JP4350766B2 - プラズマ処理装置,高周波電源の校正方法,高周波電源 - Google Patents
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Description
前記高周波電源は,少なくとも高周波電力の電力設定値と,出力電力を校正するためのオフセット値とをデジタルデータとして入力可能なデータ入力端子と,前記高周波電力を出力する電力出力端子を有し,前記電力設定値と前記オフセット値とに基づいて目標電力出力値を調整して,その目標電力出力値に応じた高周波電力を前記電力出力端子から送出するように構成されており,前記電源制御手段によって前記高周波電源の前記データ入力端子に校正用の電力設定値と校正用のオフセット値とを入力して前記目標電力出力値を調整させて,その目標電力出力値に応じた高周波電力を前記電力出力端子から送出させる工程と,前記電源制御手段によって前記伝送経路と前記負荷との間に介在させた電力値検出手段により検出された前記負荷に供給される高周波電力の電力検出値と前記電力設定値との差分値に応じて前記校正用のオフセット値を変更して,前記高周波電源のデータ入力端子に前記変更した校正用のオフセット値を供給する工程と,を前記電力検出値が前記電力設定値に達するまで繰り返し,前記電力検出値が前記電力設定値に達すると,そのときの校正用のオフセット値を前記高周波電源の出力電力を校正するためのオフセット値とすることを特徴とする高周波電源の校正方法が提供される。
まず,本発明の第1実施形態にかかるプラズマ処理装置100の構成例について図面を参照しながら説明する。図1は,本発明の第1実施形態にかかるプラズマ処理装置100の構成例を示すブロック図である。
・・・・(1)
次に,以上のように構成されたプラズマ処理装置100における高周波電源200の校正について図面を参照しながら説明する。本実施形態における高周波電源200の校正では,同軸ケーブル102を経由して整合器104に入力される高周波電力の値が高周波電力の電力設定値になるように,高周波電源200の電力出力端子202から出力される高周波電力の値を調整(オフセット)する。
上記第1実施形態にかかるプラズマ処理装置100では,高周波電源200は,電源制御手段400から電源制御信号420を受信し,この信号に含まれている電力設定値424aとオフセット値424bに従って目標電力出力値を調整している。これに対して第2実施形態にかかるプラズマ処理装置110は,高周波電源240が電力値検出手段106から電力値検出信号108を直接受信し,電源制御手段400から電源制御信号430を受信するように構成されている。図5は,第2実施形態にかかるプラズマ処理装置110の構成例を示すブロック図である。
次に,以上のように構成されたプラズマ処理装置110における高周波電源240の校正の具体例について説明する。図5に示すように,プラズマ処理装置110において,高周波電源240が同軸ケーブル102によって整合器104に接続されると,オペレータによって入力手段412から電源制御手段400に対して,校正動作に入るよう所定のコマンドが入力される。このコマンドを受けた電源制御手段400は,データ処理手段410において校正用の電力設定値424aを含む電源制御信号430を形成する。この場合の校正用の電力設定値424aは,第1実施形態の場合と同様に1700Wとする。
次に,上記第1実施形態にかかるプラズマ処理装置100又は第2実施形態にかかるプラズマ処理装置110に適用可能な処理室300の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,処理室300をウエハWに対してプラズマCVDによる成膜処理を行うプラズマ処理装置として構成した場合を例に挙げる。図7は,処理室300の構成例を示す縦断面図である。図7に示すように,処理室300は,気密に構成された略円筒状の形状を有している。
102 同軸ケーブル
104 整合器
106 電力値検出手段
108 電力値検出信号
110 プラズマ処理装置
200 高周波電源
202 電力出力端子
204 I/F手段
212 発振器
214 アッテネータ
216 電力出力手段
218 電力センサ
220 電力制御手段
240 高周波電源
242 入力手段
244 表示手段
246 記憶手段
250 電力制御手段
300 処理室
311A 天壁
311B 底壁
311C 側壁
312 サセプタ
313 支持部材
314 下部電極
315 ヒータ
317 穴
318 搬入出口
319 絶縁部材
320 シャワーヘッド
321 ベース部材
322 シャワープレート
323 ヒータ
324 吐出孔
325 ガス拡散空間
326 ガス導入ポート
337 ゲートバルブ
338 ガス供給ライン
340 ヒータ電源
341 ヒータ電源
350 排気室
351 排気管
352 排気装置
360 ウエハ支持ピン
361 支持板
400 電源制御手段
402 I/F手段
410 データ処理手段
412 入力手段
414 表示手段
416 記憶手段
420 電源制御信号
422 スタートビット
424a 電力設定値
424b オフセット値
426a パリティビット
426b パリティビット
428 ストップビット
430 電源制御信号
W ウエハ
Claims (12)
- 少なくとも高周波電力の電力設定値と出力電力校正用のオフセット値とをデジタルデータとして入力可能なデータ入力端子と,前記高周波電力を出力する電力出力端子と,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサとを有し,前記データ入力端子から入力された前記電力設定値と前記オフセット値とに基づいて目標電力出力値を求め,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記電力出力端子の出力電力を制御する高周波電源と,
前記高周波電源の前記電力出力端子に接続されたケーブルと,
前記ケーブル終端に接続された整合器と,
前記整合器が接続され,前記高周波電源の電力出力端子から前記ケーブルと前記整合器を介して高周波電力が供給され,それにより生成された処理ガスのプラズマによって被処理基板に対するプラズマ処理を実行する処理室と,
前記ケーブル終端と前記整合器との接続部位に介装されて,前記整合器に入力される前記ケーブル終端の電力を検出する電力値検出手段と,
前記高周波電源を校正する際に,前記電力設定値と前記電力値検出手段により検出された電力検出値との差分値に応じて前記オフセット値を求め,前記電力設定値と前記オフセット値を前記高周波電源のデータ入力端子にデジタル伝送して前記目標電力出力値を調整させることで,前記整合器に入力される前記ケーブル終端の電力が前記電力設定値になるように前記電力出力端子の出力電力を校正する電源制御手段と,
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ケーブルは同軸ケーブルで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記デジタルデータはシリアルデータであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電源は,前記電力設定値と前記オフセット値とを乗算することによって前記目標電力出力値を求めることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電源は,高周波電力安定化回路を備え,前記高周波電力安定化回路によって,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記電力出力端子の出力電力を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 高周波電力を出力する電力出力端子と,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサとを有し,前記高周波電力の電力設定値と出力電力校正用のオフセット値とに基づいて目標電力出力値を求め,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記電力出力端子から送出する高周波電力を制御する高周波電源と,
前記高周波電源の前記電力出力端子に接続されたケーブルと,
前記ケーブルの終端に接続された整合器と,
前記整合器が接続され,前記高周波電源の電力出力端子から前記ケーブルと前記整合器を介して高周波電力が供給され,それにより生成された処理ガスのプラズマによって被処理基板に対するプラズマ処理を実行する処理室と,
前記ケーブルの終端と前記整合器との接続部位に介装されて,前記整合器に入力される前記ケーブル終端の高周波電力の値を検出する電力値検出手段と,
を備え,
前記高周波電源は,前記電力値検出手段により検出された電力検出値を入力し,この電力検出値と前記電力設定値との差分値に応じてオフセット値を求め,このオフセット値と前記電力設定値とに基づいて目標電力出力値を調整することにより,前記整合器に入力される前記ケーブル終端の高周波電力の値が前記電力設定値になるように前記電力出力端子の出力電力を校正する自動校正機能を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - ケーブルを介して負荷に接続された高周波電源を電源制御手段により校正する高周波電源の校正方法であって,
前記高周波電源は,少なくとも高周波電力の電力設定値と出力電力校正用のオフセット値とをデジタルデータとして入力可能なデータ入力端子と,前記高周波電力を出力する電力出力端子と,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサとを有し,前記データ入力端子から前記電力設定値と前記オフセット値が入力されると,これらに基づいて目標電力出力値を求め,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記電力出力端子の出力電力を制御するように構成されており,
前記電源制御手段は,前記ケーブル終端と前記負荷との接続部位に介装された電力値検出手段により検出された電力検出値と前記電力設定値との差分値に応じて前記オフセット値を求め,これを前記電力設定値とともに前記高周波電源のデータ入力端子に入力する工程を,前記電力検出値が前記電力設定値に達するまで繰り返し,
前記電力検出値が前記電力設定値に達したときのオフセット値を最終的な出力電力校正用のオフセット値に決定することを特徴とする高周波電源の校正方法。 - ケーブルを介して負荷に接続された高周波電源の校正方法であって,
前記高周波電源は,高周波電力を出力する電力出力端子と,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサとを有し,前記校正を行う際には前記高周波電力の電力設定値と,出力電力校正用のオフセット値とに基づいて目標電力出力値を求め,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記電力出力端子の出力電力を制御するように構成されており,
前記高周波電源は,前記ケーブル終端と前記負荷との接続部位に介装された電力値検出手段による電力検出値を入力し,これと前記電力設定値との差分値に応じて前記オフセット値を求めて前記目標電力出力値を調整し,前記電力出力端子の出力電力を校正する工程を,前記電力検出値が前記電力設定値に達するまで繰り返し,
前記電力検出値が前記電力設定値に達したときのオフセット値を最終的な出力電力校正用のオフセット値に決定することを特徴とする高周波電源の校正方法。 - 前記オフセット値は,前記電力検出値と前記電力設定値との差分値の1/2に応じて求められたものであることを特徴とする請求項7または8に記載の高周波電源の校正方法。
- 前記負荷は,
前記ケーブルの終端に接続される整合器と,
前記整合器が接続され,前記高周波電源の電力出力端子から前記ケーブルと前記整合器を介して高周波電力が供給され,それにより生成された処理ガスのプラズマによって被処理基板に対するプラズマ処理を実行する処理室と,
から構成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の高周波電源の校正方法。 - ケーブルを介して負荷に接続される高周波電源であって,
発振器と,
前記発振器からの出力レベルを調整するレベル調整手段と,
前記レベル調整手段を介した出力を増幅する増幅手段と,
前記増幅手段からの高周波電力を前記ケーブルに出力する電力出力端子と,
前記増幅手段と前記電力出力端子との間に介装され,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサと,
少なくとも前記高周波電力の電力設定値と,前記電力出力端子から出力される出力電力を校正するためのオフセット値をデジタルデータとして入力可能なデータ入力端子と,
前記データ入力端子から入力された前記電力設定値と前記オフセット値とに基づいて目標電力出力値を求め,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記レベル調整手段を制御することによって前記電力出力端子の出力電力を校正する電力制御手段と,を備え,
前記オフセット値は,前記ケーブル終端と前記負荷との間に介装された電力値検出手段により検出された電力検出値と前記電力設定値との差分値に応じて求められたものであることを特徴とする高周波電源。 - ケーブルを介して負荷に接続される高周波電源であって,
発振器と,
前記発振器からの出力レベルを調整するレベル調整手段と,
前記レベル調整手段を介した出力を増幅する増幅手段と,
前記増幅手段からの高周波電力を前記ケーブルに出力する電力出力端子と,
前記増幅手段と前記電力出力端子との間に介装され,前記電力出力端子の出力電力を検出する電力センサと,
前記ケーブル終端と前記負荷との間に介装された電力値検出手段で検出された電力検出値を入力し,この電力検出値と前記高周波電力の電力設定値との差分値に応じてオフセット値を求め,このオフセット値と前記電力設定値とに基づいて目標電力出力値を調整し,前記電力センサの検出値が前記目標電力出力値を維持するように前記レベル調整手段を制御することによって前記電力出力端子の出力電力を校正する電力制御手段と,
を備えたことを特徴とする高周波電源。
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DE102014209469A1 (de) * | 2014-05-19 | 2015-11-19 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Regelungsanordnung, Regelsystem und Hochfrequenzleistungserzeugungsvorrichtung |
CN105206494B (zh) * | 2014-06-18 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 脉冲射频电源的阻抗匹配方法及等离子体设备的匹配方法 |
US10266940B2 (en) * | 2015-02-23 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Auto capacitance tuner current compensation to control one or more film properties through target life |
US9754769B2 (en) * | 2015-09-15 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Metrology methods to detect plasma in wafer cavity and use of the metrology for station-to-station and tool-to-tool matching |
KR102091539B1 (ko) * | 2016-12-19 | 2020-04-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 그 방법 |
DE102017206132B3 (de) | 2017-04-10 | 2018-07-12 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Erzeugung einer Hochfrequenzleistung mit einer vorgegebenen Frequenz und Leistungswandler |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205898A (ja) | 1991-07-24 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
JPH07191764A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
JPH1114996A (ja) | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH11149996A (ja) | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Mc Electronics Kk | プラズマリアクター |
JP2000173982A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2001197749A (ja) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Daihen Corp | 高周波電源 |
JP2003032064A (ja) | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Adtec Plasma Technology Co Ltd | 伝送効率制御機能を有するインピーダンス整合装置 |
TWI239794B (en) * | 2002-01-30 | 2005-09-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
JP3923323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2007-05-30 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP3977114B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | プラズマ処理装置 |
US20030213559A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-20 | Applied Science And Technology, Inc. | Stabilization of electronegative plasmas with feedback control of RF generator systems |
JP4099074B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6781317B1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system |
JP2005085917A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
US20060258022A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Wright Timothy L | Method for the calibration of radio frequency generator output power |
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