JP3770763B2 - 電気機器駆動装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気機器を駆動するドライブ回路と、電源が逆接された場合にドライブ回路が破壊されるのを防止するための保護用ダイオードとを備えた電気機器駆動装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
2相半波のファンモータのプリドライブ回路1の出力段の回路構成例を図2に示す。MOSFET100と抵抗200とが電源端子T−VCCとグランド端子T−GNDとの間に直列に接続されている。MOSFET100と抵抗200との接続点は出力端子T−OUTに接続されている。
【0003】
尚、出力端子T−OUTにはNPN型のパワートランジスタ3のベースが抵抗6を介して接続される。トランジスタ3のエミッタは接地され、コレクタにはファンモータのコイル4の一端が接続される。コイル4の他端はダイオード5のカソードに接続される。ダイオード5のアノードは電源電圧VCCに接続される。
【0004】
そして、プリドライブ回路1を備えるモータ駆動装置では、コネクタの誤挿入等により電源が逆接される虞がある場合には、MOSFET100等のプリドライブ回路1を構成する回路素子が電源の逆接により破壊されるのを防止するために、図2に示すように、プリドライブ回路1の電源端子T−VCCに保護用ダイオード2のカソードを接続し、この保護用ダイオード2のアノードを電源接続用の端子(不図示)としていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、モータのトランジスタ駆動電流は電源から直接供給することになるので、保護用ダイオードには大きな電流能力が求められる。これに対して、ダイオードをIC内に作り込むと、ダイオードの電流能力を大きくすることが困難である。したがって、通常は、図2において、プリドライブ回路1を1チップのICとし、保護用ダイオード2は外付けとしていた。このため、プリドライブ回路及び保護用ダイオードを備えた従来のモータ駆動装置は、占有面積が大きくなるとともに、組み立て工数が多くなるという問題を抱えていた。
【0006】
尚、特開平7−130927号公報には、同様な問題が提示されており、その解決策としてMOSFETとダイオードとを同一のアイランド上に搭載するという内容が開示されているが、これは単体のMOSFETであるからこそ可能なものであり、一般のICはダイオードと同一の基板ではないので、同一のアイランド上に搭載することができない。
【0007】
そこで、本発明は、電気機器を駆動するドライブ回路及び保護用ダイオードを備えたモータ駆動装置であって、占有面積の縮小、及び、組み立て工数の削減を実現した電気機器駆動装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の電気機器駆動装置では、電気機器を駆動するドライブ回路を有するICチップを載置した第1アイランドと、電源が逆接された場合に前記ドライブ回路が破壊されるのを防止するための保護用ダイオードのチップを載置した第2アイランドと、を備え、前記保護用ダイオードのアノードは、電源端子に接続可能であり、前記保護用ダイオードのカソードは、前記第2アイランドを通じて、前記ICチップの電源パッドに接続された構成としている。
【0009】
この構成により、保護用ダイオードを外付けする必要がなくなる。また、保護用ダイオードをIC内に作り込むよりも、保護用ダイオードの電流能力を大きくすることができ、また、保護用ダイオードの逆耐圧を高くすることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施形態であるモータ駆動装置のパッケージ内部の構造を示す図である。リードフレーム30は、第1アイランドI1、第2アイランドI2、8つのインナーリードL1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、及び、L8、並びに、3つのサポートバーS1、S2、及び、S3を有している。
【0011】
第1アイランドI1はサポートバーS1及びS2によって、第2アイランドI2はサポートバーS3によって、それぞれ支持されている。各インナーリードL1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8は、パッケージ外部に導出された対応する不図示のピンに接続されている。尚、第1アイランドI1は、サポートバーS1及びS2の一部でダウンセット加工されている。
【0012】
モータを駆動するドライブ回路のICチップ10は、リードフレーム30の第1アイランドI1にダイボンディングされている。保護用ダイオードのダイオードチップ20は第2アイランドI2にダイボンディングされており、第2アイランドI2がダイオードチップ20のカソード電極となっている。尚、ICチップ10は、例えば、図2に示した構成を有する、2相半波のファンモータのプリドライブ回路1のICチップである。
【0013】
ICチップ10の上面には、8つのボンディングパッドP1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、及び、P8が形成されている。これらのボンディングパッドのうち、ICチップ10内部の電源ラインに接続されている電源パッドP1は、第2アイランドI2(すなわち、ダイオードチップ20のカソード電極)にワイヤボンディングされている。
【0014】
その他の各パッドP2、P3、P4、P5、P6、P7、P8はそれぞれインナーリードL2、L3、L4、L5、L6、L7、L8に接続されている。ダイオードチップ20のアノード電極となるボンディングパッドPはインナーリードL1にワイヤボンディングされている。
【0015】
このように、本実施形態のモータ駆動装置では、モータを駆動するドライブ回路と保護用ダイオードとを別々のチップとして内蔵しているので、保護用ダイオードを外付けする必要がなくなる。これにより、占有面積を縮小することができるとともに、組み立て工数を削減することができる。
【0016】
また、保護用ダイオードをドライブ回路のIC内に作り込むよりも、保護用ダイオードの電流能力を大きくすることができるので、モータの駆動電流としてより大きな電流を供給することができるようになるとともに、保護用ダイオードの逆耐圧を高くすることができるので、回路の破壊を防止する機能を向上させることができるようになる。
【0017】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のモータ駆動装置によれば、ドライブ回路と保護用ダイオードとを別々のチップとして内蔵しているので、保護用ダイオードを外付けする必要がなくなり、これにより、占有面積の縮小、及び、組み立て工数の削減を実現することができる。
【0018】
また、保護用ダイオードをIC内に作り込むよりも、保護用ダイオードの電流能力を大きくすることができるので、モータの駆動電流としてより大きな電流を供給することができるようになるとともに、保護用ダイオードの逆耐圧を高くすることができるので、回路の破壊を防止する機能を向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態であるモータ駆動装置のパッケージ内部の構造を示す図である。
【図2】 保護用ダイオードを備えたモータ駆動装置の出力段の回路構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 2相半波のファンモータのプリドライブ回路
2 保護用ダイオード
3 NPN型のパワートランジスタ
4 モータのコイル
5 ダイオード
10 ドライブ回路のICチップ
20 ダイオードチップ
30 リードフレーム
100 MOSFET
200 抵抗
I1 第1アイランド
I2 第2アイランド
L1〜L8 インナーリード
P1〜P8 ボンディングパッド
S1〜S3 サポートバー
T−VCC 電源端子
T−GND グランド端子
T−OUT 出力端子
Claims (1)
- 電気機器を駆動するドライブ回路を有するICチップを載置した第1アイランドと、
電源が逆接された場合に前記ドライブ回路が破壊されるのを防止するための保護用ダイオードのチップを載置した第2アイランドと、を備え、
前記保護用ダイオードのアノードは、電源端子に接続可能であり、
前記保護用ダイオードのカソードは、前記第2アイランドを通じて、前記ICチップの電源パッドに接続されたことを特徴とする電気機器駆動装置。
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US7145223B2 (en) * | 2002-05-22 | 2006-12-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6903448B1 (en) | 2002-11-12 | 2005-06-07 | Marvell International Ltd. | High performance leadframe in electronic package |
JP3872001B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2007-01-24 | シャープ株式会社 | リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法、それを用いた半導体装置、及び電子機器 |
US7215012B2 (en) * | 2003-01-03 | 2007-05-08 | Gem Services, Inc. | Space-efficient package for laterally conducting device |
JP4091562B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-05-28 | ファナック株式会社 | モータ駆動装置 |
US20070200210A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Broadcom Corporation | Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in integrated circuit (IC) packages |
SG139573A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-02-29 | Micron Technology Inc | Microelectronic packages with leadframes, including leadframes configured for stacked die packages, and associated systems and methods |
JP5486866B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2014-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102034784B (zh) * | 2010-11-10 | 2013-06-05 | 吴江巨丰电子有限公司 | 一种28k引线框架 |
EP2775520B1 (en) * | 2013-03-07 | 2021-05-05 | Infineon Technologies Americas Corp. | Open source Power Quad Flat No-Lead (PQFN) leadframe |
CN104810462B (zh) * | 2015-04-17 | 2017-05-24 | 广州华微电子有限公司 | 一种中大功率led驱动芯片的esop8引线框架 |
US20190326205A1 (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Pixart Imaging Inc. | Chip package |
JP2021044532A (ja) * | 2019-03-25 | 2021-03-18 | ローム株式会社 | 電子装置、電子装置の製造方法、およびリードフレーム |
Family Cites Families (7)
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JPS6081877A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Sharp Corp | 光結合半導体装置 |
JPS60247940A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3022592B2 (ja) * | 1990-10-31 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 反射形フォトセンサ |
JPH04354386A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Nec Corp | 光電変換装置 |
JPH06342818A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6184585B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-02-06 | International Rectifier Corp. | Co-packaged MOS-gated device and control integrated circuit |
JP3674333B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2005-07-20 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
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