JP3637872B2 - フィードフォワード型apc回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バースト対応光送信器において、マーク率変動による光出力ピークパワーの変動を補償するフィードフォワード型APC(Auto Power Control)回路を備えたレーザダイオード駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7に示すPON(Passive Optical Network)システム(例:ATM−PON(Asynchronous Transfer Mode-Passive Optical Network))では、局舎からのファイバをスターカプラによって、複数のファイバに伝送路を分散させる。一芯のファイバで双方向送受信を行うため、各加入者から出力された上り信号は、他の加入者からの信号とぶつからないよう、バースト伝送を用いる。上り信号用の光送信器はバースト伝送に対応するため、さまざまな光送信方式が提案されているが、その一つとしてフィードフォワード型APCがよく使われる。
【0003】
従来の光送信部は、例えば特開平11−135871号公報に開示された例が挙げられる。図8は、その構成を示すブロック図である。温度センサ7で検出した温度は、A/D変換器8で温度に対応する値に変換され、メモリ20へ入力する。メモリ20は、温度に対応する値に対応してLD(Laser Diode)1をパルス駆動するパルス電流Iacに対応する値と、LD1をバイアス駆動するバイアス電流Idcに対応する値とを記憶しており、光送信器周囲温度に対応する値に対応して、パルス電流Iacに対応する値とバイアス電流Idcに対応する値を出力する。
【0004】
パルス電流Iacに対応する値はD/A変換器6でD/A変換され、電流制御回路4に入力される。電流制御回路4は、パルス電流Iacに対応する値をパルス電流Iacに変換し、ドライバ2に入力する。ドライバ2は、入力信号A(データ入力)に応じて、LD1の発光をON/OFFする。その際の変調電流はパルス電流Iacとなる。また、バイアス電流Idcに対応する値は、D/A変換器5でD/A変換され、電流制御回路3に入力される。電流制御回路3は、バイアス電流Idcに対応する値をバイアス電流Idcに変換し、LD1に供給する。
【0005】
PONシステムでは、前述のように上り信号にバースト伝送を行う。バースト伝送では、バーストセルと呼ばれる規定時間単位のデータ区間でデータをランダムに伝送する。バーストセル数は、任意に決定されるため、例えば図9に示すように、発光がほとんど連続に近い場合(a)と、発光回数が少ない場合(b)がランダムに混在する。光送信器周囲温度が一定の場合でも、これらのようにバーストセルが密であるか疎であるかによって、LDの発光量に比例して発熱量が異なってくる。バーストセルが密の場合(a)、LDを流れる電流が多いため、LDの自己発熱量も多くなる。また、バーストセルが疎の場合(b)、LDを流れる電流時間が短く、また電流量も少ないため、LDの自己発熱量は少ない。つまり、光送信器周囲温度が一定の場合でも、バーストセルの疎密により光出力ピークパワーの変動が生じる。このバーストセルの疎密は、マーク率の大小に置き換えられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バースト伝送を行う光送信器は、バースト先頭の1ビットから瞬時に波形が立ち上がる必要があるが、従来のフィードフォワード型APCでは光送信器の周囲温度のみしか検知しないため、マーク率の大小等の周囲温度以外の要因による光出力の変動を抑圧することができなかった。
【0007】
そこで本発明は、マーク率変動による光出力ピークパワー変動を補償することが可能なフィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明は、図1において、平均値検出器9で入力信号Aの平均値を検出し、そのマーク率に対応する値をメモリ制御回路11へ入力する。メモリ制御回路11は、複数のメモリ(メモリA12、メモリB13、メモリC14)と接続される。それぞれのメモリは、LD1のパルス駆動電流Iacに対応する値とバイアス駆動電流Idcに対応する値について、温度に対応して特性の異なるデータを記憶する。メモリ制御回路11は、検出したマーク率に対応して、使用するメモリを選択し、温度センサ7からの温度に応じてパルス駆動電流Iacに対応する値とバイアス電流Idcに対応する値とを呼び出し、パルス駆動電流Iacとバイアス電流Idcを決定する。すなわち、平均値検出器9でマーク率を検出することにより、マーク率によってパルス駆動電流Iacとバイアス駆動電流Idcを調整し、光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明のフィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路の構成を示す。
【0010】
平均値検出器9で入力信号Aの平均値を検出して、そのマーク率に対応する値をA/D変換器10でA/D変換し、メモリ制御回路11へ入力する。メモリ制御回路11は、複数のメモリ(メモリA12、メモリB13、メモリC14)に接続される。メモリA12、メモリB13、メモリC14は、光送信器周囲温度に対応してLD(レーザダイオード)1をパルス駆動するパルス電流Iacに対応する値と、LD1をバイアス駆動するバイアス電流Idcに対応する値とを記憶する。光送信器周囲温度は、温度センサ7で検出され、光送信器周囲温度に対する値に変換され、A/D変換器8に入力され、A/D変換されてメモリ制御回路11に入力される。
【0011】
メモリ制御回路11は、検出したマーク率に対応して、使用するメモリを選択し、温度に対応して、パルス電流Iacに対応する値とバイアス電流Idcに対応する値を呼び出し、パルス電流Iacに対応する値をD/A変換器6へ出力し、バイアス電流Idcに対応する値をD/A変換器5へ出力する。パルス電流Iacに対応する値はD/A変換器6でD/A変換され、電流制御回路4へ入力され、パルス電流Iacに変換される。ドライバ2は、入力信号Aに対応してLD1のON/OFFを制御する。この際、LD1をパルス駆動する電流値はパルス電流Iacである。一方、メモリ制御回路11から出力されたバイアス電流Idcに対応する値はD/A変換器5でD/A変換され、電流制御回路3へ入力され、バイアス電流Idcに変換される。電流制御回路3はLD1に接続されており、LD1に流すバイアス電流Idcを制御する。
【0012】
次に、本発明の動作を説明する。
【0013】
図2は、図1の(a)、(b)における波形を時間軸上に示した図である。入力信号Aの状態によって、3つの場合(A〜C)に分けている。入力信号Aは、バーストセルを1単位としてデータ列を構成しており、バーストセル内に規定された時間のパルスが含まれている。図2の例では、バーストセル長は、バーストセル内のデータ列480ビットで構成している。データ列のマーク率は定常的に1/2としている。図2の(A)(B)(C)は、入力信号Aのバーストセルの疎密による平均値検出器9の動作を図示している。
【0014】
バーストセルが密な場合、言い換えるとマーク率が大きい場合(A)は、平均値検出器9は大きなレベルを出力する。バーストセルが疎な場合、言い換えるとマーク率が小さい場合(C)は、平均値検出器9は小さなレベルを出力する。つまり、バーストセルの疎密状態に対応して、平均値検出器9はマーク率に対応する値を出力する。平均値検出器9で検出したマーク率に対応する値は、A/D変換器10でA/D変換され、メモリ制御回路11へ入力される。メモリ制御回路11では、検出したマーク率に対応する値に対応して、使用するメモリをメモリA12、メモリB13、メモリC14から選択する。
【0015】
各メモリは、光送信器周辺温度に対応して、パルス電流Iacに対応する値とバイアス電流Idcに対応する値を記憶する。メモリA12、メモリB13、メモリC14には、例えば、図3に示すようにそれぞれ特性の異なるデータを記憶させておく。図3の例では、(A)メモリAには、温度と駆動電流の傾きが急峻な特性を記憶させており、(B)メモリB、(C)メモリCの順で傾きが緩やかな特性を記憶させている。例えば、バーストセルが密で、マーク率が大きい状態の時、図2(A)に対応する図3(A)のメモリAを選択するようにメモリ制御回路11にあらかじめ設定しておく。同様に、図2(B)に対応して図3(B)を記憶させ、図2(C)に対応して図3(C)を記憶しておく。
【0016】
マーク率が平均的な状態である図2(B)から、マーク率が密な状態である図2(A)に変化した場合、LD1には電流がほぼ定常的に流れるようになるため、LD1の周囲温度が上昇する。LD1は自己発熱による周囲温度の上昇で、光出力ピークパワーが減衰する。その理由は、LD1の電流対発光特性が温度上昇により劣化するからである。入力信号Aのマーク率を検出することにより、図3(A)のメモリAが選択され、光出力ピークパワーの減衰が補償される。また、マーク率が平均的な状態である図2(B)から、マーク率が疎の状態である図2(C)に変化した場合、LD1には電流が不定間隔かつ少量しか流れないため、LD1の周囲温度は下降し、光出力ピークパワーが上昇する。その理由は、LD1の電流対発光特性が周囲温度の下降により改善されるからである。その際、入力信号Aのマーク率を検出することにより図3(C)のメモリCを選択され、光出力パワーの上昇が補償される。このように、マーク率の疎密を検出することにより、マーク率によるレーザダイオード駆動電流の温度特性を調整し、マーク率変動による光出力ピークパワーの変動を補償することができる。
【0017】
図4は、図1の構成に入力信号Bを追加した他の実施の形態の構成を示す。図5は、入力信号A(データ入力)と入力信号B(セル入力)との関係を示し、入力信号Bはバーストセルに同期したバーストセル長の信号である。入力信号Bは電流制御回路3を制御する信号で、バイアス電流IdcのON/OFFに使用され、入力信号Aの無い区間で光を発出させないようにバイアス電流を流さないようにしている。バースト伝送のマーク率は、バーストセルの密度で決定されるため、入力信号Bを検出することにより、マーク率を検出できる。平均値検出器9で入力信号Bの平均値を検出することにより、マーク率に対応する値を取得でき、本発明を適用できる。
【0018】
図6は、図1の構成でメモリの個数を増やした他の実施の形態の構成を示す。図1の実施の形態では、メモリを3個としたが、メモリの個数を増やすことにより、より精細なマーク率補償が可能となる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第1効果は、マーク率の変動による光出力ピークパワーの変動をフィードフォワードで制御できることである。その理由は、従来の回路では光送信器の周囲温度を検知してレーザダイオードの駆動電流を決定するので、マーク率の大小によるレーザダイオード周囲温度の変動を補償できないが、本発明では入力信号からマーク率を検出し、マーク率によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有しているからである。
【0020】
本発明の第2の効果は、マーク率変動による光出力ピークパワー変動を、光出力をモニタすることなく、電気回路構成のみで抑圧できることである。その理由は、入力信号のみからマーク率を検出し、マーク率によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有しているからである。光出力をモニタしないため、モニタ用のフォトダイオードを必要としないことから低コスト化に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のフィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路の構成図である。
【図2】図1の(a)、(b)における波形を時間軸上に示した図であって、入力信号Aの状態によって、(A)〜(C)の3つの場合に分けた説明図である。
【図3】メモリA、メモリB、メモリCに記憶された、それぞれ特性の異なるデータの説明図である。
【図4】図1の構成に入力信号Bを追加した他の実施の形態の構成図である。
【図5】入力信号A(データ入力)と入力信号B(セル入力)との関係を示す図である。
【図6】図1の構成でメモリの個数を増やした他の実施の形態の構成図である。
【図7】PONシステムの説明図である。
【図8】従来の光送信部の構成例を示すブロック図である。
【図9】バースト伝送のバーストセルが密である場合(a)と、疎である場合(b)を示す図である。
【符号の説明】
1 LD(レーザダイオード)
2 ドライバ
3 (バイアス)電流制御回路
4 (パルス)電流制御回路
5 D/A変換器
6 D/A変換器
7 温度センサ
8 A/D変換器
9 平均値検出器
10 A/D変換器
11 メモリ制御回路
12 メモリA
13 メモリB
14 メモリC
Claims (6)
- バースト対応光送信器において、
送信用信号光を発するレーザダイオードと、
バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆動するドライバ回路と、
このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じた前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパルス電流制御回路と、
前記レーザダイオードのバイアス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、
前記バースト入力信号の平均値を検出し、マーク率に対応する値を出力する平均値検出回路と、
光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路と、
前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータを記憶する複数のメモリが接続されたメモリ制御回路とを備え、
このメモリ制御回路は、前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメモリを選択し、前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする、フィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路。 - バースト対応光送信器において、
送信用信号光を発するレーザダイオードと、
バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆動するドライバ回路と、
このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じた前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパルス電流制御回路と、
前記バースト入力信号のバーストセルに同期したバーストセル長のセル同期信号が入力され、前記レーザダイオードのバイアス駆動電流のオン/オフを制御して、前記バースト入力信号の無い区間で発光しないようにバイアス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、
前記セル同期信号の平均値を検出し、マーク率に対応する値を出力する平均値検出回路と、
光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路と、
前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータを記憶する複数のメモリが接続されたメモリ制御回路とを備え、
このメモリ制御回路は、前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメモリを選択し、前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする、フィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路。 - 前記複数のメモリを構成する、第1メモリには、温度と駆動電流の傾きが急峻な特性を記憶させ、以降、第2メモリ、第3メモリの順で傾きが緩やかな特性を記憶させて、
前記メモリ制御回路は、マーク率の大きさに応じて、前記第1メモリ、第2メモリ、第3メモリの順に選択することを特徴とする、請求項1または2記載のフィードフォワード型APC回路を備えたレーザダイオード駆動回路。 - 送信用信号光を発するレーザダイオードと、
バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆動するドライバ回路と、
このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じた前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパルス電流制御回路と、
前記レーザダイオードのバイアス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、
前記バースト入力信号の平均値を検出し、マーク率に対応する値を出力する平均値検出回路と、
光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路とを備えたバースト対応光送信器において、
前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータを複数のメモリに記憶し、
前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメモリを選択し、
前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする、フィードフォワード型APCによるレーザダイオード駆動方法。 - 送信用信号光を発するレーザダイオードと、
バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆動するドライバ回路と、
このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じた前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパルス電流制御回路と、
前記バースト入力信号のバーストセルに同期したバーストセル長のセル同期信号が入力され、前記レーザダイオードのバイアス駆動電流のオン/オフを制御して、前記バースト入力信号の無い区間で発光しないようにバイアス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、
前記セル同期信号の平均値を検出し、マーク率に対応する値を出力する平均値検出回路と、
光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路とを備えたバースト対応光送信器において、
前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータを複数のメモリに記憶し、
前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメモリを選択し、
前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力および消光比を一定に制御することを特徴とする、フィードフォワード型APCによるレーザダイオード駆動方法。 - 前記複数のメモリを構成する、第1メモリには、温度と駆動電流の傾きが急峻な特性を記憶させ、以降、第2メモリ、第3メモリの順で傾きが緩やかな特性を記憶させて、
マーク率の大きさに応じて、前記第1メモリ、第2メモリ、第3メモリの順に選択することを特徴とする、請求項4または5記載のフィードフォワード型APCによるレーザダイオード駆動方法。
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Families Citing this family (27)
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JP2003008138A (ja) * | 2001-06-13 | 2003-01-10 | Motorola Inc | レーザーダイオード制御装置 |
JP3748432B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2006-02-22 | 株式会社東芝 | 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム |
US7035300B2 (en) * | 2002-11-05 | 2006-04-25 | Finisar Corporation | Calibration of a multi-channel optoelectronic module with integrated temperature control |
US7230961B2 (en) | 2002-11-08 | 2007-06-12 | Finisar Corporation | Temperature and jitter compensation controller circuit and method for fiber optics device |
US7317743B2 (en) * | 2002-11-08 | 2008-01-08 | Finisar Corporation | Temperature and jitter compensation controller circuit and method for fiber optics device |
US7440865B1 (en) * | 2003-02-03 | 2008-10-21 | Finisar Corporation | Screening optical transceiver modules for electrostatic discharge damage |
US20040179854A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Dean William Kit | Data dependant biasing for nonlinear devices |
JP2004281566A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Alps Electric Co Ltd | 半導体レーザの駆動回路 |
JP2005093558A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザダイオードの消光比制御方法及びレーザダイオード駆動回路、並びにその集積回路及び送信装置及び通信システム |
TWI220809B (en) * | 2003-10-02 | 2004-09-01 | Asia Optical Co Inc | Laser driver circuit for burst mode transmission |
US8639122B2 (en) * | 2004-07-02 | 2014-01-28 | Finisar Corporation | Filtering digital diagnostics information in an optical transceiver prior to reporting to host |
US7447438B2 (en) * | 2004-07-02 | 2008-11-04 | Finisar Corporation | Calibration of digital diagnostics information in an optical transceiver prior to reporting to host |
US7532820B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-05-12 | Finisar Corporation | Systems and methods for providing diagnostic information using EDC transceivers |
JP4729925B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-07-20 | 住友電気工業株式会社 | 光送信機 |
US20070086495A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-04-19 | Sprague Randall B | Method and apparatus for stable laser drive |
US7516897B1 (en) | 2005-09-07 | 2009-04-14 | Kinana Hussain | Digital automatic power control loop for continuous and burst mode applications |
US7403214B2 (en) * | 2006-02-21 | 2008-07-22 | Lexmark International, Inc. | Systems and methods for adjusting the dynamic range of a scanning laser beam |
JP2007324525A (ja) | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 光送信機、光通信システム、及び光送信機の調整方法 |
JP4341708B2 (ja) * | 2007-08-13 | 2009-10-07 | オムロン株式会社 | 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法、光送信装置、光配線モジュール、および電子機器 |
US8750341B2 (en) * | 2008-01-04 | 2014-06-10 | Mindspeed Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing optical signal speckle |
EP2332224A1 (en) * | 2008-08-11 | 2011-06-15 | X.D.M. Ltd. | Laser assembly and method and system for its operation |
JP5439970B2 (ja) | 2009-06-18 | 2014-03-12 | 住友電気工業株式会社 | レーザダイオード駆動方法及び光送信器 |
JP5499937B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-05-21 | 三菱電機株式会社 | Ponシステム、その子局側装置およびデータ送信方法 |
US20140341593A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Method And Apparatus For Optical Transmission In A Communication Network |
JP2015122626A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 日立金属株式会社 | 光通信モジュール |
JP2016096191A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 住友電気工業株式会社 | 光送信器及び駆動電流制御方法 |
WO2018229823A1 (ja) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法 |
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JPS573451A (en) | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nec Corp | Timing pulse shaping circuit |
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US5553170A (en) * | 1987-07-09 | 1996-09-03 | Ezel, Inc. | High speed image processing system having a preparation portion and a converting portion generating a processed image based on the preparation portion |
US5208782A (en) * | 1989-02-09 | 1993-05-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having a plurality of memory blocks and a lead on chip (LOC) arrangement |
US5019769A (en) * | 1990-09-14 | 1991-05-28 | Finisar Corporation | Semiconductor laser diode controller and laser diode biasing control method |
JPH06112905A (ja) | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nec Corp | 光直接増幅器 |
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