JPH11135871A - レーザダイオード駆動方法および回路 - Google Patents

レーザダイオード駆動方法および回路

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JPH11135871A
JPH11135871A JP29574697A JP29574697A JPH11135871A JP H11135871 A JPH11135871 A JP H11135871A JP 29574697 A JP29574697 A JP 29574697A JP 29574697 A JP29574697 A JP 29574697A JP H11135871 A JPH11135871 A JP H11135871A
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Masayuki Nakano
雅之 仲野
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオードの経時劣化に対して光出力
および消光比を一定に制御できるレーザダイオード駆動
回路を提供すること。 【解決手段】 レーザダイオードを、レーザダイオード
の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
ダイオード駆動方法において、バイアス電流とパルス電
流を周囲温度に応じて調整し、光出力および消光比を一
定に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザダイオード駆
動回路に関し、特に、レーザダイオードの経時劣化に対
応して光出力および消光比を一定に制御するレーザダイ
オード駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光伝送システム等に用いられるレーザダ
イオード駆動回路として、従来、たとえば特開平２−３
０８５８４号公報に開示されるように、レーザダイオー
ドの光出力を周囲温度に影響されることなく、一定とな
るように制御することを目的としたものがある。
【０００３】図５は、上述したようなレーザダイオード
の光出力制御を行うレーザダイオード駆動回路の従来例
の構成を示すブロック図である。
【０００４】レーザダイオードＬＤは駆動電流Ｉｄとバ
イアス電流Ｉｓとが重畳された電流によって駆動され
る。駆動電流Ｉｄとは伝送データに基づくパルス電流で
あり、バイアス電流Ｉｓとは誘導放出によってＬＤを発
光させるための基底電流である。温度センサ１１０は周
囲温度に対応する電圧を発生し、周囲温度を示すアナロ
グの温度信号としてＡ／Ｄ変換器１２０に出力する。Ａ
／Ｄ変換器１２０は入力された温度信号をディジタル信
号に変換し、メモリ１５０に出力する。
【０００５】メモリ１５０は入力されたディジタル信号
をアドレス信号とし、対応するアドレスに記憶されたデ
ィジタルデータを読み出してＤ／Ａ変換器１３０に出力
する。Ｄ／Ａ変換器１３０は入力されたディジタルデー
タをアナログ信号に変換し、電流制御回路１４０に出力
する。電流制御回路１４０はＤ／Ａ変換器１３０からの
アナログ信号によりトランジスタＱ１およびトランジス
タＱ２の共通のエミッタ電流Ｉｓを制御する。
【０００６】次に、本従来例の動作について説明する。
【０００７】トランジスタＱ１のベースにはプリバイア
ス信号が印加されており、プリバイアス信号が基準電圧
（−ＶＲ）より小さなときをイネーブル、大きなときを
ディスエーブルとすると、プリバイアス信号がディスエ
ーブルのときトランジスタＱ１はＯＮ、トランジスタＱ
２はＯＦＦとなってＬＤは駆動されず、イネーブルのと
きトランジスタＱ１はＯＦＦ、トランジスタＱ２はＯＮ
となってＬＤは駆動電流Ｉｄと電流制御回路１４０の発
生するバイアス電流Ｉｓとを重畳した電流、すなわちバ
イアス電流Ｉｓとバイアス電流Ｉｓ＋駆動電流Ｉｄの間
で変化する電流で駆動される。
【０００８】メモリ１５０には周囲温度に対応したバイ
アス電流のデータが記憶されているので、周囲温度を示
すアナログの温度信号をディジタル変換したデータがＡ
／Ｄ変換器１２０からアドレスラインに入力されること
によって、メモリ１５０はデータラインに所望のバイア
ス電流のデータを出力する。
【０００９】Ｄ／Ａ変換器１３０はデータラインに出力
されたバイアス電流のデータをディジタル−アナログ変
換して電流制御回路１４０に出力し、電流制御回路１４
０はＤ／Ａ変換器１３０の出力するアナログ信号に従っ
てトランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ電流を制御する。
【００１０】上記のように構成される本従来例では、エ
ミッタ電流Ｉｓが周囲温度に対応して調整される。すな
わち、周囲温度が変化するとアドレスライン上のデータ
が変化してデータライン上に新しいバイアス電流のデー
タが現われ、Ｄ／Ａ変換器１３０はデータライン上のデ
ータをディジタル−アナログ変換し、電流制御回路１４
０はＤ／Ａ変換器１３０の出力する信号を電流に変換す
るので、これによって新しいバイアス電流のデータが新
しい周囲温度に対応したバイアス電流に変換される。
【００１１】このときプリバイアス信号がイネーブルに
なると、レーザダイオードＬＤはこの新しいバイアス電
流に駆動電流が重畳された電流で駆動される。
【００１２】メモリ１５０上のバイアス電流データは周
囲温度に対応して駆動電流に対する光出力が一定となる
ように定められているので、周囲温度が変化してもＬＤ
の光出力が変動することはない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術に
は、以下に記すような問題点がある。
【００１４】第１の問題点は、フィードフォワード型の
制御回路が使用され、あらかじめ設定されている光出力
変動条件以外に対しては制御が行われないため、レーザ
ダイオードの光出力を周囲温度変動以外に対応して制御
することができない。このため、例えばレーザダイオー
ドが経時劣化して光出力が低下した場合には、光伝送シ
ステムで規定されている光出力の下限値を下まわる恐れ
がある。
【００１５】第２の問題点は、発光遅延や消光比の低下
を生じ、伝送システムの品質を劣化させる恐れがあると
いうことである。
【００１６】その理由は、レーザダイオードの微分量子
効率の温度変動を考慮していないことである。すなわ
ち、駆動電流を周囲温度に対応して変化させず、バイア
ス電流のみを変化させて光出力を一定制御しているため
である。
【００１７】一般にレーザダイオードの電流一光出力特
性は図１のようになる。図１（ａ）はバイアス電流、駆
動電流を理想的な配分としたときの電流−光出力特性、
図１（ｂ）は駆動電流を一定としたときの電流−光出力
特性を示している。
【００１８】図１において、ｔ１、ｔ２、ｔ３（ｔ１＜
ｔ２＜ｔ３）は周囲温度、Ｉｓ＊、Ｉｄ＊、Ｉｔｈ＊は
それぞれバイアス電流、駆動電流、レーザダイオードの
発光しきい値電流である。Ｐｏは光出力であり、各温度
でこの値が一定になるように制御する。レーザダイオー
ドは周囲温度が上昇すると、一定の光出力Ｐｏを得るた
めに必要なバイアス電流Ｉｓと駆動電流Ｉｄが共に増加
する特性を持っている。レーザダイオードを効率よく駆
動するためには、図１（ａ）に示すように、バイアス電
流はレーザダイオードの発光しきい電流値付近に、駆動
電流はバイアス電流に重畳して光出力が一定になるよう
に設定するのが理想である。
【００１９】しかし、駆動電流が一定の状態でバイアス
電流を変化させて光出力を一定に制御すると、図１
（ｂ）に示すように周囲温度がｔ２のときにバイアス電
流、駆動電流が最適となっている状態で周囲温度がｔ１
に下がった場合はバイアス電流の設定値が発光しきい値
を下まわるために発光に遅延が生じ、周囲温度がｔ３に
上がった場合にはバイアス電流の設定値が発光しきい値
を上まわるために消光比が低下し、確実な消光状態が得
られないという問題が生じる。
【００２０】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、
あらかじめ設定できない光出力変動要因、特にレーザダ
イオードの経時劣化に対して光出力および消光比を一定
に制御できる、レーザダイオード駆動回路を提供するこ
とにある。
【００２１】本発明の他の目的は、レーザダイオードの
光出力および消光比が周囲温度に影響されることなく一
定に保たれる、光伝送システムに適したレーザダイオー
ド駆動回路を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド駆動方法は、レーザダイオードを、レーザダイオード
の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
ダイオード駆動方法において、バイアス電流とパルス電
流を周囲温度に応じて調整し、光出力および消光比を一
定に制御することを特徴とする。
【００２３】本発明の他の形態によるレーザダイオード
駆動方法は、レーザダイオードを、レーザダイオードの
発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させる
ためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザダ
イオード駆動方法において、バイアス電流とパルス電流
を周囲温度に応じて調整し、バイアス電流については、
さらに、レーザダイオードの経時劣化状態光に応じて調
整して出力および消光比を一定に制御することを特徴と
する。
【００２４】本発明のさらに他の形態によるレーザダイ
オード駆動方法は、レーザダイオードを、レーザダイオ
ードの発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光
させるためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレ
ーザダイオード駆動方法において、バイアス電流とパル
ス電流を周囲温度およびレーザダイオードの経時劣化状
態に応じて調整し、光出力および消光比を一定に制御す
ることを特徴とする。
【００２５】この場合、レーザダイオードの経時劣化状
態をモニタ用のフォトダイオードの出力の平均値を用い
て確認することとしてもよい。
【００２６】また、レーザダイオードの経時劣化状態を
モニタ用のフォトダイオードの出力のピーク値を用いて
確認することとしてもよい。
【００２７】さらに、モニタ用のフォトダイオードの使
用初期時の出力値を温度に対応して記憶し、現在の温度
に対して記憶されている出力値と現在の出力値とを比較
することによりレーザダイオードの経時劣化状態を確認
することとしてもよい。
【００２８】本発明のレーザダイオード駆動回路は、レ
ーザダイオードを、レーザダイオードの発光しきい電流
値付近であるバイアス電流と発光させるためのパルス電
流とを重畳した電流で駆動するレーザダイオード駆動回
路において、温度センサと、温度に対応して前記バイア
ス電流の値と前記パルス電流の値とを記憶し、前記温度
センサで検出された温度に対応する前記バイアス電流の
値と前記パルス電流の値を出力する記憶手段と、前記記
憶手段が出力する前記バイアス電流の値と前記パルス電
流の値により前記バイアス電流と前記パルス電流を決定
し、レーザダイオードを駆動する電流制御手段とを有す
ることを特徴とする。
【００２９】本発明の他の形態によるレーザダイオード
駆動回路は、レーザダイオードを、レーザダイオードの
発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させる
ためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザダ
イオード駆動回路において、温度センサと、モニタ用フ
ォトダイオードと、温度に対応して前記バイアス電流の
値と前記パルス電流の値とモニタ用のフォトダイオード
の使用初期時の出力値とを記憶し、前記温度センサで検
出された温度に対応する前記バイアス電流の値と前記パ
ルス電流の値とモニタ用のフォトダイオードの使用初期
時の出力値を出力する記憶手段と、前記記憶手段が出力
するモニタ用のフォトダイオードの使用初期時の出力値
と現在の出力値からレーザダイオードの経時劣化状態を
示す信号を生成する経時劣化状態検出手段と、前記記憶
手段が出力する前記パルス電流の値により前記パルス電
流を決定し、、前記記憶手段が出力する前記バイアス電
流の値と前記経時劣化状態検出手段が生成したレーザダ
イオードの経時劣化状態を示す信号により前記バイアス
電流を決定し、レーザダイオードを駆動する電流制御手
段とを有することを特徴とする。
【００３０】本発明のさらに他の形態によるレーザダイ
オード駆動回路は、レーザダイオードを、レーザダイオ
ードの発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光
させるためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレ
ーザダイオード駆動回路において、温度センサと、モニ
タ用フォトダイオードと、温度に対応して前記バイアス
電流の値と前記パルス電流の値とモニタ用のフォトダイ
オードの使用初期時の出力値とを記憶し、前記温度セン
サで検出された温度に対応する前記バイアス電流の値と
前記パルス電流の値とモニタ用のフォトダイオードの使
用初期時の出力値を出力する記憶手段と、前記記憶手段
が出力するモニタ用のフォトダイオードの使用初期時の
出力値と現在の出力値からレーザダイオードの経時劣化
状態を示す信号を生成する経時劣化状態検出手段と、前
記記憶手段が出力する前記バイアス電流の値と前記パル
ス電流の値および前記経時劣化状態検出手段が生成した
レーザダイオードの経時劣化状態を示す信号により前記
バイアス電流およびパルス電流を決定し、レーザダイオ
ードを駆動する電流制御手段とを有することを特徴とす
る。
【００３１】「作用」上記のように構成される本発明で
は、レーザダイオードが経時劣化することにより変動す
る光出力を一定に制御する。より具体的には、劣化前の
レーザダイオードが所望の光パワを出力しているときの
モニタフォトダイオードの電流データを各温度毎にメモ
リに保持しておき、これを基準として同電流の減少分を
光出力の低下分として検出してバイアス電流を増加させ
る。つまり、実測データを直接基準値として用いること
により、この基準値は個々のレーザダイオード、その他
デバイスのばらつきを包含したものとなる。
【００３２】また、バイアス電流だけでなく、パルス電
流も温度に対応して独立に制御することも特徴である。
具体的にはバイアス電流とパルス電流を同じ温度アドレ
スに保持し、周囲温度に対応したバイアス電流とパルス
電流でレーザダイオードを駆動する。この場合にはバイ
アス電流とパルス電流を独立に制御できるため、一定の
光出力を得るためのバイアス電流とパルス電流を各温度
毎に個々のレーザの電流−光出力特性合わせてメモリに
保持しておけば、光出力だけでなく消光比も温度に対応
して一定に制御できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
【００３４】図２は本発明の一実施例の構成を示す回路
ブロック図である。
【００３５】本実施例は、温度センサ１０、Ａ／Ｄ変換
器２０，２１、Ｄ／Ａ変換器３０〜３２、電流制御回路
４０〜４２、メモリ５０、平均値検出器５７、反転増幅
器６５、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７０、スイッチ７
５、レーザダイオード（ＬＤ）８１とモニタフォトダイ
オード（ＰＤ）８２から構成されるＬＤモジュール８０
およびトランジスタＱ１，Ｑ２から構成されている。ま
た、これらのうち、Ａ／Ｄ変換器２１、Ｄ／Ａ変換器３
２、電流制御回路４２、メモリ５０、平均値検出器５
７、反転増幅器６５、ＬＰＦ７０およびスイッチ７５は
レーザダイオード経時劣化補償回路１を構成し、平均値
検出器５７、反転増幅器６５は経時劣化検出手段を構成
している。ＬＤモジュール８０を構成するＬＤ８１とモ
ニタＰＤ８２は同一基板上に同じ工程によって作製され
ており、同じ温度特性および経時変化特性のものとなっ
ている。
【００３６】温度センサ１０は周囲温度に対応して電圧
を発生し、温度信号としてＡ／Ｄ変換器２０に出力し、
Ａ／Ｄ変換器２０はこの温度信号をアナログ−ディジタ
ル変換し、アドレスとしてメモリ５０に出力する。
【００３７】メモリ５０の周囲温度に対応したアドレス
にはパルス電流とバイアス電流、および劣化前のモニタ
ＰＤ電流に対応するデータが記憶されている。パルス電
流とバイアス電流の値は周囲温度の変動に対して光出力
と消光比が一定になるように定められている。
【００３８】メモリ５０は対応するアドレスに記憶され
たディジタルデータをＤ／Ａ変換器３０およびＤ／Ａ変
換器３１に出力する。Ｄ／Ａ変換器３０およびＤ／Ａ変
換器３１に出力されるデータはそれぞれパルス電流とバ
イアス電流のデータである。Ｄ／Ａ変換器３０およびＤ
／Ａ変換器３１はメモリ５０より出力されるディジタル
データをディジタル−アナログ変換し、それぞれ電流制
御回路４０および電流制御回路４１に出力する。
【００３９】電流制御回路４０はＤ／Ａ変換器３０から
のアナログ信号を用いてトランジスタＱ１、Ｑ２に共通
な定電流Ｉａｃを周囲温度に対応して調整する。また、
電流制御回路４１はＤ／Ａ変換器３１からのアナログ信
号を用いて定電流Ｉｄｃを周囲温度に対応して調整す
る。
【００４０】次に、レーザダイオード経時劣化補償回路
１の詳細な構成について説明する。モニタＰＤ８２の受
光電流Ｉｒは平均値検出器５７に入力される。平均値検
出器５７では受光電流Ｉｒの平均値を検出して電圧信号
に変換し、Ａ／Ｄ変換器２１および反転増幅器６５の反
転入力端子に出力する。
【００４１】Ａ／Ｄ変換器２１は入力された平均値検出
器５７の出力電圧をアナログ−ディジタル変換し、スイ
ッチ７５を介してデータとしてメモリ５０へ出力する。
メモリ５０ではこのデータを温度センサ１０で検出され
た温度に対応したアドレスに記憶する。このデータはレ
ーザダイオードの劣化による光出力を補償する際の基準
電圧となる。
【００４２】メモリ５０は基準電圧のデータをスイッチ
７５を介してＤ／Ａ変換器３２に出力し、Ｄ／Ａ変換器
３２はこのデータをディジタル−アナログ変換して反転
増幅器６５の非反転入力に出力する。
【００４３】反転増幅器６５はＤ／Ａ変換器３２から非
反転入力端子に出力された電圧を基準電圧として、平均
値検出器５７から反転入力端子に出力された電圧を反転
増幅しＬＰＦ７０に出力する。
【００４４】ＬＰＦ７０は反転増幅された電圧値を平滑
化し、電流制御回路４２に出力し、電流制御回路４２は
周囲温度ごとに経時劣化によって生じるモニタＰＤ電流
の減少分に対応して定電流Ｉａｐｃを調整する。
【００４５】次に、本実施例の動作について具体的な数
値例を示して説明する。
【００４６】温度センサ１０は−４０〜＋１１５℃の温
度を感知し、これを０〜２Ｖの電圧に変換して出力し、
Ａ／Ｄ変換器２０は温度センサ１０の出力する電圧を７
ビットのディジタル値に変換してメモリ５０にアドレス
として出力する。
【００４７】メモリ５０はＡ／Ｄ変換器２０の出力する
アドレスに記憶されている７ビットのパルス電流データ
と５ビットのバイアス電流データをそれぞれＤ／Ａ変換
器３０とＤ／Ａ変換器３１に出力する。
【００４８】Ｄ／Ａ変換器３０およびＤ／Ａ変換器３１
はこのディジタルデータをディジタル−アナログ変換
し、それぞれ電流制御回路４０および電流制御回路４１
に出力する。
【００４９】電流制御回路４０はＤ／Ａ変換器３０から
のアナログ信号を用いてトランジスタＱ１、トランジス
タＱ２の共通の定電流Ｉａｃを０〜７０ｍＡに変換す
る。入力信号がＨｉｇｈレベルのときはトランジスタＱ
２がＯＮ、トランジスタＱ１がＯＦＦとなり定電流Ｉａ
ｃがレーザダイオード８１に流れ、入力信号がＬｏｗレ
ベルのときにはトランジスタＱ１がＯＦＦ、トランジス
タＱ２がＯＮとなって定電流Ｉａｃはレーザダイオード
８１に流れない。すなわち、定電流Ｉａｃは伝送データ
に基づくパルス電流としてレーザダイオード８１を駆動
する。
【００５０】一方、電流制御回路４１はＤ／Ａ変換器３
１からのアナログ信号を用いて定電流Ｉｄｃを０〜５０
ｍＡに変換する。この電流は直接レーザダイオード８１
に流れ、バイアス電流としてレーザダイオード８１を駆
動する。
【００５１】次に、レーザダイオード経時劣化補償回路
１の動作について鋭明する。
【００５２】モニタＰＤ８２の受光電流Ｉｒは平均値検
出器５７に入力され、平均値検出器５７では受光電流Ｉ
ｒの平均値を検出して０〜５５０ｍＶの電圧に変換し、
Ａ／Ｄ変換器２１および反転増幅器６５の反転入力端子
に出力する。
【００５３】Ａ／Ｄ変換器２１は平均値検出器５７の出
力する電圧を５ビットのディジタル値に変換し、スイッ
チ７５を介してデータとしてメモリ５０に出力する。メ
モリ５０ではこのデータを温度センサ１０で検出された
温度に対応したアドレスに記憶する。このデータはレ−
ザダイオードが劣化する前の基準電圧データとして使用
される。
【００５４】メモリ５０は基準電圧のデータをスイッチ
７５を介してＤ／Ａ変換器３２に出力し、Ｄ／Ａ変換器
３２はこの基準電圧のデータを０〜５５０ｍＶの電圧に
変換して反転増幅器６５の非反転入力に出力する。
【００５５】スイッチ７５は、Ａ／Ｄ変換器２１および
Ｄ／Ａ変換器３２のいずれかをメモリ５０と接続するも
ので、その切替は、基準電圧のデータをメモリに書き込
むときにはＤ／Ａ変換器３２側（）に接続され、同デ
ータをメモリから読み出すときにはＡ／Ｄ変換器２１側
（）に接続される。
【００５６】反転増幅器６５はＤ／Ａ変換器３２から非
反転入力端子に出力された電圧を基準電圧として、平均
値検出器５７から反転入力端子に出力された電圧を反転
増幅してＬＰＦ７０に出力する。
【００５７】ＬＰＦ７０は反転増幅された電圧値を平滑
化し、電流制御回路４２に出力し、電流制御回路４２は
周囲温度、光出力の初期値からの変化分に対応して定電
流Ｉａｐｃを０〜３０ｍＡに変換する。定電流Ｉａｐｃ
は定電流Ｉｄｅと同様に直接レーザダイオード８１に流
れ、バイアス電流としてレーザダイオード８１を駆動す
る。すなわち、レーザダイオード８１の劣化によって生
じたバイアス電流の不足分が定電流Ｉａｐｃによって３
０ｍＡまで補償されることとなる。
【００５８】上記のようにメモリ５０には、周囲温度に
対応したアドレスにパルス電流、バイアス電流が記憶さ
れており、それらの値は周囲温度の変動に対して光出力
と消光比が一定になるように定められているので、周囲
温度の変動に対して光出力と消光比が一定の状態でレー
ザダイオードが駆動される。さらに、周囲温度に対応し
たアドレスには劣化前のモニタＰＤ電流に対応するデー
タが記憶されており、それを基準にすることにより、劣
化した分だけレーザダイオードの光出力を補償すること
ができるものとなっている。
【００５９】次に、本発明の第２の実施例について図３
を参照して説明する。
【００６０】図３は本発明の第２の実施例の構成を示す
回路ブロック図である。本実施例は図２に示した第１の
実施例における平均値検出器５７の代わりにプリアンプ
５５とピーク検出器６０を設けたものである。この他の
構成は図２に示した第１の実施例と同様であるために図
２と同じ番号を付して説明は省略する。
【００６１】モニタＰＤ８２の受光電流Ｉｒは、プリア
ンプ５５に入力されて電圧信号に変換され、ピーク検出
器６０に出力される。ピーク検出器６０ではプリアンプ
５５から出力される電圧信号のピーク電圧を検出し、そ
の検出電圧をＡ／Ｄ変換器２１および反転増幅器６５の
反転入力端子に出力する。以降の動作は第１の実施例と
同様である。
【００６２】上記のように、第１の実施例がモニタＰＤ
８２の検出電圧の平均値によりレーザダイオード８１の
経時劣化補償を行っていたのに対して、本実施例ではモ
ニタＰＤ８２の検出電圧のピーク値によりレーザダイオ
ード８１の経時劣化補償を行う点で異なっている。第１
の実施例では、バースト信号を使用した場合に、モニタ
ＰＤ８２に流れる電流の平均値が微少となり、モニタＰ
Ｄ８２電流の変動を検出することが困難となる。このた
め、レーザダイオードの劣化判別ができなくなるという
問題がある。
【００６３】しかし、本実施例では、モニタＰＤ８２の
電流のピーク値を検出するため、バースト信号を使用し
た場合でもレーザダイオードの経時劣化を判別でき、ピ
ーク値の低下の度合いに対応して光出力の低下分を補償
することができる。
【００６４】次に、本発明の第３の実施例について図面
を参照して説明する。
【００６５】図４は本発明の第３の実施例の構成を示す
回路ブロック図である。本実施例は図３に示した第２の
実施例と構成要素が同じであり、電流電流制御回路４２
が定電流Ｉａｐｃ１と定電流Ｉａｐｃ２の二種類の定電
流を制御している点のみが異なっている。この他の構成
要素の動作は図３に示した第２の実施例と同様であるた
めに図３と同じ番号を付して説明は省略する。
【００６６】定電流Ｉａｐｃ１はレーザダイオードに直
接流れるバイアス電流、定電流Ｉａｐｃ２は入力信号に
よって制御されるパルス電流となる。
【００６７】すなわち、本発明の第３の実施例では、バ
イアス電流とパルス電流の両方が補償されることとな
り、レーザダイオード８１の経時劣化に対応して光出力
と消光比を一定に制御できるものとなっている。
【００６８】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００６９】劣化前のレーザダイオードの光出力をモニ
タＰＤで検出し、検出結果をそのまま基準値として用い
て、光出力をこの基準値に対してフィードバック制御す
るため、レーザダイオードの経時劣化補償回路に対して
特別な調整を必要とすることなく光出力および消光比を
一定に制御することができる効果がある。
【００７０】バイアス電流だけでなくパルス電流も独立
に制御し、消光比を一定に保つことができるため、発光
遅延が生じたり、消光比が低下して確実な消光状態が得
られなくなる等の問題が生じない伝送システムに適した
駆動を行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザダイオードの電流−光出力特性を示す図
である。
【図２】本発明の第１の実施例の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【図３】本発明の第２の実施例の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【図４】本発明の第３の実施例の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【図５】従来例の構成を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
１ レーザダイオード経時劣化補償回路 １０ 温度センサ ２０〜２１ Ａ／Ｄ変換器 ３０〜３２ Ｄ／Ａ変換器 ４０〜４２ 電流制御回路 ５０ メモリ ５５ プリアンプ ５７ 平均値検出器 ６０ ピーク検出器 ６５ 反転増幅器 ７０ ＬＰＦ ７５ スイッチ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動方法において、 バイアス電流とパルス電流を周囲温度に応じて調整し、
    光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする
    レーザダイオード駆動方法。
  2. 【請求項２】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動方法において、 バイアス電流とパルス電流を周囲温度に応じて調整し、
    バイアス電流については、さらに、レーザダイオードの
    経時劣化状態光に応じて調整して出力および消光比を一
    定に制御することを特徴とするレーザダイオード駆動方
    法。
  3. 【請求項３】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動方法において、 バイアス電流とパルス電流を周囲温度およびレーザダイ
    オードの経時劣化状態に応じて調整し、光出力および消
    光比を一定に制御することを特徴とするレーザダイオー
    ド駆動方法。
  4. 【請求項４】 請求項２または請求項３記載のレーザダ
    イオード駆動方法において、 レーザダイオードの経時劣化状態をモニタ用のフォトダ
    イオードの出力の平均値を用いて確認することを特徴と
    するレーザダイオード駆動方法。
  5. 【請求項５】 請求項２または請求項３記載のレーザダ
    イオード駆動方法において、 レーザダイオードの経時劣化状態をモニタ用のフォトダ
    イオードの出力のピーク値を用いて確認することを特徴
    とするレーザダイオード駆動方法。
  6. 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載のレーザ
    ダイオード駆動方法において、 モニタ用のフォトダイオードの使用初期時の出力値を温
    度に対応して記憶し、現在の温度に対して記憶されてい
    る出力値と現在の出力値とを比較することによりレーザ
    ダイオードの経時劣化状態を確認することを特徴とする
    レーザダイオード駆動方法。
  7. 【請求項７】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動回路において、 温度センサと、 温度に対応して前記バイアス電流の値と前記パルス電流
    の値とを記憶し、前記温度センサで検出された温度に対
    応する前記バイアス電流の値と前記パルス電流の値を出
    力する記憶手段と、 前記記憶手段が出力する前記バイアス電流の値と前記パ
    ルス電流の値により前記バイアス電流と前記パルス電流
    を決定し、レーザダイオードを駆動する電流制御手段と
    を有することを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
  8. 【請求項８】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動回路において、 温度センサと、 モニタ用フォトダイオードと、 温度に対応して前記バイアス電流の値と前記パルス電流
    の値とモニタ用のフォトダイオードの使用初期時の出力
    値とを記憶し、前記温度センサで検出された温度に対応
    する前記バイアス電流の値と前記パルス電流の値とモニ
    タ用のフォトダイオードの使用初期時の出力値を出力す
    る記憶手段と、 前記記憶手段が出力するモニタ用のフォトダイオードの
    使用初期時の出力値と現在の出力値からレーザダイオー
    ドの経時劣化状態を示す信号を生成する経時劣化状態検
    出手段と、 前記記憶手段が出力する前記パルス電流の値により前記
    パルス電流を決定し、、前記記憶手段が出力する前記バ
    イアス電流の値と前記経時劣化状態検出手段が生成した
    レーザダイオードの経時劣化状態を示す信号により前記
    バイアス電流を決定し、レーザダイオードを駆動する電
    流制御手段とを有することを特徴とするレーザダイオー
    ド駆動回路。
  9. 【請求項９】 レーザダイオードを、レーザダイオード
    の発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させ
    るためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザ
    ダイオード駆動回路において、 温度センサと、 モニタ用フォトダイオードと、 温度に対応して前記バイアス電流の値と前記パルス電流
    の値とモニタ用のフォトダイオードの使用初期時の出力
    値とを記憶し、前記温度センサで検出された温度に対応
    する前記バイアス電流の値と前記パルス電流の値とモニ
    タ用のフォトダイオードの使用初期時の出力値を出力す
    る記憶手段と、 前記記憶手段が出力するモニタ用のフォトダイオードの
    使用初期時の出力値と現在の出力値からレーザダイオー
    ドの経時劣化状態を示す信号を生成する経時劣化状態検
    出手段と、 前記記憶手段が出力する前記バイアス電流の値と前記パ
    ルス電流の値および前記経時劣化状態検出手段が生成し
    たレーザダイオードの経時劣化状態を示す信号により前
    記バイアス電流およびパルス電流を決定し、レーザダイ
    オードを駆動する電流制御手段とを有することを特徴と
    するレーザダイオード駆動回路。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217836A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード駆動回路及び光送信システム
WO2002069464A1 (fr) * 2001-02-23 2002-09-06 Fujitsu Limited Emetteur lumineux
US6697400B2 (en) 2001-02-08 2004-02-24 Nec Corporation Circuit for driving a laser diode which has a feed-forward type APC circuit and method for driving a laser diode by using the APC circuit
JP2004517350A (ja) * 2000-11-03 2004-06-10 マイクロビジョン インコーポレイテッド 変動補償を有する走査型表示装置
JP2007533275A (ja) * 2004-04-14 2007-11-15 フィニサー コーポレイション ネットワーク送受信機間の帯域外データ通信
WO2009022651A1 (ja) * 2007-08-13 2009-02-19 Omron Corporation 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法、光送信装置、光配線モジュール、および電子機器
JP2009070879A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Nec Corp レーザダイオード駆動回路および駆動方法
JP2009188338A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Fujitsu Telecom Networks Ltd レーザダイオードのパルス電流制御方法及びその動作電流制御装置
JP2011508427A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 マイクロビジョン，インク． レーザダイオード補整方法及び装置
US8345721B2 (en) 2009-06-18 2013-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for driving optical transmitter
US8861559B2 (en) 2010-12-28 2014-10-14 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Method to drive semiconductor laser diode

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE519081C3 (sv) * 1998-01-21 2003-02-19 Altitun Ab Förfarande och anordning för optimering av lasrars operationspunkt, jämte anordning
JP3668612B2 (ja) * 1998-06-29 2005-07-06 株式会社東芝 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール
SE518827C2 (sv) 1999-02-17 2002-11-26 Altitun Ab Metod för karakterisering av en avstämbar laser
JP4103287B2 (ja) 2000-02-14 2008-06-18 横河電機株式会社 Ｄｆｂレーザ駆動装置、ｄｆｂレーザ駆動方法、及び記憶媒体
US6671248B2 (en) * 2000-05-18 2003-12-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method of controlling laser power
JP3729045B2 (ja) * 2000-08-30 2005-12-21 日本電気株式会社 光モジュールの異常検出方法及びその装置
WO2002037622A2 (en) 2000-11-06 2002-05-10 Vitesse Semiconductor Corporation Method of controlling the turn off characteristics of a vcsel diode
US6993459B2 (en) * 2001-07-17 2006-01-31 Tellabs Operations, Inc. Extinction ratio calculation and control of a laser
WO2003017441A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verfahren und vorrichtung zur regelung eines lasers
US6975642B2 (en) 2001-09-17 2005-12-13 Finisar Corporation Optoelectronic device capable of participating in in-band traffic
JP3748432B2 (ja) * 2001-12-20 2006-02-22 株式会社東芝 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム
EP1470522A4 (en) * 2001-12-27 2005-10-05 Ceyx Technologies Inc INTEGRATED CONTROL SYSTEM FOR LASER OPTICS AND OPERATING PROCEDURES
AU2003226442A1 (en) * 2002-01-14 2003-09-02 Ceyx Technologies, Inc. Laser temperature performance compensation
US6862302B2 (en) * 2002-02-12 2005-03-01 Finisar Corporation Maintaining desirable performance of optical emitters over temperature variations
EP1788413A3 (en) * 2002-02-12 2007-06-13 Finisar Corporation Maintaining desirable performance of optical emitters at extreme temperatures
ATE364856T1 (de) * 2002-02-12 2007-07-15 Finisar Corp Aufrechterhalten einer erwünschten leistungsfähigkeit optischer emitter bei extremen temperaturen
US20030161592A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Optronx, Inc. Header with temperature sensor positioned proximate the laser
EP1345296A1 (en) * 2002-03-16 2003-09-17 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) System for controlling power, wavelength and extinction ratio in optical sources, and computer program product therefor
US6873632B2 (en) * 2002-05-22 2005-03-29 Finisar Corporation Techniques for biasing lasers
US6885685B2 (en) * 2002-06-11 2005-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Control system for a laser diode and a method for controlling the same
US7561855B2 (en) 2002-06-25 2009-07-14 Finisar Corporation Transceiver module and integrated circuit with clock and data recovery clock diplexing
US7809275B2 (en) * 2002-06-25 2010-10-05 Finisar Corporation XFP transceiver with 8.5G CDR bypass
US7437079B1 (en) 2002-06-25 2008-10-14 Finisar Corporation Automatic selection of data rate for optoelectronic devices
US7486894B2 (en) * 2002-06-25 2009-02-03 Finisar Corporation Transceiver module and integrated circuit with dual eye openers
US7664401B2 (en) 2002-06-25 2010-02-16 Finisar Corporation Apparatus, system and methods for modifying operating characteristics of optoelectronic devices
KR100857083B1 (ko) 2002-06-26 2008-09-05 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 광디스크 장치에서의 기준 파워 설정방법
DE10238294A1 (de) * 2002-08-21 2004-03-04 Siemens Ag Verfahren zur Reduzierung der Einregelzeit eines Lasers
US7477847B2 (en) * 2002-09-13 2009-01-13 Finisar Corporation Optical and electrical channel feedback in optical transceiver module
JP2004111827A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Alps Electric Co Ltd 半導体レーザの光出力制御回路
US7317743B2 (en) * 2002-11-08 2008-01-08 Finisar Corporation Temperature and jitter compensation controller circuit and method for fiber optics device
US7230961B2 (en) 2002-11-08 2007-06-12 Finisar Corporation Temperature and jitter compensation controller circuit and method for fiber optics device
US20040131094A1 (en) * 2002-12-18 2004-07-08 Reza Miremadi Method of controlling the extinction ratio of a laser
US7830936B2 (en) * 2003-01-10 2010-11-09 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Calibration of laser systems
US7043997B2 (en) * 2003-07-09 2006-05-16 Cherry Corporation Seat for sensing a load
US7426586B2 (en) * 2003-12-15 2008-09-16 Finisar Corporation Configurable input/output terminals
US20050180711A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kamath Kishore K. Dual loop automatic power control of optical transmitters
US7266136B2 (en) * 2004-03-25 2007-09-04 Finisar Corporation Temperature compensation for fiber optic transceivers using optimized convergence algorithms
US20050271099A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Optical Communication Products, Inc. Burst mode transmitter system
US8639122B2 (en) * 2004-07-02 2014-01-28 Finisar Corporation Filtering digital diagnostics information in an optical transceiver prior to reporting to host
US7447438B2 (en) 2004-07-02 2008-11-04 Finisar Corporation Calibration of digital diagnostics information in an optical transceiver prior to reporting to host
US7352784B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-01 Jds Uniphase Corporation Laser burst boosting method and apparatus
US7132805B2 (en) * 2004-08-09 2006-11-07 Dialight Corporation Intelligent drive circuit for a light emitting diode (LED) light engine
US7504610B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-17 Mindspeed Technologies, Inc. Optical modulation amplitude compensation system having a laser driver with modulation control signals
JP2006080677A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 光データリンク
US7532820B2 (en) 2004-10-29 2009-05-12 Finisar Corporation Systems and methods for providing diagnostic information using EDC transceivers
US20060126684A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Chien-Chang Liu Real time constant excitation ratio (ER) laser driving circuit
US7242701B2 (en) * 2005-02-15 2007-07-10 Lucent Technologies Inc. Laser wavelength control arrangement and method
US20070116076A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Frank Wang Controlling optical power and extincation ratio of a semiconductor laser
US20070160374A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-12 Fujitsu Limited Optical transmitter and method for controlling optical transmitter
US7403214B2 (en) * 2006-02-21 2008-07-22 Lexmark International, Inc. Systems and methods for adjusting the dynamic range of a scanning laser beam
JP2007324525A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fuji Xerox Co Ltd 光送信機、光通信システム、及び光送信機の調整方法
JP4574650B2 (ja) * 2007-07-09 2010-11-04 キヤノン株式会社 レーザダイオード駆動装置及び光走査装置
JP4912283B2 (ja) * 2007-11-30 2012-04-11 株式会社リコー 半導体装置、その半導体装置を使用した半導体レーザ駆動装置及び画像形成装置
US8750341B2 (en) * 2008-01-04 2014-06-10 Mindspeed Technologies, Inc. Method and apparatus for reducing optical signal speckle
KR101623996B1 (ko) 2008-03-31 2016-05-24 마인드스피드 테크놀로지 인크 휴대형 ｌｃｏｓ／ｌｃｄ／ｄｌｐ 투사 시스템에서의 전력 소실 감소
TWI408725B (zh) * 2008-12-04 2013-09-11 Ind Tech Res Inst 電子發射式發光裝置及其封裝方法
US8283876B2 (en) * 2009-09-17 2012-10-09 Dialog Semiconductor Gmbh Circuit for driving an infrared transmitter LED with temperature compensation
JP5749458B2 (ja) * 2010-07-21 2015-07-15 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光送信モジュール、および、光送信モジュールの制御方法
US8643296B2 (en) 2010-11-22 2014-02-04 Mindspeed Technologies, Inc. Color mixing and desaturation with reduced number of converters
US9000934B1 (en) 2010-12-17 2015-04-07 Musco Corporation Apparatus, method, and system for determining end-of-life of a product
WO2012115870A2 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Musco Corporation Compact and adjustable led lighting apparatus, and method and system for operating such long-term
US9107245B2 (en) 2011-06-09 2015-08-11 Mindspeed Technologies, Inc. High accuracy, high dynamic range LED/laser driver
US8872487B2 (en) 2011-08-28 2014-10-28 Mindspeed Technologies, Inc. Scalable buck-boost DC-DC converter
US9385606B2 (en) 2012-12-03 2016-07-05 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Automatic buck/boost mode selection system for DC-DC converter
US10097908B2 (en) 2014-12-31 2018-10-09 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. DC-coupled laser driver with AC-coupled termination element
EP3507924A4 (en) 2016-08-30 2020-04-08 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. DRIVER WITH DISTRIBUTED ARCHITECTURE
US10630052B2 (en) 2017-10-04 2020-04-21 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Efficiency improved driver for laser diode in optical communication
US11005573B2 (en) 2018-11-20 2021-05-11 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Optic signal receiver with dynamic control
TW202143665A (zh) 2020-01-10 2021-11-16 美商Ｍａｃｏｍ技術方案控股公司 最佳等化分割
US11575437B2 (en) 2020-01-10 2023-02-07 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Optimal equalization partitioning
US12013423B2 (en) 2020-09-30 2024-06-18 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. TIA bandwidth testing system and method
US11658630B2 (en) 2020-12-04 2023-05-23 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Single servo loop controlling an automatic gain control and current sourcing mechanism
US11616529B2 (en) 2021-02-12 2023-03-28 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Adaptive cable equalizer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59112670A (ja) 1982-12-20 1984-06-29 Hitachi Ltd 光デイジタル送信器における出力安定化回路
JPS60251731A (ja) 1984-05-29 1985-12-12 Fujitsu Ltd 光出力制御装置
JP2507387B2 (ja) * 1987-02-13 1996-06-12 株式会社東芝 電力変換装置
JPH02308584A (ja) * 1989-05-24 1990-12-21 Toshiba Corp レーザダイオードの光出力制御回路
JPH0356871A (ja) 1989-07-24 1991-03-12 Nec Corp レーザダイオード劣化検出回路
JP2546080B2 (ja) * 1991-05-10 1996-10-23 富士通株式会社 半導体レーザー制御装置
US5278404A (en) * 1992-07-20 1994-01-11 At&T Bell Laboratories Optical sub-system utilizing an embedded micro-controller
DE4316811A1 (de) * 1993-05-19 1994-11-24 Philips Patentverwaltung Optisches Übertragungssystem mit einer Laserdiode
JP3596963B2 (ja) * 1995-12-06 2004-12-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置
US5812572A (en) * 1996-07-01 1998-09-22 Pacific Fiberoptics, Inc. Intelligent fiberoptic transmitters and methods of operating and manufacturing the same
US6055252A (en) * 1998-09-10 2000-04-25 Photonic Solutions, Inc. Fiberoptic transmitter using thermistor to maintain stable operating conditions over a range of temperature

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004517350A (ja) * 2000-11-03 2004-06-10 マイクロビジョン インコーポレイテッド 変動補償を有する走査型表示装置
JP2002217836A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード駆動回路及び光送信システム
US6697400B2 (en) 2001-02-08 2004-02-24 Nec Corporation Circuit for driving a laser diode which has a feed-forward type APC circuit and method for driving a laser diode by using the APC circuit
WO2002069464A1 (fr) * 2001-02-23 2002-09-06 Fujitsu Limited Emetteur lumineux
US6748181B2 (en) 2001-02-23 2004-06-08 Fujitsu Limited Optical transmitter provided with optical output control function
JP2007533275A (ja) * 2004-04-14 2007-11-15 フィニサー コーポレイション ネットワーク送受信機間の帯域外データ通信
WO2009022651A1 (ja) * 2007-08-13 2009-02-19 Omron Corporation 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法、光送信装置、光配線モジュール、および電子機器
KR101184836B1 (ko) 2007-08-13 2012-09-20 오무론 가부시키가이샤 반도체 레이저 구동 장치, 반도체 레이저 구동 방법, 광 송신 장치, 광 배선 모듈, 및 전자 기기
US8457499B2 (en) 2007-08-13 2013-06-04 Omron Corporation Semiconductor laser drive device, semiconductor laser drive method, light transmission device, optical wiring module, and electronic device
JP2009070879A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Nec Corp レーザダイオード駆動回路および駆動方法
JP2011508427A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 マイクロビジョン，インク． レーザダイオード補整方法及び装置
JP2009188338A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Fujitsu Telecom Networks Ltd レーザダイオードのパルス電流制御方法及びその動作電流制御装置
US8345721B2 (en) 2009-06-18 2013-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for driving optical transmitter
US8861559B2 (en) 2010-12-28 2014-10-14 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Method to drive semiconductor laser diode

Also Published As

Publication number Publication date
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US6292497B1 (en) 2001-09-18
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