JP3830235B2 - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3830235B2 JP3830235B2 JP20206997A JP20206997A JP3830235B2 JP 3830235 B2 JP3830235 B2 JP 3830235B2 JP 20206997 A JP20206997 A JP 20206997A JP 20206997 A JP20206997 A JP 20206997A JP 3830235 B2 JP3830235 B2 JP 3830235B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matching circuit
- input matching
- inductor
- frequency band
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多重無線装置や携帯電話装置などに使用して好適な高周波増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は第1従来例の高周波増幅器を示す回路図である。図6中、1は高周波信号入力端子、2は入力側の直流阻止用キャパシタ、3は入力整合回路であり、4、5はキャパシタ、6、7はインダクタである。
【0003】
また、8は増幅素子をなすGaAs FET、9は出力整合回路、10は出力側の直流阻止用キャパシタ、11は高周波信号出力端子である。
【0004】
また、12はゲートバイアス用電圧VGGを入力するためのゲートバイアス用電圧入力端子、13はドレインバイアス電圧VDDを入力するためのドレインバイアス電圧入力端子である。
【0005】
また、14、15はチョークインダクタ、16、17はλ/4ストリップ線路、18、19はゲートバイアス用電圧VGGを分圧してGaAs FET8のゲートバイアス電圧を生成するバイアス抵抗、20、21は安定化抵抗、22、23は接地用キャパシタである。
【0006】
図7は第2従来例の高周波増幅器を示す回路図である。図7中、25は高周波信号入力端子、26は入力側の直流阻止用キャパシタ、27は入力整合回路であり、28、29はキャパシタ、30、31はインダクタである。
【0007】
また、32は増幅素子をなすGaAs FET、33は出力整合回路、34は出力側の直流阻止用キャパシタ、35は高周波信号出力端子である。
【0008】
また、36はゲートバイアス用電圧VGGを入力するためのゲートバイアス電圧入力端子、37はドレインバイアス電圧VDDを入力するためのドレインバイアス電圧入力端子である。
【0009】
また、38はチョークインダクタ、39はλ/4ストリップ線路、40、41はゲートバイアス用電圧VGGを分圧してGaAs FET32のゲートバイアス電圧を生成するバイアス抵抗、42は安定化抵抗、43、44は接地用キャパシタである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
図6に示す第1従来例の高周波増幅器においては、高周波増幅器として要求されている所要周波数帯域(以下、単に所要周波数帯域という)外での入力整合回路3のインピーダンスは考慮されておらず、所要周波数帯域外の低周波数領域で入力整合回路3の出力端3Bと接地とが短絡状態となり、即ち、GaAs FET8のゲートと接地とが短絡状態となり、発振条件が成立して発振が発生してしまう場合があるという問題点があった。
【0011】
図7に示す第2従来例の高周波増幅器においても、所要周波数帯域外での入力整合回路27のインピーダンスは考慮されておらず、所要周波数帯域外の低周波数領域で、入力整合回路27の出力端27Bと接地とが短絡状態となり、即ち、GaAs FET32のゲートと接地とが短絡状態となり、発振条件が成立して発振が発生してしまう場合があるという問題点があった。
【0012】
本発明は、かかる点に鑑み、所要周波数帯域外の低周波数領域で発振条件が成立しないようにし、安定動作を確保することができるようにした高周波増幅器を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波増幅器は、入力整合回路と、入力電極を入力整合回路の出力端に接続した増幅素子を備え、入力整合回路は、一端を入力整合回路の入力端に接続し、他端を接地した第1のキャパシタと、一端を入力整合回路の入力端に接続した第1のインダクタと、一端を第1のインダクタの他端に接続した抵抗と、一端を前記抵抗の他端に接続し、他端を接地した第2のキャパシタと、一端を前記抵抗の他端に接続し、他端を入力整合回路の出力端に接続した第2のインダクタを備え、入力整合回路が所要周波数帯域外の低周波数領域に発振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、前記増幅素子の入力電極と接地とが前記抵抗の存在により短絡状態とはならないようにされていると共に、第2のインダクタ及び第2のキャパシタからなるLC回路は、その共振周波数が所要周波数帯域外の高周波数であって、前記増幅素子の利得が下がる周波数に設定されているというものである。
【0014】
本発明によれば、入力整合回路が所要周波数帯域外の低周波数領域に発振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、前記増幅素子の入力電極と接地とが前記抵抗の存在により短絡状態とはならないようにされている。また、第2のインダクタ及び第2のキャパシタからなるLC回路は、その共振周波数が所要周波数帯域外の高周波数であって、前記増幅素子の利得が下がる周波数に設定されているので、第2のインダクタ及び第2のキャパシタからなるLC回路の共振による発振は起こりにくい。
【0015】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態・・図1)
図1は本発明の第1実施形態を示す回路図である。本発明の第1実施形態は、図6に示す第1従来例が備える入力整合回路3と回路構成の異なる入力整合回路46を設け、その他については、第1従来例と同様に構成したものである。
【0016】
入力整合回路46は、キャパシタ5とインダクタ7との接続点と、インダクタ6との間に抵抗47を接続し、その他については、第1従来例が備える入力整合回路3と同様に構成したものである。
【0017】
本発明の第1実施形態は、インダクタ7及びキャパシタ5からなるLC回路の共振周波数が所要周波数帯域外の高周波数、即ち、GaAs FET8の利得が下がる周波数に設定され、インダクタ7及びキャパシタ5からなるLC回路の共振による発振は起こりにくいことを前提としている。
【0018】
ここに、本発明の第1実施形態においては、キャパシタ5とインダクタ7との接続点と、インダクタ6との間に抵抗47が接続されているので、入力整合回路46が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、入力整合回路46の出力端46Bと接地とが短絡状態となることはなく、即ち、GaAs FET8のゲートと接地とが短絡状態となることはなく、発振条件が成立することはない。
【0019】
なお、抵抗47は、入力整合回路46に要求されるインピーダンスに大きな影響を与えないようにするためには、その抵抗値を5〜50[Ω]とすることが好適である。
【0020】
以上のように、本発明の第1実施形態によれば、入力整合回路46が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、インダクタ7及びキャパシタ5からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合には、所要周波数帯域外の低周波数領域で発振条件が成立しないようにされているので、安定動作を確保することができる。
【0021】
(第2実施形態・・図2)
図2は本発明の第2実施形態を示す回路図である。本発明の第2実施形態は、図1に示す本発明の第1実施形態が設けるλ/4ストリップ線路16、17の代わりに、所要周波数帯域接地用のキャパシタ16A、17Aを設け、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0022】
本発明の第2実施形態においても、本発明の第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0023】
(第3実施形態・・図3)
図3は本発明の第3実施形態を示す回路図である。本発明の第3実施形態は、図7に示す第2従来例が備える入力整合回路27と回路構成の異なる入力整合回路49を設け、その他については、第2従来例と同様に構成したものである。
【0024】
入力整合回路49は、キャパシタ29とインダクタ31との接続点と、インダクタ30との間に抵抗50を接続し、その他については、第2従来例が備える入力整合回路27と同様に構成したものである。
【0025】
本発明の第3実施形態は、インダクタ31及びキャパシタ29からなるLC回路の共振周波数が所要周波数帯域外の高周波数、即ち、GaAs FET32の利得が下がる周波数に設定され、インダクタ31及びキャパシタ29からなるLC回路の共振による発振は起こりにくいことを前提としている。
【0026】
ここに、本発明の第3実施形態においては、キャパシタ29とインダクタ31との接続点と、インダクタ30との間に抵抗50が接続されているので、入力整合回路49が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、入力整合回路49の出力端49Bと接地とが短絡状態となることはなく、即ち、GaAs FET32のゲートと接地とが短絡状態となることはなく、発振条件が成立することはない。
【0027】
なお、抵抗50は、入力整合回路49に要求されるインピーダンスに大きな影響を与えないようにするためには、その抵抗値を5〜50[Ω]とすることが好適である。
【0028】
以上のように、本発明の第3実施形態によれば、入力整合回路49が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、インダクタ31及びキャパシタ29からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合には、所要周波数帯域外の低周波数領域で発振条件が成立しないようにされているので、安定動作を確保することができる。
【0029】
なお、λ/4ストリップ線路39の代わりに、図2に示すような所要周波数帯域接地用のキャパシタ17Aを設けるようにしても良く、このようにした場合においても、本発明の第3実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0030】
(第1参考例・・図4)
図4は第1参考例を示す回路図である。第1参考例は、図6に示す第1従来例が備える入力整合回路3と回路構成の異なる入力整合回路52を設け、その他については、第1従来例と同様に構成したものである。
【0031】
入力整合回路52は、インダクタ7と出力端52Bとの間に抵抗53を接続し、その他については、第1従来例が備える入力整合回路3と同様に構成したものである。
【0032】
ここに、第1参考例においては、インダクタ7と入力整合回路52の出力端52Bとの間に抵抗53が接続されているので、入力整合回路52が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、入力整合回路52の出力端52Bと接地とが短絡状態となることはなく、即ち、GaAs FET8のゲートと接地とが短絡状態となることはなく、発振条件が成立することはない。
【0033】
また、インダクタ7及びキャパシタ5からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、インダクタ7と入力整合回路52の出力端52Bとの間に抵抗53が接続されているので、所要周波数帯域外の高周波数領域で、入力整合回路52の出力端52Bと接地とが短絡状態となることもなく、この場合にも、発振条件が成立することはない。
【0034】
なお、抵抗53は、入力整合回路52に要求されるインピーダンスに大きな影響を与えないようにするためには、その抵抗値を5〜50[Ω]とすることが好適である。
【0035】
以上のように、第1参考例によれば、入力整合回路52が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で発振条件が成立しないようにされていると共に、インダクタ7及びキャパシタ5からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の高周波数領域で発振条件が成立しないようにされているので、安定動作を確保することができる。
【0036】
なお、λ/4ストリップ線路16、17の代わりに、図2に示すような所要周波数帯域接地用のキャパシタ16A、17Aを設けるようにしても良く、このようにした場合においても、第1参考例と同様の作用効果を得ることができる。
【0037】
(第2参考例・・図5)
図5は第2参考例を示す回路図である。第2参考例は、図7に示す第2従来例が備える入力整合回路27と回路構成の異なる入力整合回路55を設け、その他については、第2従来例と同様に構成したものである。
【0038】
入力整合回路55は、インダクタ31と出力端55Bとの間に抵抗56を接続し、その他については、第2従来例が備える入力整合回路27と同様に構成したものである。
【0039】
ここに、第2参考例においては、インダクタ31と入力整合回路55の出力端55Bとの間に抵抗56が接続されているので、入力整合回路55が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、入力整合回路55の出力端55Bと接地とが短絡状態となることはなく、即ち、GaAs FET32のゲートと接地とが短絡状態となることはなく、発振条件が成立することはない。
【0040】
また、インダクタ31及びキャパシタ29からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、インダクタ31と入力整合回路55の出力端55Bとの間に抵抗56が接続されているので、所要周波数帯域外の高周波数領域で、入力整合回路55の出力端55Bと接地とが短絡状態となることもなく、この場合にも、発振条件が成立することはない。
【0041】
なお、抵抗56は、入力整合回路55に要求されるインピーダンスに大きな影響を与えないようにするためには、その抵抗値を5〜50[Ω]とすることが好適である。
【0042】
以上のように、第2参考例によれば、入力整合回路55が所要周波数帯域外の低周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で発振条件が成立しないようにされていると共に、インダクタ31及びキャパシタ29からなるLC回路が所要周波数帯域外の高周波数領域に共振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の高周波数領域で発振条件が成立しないようにされているので、安定動作を確保することができる。
【0043】
なお、λ/4ストリップ線路39の代わりに、図2に示すような所要周波数帯域接地用のキャパシタ17Aを設けるようにしても良く、このようにした場合においても、第2参考例と同様の作用効果を得ることができる。
【0044】
また、本発明の第1実施形態〜第3実施形態においては、増幅素子としてGaAs FETを使用した場合について説明したが、本発明は、バイポーラトランジスタ等、その他のトランジスタを使用する場合にも適用することができる。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、入力整合回路が所要周波数帯域外の低周波数領域に発振周波数を有している場合であっても、所要周波数帯域外の低周波数領域で、増幅素子の入力電極と接地とが抵抗の存在により短絡状態とはならないようにされている。また、第2のインダクタ及び第2のキャパシタからなるLC回路は、その共振周波数が所要周波数帯域外の高周波数であって、増幅素子の利得が下がる周波数に設定されているので、第2のインダクタ及び第2のキャパシタからなるLC回路の共振による発振は起こりにくい。したがって、発振を回避し、安定動作を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態を示す回路図である。
【図2】 本発明の第2実施形態を示す回路図である。
【図3】 本発明の第3実施形態を示す回路図である。
【図4】 第1参考例を示す回路図である。
【図5】 第2参考例を示す回路図である。
【図6】 第1従来例の高周波増幅器を示す回路図である。
【図7】 第2従来例の高周波増幅器を示す回路図である。
【符号の説明】
8、32 GaAs FET
14、15、38 チョークインダクタ
16、17、39 λ/4ストリップ線路
Claims (1)
- 入力整合回路と、
入力電極を前記入力整合回路の出力端に接続した増幅素子を備え、
前記入力整合回路は、一端を前記入力整合回路の入力端に接続し、他端を接地した第1のキャパシタと、一端を前記入力整合回路の入力端に接続した第1のインダクタと、一端を前記第1のインダクタの他端に接続した抵抗と、一端を前記抵抗の他端に接続し、他端を接地した第2のキャパシタと、一端を前記抵抗の他端に接続し、他端を前記入力整合回路の出力端に接続した第2のインダクタを備え、前記入力整合回路が高周波増幅器として要求されている所要周波数帯域外の低周波数領域に発振周波数を有している場合であっても、前記所要周波数帯域外の低周波数領域で、前記増幅素子の入力電極と接地とが前記抵抗の存在により短絡状態とはならないようにされていると共に、
前記第2のインダクタ及び前記第2のキャパシタからなるLC回路は、その共振周波数が前記所要周波数帯域外の高周波数であって、前記増幅素子の利得が下がる周波数に設定されていることを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20206997A JP3830235B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20206997A JP3830235B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 高周波増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1146123A JPH1146123A (ja) | 1999-02-16 |
JP3830235B2 true JP3830235B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=16451442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20206997A Expired - Fee Related JP3830235B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3830235B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001144560A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP20206997A patent/JP3830235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1146123A (ja) | 1999-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2765702B2 (ja) | 超短波ミキサー | |
EP1035647A1 (en) | Two-frequency impedance matching circuit | |
JPS6115426A (ja) | ミキサ装置 | |
JPH0715245A (ja) | 増幅器 | |
EP1054508B1 (en) | Microwave amplifier | |
JP3830235B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
JP2003198280A (ja) | 側路スイッチ回路付き増幅器 | |
JP3970454B2 (ja) | 高周波アイソレーションアンプ | |
JP3617377B2 (ja) | 入力切替型増幅器及びそれを用いた周波数切替型発振器 | |
JPH06276038A (ja) | 高周波低雑音増幅器 | |
JP3710362B2 (ja) | テレビジョンチューナ | |
JP3176793B2 (ja) | 増幅回路 | |
JPH04361410A (ja) | 広帯域増幅装置 | |
JP2633368B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JP3822010B2 (ja) | 高周波増幅回路 | |
JP3464261B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
JPH09162657A (ja) | マイクロ波電力増幅回路 | |
JP2008005422A (ja) | 低雑音増幅器 | |
JPH0630413B2 (ja) | 広帯域負帰還増幅回路 | |
JPH0145768B2 (ja) | ||
JPH05291842A (ja) | 電力回路 | |
JP3147597B2 (ja) | モノリシック集積回路 | |
JP4572032B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
JP3120762B2 (ja) | 増幅器 | |
JPH06101653B2 (ja) | モノリシツクマイクロ波増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040507 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040802 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040825 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |