JP3855565B2 - 充放電保護回路および該充放電保護回路を有するバッテリーパック - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種携帯機器に使用される2次電池の充放電保護回路技術に係り、特に、充電制御時の2次電池の過充電状態、負荷電流を供給する放電制御時の2次電池の過放電状態、または放電制御時の2次電池の過電流状態を検出して2次電池を過充電状態、過放電状態または過電流状態から保護する充放電保護回路において、異常充電器を接続した場合でも過電流検出電圧値や短絡検出電圧値が変動しないようにした充放電保護回路およびバッテリーパックに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯型の電子機器が普及してきており、このような各種携帯型電子機器の電源は2次電池によって供給される。使用されて電圧が低下した2次電池は、充電されて繰り返し使用される。このような2次電池の過充電、過放電、過電流を検出する保護回路としては、例えば、特開平11−103528号公報に開示されたものがある。この公開公報に記載されたものでは、電池電圧が印加される端子を低耐圧構造にし、半導体装置の一部である充電器が印加される端子のみを高耐圧構造にすることによって、保護回路全体を高耐圧構造にしている。
【0003】
図3は、上記公開公報に開示された充放電保護回路を用いたバッテリーパックの構成を説明するための機能ブロック図である。
同図に示すように、上記従来のバッテリーパック110は、2次電池112、放電用FETスイッチQ101、充電用FETスイッチQ102、過充電検出時の遅延時間を設定するコンデンサC101、充放電保護回路120とで構成されている。図3はバッテリーパック110に充電器114が接続された場合を示しているが、バッテリーパック110を通常に動作させる場合、充電器114の位置には負荷(携帯機器本体)が接続される。
【0004】
充電保護回路120はVDD端子、VSS端子、CT端子、Dout端子、Cout端子、V-端子の6つの端子を有する。VDD端子とVSS端子の間の電圧は2次電池112の電圧に等しい。VDD端子とV-端子の間の電圧は充電器114の電圧に等しい。充電器114として高電圧のものを用いた場合、2次電池112と充電器114の高電圧側は共通(VDD端子)であるため、V-端子の電位はVSS端子の電位より低くなる。
【0005】
2次電池112がリチウムイオン電池の場合、2次電池の電圧として例えば4.25Vや4.35V以上の電圧が検出された場合に過充電と判断される。充電保護回路120が過充電を検出してFETスイッチQ102をOFFさせれば充電器114からの充電電流は流れないので2次電池112の電圧(VDD−VSS電圧)は定常的に高電圧(例えば28V)になることはない。よってVSS端子およびそこに接続される回路要素に高電圧が加わることはない。同様のことがCT端子についても言える。また過充電が生じている場合でも、FETスイッチQ101はFETスイッチQ102によってV-端子の電位からは切り離されている。よってDout端子およびそこに接続される回路要素に高電圧が加わることはない。
【0006】
例えば、28Vの充電器114が接続されFETスイッチQ102がOFFの状態の時、2次電池112に接続されたVDD端子における電位を基準として考えると、VSS端子、CT端子およびDout端子には2次電池112の電圧しかかからないが、Cout端子とV-端子には充電器の電圧がそのままかかる。より具体的には、過充電を避けるためにはFETスイッチQ102をOFFにする必要があるが、FETスイッチQ102は、nチャネルMOSFETであるためこれをOFFするためにはゲートレベル(Cout端子の電圧)をソースレベル(V-端子の電圧)に対して0にする必要がある。Cout端子はCMOS(例えば、図4に示すQ109およびQ110)の出力に接続されている。CMOSの出力をFETスイッチQ102をOFFするのに十分な電圧にするためには、CMOSのソースレベルとしてV-端子の電圧を取り入れる必要がある。
【0007】
このように、高耐圧構造が必要なのは、Cout端子とV-端子に接続される素子のみであり、バッテリーパック110の他の部分における素子は低耐圧構造でよい。図3は短絡検出回路124および過電流検出回路125がV-端子に接続されていることを示しているが、短絡検出回路124および過電流検出回路125を構成する回路要素は、例えばコンパレータの入力(ゲート入力)としてV-端子の電圧を取り入れているだけである。Cout端子に接続されるCMOS(例えば、図4に示すQ109およびQ110)のようにソースレベルとしてV-端子の電圧を取り入れるわけではないので、短絡検出回路124および過電流検出回路125の回路要素は高耐圧構造とする必要はない。
【0008】
次に、上記従来例の充放電保護回路120の構成および動作を、図3および図4を用いて説明する。充放電保護回路120は2次電池112を過充電状態、過放電状態、または過電流状態から保護する機能を有している。
【0009】
図3において、充放電保護回路120は、過充電検出回路122、VSSレベルをV-レベルにシフトするレベルシフト回路123、過放電検出回路127、過電流検出回路125、過放電、過電流の検出時の遅延時間を設定する遅延回路126、短絡検出回路124とを同一基板上に構成したものである。ここでは、過放電検出回路127、過電流検出回路125、遅延回路126、短絡検出回路124の動作については当業者にとってよく知られているので詳細な説明は省略する。必要ならば、特開平6−104015号公報、特開平10−4637号公報などを参照されたい。
【0010】
過充電検出回路122は2次電池の過充電を検出するとLOWレベルの過充電検出信号122aをレベルシフト回路123に供給する。レベルシフト回路123は過充電検出回路122からの過充電検出信号122aに基づいて、充電制御信号123aをCout端子に供給し、それによって充電用のトランジスタQ102をOFFする。これにより2次電池112の過充電を防いでいる。
【0011】
図4は、充放電保護回路120の要部を示す回路図であり、特に高耐圧MOSトランジスタを用いて構成されるレベルシフト回路123の詳細を示している。レベルシフト回路123は、VDD端子に接続されたエンハンスメント型のpチャネルトランジスタQ103とV-端子に接続され飽和結線されて定電流源として働くデプレション型のnチャネルトランジスタQ104とが直列に接続された回路の後段に所定数のインバータ回路(Q105,Q106)、(Q107,Q108)、(Q109,Q110)を縦続接続している。
【0012】
レベルシフト回路123の後段には、pチャネルトランジスタQ111、nチャネルトランジスタQ112およびnチャネルトランジスタQ113が設けられている。トランジスタQ111のゲートには過放電検出信号127aが入力されている。過放電検出信号127aが放電不可能を示すLOWレベルになると、トランジスタQ111はONし、V-端子の電位をVDD端子の電位までプルアップする。これにより、過放電が生じて負荷への電流供給が停止され、かつVDD端子とV-端子の間がオープン状態になった場合でも回路が不安定になるのを防いでいる。
【0013】
同様に、トランジスタQ112のゲートには過充電検出信号122aが入力され、トランジスタQ113のゲートには過放電検出信号127aが入力されている。過充電検出信号122aが充電可能を示すHIGHレベルの時に(すなわち過充電状態でない時に)トランジスタQ112はONしている。またトランジスタQ113は過放電でない時にONしている。従ってトランジスタQ112とトランジスタQ113は過充電でも過放電でもない時にONしており、その時にV-はVSSにプルダウンされる。すなわちトランジスタQ112およびQ113は、過電流を検出した後、つまりバッテリーパックのプラス端子とマイナス端子がショートされた後に、ショート状態が開放されてプラス端子とマイナス端子がオープンになった時にV-をVSSレベルに下げるプルダウン抵抗の役割を果たしている。過充電状態の時はトランジスタQ112がOFFし、トランジスタQ113には高電圧がかからないため、トランジスタQ113を高耐圧構造にする必要はない。
【0014】
過充電検出信号122aが充電可能であることを示すHIGHレベルにある場合、トランジスタQ103はOFFになり、トランジスタQ104は定電流源として働くため、トランジスタQ103およびQ104のドレインの電圧は“L”レベル(V-レベル)になり、“L”レベルがトランジスタQ105およびQ106からなるインバータに入力される。トランジスタQ105がONしトランジスタQ106がOFFするから、トランジスタQ105およびQ106のドレインの電圧は“H”レベル(VDDレベル)になり、“H”レベルがトランジスタQ107およびQ108からなるインバータに入力される。トランジスタQ107がOFFしトランジスタQ108がONするからトランジスタQ107およびQ108のドレイン電圧は“L”レベルになり、“L”レベルがトランジスタQ109およびQ10からなるインバータに入力される。トランジスタQ9がONしトランジスタQ110がOFFするから、トランジスタQ109およびQ110のドレインの電圧、すなわちCout端子の電圧は“H"レベルになる。結果としてFETスイッチQ102はONになり充電が行われる。
【0015】
過充電検出信号122aが充電不可能であることを示すLOWレベルにある場合、上記と逆の動作によりCout端子にはV-端子の電圧(“L”レベル)がかかり、結果としてFETスイッチQ102はOFFになり充電が停止する。回路図から明らかなように、上記トランジスタQ103〜Q112ではソース側またはドレイン側にV-端子の電圧がかかるため、これらのトランジスタQ103〜Q112だけを高耐圧構造にし、他の素子は低耐圧構造にしている。なお、ダイオードD1〜D3は、充放電保護回路120を静電気から保護するための素子であり、これらのダイオードも高耐圧構造にするのが好ましい。
【0016】
上記従来例では、図3のバッテリーパック110を構成する素子のうち、Cout端子とV-端子に直接接続される素子(トランジスタQ103〜Q112)を、“双方向LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)オフセット構造”と呼ばれる高耐圧のMOSトランジスタ構造としている。すなわち、図7に示すように、基板(30)の上に、素子分離の酸化膜(31)と、ソースの耐圧を上げるためのオフセット用酸化膜(32)と、ドレインの耐圧を上げるためのオフセット用酸化膜(33)を成長させ、ポリシリコンゲート(34)を該2つのオフセット用酸化膜(32,33)にかかるように形成し、ソース(35)とドレイン(36)を形成する。さらに中間膜(37)、ソースのアルミ電極(38)、ドレインのアルミ電極(39)を形成する。通常のLOCOSオフセット構造の場合はドレイン端にのみオフセット用酸化膜を設けるが、上記従来例においては、充電器の逆接続などによりドレイン電位とソース電位が逆転する場合があるので、ドレイン端とソース端の両方にオフセット用酸化膜を設けた双方向LOCOSオフセット構造のMOSトランジスタとしている。
【0017】
このように、図3の充放電保護回路を構成する素子のうち、図4に示す10個のトランジスタQ103〜Q112だけ(好ましくは静電気から保護するための3個のダイオードD1〜D3も)を、高耐圧のLOCOSオフセット構造とし、その他の回路構成素子は全て低耐圧構造にすることで、小型で高耐圧の充放電保護回路を構成している。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例は、充放電保護回路の一部の回路要素を高耐圧構造とすることによって過充電状態となった場合でも内部回路の損傷を防ぐと共に充放電保護回路のチップ面積の小型化を実現することが可能であるが、過電流検出回路125および短絡検出回路124の入力が、直接充電器114のマイナス電位V-と接続されているため、異常な充電器等が接続されて大電圧が印加され、過充電を検出して充電用トランジスタQ102がOFFすると、充電器のマイナス電位V-は電池のマイナス電位VSSよりも低くなる(電池のプラス電位と充電器のプラス電位は同じであるため)。すなわち、過電流検出回路125および短絡検出回路124の入力V-は、電池のマイナス電位であるVSS電位よりも低くなる。この状態が例えば長時間、例えば24時間続くと、過電流検出回路125および短絡検出回路124の入力トランジスタのVthが変動してしまう。それによって、過電流検出電圧値および短絡検出電圧値が変動してしまうという問題があった。
【0019】
これは、半導体装置の構造が電池側も充電器側も同一構造であっても生じる問題であるが、特に、上記従来例のように半導体装置の構造を低耐圧構造と高耐圧構造とに分けた場合、例えば、低耐圧構造の耐圧を12V、高耐圧構造の耐圧を28Vとすると、電池電圧は、例えば、リチウムイオン電池の場合には4V程度しかかからないので、この4Vの電池に対し28Vの充電電圧が印加されると、その差電圧は24Vとなり、同一構造の耐圧が12Vの場合と比較すると、4Vの電池に対して12Vの電圧が印加されるので差電圧は8Vであって、低耐圧構造と高耐圧構造とに分けた場合の方が差電圧が大きくなるので、Vthの変動が大きくなってしまう。
【0020】
図5は過電流検出回路125のコンパレータ回路の具体例を示す図であり、図6は短絡検出回路124の具体例を示す図である。
図5の過電流検出回路125のコンパレータ回路において、4Vの電池に28Vの異常充電器114が接続されると、図5において、差動入力のデプレッション型Nchトランジスタ201のゲート電圧が−24Vになる。このマイナス電圧が長時間印加されることによって、デプレッション型Nchトランジスタ201のVthが変動する。このVthの変動によって、コンパレータの入力トランジスタのペア特性がアンバランスになり、コンパレータのオフセットが大きくなり、結果として過電流検出電圧が変動してしまうという問題があった。
【0021】
同様に、図6の短絡検出回路124においても、Pchトランジスタ202とNchトランジスタ203のゲート電圧が−24Vになり、Pchトランジスタ202とNchトランジスタ203のVthが変動することによって、Pchトランジスタ202、Nchトランジスタ203、204で構成されているインバータのスレッショルドが変動する。このスレッショルドが短絡検出電圧であるので、結果として該インバータのスレッショルドの変動により短絡検出電圧値も変動してしまうという問題があった。
本発明は、このような異常充電器が接続された場合の保護回路内部の状態検出電圧値の変動をなくすことを主要な課題とするものである。
【0022】
具体的には、上記問題点を解消するために、本願請求項1記載の発明は、長時間異常充電器が接続され続けても過電流検出回路または短絡検出回路の状態を検出するための電圧値が変動しない充放電保護回路を提供することを目的としている。
【0023】
また、本願請求項2および3記載の発明は、長時間異常充電器が接続され続けても過電流検出電圧または短絡検出電圧値が変動しない充放電保護回路を提供することを目的としている。
さらに、本願請求項4および5記載の発明は、過電流検出電圧または短絡検出電圧値が変動しない、小型で高耐圧の充放電保護回路を提供することを目的としている。
【0024】
また、本願請求項6記載の発明は、長時間異常充電器が接続され続けても過電流検出電圧または短絡検出電圧値が変動しない、小型で高耐圧の充放電保護回路を有するバッテリーパックを提供することを目的としている。
【0025】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項1記載の充放電保護回路では、2次電池(12)の短絡を検出する短絡検出回路(24)と、2次電池(12)の過電流を検出する過電流検出回路(25)と、接続された充電器(14)が異常充電器であることを検出する異常充電器検出回路(28)と、該異常充電器検出回路(28)により充電器が異常と検出された場合に、該異常充電器の電圧が過電流検出回路(25)または短絡検出回路(24)に直接印加されるのを防止する手段(トランジスタQ3,Q4)を設けている。
これにより、長時間異常充電器が接続され続けても過電流検出回路または短絡検出回路の電圧値が変動しなくなる。
【0026】
また、請求項2記載の充放電保護回路では、2次電池(12)の短絡を検出する短絡検出回路(24)と、2次電池(12)の過充電を検出する過充電検出回路(22)と、2次電池(12)の過放電を検出する過放電検出回路(27)と、2次電池(12)の過電流を検出する過電流検出回路(25)の他に、異常充電器を検出する異常充電器検出回路(28)を有し、該異常充電器検出回路により接続された充電器(14)が異常充電器であると検知された場合に、該充電器からの電圧が過電流検出回路(25)または短絡検出回路(24)に直接印加されるのを防止する手段とを備えており、また、請求項3記載の充放電保護回路では、前記防止する手段として、異常充電器検出回路からの信号に基づいて、充電器からの電圧を遮断するスイッチ(トランジスタQ3)と、プルダウン回路またはプルダウン回路により過電流検出回路(25)または短絡検出回路(24)に固定電位を印加する手段(トランジスタQ4)を備えている。
これにより、異常充電器が長時間接続され続けても、過電流検出電圧や短絡検出電圧値を変動させないようにすることができる。
【0027】
請求項4記載の充放電保護回路は、さらに、2次電池(12)の電圧が印加される回路素子を低耐圧構造素子で構成し、充電器(14)の電圧が印加される回路素子を高耐圧構造素子で構成しており、また請求項5記載の充放電保護回路では、高耐圧構造素子として、素子分離膜(31)と、ソースの高耐圧を図るためのオフセット用酸化膜(32)と、ドレインの高耐圧化を図るためのオフセット用酸化膜(33)と、該2つのオフセット用酸化膜(32,33)を覆うように形成されたポリシリコンゲート(34)を具備する双方向LOCOS(LOCalOxidation of Silicon)オフセット構造を有するトランジスタを用いている。
これにより、過電流検出電圧または短絡検出電圧値が変動しない、かつ小型で高耐圧の充放電保護回路を実現することができる
【0028】
さらに、請求項6記載のバッテリーパックは、上記の如き各充放電保護回路と、充電可能な2次電池を含むことを特徴としている。これにより、2次電池と、異常充電器が長時間接続され続けても過電流検出電圧や短絡検出電圧値が変動しない、小型で高耐圧の充放電保護回路とを搭載したバッテリーパックを実現することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係るバッテリーパック10と、バッテリーパック10内の充放電保護回路20を示す図である。
充放電保護回路20は、大略的には図3に示すように、従来例と同様の過充電検出回路22と過放電検出回路27と過電流検出回路25と短絡検出回路24に加え、本発明の特徴である異常充電器検出回路28と該異常充電器検出回路28の出力によりON/OFFが制御されるトランジスタQ3,Q4を備えている。なお、バッテリーパック10を示す図1には、説明は省略するが、実施するための構成をより具体化するために、遅延回路26a,26b(図3の遅延回路126に相当)、コンデンサC1〜C3、抵抗r1〜r4なども示してある。
【0030】
図1に示したバッテリーパック10の全体の構造,機能,動作は従来例で説明したものとほぼ同様であり、説明は省略するが図4〜図7に示したのと同様の構成を有し、同様の効果を有するものとする。本発明がさらに特徴とする点は、従来の充放電保護回路構成に異常充電器検出回路28を追加し、この異常充電器検出回路28により異常充電器であることが検出された場合に、トランジスタQ3をOFFし、トランジスタQ4をONすることによって、過電流検出回路25と短絡検出回路24の入力を固定して、異常充電器の電圧が直接印加されないようにしたことである。
【0031】
すなわち、異常充電器等が接続されて大電圧がバッテリーパック10に印加されると、過充電が検出されて充電制御用FETQ2がOFFする。充電制御用FETQ2のOFFによりVDD―V-間には異常充電器の電圧が直接印加されることになるが、この場合、本発明で新たに追加した異常充電器検出回路28が動作して、充放電保護回路20を構成するIC内部のNchトランジスタQ3をOFFにし、過電流検出回路25と短絡検出回路24の入力にV-電位が直接印加されないようにしている。
【0032】
また、トランジスタQ3をOFFさせるだけでは、過電流検出回路25と短絡検出回路24の入力がハイインピーダンスとなり、動作が不安定になるため、過電流検出回路25と短絡検出回路24の入力をVSS電位にプルダウンするためのNchトランジスタQ4を設け、これをONさせることによって、過電流検出回路25と短絡検出回路24の入力レベルをVSSレベルに固定する。
【0033】
図2は、図1における異常充電器検出回路28の詳細図である。
例えば、電池電圧が4Vで、28Vの異常充電器が接続されると、図2のVDD−VSS間に電池電圧4Vが印加され、VDD−V-間に異常充電器の電圧28Vが印加される。この状態で、インバータI1はハイレベルがVDD、ローレベルがV-のインバータで、入力電圧がVSS(図2では接地電位)になっている。
【0034】
すなわち、入力電圧は、V-電位を基準にするとV-からVSSまでの電圧になり、これは28V−4V=24Vとなる。このインバータI1のスレッショルドを例えば(VDD/2)に設定していると、インバータI1の入力は「24>(28/2)」であり“ハイ”と認識するので、インバータ3の出力は“ロー”となり、インバータI2の出力は“ハイ”となり、インバータI3の出力は“ロー”となる。したがってNchスイッチQ3はOFFし、過電流検出回路25および短絡検出回路24の入力には、V-電位が直接印加されなくなる。
【0035】
また、それと同時に、インバータI3の出力が“ロー”なので、PchトランジスタQ6がONし、インバータI4の出力が“ロー”、インバータI5の出力が“ハイ”となり、NchトランジスタQ4がONして、過電流検出回路25および短絡検出回路24の入力にはVSS電位が印加される。したがって、28V等の異常充電器が24時間以上の長時間印加され続けても、過電流検出回路25および短絡検出回路24の入力トランジスタのVthは変動しないため、過電流検出電圧値および短絡検出電圧値が変動することはない。ここでPchトランジスタQ6以降のインバータI4およびI5はVDDとVSSの電位間に構成されている。
【0036】
上記例では、異常充電器が接続された時に、過電流検出回路25および短絡検出回路24の入力をVSSレベルにプルダウンする場合を説明したが、VSSレベルにプルダウンする代わりにVDD電位にプルアップを行うようにしても同じ効果がある。すなわち、異常充電器が接続されているときは、過充電を検出しており、過充電を検出しているときは、過電流検出回路25および短絡検出回路24は停止させているので、入力をVDDに固定してもVSSに固定しても回路的な影響はない。
【0037】
また、インバータI1のスレッショルドを変更することで、異常充電器検出電圧の判断閾値を変更することができる。すなわち、上記回路では、充電器の電圧が、「電池電圧(VDD−VSS間電圧)+インバータI1」のスレッショルド以上になったときにインバータI1が反転し“接続された充電器は異常充電器である”と判断するので、このインバータI1のスレッショルドを変更することによって異常充電器であることを検出するための閾電圧(異常充電器検出電圧)を変更することができる。
【0038】
【発明の効果】
本願請求項1記載の発明によれば、異常充電器が長時間接続され続けても内部回路の電圧値が変動しない充放電保護回路を実現できる。
また、請求項2および3記載の発明によれば、異常充電器が長時間接続され続けても、過電流検出電圧や短絡検出電圧値が変動しない充放電保護回路を実現できる。
【0039】
本願請求項4および5記載の発明によれば、過電流検出電圧または短絡検出電圧値が変動しない、かつ小型で高耐圧の充放電保護回路を実現することができるさらに、本願請求項6記載の発明によれば、2次電池と、異常充電器が長時間接続され続けても過電流検出電圧や短絡検出電圧値が変動しない、かつ小型で高耐圧の充放電保護回路とを搭載したバッテリーパックを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るバッテリーパックと、バッテリーパック内の充放電保護回路を示す図である。
【図2】図1における異常充電器検出回路の詳細図である。
【図3】従来例の充放電保護回路を用いたバッテリーパックの構成を説明するための機能ブロック図である。
【図4】充放電保護回路の要部を示す回路図である。
【図5】過電流検出回路のコンパレータ回路の具体例を示す図である。
【図6】短絡検出回路の具体例を示す図である。
【図7】高耐圧構造を有する双方向LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)オフセット構造素子を説明するための図である。
【符号の説明】
10,110:バッテリーパック、
14,114:充電器、
20,120:充放電保護回路、
22,122:過充電検出回路、
23,123:レベルシフタ、
24,124:短絡検出回路、
25,125:過電流検出回路、
26a,26b,126:遅延回路、
27、127:過放電検出回路、
28:異常充電器検出回路、
30:基板、
31:素子分離の酸化膜、
32:ソースの耐圧を上げるためのオフセット用酸化膜、
33:ドレインの耐圧を上げるためのオフセット用酸化膜、
34:ポリシリコンゲート、
35:ソース、
36:ドレイン、
37:中間膜、
38:ソースのアルミ電極、
39:ドレインのアルミ電極、
Q1〜Q6,Q101〜Q113,Q201〜Q204:トランジスタ、
C1〜C3:コンデンサ、
r1〜r4:抵抗、
I1〜I5:インバータ。
Claims (6)
- 2次電池の短絡を検出する短絡検出回路と、2次電池の過電流を検出する過電流検出回路と、接続された充電器が異常充電器であることを検出する異常充電器検出回路と、該異常充電器検出回路により異常充電器が検出された場合に、該異常充電器の電圧が前記過電流検出回路または前記短絡検出回路に直接印加されるのを防止する手段を有することを特徴とする充放電保護回路。
- 2次電池の短絡を検出する短絡検出回路と、2次電池の過充電を検出する過充電検出回路と、2次電池の過放電を検出する過放電検出回路と、2次電池の過電流を検出する過電流検出回路と、異常充電器を検出する異常充電器検出回路と、該異常充電器検出回路により接続された充電器が異常充電器であると検知された場合に、該充電器からの電圧が前記過電流検出回路または前記短絡検出回路に直接印加されるのを防止する手段とを備えたことを特徴とする充放電保護回路。
- 請求項1または2記載の充放電保護回路であって、前記防止する手段は、異常充電器検出回路からの信号に基づいて、充電器からの電圧を遮断するスイッチと、プルダウン回路またはプルダウン回路により過電流検出回路または短絡検出回路に固定電位を印加する手段からなることを特徴とする充放電保護回路。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の充放電保護回路であって、
2次電池の電圧が印加される回路素子を低耐圧構造素子で構成し、充電器の電圧が印加される回路素子を高耐圧構造素子で構成したことを特徴とする充放電保護回路。 - 請求項4記載の充放電保護回路であって、
前記高耐圧構造素子は、素子分離膜と、ソースの高耐圧を図るためのオフセット用酸化膜と、ドレインの高耐圧化を図るためのオフセット用酸化膜と、該2つのオフセット用酸化膜を覆うように形成されたポリシリコンゲートを具備する双方向LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)オフセット構造を有するトランジスタからなることを特徴とする充放電保護回路。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の充放電保護回路と、充電可能な電池を含むことを特徴とするバッテリーパック。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723748B2 (en) | 2007-10-02 | 2010-05-25 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device including electrostatic discharge protection circuit |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7247676B2 (en) * | 1997-05-27 | 2007-07-24 | Acushnet Company | For golf balls with non-ionomer casing layer |
US6501248B2 (en) | 2000-09-28 | 2002-12-31 | Ricoh Company, Ltd. | Charge/discharge protection apparatus having a charge-state overcurrent detector, and battery pack including the same |
JP4366560B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2009-11-18 | ミツミ電機株式会社 | 二次電池保護回路 |
JP2003037944A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路及び充電式電源装置 |
US6921199B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Temperature sensor |
US6924620B2 (en) * | 2002-07-25 | 2005-08-02 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Battery, battery charger, electrical system and method of charging a battery |
TW578321B (en) * | 2002-10-02 | 2004-03-01 | Topro Technology Inc | Complementary metal-oxide semiconductor structure for a battery protection circuit and battery protection circuit therewith |
JP2004336919A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Ricoh Co Ltd | キャパシタ充電回路およびそれに用いる半導体装置 |
JP4263056B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2009-05-13 | 株式会社リコー | 基準電圧発生回路 |
JP4169128B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2008-10-22 | 株式会社リコー | キャパシタ充電用半導体装置 |
JP4019376B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2007-12-12 | 株式会社リコー | キャパシタ充電用半導体装置 |
US7538518B2 (en) * | 2004-07-29 | 2009-05-26 | Dell Products L.P. | Method for detecting a defective charger circuit |
JP4186916B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2008-11-26 | 株式会社デンソー | 組電池管理装置 |
JP4535910B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | 2次電池保護回路とバッテリパックおよび電子機器 |
JP2006340450A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電池保護回路 |
US20070097572A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Caretta Integrated Circuits | Protective circuit |
US7629769B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-12-08 | Atmel Corporation | Power surge filtering in over-current and short circuit protection |
US7626360B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-12-01 | Cirrus Logic, Inc. | Charge-pump biased battery protection circuit |
JP4616222B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2011-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 充放電制御回路および充電式電源装置 |
DE102008027428B4 (de) * | 2008-06-09 | 2021-08-12 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Integrierte Batterieladegerät-Schutzschaltung |
KR101093861B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2011-12-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩 |
TWI416871B (zh) * | 2009-12-21 | 2013-11-21 | Delta Electronics Inc | 循環開關控制電路及其控制方法 |
KR20130023337A (ko) * | 2010-06-11 | 2013-03-07 | 노키아 코포레이션 | 배터리 분리 검출 방법 |
JP2012021867A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 二次電池を複数個直列に接続した組電池の保護用半導体装置、該保護用半導体装置を内蔵した電池パックおよび電子機器 |
CN107705967A (zh) * | 2011-09-29 | 2018-02-16 | 鲍尔拜普罗克西有限公司 | 无线可充电电池及其部件 |
US11502551B2 (en) | 2012-07-06 | 2022-11-15 | Energous Corporation | Wirelessly charging multiple wireless-power receivers using different subsets of an antenna array to focus energy at different locations |
JP5781494B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2015-09-24 | 株式会社日立製作所 | 情報機器及びバッテリ充電回路 |
JP6143492B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2017-06-07 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 充放電制御回路、充放電制御装置及びバッテリ装置 |
DE102013204523A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung der Sicherung beim Gebrauch von Batteriemodulen |
DE102013204520A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung der Sicherheit beim Gebrauch von Batteriemodulen |
JP6301188B2 (ja) | 2014-05-14 | 2018-03-28 | エイブリック株式会社 | 充放電制御回路およびバッテリ装置 |
JP2015220771A (ja) | 2014-05-14 | 2015-12-07 | セイコーインスツル株式会社 | 充放電制御回路およびバッテリ装置 |
JP5888387B1 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-03-22 | ミツミ電機株式会社 | 電池保護回路及び電池保護装置、並びに電池パック |
US10559971B2 (en) * | 2015-04-10 | 2020-02-11 | Ossia Inc. | Wirelessly chargeable battery apparatus |
FR3041827B1 (fr) * | 2015-09-24 | 2019-09-13 | Saft | Dispositif electronique de connexion/deconnexion pour batterie a haute-tension et procede associe |
US10038332B1 (en) * | 2015-12-24 | 2018-07-31 | Energous Corporation | Systems and methods of wireless power charging through multiple receiving devices |
CN106655371B (zh) * | 2016-12-16 | 2023-09-26 | 欣旺达电子股份有限公司 | 电池大电流快充与放电的保护与监控电路 |
US11146093B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-10-12 | Ossia Inc. | Actively modifying output voltage of a wirelessly chargeable energy storage apparatus |
US11462949B2 (en) | 2017-05-16 | 2022-10-04 | Wireless electrical Grid LAN, WiGL Inc | Wireless charging method and system |
CN108226687B (zh) * | 2018-03-28 | 2024-04-02 | 深圳市恒晨电器有限公司 | 一种便携式pdvd解码板充放电功能检测电路 |
US10978891B2 (en) | 2018-06-12 | 2021-04-13 | Motorola Solutions, Inc. | Methods and apparatus for extending discharge over-current trip time in a battery protection circuit |
EP3921945A1 (en) | 2019-02-06 | 2021-12-15 | Energous Corporation | Systems and methods of estimating optimal phases to use for individual antennas in an antenna array |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3291530B2 (ja) | 1992-09-17 | 2002-06-10 | ソニー株式会社 | バッテリー保護回路 |
JP3172095B2 (ja) | 1996-06-14 | 2001-06-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 充放電制御回路と充電式電源装置 |
US5936384A (en) | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Ricoh Company, Ltd. | Charge and discharge protection circuit and battery pack with high withstand voltage |
JP3469466B2 (ja) | 1997-06-09 | 2003-11-25 | 株式会社リコー | 充放電保護回路及びバッテリーパック |
JP3305257B2 (ja) * | 1998-05-06 | 2002-07-22 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 充放電制御回路と充電式電源装置およびその制御方法 |
FR2783979B1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-11-10 | Cit Alcatel | Dispositif electronique portable avec circuit de controle de la decharge d'une batterie, et procede associe |
-
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-
2000
- 2000-11-01 US US09/702,651 patent/US6316915B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723748B2 (en) | 2007-10-02 | 2010-05-25 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device including electrostatic discharge protection circuit |
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