JP3779317B2 - 薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
そのため、任意な屈折率及び減衰係数をもつ物質、すなわち自然界に存在しない物質を求める必要があった。
例えば、ワイドバンド反射防止膜を構成するためには、自然界の中にほとんど存在しない中間屈折率(1.46〜2.20の間)を有する材料が必要である。ガラスを例にすると、ガラスの反射率を可視光領域全般で低い反射率にするためには、一般的に、1.46〜2.20の範囲の中間屈折率と称される屈折率を有する材料が必要とされる。上記中間屈折率を得るために、以下の技術が知られている。
なお、「超薄膜」とは、超薄膜が複数回堆積されて最終的な薄膜となることから、この「薄膜」との混同を防止するために用いた用語であり、最終的な「薄膜」より十分薄いという意味である。
また、図8、図9に示したように、酸素ガス流量が増加する場合と減少する場合とで、薄膜の光学的特性である屈折率及び減衰係数の変化経路が異なる所謂ヒステリシス現象が生じるため、酸素ガス流量を調整することによる薄膜の光学的特性制御は、より困難となる。
そのため、酸素流量を調整することにより、前記範囲の屈折率および減衰係数を有する薄膜の形成する方法は、酸素流量の範囲によっては、再現性が悪く、所望の光学的特性を有する薄膜を高い再現性をもって形成することは非常に困難であった。よって、この範囲の光学的特性である屈折率及び減衰係数を有する薄膜を形成する技術が求められている。
また、基板ホルダ外周面に保持された多数の基板に対して、一度にスパッタによる薄膜を形成することが可能となり、薄膜の大量生産が可能となる。
本発明の他の利点等は、以下の記述により明らかになるであろう。
[図2]本発明のスパッタリング装置を示す図1の線A−B−Cに沿った横断面説明図である。
[図3]薄膜の光学的特性の基板ホルダ回転速度依存性を示すグラフである。
[図4]薄膜の光学的特性の基板ホルダ回転速度依存性を示すグラフである。
[図5]プラズマ源の構成例を示す説明図である。
[図6]プラズマ源の構成例を示す説明図である。
[図7]プラズマ源の構成例を示す説明図である。
[図8]薄膜の屈折率の酸素流量依存性を示す図である。
[図9]薄膜の減衰係数の酸素流量依存性を示す図である。
目的とする薄膜の光学的特性値の範囲は、単一種類あるいは複数種類の金属をスパッタして薄膜を形成する際に導入される反応性ガスの流量を増加させる場合と減少させる場合とで、反応性ガス流量に対する光学的特性値の変化経路が異なるヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値である。
なお、本明細書において、中間薄膜とは、金属或いは金属不完全酸化物からなり、成膜プロセスゾーンで形成される。
反応性ガスの活性種とは、イオン、ラジカル等のことである。また、ラジカルとは、遊離基(ratical)であり、一個以上の不対電子を有する原子または分子である。また、励起状態(excite state)とは、エネルギーの最も低い安定な基底状態に対して、それよりもエネルギーの高い状態のことをいう。
なお、本明細書においては、ターゲットとして、ケイ素又はニオブを用いた例を説明したが、ターゲットとして使用することができるのは、単一種類の金属に限られるものではない。すなわち、複数種類の金属をターゲットとして使用する場合であっても、ヒストリシス現象が起きる範囲において、基板ホルダの回転速度を制御することによって、薄膜の光学的特性を制御することができる。
まず、基板、ターゲット29a、29bをスパッタリング装置1に配置する。基板は、基板保持手段によって基板ホルダ13に保持する。ターゲット29a、29bは、それぞれマグネトロンスパッタ電極21a、21bに保持する。ターゲット29a、29bの材料としてケイ素(Si)を、を用いる。
目的とする薄膜の光学的特性値の範囲は、単一種類あるいは複数種類の金属からなるターゲットをスパッタする際に導入される反応性ガスの流量を増加させる場合と減少させる場合とで、反応性ガス流量に対する光学的特性値の変化経路が異なるヒステリシス現象が起きる領域である。
ヒステリシス現象とは、ある量Aの変化に伴って他の量Bが変化する場合、Aの変化の経路によって同じAに対するBの値が異なるという現象である。
本明細書では、単一種類または複数種類の金属からなるターゲットをスパッタする際に導入される反応性ガス流量の増加経路と減少経路とで、薄膜の光学的特性である屈折率及び減衰係数等の値が異なる経路で変化する現象をさす。
基板ホルダ13の回転速度は10rpm〜100rpmの範囲、好ましくは10rpm〜60rpmの範囲において、所望の光学的特性を有する薄膜が形成される回転速度を選択し、制御装置90の設定を行う。
その後、真空槽11内の圧力が安定した後に、成膜プロセスゾーン20内の圧力を、1.0×101〜1.3Paに調整する。
このとき成膜プロセスゾーン20に導入するアルゴンガスの流量は、約300sccmである。成膜プロセスゾーン20に導入する酸素ガスの流量を、後述のように所望の値に調整する。なお、流量の単位としてのsccmは、0℃、101325Paにおける、1分間あたりの流量を表すもので、cm3/minに等しい。
すなわち、成膜プロセスゾーン20に導入する酸素ガスの流量と、中間薄膜を構成するケイ素不完全酸化物SiOx(x<2)の化学量論係数xとは、導入する酸素ガスの流量を大きくするにしたがって、化学量論係数xの値が大きくなる関係にある。
また、基板ホルダ13の回転速度を速くすると、成膜プロセスゾーンでのスパッタ時間が短くなるため、基板上に堆積する粒子数が少なくなり、中間薄膜の膜厚が薄くなる。
基板ホルダ13の回転速度を速くすれば、成膜プロセスゾーン20で形成される中間薄膜の膜厚が薄くなり、反応プロセスゾーン60での反応が容易になるため、反応プロセスゾーンにおける、ケイ素、ケイ素不完全酸化物(SiOx)の酸化ケイ素(SiO2)への変換割合が高くなる。
すなわち、反応プロセスゾーン60において、酸化ケイ素(SiO2)に変換されるケイ素、ケイ素不完全酸化物(SiOx)の量は、基板ホルダ13の回転速度に依存して変化することとなり、形成される薄膜の組成は基板ホルダ13の回転速度に依存して変化することとなる。
よって、基板ホルダ13の回転速度を調整することにより、最終的に形成される薄膜を構成するケイ素、ケイ素不完全酸化物(SiOx)、酸化ケイ素(SiO2)の組成を調整することが可能となり、薄膜の組成によって、最終的に形成される薄膜の光学的特性が決定される。
このように、基板ホルダ13の回転速度を調整することによって、薄膜の組成を決定し、所望の光学的特性を有する薄膜を形成することが可能となる。
形成された薄膜の光学的特性の評価のパラメータとしては、屈折率と減衰係数を選択し、横軸に基板ホルダ回転速度(rpm)、縦軸に屈折率および減衰係数を示す。
図3に示されるように、本実施形態による薄膜形成方法によれば、形成された薄膜の屈折率を基板ホルダ13の回転速度の増加とともに、2.02〜1.475まで制御可能であり、減衰係数は、1.6×10−2〜5.0×10−5まで制御可能である。
本実施形態では、図3に基づいて、所望の屈折率および減衰係数を有する薄膜が形成されるように、基板ホルダ13の回転速度(rpm)を決定する。
なお、薄膜の光学的特性は、分光エリプソメータの測定データを用いて評価した。
すなわち、中間薄膜を構成するケイ素或いはケイ素不完全酸化物SiOx(x<2)を酸化ケイ素(SiO2)に変換することにより中間薄膜を膨張させ、最終薄膜の膜厚を中間薄膜の膜厚よりも厚くする。
この膨張率は、成膜プロセスゾーン20に導入する酸素ガスの流量に依存する。すなわち、成膜プロセスゾーン20での中間薄膜形成工程で成膜プロセスゾーン20に導入する酸素ガスの流量を減少させて、ケイ素不完全酸化物の化学量論係数xの値を小さくするにしたがって、膜厚の増加率が大きくなる関係にある。言い換えれば、中間薄膜形成工程で、成膜プロセスゾーン20に導入する酸素ガスの流量を調整することで、中間薄膜を構成するケイ素不完全酸化物の化学量論係数xを決定して(xを0とするなら、中間薄膜はケイ素から構成される)、中間薄膜に対する最終薄膜の膜厚の増加率を決定することができる。
形成された薄膜の光学的特性の評価のパラメータとしては、屈折率と減衰係数を選択し、横軸に基板ホルダ回転速度(rpm)、縦軸に屈折率および減衰係数を示す。
図4に示されるように、本実施形態による薄膜形成方法によれば、形成された薄膜の屈折率を基板ホルダ13の回転速度の増加とともに、3.50〜2.35まで制御可能であり、減衰係数は、6.5×10−2〜5.0×10−5まで制御可能である。
本実施形態では、図4に基づいて、所望の屈折率および減衰係数を有する薄膜が形成されるように、基板ホルダ13の回転速度(rpm)を決定する。
(1)ケイ素のスパッタリング条件
投入電力:7.0kW
基板温度:室温
成膜プロセスゾーン内圧力:1.3Pa
印加交流電圧周波数:40KHz
完全化合物レート:0.40nm/s
(2)ニオブのスパッタリング条件
投入電力:4.5kW
基板温度:室温
成膜プロセスゾーン内圧力:1.3Pa
印加交流電圧周波数:40KHz
完全化合物レート:0.35nm/s
(3)活性種発生装置の駆動条件
装置:図1、図2に示した誘導結合型プラズマ発生源
投入電力:2.0kW
圧力:6.5×10−1Pa
例えば、基板ホルダが平行に繰り返し移動するような構成のスパッタ装置でもよい。中間薄膜形成工程での処理および膜組成変換工程での処理は、上記実施形態で説明した、スパッタリング装置1を用いて薄膜を製造する方法と同様であり、基板ホルダの搬送速度を調整することにより、スパッタ時間および反応時間を調整して、形成される薄膜の光学的特性を決定することができる。
産業上の利用性
Claims (2)
- 単一種類あるいは複数種類の金属からなるターゲットをスパッタし、基板上へ、金属ないし金属の不完全反応物からなる中間薄膜を形成する中間薄膜形成工程と、前記形成された中間薄膜に、化学的に不活性な性質を有する不活性ガスを混入した反応性ガスの活性種を接触させ、前記中間薄膜と前記反応性ガスの活性種とを反応させて金属の化合物に変換する膜組成変換工程と、前記基板を保持するための基板ホルダの搬送速度を制御しながら、前記基板ホルダを、前記中間薄膜形成工程を行う領域と前記膜組成変換工程を行う領域との間を繰り返し搬送させて、中間薄膜形成と膜組成変換を繰り返し実施することにより、最終的に形成される薄膜の膜組成を調整し、反応性ガスの流量を増加させる場合と減少させる場合とで、反応性ガス流量に対する光学的特性値の変化経路が異なるヒステリシス現象が起きる領域である、スパッタを実施する際に導入される反応性ガス流量が、15sccm以下で、0sccmを含まない流量範囲で形成される光学的特性値を有する薄膜を形成する光学的特性調整工程と、を備えることを特徴とする薄膜の形成方法。
- 前記光学的特性調整工程では、前記基板を外周面に保持した円筒状または中空の多角柱状の前記基板ホルダを、回転駆動させ、前記基板ホルダの回転速度を制御することにより、前記ヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値を有する薄膜を形成することを特徴とする請求項1記載の薄膜形成方法。
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