JP3926011B2 - 半導体装置の設計方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、標準セルなどを含む半導体装置において、各標準セルのMOSトランジスタのゲートがプラズマダメージを受けていない半導体装置及びその設計方法に関するものである。
さらに詳しくは、この発明は、半導体装置の製造におけるウェーハプロセスでMOSトランジスタのゲートがプラズマダメージを受けることのない構造及びその設計方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図23は、複数の標準セルを含む従来の半導体装置において、自動配置配線に用いられる標準セルのレイアウトパターンの例を示す平面図である。図23において、この標準セルは、P型シリコン半導体基板1の中にN型ウェル3を形成し、この中にP型拡散領域4を形成している。また、Pシリコン半導体基板1にN型拡散領域5を形成している。この上にゲート絶縁膜を介してポリシリコン配線8を形成し、ゲート電極8gを形成している。これにより、MOSトランジスタT1,T2を形成している。このポリシリコン配線8にコンタクトホール11を介してメタル配線10を接続し入力端子あるいは入力線としている。
【0003】
このように、従来、ゲートアレイ/セルベース方式の自動配置配線に用いられる標準セルは、MOSトランジスタT1,T2のゲートに繋がるメタル配線10のパターンを入力端子あるいは入力線とし、配置配線を行なっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の構成では、標準セルの入力端子10あるいは入力線に接続される標準セル外の配線が長くなった場合、ウェーハプロセス中のメタル配線パターンエッチングやレジスト除去の工程で、プラズマよりメタル配線に入射する電子によって標準セルのMOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜がダメージを受け、トランジスタ特性の劣化を招いていた。
【0005】
この発明は、このような従来の問題を解決するためになされたもので、MOSトランジスタのゲートがプラズマダメージを受けていない半導体装置の設計方法を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置の設計方法は、半導体基板に形成され、入力線とMOSトランジスタとを含む標準セルと、前記標準セルの近傍の前記半導体基板表面に形成された拡散領域と、この拡散領域にコンタクトを介して接続するメタル端子とを有する他の標準セルとを備えた半導体装置の設計方法であって、前記入力線を、前記メタル端子を介して前記MOSトランジスタに接続し、前記他の標準セルを、前記拡散領域がn型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を複数有する第1の標準セルと、前記拡散領域がp型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を複数有する第2の標準セルと、前記拡散領域がn型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を一つ有する第3の標準セルと、前記拡散領域がp型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を一つ有する第4の標準セルとのいずれか一つから選択し、自動配置配線時に自動で配置されるようにすることを特徴とするものである。なお、本明細書において、包括的には、半導体基板の用語を、表面にウェルが形成された半導体基板をも含む意味で用いる。
【0008】
また、この発明の半導体装置の設計方法は、上記拡散領域がシリサイド化されたことを特徴とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。図中、同一の符号は、それぞれ同一または相当部分を示す。
実施の形態1.
図1、図2及び図3は、この発明の実施の形態1による半導体装置の構造を説明するための図である。図1はその標準セルのレイアウトパターンを示す平面図、図2は図1のII-II線での断面構造を示す図、図3は図1のIII−III線での断面構造を示す図である。
【0019】
図1〜図3において、1はP型シリコン半導体基板(以下、適宜、P基板又は基板と称する)、2はP基板1の表面に形成された分離酸化膜、3はP基板1に形成されたN型ウェル(以下、適宜、Nウェルと称する)、4はNウェル3に形成されたP型拡散領域、5はP基板1に形成されたN型拡散領域、6はP基板1に形成された他のN型拡散領域である。
【0020】
また、7はそれぞれP型拡散領域4及びN型拡散領域5の上に形成されたゲート酸化膜、8はポリシリコン配線であり、8gはポリシリコン配線7の一部であって、ゲート酸化膜7の上に形成されたゲート電極、9は層間酸化膜、10a及び10bは層間酸化膜9の上に形成されたメタル配線、11はメタル配線10aとポリシリコン配線8を接続する、又はメタル配線10a,10bとN型拡散領域6とを接続するコンタクトホール(またはコンタクト)を示す。
【0021】
図示しないが、P型拡散領域4及びN型拡散領域5のそれぞれにおいて、ゲート電極8gの両側には、不純物が注入されたソース領域またはドレイン領域が形成されている。したがって、P型拡散領域4のソース/ドレイン領域、ゲート酸化膜7及びゲート電極8gにより、MOSトランジスタT1が形成されている。また、N型拡散領域5、ゲート酸化膜7及びゲート電極8gにより他のMOSトランジスタT2が形成されている。なお、ここでは、2つのMOSトランジスタが形成されていることとしたが、これは一方だけでもよい。
【0022】
この実施の形態では、入力線となるメタル配線パターン10aと10bとを切断し、ゲート8gに繋がる部分のメタル配線10aとメタル端子に相当する部分のメタル配線10bを拡散領域6による拡散配線で接続する。拡散領域6は、回路動作上、実質的に抵抗成分が無視できるように形成されている。
拡散領域6と基板1との接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0023】
一方、 ウェーハプロセス中、メタル配線10a,10bに大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じて基板1に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
以上のように、この実施の形態は、ゲートアレイ/セルベース方式等の設計方式で用いる標準セル内の入力端子とMOSトランジスタのゲートとの間に拡散配線を挿入し、プロセス中でメタル配線層内に流入する電子を基板に逃がしてゲートを保護するものである。
【0024】
実施の形態2.
図4及び図5は、この発明の実施の形態2による半導体装置の構造を説明するための図である。図4はその標準セルのレイアウトパターンを示す平面図、図5は図4のV−V線での断面構造図である。なお、図4のII−II線での断面構造は、図2と同様に表される。
図4及び図5において、10はメタル配線を示す。このメタル配線10は、この標準セルのMOSトランジスタの入力線となる。その他の符号は、図1〜図3と同様であるから、重複説明は省略する。
【0025】
この実施の形態では、入力端子となるメタル配線10のパターンを切断せず、メタル配線(またはメタル端子)10の下に拡散領域6を形成し、コンタクトホール11でメタル配線10と拡散領域6とを接続する。
当該拡散領域6と基板1との接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0026】
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じて基板1に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
この実施の形態では、実施の形態1で説明したような拡散配線を用いる場合より、入力線の抵抗が減るため、配線遅延への影響が小さくなる。
以上のようにこの実施の形態では、メタル配線の下に拡散領域を形成し、コンタクトを介してメタル配線と接続することで拡散配線の抵抗成分を除去し、配線遅延への影響を除き、かつプロセス中でメタル配線層内に流入する電子を基板に逃がしてゲートを保護するものである。
【0027】
実施の形態3.
図6及び図7は、この発明の実施の形態3による半導体装置の構造を説明するための図である。図6はその標準セルのレイアウトパターンを示す平面図、図7は図6のVII−VII線での断面構造図である。なお、図6のII−II線での断面構造は、図2と同様に表される。
図6及び図7において、3はP基板1の中に拡大して形成されたN型ウェル、12はこのNウェル3の表面に形成されたP型拡散領域を示す。なお、図6及び図7において、またこれ以降の図においても、煩雑さをさけるためウェルコンタクトは図示を省略している。
【0028】
この実施の形態では、入力線(入力端子)となるメタル配線を、メタル配線10aと10bのパターンに切断し、ゲート8gに繋がる部分のメタル配線10aとメタル端子に相当する部分のメタル配線10bとを、Nウェル3の表面に形成されたP型拡散領域12により接続する。拡散領域12による拡散配線は、回路動作上、実質的に抵抗成分が無視できるように形成されている。
【0029】
P型拡散領域12とNウェル3との接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10a,10bに大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じて基板1とは逆極性のNウェル3上に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けることがない。
【0030】
実施の形態4.
図8及び図9は、この発明の実施の形態4による半導体装置の構造を説明するための図である。図4はその標準セルのレイアウトパターンを示す平面図、図5は図4のV−V線での断面構造図である。なお、図8のII−II線での断面構造は、図2と同様に表される。
【0031】
この実施の形態では、入力端子となるメタル配線10のパターンを切断せず、メタル配線10の下でかつP基板1とは逆極性のNウェル3上にP型拡散領域12を形成し、コンタクトホール11でメタル配線10と接続する。
P型拡散領域12とこれと逆極性のNウェル3との接合部はダイオードを形成しているがLSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0032】
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じてNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
この実施の形態では、実施の形態3のように拡散領域12を拡散配線として用いる場合より、配線抵抗が減るため、配線遅延への影響が小さい。
【0033】
実施の形態5.
図10〜図14は、この発明の実施の形態5による半導体装置の構造を説明するための図である。図10はその標準セルと追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図、図11は図10のXI−XI線での断面構造図、図12は図10のXII−XII線での断面構造図、図13は図10のXIII−XIII線での断面構造図、図14は図10のXIV−XIV線での断面構造図である。
【0034】
この実施の形態では、標準セルライブラリとして、実施の形態1〜4で説明したような通常の標準セルAのほかに、次のようなセルを標準セルとして追加して形成する。
すなわち、図に示すように、標準セルBとして、N型拡散領域6、メタル端子10c,10d及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。また、標準セルCとして、Nウェル3の中に形成されたP型拡散領域12、メタル端子10c,10d及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。また、標準セルDとして、Nウェル3の中に形成されたP型拡散領域12、メタル端子10c及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。さらに、標準セルEとして、N型拡散領域6、メタル端子10c及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。
【0035】
そして、これらの標準セルB,C,D,Eのいずれかを、自動配置配線時に保護すべき入力ゲートをもつ標準セルAの近傍に配置し、メタル配線10eにより、標準セルAの入力線であるメタル配線10と接続し、もってMOSトランジスタT1,T2の入力ゲートへ接続する。
このように構成することにより、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じて基板1または基板1と逆極性のNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
なお、標準セルB,C,D,Eなどは、保護すべき入力ゲートの近傍に配置するのが望ましい。ここで近傍とは、当該標準セルの入力端子と新たに配置するセル又はパターンとをつなぐメタル配線の面積または周囲長が、プラズマダメージを生じる大きさに至らない範囲を意味する。これは一般に標準セルのMOSトランジスタのゲート面積または周囲長との比で規定される。
【0036】
以上のようにこの実施の形態では、拡散領域とコンタクトとメタル配線のパターンをもつ独立した標準セルを用意し、配置配線時に保護すべきゲートの近傍に配置及び接続することで、プロセス中でメタル配線層内に流入する電子を基板もしくは基板中のウェルに逃がしてゲートを保護するものである。
【0037】
実施の形態6.
図15は、この発明の実施の形態6による半導体装置の構造を説明するための図である。この図15は標準セルを含む半導体装置において、その自動配置配線時に生成するレイアウトパターンを示す平面図である。
【0038】
この実施の形態では、実施の形態1〜4で説明したような標準セルAをライブラリとして有する半導体装置において、その自動配置配線時に、新たに次のようなセルを形成する。
すなわち、図示のように、セルD’として、Nウェル3の中に形成されたP型拡散領域12、メタル端子10c及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。また、セルE’として、N型拡散領域6、メタル端子10c及びコンタクトホール11からなるセルを形成する。なお、セルD’,E’の構造は、図10のセルD,Eと同様であるから、断面図示は省略する。
【0039】
これらのセルD’,E’等のいずれかを保護すべき入力ゲートをもつ標準セルAの近傍に自動生成し、メタル配線10eにより、標準セルAの入力線であるメタル配線10と接続し、もってMOSトランジスタT1,T2の入力ゲートへと接続する。
【0040】
自動生成したN型拡散領域6とP基板1との間、またはP型拡散領域12とNウェル3との間の接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じてP基板1またはNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
【0041】
以上のように、この実施の形態では、標準セルを含む半導体装置において、その自動配置配線時に、入力ゲート保護のための新たなレイアウトパターンを生成するものである。
【0042】
実施の形態7.
図16は、この発明の実施の形態7による半導体装置の構造を説明するための図である。この図16は、通常の標準セルライブラリ中に新たに追加した追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【0043】
この実施の形態では、実施の形態1〜4で説明したような標準セルAのライブラリのほかに、次のように新たなトランスミッンョンゲートをもつセルを標準セルとして追加する。
すなわち、図示のように、標準セルFとして、P-chMOSトランジスタT3のゲート配線13を接地配線14に接地し、N-chMOSトランジスタT4のゲート配線15を電源配線16に電源固定したトランスミッンョンゲートをもつセルを標準セルとして追加する。トランジスタT3、T4のソース/ドレインはメタル配線10f,10gでそれぞれ相互に接続されている。また、17はこのトランスミッションゲートの入力端子である。
【0044】
そして、この標準セルFを自動配置配線時に保護すべき入力ゲートをもつ標準セルAの近傍に配置し、メタル配線10fを標準セルAの入力線であるメタル配線10に接続し、もってMOSトランジスタT1,T2の入力ゲートへと接続する。
【0045】
トランスミッンョンゲートのなかのN型拡散領域6とP基板1との間、またはP型拡散領域12とNウェル3との間の接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0046】
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じてP基板1またはP基板1と逆極性のNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
【0047】
実施の形態8.
図17は、この発明の実施の形態8による半導体装置の構造を説明するための図である。この図17は、通常の標準セルライブラリの中に新たに追加した追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【0048】
この実施の形態では、実施の形態1〜4で説明したような標準セルAのライブラリのほかに、次のように新たなトランスミッンョンゲートをもつセルを標準セルとして追加する。
すなわち、図示のように、標準セルF’として、P-chMOSトランジスタT3とN-chMOSトランジスタT4からなり、メタル配線10fと10gをメタル配線10hで接続することにより、その入出力端子を短絡したトランスミッンョンゲートをもつセルを標準セルとして追加する。この標準セルF’の構成は、その入出力端が短絡されていることを除き、実施の形態7(図16)のものと同様であるから、重複説明は省略する。
【0049】
このように、標準セルF’を、保護すべき入力ゲートをもつ標準セルAの近傍に追加し、メタル配線10fを標準セルAの入力線であるメタル配線10に接続し、もってMOSトランジスタT1,T2の入力ゲートへと接続する。
【0050】
トランスミッンョンゲートのなかのN型拡散領域6とP基板1との間、またはP型拡散領域12とNウェル3との間の接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0051】
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じてP基板1またはP基板1と逆極性のNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
【0052】
実施の形態9.
図18は、この発明の実施の形態9による半導体装置の構造を説明するための図である。この図18はその標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
この実施の形態では、保護すべき入力ゲートをもつ標準セルGの中に、P-chMOSトランジスタT3のゲート配線13を接地配線14に接地し、N-chMOSトランジスタT4のゲート配線15を電源配線16に電源固定したトランスミッンョンゲートをもたせ、メタル配線10fをMOSトランジスタT1,T2の入力線であるメタル配線10と接続し、もってそのゲートへと接続する。
【0053】
トランスミッンョンゲートのなかのN型拡散領域6とP基板1との間、またはP型拡散領域12とNウェル3との間の接合部はダイオードを形成しているが、LSIの通常動作時には接合部に電流は生じない。
【0054】
一方、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じてP基板1またはP基板1と逆極性のNウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
以上のように、この実施の形態では、標準セルの中にトランスミッンョンゲートを取り込み、標準セルの中でMOSトランジスタの入力と接続できるようにしたものである。
【0055】
実施の形態10.
図19は、この発明の実施の形態10による半導体装置の構造を説明するための図である。この図19は、シンボリックレイアウト、モジュールジェネレータ等のレイアウト自動生成プログラムで生成するレイアウトパターンを示す平面図である。
【0056】
この実施の形態では、レイアウトを自動的に生成するシンボリックレイアウト、モジュールジェネレータ等のプログラムにおいて、図に示すように、MOSトランジスタT1,T2のゲート近傍に、実施の形態5(図10)で示した標準セルC及びDのパターン、ならびに、実施の形態8(図17)で示した標準セルF’のパターンを生成している。
【0057】
これは一例であって、生成するパターンは、実施の形態1〜9において説明したレイアウトパターンのいずれかまたはそれらを組み合わせて任意に生成することができる。
MOSトランジスタT1,T2の保護のためのパターンを、このように形成し、MOSトランジスタT1,T2のゲートと接続する。その接続の態様は、それぞれの実施の形態で説明したとおりであるから、重複説明は省略する。
【0058】
このようにすれば、ウェーハプロセス中、メタル配線10に大量の電子が流入した場合は、流入した電子はダイオードを通じて基板1または基板1と逆極性のウェル3に逃れるため、MOSトランジスタのゲート酸化膜はダメージを受けない。
【0059】
実施の形態11.
図20は、この発明の実施の形態11による半導体装置の構造を説明するための図である。図20において、6aはシリサイド化されたN型拡散領域を示す。その他の構造は、図1と同様であるから重複説明は省略する。
【0060】
この実施の形態では、実施の形態1において入力ゲートに接続する拡散領域6をシリサイド化し、抵抗成分を一層低減し、回路動作上さらに無視できるようにしている。
このように、入力ゲートに接続する拡散領域をシリサイド化することは、実施の形態1だけでなく、実施の形態3、5、10などにおいて、同様に実施できるものである。
【0061】
このようにすれば、LSI実動作時の配線遅延への影響をなくすとともに、ウェーハプロセス中、メタル配線に大量の電子が流入した場合は、流入した電子は当該ダイオードを通じて基板1または基板1と逆極性のウェル3に逃れるため、MOSトランジスタT1,T2のゲート酸化膜7はダメージを受けない。
【0062】
実施の形態12.
図21及び図22は、この発明の実施の形態12による半導体装置の構造を説明するための図である。図21はその標準セルとメタル配線のレイアウトパターンを示す平面図、図22は図21のXXII−XXII線での断面構造図である。なお、図21のII−II線での断面構造は、図2と同様に表される。
【0063】
図21及び図22において、17,18,19はそれぞれ層間絶縁膜(図示省略)を挟んで形成された各層のメタル配線を示し、11はそれぞれメタル配線10a,17,18,19の間を接続するコンタクトホール(またはコンタクト)である。この場合、メタル配線17,18は中間層の短い配線であり、メタル配線19は、この半導体装置の最上位の長い配線となっている。
【0064】
このように、この実施の形態では、標準セル作成時、標準セルの保護すべきMOSトランジスタのゲートに繋がるメタル配線を最上位配線層で形成する。すなわち、例えば前段の標準セルの出力線から後段の標準セルの入力線への接続を最上位のメタル配線で行う。
【0065】
これにより、最上位配線層以外のウェーハプロセス時には、標準セルの保護すべきMOSトランジスタのゲートは当該標準セルの外の長い配線パターンに接続されることがなく、プラズマによるダメージを受けない。
【0066】
さらに、最上位配線層までの接続が完成すると、保護すべきゲートは必ず別のトランジスタの拡散領域に接続されるため、最上位配線層のウェーハプロセス時にもプラズマによるダメージを受けない。すなわち、例えば最上位配線層は、前段の標準セルの出力トランジスタのソース/ドレインに接続されているため、このソース/ドレインの拡散領域が接続されていることになる。
したがって、ウェーハプロセス全般を通じて保護すべきゲートはプラズマによるダメージを受けない。
【0067】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、標準セルを含む半導体基板に、または半導体基板に形成されたウェルの中に、拡散領域を形成し、標準セルのMOSトランジスタのゲートに通じるメタル配線をこの拡散領域に電気的に接続するようにしている。これにより、メタル配線層のウェーハプロセス中、メタルのエッチング、レジスト除去等の工程で使用するプラズマよりメタル配線層内に大量の電子が入り、これが配線を通してMOSトランジスタのゲートに流入し、ゲート酸化膜を破壊する前に、電子を半導体基板(表面に形成されたウェルを含む)に逃がし、当該ゲートを保護することができる。
すなわち、この発明によれば、標準セルなどを含む半導体装置において、各標準セルのMOSトランジスタのゲートがプラズマダメージを受けていない半導体装置及びその設計方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1による半導体装置の標準セルの断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1による半導体装置の標準セルの他の断面図である。
【図4】 この発明の実施の形態2による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図5】 この発明の実施の形態2による半導体装置の標準セルの断面図である。
【図6】 この発明の実施の形態3による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図7】 この発明の実施の形態3による半導体装置の標準セルの断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態4による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図9】 この発明の実施の形態4による半導体装置の標準セルの断面図である。
【図10】 この発明の実施の形態5による半導体装置の標準セルライブラリ中に含まれる追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図11】 この発明の実施の形態5による半導体装置の追加標準セルの断面図である。
【図12】 この発明の実施の形態5による半導体装置の他の追加標準セルの断面図である。
【図13】 この発明の実施の形態5による半導体装置の他の追加標準セルの断面図である。
【図14】 この発明の実施の形態5による半導体装置の他の追加標準セルの断面図である。
【図15】 この発明の実施の形態6による半導体装置の自動配置配線時に生成するレイアウトパターンを示す平面図である。
【図16】 この発明の実施の形態7による半導体装置の標準セルライブラリ中に含まれる追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図17】 この発明の実施の形態8による半導体装置の標準セルライブラリ中に含まれる追加標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図18】 この発明の実施の形態9による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図19】 この発明の実施の形態10による半導体装置のレイアウト自動生成プログラムで生成するレイアウトパターンを示す平面図である。
【図20】 この発明の実施の形態11による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図21】 この発明の実施の形態12による半導体装置の標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【図22】 この発明の実施の形態12による半導体装置の標準セルの断面図である。
【図23】 従来の自動配置配線に用いられる標準セルのレイアウトパターンを示す平面図である。
【符号の説明】
1 P型シリコン半導体基板、 2 分離酸化膜、 3 N型ウェル(以下、適宜、Nウェルと称する)、 4,12 P型拡散領域、 5,6 N型拡散領域、 6a シリサイド化N型拡散領域、 7 ゲート酸化膜、 8 ポリシリコン配線、 8g ゲート電極、 9 層間酸化膜、 10,10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,13,15,17,18,19 メタル配線、 11 コンタクトホール、 14 接地配線、 16 電源配線、 T1,T2 入力MOSトラジスタ、 T3,T4 MOSトランジスタ。
Claims (2)
- 半導体基板に形成され、入力線とMOSトランジスタとを含む標準セルと、
前記標準セルの近傍の前記半導体基板表面に形成された拡散領域と、この拡散領域にコンタクトを介して接続するメタル端子とを有する他の標準セルとを備えた半導体装置の設計方法であって、
前記入力線を、前記メタル端子を介して前記MOSトランジスタに接続し、
前記他の標準セルを、
前記拡散領域がn型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を複数有する第1の標準セルと、
前記拡散領域がp型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を複数有する第2の標準セルと、
前記拡散領域がn型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を一つ有する第3の標準セルと、
前記拡散領域がp型で前記コンタクトおよびそれに接続する前記メタル端子を一つ有する第4の標準セルと、
のいずれか一つから選択し、自動配置配線時に自動で配置されるようにすることを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 前記拡散領域がシリサイド化されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の設計方法。
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