JP2008219486A - パワーオン検知回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な回路により、消費電流を少なくした上で的確に入力電圧の立ち上がりを検知するためのパワーオン検知回路を提供する。
【解決手段】パワーオン検知回路PD1は、入力電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV1、パワーオンの検知信号を維持するラッチ回路LCH1を含んで構成される。電圧変換回路CNV1の出力電流は、接続ノードND11を介して、電流源I1と容量C1とに供給される。この電流源I1は絶対温度に比例する電流を流す。電圧変換回路CNV1の出力電流が、電流源I1の電流よりも大きくなった場合、容量C1をチャージし、接続ノードND11をプルアップする。そして、接続ノードND11の電圧に応じてラッチ回路LCH1がオンしてパワーオン検知信号を出力する。
【選択図】図1
【解決手段】パワーオン検知回路PD1は、入力電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV1、パワーオンの検知信号を維持するラッチ回路LCH1を含んで構成される。電圧変換回路CNV1の出力電流は、接続ノードND11を介して、電流源I1と容量C1とに供給される。この電流源I1は絶対温度に比例する電流を流す。電圧変換回路CNV1の出力電流が、電流源I1の電流よりも大きくなった場合、容量C1をチャージし、接続ノードND11をプルアップする。そして、接続ノードND11の電圧に応じてラッチ回路LCH1がオンしてパワーオン検知信号を出力する。
【選択図】図1
Description
本発明は、入力電圧が一定値に立ち上がったことを検知するパワーオン検知回路に関するものである。
一般に、パワーオンリセット回路(パワーアップ検出回路とも呼ばれる)は、電源が入力されるとき、半導体集積回路の内部構成部品、例えばフリップフロップ、ラッチ、カウンタ、レジスタ等を初期化させるためのリセット信号を発生する。
このため、電源電圧のレベルに応じて信号を出力する電圧降下検知回路も検討されている(例えば、非特許文献1参照。)。この電圧降下検知回路は、参照電圧電源とコンパレータとを備えており、電源電圧の分圧と参照電圧とを比較して電圧降下を検知する。このコンパレータの出力が、nチャンネルのMOSトランジスタのゲート端子に供給される。これにより、MOSトランジスタが動作して、電圧降下を検知することができる。
また、バンドギャップリファレンス回路の立ち上がりを速めるために、リファレンス電圧をモニタする基準電圧モニタ回路も検討されている(例えば、特許文献1参照。)。この文献記載の基準電圧モニタ回路は、バンドギャップリファレンス回路を含み、外部から供給される外部電源電圧をもとに所定の基準電圧を生成する基準電圧発生回路と、基準電圧をもとに所定の内部電圧を生成する内部電圧生成回路とを備える。そして、コンパレータにおいて電源電圧の分圧とリファレンス電圧とを比較して、基準電圧の電位が所定値に達するまでの間、バンドギャップリファレンス回路の立ち上がりを速めるための制御信号を供給する。
また、リセット信号の生成時の動作の安定化を図るとともに、その生成後の電流消費の低減化を図るようにしたパワーオンリセット回路も検討されている(例えば、特許文献2参照。)。この文献記載のパワーオンリセット回路では、電源の投入時に電源の立ち上がりレベルが所定値になったことを検出する検出回路と、2つのインバータの入出力を相互に接続して2つの安定状態を持つフリップフロップ回路とを備える。そして、フリップフロップ回路は、電源の投入時に初期化され、検出回路の検出レベルが所定値になったときに信号が反転する。
特開2000−339962号公報(図1)
特開2001−292054号公報(図1)
National Semiconductor "LMS33460 3V Under Voltage Detector" 、[online]、[平成19年1月14日検索]、インターネット<URL:http://www.national.com/ds/LM/LMS33460.pdf>
従来、上述のように、入力電圧が正しい電圧になったことを検出する回路が検討されているが、非特許文献1に記載の技術のように、正確に測定するためには消費電流が大きくなってしまう。特許文献1に記載の技術では、基準電圧モニタ回路のコンパレータにおいて常に電流が消費されて、消費電力が大きくなる。また、電源電圧の分圧とリファレンス電圧とを比較するため、正確性を期すことができない。
特許文献2に記載の技術では、検出回路は二つのトランジスタで構成されており、これらのトランジスタの閾値電圧を用いている。従って、比較的簡単な回路で消費電力も小さ
くできるが、トランジスタの製造バラツキや環境温度により閾値が変動した場合、正確な電圧を検知することができない。また、フリップフロップ回路においては、容量(C2)を介して電源電圧(VDD)が供給される。このため、この電源電圧が一定の速度以上で立ち上がることを前提としている。
くできるが、トランジスタの製造バラツキや環境温度により閾値が変動した場合、正確な電圧を検知することができない。また、フリップフロップ回路においては、容量(C2)を介して電源電圧(VDD)が供給される。このため、この電源電圧が一定の速度以上で立ち上がることを前提としている。
本発明は、簡易な回路により、消費電流を少なくした上で的確に入力電圧の立ち上がりを検知するためのパワーオン検知回路を提供することにある。
上記問題点を解決するために、本発明は、入力電圧を、絶対温度に比例する変換電流に変換して出力する変換手段と、前記変換手段の変換電流が供給される第1接続ノードと、前記第1接続ノードから変換電流が供給されて絶対温度に比例する第1電流を流すとともに、前記入力電圧が目標電圧になった場合の変換電流の値に一致する第1電流を出力する第1電流源と、前記第1接続ノードに接続された第1フィルタと、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合に、前記第1フィルタにより生成される前記第1接続ノードの電位に対応してパワーオン検知信号を出力し保持するラッチ手段とを備えたことを要旨とする。これにより、第1接続ノードが環境温度に左右されない。従って、環境温度に依存することなく、入力電圧のパワーオンを検知することができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力し、前記フィードバック信号に応じて前記第1接続ノードの電位をプルアップすることを要旨とする。これにより、入力電圧のパワーオンを検知することができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力して前記変換手段に供給し、前記変換手段は、前記フィードバック信号に応じて前記変換電流の出力を停止することを要旨とする。これにより、変換手段における消費電力を低減することができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力し、前記第1接続ノードと前記第1電流源との間には、前記フィードバック信号が供給されるスイッチ手段を設け、前記スイッチ手段は、前記フィードバック信号に応じて前記第1電流源への前記変換電流の供給を停止することを要旨とする。これにより、すべての変換電流が第1接続ノードに供給され、第1接続ノードのプルアップを加速する。従って、過渡的にラッチ手段において消費される電流を低減することができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記ラッチ手段は、リセット信号に応じて前記第1接続ノードの電位を共通電位にして、パワーオン検知信号の出力を停止するリセット手段を更に備えたことを要旨とする。これにより、パワーオン検知回路をリセットすることができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記第1接続ノードには、第2電流値の電流を供給可能な第2電流源と、前記第2電流値より小さい第3電流値の電流を流す第3電流源及びスイッチ素子とを備えた電流コンパレータが接続され、前記電流コンパレータの出力電流は第2接続ノードを介して第2フィルタに接続され、前記第1接続ノードの電位により、前記電流コンパレータのスイッチ素子を駆動して、前記第1接続ノード及び前記第2電流源から供給される合成電流を前記第3電流源に流し、前記ラッチ手段は、前記合成電流の値が前記第3電流値を超えた場合、前記第2フィルタにより生成される前記第2接続ノードの電位に対応して出力されるパワーオン検知信号の出力を保持することを要旨とす
る。これにより、第2接続ノードの電位の立ち上がりを、電流コンパレータ及び第2フィルタとを用いて急峻にすることができる。
る。これにより、第2接続ノードの電位の立ち上がりを、電流コンパレータ及び第2フィルタとを用いて急峻にすることができる。
本発明のパワーオン検知回路において、前記ラッチ手段は、リセット信号に応じて前記第2接続ノードの電位を共通電位にして、パワーオン検知信号の出力を停止するリセット手段を更に備えたことを要旨とする。これにより、パワーオン検知回路をリセットすることができる。
本発明によれば、簡易な回路により、消費電流を少なくした上で的確に入力電圧の立ち上がりを検知することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化したパワーオン検知回路の一実施形態を図1〜図2に従って説明する。本実施形態のパワーオン検知回路PD1は、図1に示すように、電源ラインL1と、共通ラインとしての接地ラインL0とが接続される。電源ラインL1には電源電圧VCCが供給される。更に、このパワーオン検知回路PD1には、入力電圧V0が供給される。この入力電圧V0は、メインの基準電圧回路で生成された基準電圧である。
以下、本発明を具体化したパワーオン検知回路の一実施形態を図1〜図2に従って説明する。本実施形態のパワーオン検知回路PD1は、図1に示すように、電源ラインL1と、共通ラインとしての接地ラインL0とが接続される。電源ラインL1には電源電圧VCCが供給される。更に、このパワーオン検知回路PD1には、入力電圧V0が供給される。この入力電圧V0は、メインの基準電圧回路で生成された基準電圧である。
<回路構成>
このパワーオン検知回路PD1は、電圧から電流に変換する変換手段としての電圧変換回路CNV1と、パワーオンの検知信号を維持するラッチ手段としてのラッチ回路LCH1を含んで構成される。
このパワーオン検知回路PD1は、電圧から電流に変換する変換手段としての電圧変換回路CNV1と、パワーオンの検知信号を維持するラッチ手段としてのラッチ回路LCH1を含んで構成される。
入力電圧V0は、抵抗(R1、R2)に分割されて、電圧Vbgを生成する。この電圧VbgはトランジスタB1のベース端子に入力される。このトランジスタB1は、npn型のバイポーラトランジスタによって構成される。トランジスタB1のコレクタ端子はトランジスタM1のドレイン端子、ゲート端子及びトランジスタM2のゲート端子に接続される。トランジスタ(M1、M2)は、それぞれpチャンネル型(第1導電型)のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタ(M1、M2)のソース端子は、それぞれ電源ラインL1に接続される。そして、トランジスタM1とトランジスタM2とは、カレントミラー回路を構成する。
トランジスタB1のエミッタ端子は抵抗R3に接続される。トランジスタB1のベース端子には、バンドギャップ電圧(またはバンドギャップ電圧に近い電圧)を印加する。この場合、ベース・エミッタ電圧の温度特性のため、抵抗R3には、PTAT(Proportional To Absolute Temperature)電流が流れる。一方、各電流源もPTAT電流を供給する電流源を用いているため、所定の温度でコレクタ電流と各電流源の電流とがバランスしていれば、他の温度でもバランスすることになる。このバランス状態から、わずかでも入力電圧が大きくなれば、環境温度に関わらず、各電流源の電流よりもコレクタ電流の方が大きくなる。
ここで、基準電圧となる入力電圧V0がパワーオンした場合の電圧が入力された場合、目標電圧としてのバンドギャップ電圧が生成されるように抵抗(R1、R2)が設定されている。そして、トランジスタB1のコレクタ電流は温度依存性を有することになる。
抵抗(R2、R3)は、トランジスタM4のドレイン端子に接続される。このトランジスタM4は、nチャンネル型(第1導電型)のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM4のソース端子は、接地ラインL0に接続される。
このような抵抗(R1、R2、R3)、トランジスタB1、トランジスタ(M1、M2)、及びトランジスタM4は、入力電圧V0を変換電流(トランジスタM2の電流iM2)に変換する電圧変換回路CNV1として機能する。
この電圧変換回路CNV1の出力電流は、第1電流源としての電流源I1及び第1フィルタとしての容量C1に供給される。具体的には、電圧変換回路CNV1のトランジスタM2のドレイン端子は、第1接続ノード(ND11)を介して、トランジスタM3のドレイン端子及び容量C1に接続される。この容量C1は、入力電圧V0の立ち上がりの検知にディレイを設けて、立ち上がり時のノイズによる誤検知の抑制のためのフィルタとして機能する。
トランジスタM3は、第1電流源への変換電流の供給を停止するスイッチ手段として機能し、nチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM3のソース端子は電流源I1を介して接地ラインL0に接続される。この電流源I1は、絶対温度に比例する電流i1(第1電流)を流す電流PTAT(Proportional To Absolute Temperature)回路により構成される。そして、電流i1は、トランジスタB1のベース端子に入力される電圧Vbgがバンドギャップ電圧になった場合に流れるコレクタ電流(電流iM2)の値と同じになるように構成する。この場合、コレクタ電流と抵抗R3による電圧が、電流源I1の電圧とが同じ温度特性を有し、環境温度に影響されないため、接続ノードND11の電圧が立ち上がりを決定するポイントとして機能する。
更に、この接続ノードND11は、リセット手段としてのトランジスタM7のドレイン端子に接続される。
このトランジスタM7は、nチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM7のソース端子は、接地ラインL0に接続される。
このトランジスタM7は、nチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM7のソース端子は、接地ラインL0に接続される。
更に、接続ノードND11は、電源ラインL1に、直列に接続された二つのトランジスタ(M5、M6)を介して接続される。トランジスタ(M5、M6)は、いずれもpチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。具体的には、トランジスタM5のソース端子が、電源ラインL1に接続され、このトランジスタM5のドレイン端子はトランジスタM6のソース端子に接続される。そして、トランジスタM6のドレイン端子が、接続ノードND11に接続される。
トランジスタ(M6、M7)のゲート端子には、リセット信号RSTが入力される。通常は、トランジスタ(M6、M7)のゲート端子はローレベルの信号が入力されており、トランジスタM7はオフしている。そして、パワーオン検知回路PD1のリセットを行なう場合には、リセット信号RSTをハイレベルにする。この場合、トランジスタM6はオフするとともに、トランジスタM7はオンする。
更に、接続ノードND11は、インバータINV1の入力端子に接続される。インバータINV1の出力端子は、トランジスタ(M5、M3、M4)のゲート端子及びインバータINV2の入力端子に接続される。このインバータINV1の出力をフィードバック信号として用いる。
そして、このインバータINV2の出力端子の出力電圧V1が、パワーオン検知回路PD1のパワーオン検知信号として出力される。本実施形態においては、トランジスタ(M3、M5、M6、M7)及びインバータ(INV1、INV2)が、ラッチ回路LCH1として機能する。
<動作>
このパワーオン検知回路PD1の動作を図2を用いて説明する。ここで、図2(a)は入力電圧V0、図2(b)は電流(i1、iM2)、図2(c)は接続ノードND11の電圧VND11、図2(d)は出力電圧V1の各時間依存性を示す。
このパワーオン検知回路PD1の動作を図2を用いて説明する。ここで、図2(a)は入力電圧V0、図2(b)は電流(i1、iM2)、図2(c)は接続ノードND11の電圧VND11、図2(d)は出力電圧V1の各時間依存性を示す。
時刻t10において、入力電圧V0が共通電位(0V)から上昇する場合を想定する。この場合、入力電圧V0は、抵抗(R1、R2)により分割された電圧がトランジスタB1のベース端子に供給される。入力電圧V0が所定電圧に達してトランジスタB1がオンしない限り、トランジスタM1には電流が流れない。
トランジスタB1のオンした場合、トランジスタM1がコレクタ電流を供給し始める。そして、カレントミラーを構成するトランジスタM2も、トランジスタB1のコレクタ電流と同じ値の電流iM2を、接続ノードND11に供給し始める。
この電流iM2は、最初、電流源I1の電流i1よりも小さいため、すべて電流源I1を介して接地ラインL0に流れ込む。このため、容量C1には電荷がチャージされない。
時刻t11において、電流iM2が電流i1より大きくなった場合に、余った電流(iM2−i1)が接続ノードND11を介して容量C1に供給されて、接続ノードND11の電圧を上昇させる。このときの昇圧の傾きは、〔(iM2−i1)/C1〕となる。
時刻t11において、電流iM2が電流i1より大きくなった場合に、余った電流(iM2−i1)が接続ノードND11を介して容量C1に供給されて、接続ノードND11の電圧を上昇させる。このときの昇圧の傾きは、〔(iM2−i1)/C1〕となる。
そして、時刻t12において、パワーオンし、入力電圧V0、電流iM2は一定値になる。
更に、時刻t13において、接続ノードND11の電圧VND11が、インバータINV1の閾値電圧Vthを超えた場合に、インバータINV1の出力はローレベルに、インバータINV2の出力電圧V1がハイレベルになり始める。この場合、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM3がオフし始める。これにより、トランジスタM2の電流iM2は、すべて容量C1に供給されて接続ノードND11のプルアップに利用される。
更に、時刻t13において、接続ノードND11の電圧VND11が、インバータINV1の閾値電圧Vthを超えた場合に、インバータINV1の出力はローレベルに、インバータINV2の出力電圧V1がハイレベルになり始める。この場合、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM3がオフし始める。これにより、トランジスタM2の電流iM2は、すべて容量C1に供給されて接続ノードND11のプルアップに利用される。
更に、インバータINV1の出力が供給されるトランジスタM5がオンし始める。これにより、電源ラインL1からの電圧がトランジスタ(M5、M6)を介して、接続ノードND11に供給される。
この結果、時刻t14において、接続ノードND11の電圧が急激にプルアップされて、電源電圧VCCにクランプされる。これにより、インバータINV2の出力電圧V1が確実にハイレベルになる。
更に、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM4がオフして、トランジスタM1を流れる電流iM1は遮断される。
なお、このパワーオン検知回路PD1をリセットする場合には、リセット信号RSTをハイレベルにする。この場合、トランジスタM6がオフするとともに、トランジスタM7がオンするため、接続ノードND11がローレベルになる。この結果、インバータINV1の入力がローレベルとなり、その出力がハイレベルになる。そして、ハイレベルの信号が入力されたインバータINV2の出力電圧V1がローレベルになってリセットされる。
なお、このパワーオン検知回路PD1をリセットする場合には、リセット信号RSTをハイレベルにする。この場合、トランジスタM6がオフするとともに、トランジスタM7がオンするため、接続ノードND11がローレベルになる。この結果、インバータINV1の入力がローレベルとなり、その出力がハイレベルになる。そして、ハイレベルの信号が入力されたインバータINV2の出力電圧V1がローレベルになってリセットされる。
上記実施形態のパワーオン検知回路によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1) 基準電圧回路の温度特性には、「弓形」、「S字型」、「折れ線型」等、いくつかのパターンが知られている。ここで、基準電圧回路が「弓型」の特性であり、パワーオン検知回路が「S字型」の特性の場合には、一部の温度範囲で特性が一致したとしても、他の温度範囲ではずれることになる。上記実施形態では、バンドギャップ検出入力回路
(トランジスタと抵抗)をメインの基準電圧回路と同等にして、この電流源からカレントミラー回路により取り出す。これにより、メインの基準電圧回路とパワーオン検知回路の温度特性を広い温度範囲で一致させてパワーオン検知の精度を向上させることができる。また、比較的に規模の小さな回路構成で、パワーオン検知を実現することができる。
(1) 基準電圧回路の温度特性には、「弓形」、「S字型」、「折れ線型」等、いくつかのパターンが知られている。ここで、基準電圧回路が「弓型」の特性であり、パワーオン検知回路が「S字型」の特性の場合には、一部の温度範囲で特性が一致したとしても、他の温度範囲ではずれることになる。上記実施形態では、バンドギャップ検出入力回路
(トランジスタと抵抗)をメインの基準電圧回路と同等にして、この電流源からカレントミラー回路により取り出す。これにより、メインの基準電圧回路とパワーオン検知回路の温度特性を広い温度範囲で一致させてパワーオン検知の精度を向上させることができる。また、比較的に規模の小さな回路構成で、パワーオン検知を実現することができる。
(2) 上記実施形態では、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM4がオフして、トランジスタM1を流れる電流iM1は遮断される。これにより、パワーオンした場合には、消費電力の低減を図ることができる。
(3) 上記実施形態では、入力電圧V0は、抵抗(R1、R2)に分割されて、電圧Vbgを生成する。この場合、入力電圧V0としてパワーオンした場合の電圧が入力された場合、バンドギャップ電圧が生成されるように抵抗(R1、R2)が設定されている。この場合、コレクタ電流I(c)は絶対温度に比例する。また、カレントミラーを構成するトランジスタM2からも、このコレクタ電流I(c)と同じ電流値の電流iM2が、接続ノードND11を介して、電流PTAT回路からなる電流源I1に供給される。これにより、環境温度に依存することなく、入力電圧のパワーオンを検知することができる。
(4) 上記実施形態では、電流iM2が、電流i1より大きくなった場合に、余った電流(iM2−i1)が接続ノードND11を介して容量C1に供給されて、接続ノードND11の電圧を上昇させる。これにより、入力電圧V0の立ち上がりから遅れてパワーオン検知信号を出力する。パワーオン検知信号を出力する検知電圧(Vs)が入力電圧V0の最終電圧(Vf)より「Ve」だけ低いとすると、検知した時点ではまだ最終電圧(Vf)になっていない。最終電圧(Vf)になるのは、最終電圧(Vf)と検知電圧(Vs)との差分を、入力電圧V0の傾きで割った値(時間Td)だけ経過した後になる。本願発明の構成では、容量C1があるため、パワーオン検知信号が出力されるまで所定時間(Tf)を要する。ここで、Tf>Tdの場合には、パワーオン検知信号を出力されたときに、最終電圧(Vf)に達していることになる。従って、この範囲で精度を粗くしても確実にパワーオンを検知することができる。
また、入力電圧V0にノイズが重畳した場合にも、このノイズが反映された電流iM2の成分は容量C1によってフィルタリングされる。これにより、ノイズによってパワーオンの誤検知を抑制することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を図3〜図4にしたがって説明する。第2の実施形態においては、第1の実施形態に対して電流比較回路CMP2を設けた構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を図3〜図4にしたがって説明する。第2の実施形態においては、第1の実施形態に対して電流比較回路CMP2を設けた構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
<回路構成>
このパワーオン検知回路PD2は、電圧から電流に変換する変換手段としての電圧変換回路CNV2、パワーオンの検知信号維持するラッチ手段としてのラッチ回路LCH2及び電流コンパレータとしての電流比較回路CMP2を含んで構成される。
このパワーオン検知回路PD2は、電圧から電流に変換する変換手段としての電圧変換回路CNV2、パワーオンの検知信号維持するラッチ手段としてのラッチ回路LCH2及び電流コンパレータとしての電流比較回路CMP2を含んで構成される。
電圧変換回路CNV2は、第1の実施形態における電圧変換回路CNV1に対応する構成を備える。ただし、第2の実施形態の電圧変換回路CNV2は、電圧変換回路CNV1におけるトランジスタM4を用いていない。
第1の実施形態と同様に、電圧変換回路CNV2のトランジスタM2のドレイン端子は、第1接続ノードとしての接続ノードND21(第1の実施形態の接続ノードND11に対応)を介して、トランジスタM3のドレイン端子及び容量C1に接続される。このトラ
ンジスタM3のソース端子は電流源I1を介して接地ラインL0に接続される。
ンジスタM3のソース端子は電流源I1を介して接地ラインL0に接続される。
更に、この接続ノードND21は、電流コンパレータにおけるスイッチ素子としてのトランジスタM11のソース端子と、第2電流源としての定電流源I2の接続ノードに接続される。定電流源I2は、電源ラインL1に接続されて、電流i2(第2電流値に対応)を供給する。トランジスタM11は、pチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM11のゲート端子には、電圧VPが供給される。
また、トランジスタM11のドレイン端子は、第2接続ノードとしての接続ノードND22を介してトランジスタM12のドレイン端子に接続される。トランジスタM12は、nチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM12のソース端子は、第3電流源としての定電流源I3を介して接地ラインL0に接続される。ここで、定電流源I2の電流i2の値と定電流源I3の電流i3(第3電流値に対応)の値とは同じで、電流源I1の電流i1の値より小さくする。
更に、接続ノードND22は、インバータINV1の入力端子に接続される。インバータINV1の出力端子は、トランジスタ(M3、M12)のゲート端子及びインバータINV2の入力端子に接続される。
更に、接続ノードND22は、リセット手段としてのトランジスタM13のドレイン端子と、第2フィルタとしての容量C2に接続される。トランジスタM13は、nチャンネル型のMOS構造のトランジスタによって構成される。このトランジスタM13のソース端子は接地ラインL0に接続され、ゲート端子にはリセット信号RSTが入力される。
第2の実施形態においては、トランジスタ(M11、M12)及び定電流源(I2、I3)が、電流比較回路CMP2として機能する。
第2の実施形態においては、トランジスタ(M11、M12)及び定電流源(I2、I3)が、電流比較回路CMP2として機能する。
<動作>
このパワーオン検知回路PD2の動作を図4を用いて説明する。ここで、図4(a)は入力電圧V0、図4(b)は電流(i1、iM2)、図4(c)は接続ノードND21の電圧VND21、図4(d)は接続ノードND22の電圧VND22、図4(e)は出力電圧V1の各時間依存性を示す。
このパワーオン検知回路PD2の動作を図4を用いて説明する。ここで、図4(a)は入力電圧V0、図4(b)は電流(i1、iM2)、図4(c)は接続ノードND21の電圧VND21、図4(d)は接続ノードND22の電圧VND22、図4(e)は出力電圧V1の各時間依存性を示す。
定電流源I2の電流i2と定電流源I3の電流i3とが同じで、電流源I1の電流i1がこれらに比べて大きい場合、パワーオン検知回路PD2においては、入力電圧のパワーオンを検知するまでは、定電流源I2の電流i2が電流源I1を介して接地ラインL0に流れ込む。
ここで、時刻t20において、入力電圧V0が0ボルトから上昇する場合を想定する。
第1の実施形態と同様に、トランジスタB1のオン電圧を超えた場合、トランジスタM1がコレクタ電流を供給し始める。そして、カレントミラーを構成するトランジスタM2も、トランジスタB1のコレクタ電流と同じ値の電流iM2を、接続ノードND21に供給し始める。
第1の実施形態と同様に、トランジスタB1のオン電圧を超えた場合、トランジスタM1がコレクタ電流を供給し始める。そして、カレントミラーを構成するトランジスタM2も、トランジスタB1のコレクタ電流と同じ値の電流iM2を、接続ノードND21に供給し始める。
時刻t21において、トランジスタM2の電流iM2と電流i2との合計値が電流i1より大きくなった場合、余った電流(iM2+i2−i1)が容量C1に供給されて、接続ノードND21の電圧VND21を上昇させる。このときの昇圧の傾きは、〔(iM2+i2−i1)/C1〕となる。
そして、時刻t22において、パワーオンし、入力電圧V0、電流iM2は一定値になる。
更に、時刻t23において、接続ノードND21の電圧VND21が、電圧VPとトランジスタM11の閾値電圧Vthの合計値(VP+Vth)を超えた場合、トランジスタM11がオンし始める。この場合、接続ノードND21側から供給される電流(iM2−i1)と電流i2との合成電流が、定電流源I3に供給される。この結果、電流(iM2+i2−i1−i3)=(iM2−i1)の電流が接続ノードND22を介して容量C2に供給されて、接続ノードND22の電圧VND22を上昇する。このときの昇圧の傾きは、〔(iM2−i1)/C2〕となる。ここで、容量C2が小さい場合には急激にプルアップされる。
更に、時刻t23において、接続ノードND21の電圧VND21が、電圧VPとトランジスタM11の閾値電圧Vthの合計値(VP+Vth)を超えた場合、トランジスタM11がオンし始める。この場合、接続ノードND21側から供給される電流(iM2−i1)と電流i2との合成電流が、定電流源I3に供給される。この結果、電流(iM2+i2−i1−i3)=(iM2−i1)の電流が接続ノードND22を介して容量C2に供給されて、接続ノードND22の電圧VND22を上昇する。このときの昇圧の傾きは、〔(iM2−i1)/C2〕となる。ここで、容量C2が小さい場合には急激にプルアップされる。
更に、時刻t24において、接続ノードND22の電圧VND22が、インバータINV1の閾値電圧Vthを超えた場合に、インバータINV1の出力はローレベルになる。
この場合、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM3がオフする。これにより、トランジスタM2の電流iM2は、すべて容量C2に供給されて接続ノードND22のプルアップに利用される。
この場合、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM3がオフする。これにより、トランジスタM2の電流iM2は、すべて容量C2に供給されて接続ノードND22のプルアップに利用される。
更に、インバータINV1の出力(ローレベル)が供給されるトランジスタM12がオフする。これにより、トランジスタM2の電流iM2は、すべて容量C2の昇圧に利用される結果、接続ノードND22の電圧VND22は急激にプルアップされて、電源電圧VCCにクランプされる。
上記実施形態のパワーオン検知回路によれば、第1の実施形態の効果(1)、(3)、(4)の他に、以下のような効果を得ることができる。
(5) 上記実施形態では、トランジスタ(M3、M11、M12)及び定電流源(I2、I3)が、電流比較回路CMP2として機能する。そして、接続ノードND21の電圧VND21が立ち上がってから接続ノードND22の電圧VND22が立ち上がって、容量C2がチャージされる。これにより、入力電圧V0の立ち上がりから遅れてパワーオン検知信号を出力する。従って、パワーオン後の電圧を超えない範囲で、入力電圧の立ち上がりを検知するための基準電圧の精度を粗くしても、フィルタ(容量C1,C2)の遅延のためパワーオンが完了した後にパワーオンの検知出力が出力される。的確にパワーオンを検知することができる。
(5) 上記実施形態では、トランジスタ(M3、M11、M12)及び定電流源(I2、I3)が、電流比較回路CMP2として機能する。そして、接続ノードND21の電圧VND21が立ち上がってから接続ノードND22の電圧VND22が立ち上がって、容量C2がチャージされる。これにより、入力電圧V0の立ち上がりから遅れてパワーオン検知信号を出力する。従って、パワーオン後の電圧を超えない範囲で、入力電圧の立ち上がりを検知するための基準電圧の精度を粗くしても、フィルタ(容量C1,C2)の遅延のためパワーオンが完了した後にパワーオンの検知出力が出力される。的確にパワーオンを検知することができる。
(6) 上記実施形態では、容量C2を小さくすることにより、接続ノードND22の電圧VND22の立ち上がりを急峻にすることができる。インバータINV1に入力される電圧VND22が変化する時間を短くすることにより、インバータINV1における消費電力を低減することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明を具体化した第3の実施形態を図5に従って説明する。第3の実施形態においては、第2の実施形態の電圧変換回路CNV2に対して、変換手段としての電圧変換回路CNV3においては第1の実施形態のトランジスタM4を設けた構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。本実施形態では、電流コンパレータとしての電流比較回路CMP3、ラッチ手段としてのラッチ回路LCH3は、第2の実施形態における電流比較回路CMP2、ラッチ回路LCH2に対応する構成を備える。そして、第1接続ノードとしての接続ノードND31、第2接続ノードとしての接続ノードND32が、それぞれ第2の実施形態の接続ノード(ND21、ND22)に対応する。
次に、本発明を具体化した第3の実施形態を図5に従って説明する。第3の実施形態においては、第2の実施形態の電圧変換回路CNV2に対して、変換手段としての電圧変換回路CNV3においては第1の実施形態のトランジスタM4を設けた構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。本実施形態では、電流コンパレータとしての電流比較回路CMP3、ラッチ手段としてのラッチ回路LCH3は、第2の実施形態における電流比較回路CMP2、ラッチ回路LCH2に対応する構成を備える。そして、第1接続ノードとしての接続ノードND31、第2接続ノードとしての接続ノードND32が、それぞれ第2の実施形態の接続ノード(ND21、ND22)に対応する。
この第3の実施形態においては、インバータINV1の出力端子は、トランジスタ(M3、M12)のゲート端子に接続されるとともに、トランジスタM4のゲート端子にも接続される。
上記実施形態のパワーオン検知回路によれば、第2の実施形態の効果の他に、以下のような効果を得ることができる。以下のような効果を得ることができる。
・ 上記実施形態では、入力電圧がパワーオンした場合に、インバータINV1の出力(ローレベル)がトランジスタM4のゲート端子に供給される。このため、トランジスタM4がオフして、トランジスタM1を流れる電流iM1は遮断される。これにより、消費電力の低減を図ることができる。
・ 上記実施形態では、入力電圧がパワーオンした場合に、インバータINV1の出力(ローレベル)がトランジスタM4のゲート端子に供給される。このため、トランジスタM4がオフして、トランジスタM1を流れる電流iM1は遮断される。これにより、消費電力の低減を図ることができる。
(第4の実施形態)
次に、本発明を具体化した第4の実施形態を図6、図7にしたがって説明する。第4の実施形態においては、第3の実施形態の電圧変換回路CNV3に対して、簡単化した構成を有する電圧変換回路CNV5を備えたパワーオン検知回路PD5であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
次に、本発明を具体化した第4の実施形態を図6、図7にしたがって説明する。第4の実施形態においては、第3の実施形態の電圧変換回路CNV3に対して、簡単化した構成を有する電圧変換回路CNV5を備えたパワーオン検知回路PD5であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
本実施形態では、電流比較回路CMP5、ラッチ回路LCH5は、第3の実施形態における電流比較回路CMP3、ラッチ回路LCH3に対応する構成を備える。そして、第1接続ノードとしての接続ノードND51、第2接続ノードとしての接続ノードND52が、それぞれ第3の実施形態の接続ノード(ND31、ND32)に対応する。
図6に示すように、第2の実施形態における回路においては、図6の(a1)に示すように抵抗(R1、R2、R3)を利用することにより、電圧Vbgは、トランジスタB1のベース・エミッタ間電圧(VBE)と抵抗R3による電圧(VR3)の合計となる。これにより、入力電圧V0と電圧Vbgとを一致させるとともに、図6の(a2)に示すように電圧Vbgの温度依存性をなくすことができる。この場合、トランジスタB1のコレクタ電流は、図6の(a3)に示すように温度依存性を有し、電流源I1の電流i1に一致する。
一方、図6の(b1)に示すように抵抗R3より小さな抵抗R4をトランジスタB1のエミッタ端子に接続し、ベース端子に入力電圧V0を供給する場合を想定する。ここで、図6の(b3)に示すように同じコレクタ電流(電流源I1の電流i1)を用いた場合、図6の(b2)に示すように、トランジスタB1のベース・エミッタ間電圧(VBE)と抵抗R4による電圧(VR5)の合計は、バンドギャップ電圧より小さくなり、温度依存性をもつことになる。しかし、抵抗(R1、R2)による電流消費をなくすることができる。
そこで、このような構成を、第3の実施形態の電圧変換回路CNV3に適用した電圧変換回路CNV5を備えたパワーオン検知回路PD5を備えている。
上記実施形態のパワーオン検知回路によれば、第1の実施形態の効果(1)、(2)、(4)、第2の実施形態の効果(5)、(6)の他に、以下のような効果を得ることができる。
上記実施形態のパワーオン検知回路によれば、第1の実施形態の効果(1)、(2)、(4)、第2の実施形態の効果(5)、(6)の他に、以下のような効果を得ることができる。
・ 上記実施形態では、トランジスタB1のエミッタ端子に接続し、ベース端子に入力電圧V0を供給することにより、トランジスタB1のパワーオンの少し前で立ち上がりを検知することができる。従来の技術のようにコンパレータを用いて、電圧の立ち上がりを検知することも可能であるが、この場合、コンパレータへの基準電圧の供給が問題となる。すなわち、この基準電圧はバンドギャップ回路で生成されるため、この基準電圧(メインの基準電圧)の立ち上がりを調べる必要があり、このために別の基準電圧が必要になる。この場合には、以下の条件が要求される。
(A)メインの基準電圧回路よりも必ず早く立ち上がること。
(B)誤検出とならないような精度(特に追従性)が必要であること。すなわち、基準電圧回路と検出回路の絶対誤差は大きくてもかまわないが、相対誤差はできる限り小さいこ
とが望ましい。
(A)メインの基準電圧回路よりも必ず早く立ち上がること。
(B)誤検出とならないような精度(特に追従性)が必要であること。すなわち、基準電圧回路と検出回路の絶対誤差は大きくてもかまわないが、相対誤差はできる限り小さいこ
とが望ましい。
そこで、本実施形態では、メインの基準電圧回路の機能を利用して、簡単な構成で必要な機能を実現する。
(a)バンドギャップ回路は、まず電圧の立ち上がりに対応したモニタ電流を生成し、このモニタ電流に基いてモニタ電圧を発生させる。基準電圧源の出力には負荷容量がつながっているので、モニタ電流が立ち上がった後にモニタ電圧の立ち上がりを検知する。
(b)電圧変換回路CNV1(トランジスタと抵抗)を、メインの基準電圧回路と同等にして、この電圧変換回路CNV1からの電流をカレントミラー回路により取り出すことにより、広い温度範囲での温度特性を同等にすることができる。
(a)バンドギャップ回路は、まず電圧の立ち上がりに対応したモニタ電流を生成し、このモニタ電流に基いてモニタ電圧を発生させる。基準電圧源の出力には負荷容量がつながっているので、モニタ電流が立ち上がった後にモニタ電圧の立ち上がりを検知する。
(b)電圧変換回路CNV1(トランジスタと抵抗)を、メインの基準電圧回路と同等にして、この電圧変換回路CNV1からの電流をカレントミラー回路により取り出すことにより、広い温度範囲での温度特性を同等にすることができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 上記第1の実施形態のパワーオン検知回路PD1は、電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV1と、パワーオンの検知信号維持するラッチ回路LCH1を含んで構成される。また、第3の実施形態のパワーオン検知回路PD3は、電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV3、パワーオンの検知信号維持するラッチ回路LCH3及び電流比較回路CMP3を含んで構成される。両者を組み合わせることも可能である。具体的には、電源ラインL1と接続ノードND22との間にトランジスタ(M5、M6)を設ける。これにより、電圧VND32のプルアップの速度を上げることができる。
○ 上記第1の実施形態のパワーオン検知回路PD1は、電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV1と、パワーオンの検知信号維持するラッチ回路LCH1を含んで構成される。また、第3の実施形態のパワーオン検知回路PD3は、電圧から電流に変換する電圧変換回路CNV3、パワーオンの検知信号維持するラッチ回路LCH3及び電流比較回路CMP3を含んで構成される。両者を組み合わせることも可能である。具体的には、電源ラインL1と接続ノードND22との間にトランジスタ(M5、M6)を設ける。これにより、電圧VND32のプルアップの速度を上げることができる。
○ 上記第4の実施形態のパワーオン検知回路PD5は、第3の実施形態における電流比較回路CMP3、ラッチ回路LCH3に対応する電流比較回路CMP5、ラッチ回路LCH5を用いて実現した。これに代えて、第1の実施形態のラッチ回路LCH1を用いて実現することも可能である。
○ 上記第4の実施形態のパワーオン検知回路PD5は、トランジスタM4を備えるが、このトランジスタM4を削除することも可能である。電圧変換回路CNV5における消費電流は大きくなるが、回路構成を簡単にすることができる。
L1…電源ライン、L0…接地ライン、PD1,PD2,PD3,PD5…パワーオン検知回路、CNV1,CNV2,CNV3,CNV4…電圧変換回路、LCH1,LCH2,LCH3,LCH4…ラッチ回路、CMP2,CMP3,CMP5…電流比較回路、B1…トランジスタ、M1,M2,M3,M4,M5,M6,M7,M11,M12,
M13…トランジスタ、INV1,INV2…インバータ、ND11,ND21,ND21,ND31,ND31,ND51,ND51…接続ノード、R1,R2,R3,R4…抵抗、C1,C2…容量、V0…入力電圧、RST…リセット信号。
M13…トランジスタ、INV1,INV2…インバータ、ND11,ND21,ND21,ND31,ND31,ND51,ND51…接続ノード、R1,R2,R3,R4…抵抗、C1,C2…容量、V0…入力電圧、RST…リセット信号。
Claims (7)
- 入力電圧を、絶対温度に比例する変換電流に変換して出力する変換手段と、
前記変換手段の変換電流が供給される第1接続ノードと、
前記第1接続ノードから変換電流が供給されて絶対温度に比例する第1電流を流すとともに、前記入力電圧が目標電圧になった場合の変換電流の値に一致する第1電流を出力する第1電流源と、
前記第1接続ノードに接続された第1フィルタと、
前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合に、前記第1フィルタにより生成される前記第1接続ノードの電位に対応してパワーオン検知信号を出力し保持するラッチ手段と
を備えたことを特徴とするパワーオン検知回路。 - 前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力し、前記フィードバック信号に応じて前記第1接続ノードの電位をプルアップすることを特徴とする請求項1に記載のパワーオン検知回路。
- 前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力して前記変換手段に供給し、
前記変換手段は、前記フィードバック信号に応じて前記変換電流の出力を停止することを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーオン検知回路。 - 前記ラッチ手段は、前記第1電流の値が前記変換電流の値を超えた場合にフィードバック信号を出力し、
前記第1接続ノードと前記第1電流源との間には、前記フィードバック信号が供給されるスイッチ手段を設け、
前記スイッチ手段は、前記フィードバック信号に応じて前記第1電流源への前記変換電流の供給を停止することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のパワーオン検知回路。 - 前記ラッチ手段は、リセット信号に応じて前記第1接続ノードの電位を共通電位にして、パワーオン検知信号の出力を停止するリセット手段を更に備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のパワーオン検知回路。
- 前記第1接続ノードには、第2電流値の電流を供給可能な第2電流源と、前記第2電流値より小さい第3電流値の電流を流す第3電流源及びスイッチ素子とを備えた電流コンパレータが接続され、
前記電流コンパレータの出力電流は第2接続ノードを介して第2フィルタに接続され、
前記第1接続ノードの電位により、前記電流コンパレータのスイッチ素子を駆動して、前記第1接続ノード及び前記第2電流源から供給される合成電流を前記第3電流源に流し、
前記ラッチ手段は、前記合成電流が前記第3電流値を超えた場合、前記第2フィルタにより生成される前記第2接続ノードの電位に対応して出力されるパワーオン検知信号の出力を保持することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のパワーオン検知回路。 - 前記ラッチ手段は、リセット信号に応じて前記第2接続ノードの電位を共通電位にして、パワーオン検知信号の出力を停止するリセット手段を更に備えたことを特徴とする請求項6に記載のパワーオン検知回路。
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