、本発明の一般式（Ｉ）の化合物のようなビフェニル誘導体の例はない。さらに、特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている合成方法を用いて本発明の一般式（Ｉ）の化合物を製造しようとすると、４’−アルケニル−４−シアノビフェニルにアルケニルグリニヤール反応剤を反応させ、加水分解して得られたケトンをヒドラジンでWolff-Kishner還元する方法に限られる。しかしながら、この方法では還元時に２重結合の移動が生じる危険性が強く、例えば３−アルケニル基を導入することは非常に困難である。
【００５６】
以上のように本発明の化合物は特開昭６１−８３１３６号公報に含まれるものでも、あるいはそれにより容易に類推できるものでもないことは明らかであり、新規であると考えられるべきであることがわかる。
【００５７】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５８】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。また転移温度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡で行った。組成物の「％」は「重量％」を表わす。
（実施例１） ４，４’−ビス（３−ブテニル）ビフェニルの合成。
【００５９】
【化２０】
マグネシウム２．１ｇを乾燥させたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５ｍＬ中に懸濁させた。これに４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼン１８．０ｇのＴＨＦ７２ｍＬ溶液を溶媒が穏やかに還流する速度で滴下した。滴下終了後、攪拌しながら室温まで放冷し不溶物を濾別してグリニヤール反応剤を調製した。４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼン１６．４ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)９００ｍｇを加えた。これに上記のグリニヤール反応剤溶液を３０℃以下で２時間かけて滴下し、さらに室温で５時間攪拌した。稀塩酸を加え、ヘキサンで抽出し、水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物２１．３ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製しさらにエタノールから低温で再結晶させて、表記化合物１３．８ｇを得た。
【００６１】
相転移温度： ２０℃以下（Ｃｒ→Ｓ）、 ７１℃（Ｓ→Ｉ）、
ＭＳ： ｍ／ｅ＝２６２（Ｐ＋）
１ＨＮＭＲ：δ＝２．１〜２．７（ｍ，８Ｈ）、４．９〜５．１（ｍ，２Ｈ）、７．１（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）
（実施例２） 液晶組成物の調製
特にアクティブマトリックス駆動用として好適なホスト液晶（Ｈ）
【００６２】
【化２１】
を調製した。この（Ｈ）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I)： １１６．７℃
粘度（２０℃）： １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ２１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．０９０
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００６４】
このホスト液晶（Ｈ）７０％及び実施例１で得た式（Ｉａ）
【００６５】
【化２２】
３０％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。このとき、（Ｍ−ａ）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７６．４℃
粘度（２０℃）： １３．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １２．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１１３
このように、ネマチック相上限温度（ＴN-I)は降下しているけれども、その粘度は大幅に低下し、応答時間も大幅に改善されていることがわかる。また、屈折率異方性も２５％も大きくすることができた。従って、一般式（Ｉ）の化合物は低粘性高速応答性液晶組成物の構成成分として非常に有用であることがわかる。（比較例１）
実施例２において、式（Ｉａ）の化合物に換えて、両側鎖が直鎖状アルキル基である本発明外の一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の中で代表的な化合物の一つである式（ＩＩａ）
【００６７】
【化２３】
３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％からなる液晶組成物（ＭＲ−１）を調製した。この物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７０．２℃
粘度（２０℃）： １４．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １３．３ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０７
このように、式（ＩＩａ）の化合物もホスト液晶（Ｈ）に添加することによりその粘性及び応答性を大幅に改善させているけれども、本発明の式（Ｉａ）と比較するとその改善効果は少し劣っている。さらに（ＭＲ−１）のＴN-Iは（Ｍ−１）よりも約６゜も低く、式（ＩＩａ）の化合物は式（Ｉａ）の化合物よりもネマチック相上限温度の降下の度合いが大きくなってしまっていることがわかる。また、屈折率異方性も（Ｍ−１）ほど大きくすることができない。
（比較例２）
実施例２において、式（Ｉａ）の化合物に換えて、片方の側鎖がアルケニル基である本発明外の一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち、代表的な化合物の一つである式（ＩＩＩａ）
【００６９】
【化２４】
３０％及びホスト液晶（Ｈ）７０％からなる液晶組成物（ＭＲ−２）を調製した。この物性値は以下の通りであった。
ＴN-I: ７１．２℃
粘度（２０℃）： １８．９ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： １５．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１０８
以上から（ＭＲ−２）のＴN-Iは（ＭＲ−１）よりわずかに高いけれども、本発明に係わる（Ｍ−１）と比較するとかなり低く、応答時間や粘性の改善効果においては（ＭＲ−２）のほうがはるかに劣っていることがわかる。
【００７１】
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来から知られているビフェニル系の減粘性液晶性化合物と比較して、その両側鎖にアルケニル基を導入することにより、予想もできなかったような優れた効果を示すことが明らかとなった。
【００７２】
【発明の効果】
本発明により提供される、ジアルケニルビフェニル誘導体は、実施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に製造することができる。得られたジアルケニルビフェニル誘導体を含有する液晶組成物は、従来用いられている同様あるいは類似骨格を有する減粘性液晶性化合物と比較して、その減粘効果及び応答性の改善効果に優れるため、実用的液晶として特に高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。
Claims (5)
- 一般式（Ｉ）
- 一般式（Ｉ）において、Ｒ及びＲ’が共に水素原子である請求項１記載の液晶組成物。
- 一般式（Ｉ）において、ｍ及びｎがそれぞれ独立的に２〜４の整数である請求項１又は２記載の液晶組成物。
- 一般式（Ｉ）において、ｍ＝２であり、ｎが２〜４の整数である請求項１又は２記載の液晶組成物。
- 一般式（Ｉ）において、ｍ＝ｎ＝２である請求項１又は２記載の液晶組成物。
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