JP3748432B2 - 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム - Google Patents
発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP3748432B2 JP3748432B2 JP2002357930A JP2002357930A JP3748432B2 JP 3748432 B2 JP3748432 B2 JP 3748432B2 JP 2002357930 A JP2002357930 A JP 2002357930A JP 2002357930 A JP2002357930 A JP 2002357930A JP 3748432 B2 JP3748432 B2 JP 3748432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- light output
- emitting element
- pulse
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N lufenuron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(C(F)(F)F)F)=CC(Cl)=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 114
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 38
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 93
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 16
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムに関し、特に半導体発光素子を制御する発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信においては、発光素子として半導体レーザが一般的に用いられている。半導体レーザは、駆動電流が発振閾値電流（以下、「閾値電流」という）と呼ばれる電流値を超えると発光し、その光出力は閾値電流を超えた分の駆動電流に比例するという電流・光出力特性を有している。
半導体レーザは、直流バイアス電流とパルス電流とを重畳した駆動電流で駆動され、その駆動条件は電流・光出力特性に基づき適宜に設定される。
ところで、この電流・光出力特性は、環境温度や経年変化によって変動する。
このため、電流・光出力特性の変化に対応して、半導体レーザの駆動条件（直流バイアス電流とパルス電流）を変更することが試みられている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１４７４４６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電流・光出力特性の変化に応じた直流バイアス電流とパルス電流の設定は必ずしも容易ではなく、例えば光通信を一旦停止した状態でないと適切な直流バイアス電流とパルス電流の決定が困難な場合が多い。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、半導体発光素子の駆動条件（直流バイアス電流とパルス電流）の決定を広い条件下で行える発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために本発明に係る発光素子制御装置は、直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流によって駆動される半導体発光素子を制御する発光素子制御装置であって、前記半導体発光素子の光出力の時間平均を表す平均光出力情報に基づいて、該半導体発光素子に供給される電流の変化量と光出力の変化量との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出部と、前記電流光出力係数導出部によって導出された電流光出力係数に基づいて、前記駆動電流のパルス電流成分を決定するパルス電流決定部と、前記パルス電流制御決定部で決定されたパルス電流成分を含む駆動電流によって駆動される前記半導体発光素子の平均光出力情報に基づいて、前記駆動電流の直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定部と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
半導体発光素子の平均光出力情報を用いて導出された電流光出力係数に基づき、駆動電流のパルス電流成分を決定する。決定されたパルス電流成分を含む駆動電流で直流バイアス成分を変化しながら半導体発光素子の平均光出力を調節することで、直流バイアス成分を設定できる。
平均光出力に基づく電流光出力係数の導出は広い条件下で可能である。例えば、半導体発光素子がパルス電流に対応して高速に点滅している状態においても導出できる。これは、半導体発光素子の直流バイアス電流と閾値電流の大小関係を問わず導出可能であることに基づく。
この結果、広い条件下で、かつ応答の高速な光検出器を用いることなく、パルス電流成分および直流バイアス電流成分双方の決定を行うことが可能となる。
【０００７】
（２）本発明に係る駆動電流決定方法は、直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流で駆動される半導体発光素子の該駆動電流を決定する駆動電流決定方法であって、前記半導体発光素子を駆動する電流と光出力との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出ステップと、前記電流光出力係数導出ステップで導出された電流光出力係数に基づいて、パルス電流成分を決定するパルス電流決定ステップと、前記パルス電流決定ステップで決定されたパルス電流に基づいて、駆動電流を制御する駆動電流制御ステップと、前記駆動電流制御ステップで制御された駆動電流で駆動される前記半導体発光素子の光出力に基づいて、直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定ステップと、を具備することを特徴とする。
広い条件下で平均光出力に基づき導出可能な電流光出力係数を用いることで、広い条件下で、かつ応答の高速な光検出器を用いることなく、パルス電流成分および直流バイアス電流成分双方の決定を行なえる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係る光送信装置１０の構成を表すブロック図である。
光送信装置（光送信機）１０は、データ信号に対応して変調された変調光を送信する送信装置であり、半導体発光素子たる半導体レーザ１１、モニタＰＤ（Photo Diode）１２、光出力モニタ回路１３、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５、発光素子制御装置１６から構成される。
【０００９】
半導体レーザ１１は、直流バイアス電流（成分）Ｉｂとパルス電流（成分）Ｉｐとが重畳された駆動電流Ｉｄによって駆動される発光素子である。半導体レーザ１１はパルス電流Ｉｐによって、光通信で送信するデータ信号の０、１等それぞれに対応した複数の光強度Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎ間で高速に明滅する光（変調光）を出力する。
【００１０】
モニタＰＤ１２は、半導体レーザ１１の平均光出力（光出力の時間平均）Ｐａｖを検出する受光素子である。
光出力モニタ回路１３は、モニタＰＤ１２からの出力を電圧信号に変換し、半導体レーザ１１の出力光モニタ信号（平均光出力情報）として出力するための回路である。
モニタＰＤ１２および光出力モニタ回路１３では、半導体レーザ１１からの変調光そのもの（複数の光強度Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎそれぞれ）を直接的に検出する必要はなく、変調光の時間平均が検出できれば足りる。即ち、モニタＰＤ１２および光出力モニタ回路１３のいずれも応答速度がある程度遅い検出手段で足り、往々にして高価である高速な検出手段であることを要しない。
【００１１】
バイアス電流駆動回路１４は、半導体レーザ１１を駆動する駆動電流の直流バイアス電流成分Ｉｂを出力する回路であり、Ｉｂ制御信号（バイアス電流制御情報）を入力するバイアス制御情報入力部１７を有する。バイアス制御情報入力部１７から入力されたバイアス電流制御情報に基づいて、バイアス電流駆動回路１４から出力されるバイアス電流成分が設定される。
パルス電流駆動回路１５は、Ｉｐ制御信号（パルス電流制御情報）を入力するパルス制御情報入力部１８と光通信で送信するデータ信号を入力するデータ信号入力部１９とを有する回路である。
パルス電流駆動回路１５は、データ信号入力部１９で入力されたデータ信号に対応するパルス電流成分を出力する。また、パルス制御情報入力部１８から入力されたパルス電流制御情報に基づいて、パルス電流駆動回路１５から出力されるパルス電流成分が設定される。
【００１２】
バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５それぞれから出力されるバイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐは重畳され駆動電流Ｉｄとなって、半導体レーザ１１に供給される。
即ち、バイアス電流駆動回路１４とパルス電流駆動回路１５との組み合わせにより、半導体レーザ１１に駆動電流を供給する駆動電流供給部が構成されている。
【００１３】
発光素子制御装置１６は、光出力モニタ回路１３からの平均光出力情報を入力し、直流バイアス電流値およびパルス電流値を制御するためのＩｂ制御信号、Ｉｐ制御信号を生成する制御手段であり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１、メモリ（記憶装置）３０（ＲＡＭ３１、ＲＯＭ３２、フラッシュメモリ３３）、Ａ／Ｄ変換器４１、Ｄ／Ａ変換器４２、４３、Ｉ／Ｏ（入出力）ポート４４およびバス５１から構成されている。
【００１４】
ＣＰＵ２１は、演算処理装置であり、算術および論理演算、プログラムの実行にともなう制御を行っている。
メモリ３０は、プログラムとデータを記憶するもので、ＲＡＭ３１、ＲＯＭ３２、フラッシュメモリ３３に区分される。
ＲＡＭ３１は、読み出しと書き込みの両機能を持ち、データを記憶させたり、プログラムを実行するうえでの作業エリアとして用いられる揮発性のメモリである。
ＲＯＭ３２は、通常読み出し機能のみを持ち、プログラムや固定データの記憶に用いられる不揮発メモリである。
フラッシュメモリ３３は、電気的に書き換え可能な不揮発メモリで、後述する目標平均光出力や目標消光比等の制御用の定数を記憶したり、プログラムを記録するのに使用され、外部からプログラムを書き換えることにより光半導体レーザ等の仕様や特性のばらつきに対応した制御の調整、変更を行うことが可能とする。
【００１５】
Ａ／Ｄ変換器４１は、光出力モニタ回路１３から出力された出力モニタ信号をアナログ・ディジタル変換して入力する変換器であり、光出力情報入力部として機能する。
Ｄ／Ａ変換器４２、４３はそれぞれ、ＣＰＵ２１からの制御情報をディジタル・アナログ変換して、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５へＩｂ制御信号（バイアス電流制御情報）、Ｉｐ制御信号（パルス電流制御情報）として出力する変換器であり、制御情報出力部として機能する。
Ｉ／Ｏポート４４は、ＣＰＵ２１と光送信装置１０外部の入出力装置との間でのデータの受け渡しを行っている。即ち、光送信装置１０外部からの通信や半導体レーザ１１に対する制御は、Ｉ／Ｏポート４４を介して行われる。
バス５１は、複数の信号線からなり、ＣＰＵ２１、メモリ３０等発光素子制御装置１６内部でのデータのやり取りを行っている。
【００１６】
以上に示したように、本実施形態では、発光素子制御装置１６としてマイクロコンピュータを用い、ソフトウェア（プログラム）により半導体レーザ１１を制御している。
ＣＰＵ２１がソフトウェアによって動作することで、電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出部、駆動電流のパルス電流成分を決定するパルス電流決定部、駆動電流の直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定部、半導体発光素子の光出力が所定の許容範囲内から外れたことを検知する光出力変動検知部が構成される。
【００１７】
（光送信装置１０の制御の基本的な考え方）
以下、光送信装置１０の制御方式についての基本的な考え方を説明する。
Ａ．半導体レーザの電流・光出力特性と直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐとの関係
図２は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
本図に示すように、半導体レーザ１１は、駆動電流Ｉｄが発振閾値電流Ｉｔｈ（以下、閾値電流）を超えると発光し、その光出力Ｐは閾値電流を超えた分の駆動電流に比例するという電流・光出力特性を有している。
【００１８】
即ち、半導体レーザ１１の電流・光出力特性は、次の式（１）で近似的に表すことが可能である。
Ｐ＝η（Ｉｄ−Ｉｔｈ） ……（１）
ここで、
Ｉｔｈ：半導体レーザ１１の閾値電流
η：電流光変換効率（駆動電流Ｉｄの変化量と光出力Ｐの変化量との対応関係を表し、具体的には駆動電流Ｉｄと光出力Ｐの比例関係を表す比例定数）
である。
半導体レーザ１１の温度環境等の変動による電流・光出力特性の変化は、閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率ηの変化として表すことができる。
【００１９】
半導体レーザ１１は、直流バイアス電流Ｉｂと入力データ信号に応じて変調されたパルス電流Ｉｐとを重畳した駆動電流Ｉｄで駆動される。なお、直流バイアス電流Ｉｂは閾値電流Ｉｔｈより大きい値に設定されることが好ましい。半導体レーザ１１の時間応答をより高速にするためである。
半導体レーザ１１からの光出力Ｐは、パルス電流ＩｐのＯＮ／ＯＦＦに対応して、最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎの間を行き来する。このときの最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎは、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐによって以下の式（２）〜（４）のように表される。
【００２０】
Ｐｍａｘ＝η（Ｉｂ＋Ｉｐ−Ｉｔｈ） ……（２）
Ｐｍｉｎ＝η（Ｉｂ−Ｉｔｈ） （Ｉｂ≧Ｉｔｈ） ……（３）
Ｐｍｉｎ＝０ （Ｉｂ＜Ｉｔｈ） ……（４）
【００２１】
Ｂ．「直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ」と「平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲ」との関係
このような光送信装置１０（半導体レーザ１１）からの光出力は、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲ（extinction ratio）によって規定される場合が多い。即ち、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が変化しても、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲが同一であることが好ましい。
以下に示すように、本実施形態では、電流・光出力特性（閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率η）が変化しても、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲが一定に保たれるように半導体レーザ１１に供給される直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐを制御することを可能としている。
【００２２】
次の式（５）、（６）に示すように、平均光出力Ｐａｖは半導体レーザ１１からの光出力Ｐの時間平均によって、消光比ＥＲは最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの比によって、それぞれ定義される。
Ｐａｖ＝∫Ｐ・ｄｔ／∫ｄｔ ……（５）
ＥＲ＝Ｐｍａｘ／Ｐｍｉｎ ……（６）
ここで、∫：積分記号 である。
【００２３】
データ信号の方式には、一般にＲＺ（Return-to-Zero）方式、ＮＲＺ（Non-Return-to-Zero）方式の２通りが用いられる。ＲＺ方式では、１のデータを表している期間中で光出力がＰｍａｘを保持する。ＮＲＺ方式では、１のデータを表している期間の前半の光出力がＰｍａｘでその後半に光出力がＰｍｉｎへと復帰する。
また、１、０の信号が出現する比率がマーク率Ｍとして規定される場合が多い。
【００２４】
式（５）で定義された平均光出力Ｐａｖは、このような信号方式およびマーク率Ｍの相違に対応して以下の式（７）によって表される。
Ｐａｖ＝ａ・Ｍ・Ｐｍａｘ＋（１−ａ・Ｍ）・Ｐｍｉｎ ……（７）
ここで、
ａ：データ信号が１の期間においてＰｍａｘとＰｍｉｎが出現する比率を定める係数（ＲＺ方式のときａ＝１／２、ＮＲＺ方式のときａ＝１）
である。
【００２５】
式（６）、（７）に式（２）、（３）を代入することで、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈ以上（Ｉｂ≧Ｉｔｈ）の場合の平均光出力Ｐａｖおよび消光比ＥＲを表す次の式（８）、（９）を導出できる。
Ｐａｖ＝η［Ｉｂ−Ｉｔｈ＋ａ・Ｍ・Ｉｐ］ ……（８）
ＥＲ＝（Ｉｐ＋Ｉｂ−Ｉｔｈ）／（Ｉｂ−Ｉｔｈ） ……（９）
また、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さい（Ｉｂ＜Ｉｔｈ）場合の平均光出力Ｐａｖは以下の式（１０）のように表される。
Ｐａｖ＝η［ａ・Ｍ・（Ｉｂ＋Ｉｐ−Ｉｔｈ）］ ……（１０）
【００２６】
式（８）、（９）より、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐは、以下の式（１１）、（１２）によって表される。
Ｉｐ＝Ｐａｖ（ＥＲ−１）／［η・（１＋ａ・Ｍ・（ＥＲ−１））］……（１１）
Ｉｂ＝Ｐａｖ／［η・（１＋ａ・Ｍ・（ＥＲ−１））］＋Ｉｔｈ……（１２）
従って、環境温度や、経年変化によって変化した後の電流光変換効率ηおよび閾値電流Ｉｔｈが判れば、式（１１）、（１２）によって得られる直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ、で半導体レーザ１１を駆動することで、平均光出力Ｐａｖおよび消光比ＥＲを一定に保つことができる。
【００２７】
Ｃ．直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの決定の基本的な考え方
ここで、このような駆動電流Ｉｄの制御がインサービス状態（データ信号を光出力により送信している状態）で行えることが好ましい。このため、本実施形態では、電流光変換効率ηおよび平均光出力Ｐａｖを用いて、直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐを調節する。即ち、本実施形態では、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出は行わない。
【００２８】
(1) 本実施形態で、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出を行わない理由は以下の通りである。
既に述べたように平均光出力Ｐａｖは、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈ以上かそうでないかに対応して、異なる式（８）、（１０）で表される。そして、温度変化等による閾値電流Ｉｔｈの増大に伴い直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さくなる（Ｉｂ＜Ｉｔｈ）可能性がある。このため、閾値電流Ｉｔｈの算出には「Ｉｂ≧Ｉｔｈ」であるか否かの判断が必要になる。
【００２９】
インサービス状態であることを前提としなければ、Ｉｂを大きく変動させることで、閾値電流Ｉｔｈを求めることができる。また、モニタＰＤ１２に換えて高速応答性を有する（平均光出力Ｐａｖではなく、最大、最小光出力Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎそれぞれを識別して検出できる）光検出器を用いれば、「Ｉｂ＜Ｉｔｈ」であるか否かの判定は容易に行える。
しかしながら、インサービス状態を前提として、しかも平均光出力Ｐａｖを検知することで（言い換えれば、応答速度の遅い光検出器を用いて）、閾値電流Ｉｔｈを直接的に検出するのは困難である。
以上が本実施形態において、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出を行わない理由である。
【００３０】
(2) これに対して、電流光変換効率ηはインサービス状態での平均光出力Ｐａｖから容易に検出できる。
式（８）、（１０）において、パルス電流ＩｐをＩｐからＩｐ＋ΔＩｐに変化させたときに平均光出力がＰａｖからＰａｖ＋ΔＰａｖへと変化したとする。このとき、式（８）、（１０）のいずれでも電流光変換効率ηは次の式（１３）で表される。
η＝ΔＰａｖ／（ａ・Ｍ・ΔＩｐ） ……（１３）
【００３１】
以上のように、電流光変換効率ηは、「Ｉｂ≧Ｉｔｈ」であるか否かに拘わらず、同一の式（１３）で算出できる。
即ち、パルス電流ＩｐにΔＩｐだけの変化を与え、そのときの平均光出力Ｐａｖの変化ΔＰａｖを検出することで、電流光変換効率ηを求めることができる。このとき駆動電流ΔＩｄを伝送特性に影響を与えないほど小さい変化量にしておくことにより、光信号の出力を停止することなく（インサービス状態で）電流光変換効率ηを検出できる。
【００３２】
Ｄ．直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの決定手法の概要
本実施形態では、後述するように電流光変換効率ηを求め、さらに目標平均光出力Ｐａｖ０、目標消光比ＥＲ０を基に、パルス電流Ｉｐを式（１１）より算出する。そして、パルス電流Ｉｐを算出されたパルス電流Ｉｐに設定した状態で、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０になるように直流バイアス電流Ｉｂを調節する。このような制御により直流バイアス電流Ｉｂは自動的に式（１２）から定まる値に調節される。
以上のようにして、閾値電流Ｉｔｈの検出を不要として、インサービス状態での直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ双方の調節を可能としている。
【００３３】
（光送信装置１０の制御手順）
以下、光送信装置１０の制御手順を説明する。
Ａ．光送信装置１０によるデータ信号送信開始前における制御
まず、パワーオン時等、光送信装置１０の信号送信開始前における制御手順について説明する。
図３は、光送信装置１０の信号送信開始前における制御手順の一例を表すフロー図であり、図４はこのときの半導体レーザ１１の電流・光出力特性を表すグラフである。
【００３４】
（１）光送信装置１０の信号送信開始前において、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５それぞれの直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの初期値は最初０に設定される（ステップＳ１０１）。
その後、パルス電流Ｉｐを所定のステップパルス電流ΔＩｐ分だけ徐々に増やし、モニタＰＤ１２で検出される平均光出力Ｐａｖを参照する（ステップＳ１０２、Ｓ１０３）。
検出された平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となるまでパルス電流Ｉｐを増加させる（ステップＳ１０４）。
但し、ここでは、電流光変換効率ηを算出するための測定のために平均光出力Ｐａｖの一応の設定を行うに過ぎないため、平均光出力Ｐａｖを目標平均光出力Ｐａｖ０に一致させることにそれほど拘る必要はない。検出される平均光出力Ｐａｖがある程度以上の値であれば充分である。
なお、ステップＳ１０４での判断が「Ｙｅｓ」とされたときのパルス電流ＩｐをＩｐ０１、このときの平均光出力Ｐａｖ０１とする
【００３５】
（２）電流光変換効率ηの算出、算出された電流光変換効率ηに基づくパルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
この算出、設定は具体的には以下の手順で行われる。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ０１’（＝Ｉｐ０１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ１０５）、このときの平均光出力Ｐａｖ０１’（＝Ｐａｖ０１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ１０６）。
b. 式（１３）に基づき、電流光変換効率ηを算出する（ステップＳ１０７の前半）。ここで、算出された電流光変換効率ηをη１とする。
c. 式（１１）に基づきパルス電流Ｉｐを算出し（算出されたパルス電流値をＩｐ０２とする）、パルス電流ＩｐをＩｐ０２に設定する（ステップＳ１０７の後半）。
なお、図３、４に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（１１）に対応している。
【００３６】
（３）直流バイアス電流Ｉｂを目標平均光出力Ｐａｖ０に対応するように設定する。
この設定は、具体的には以下のように行われる。
直流バイアス電流Ｉｂをステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に増やし（ステップＳ１０８）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ１０９）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ１１０）。このように設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ０１とする。
【００３７】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流ＩｐそれぞれがＩｂ０１、Ｉｐ０２に設定される。
【００３８】
Ｂ．光送信装置１０によるデータ信号送信中（インサービス状態）における制御次に、上述した制御手順で直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流ＩｐがＩｂ０１、Ｉｐ０２に設定された後に、環境温度の変化や経年変化によって半導体レーザ１１の電流・光出力特性（閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率η）が変化した場合の制御手順について説明する。
【００３９】
図５は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が変化した場合の制御手順を表すフロー図である。
また、図６、７はそれぞれ平均光出力Ｐａｖが減少、増加した場合の制御の手順、および変化前後の半導体レーザ１１の電流・光出力特性を表すグラフである。図６では直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さくなってしまった場合を示し。図７では電流・光出力特性の変化に伴い直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより大きくなってしまった場合を示している。
なお、平均光出力Ｐａｖの減少、増加は、それぞれ閾値電流Ｉｔｈの増加、減少または電流光変換効率ηの減少、増加によって生じうる。
【００４０】
（１）発光素子制御装置１６は、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かを監視する。
この監視は、モニタＰＤ１２で検出された平均光出力Ｐａｖを参照し（ステップＳ２０１）、検出された平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以内であるかを判断することによって行われる（ステップＳ２０２）。この判断がＹｅｓであれば、電流・光出力特性には特段の変化がないと考えられる。
【００４１】
ステップＳ２０２での判断がＮｏとなれば、電流・光出力特性に変化があると考えられ（少なくとも電流光変換効率ηと閾値電流Ｉｔｈの一方が変化）、ステップＳ２０３以降の直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐの再設定が開始される。
なお、ステップＳ２０２での判断がＮｏとされたときのパルス電流ＩｐをＩｐ１、このときの平均光出力Ｐａｖ１とする
【００４２】
（２）電流光変換効率ηの算出、算出された電流光変換効率ηに基づくパルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
この算出、設定は具体的には以下の手順で行われる。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ１’（＝Ｉｐ１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ２０３）、このときの平均光出力Ｐａｖ１’（＝Ｐａｖ１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ２０４）。
b. 式（１３）に基づき、電流光変換効率ηを算出する（ステップＳ２０５の前半）。既に述べたように、式（１３）は、直流バイアス電流Ｉｂと閾値電流Ｉｔｈの大小関係を問題とせず適用可能であるので、図６、７いずれの場合でも同一の式（１３）で算出できる。図６、７それぞれの場合で算出された電流光変換効率ηをη２、η３とする。
c. 式（１１）に基づきパルス電流Ｉｐを算出し（図６、７それぞれの場合で算出されたパルス電流値をＩｐ２、Ｉｐ３とする）、パルス電流ＩｐをＩｐ２、Ｉｐ３に設定する（ステップＳ２０５の後半）。
なお、図５〜７に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（１１）に対応している。
【００４３】
（３）直流バイアス電流Ｉｂを目標平均光出力Ｐａｖ０に対応するように設定する。
この設定は、具体的には以下のように行われる。
a. まず、パルス電流ＩｐをＩｐ２、Ｉｐ３それぞれに再設定したときの平均光出力Ｐａｖを参照し（ステップＳ２０６）、参照された平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０以下であるか否かを判断する（ステップＳ２０７）。
この判断は、平均光出力Ｐａｖを増加すべきか、減少すべきかを決定するために行われる。
b. ステップＳ２０７での判断がＹｅｓのときは、直流バイアス電流Ｉｂを当初の設定値よりステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に増やし（ステップＳ２０８）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ２０９）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ２１０）。このとき設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ２とする。
一方、ステップＳ２０７での判断がＮｏのときは、直流バイアス電流Ｉｂを当初の設定値よりステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に減らし（ステップＳ２１１）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ２１２）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ２１３）。このとき設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ３とする。
【００４４】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流ＩｂがＩｂ２、Ｉｂ３に、パルス電流ＩｐがＩｐ２、Ｉｐ３にそれぞれ設定される。
ステップＳ２１０、Ｓ２１３で設定が完了すると、ステップＳ２０１に戻って、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かの監視が行われる。
【００４５】
上述した制御動作を常時繰り返すことで、環境温度変化や経年変化による半導体レーザ１１の電流・光出力特性の変化を補償し、常に所定の平均光出力Ｐａｖと消光比ＥＲを維持することができる。
しかも、本実施形態ではインサービス状態で、半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈおよび電流光変換効率ηの変動を補償し、平均光出力Ｐａｖや消光比ＥＲを一定に保つことが可能になる
【００４６】
（第２実施形態）
図８は本発明の第２の実施形態に係る光送信装置２０の構成を表すブロック図である。
光送信装置２０は、データ信号に対応して変調された変調光を送信する送信装置であり、半導体レーザ１１、モニタＰＤ１２、光出力モニタ回路１３、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５、発光素子制御装置６０、サーミスタ６１，温度モニタ回路６２、Ａ／Ｄ変換器６３から構成される。即ち、光送信装置２０は、サーミスタ６１，温度モニタ回路６２、Ａ／Ｄ変換器６３を有する点で光送信装置１０とは異なる。
【００４７】
サーミスタ６１は、半導体レーザ１１に近接あるいは接触して配置され、半導体レーザ１１の温度に応じてその抵抗が変化する。即ち、サーミスタ６１は、半導体レーザ１１の温度を測定するための温度センサとして機能する。
温度モニタ回路６２は、サーミスタ６１に電気的に接続され、サーミスタ６１の抵抗値を半導体レーザ１１の温度に対応する電圧に変換し温度モニタ信号として出力する変換器である。
Ａ／Ｄ変換器６３は、温度モニタ回路６２から出力された温度モニタ信号をアナログ・ディジタル変換して入力する変換器であり、温度情報入力部として機能する。
【００４８】
本実施形態では、フラッシュメモリ３３に電流光変換効率補正テーブルが記憶されている。電流光変換効率補正テーブルは、電流・光出力特性の非線形性に起因する電流光変換効率ηの誤差を補正するための電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が温度Ｔと対応して表されたテーブルであり、その詳細は後述する。
また、ＲＯＭ３２には電流光変換効率補正テーブルを用いて電流光変換効率ηを補正するためのソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアとＣＰＵ２１との組み合わせによって、電流光変換効率η（電流光出力係数）を補正する電流光出力係数補正部が構成される。
なお、光送信装置２０のその他の要素については、光送信装置１０と大きく異なる訳ではないので、説明を省略する。
【００４９】
（光送信装置２０の制御の基本的な考え方）
以下、光送信装置２０の制御方式についての基本的な考え方を説明する。
第１の実施形態では半導体レーザ１１の電流・光出力特性がおおむね線形であることを前提としていたが、本実施形態では半導体レーザ１１の電流・光出力特性が非線形を有する可能性を考慮している。半導体レーザ１１の特性を子細に見た場合にはある程度の非線形性を有する。特に半導体レーザ１１を高温下あるいは高光出力で動作させた場合には、電流・光出力特性が高電流側（最大光出力Ｐｍａｘ付近）で飽和するようになり、非線形性が大きくなる。
【００５０】
図９は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性の温度依存性を表すグラフである。本図では、温度Ｔ１（室温）、温度Ｔ２（高温）それぞれの場合の電流・光出力特性のグラフＬ１，Ｌ２が示されている。最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間において、温度Ｔ１では電流・光出力特性の線形性が確保されているのに対して、温度Ｔ２では電流・光出力特性に非線形が生じている。即ち、グラフＬ２は、その最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの点Ａ，Ｂを結ぶ直線Ｌ０と一致していない。
【００５１】
図９の例では、温度Ｔ１において電流・光出力特性の線形性が確保されるように最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘを設定している。電流・光出力特性の線形領域を越えて最大光出力Ｐｍａｘを設定した場合には、温度Ｔ１においても電流・光出力特性の非線形性が問題になりうる。以下、温度変化によって電流・光出力特性に非線形が生じた場合を例にして説明するが、半導体レーザ１１を高光出力で動作させることによって非線形性が生じた場合も同様である。
【００５２】
電流・光出力特性の非線形性が大きくなると、式（１３）に基づいて測定された電流光変換効率ηをそのまま式（１１）に代入してパルス電流Ｉｐを算出することが必ずしも適切ではなくなる。即ち、式（１１）、（１３）それぞれにおける電流光変換効率ηに違いが生じる。具体的には式（１３）で導出された電流光変換効率ηが電流・光出力特性が線形である場合よりも小さくなる（平均光出力の変化値ΔＰａｖが小さくなる）。
この場合、式（１１）により導出されるパルス電流Ｉｐは、本来の値よりも大きくなる。従い、式（９）から判るように、半導体レーザ１１の消光比ＥＲが必要以上に増大する。その結果、最小光出力Ｐｍｉｎに対応する駆動電流Ｉｄが半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈに近接するか、場合によっては閾値電流Ｉｔｈ以下となる可能性が生じる。
【００５３】
半導体レーザ１１を閾値電流Ｉｔｈ以下の駆動電流Ｉｄ（最低光出力Ｐｍｉｎの場合）と閾値電流Ｉｔｈを越えた駆動電流Ｉｄ（最低光出力Ｐｍａｘの場合）との間で動作させるとその発光線幅（スペクトル幅）が増大し易くなる。発光線幅が増大すると、光ファイバで光のパルスを伝送したときにそのパルスの形状が崩れ（一般に、光ファイバ内を光が伝搬する速度は光の波長によって微妙に異なる）、分散ペナルティー特性（半導体レーザ１１からの光を光ファイバで伝送したときの受信感度の劣化）が大きくなる可能性がある。
【００５４】
式（１１）、（１３）における電流光変換効率ηをそれぞれη０（Ｔ），ηｍ（Ｔ）とおくと次の式（２１）、（２２）のように表される。なお、η０（Ｔ），ηｍ（Ｔ）は、電流光変換効率η０，ηｍそれぞれが温度Ｔによって変化する（温度Ｔの関数である）ことを表す。
【００５５】
Ａ．電流光変換効率ηｍ（Ｔ）について
式（２１）は式（１３）に対応し、この式（２１）に基づいて電流光変換効率ηが測定される。即ち、式（２１）は測定値たる電流光変換効率ηｍ（Ｔ）を定義する式といってよい。
半導体レーザ１１がインサービス状態の場合には、半導体レーザ１１は最大光出力Ｐｍａｘ（ドライブ電流Ｉｄ＝Ｉｂ＋Ｉｐ）、最低光出力Ｐｍｉｎ（ドライブ電流Ｉｄ＝Ｉｂ）それぞれのパルスを出力している。この状態でパルス電流Ｉｐを微少量ΔＩｐだけ変化させた場合、式（２１）は次の式（２３）によって表される（このとき、直流バイアス電流Ｉｂは一定であるから最低光出力Ｐｍｉｎは変化しない）。
【００５６】
ここで、
ｄＰｍａｘ／ｄＩｐ：最大光出力Ｐｍａｘの点における、電流・光出力特性曲線（グラフＬ２）の微分係数（図９の点ＢにおけるグラフＬ２の接線Ｃの傾き）
である。
即ち、式（２１）に基づいて測定された電流光変換効率ηｍ（Ｔ）は図９のグラフＬ２の接線Ｃの傾きに対応する量であり、「ａ・Ｍ＝１」なら接線Ｃの傾きそのものとなる。
【００５７】
Ｂ．電流光変換効率η０（Ｔ）について
一方、式（２２）は式（１）のように電流・光出力特性に線形性があることを前提に導き出される式である。しかしながら、式（１）から式（１１）の導出過程では、最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの２値のみを取るデジタル制御であることを前提としている。即ち、必ずしも式（１）のように電流・光出力特性そのものが線形に表されることは必要ではなく、最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの値のみが式（１）に相当する式で表されれば足りる。
以上から、式（２２）における電流光変換効率η０（Ｔ）を以下の式（２４）のように定義すれば良いことが判る。
η０（Ｔ）＝（Ｐｍａｘ−Ｐｍｉｎ）／Ｉｐ ……（２４）
【００５８】
半導体レーザ１１の電流・光出力特性は、式（１）に換えて次の式（２５）で表される。
Ｐ＝η０（Ｔ）・（Ｉｄ−Ｉｔｈ０（Ｔ）） ……（２５）
式（２５）は、図９においてグラフＬ２の最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの点Ａ，Ｂを結んだ直線Ｌ０として表される。Ｉｔｈ０（Ｔ）はこのグラフが横軸と交わった箇所における駆動電流値を表し、温度Ｔのときの半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈ（Ｔ）そのものとの相違が許容される。
【００５９】
図９から判るように、式（２５）（直線Ｌ０）は点Ａ，Ｂ（最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの点）以外では光出力Ｐを必ずしも正確に表すものとは言えない。しかしながら、光出力Ｐの値が最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎのみを取ることを考慮すると、駆動電流Ｉｄと光出力Ｐとの関係を正確に表しているといってよい。
以上から判るように、式（１）〜（１２）は全て、ηをη０（Ｔ）にＩｔｈをＩｔｈ０（Ｔ）に置き換えても成立する。
【００６０】
Ｃ．電流光変換効率補正係数α（Ｔ）について
ηｍ（Ｔ）とη０（Ｔ）の関係は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を次の式（２６）のように定義することで表すことができる。
α（Ｔ）＝η０（Ｔ）／ηｍ（Ｔ） ……（２６）
この式（２６）を用いて式（２２）を表すと、次の式（２７）になる。
即ち、予め電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を求めておけば、式（２１）に基づき測定された電流光変換効率η０（Ｔ）を式（２７）に代入することで、パルス電流Ｉｂ等を適切に導出することが可能となる。
【００６１】
（電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出）
電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出は次のようにして実験的に行うことができる。
図１０は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する手順を表すフロー図である。以下、図１０に基づき電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出過程を説明する。
【００６２】
（１）半導体レーザ１１の温度設定（ステップＳ５０１）
半導体レーザ１１を所定の温度Ｔに設定する。この設定は、半導体レーザ１１を例えば恒温槽内に配置して恒温槽を適宜に制御することで行える。
（２）半導体レーザ１１の電流・光出力特性の測定（ステップＳ５０２）
ステップＳ５０１で設定された温度Ｔで半導体レーザ１１の駆動電流Ｉｄを変化させ、このときの光出力Ｐを測定する。この結果は、例えば、図９のようなグラフに表すことができる。
【００６３】
（３）電流光変換効率η０（Ｔ）の導出（ステップＳ５０３）
ステップＳ５０２で測定された電流・光出力特性から最小光出力Ｐｍｉｎと最大光出力Ｐｍａｘそれぞれのときの駆動電流Ｉｄ１，Ｉｄ２を求める。この最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎには、規格値が定められている場合が多いので、この規格値を用いることができる。
最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ、駆動電流Ｉｄ１，Ｉｄ２を用い、式（２４）に基づき電流光変換効率η０（Ｔ）を算出することができる。ここで、「Ｉｐ＝Ｉｄ２−Ｉｄ１」である。
【００６４】
（４）電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の導出（ステップＳ５０４）
既述のように、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）は式（２３）で表される。従い、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）はステップＳ５０２で測定された電流・光出力特性に基づき数学的に導出できる（図９のグラフＬ２の点Ｂにおける接線の傾きを求める）。
また、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の導出を式（２１）に基づいて行うことも可能である。即ち、半導体レーザ１１を最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間でデジタル動作させ、パルス電流Ｉｐを微少量ΔＩｐ変化させたときの平均光出力Ｐａｖの微少変化量ｄＰａｖを測定する。
【００６５】
（５）電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出（ステップＳ５０５）
式（２６）に基づき、η０（Ｔ）を電流光変換効率ηｍ（Ｔ）で除算することで電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を算出できる。
（６）半導体レーザ１１の温度設定の変更（ステップＳ５０６、Ｓ５０１）
以下、全ての設定温度で電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が導出されるまで、半導体レーザ１１の温度設定を変更し、ステップＳ５０２〜Ｓ５０５を繰り返す。
【００６６】
（電流光変換効率補正テーブルの具体例）
図１１は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が含まれる電流光変換効率補正テーブルの一例を表す図である。
本図に表された電流光変換効率補正テーブルには、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が温度Ｔと対応して表されている。この例では、低温（−４０℃）から室温（２５℃）にかけて電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が１．０である。即ち、電流光変換効率ηｍ、η０がほぼ同一であり、最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間では電流・光出力特性の非線形性がほぼ無視できる。これに対して高温域（７５〜８５℃）では電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が１より大きくなり、最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎの間で電流・光出力特性に非線形性が生じている。
【００６７】
（光送信装置２０の制御手順）
光送信装置２０によるデータ信号送信中（インサービス状態）における制御について説明する。
図１２は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が非線形性も含めて変化した場合の制御手順を表すフロー図である。このフロー図では、図５のフロー図のステップＳ２０５に換えてステップＳ６０１〜Ｓ６０３が挿入されている。
【００６８】
（１）発光素子制御装置６０は、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かを監視する（ステップＳ２０１、Ｓ２０２）。
この監視工程は、第１の実施形態と同様のため、説明を省略する。
【００６９】
（２）電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の算出、補正、パルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ２（＝Ｉｐ１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ２０３）、このときの平均光出力Ｐａｖ２（＝Ｐａｖ１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ２０５）。
【００７０】
b. 半導体レーザ１１の温度Ｔが測定され（ステップＳ６０１）、測定された温度Ｔに対応する電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が導出される（ステップＳ６０２）。
発光素子制御装置６０は、温度モニタ回路６２を通じてサーミスタ６１によって測定された温度Ｔの情報を取り込み、さらに電流光変換効率補正テーブルに基づき温度Ｔに対応する電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する。
なお、電流光変換効率補正テーブル上の電流光変換効率補正係数αを補間（内挿）することで、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）をより精度よく導出することができる。電流光変換効率補正テーブル上の電流光変換効率補正係数αが特定の温度に限られる不連続的な量（離散的な量）だからである。
【００７１】
c. 式（２１）に基づき、電流光変換効率ηｍを算出し（ステップＳ６０３の前半）、式（２７）に基づきパルス電流Ｉｐを算出する（ステップＳ６０３の後半）。
ここで図１２に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（２７）に対応している。このとき、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）乗算して、電流光変換効率ηｍを補正することで、正確なパルス電流Ｉｐの算出が可能となる。
【００７２】
既述のように、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）は、電流光変換効率ηｍが最大光出力Ｐｍａｘの地点での電流・光出力の傾き（図９の直線Ｃの傾き）に対応することを前提としている（式（２３）、（２７）参照）。インサービス中での平均光出力ＰａｖはステップＳ２０１，Ｓ２０２により常時監視されているので、平均光出力Ｐａｖが基準値Ｐａｖ１から大きく外れることはなく、半導体レーザ１１は最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの目標値付近でデジタル動作をしている。このため、式（２３）、（２７）に基づく電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を用いて、電流光変換効率ηｍを適正に補正することができる。
以下のステップＳ２０６〜Ｓ２１３は第１の実施形態で説明した工程と同様なので説明を省略する。
【００７３】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐそれぞれが設定される。なお、これは最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘが目標値に設定されたことをも意味する。
ステップＳ２１０、Ｓ２１３で設定が完了すると、ステップＳ２０１に戻って、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かの監視が行われる。
【００７４】
上述した制御動作を常時繰り返すことで、環境温度変化や経年変化による半導体レーザ１１の電流・光出力特性の変化を補償し、常に所定の平均光出力Ｐａｖと消光比ＥＲを維持することができる。さらに、高温動作時あるいは高出力動作時にパルス駆動電流Ｉｐが過剰にならないようにすることができる。
以上のように、インサービス状態で、半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈおよび電流光変換効率ηの変動、さらに電流・光出力特性に生じた非線形性を補償し、平均光出力Ｐａｖや消光比ＥＲを一定に保つことが可能になる。
【００７５】
第１の実施形態と同様に、本実施形態でもサービス開始前に電流光変換効率ηの補正を行うことができる。これを可能とするフロー図は、図３のステップＳ１０７に換えて、図１２のステップＳ６０１〜Ｓ６０３の工程を挿入することで表される。これは、電流光変換効率ηの補正を行う点について図１２と大きく異なる訳ではないので詳細な説明を省略する。
【００７６】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記実施形態には限られず拡張、変更できる。拡張、変更された実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）例えば、上記実施形態では半導体レーザを用いたが、本発明は半導体レーザに限らず半導体発光素子一般に適用可能である。
また、電流・光出力特性に換えて、電圧・光出力特性を用いることもできる。即ち、電圧・光出力特性は電流・光出力特性に対応するものであり、実質的に電流・光出力特性そのものといっても差し支えない。
【００７７】
（２）上記実施形態では平均光出力および消光比が一定に保たれるように半導体レーザを制御しているが、必ずしも平均光出力および消光比の値そのものに拘る必要はなく、他のパラメータ（例えば、最大光出力、最低光出力）に基づいて半導体レーザを制御することも可能である。
【００７８】
（３）上記実施形態では、半導体レーザの電流・光出力特性の一次近似式を用いて直流バイアス電流、パルス電流を決定しているが、電流・光出力特性をより高次の近似を行っても差し支えない。
電流光変換効率の導出が、直流バイアス電流と閾値電流の大小関係に大きな影響を受けることがなく行えれば、電流・光出力特性の近似式に何を用いるかは大きな問題とはならない。
この意味では、光出力の電流に対する勾配で定義される電流光変換効率に換えて広く電流と光出力それぞれの変化の対応関係を表す電流光出力関係一般を用いてパルス電流等を決定することも可能である。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば半導体発光素子の駆動条件の決定を広い条件下で行える発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１実施形態に係る光送信装置の構成を表すブロック図である。
【図２】 半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図３】 図１に示した光送信装置のデータ信号送信開始前における制御手順の一例を表すフロー図である。
【図４】 図３に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図５】 図１に示した光送信装置のデータ信号送信中における制御手順の一例を表すフロー図である。
【図６】 図５に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図７】 図５に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の他の一例を表すグラフである。
【図８】 本発明の第２の実施形態に係る光送信装置の構成を表すブロック図である。
【図９】 半導体レーザの電流・光出力特性の温度依存性を表すグラフである。
【図１０】 電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する手順を表すフロー図である。
【図１１】 電流光変換効率補正テーブルの一例を表す図である。
【図１２】 図８に示した光送信装置のデータ信号送信中における制御手順の一例を表すフロー図である。
【符号の説明】
１０…光送信装置、１１…半導体レーザ、１２…モニタＰＤ、１３…光出力モニタ回路、１４…バイアス電流駆動回路、１５…パルス電流駆動回路、１６…発光素子制御装置、１７…バイアス制御情報入力部、１８…パルス制御情報入力部、１９…データ信号入力部、２１…ＣＰＵ、３０…メモリ、３１…ＲＡＭ、３２…ＲＯＭ、３３…フラッシュメモリ、４１…Ａ／Ｄ変換器、４２，４３…Ｄ／Ａ変換器、４４…Ｉ／Ｏポート、５１…バス
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムに関し、特に半導体発光素子を制御する発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信においては、発光素子として半導体レーザが一般的に用いられている。半導体レーザは、駆動電流が発振閾値電流（以下、「閾値電流」という）と呼ばれる電流値を超えると発光し、その光出力は閾値電流を超えた分の駆動電流に比例するという電流・光出力特性を有している。
半導体レーザは、直流バイアス電流とパルス電流とを重畳した駆動電流で駆動され、その駆動条件は電流・光出力特性に基づき適宜に設定される。
ところで、この電流・光出力特性は、環境温度や経年変化によって変動する。
このため、電流・光出力特性の変化に対応して、半導体レーザの駆動条件（直流バイアス電流とパルス電流）を変更することが試みられている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１４７４４６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電流・光出力特性の変化に応じた直流バイアス電流とパルス電流の設定は必ずしも容易ではなく、例えば光通信を一旦停止した状態でないと適切な直流バイアス電流とパルス電流の決定が困難な場合が多い。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、半導体発光素子の駆動条件（直流バイアス電流とパルス電流）の決定を広い条件下で行える発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために本発明に係る発光素子制御装置は、直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流によって駆動される半導体発光素子を制御する発光素子制御装置であって、前記半導体発光素子の光出力の時間平均を表す平均光出力情報に基づいて、該半導体発光素子に供給される電流の変化量と光出力の変化量との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出部と、前記電流光出力係数導出部によって導出された電流光出力係数に基づいて、前記駆動電流のパルス電流成分を決定するパルス電流決定部と、前記パルス電流制御決定部で決定されたパルス電流成分を含む駆動電流によって駆動される前記半導体発光素子の平均光出力情報に基づいて、前記駆動電流の直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定部と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
半導体発光素子の平均光出力情報を用いて導出された電流光出力係数に基づき、駆動電流のパルス電流成分を決定する。決定されたパルス電流成分を含む駆動電流で直流バイアス成分を変化しながら半導体発光素子の平均光出力を調節することで、直流バイアス成分を設定できる。
平均光出力に基づく電流光出力係数の導出は広い条件下で可能である。例えば、半導体発光素子がパルス電流に対応して高速に点滅している状態においても導出できる。これは、半導体発光素子の直流バイアス電流と閾値電流の大小関係を問わず導出可能であることに基づく。
この結果、広い条件下で、かつ応答の高速な光検出器を用いることなく、パルス電流成分および直流バイアス電流成分双方の決定を行うことが可能となる。
【０００７】
（２）本発明に係る駆動電流決定方法は、直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流で駆動される半導体発光素子の該駆動電流を決定する駆動電流決定方法であって、前記半導体発光素子を駆動する電流と光出力との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出ステップと、前記電流光出力係数導出ステップで導出された電流光出力係数に基づいて、パルス電流成分を決定するパルス電流決定ステップと、前記パルス電流決定ステップで決定されたパルス電流に基づいて、駆動電流を制御する駆動電流制御ステップと、前記駆動電流制御ステップで制御された駆動電流で駆動される前記半導体発光素子の光出力に基づいて、直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定ステップと、を具備することを特徴とする。
広い条件下で平均光出力に基づき導出可能な電流光出力係数を用いることで、広い条件下で、かつ応答の高速な光検出器を用いることなく、パルス電流成分および直流バイアス電流成分双方の決定を行なえる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係る光送信装置１０の構成を表すブロック図である。
光送信装置（光送信機）１０は、データ信号に対応して変調された変調光を送信する送信装置であり、半導体発光素子たる半導体レーザ１１、モニタＰＤ（Photo Diode）１２、光出力モニタ回路１３、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５、発光素子制御装置１６から構成される。
【０００９】
半導体レーザ１１は、直流バイアス電流（成分）Ｉｂとパルス電流（成分）Ｉｐとが重畳された駆動電流Ｉｄによって駆動される発光素子である。半導体レーザ１１はパルス電流Ｉｐによって、光通信で送信するデータ信号の０、１等それぞれに対応した複数の光強度Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎ間で高速に明滅する光（変調光）を出力する。
【００１０】
モニタＰＤ１２は、半導体レーザ１１の平均光出力（光出力の時間平均）Ｐａｖを検出する受光素子である。
光出力モニタ回路１３は、モニタＰＤ１２からの出力を電圧信号に変換し、半導体レーザ１１の出力光モニタ信号（平均光出力情報）として出力するための回路である。
モニタＰＤ１２および光出力モニタ回路１３では、半導体レーザ１１からの変調光そのもの（複数の光強度Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎそれぞれ）を直接的に検出する必要はなく、変調光の時間平均が検出できれば足りる。即ち、モニタＰＤ１２および光出力モニタ回路１３のいずれも応答速度がある程度遅い検出手段で足り、往々にして高価である高速な検出手段であることを要しない。
【００１１】
バイアス電流駆動回路１４は、半導体レーザ１１を駆動する駆動電流の直流バイアス電流成分Ｉｂを出力する回路であり、Ｉｂ制御信号（バイアス電流制御情報）を入力するバイアス制御情報入力部１７を有する。バイアス制御情報入力部１７から入力されたバイアス電流制御情報に基づいて、バイアス電流駆動回路１４から出力されるバイアス電流成分が設定される。
パルス電流駆動回路１５は、Ｉｐ制御信号（パルス電流制御情報）を入力するパルス制御情報入力部１８と光通信で送信するデータ信号を入力するデータ信号入力部１９とを有する回路である。
パルス電流駆動回路１５は、データ信号入力部１９で入力されたデータ信号に対応するパルス電流成分を出力する。また、パルス制御情報入力部１８から入力されたパルス電流制御情報に基づいて、パルス電流駆動回路１５から出力されるパルス電流成分が設定される。
【００１２】
バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５それぞれから出力されるバイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐは重畳され駆動電流Ｉｄとなって、半導体レーザ１１に供給される。
即ち、バイアス電流駆動回路１４とパルス電流駆動回路１５との組み合わせにより、半導体レーザ１１に駆動電流を供給する駆動電流供給部が構成されている。
【００１３】
発光素子制御装置１６は、光出力モニタ回路１３からの平均光出力情報を入力し、直流バイアス電流値およびパルス電流値を制御するためのＩｂ制御信号、Ｉｐ制御信号を生成する制御手段であり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１、メモリ（記憶装置）３０（ＲＡＭ３１、ＲＯＭ３２、フラッシュメモリ３３）、Ａ／Ｄ変換器４１、Ｄ／Ａ変換器４２、４３、Ｉ／Ｏ（入出力）ポート４４およびバス５１から構成されている。
【００１４】
ＣＰＵ２１は、演算処理装置であり、算術および論理演算、プログラムの実行にともなう制御を行っている。
メモリ３０は、プログラムとデータを記憶するもので、ＲＡＭ３１、ＲＯＭ３２、フラッシュメモリ３３に区分される。
ＲＡＭ３１は、読み出しと書き込みの両機能を持ち、データを記憶させたり、プログラムを実行するうえでの作業エリアとして用いられる揮発性のメモリである。
ＲＯＭ３２は、通常読み出し機能のみを持ち、プログラムや固定データの記憶に用いられる不揮発メモリである。
フラッシュメモリ３３は、電気的に書き換え可能な不揮発メモリで、後述する目標平均光出力や目標消光比等の制御用の定数を記憶したり、プログラムを記録するのに使用され、外部からプログラムを書き換えることにより光半導体レーザ等の仕様や特性のばらつきに対応した制御の調整、変更を行うことが可能とする。
【００１５】
Ａ／Ｄ変換器４１は、光出力モニタ回路１３から出力された出力モニタ信号をアナログ・ディジタル変換して入力する変換器であり、光出力情報入力部として機能する。
Ｄ／Ａ変換器４２、４３はそれぞれ、ＣＰＵ２１からの制御情報をディジタル・アナログ変換して、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５へＩｂ制御信号（バイアス電流制御情報）、Ｉｐ制御信号（パルス電流制御情報）として出力する変換器であり、制御情報出力部として機能する。
Ｉ／Ｏポート４４は、ＣＰＵ２１と光送信装置１０外部の入出力装置との間でのデータの受け渡しを行っている。即ち、光送信装置１０外部からの通信や半導体レーザ１１に対する制御は、Ｉ／Ｏポート４４を介して行われる。
バス５１は、複数の信号線からなり、ＣＰＵ２１、メモリ３０等発光素子制御装置１６内部でのデータのやり取りを行っている。
【００１６】
以上に示したように、本実施形態では、発光素子制御装置１６としてマイクロコンピュータを用い、ソフトウェア（プログラム）により半導体レーザ１１を制御している。
ＣＰＵ２１がソフトウェアによって動作することで、電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出部、駆動電流のパルス電流成分を決定するパルス電流決定部、駆動電流の直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定部、半導体発光素子の光出力が所定の許容範囲内から外れたことを検知する光出力変動検知部が構成される。
【００１７】
（光送信装置１０の制御の基本的な考え方）
以下、光送信装置１０の制御方式についての基本的な考え方を説明する。
Ａ．半導体レーザの電流・光出力特性と直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐとの関係
図２は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
本図に示すように、半導体レーザ１１は、駆動電流Ｉｄが発振閾値電流Ｉｔｈ（以下、閾値電流）を超えると発光し、その光出力Ｐは閾値電流を超えた分の駆動電流に比例するという電流・光出力特性を有している。
【００１８】
即ち、半導体レーザ１１の電流・光出力特性は、次の式（１）で近似的に表すことが可能である。
Ｐ＝η（Ｉｄ−Ｉｔｈ） ……（１）
ここで、
Ｉｔｈ：半導体レーザ１１の閾値電流
η：電流光変換効率（駆動電流Ｉｄの変化量と光出力Ｐの変化量との対応関係を表し、具体的には駆動電流Ｉｄと光出力Ｐの比例関係を表す比例定数）
である。
半導体レーザ１１の温度環境等の変動による電流・光出力特性の変化は、閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率ηの変化として表すことができる。
【００１９】
半導体レーザ１１は、直流バイアス電流Ｉｂと入力データ信号に応じて変調されたパルス電流Ｉｐとを重畳した駆動電流Ｉｄで駆動される。なお、直流バイアス電流Ｉｂは閾値電流Ｉｔｈより大きい値に設定されることが好ましい。半導体レーザ１１の時間応答をより高速にするためである。
半導体レーザ１１からの光出力Ｐは、パルス電流ＩｐのＯＮ／ＯＦＦに対応して、最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎの間を行き来する。このときの最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎは、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐによって以下の式（２）〜（４）のように表される。
【００２０】
Ｐｍａｘ＝η（Ｉｂ＋Ｉｐ−Ｉｔｈ） ……（２）
Ｐｍｉｎ＝η（Ｉｂ−Ｉｔｈ） （Ｉｂ≧Ｉｔｈ） ……（３）
Ｐｍｉｎ＝０ （Ｉｂ＜Ｉｔｈ） ……（４）
【００２１】
Ｂ．「直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ」と「平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲ」との関係
このような光送信装置１０（半導体レーザ１１）からの光出力は、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲ（extinction ratio）によって規定される場合が多い。即ち、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が変化しても、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲが同一であることが好ましい。
以下に示すように、本実施形態では、電流・光出力特性（閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率η）が変化しても、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲが一定に保たれるように半導体レーザ１１に供給される直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐを制御することを可能としている。
【００２２】
次の式（５）、（６）に示すように、平均光出力Ｐａｖは半導体レーザ１１からの光出力Ｐの時間平均によって、消光比ＥＲは最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの比によって、それぞれ定義される。
Ｐａｖ＝∫Ｐ・ｄｔ／∫ｄｔ ……（５）
ＥＲ＝Ｐｍａｘ／Ｐｍｉｎ ……（６）
ここで、∫：積分記号 である。
【００２３】
データ信号の方式には、一般にＲＺ（Return-to-Zero）方式、ＮＲＺ（Non-Return-to-Zero）方式の２通りが用いられる。ＲＺ方式では、１のデータを表している期間中で光出力がＰｍａｘを保持する。ＮＲＺ方式では、１のデータを表している期間の前半の光出力がＰｍａｘでその後半に光出力がＰｍｉｎへと復帰する。
また、１、０の信号が出現する比率がマーク率Ｍとして規定される場合が多い。
【００２４】
式（５）で定義された平均光出力Ｐａｖは、このような信号方式およびマーク率Ｍの相違に対応して以下の式（７）によって表される。
Ｐａｖ＝ａ・Ｍ・Ｐｍａｘ＋（１−ａ・Ｍ）・Ｐｍｉｎ ……（７）
ここで、
ａ：データ信号が１の期間においてＰｍａｘとＰｍｉｎが出現する比率を定める係数（ＲＺ方式のときａ＝１／２、ＮＲＺ方式のときａ＝１）
である。
【００２５】
式（６）、（７）に式（２）、（３）を代入することで、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈ以上（Ｉｂ≧Ｉｔｈ）の場合の平均光出力Ｐａｖおよび消光比ＥＲを表す次の式（８）、（９）を導出できる。
Ｐａｖ＝η［Ｉｂ−Ｉｔｈ＋ａ・Ｍ・Ｉｐ］ ……（８）
ＥＲ＝（Ｉｐ＋Ｉｂ−Ｉｔｈ）／（Ｉｂ−Ｉｔｈ） ……（９）
また、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さい（Ｉｂ＜Ｉｔｈ）場合の平均光出力Ｐａｖは以下の式（１０）のように表される。
Ｐａｖ＝η［ａ・Ｍ・（Ｉｂ＋Ｉｐ−Ｉｔｈ）］ ……（１０）
【００２６】
式（８）、（９）より、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐは、以下の式（１１）、（１２）によって表される。
Ｉｐ＝Ｐａｖ（ＥＲ−１）／［η・（１＋ａ・Ｍ・（ＥＲ−１））］……（１１）
Ｉｂ＝Ｐａｖ／［η・（１＋ａ・Ｍ・（ＥＲ−１））］＋Ｉｔｈ……（１２）
従って、環境温度や、経年変化によって変化した後の電流光変換効率ηおよび閾値電流Ｉｔｈが判れば、式（１１）、（１２）によって得られる直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ、で半導体レーザ１１を駆動することで、平均光出力Ｐａｖおよび消光比ＥＲを一定に保つことができる。
【００２７】
Ｃ．直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの決定の基本的な考え方
ここで、このような駆動電流Ｉｄの制御がインサービス状態（データ信号を光出力により送信している状態）で行えることが好ましい。このため、本実施形態では、電流光変換効率ηおよび平均光出力Ｐａｖを用いて、直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐを調節する。即ち、本実施形態では、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出は行わない。
【００２８】
(1) 本実施形態で、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出を行わない理由は以下の通りである。
既に述べたように平均光出力Ｐａｖは、直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈ以上かそうでないかに対応して、異なる式（８）、（１０）で表される。そして、温度変化等による閾値電流Ｉｔｈの増大に伴い直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さくなる（Ｉｂ＜Ｉｔｈ）可能性がある。このため、閾値電流Ｉｔｈの算出には「Ｉｂ≧Ｉｔｈ」であるか否かの判断が必要になる。
【００２９】
インサービス状態であることを前提としなければ、Ｉｂを大きく変動させることで、閾値電流Ｉｔｈを求めることができる。また、モニタＰＤ１２に換えて高速応答性を有する（平均光出力Ｐａｖではなく、最大、最小光出力Ｐｍａｘ、Ｐｍｉｎそれぞれを識別して検出できる）光検出器を用いれば、「Ｉｂ＜Ｉｔｈ」であるか否かの判定は容易に行える。
しかしながら、インサービス状態を前提として、しかも平均光出力Ｐａｖを検知することで（言い換えれば、応答速度の遅い光検出器を用いて）、閾値電流Ｉｔｈを直接的に検出するのは困難である。
以上が本実施形態において、閾値電流Ｉｔｈの直接的な検出を行わない理由である。
【００３０】
(2) これに対して、電流光変換効率ηはインサービス状態での平均光出力Ｐａｖから容易に検出できる。
式（８）、（１０）において、パルス電流ＩｐをＩｐからＩｐ＋ΔＩｐに変化させたときに平均光出力がＰａｖからＰａｖ＋ΔＰａｖへと変化したとする。このとき、式（８）、（１０）のいずれでも電流光変換効率ηは次の式（１３）で表される。
η＝ΔＰａｖ／（ａ・Ｍ・ΔＩｐ） ……（１３）
【００３１】
以上のように、電流光変換効率ηは、「Ｉｂ≧Ｉｔｈ」であるか否かに拘わらず、同一の式（１３）で算出できる。
即ち、パルス電流ＩｐにΔＩｐだけの変化を与え、そのときの平均光出力Ｐａｖの変化ΔＰａｖを検出することで、電流光変換効率ηを求めることができる。このとき駆動電流ΔＩｄを伝送特性に影響を与えないほど小さい変化量にしておくことにより、光信号の出力を停止することなく（インサービス状態で）電流光変換効率ηを検出できる。
【００３２】
Ｄ．直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの決定手法の概要
本実施形態では、後述するように電流光変換効率ηを求め、さらに目標平均光出力Ｐａｖ０、目標消光比ＥＲ０を基に、パルス電流Ｉｐを式（１１）より算出する。そして、パルス電流Ｉｐを算出されたパルス電流Ｉｐに設定した状態で、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０になるように直流バイアス電流Ｉｂを調節する。このような制御により直流バイアス電流Ｉｂは自動的に式（１２）から定まる値に調節される。
以上のようにして、閾値電流Ｉｔｈの検出を不要として、インサービス状態での直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐ双方の調節を可能としている。
【００３３】
（光送信装置１０の制御手順）
以下、光送信装置１０の制御手順を説明する。
Ａ．光送信装置１０によるデータ信号送信開始前における制御
まず、パワーオン時等、光送信装置１０の信号送信開始前における制御手順について説明する。
図３は、光送信装置１０の信号送信開始前における制御手順の一例を表すフロー図であり、図４はこのときの半導体レーザ１１の電流・光出力特性を表すグラフである。
【００３４】
（１）光送信装置１０の信号送信開始前において、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５それぞれの直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐの初期値は最初０に設定される（ステップＳ１０１）。
その後、パルス電流Ｉｐを所定のステップパルス電流ΔＩｐ分だけ徐々に増やし、モニタＰＤ１２で検出される平均光出力Ｐａｖを参照する（ステップＳ１０２、Ｓ１０３）。
検出された平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となるまでパルス電流Ｉｐを増加させる（ステップＳ１０４）。
但し、ここでは、電流光変換効率ηを算出するための測定のために平均光出力Ｐａｖの一応の設定を行うに過ぎないため、平均光出力Ｐａｖを目標平均光出力Ｐａｖ０に一致させることにそれほど拘る必要はない。検出される平均光出力Ｐａｖがある程度以上の値であれば充分である。
なお、ステップＳ１０４での判断が「Ｙｅｓ」とされたときのパルス電流ＩｐをＩｐ０１、このときの平均光出力Ｐａｖ０１とする
【００３５】
（２）電流光変換効率ηの算出、算出された電流光変換効率ηに基づくパルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
この算出、設定は具体的には以下の手順で行われる。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ０１’（＝Ｉｐ０１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ１０５）、このときの平均光出力Ｐａｖ０１’（＝Ｐａｖ０１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ１０６）。
b. 式（１３）に基づき、電流光変換効率ηを算出する（ステップＳ１０７の前半）。ここで、算出された電流光変換効率ηをη１とする。
c. 式（１１）に基づきパルス電流Ｉｐを算出し（算出されたパルス電流値をＩｐ０２とする）、パルス電流ＩｐをＩｐ０２に設定する（ステップＳ１０７の後半）。
なお、図３、４に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（１１）に対応している。
【００３６】
（３）直流バイアス電流Ｉｂを目標平均光出力Ｐａｖ０に対応するように設定する。
この設定は、具体的には以下のように行われる。
直流バイアス電流Ｉｂをステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に増やし（ステップＳ１０８）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ１０９）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ１１０）。このように設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ０１とする。
【００３７】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流ＩｐそれぞれがＩｂ０１、Ｉｐ０２に設定される。
【００３８】
Ｂ．光送信装置１０によるデータ信号送信中（インサービス状態）における制御次に、上述した制御手順で直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流ＩｐがＩｂ０１、Ｉｐ０２に設定された後に、環境温度の変化や経年変化によって半導体レーザ１１の電流・光出力特性（閾値電流Ｉｔｈ、電流光変換効率η）が変化した場合の制御手順について説明する。
【００３９】
図５は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が変化した場合の制御手順を表すフロー図である。
また、図６、７はそれぞれ平均光出力Ｐａｖが減少、増加した場合の制御の手順、および変化前後の半導体レーザ１１の電流・光出力特性を表すグラフである。図６では直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより小さくなってしまった場合を示し。図７では電流・光出力特性の変化に伴い直流バイアス電流Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈより大きくなってしまった場合を示している。
なお、平均光出力Ｐａｖの減少、増加は、それぞれ閾値電流Ｉｔｈの増加、減少または電流光変換効率ηの減少、増加によって生じうる。
【００４０】
（１）発光素子制御装置１６は、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かを監視する。
この監視は、モニタＰＤ１２で検出された平均光出力Ｐａｖを参照し（ステップＳ２０１）、検出された平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以内であるかを判断することによって行われる（ステップＳ２０２）。この判断がＹｅｓであれば、電流・光出力特性には特段の変化がないと考えられる。
【００４１】
ステップＳ２０２での判断がＮｏとなれば、電流・光出力特性に変化があると考えられ（少なくとも電流光変換効率ηと閾値電流Ｉｔｈの一方が変化）、ステップＳ２０３以降の直流バイアス電流Ｉｂおよびパルス電流Ｉｐの再設定が開始される。
なお、ステップＳ２０２での判断がＮｏとされたときのパルス電流ＩｐをＩｐ１、このときの平均光出力Ｐａｖ１とする
【００４２】
（２）電流光変換効率ηの算出、算出された電流光変換効率ηに基づくパルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
この算出、設定は具体的には以下の手順で行われる。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ１’（＝Ｉｐ１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ２０３）、このときの平均光出力Ｐａｖ１’（＝Ｐａｖ１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ２０４）。
b. 式（１３）に基づき、電流光変換効率ηを算出する（ステップＳ２０５の前半）。既に述べたように、式（１３）は、直流バイアス電流Ｉｂと閾値電流Ｉｔｈの大小関係を問題とせず適用可能であるので、図６、７いずれの場合でも同一の式（１３）で算出できる。図６、７それぞれの場合で算出された電流光変換効率ηをη２、η３とする。
c. 式（１１）に基づきパルス電流Ｉｐを算出し（図６、７それぞれの場合で算出されたパルス電流値をＩｐ２、Ｉｐ３とする）、パルス電流ＩｐをＩｐ２、Ｉｐ３に設定する（ステップＳ２０５の後半）。
なお、図５〜７に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（１１）に対応している。
【００４３】
（３）直流バイアス電流Ｉｂを目標平均光出力Ｐａｖ０に対応するように設定する。
この設定は、具体的には以下のように行われる。
a. まず、パルス電流ＩｐをＩｐ２、Ｉｐ３それぞれに再設定したときの平均光出力Ｐａｖを参照し（ステップＳ２０６）、参照された平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０以下であるか否かを判断する（ステップＳ２０７）。
この判断は、平均光出力Ｐａｖを増加すべきか、減少すべきかを決定するために行われる。
b. ステップＳ２０７での判断がＹｅｓのときは、直流バイアス電流Ｉｂを当初の設定値よりステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に増やし（ステップＳ２０８）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ２０９）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ２１０）。このとき設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ２とする。
一方、ステップＳ２０７での判断がＮｏのときは、直流バイアス電流Ｉｂを当初の設定値よりステップパルス電流ΔIｂ分だけ徐々に減らし（ステップＳ２１１）、平均光出力Ｐａｖを参照して（ステップＳ２１２）、平均光出力Ｐａｖと目標平均光出力Ｐａｖ０との差が許容値ε以下となった時点で制御を終了する（ステップＳ２１３）。このとき設定された直流バイアス電流ＩｂをＩｂ３とする。
【００４４】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流ＩｂがＩｂ２、Ｉｂ３に、パルス電流ＩｐがＩｐ２、Ｉｐ３にそれぞれ設定される。
ステップＳ２１０、Ｓ２１３で設定が完了すると、ステップＳ２０１に戻って、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かの監視が行われる。
【００４５】
上述した制御動作を常時繰り返すことで、環境温度変化や経年変化による半導体レーザ１１の電流・光出力特性の変化を補償し、常に所定の平均光出力Ｐａｖと消光比ＥＲを維持することができる。
しかも、本実施形態ではインサービス状態で、半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈおよび電流光変換効率ηの変動を補償し、平均光出力Ｐａｖや消光比ＥＲを一定に保つことが可能になる
【００４６】
（第２実施形態）
図８は本発明の第２の実施形態に係る光送信装置２０の構成を表すブロック図である。
光送信装置２０は、データ信号に対応して変調された変調光を送信する送信装置であり、半導体レーザ１１、モニタＰＤ１２、光出力モニタ回路１３、バイアス電流駆動回路１４、パルス電流駆動回路１５、発光素子制御装置６０、サーミスタ６１，温度モニタ回路６２、Ａ／Ｄ変換器６３から構成される。即ち、光送信装置２０は、サーミスタ６１，温度モニタ回路６２、Ａ／Ｄ変換器６３を有する点で光送信装置１０とは異なる。
【００４７】
サーミスタ６１は、半導体レーザ１１に近接あるいは接触して配置され、半導体レーザ１１の温度に応じてその抵抗が変化する。即ち、サーミスタ６１は、半導体レーザ１１の温度を測定するための温度センサとして機能する。
温度モニタ回路６２は、サーミスタ６１に電気的に接続され、サーミスタ６１の抵抗値を半導体レーザ１１の温度に対応する電圧に変換し温度モニタ信号として出力する変換器である。
Ａ／Ｄ変換器６３は、温度モニタ回路６２から出力された温度モニタ信号をアナログ・ディジタル変換して入力する変換器であり、温度情報入力部として機能する。
【００４８】
本実施形態では、フラッシュメモリ３３に電流光変換効率補正テーブルが記憶されている。電流光変換効率補正テーブルは、電流・光出力特性の非線形性に起因する電流光変換効率ηの誤差を補正するための電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が温度Ｔと対応して表されたテーブルであり、その詳細は後述する。
また、ＲＯＭ３２には電流光変換効率補正テーブルを用いて電流光変換効率ηを補正するためのソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアとＣＰＵ２１との組み合わせによって、電流光変換効率η（電流光出力係数）を補正する電流光出力係数補正部が構成される。
なお、光送信装置２０のその他の要素については、光送信装置１０と大きく異なる訳ではないので、説明を省略する。
【００４９】
（光送信装置２０の制御の基本的な考え方）
以下、光送信装置２０の制御方式についての基本的な考え方を説明する。
第１の実施形態では半導体レーザ１１の電流・光出力特性がおおむね線形であることを前提としていたが、本実施形態では半導体レーザ１１の電流・光出力特性が非線形を有する可能性を考慮している。半導体レーザ１１の特性を子細に見た場合にはある程度の非線形性を有する。特に半導体レーザ１１を高温下あるいは高光出力で動作させた場合には、電流・光出力特性が高電流側（最大光出力Ｐｍａｘ付近）で飽和するようになり、非線形性が大きくなる。
【００５０】
図９は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性の温度依存性を表すグラフである。本図では、温度Ｔ１（室温）、温度Ｔ２（高温）それぞれの場合の電流・光出力特性のグラフＬ１，Ｌ２が示されている。最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間において、温度Ｔ１では電流・光出力特性の線形性が確保されているのに対して、温度Ｔ２では電流・光出力特性に非線形が生じている。即ち、グラフＬ２は、その最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの点Ａ，Ｂを結ぶ直線Ｌ０と一致していない。
【００５１】
図９の例では、温度Ｔ１において電流・光出力特性の線形性が確保されるように最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘを設定している。電流・光出力特性の線形領域を越えて最大光出力Ｐｍａｘを設定した場合には、温度Ｔ１においても電流・光出力特性の非線形性が問題になりうる。以下、温度変化によって電流・光出力特性に非線形が生じた場合を例にして説明するが、半導体レーザ１１を高光出力で動作させることによって非線形性が生じた場合も同様である。
【００５２】
電流・光出力特性の非線形性が大きくなると、式（１３）に基づいて測定された電流光変換効率ηをそのまま式（１１）に代入してパルス電流Ｉｐを算出することが必ずしも適切ではなくなる。即ち、式（１１）、（１３）それぞれにおける電流光変換効率ηに違いが生じる。具体的には式（１３）で導出された電流光変換効率ηが電流・光出力特性が線形である場合よりも小さくなる（平均光出力の変化値ΔＰａｖが小さくなる）。
この場合、式（１１）により導出されるパルス電流Ｉｐは、本来の値よりも大きくなる。従い、式（９）から判るように、半導体レーザ１１の消光比ＥＲが必要以上に増大する。その結果、最小光出力Ｐｍｉｎに対応する駆動電流Ｉｄが半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈに近接するか、場合によっては閾値電流Ｉｔｈ以下となる可能性が生じる。
【００５３】
半導体レーザ１１を閾値電流Ｉｔｈ以下の駆動電流Ｉｄ（最低光出力Ｐｍｉｎの場合）と閾値電流Ｉｔｈを越えた駆動電流Ｉｄ（最低光出力Ｐｍａｘの場合）との間で動作させるとその発光線幅（スペクトル幅）が増大し易くなる。発光線幅が増大すると、光ファイバで光のパルスを伝送したときにそのパルスの形状が崩れ（一般に、光ファイバ内を光が伝搬する速度は光の波長によって微妙に異なる）、分散ペナルティー特性（半導体レーザ１１からの光を光ファイバで伝送したときの受信感度の劣化）が大きくなる可能性がある。
【００５４】
式（１１）、（１３）における電流光変換効率ηをそれぞれη０（Ｔ），ηｍ（Ｔ）とおくと次の式（２１）、（２２）のように表される。なお、η０（Ｔ），ηｍ（Ｔ）は、電流光変換効率η０，ηｍそれぞれが温度Ｔによって変化する（温度Ｔの関数である）ことを表す。
Ａ．電流光変換効率ηｍ（Ｔ）について
式（２１）は式（１３）に対応し、この式（２１）に基づいて電流光変換効率ηが測定される。即ち、式（２１）は測定値たる電流光変換効率ηｍ（Ｔ）を定義する式といってよい。
半導体レーザ１１がインサービス状態の場合には、半導体レーザ１１は最大光出力Ｐｍａｘ（ドライブ電流Ｉｄ＝Ｉｂ＋Ｉｐ）、最低光出力Ｐｍｉｎ（ドライブ電流Ｉｄ＝Ｉｂ）それぞれのパルスを出力している。この状態でパルス電流Ｉｐを微少量ΔＩｐだけ変化させた場合、式（２１）は次の式（２３）によって表される（このとき、直流バイアス電流Ｉｂは一定であるから最低光出力Ｐｍｉｎは変化しない）。
【００５６】
ｄＰｍａｘ／ｄＩｐ：最大光出力Ｐｍａｘの点における、電流・光出力特性曲線（グラフＬ２）の微分係数（図９の点ＢにおけるグラフＬ２の接線Ｃの傾き）
である。
即ち、式（２１）に基づいて測定された電流光変換効率ηｍ（Ｔ）は図９のグラフＬ２の接線Ｃの傾きに対応する量であり、「ａ・Ｍ＝１」なら接線Ｃの傾きそのものとなる。
【００５７】
Ｂ．電流光変換効率η０（Ｔ）について
一方、式（２２）は式（１）のように電流・光出力特性に線形性があることを前提に導き出される式である。しかしながら、式（１）から式（１１）の導出過程では、最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの２値のみを取るデジタル制御であることを前提としている。即ち、必ずしも式（１）のように電流・光出力特性そのものが線形に表されることは必要ではなく、最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの値のみが式（１）に相当する式で表されれば足りる。
以上から、式（２２）における電流光変換効率η０（Ｔ）を以下の式（２４）のように定義すれば良いことが判る。
η０（Ｔ）＝（Ｐｍａｘ−Ｐｍｉｎ）／Ｉｐ ……（２４）
【００５８】
半導体レーザ１１の電流・光出力特性は、式（１）に換えて次の式（２５）で表される。
Ｐ＝η０（Ｔ）・（Ｉｄ−Ｉｔｈ０（Ｔ）） ……（２５）
式（２５）は、図９においてグラフＬ２の最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎの点Ａ，Ｂを結んだ直線Ｌ０として表される。Ｉｔｈ０（Ｔ）はこのグラフが横軸と交わった箇所における駆動電流値を表し、温度Ｔのときの半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈ（Ｔ）そのものとの相違が許容される。
【００５９】
図９から判るように、式（２５）（直線Ｌ０）は点Ａ，Ｂ（最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの点）以外では光出力Ｐを必ずしも正確に表すものとは言えない。しかしながら、光出力Ｐの値が最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎのみを取ることを考慮すると、駆動電流Ｉｄと光出力Ｐとの関係を正確に表しているといってよい。
以上から判るように、式（１）〜（１２）は全て、ηをη０（Ｔ）にＩｔｈをＩｔｈ０（Ｔ）に置き換えても成立する。
【００６０】
Ｃ．電流光変換効率補正係数α（Ｔ）について
ηｍ（Ｔ）とη０（Ｔ）の関係は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を次の式（２６）のように定義することで表すことができる。
α（Ｔ）＝η０（Ｔ）／ηｍ（Ｔ） ……（２６）
この式（２６）を用いて式（２２）を表すと、次の式（２７）になる。
【００６１】
（電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出）
電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出は次のようにして実験的に行うことができる。
図１０は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する手順を表すフロー図である。以下、図１０に基づき電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出過程を説明する。
【００６２】
（１）半導体レーザ１１の温度設定（ステップＳ５０１）
半導体レーザ１１を所定の温度Ｔに設定する。この設定は、半導体レーザ１１を例えば恒温槽内に配置して恒温槽を適宜に制御することで行える。
（２）半導体レーザ１１の電流・光出力特性の測定（ステップＳ５０２）
ステップＳ５０１で設定された温度Ｔで半導体レーザ１１の駆動電流Ｉｄを変化させ、このときの光出力Ｐを測定する。この結果は、例えば、図９のようなグラフに表すことができる。
【００６３】
（３）電流光変換効率η０（Ｔ）の導出（ステップＳ５０３）
ステップＳ５０２で測定された電流・光出力特性から最小光出力Ｐｍｉｎと最大光出力Ｐｍａｘそれぞれのときの駆動電流Ｉｄ１，Ｉｄ２を求める。この最大光出力Ｐｍａｘと最小光出力Ｐｍｉｎには、規格値が定められている場合が多いので、この規格値を用いることができる。
最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ、駆動電流Ｉｄ１，Ｉｄ２を用い、式（２４）に基づき電流光変換効率η０（Ｔ）を算出することができる。ここで、「Ｉｐ＝Ｉｄ２−Ｉｄ１」である。
【００６４】
（４）電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の導出（ステップＳ５０４）
既述のように、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）は式（２３）で表される。従い、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）はステップＳ５０２で測定された電流・光出力特性に基づき数学的に導出できる（図９のグラフＬ２の点Ｂにおける接線の傾きを求める）。
また、電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の導出を式（２１）に基づいて行うことも可能である。即ち、半導体レーザ１１を最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間でデジタル動作させ、パルス電流Ｉｐを微少量ΔＩｐ変化させたときの平均光出力Ｐａｖの微少変化量ｄＰａｖを測定する。
【００６５】
（５）電流光変換効率補正係数α（Ｔ）の導出（ステップＳ５０５）
式（２６）に基づき、η０（Ｔ）を電流光変換効率ηｍ（Ｔ）で除算することで電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を算出できる。
（６）半導体レーザ１１の温度設定の変更（ステップＳ５０６、Ｓ５０１）
以下、全ての設定温度で電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が導出されるまで、半導体レーザ１１の温度設定を変更し、ステップＳ５０２〜Ｓ５０５を繰り返す。
【００６６】
（電流光変換効率補正テーブルの具体例）
図１１は電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が含まれる電流光変換効率補正テーブルの一例を表す図である。
本図に表された電流光変換効率補正テーブルには、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が温度Ｔと対応して表されている。この例では、低温（−４０℃）から室温（２５℃）にかけて電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が１．０である。即ち、電流光変換効率ηｍ、η０がほぼ同一であり、最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘ間では電流・光出力特性の非線形性がほぼ無視できる。これに対して高温域（７５〜８５℃）では電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が１より大きくなり、最大光出力Ｐｍａｘ、最小光出力Ｐｍｉｎの間で電流・光出力特性に非線形性が生じている。
【００６７】
（光送信装置２０の制御手順）
光送信装置２０によるデータ信号送信中（インサービス状態）における制御について説明する。
図１２は、半導体レーザ１１の電流・光出力特性が非線形性も含めて変化した場合の制御手順を表すフロー図である。このフロー図では、図５のフロー図のステップＳ２０５に換えてステップＳ６０１〜Ｓ６０３が挿入されている。
【００６８】
（１）発光素子制御装置６０は、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かを監視する（ステップＳ２０１、Ｓ２０２）。
この監視工程は、第１の実施形態と同様のため、説明を省略する。
【００６９】
（２）電流光変換効率ηｍ（Ｔ）の算出、補正、パルス電流Ｉｐの算出、設定を行う。
a. パルス電流ＩｐをＩｐ２（＝Ｉｐ１＋ΔＩｐ）として（ステップＳ２０３）、このときの平均光出力Ｐａｖ２（＝Ｐａｖ１＋ΔＰａｖ）を検出する（ステップＳ２０５）。
【００７０】
b. 半導体レーザ１１の温度Ｔが測定され（ステップＳ６０１）、測定された温度Ｔに対応する電流光変換効率補正係数α（Ｔ）が導出される（ステップＳ６０２）。
発光素子制御装置６０は、温度モニタ回路６２を通じてサーミスタ６１によって測定された温度Ｔの情報を取り込み、さらに電流光変換効率補正テーブルに基づき温度Ｔに対応する電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する。
なお、電流光変換効率補正テーブル上の電流光変換効率補正係数αを補間（内挿）することで、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）をより精度よく導出することができる。電流光変換効率補正テーブル上の電流光変換効率補正係数αが特定の温度に限られる不連続的な量（離散的な量）だからである。
【００７１】
c. 式（２１）に基づき、電流光変換効率ηｍを算出し（ステップＳ６０３の前半）、式（２７）に基づきパルス電流Ｉｐを算出する（ステップＳ６０３の後半）。
ここで図１２に示した式は、マーク率Ｍが１／２のＮＲＺ方式としたときの式（２７）に対応している。このとき、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）乗算して、電流光変換効率ηｍを補正することで、正確なパルス電流Ｉｐの算出が可能となる。
【００７２】
既述のように、電流光変換効率補正係数α（Ｔ）は、電流光変換効率ηｍが最大光出力Ｐｍａｘの地点での電流・光出力の傾き（図９の直線Ｃの傾き）に対応することを前提としている（式（２３）、（２７）参照）。インサービス中での平均光出力ＰａｖはステップＳ２０１，Ｓ２０２により常時監視されているので、平均光出力Ｐａｖが基準値Ｐａｖ１から大きく外れることはなく、半導体レーザ１１は最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘの目標値付近でデジタル動作をしている。このため、式（２３）、（２７）に基づく電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を用いて、電流光変換効率ηｍを適正に補正することができる。
以下のステップＳ２０６〜Ｓ２１３は第１の実施形態で説明した工程と同様なので説明を省略する。
【００７３】
以上のようにして、平均光出力Ｐａｖ、消光比ＥＲがそれぞれ目標値Ｐａｖ０、ＥＲ０となるように、直流バイアス電流Ｉｂ、パルス電流Ｉｐそれぞれが設定される。なお、これは最小光出力Ｐｍｉｎ、最大光出力Ｐｍａｘが目標値に設定されたことをも意味する。
ステップＳ２１０、Ｓ２１３で設定が完了すると、ステップＳ２０１に戻って、平均光出力Ｐａｖが目標平均光出力Ｐａｖ０と一致しているか否かの監視が行われる。
【００７４】
上述した制御動作を常時繰り返すことで、環境温度変化や経年変化による半導体レーザ１１の電流・光出力特性の変化を補償し、常に所定の平均光出力Ｐａｖと消光比ＥＲを維持することができる。さらに、高温動作時あるいは高出力動作時にパルス駆動電流Ｉｐが過剰にならないようにすることができる。
以上のように、インサービス状態で、半導体レーザ１１の閾値電流Ｉｔｈおよび電流光変換効率ηの変動、さらに電流・光出力特性に生じた非線形性を補償し、平均光出力Ｐａｖや消光比ＥＲを一定に保つことが可能になる。
【００７５】
第１の実施形態と同様に、本実施形態でもサービス開始前に電流光変換効率ηの補正を行うことができる。これを可能とするフロー図は、図３のステップＳ１０７に換えて、図１２のステップＳ６０１〜Ｓ６０３の工程を挿入することで表される。これは、電流光変換効率ηの補正を行う点について図１２と大きく異なる訳ではないので詳細な説明を省略する。
【００７６】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記実施形態には限られず拡張、変更できる。拡張、変更された実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）例えば、上記実施形態では半導体レーザを用いたが、本発明は半導体レーザに限らず半導体発光素子一般に適用可能である。
また、電流・光出力特性に換えて、電圧・光出力特性を用いることもできる。即ち、電圧・光出力特性は電流・光出力特性に対応するものであり、実質的に電流・光出力特性そのものといっても差し支えない。
【００７７】
（２）上記実施形態では平均光出力および消光比が一定に保たれるように半導体レーザを制御しているが、必ずしも平均光出力および消光比の値そのものに拘る必要はなく、他のパラメータ（例えば、最大光出力、最低光出力）に基づいて半導体レーザを制御することも可能である。
【００７８】
（３）上記実施形態では、半導体レーザの電流・光出力特性の一次近似式を用いて直流バイアス電流、パルス電流を決定しているが、電流・光出力特性をより高次の近似を行っても差し支えない。
電流光変換効率の導出が、直流バイアス電流と閾値電流の大小関係に大きな影響を受けることがなく行えれば、電流・光出力特性の近似式に何を用いるかは大きな問題とはならない。
この意味では、光出力の電流に対する勾配で定義される電流光変換効率に換えて広く電流と光出力それぞれの変化の対応関係を表す電流光出力関係一般を用いてパルス電流等を決定することも可能である。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば半導体発光素子の駆動条件の決定を広い条件下で行える発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１実施形態に係る光送信装置の構成を表すブロック図である。
【図２】 半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図３】 図１に示した光送信装置のデータ信号送信開始前における制御手順の一例を表すフロー図である。
【図４】 図３に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図５】 図１に示した光送信装置のデータ信号送信中における制御手順の一例を表すフロー図である。
【図６】 図５に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の一例を表すグラフである。
【図７】 図５に示した手順に基づき制御される半導体レーザの電流・光出力特性の他の一例を表すグラフである。
【図８】 本発明の第２の実施形態に係る光送信装置の構成を表すブロック図である。
【図９】 半導体レーザの電流・光出力特性の温度依存性を表すグラフである。
【図１０】 電流光変換効率補正係数α（Ｔ）を導出する手順を表すフロー図である。
【図１１】 電流光変換効率補正テーブルの一例を表す図である。
【図１２】 図８に示した光送信装置のデータ信号送信中における制御手順の一例を表すフロー図である。
【符号の説明】
１０…光送信装置、１１…半導体レーザ、１２…モニタＰＤ、１３…光出力モニタ回路、１４…バイアス電流駆動回路、１５…パルス電流駆動回路、１６…発光素子制御装置、１７…バイアス制御情報入力部、１８…パルス制御情報入力部、１９…データ信号入力部、２１…ＣＰＵ、３０…メモリ、３１…ＲＡＭ、３２…ＲＯＭ、３３…フラッシュメモリ、４１…Ａ／Ｄ変換器、４２，４３…Ｄ／Ａ変換器、４４…Ｉ／Ｏポート、５１…バス
Claims (12)
- 直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流によって駆動される半導体発光素子を制御する発光素子制御装置であって、
前記半導体発光素子の光出力の時間平均を表す平均光出力情報に基づいて、該半導体発光素子に供給される電流の変化量と光出力の変化量との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出部と、
前記半導体発光素子の温度情報を入力する温度情報入力部と、
前記温度情報入力部に入力された温度情報に基づき、前記電流光出力係数導出部によって導出された電流光出力係数を補正する電流光出力係数補正部と、
所定の目標平均光出力値、所定の目標消光比、および前記補正された電流光出力係数に基づいて、前記駆動電流のパルス電流成分を決定するパルス電流決定部と、
前記パルス電流制御決定部で決定されたパルス電流成分を含む駆動電流によって駆動される前記半導体発光素子の平均光出力情報に基づいて、前記駆動電流の直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定部と、
を具備することを特徴とする発光素子制御装置。 - 前記半導体発光素子の光出力が所定の許容範囲内から外れたことを検知する光出力変動検知部
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の発光素子制御装置。 - 前記電流光出力係数導出部が、
第１、第２のパルス電流成分をそれぞれ含む第１、第２の駆動電流、および該第１、第２の駆動電流でそれぞれ駆動された前記半導体発光素子の第１、第２の平均光出力に基づいて、前記電流光出力係数を算出する電流光出力係数算出部と
を有することを特徴とする請求項１記載の発光素子制御装置。 - 前記直流バイアス電流成分および前記パルス電流成分を初期値に設定する初期値設定部と、
前記平均光出力情報によって表される平均光出力と所定の目標平均光出力との差が許容値以下になるまで前記パルス電流成分を前記初期値から増加させるパルス電流成分増加部と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の発光素子制御装置。 - 前記バイアス電流決定部が、
前記平均光出力情報が表す平均光出力が前記所定の目標平均光出力と所定範囲内で一致するように、直流バイアス電流成分を決定する
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子制御装置。 - 半導体発光素子と、
前記半導体発光素子に直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流を供給する駆動電流供給部と、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子制御装置と、
を具備することを特徴とする光送信装置。 - 直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流で駆動される半導体発光素子の該駆動電流を決定する駆動電流決定方法であって、
前記半導体発光素子を駆動する電流と光出力との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出ステップと、
前記半導体発光素子の温度に基づき、前記電流光出力係数導出ステップで導出された電 流光出力係数を補正する電流光出力係数補正ステップ、
所定の目標平均光出力値、所定の目標消光比、および前記補正された電流光出力係数に基づいて、パルス電流成分を決定するパルス電流決定ステップと、
前記パルス電流決定ステップで決定されたパルス電流に基づいて、駆動電流を制御する駆動電流制御ステップと、
前記駆動電流制御ステップで制御された駆動電流で駆動される前記半導体発光素子の光出力に基づいて、直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定ステップと、
を具備することを特徴とする駆動電流決定方法。 - 前記電流光出力係数導出ステップに先だって、前記半導体発光素子の光出力が所定の許容範囲内から外れたことを検知する光出力変動検知ステップ
をさらに具備することを特徴とする請求項７記載の駆動電流決定方法。 - 前記電流光出力係数導出ステップが、第１、第２のパルス電流成分をそれぞれ含む第１、第２の駆動電流、および該第１、第２の駆動電流でそれぞれ駆動された前記半導体発光素子の第１、第２の平均光出力に基づいて、前記電流光出力係数を算出するステップを有する
ことを特徴とする請求項７記載の駆動電流決定方法。 - 前記直流バイアス電流成分および前記パルス電流成分を初期値に設定する初期値設定ステップと、
前記平均光出力情報によって表される平均光出力と所定の目標平均光出力との差が許容値以下になるまで前記パルス電流成分を前記初期値から増加させるパルス電流成分増加ステップと、
をさらに具備することを特徴とする請求項７記載の駆動電流決定方法。 - 前記バイアス電流決定ステップが、前記平均光出力情報が表す平均光出力が前記所定の目標平均光出力と所定範囲内で一致するように、直流バイアス電流成分を決定するステップを有する
ことを特徴とする請求項７記載の駆動電流決定方法。 - 直流バイアス電流成分とパルス電流成分とを含む駆動電流で駆動される半導体発光素子の該駆動電流を決定する駆動電流決定方法であって、
前記半導体発光素子を駆動する電流と光出力との対応関係を表す電流光出力係数を導出する電流光出力係数導出ステップと、
前記半導体発光素子の温度に基づき、前記電流光出力係数導出ステップで導出された電流光出力係数を補正する電流光出力係数補正ステップ、
所定の目標平均光出力値、所定の目標消光比、および前記補正された電流光出力係数に基づいて、パルス電流成分を決定するパルス電流決定ステップと、
前記パルス電流決定ステップで決定されたパルス電流に基づいて、駆動電流を制御する駆動電流制御ステップと、
前記駆動電流制御ステップで制御された駆動電流で駆動される前記半導体発光素子の光出力に基づいて、直流バイアス電流成分を決定するバイアス電流決定ステップと、
を具備することを特徴とする駆動電流決定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002357930A JP3748432B2 (ja) | 2001-12-20 | 2002-12-10 | 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム |
| US10/317,799 US6895028B2 (en) | 2001-12-20 | 2002-12-12 | Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current |
| EP02028154A EP1328048B1 (en) | 2001-12-20 | 2002-12-19 | Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current |
| DE60215452T DE60215452T2 (de) | 2001-12-20 | 2002-12-19 | Steuerung für lichtemittierende Vorrichtung, optische Transmissionsvorrichtung, Verfahren und Rechnerprogramm zur Bestimmung des Treiberstroms |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-388006 | 2001-12-20 | ||
| JP2001388006 | 2001-12-20 | ||
| JP2002357930A JP3748432B2 (ja) | 2001-12-20 | 2002-12-10 | 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249716A JP2003249716A (ja) | 2003-09-05 |
| JP3748432B2 true JP3748432B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=26625187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002357930A Expired - Fee Related JP3748432B2 (ja) | 2001-12-20 | 2002-12-10 | 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6895028B2 (ja) |
| EP (1) | EP1328048B1 (ja) |
| JP (1) | JP3748432B2 (ja) |
| DE (1) | DE60215452T2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1536577A1 (en) * | 2002-07-19 | 2005-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Burst signal extinction ratio control circuit, integrated circuit thereof, burst signal extinction ratio control method, computer program, and laser diode drive circuit |
| WO2004074805A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Fujitsu Limited | 光源装置 |
| EP1594238A3 (en) * | 2004-05-06 | 2006-05-03 | Avanex Corporation | Method and system for controlling laser diodes in optical communications systems |
| US20060126684A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Chien-Chang Liu | Real time constant excitation ratio (ER) laser driving circuit |
| US20080225915A1 (en) * | 2005-01-10 | 2008-09-18 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method and Apparatus for Prevention of Laser Saturation |
| JP2006210812A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光出力制御回路及び光出力制御方法 |
| GB2432037B (en) * | 2005-11-01 | 2011-04-20 | Agilent Technologies Inc | A method and system for stabilizing operation of laser sources |
| US20070116076A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Frank Wang | Controlling optical power and extincation ratio of a semiconductor laser |
| JP5233235B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2013-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体発光素子の制御 |
| US8350495B2 (en) * | 2009-06-05 | 2013-01-08 | Light-Based Technologies Incorporated | Device driver providing compensation for aging |
| JP4885289B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2012-02-29 | 古河電気工業株式会社 | 面発光レーザ装置 |
| JP2012142417A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | レーザダイオードの制御方法 |
| JP2012160392A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Stanley Electric Co Ltd | 点灯制御装置 |
| WO2015087448A1 (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | 富士通株式会社 | マルチキャリア光伝送システム、マルチキャリア光伝送方法、光送信器、及び、光受信器 |
| JP6771810B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2020-10-21 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP6717082B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-01 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光送信モジュールおよび光送信モジュールの制御方法 |
| DE102021207593A1 (de) | 2021-07-16 | 2023-01-19 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Treibers zum Ansteuern mindestens einer angeschlossenen Laserdiode auf Basis einer Abfolge von Lichtintensitäts-Eingangswerten |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2747311B2 (ja) * | 1989-02-06 | 1998-05-06 | 日本ディジタルイクイップメント株式会社 | デジタル光通信装置に使用される光送信装置のイネーブル応答時間を制御する装置および方法 |
| EP0386741A3 (en) * | 1989-03-09 | 1992-05-20 | Konica Corporation | Semiconductor laser driving apparatus |
| JP3024398B2 (ja) * | 1992-11-12 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | Ｌｄ駆動回路 |
| DE4316811A1 (de) * | 1993-05-19 | 1994-11-24 | Philips Patentverwaltung | Optisches Übertragungssystem mit einer Laserdiode |
| JPH07135486A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Fujitsu Ltd | 光送信回路の自動パワー制御方法及び光送信回路の自動パワー制御回路 |
| JP3541407B2 (ja) | 1993-11-25 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
| JPH088831A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | 光送信機 |
| US5579328A (en) * | 1995-08-10 | 1996-11-26 | Northern Telecom Limited | Digital control of laser diode power levels |
| JP2856247B2 (ja) * | 1996-11-12 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 消光比劣化を防止するａｐｃ方式 |
| JP2877209B2 (ja) | 1996-12-04 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 光出力レベル制御方法及び光出力レベル制御装置 |
| JP3636411B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | レーザーダイオードの駆動回路および駆動方法 |
| JPH11135871A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Nec Corp | レーザダイオード駆動方法および回路 |
| JP3085274B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | 光送信器 |
| US6055252A (en) * | 1998-09-10 | 2000-04-25 | Photonic Solutions, Inc. | Fiberoptic transmitter using thermistor to maintain stable operating conditions over a range of temperature |
| JP4107532B2 (ja) * | 1999-01-12 | 2008-06-25 | ミヤチテクノス株式会社 | レーザ装置 |
| US6707833B1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-03-16 | Marconi Communications, Inc. | Digital laser driver circuit |
| JP3637872B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2005-04-13 | 日本電気株式会社 | フィードフォワード型ａｐｃ回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法 |
| US6661817B1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-12-09 | International Business Machines Corporation | Laser diode monitoring via current mirroring |
-
2002
- 2002-12-10 JP JP2002357930A patent/JP3748432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-12 US US10/317,799 patent/US6895028B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-19 DE DE60215452T patent/DE60215452T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-19 EP EP02028154A patent/EP1328048B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60215452D1 (de) | 2006-11-30 |
| EP1328048B1 (en) | 2006-10-18 |
| DE60215452T2 (de) | 2007-08-23 |
| EP1328048A3 (en) | 2005-07-13 |
| US20030118063A1 (en) | 2003-06-26 |
| US6895028B2 (en) | 2005-05-17 |
| EP1328048A2 (en) | 2003-07-16 |
| JP2003249716A (ja) | 2003-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3748432B2 (ja) | 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム | |
| JP4375282B2 (ja) | オートパワーコントロール回路およびレーザダイオード制御方法 | |
| JP5360612B2 (ja) | 半導体レーザの駆動方法 | |
| US7443897B2 (en) | Method for distinguish failure modes in an APC circuit and an optical transmitter using the same | |
| US10536217B2 (en) | Optical transmission module and control method of optical transmission module | |
| KR101645081B1 (ko) | 반도체 레이저 구동 장치 및 화상 형성 장치 | |
| US20020114363A1 (en) | Light source | |
| US20030090289A1 (en) | Method and circuit for measuring the optical modulation amplitude (OMA) in the operating region of a laser diode | |
| US7653102B2 (en) | Method and apparatus for controlling output power levels of a laser used for optical data transmission based on data rate-speed optical feedback | |
| US20070076771A1 (en) | Method and apparatus for controlling extinction ratio of light-emitting device | |
| US8170074B2 (en) | Tracking injection seeding power based on back facet monitoring (BFM) of an injection seeded laser | |
| KR100670829B1 (ko) | 레이저 다이오드의 소광비 보상 장치 및 방법 | |
| KR102574422B1 (ko) | 광 송신 장치의 컨트롤러 | |
| JP2929992B2 (ja) | 光送信回路 | |
| US20080165813A1 (en) | Method and apparatus for controlling laser modulation based on measurements of average laser output power | |
| JPH07221369A (ja) | 回路素子の劣化検出回路 | |
| JP4872474B2 (ja) | レーザ駆動回路及びレーザ駆動方法 | |
| JP4999769B2 (ja) | 光トランシーバのレーザダイオード監視装置及び方法 | |
| JP3944344B2 (ja) | 光送信器及び光伝送システム | |
| JP3743399B2 (ja) | レーザダイオード制御装置、及び制御方法 | |
| US7991031B2 (en) | Injection seeded laser ratio loop control | |
| JPH07147443A (ja) | 半導体レーザ送信器 | |
| JP6303329B2 (ja) | 光デバイス駆動回路 | |
| JPH10190575A (ja) | 自動光出力制御回路 | |
| JP2004056150A (ja) | バースト信号を発するレーザダイオードの光変調振幅制御方法及び消光比制御方法、光変調振幅制御プログラム、消光比制御プログラム並びにレーザダイオード駆動回路、集積回路、送信装置、通信システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050711 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050816 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051018 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051125 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131209 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |