JP7352068B2 - プラズマ制御システム - Google Patents
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Description
その結果、アンテナの長手方向に沿った電流量の分布が均一にならず、プラズマ密度が不均一になるという問題が生じる。
このような構成であれば、各アンテナの給電側及び接地側それぞれに流れる電流を検出するので、各アンテナに流れる電流を可及的に等しくすることができるし、各アンテナの給電側及び接地側それぞれにリアクタンス可変素子を設けているので、プラズマ密度をより細やかに制御することができる。
このように算出された均一性指標値を用いれば、各アンテナに流れる電流を可及的に等しくすることができる。
このような構成であれば、均一性指標値を確実に設定値に近づけていくことができる。
このような構成であれば、均一性指標値が閾値に到達するまではリアクタンス変更量を大きくし、均一性指標値が閾値に到達してから設定値に到るまではリアクタンス変更量を小さくすることができる。これにより、制御時間の短縮化を図れる。
このような構成であれば、リアクタンス可変素子がリアクタンスを緩やかに変更できる状態か、リアクタンスが大きく変動してしまう状態かに応じて、リアクタンス変更量を適切に調整することができる。
このような構成であれば、均一性指標値に及ぼす影響の高いリアクタンス可変素子のリアクタンスから変更していくことができるので、効率良く制御を行うことができる。
このようなプラズマ制御プログラムによれば、上述したプラズマ制御システムと同様の作用効果を発揮させることができる。
本実施形態のプラズマ制御システム200は、図1に示すように、誘導結合型のプラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置100と、そのプラズマを制御するための制御装置Xを少なくとも具備している。
プラズマ処理装置100は、図2に示すように、基板Wに、例えばプラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等の処理を施すものである。基板Wは、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。
なお、このプラズマ処理装置100は、プラズマCVD法によって膜形成を行う場合はプラズマCVD装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。
以下では、説明の便宜上、直列接続された第1アンテナ3A及び第2アンテナ3B、第3アンテナ3C及び第4アンテナ3D、第5アンテナ3E及び第6アンテナ3Fの3組が並列接続されているものとする。
次に接続導体12について、図4~図8を参照して詳細に説明する。なお、図4及び図5などにおいて一部のシール部材などは記載を省略している。
また、接続導体12は、アンテナ3と接地との間に設けられるものであってもよい。この場合、第1の固定電極16はアンテナ3に電気的に接続され、第2の固定電極17は接地される。
かかる構成により、アンテナ群3xを構成する複数のアンテナの給電側及び接地側には可変コンデンサVCが接続されていることになる。
均一性指標値Ix
=(最大値Imax-最小値Imin)/(最大値Imax+最小値Imin)×100(%)
なお、均一性指標値Ixとしては、上記の算出式により算出された値に限らず、例えば各電流検出部S1~S9により検出された電流値の平均値や標準偏差などを用いて算出しても良い。
このように構成された本実施形態のプラズマ制御システム200によれば、図11に示すように、均一性指標値Ixが設定値Isに近づくように、複数の可変コンデンサVCの静電容量、すなわち複数の可変コンデンサVCのリアクタンスを順次変更するので、複数のアンテナ3に流れる電流を可及的に均一にすることができる。その結果、複数のアンテナ3を用いて基板の大型化に対応できるようにしつつ、均一なプラズマを発生させることが可能となる。なお、図11に例示したものは、第1可変コンデンサVC1~第4可変コンデンサVC4の静電容量を変更した場合の均一性指標値Ixの変動である。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
具体的には、均一性指標値に対して設定値とは異なる閾値を設けて、この閾値に到る前後で回転角度を変える態様や、可変コンデンサVCの現状のリアクタンス、すなわち可動電極の現状の角度に応じて回転角度を変える態様が挙げられる。
このような構成であれば、均一性指標値が閾値に到達するまではリアクタンス変更量を大きくし、均一性指標値が閾値に到達してから設定値に到るまではリアクタンス変更量を小さくすることができ、制御時間の短縮化を図れる。
なお、閾値を複数設けて、回転角度をより多段階に変更させても良い。
このような構成であれば、可変コンデンサのリアクタンスを緩やかに変更できる状態か、リアクタンスが大きく変動してしまう状態かに応じて、リアクタンス変更量を適切に調整することができる。
なお、境界角度を複数設けて、回転角度をより多段階に変更させても良い。
このような重み値としては、例えば複数の可変コンデンサを1つずつ正転方向及び/又は逆転方向に一定角度ずつ回転させて、これによる均一性指標値の変化量(減少量)を確認し、その変化量が大きいものほど重み値が大きくなるように設定されたものを挙げることができる。なお、重み値としてはこれに限らず、種々の方法で設定して構わない。
そして、均一性指標値が設定値よりも大きい場合に、リアクタンス変更部X2が、重み値記憶部X3に記憶された各リアクタンス可変素子の重み値を参照して、リアクタンスを重み値の大きい可変コンデンサから順に変更する。
このような構成であれば、均一性指標値に及ぼす影響の高い可変コンデンサのリアクタンスから変更していくことができるので、制御の高効率化を図れる。
この構成において、駆動部としては、前記実施形態のようにモータであっても良いし、シリンダ等であっても良い。
100・・・プラズマ処理装置
W ・・・基板
P ・・・誘導結合型プラズマ
IR ・・・高周波電流
2 ・・・真空容器
3x ・・・アンテナ群
3 ・・・アンテナ
3a1・・・一端部
3a2・・・他端部
VC ・・・可変コンデンサ
18 ・・・可動電極(可動要素)
CL ・・・冷却液(液体の誘電体)
Sx ・・・電流検出機構
X ・・・制御装置
X1 ・・・均一性算出部
X2 ・・・リアクタンス変更部
Claims (1)
- 高周波電源と、
前記高周波電源に接続された複数のアンテナを有するアンテナ群と、
前記複数のアンテナの給電側及び接地側に接続された複数のリアクタンス可変素子と、
前記複数のアンテナの給電側及び接地側に流れる電流を検出する電流検出機構と、
前記電流検出機構により検出された電流値に基づいて、前記複数のアンテナを流れる電流の均一性指標値を算出する均一性算出部と、
前記均一性算出部により算出された均一性指標値が所定の設定値に近づくように、前記複数のリアクタンス可変素子のリアクタンスを順次変更するリアクタンス変更部とを具備し、
前記アンテナ群が、
前記高周波電源に接続されるとともに、互いに直列接続された少なくとも2つの第1アンテナ及び第2アンテナと、
前記高周波電源に接続されるとともに、互いに直列接続され、且つ、前記第1アンテナ及び第2アンテナに並列接続された少なくとも2つの第3アンテナ及び第4アンテナとを有し、
前記リアクタンス可変素子が、前記第1アンテナの給電側、前記第1アンテナ及び前記第2アンテナの間、前記第2アンテナの接地側、前記第3アンテナの給電側、前記第3アンテナ及び前記第4アンテナの間、前記第4アンテナの接地側それぞれに設けられており、
前記電流検出機構が、前記第1アンテナの給電側、前記第1アンテナ及び前記第2アンテナの間、前記第2アンテナの接地側、前記第3アンテナの給電側、前記第3アンテナ及び前記第4アンテナの間、前記第4アンテナの接地側それぞれに流れる電流を検出する、プラズマ制御システム。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238981A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2014216318A (ja) | 2013-04-25 | 2014-11-17 | ピーエスケーインコーポレイテッド | プラズマ発生装置及びその制御方法、及びプラズマ発生装置を含む基板処理装置 |
JP2018041531A (ja) | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6036878A (en) * | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
KR100338057B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2002-05-24 | 황 철 주 | 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치 |
US7096819B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density |
JP2003031504A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した半導体装置 |
JP3923323B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2007-05-30 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4020679B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
JP2004228354A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Japan Science & Technology Agency | プラズマ生成装置 |
KR100963519B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2010-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 높은 플라즈마 균일도를 가지는 유도성 결합 플라즈마발생장치 및 이를 이용한 플라즈마 균일도 제어 방법 |
JP4817923B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-11-16 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 |
JP4324205B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2009-09-02 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成装置およびプラズマ成膜装置 |
KR100934402B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2009-12-31 | 아리온테크 주식회사 | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 |
JP5916044B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2016-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5674871B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
KR101710678B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2017-02-28 | 인베니아 주식회사 | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
KR101682881B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2016-12-06 | 인베니아 주식회사 | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
JP6471515B2 (ja) | 2015-01-28 | 2019-02-20 | 日新電機株式会社 | パイプ保持接続構造およびそれを備える高周波アンテナ装置 |
KR101848908B1 (ko) * | 2016-09-19 | 2018-05-15 | 인베니아 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
US10932353B2 (en) * | 2017-02-16 | 2021-02-23 | Nissin Electric Co., Ltd. | Antenna for generating plasma, and plasma treatment device and antenna structure provided with antenna for generating plasma |
US11615943B2 (en) * | 2017-07-07 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source |
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---|---|---|---|---|
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JP2014216318A (ja) | 2013-04-25 | 2014-11-17 | ピーエスケーインコーポレイテッド | プラズマ発生装置及びその制御方法、及びプラズマ発生装置を含む基板処理装置 |
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