JP3820326B2 - 半導体メモリ装置とその作製方法 - Google Patents
半導体メモリ装置とその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3820326B2 JP3820326B2 JP17903699A JP17903699A JP3820326B2 JP 3820326 B2 JP3820326 B2 JP 3820326B2 JP 17903699 A JP17903699 A JP 17903699A JP 17903699 A JP17903699 A JP 17903699A JP 3820326 B2 JP3820326 B2 JP 3820326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- fuses
- memory device
- insertion pad
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 28
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
- H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体メモリ装置に係り、より詳しくは所定の動作モード時、欠陥メモリセルを代替するための複数のヒューズを有する半導体メモリ装置とその作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、回路密度が高くなるにつれ、集積回路メモリ装置の生産効率の向上が難しくなってきている。メモリ装置の生産効率を向上させるためには2つの方法がある。一つは、欠陥メモリセルを減少させるため、製造工程の質を向上させることである。もう一つは、メモリセルアレイの構造を変更することであり、メモリセルアレイの片側に冗長メモリ部を設けることである。冗長メモリ部は、メモリセルアレイの欠陥部に対応するアドレス情報を取得したときにアクセスされる。オン−チップ論理回路は、各ヒューズを論理状態によって開放または閉塞することにより、欠陥メモリセルのアドレスを記憶するために使用される。
【0003】
メモリ装置は、それぞれ別の動作モードで設計される。動作モードの選択方法は、ヒューズ(選択ヒューズ)を使用することである。一般にヒューズは、メモリ冗長技術で使用される。その中でも、ポリシリコンあるいはモリブデンシリサイド等からなるフィラメントヒューズは、ワイヤリング膜の一部としてフィールド酸化膜上に形成される。
【0004】
図3〜5に、従来の半導体メモリ装置におけるヒューズの配置を示す。図3は従来技術による半導体メモリ装置のヒューズの配列を示した図、図4は図3をA−A’で切断した断面図である。図5もまた、図3をA−A’で切断した断面図である。図3に示すように、複数のヒューズ10a−10dが互いに等間隙で配置されており、ヒューズ窓20が図4と図5に示す開口部領域11(又は11’)を画成するように、構造物上に設けられている。金属ラインMはヒューズ領域に隣接する周辺回路領域に配置される。ヒューズ窓20は、他の回路構成を制限し、ヒューズ切断時、絶縁膜14(図4及び図5)をレーザービームが通過できるようにする。図4及び図5に示すように、ヒューズ10a−10dが形成された後、酸化膜14及び窒化膜16が所定の厚さで除去され、それによって開口部11(又は11’)が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4に示すように、開口部領域11のエッジ領域11a及び11bは湾曲している。このため、ヒューズ10a−10dは絶縁膜14の上面に対して平行に配置されていない。例えば、絶縁膜14上部表面からヒューズ10b及び10cまでの距離は、エッジ領域11a及びエッジ領域11b内に位置するヒューズ10a及び10dまでの距離よりも短くなる。よって、エッジ領域11a及びエッジ領域11b内に位置するヒューズをレーザービームによって確実に切断することは困難である。
【0006】
上記問題点を解決するためには開口部領域を大きくしなければならない。しかし、レイアウト面積を広くすることはあまりよい解決策とは言えない。また、チップ内のハード欠陥の透過率を高めるためには各ヒューズ領域の幅を小さくして冗長容量をより大きくすることが望ましい。したがって、所定の冗長領域に、より多くのヒューズを配置することが望ましい。よって、ヒューズの大きさを変えずに開口部領域を大きくし、レイアウト面積を広くすることは望ましくないのである。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、信頼性があり、かつ確実にヒューズを切断できるヒューズ構造を有する半導体メモリ装置とその作製方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、半導体基板と半導体基板上に形成された導電性の挿入パッドと、挿入パッドの上部に位置するように形成された複数のヒューズと、複数のヒューズ上に形成された絶縁膜と、複数のヒューズの上部に位置するように絶縁膜上に形成された開口部とを具備し、挿入パッドが複数のヒューズの水平レベルを上昇させて絶縁膜の上面と複数のヒューズとの距離を短くする半導体メモリ装置として構成される。
【0009】
また本発明の半導体メモリ装置は、半導体基板と半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された挿入パッドと、挿入パッドを覆う第2の絶縁膜と、挿入パッドの上部に位置するように第2の絶縁膜上に形成された複数のヒューズと、複数のヒューズ上に形成された第3の絶縁膜と、複数のヒューズの上部に位置するように第3の絶縁膜の上部表面に形成された開口部とを具備し、挿入パッドは複数のヒューズの水平レベルを上昇させて絶縁膜の上面と複数のヒューズとの距離を短くする。ここで、第3の絶縁膜の厚さは、2000Å〜3000Åまでの範囲で形成される。
【0010】
いずれの半導体メモリ装置も、挿入パッドは電気的な導電物質で形成されている。
【0011】
さらに本発明の半導体メモリ装置は、基板と基板上に形成された第1の絶縁膜と、トランジスタのゲート電極が形成されるときに第1の絶縁膜上に形成される導電膜パターンと、導電膜パターンを覆う第2の絶縁膜と、ビット線が形成されるときに導電膜パターンの上部に位置するように第2の絶縁膜上に形成される複数のヒューズと、複数のヒューズ上に形成される第3の絶縁膜と、複数のヒューズの上部に位置するように第3の絶縁膜の上部に形成された開口部とを具備する。
【0012】
さらに本発明の半導体メモリ装置の作製方法は、半導体基板を提供し、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、導電膜をパターニングして挿入パッドを形成し、挿入パッドを覆うように第2の絶縁膜を形成し、挿入パッドの上部に位置するように第2の絶縁膜上に複数のヒューズを形成し、複数のヒューズ上に第3の絶縁膜を形成し、複数のヒューズの上部に位置するように第3の絶縁膜の上部表面に開口部を形成する各ステップから構成される。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、図1〜2を参照して本発明による半導体メモリ装置とその作製方法を詳細に説明する。
【0014】
図1に示すように、ポリシリコンで形成されるヒューズ10a−10dは、互いに等間隙で配置されている。ヒューズ10a−10dは、ビット線の形成と同時に形成される。ヒューズ窓20は、ヒューズ10a−10dの上部に形成される露出領域を画成する。金属ラインMはヒューズ窓20の両側に配置される。斜線部分30は、ヒューズ10a−10dの下部のポリシリコン導電膜パターンを示す。
【0015】
図2は、図1をB−B’で切断した場合の切断図であり、フィ−ルド酸化膜42が半導体基板40上に形成される。次に、第1のポリシリコン膜がフィールド酸化膜42上に挿入パッドとして形成される。第1のポリシリコン膜は、第1ポリシリコンパターン(挿入パッド)30としてヒューズ10a−10dの下部に置かれる。第1ポリシリコンパターン(挿入パッド)30は、チップ内に形成されるMOSトランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜の形成と同時に形成される。次に、絶縁膜43が第1ポリシリコンパターン(挿入パッド)30上に蒸着される。続いて、第2のポリシリコン膜が蒸着され、ヒューズ10a−10dが形成される。ポリシリコンで作られたヒューズ10a−10dは、ポリシリコンでビット線を形成する工程で形成する。ヒューズ10a−10dが形成された後、それら上部には酸化膜44と窒化膜46とが順に蒸着される。窒化膜46を蒸着した後、エッチング工程によりヒューズ10a−10dを覆っている絶縁膜44、46を露出させて開口部領域41を形成する。ヒューズ10a−10d上に形成される絶縁膜44の厚さは、エッチング工程後、2000Å〜3000Åになる。
【0016】
なお、本発明は図1及び図2に示す実施の形態に限られたものではなく、パッシベーション及びポリマイド膜を窒化膜46上に形成した場合にも適用できる。また、ポリシリコン膜は、他の電気的な導電物質で代替することも出来る。
【0017】
上述のように、ヒューズ10a−10dの水平レベルを第1ポリシリコンパターン(挿入パッド)30によって上昇させることにより、絶縁膜44の上面とヒューズ10a−10dとの距離を短くすることができる。そのため、レーザービームによる信頼性のあるヒューズの切断を行うことができるようになる。
【0018】
【発明の効果】
このように本発明によると、信頼性があり、かつ確実にヒューズを切断できるヒューズ構造を有する半導体メモリ装置とその作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体メモリ装置のヒューズとパターンの配列とを上部から見た図。
【図2】図1をB−B’で切断した断面図。
【図3】従来技術による半導体メモリ装置のヒューズの配列を示す図。
【図4】図3をA−A’で切断した断面図。
【図5】図3をA−A’で切断した断面図。
【符号の説明】
10a、10b、10c、10d:ヒューズ
20:ヒューズ窓
30:挿入パッド
40:半導体基板
42、43、44:絶縁膜
46:窒化膜
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された導電性の挿入パッドと、
前記挿入パッドの上部に位置するように形成された複数のヒューズと、
前記複数のヒューズ上に形成された絶縁膜と、
前記複数のヒューズの上部に位置するように前記絶縁膜上に形成された開口部と、
を具備し、
前記挿入パッドは前記複数のヒューズの水平レベルを上昇させて前記絶縁膜の上面と前記複数のヒューズとの距離を短くすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成された挿入パッドと、
前記挿入パッドを覆う第2の絶縁膜と、
前記挿入パッドの上部に位置するように前記第2の絶縁膜上に形成された複数のヒューズと、
前記複数のヒューズ上に形成された第3の絶縁膜と、
前記複数のヒューズの上部に位置するように前記第3の絶縁膜の上部表面に形成された開口部と、
を具備し、
前記挿入パッドは前記複数のヒューズの水平レベルを上昇させて前記絶縁膜の上面と前記複数のヒューズとの距離を短くすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記挿入パッドは、電気的な導電物質で形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第3の絶縁膜の厚さは、2000Å〜3000Åまでの範囲で形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- ビット線にポリシリコンを用いている複数のMOSトランジスタを有する半導体メモリ装置において、
基板と、
前記基板上に形成された第1の絶縁膜と、
前記トランジスタのゲート電極が形成されるときに、前記第1の絶縁膜上に形成される導電膜パターンと、
前記導電膜パターンを覆う第2の絶縁膜と、
前記ビット線が形成されるときに、前記導電膜パターンの上部に位置するように前記第2の絶縁膜上に形成される複数のヒューズと、
前記複数のヒューズ上に形成される第3の絶縁膜と、
前記複数のヒューズの上部に位置するように前記第3の絶縁膜の上部に形成された開口部と、
を具備することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 半導体基板を提供し、
前記半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして挿入パッドを形成し、
前記挿入パッドを覆うように第2の絶縁膜を形成し、
前記挿入パッドの上部に位置するように前記第2の絶縁膜上に複数のヒューズを形成し、
前記複数のヒューズ上に第3の絶縁膜を形成し、
前記複数のヒューズの上部に位置するように第3の絶縁膜の上部表面に開口部を形成することを特徴とする半導体メモリ装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1998P-26915 | 1998-07-03 | ||
KR1019980026915A KR100268438B1 (ko) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 복수의 퓨즈들을 갖는 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000040388A JP2000040388A (ja) | 2000-02-08 |
JP3820326B2 true JP3820326B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=19543074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17903699A Expired - Fee Related JP3820326B2 (ja) | 1998-07-03 | 1999-06-24 | 半導体メモリ装置とその作製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6303970B1 (ja) |
JP (1) | JP3820326B2 (ja) |
KR (1) | KR100268438B1 (ja) |
TW (1) | TW507361B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6222244B1 (en) * | 1998-06-08 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Electrically blowable fuse with reduced cross-sectional area |
JP3907911B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-04-18 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US6355968B1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-03-12 | Infineon Technologies Ag | Wiring through terminal via fuse |
JP4225708B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6664141B1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-12-16 | Lsi Logic Corporation | Method of forming metal fuses in CMOS processes with copper interconnect |
KR100500458B1 (ko) * | 2003-10-07 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 퓨즈박스 및 그 제조방법 |
KR100805695B1 (ko) * | 2005-08-17 | 2008-02-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메탈퓨즈를 구비한 반도체소자의 제조 방법 |
US9818691B2 (en) * | 2015-03-12 | 2017-11-14 | Sii Semiconductor Corporation | Semiconductor device having a fuse element |
JP6618375B2 (ja) | 2016-02-01 | 2019-12-11 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2260219B (en) * | 1991-10-01 | 1995-08-30 | Northern Telecom Ltd | Improvements in integrated circuits |
US5420455A (en) * | 1994-03-31 | 1995-05-30 | International Business Machines Corp. | Array fuse damage protection devices and fabrication method |
JPH09139431A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
US6096566A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-01 | Clear Logic, Inc. | Inter-conductive layer fuse for integrated circuits |
-
1998
- 1998-07-03 KR KR1019980026915A patent/KR100268438B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-04-23 TW TW088106492A patent/TW507361B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-24 JP JP17903699A patent/JP3820326B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-30 US US09/345,691 patent/US6303970B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6303970B1 (en) | 2001-10-16 |
KR20000007537A (ko) | 2000-02-07 |
TW507361B (en) | 2002-10-21 |
JP2000040388A (ja) | 2000-02-08 |
KR100268438B1 (ko) | 2000-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7402464B2 (en) | Fuse box of semiconductor device and fabrication method thereof | |
JP3256626B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6682959B2 (en) | Architecture of laser fuse box of semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same | |
JP3575988B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100972917B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 형성방법 | |
JPS60177669A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP3402029B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3820326B2 (ja) | 半導体メモリ装置とその作製方法 | |
JP2003086687A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0936234A (ja) | 半導体装置およびヒューズの切断方法 | |
JP4399970B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR19990078099A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR100578224B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조방법 | |
KR100921829B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR20060011634A (ko) | 효율적으로 결함셀을 리페어할 수 있는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
JPH11265891A (ja) | 半導体装置 | |
KR100909755B1 (ko) | 반도체소자의 퓨즈 및 그 형성방법 | |
KR100792442B1 (ko) | 퓨즈 패턴을 구비하는 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
CN113871387A (zh) | 一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法、电路以及其应用 | |
KR20100002673A (ko) | 반도체 소자의 퓨즈 및 그 형성 방법 | |
KR20060003696A (ko) | 반도체 소자의 퓨즈 | |
KR20030059446A (ko) | 반도체 소자의 퓨즈박스 형성방법 | |
KR20100047608A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR980012440A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20010018363A (ko) | 퓨즈 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |