JP3752107B2 - 集積回路用パワーオンリセット回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は集積回路用パワーオンリセット回路に関するものであり、より詳しくは高密度集積回路に好適なパワーオンリセット回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、パワーオンリセット回路(パワーアップ検出回路とも称する)は、電源が入力されるとき、半導体集積回路の内部構成部品、例えばフリップフロップ、ラッチ、カウンタ、レジスタ等を初期化させるためのリセット信号を発生する。リセット信号は、集積回路の各構成部品を安定化させるに充分な時間の間第1定電圧で維持され、所定の時間が経過した後に、電源が集積回路に供給されている場合に、第2定電圧(一般に第1定電圧が反転された状態にある動作状態電圧)に維持される。
【0003】
この技術分野では多様なパワーオンリセット回路が開示されている。例えば、MahabadiによるU.S.Pat.4885476である。このパワーオンリセット回路は、起動(start−up)電圧発生器回路を備える。この回路は、電界効果トランジスタのスレッショルド電圧の変化に鈍い電圧を発生する。又この回路では、リセット信号を起動電圧発生器回路でフィードバックさせることによって、安定状態の電流を減少させる。他のパワーオンリセット回路としてNarakiのU.S.Pat.5386152がある。このパワーオンリセット回路は、差動回路の出力端の電源がそれのスレッショルド電圧を超過するとき、特定期間の間、ロジック回路にリセット信号を出力する。Divakaruni等によるU.S.Pat.5463335に開示されたパワーオンリセット回路もある。この回路は、インピーダンスを通して電源装置に接続された出力端を含む。その出力端は、ラッチ用サブスレッショルド漏洩装置を通して基準電位の一点に接続される。そのサブスレッショルド漏洩装置は、所定のレベルに達する出力電圧に反応して初期サブスレッショルド状態で導通状態に転換される。さらに、McClintockによってU.S.Pat.5612642と5760624に開示されたパワーオンリセット回路があり、これらの各々はリセット信号によって制御される回路内の貯蔵構成要素が正確なデータを維持できない程度まで電源電圧のレベルが低下されるときまでリセット信号を印加できない。
【0004】
上記のようなパワーオンリセット回路は、安定状態の電力消費、チップレイアウト面積、生産費、そしてリセット信号の安定性等を考慮して設計される。典型的なパワーオンリセット回路の設計においては、安定状態の電源消費が最小化されなければならない。又、チップレイアウト面積を減らすためには、相対的に大きい面積を占める受動素子(例えばキャパシタ又は抵抗)、および追加的な製造工程段階を必要とするディプリーション型トランジスタの使用を避けなければならない。
【0005】
図1は、Buskirk等によるU.S.Pat.5376835に開示されているパワーオンリセット回路を示している。図1に図示されたパワーオンリセット回路12は、ロジック及び/又はメモリ回路18と基準電圧発生器38と共に半導体チップ内に内蔵されるように設計される。パワーオンリセット回路12は、ライン16を通してロジック及び/又はメモリ回路18に接続された第1出力端子14にリセット信号VCCOKを出力する。ロジック及び/又はメモリ回路18は、状態レジスタSR1,SR2…SRnからなる状態回路を備えている。リセット信号VCCOKは、論理信号として、それが低(low)、又は論理0レベルにあるとき、状態レジスタSR1〜SRnを初期化させる。リセット信号VCCOKが高(high)、又は論理1レベルにあるとき、状態レジスタSR1〜SRnはリセット状態から削除される。
【0006】
各レジスタSR1〜SRnの出力Q1〜Qnは、ライン22a〜22nを通してノアゲート20の対応する入力に各々接続される。ライン24上のノアゲート20の出力は、インバータゲート26に供給される。インバータゲート26は状態モニタリング信号SMONを発生するが、この信号はライン18を通してパワーオンリセット回路12の第1入力端子32に供給される。
【0007】
パワーオンリセット回路12は、ロジック制御信号VONを出力する第2出力端子34を備えているが、信号VONはライン35を通して基準電圧発生器38の入力端子36に供給される。基準電圧発生器38は、それの出力端子40上に安定した基準電圧VREFIを発生する。この信号は、ライン42を通してパワーオンリセット回路12の第2入力端子44に供給される。又、基準電圧発生器38は、それの第2出力端子46上に起動電圧VCCDCを出力し、この信号はライン48を通してパワーオンリセット回路12の第3入力端子50に供給される。
【0008】
パワーオンリセット回路12は、モニタリング信号SMON、起動電圧VCCDC及び基準電圧VREFIに応じて、電源電圧が所定のレベルを超過するときまで、すなわちパワーアップされる間にリセット信号VCCOKを発生して、低状態を維持する。より詳しくは、パワーオンリセット回路12は、状態レジスタSR1〜SRnの出力のうち1つだけでも高状態、即ちリセットされない状態であると、パワーアップの間に活性化される。これと反対に状態レジスタSR1〜SRnの出力がリセット状態であると、即ち全ての出力が低状態であると、パワーオンリセット回路12は、ロジック制御信号VONが低状態にあるため決して活性化されない。状態レジスタSR1〜SRnがリセットされない状態でパワーアップされる場合は、電源電圧VCCが所定のレベルに達するときまでリセット信号VCCOKが持続的に状態レジスタSR1〜SRnのリセット入力に印加されることによってロジック及び/又はメモリ回路18の正しい動作を保障する。その後、パワーオンリセット回路12は、モニタリング信号SMONに応じて自らシャトオフされる。その結果、電力消費を減らすことが可能になる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のように、状態レジスタSR1〜SRnの出力がノアゲート(ロジックゲート)20を通してパワーオンリセット回路12のシャットオフのために使用される構成では、状態レジスタの数が増加した場合に、ロジックゲートの構成上の制約(例えばファンイン等)のため、ロジックゲートの数が増加するので、回路を集積回路上に形成する場合の面積が非常に増加する。従って、上述のような構成を有するパワーオンリセット回路は高密度集積回路には不適当である。
【0010】
従って、本発明の目的は、小さい面積に形成できて高密度集積回路に好適する集積回路用パワーオンリセット回路を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の集積回路用パワーオンリセット回路は、電源電圧が所定のレベルに達するときまで第1ロジック状態のリセット信号を発生し、電源電圧が所定のレベルに達すると第2ロジック状態のリセット信号を発生するリセット回路と、前記リセット信号を遅延させて出力信号を発生する遅延回路とを含み、前記リセット回路は、第2ロジック状態のリセット信号を遅延させた遅延回路の出力信号で非活性化されると同時に、リセット信号が第2ロジック状態に維持されることを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下図2を参照して本発明の望ましい実施の形態を説明する。
【0013】
図2を参照すると、図2の回路はパワーオンリセット回路100と遅延回路200で構成される。リセット回路100は、電源電圧VCCが所定のレベル(約2.26V)に達するときまで第1ロジック状態(ロジック低(low)、又は0状態)のリセット信号VCCOKを発生する。遅延回路200は、リセット信号VCCOKの遅延および反転信号(出力信号)VONを発生する。遅延回路200は、数十マイクロ秒から数ミリ秒の範囲に達する遅延時間を提供する。リセット回路100は、遅延回路200の出力信号VONに応じて非活性化されてリセット信号VCCOKが第2ロジック状態(ロジック高(high)、又は1状態)に維持される。
【0014】
リセット回路100は、基準電圧VREF(1.2V)を発生する基準電圧発生器110、電源電圧VCCに比例する起動電圧VCCDCを発生する電源電圧検出器120、そして基準電圧VREFと起動電圧VCCDCに応じてリセット信号VCCOKを発生するリセット信号発生器130で構成される。
【0015】
より詳しくは、基準電圧発生器110は、3つのNMOSトランジスタNM1,NM2,NM3を含み、各々は制御電極(ゲート電極)と一対の被制御電極(ソース/ドレイン電極)を有する。又基準電圧発生器110は、3つの抵抗R1,R2,R3を有する。抵抗R1とR2、NMOSトランジスタNM1のドレインとソース電極、抵抗R3、そしてNMOSトランジスタNM2のドレインとソース電極は、電源電圧VCC(第1電源電圧)と接地電圧VSS(第2電源電圧)との間に直列に接続されている。NMOSトランジスタNM2のゲート電極には遅延回路200の出力信号VONが供給されている。抵抗R1とR2との間は第1ノードN1、抵抗R2とトランジスタNM1との間は第2ノードN2(即ち、基準電圧VREF出力ノード)、トランジスタNM1と抵抗R3との間は第3ノードN3、そして抵抗R3とトランジスタNM2との間は第4ノードN4と定義される。NMOSトランジスタNM1のゲート電極は、第1ノードN1に、NMOSトランジスタNM3のゲート電極は第3ノードN3に各々接続される。さらに、NMOSトランジスタNM3のドレイン電極は第1ノードN1に、同トランジスタNM3のソース電極は第4ノードN4に各々接続される。
【0016】
抵抗R3がNMOSトランジスタNM3のゲート−ソース電圧を設定してNMOSトランジスタNM3がそのサブスレッショルド領域で導通する。それ故、NMOSトランジスタNM3は負の温度係数を有する。一方、NMOSトランジスタNM1は、その導通領域で正の温度係数を有する。
【0017】
基準電圧発生器110の動作を説明する。第1電源電圧VCCが増加すると、ノードN1(NMOSトランジスタNM1のゲート電圧)の電圧も増加し、抵抗R2を通して流れる電流の量も増加する。ノードN3の高電圧によるNMOSトランジスタNM3のゲート電圧の増加は、NMOSトランジスタNM3を通して流れる電流の増加原因になる。それ故、ノードN1の電圧が低くなり、抵抗R2を通して流れる電流が減少する。結果的に電源電圧VCCの増加にも係わらず、基準電圧VREFは相対的に一定に維持される。
【0018】
これと反対に、第1電源電圧VCCが減少すると、ノードN1の減少する電圧レベルが抵抗R2を通して流れる電流を減少させる。したがって、ノードN3の電圧と基準電圧VREFも低くなる。しかしNMOSトランジスタNM3のゲート電圧に対応するノードN3の電圧が減少することによってノードN1の電圧は増加し、NMOSトランジスタNM1を通して流れる電流も増加する。
【0019】
それ故、NMOSトランジスタNM1とNM3は、相互補完的な方法で電源電圧VCCによって変化するように調節する。その結果、基準電圧VREFは、相対的に電源電圧の変化に影響を受けない。言い換えると、NMOSトランジスタNM1はノードN2の電圧レベルを調節し、NMOSトランジスタNM3は、ノードN1の電圧を調節する。その結果、電源電圧VCCの変化にも係わらず、ノードN2で基準電圧VREFは相対的に安定である。
【0020】
上述のように、基準電圧発生器110は、その回路内にあるトランジスタのスレッショルド電圧の変化に影響を受けない安定な基準電圧VREF(約3VのVCCに対して約1.2V)を発生する。又、基準電圧発生器110は、電源電圧と温度の変化に相対的に影響を受けない。
【0021】
電源電圧検出器120は、電圧分配器として動作する2つの直列接続された抵抗R4,R5と、1つの制御電極(ゲート電極)と一対の被制御電極(ソース/ドレイン電極)を有するNMOSトランジスタNM4を含む。抵抗R4とR5、そしてトランジスタNM4のドレインとソース電極は、第1及び第2電源電圧VCCとVSSとの間に直列に接続される。抵抗R4とR5との間はノードN5(起動電圧VCCDC出力ノード)と定義される。トランジスタNM4のゲート電極には遅延回路200の出力信号VONが供給される。このトランジスタNM4がターンオンされると、電源電圧VCCが抵抗R4とR5によって分配されてノードN5の起動電圧VCCDCが得られる。
【0022】
リセット信号発生器130は、比較器として提供される差動増幅器132を含む。差動増幅器132は、2つのPMOSトランジスタPM1,PM2と、3つのNMOSトランジスタNM5,NM6及びNM7で構成され、各々は制御電極(ゲート電極)と一対の被制御電極(ソース/ドレイン電極)を有する。PMOSトランジスタPM1とPM2のソース電極は第1電源電圧VCCに共通に接続され、同トランジスタPM1,PM2のゲート電極は互いに接続される。又PMOSトランジスタPM1とPM2のゲート電極は、PMOSトランジスタPM1とNMOSトランジスタNM5のドレイン電極に共通に接続される。PMOSトランジスタPM2とNMOSトランジスタNM6のドレイン電極は互いに接続される。NMOSトランジスタNM5とNM6のソース電極は、NMOSトランジスタNM7のドレイン電極と接続される。NMOSトランジスタNM7のソース電極は第2電源電圧VSS(接地電圧)に接続される。同トランジスタNM7のゲート電極には遅延回路200の出力信号VONが供給される。またNMOSトランジスタNM5のゲート電極には起動電圧VCCDCが供給され、NMOSトランジスタNM6のゲート電極には基準電圧VREFが供給される。したがって、差動増幅器132は、起動電圧VCCDCが基準電圧VREF以下であるとき、ノードN6から低状態のリセット信号VCCOKを発生する。
【0023】
差動増幅器132のトリップ(trip)電圧は、次の式によって得られる:
VCCDC=VREF ・・・(1)
ここで、VCCDC=VCC×(R5/(R4+R5)).
R5/(R4+R5)=0.53そしてVREF=1.2Vで仮定すると、式(1)は、次のように示される。
【0024】
VCC×0.53=1.2V ・・・(2)
式(2)をVCCに対して計算すると、
VCC=1.2V/0.53=2.26V ・・・(3)
従って、電源電圧VCCが約2.26V以下であるとき、リセット信号VCCOKは低状態で維持される。
【0025】
リセット信号発生器130はクランプ回路134を含む。クランプ回路134はPMOSトランジスタPM3で構成され、そのソースとドレイン電極は第1電源電圧VCCとノードN6(すなわちトランジスタPM2とNM6のドレイン電極)に各々接続される。PMOSトランジスタPM3のゲート電極には遅延回路200の出力信号VONが供給される。したがって、クランプ回路134は、リセット信号VCCOKの遅延および反転信号VONに応じてロジック高状態、すなわちVCCの電圧でリセット信号VCCOKを維持する。
【0026】
遅延回路200は、キャパシタCと奇数の直列で接続されたインバータ、例えば3つのインバータI1,I2,I3を含む。第1インバータI1は、リセット信号発生器130のノードN6(リセット信号出力ノード)と接続する入力端子を有する。最後のインバータI3は、トランジスタNM4,NM7,NM2,PM3のゲート電極に共通に接続される出力端子を有する。キャパシタCはインバータI2の出力と接地電圧VSS間に接続される。
【0027】
以下、本発明のパワーオンリセット回路の動作を詳細に説明する。
【0028】
初期に差動増幅器132は、低状態のリセット信号VCCOKを発生する。これは遅延回路200の出力信号VONを高状態にする。信号VONの高状態のためトランジスタNM2,NM4,そしてNM7が導通する。又高状態の信号VONのため、トランジスタPM3が非導通となる。電源電圧VCCがパワーオン後約3Vの安定状態レベルに上昇する間、基準電圧VREFと起動電圧VCCDCが電源電圧VCCに沿うようになる。電源電圧VCCが約2.26Vに達するとき、基準電圧VREFと起動電圧VCCDCは約1.2Vになる。この時点で、リセット信号VCCOKは続いて低状態に維持される。その後、起動電圧VCCDCが電源電圧VCCの継続的な上昇で1.2Vになるとき基準電圧VREFが前述のように約1.2Vの一定なレベルを維持するためリセット信号VCCOKは高状態になる。そして、リセット信号VCCOKの低から高への遷移から開始される遅延時間(数十マイクロ秒から数ミリ秒まで)が経過した後、遅延回路200の出力信号VONは低になる。これはNMOSトランジスタNM2,NM4,そしてNM7を非導通にする。その結果、基準電圧発生器110、電源電圧検出器120、そして差動増幅器132が自動的に非活性化されて電力消費が減少する。又信号VONの低状態は、PMOSクランプトランジスタPM3を導通させて、リセット信号VCCOKを電源電圧VCC、即ちロジック高状態に維持する。
【0029】
上述のような本発明のパワーオンリセット回路は、図1に示した従来回路に比較して小さいチップレイアウト面積で形成できる。なぜならば、本発明の回路は、電源電圧が所定電圧に上昇したとき、リセット信号を遅延回路200で遅延させた信号を用いてリセット回路100を非活性状態にすると同時にリセット信号をロジック高状態に維持する方法であり、そのために、状態レジスタの出力を検査するためのどのようなロジックゲートも必要としないためである。従って、本発明のパワーオンリセット回路は高密度集積回路に好適である。
【0030】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明の集積回路用パワーオンリセット回路は、小さいチップレイアウト面積で形成できて高密度集積回路に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術によるパワーオンリセット回路を備えた半導体集積回路のブロック図。
【図2】本発明によるパワーオンリセット回路の実施の形態を示す回路図。
【符号の説明】
100 リセット回路
110 基準電圧発生器
120 電源電圧検出器
130 リセット信号発生器
200 遅延回路
Claims (7)
- 電源電圧が所定のレベルに達するときまで第1ロジック状態のリセット信号を発生し、電源電圧が所定のレベルに達すると第2ロジック状態のリセット信号を発生するリセット回路と、
前記リセット信号を遅延させて出力信号を発生する遅延回路とを含み、
前記リセット回路は、第2ロジック状態のリセット信号を遅延させた遅延回路の出力信号で非活性化されると同時に、リセット信号が第2ロジック状態に維持されることを特徴とする集積回路用パワーオンリセット回路。 - 前記リセット回路は、
基準電圧を発生する基準電圧発生器と、
電源電圧を検出して電源電圧に比例する起動電圧を発生する電源電圧検出器と、
前記基準電圧及び前記起動電圧に応じてリセット信号を発生するリセット信号発生器と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。 - 前記リセット信号発生器は、
前記起動電圧が前記基準電圧以下であるとき第1ロジック状態の前記リセット信号を発生し、起動電圧が前記基準電圧以上になると第2ロジック状態のリセット信号を発生する差動増幅器と、
第2ロジック状態のリセット信号を遅延させた遅延回路の出力信号によって、前記リセット信号を第2ロジック状態に維持するクランプ回路と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。 - 前記遅延回路は、数十マイクロ秒乃至数ミリ秒の範囲の遅延時間を有することを特徴とする請求項1に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。
- 前記基準電圧発生器は、制御電極及び一対の被制御電極を各々有する第1乃至第3トランジスタと、第1乃至第3抵抗とを含み、
前記第1抵抗は第1電源電圧と第1ノードとの間に接続され、前記第2抵抗は前記第1ノードと基準電圧を出力する第2ノードとの間に接続され、前記第1トランジスタの前記被制御電極は前記第2ノードと第3ノードとの間に接続され、前記第3抵抗は前記第3ノードと第4ノードとの間に接続され、前記第2トランジスタの前記被制御電極は前記第4ノードと第2電源電圧との間に接続され、前記第3トランジスタの前記被制御電極は前記第1ノードと前記第4ノードとの間に接続され、前記第1トランジスタの制御電極は前記第1ノードに接続され、前記第3トランジスタの制御電極は前記第3ノードに接続され、前記第2トランジスタの制御電極には遅延回路の出力信号が供給されることを特徴とする請求項2に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。 - 前記電源電圧検出器は、制御電極及び一対の被制御電極を有するトランジスタと、第1及び第2抵抗とを含み、前記第1抵抗は第1電源電圧と起動電圧出力ノードとの間に接続され、前記第2抵抗と前記トランジスタの前記被制御電極は前記ノードと第2電源電圧との間に直列に接続され、前記トランジスタの制御電極には遅延回路の出力信号が供給されることを特徴とする請求項2に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。
- 前記遅延回路は前記リセット信号を遅延及び反転させた信号を出力信号として出力し、この出力信号で前記リセット回路が制御されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路用パワーオンリセット回路。
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