JP3736830B2 - 角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびボンド磁石 - Google Patents
角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびボンド磁石 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、従来よりも角形性および熱的安定性に優れたＲ（但し、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうち少くとも１種を示す），Ｆｅ，Ｃｏ，およびＢを主成分とするＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびこの粉末を用いたボンド磁石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は高い磁気特性および比較的安定な温度特性を有するところから、これを樹脂結合してボンド磁石を作製している。このボンド磁石は、寸法精度が高いこと、薄肉で複雑形状の磁石を容易に製造できること、他の部品との一体成形が可能であることなどの特徴を有することから、ＯＡ、ＦＡ機器などの小型モーターなど各種部品として広く使用されている。
【０００３】
前記Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を製造する方法の一つとして、水素化・脱水素処理する方法（一般に、ＨＤＤＲ法と呼ばれている）が知られており、この方法は、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系鋳造合金またはこれを粉砕して得られた粗粉末を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して鋳造合金またはその合金の粗粉末に水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち急却し、ついで粉砕することにより製造するものである。
【０００４】
この方法で得られたＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒は全再結晶粒の５０容量％以上を占め、このＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の望ましい組成は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．００１〜５．０％を含有し、さらに、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．０１〜２．０％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成であることも知られている。
【０００５】
これらＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、樹脂と混合した後、圧縮成形、射出成形、押し出し成形、ロール圧延などの方法により所定形状に成形し、ボンド磁石を製造することができる。この成形の際に、外部より磁界を加えない製造法では、磁石粉末粒子の磁化容易軸が無秩序に分布し、磁石のいずれの方向においても磁気特性の等しい等方性ボンド磁石が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびこの磁石粉末を用いて作製したボンド磁石は、熱的安定性に優れているものの十分ではなく、また減磁曲線の角形性が十分でなく、従来よりも一層熱的安定性および角形性に優れたＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびその磁石粉末を用いたボンド磁石が求められている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、熱的安定性に優れていると共に減磁曲線の角形性にも優れているＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびその磁石粉末を用いたボンド磁石を得るべく研究を行った結果、
従来のＲ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、さらにＡｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計量：０．１〜２．０％を含有し、さらに必要に応じてＧａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計量：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有するＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金に、さらにＣｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように添加した組成のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金からなる磁石粉末は、従来のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末よりも一層角形性および熱的安定性にも優れ、さらにその磁石粉末を用いたボンド磁石は従来よりも一層角形性に優れかつ熱的安定性に優れる、という研究結果が得られたのである。
【０００８】
この発明はかかる研究結果にもとづいてなされたものであって、
（１）原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占める角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末、
（２）原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％、Ｍｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、
Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占める角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末、
に特徴を有するものである。
【０００９】
前記（１）または（２）記載の角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合して得られたボンド磁石は、従来よりも一層角形性および熱的安定性に優れた特性を示す。このボンド磁石は、空隙が少ないほど好ましく、空隙率が１１容量％以下（一層好ましくは５容量％以下）であることが好ましい。
【００１０】
したがって、この発明は、
（３）前記（１）または（２）記載の希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合した角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石、
（４）前記（１）または（２）記載の希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合した空隙率が１１容量％以下である角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石、
に特徴を有するものである。
【００１１】
前記（１）記載のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％を含有し、さらにＣｒ：０．３〜２．５％、Ｍｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有する合金溶湯を鋳造して鋳造体を作製し、この鋳造体を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して前記フィルム状の鋳造体に水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち、冷却し、ついで粉砕することにより製造することができる。
【００１２】
また、前記（２）記載のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、さらにＧａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有する合金溶湯を鋳造して鋳造体を作製し、この鋳造体を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち、冷却し、ついで粉砕することにより製造することができる。
【００１３】
つぎに、この発明のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の成分組成、結晶粒径および結晶粒形状を上記の如く限定した理由について説明する。
Ａ．成分組成
（ａ）Ｒ
Ｒは、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｍ，Ｙｂ，ＬｕおよびＹのうち１種または２種以上であり、一般にＮｄを主体とし、これにその他の希土類元素を添加して用いられるが、特にＴｂ，ＤｙおよびＰｒは保磁力ｉＨｃを向上させる効果があり、Ｒの含有量が１０％より低くても、また２０％より高くても磁石粉末の保磁力が低下し、優れた磁気特性が得られない。したがって、Ｒの含有量は１０〜２０％に定めた。
【００１４】
（ｂ）Ｂ
Ｂの含有量が３％より低くても、また２０％より高くても磁石粉末の保磁力が低下し、優れた磁気特性が得られないので、Ｂ含有量は３〜２０％と定めた。
【００１５】
（ｃ）Ｃｏ
Ｃｏを添加することにより磁石粉末の保磁力および磁気的温度特性（例えば、キュリー点）が向上し、さらに耐食性を向上させる効果があるが、その含有量が０．１％未満では所望の効果が得られず、一方、５０％を超えて含有してもかえって磁気特性が低下するので好ましくない。したがって、Ｃｏの含有量は０．１〜５０％に定めた。Ｃｏの含有量は、０．１〜２０％の間では、最も保磁力が高くなるのでＣｏ：０．１〜２０％とするのが一層好ましい。
【００１６】
（ｄ）Ａｌ，ＶおよびＳｉ
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系永久磁石粉末合金に、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上を添加することにより最大エネルギー積を安定して高めることができるので添加するが、その含有量が０．１％未満では所望の効果が得られず、一方、２．０％を超えて添加しても、磁化の値を高めることができないので好ましくない。
したがって、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上は合計量で０．１〜２．０％に定めた。Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上は合計量の一層好ましい範囲は０．１〜１．０％である。
【００１７】
（ｅ）Ｃｒ，Ｍｏ
ＣｒおよびＭｏを、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上、特にＡｌと共に添加することにより優れた角形性を示すのでＣｒおよびＭｏを添加するが、Ｃｒの添加量が０．３％未満、Ｍｏの含有量が０．２％未満を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５％未満では所望の効果が得られず、一方、Ｃｒの添加量が２．５％を越えかつＭｏの含有量が２％を越えて含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が４．５％を越えて含有すると磁束密度が減少するので好ましくない。したがって、Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように定めた。
【００１８】
（ｆ）Ｇａ，ＺｒおよびＨｆ
これらの成分は、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の成分として含有し、保磁力を向上させるとともに優れた耐食性を安定的に付与する作用を有するので、必要に応じて添加するが、その含有量が０．５％未満では所望の効果が得られず、一方、１．５％を超えて含有すると磁気特性が低下する。したがって、Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計は０．５〜１．５％に定めた。
【００１９】
Ｂ．再結晶粒
（ｆ）再結晶粒径およびその形状
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の組織を構成するＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型相の再結晶粒の粒径が０．０５μｍより小さいと着磁が困難になるので好ましくなく、一方、２０μｍより大きいと保磁力や角型性が低下し、高磁気特性が得られないので好ましくない。
【００２０】
したがって、再結晶粒径は０．０５〜３μｍに定めた。この場合、再結晶粒径は単磁区粒径の寸法（０．３μｍ）に近い０．０５〜３μｍとする方が一層好ましい。上記寸法を有する個々の再結晶粒は、最短粒径ａと最長粒径ｂの比が（ｂ／ａ）＜２の形状を有することが好ましく、この形状を有する再結晶粒は、全再結晶粒の５０容量％以上存在することが必要である。
【００２１】
上記最短粒径ａと最長粒径ｂの比ｂ／ａが２より小さい再結晶粒形状を有することにより、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の保磁力が改善されると共に耐食性も向上し、さらに保磁力の温度係数も小さくなる。したがって上記個々の再結晶粒のｂ／ａの値は２未満に定めた。
【００２２】
Ｃ．ボンド磁石の空隙率
ボンド磁石の空隙率は、１１容量％を越えると、空隙中の酸素により磁石粉末が酸化され、そのためボンド磁石の磁気特性が低下するのでボンド磁石の空隙率を１１容量％以下に定めた。ボンド磁石の空隙率は小さいほど好ましく、空隙率は５容量％以下であることが一層好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
実施例１
高周波溶解して温度：１３５０℃に保持された合金溶湯を金型に鋳造し、表１に示される成分組成を有する鋳造体Ａ〜Ｊを作製した。得られた鋳造体Ａ〜Ｊを１気圧の水素雰囲気中で室温から８５０℃まで昇温し、８５０℃で３時間保持の水素雰囲気中熱処理を施し、ついで、雰囲気を真空雰囲気にして８５０℃にて１時間保持することにより脱水素処理を行い、真空度：１×１０-5Torr以下になるまで排気を行った後、直ちにアルゴンガスを流入して急冷する条件のＨＤＤＲ処理を施すことにより、再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶集合組織を有するＨＤＤＲ処理体を作製した。このＨＤＤＲ処理体の平均再結晶粒径、再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）を測定し、その結果を表２〜３に示し、さらに得られたＨＤＤＲ処理体を粉砕することにより、表２〜３に示される平均粒径を有する本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１を作製した。
なお、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１の平均結晶粒径および個々の結晶粒の最長径ｂ／最短径ａの値は透過電子顕微鏡により観察し、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１の寸法である平均粒径は金属顕微鏡で測定した。
【００２４】
このようにして得られた本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１についての残留磁束密度Ｂｒを測定し、さらにＨｋ／ｉＨｃ（ただし、Ｈｋ：残留磁束密度Ｂｒを１０％減少させる減磁界、ｉＨｃ：保磁力である）の値を求めてその結果を表２〜３に示し、これら磁石粉末の角形性を評価した。
【００２５】
さらに、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１をビスマレイミドトリアジン樹脂：４．０重量％と混合してコンパウンド（混合物）を作製し、このコンパウンドを金型に充填し、圧力：６ton ／cm2 で圧縮成形する無磁界中成形を行うことにより直径：１０mm、高さ：７mmの寸法を有する成形体を作製し、ついでこの成形体をオーブンに装入し、真空雰囲気中、温度：１５０℃、１時間保持の加熱硬化を行って空隙率：５．３％の等方性ボンド磁石を作製し、これら等方性ボンド磁石のＢｒおよびＨｋ／ｉＨｃを測定し、その結果を表２〜３に示した。
【００２６】
さらに、これら等方性ボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁した後、８０℃に保持したオーブンに１０００時間放置し、等方性ボンド磁石の熱減磁率を測定し、その結果を表２〜３に示し、熱的安定性を評価した。
ただし、熱減磁率（％）＝｛（１０００時間暴露後の全磁束−暴露前の全磁束）／暴露前の全磁束｝×１００。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】
表１〜表３に示される結果から、ＣｒおよびＭｏのうち１種または２種を合計で０．０１〜５．０％含有する本発明磁石粉末１〜７とＣｒおよびＭｏを含有しない従来磁石粉末１を比較すると、本発明磁石粉末１〜７は従来磁石粉末１に比べて角形性に優れており、これら本発明磁石粉末１〜７を使用して作製した等方性ボンド磁石は角形性に優れており、さらに熱的安定性が格段に優れていることから本発明磁石粉末１〜７は熱的安定性が格段に優れていることが分かる。しかし、ＣｒおよびＭｏの含有量が５．０％よりも多い比較磁石粉末１〜２で作製したボンド磁石は残留磁束密度Ｂｒが低下するので好ましくないことが分かる。
【００３１】
実施例２
高周波溶解して温度：１３５０℃に保持された合金溶湯を金型に鋳造し、表４に示される成分組成を有する鋳造体ａ〜ｊを作製した。得られた鋳造体ａ〜ｊを１気圧の水素雰囲気中で室温から８５０℃まで昇温し、８５０℃で３時間保持の水素雰囲気中熱処理を施し、ついで、雰囲気を真空雰囲気にして８５０℃にて１時間保持することにより脱水素処理を行い、真空度：１×１０-5Torr以下になるまで排気を行った後、直ちにアルゴンガスを流入して急冷する条件のＨＤＤＲ処理を施すことにより、再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶集合組織を有するＨＤＤＲ処理体を作製した。このＨＤＤＲ処理体の平均再結晶粒径、再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）を測定し、その結果を表５〜６に示し、さらに得られたＨＤＤＲ処理体を粉砕することにより、表５〜６に示される平均粒径を有する本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２を作製した。
なお、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末１の平均結晶粒径および個々の結晶粒の最長径ｂ／最短径ａの値は透過電子顕微鏡により観察し、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２の寸法である平均粒径は金属顕微鏡で測定した。
【００３２】
このようにして得られた本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２についての残留磁束密度Ｂｒを測定し、さらにＨｋ／ｉＨｃ（ただし、Ｈｋは残留磁束密度Ｂｒを１０％減少させる減磁界、ｉＨｃは保磁力）の値を求めてその結果を表５〜６に示し、これら磁石粉末の角形性を評価した。
【００３３】
さらに、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２をビスマレイミドトリアジン樹脂：４．０重量％と混合してコンパウンド（混合物）を作製し、このコンパウンドを金型に充填し、圧力：６ton ／cm2 で圧縮成形する無磁界中成形を行うことにより直径：１０mm、高さ：７mmの寸法を有する成形体を作製し、ついでこの成形体をオーブンに装入し、真空雰囲気中、温度：１５０℃、１時間保持の加熱を行って空隙率：５．３％の等方性ボンド磁石を作製し、これら等方性ボンド磁石のＢｒおよびＨｋ／ｉＨｃを測定し、その結果を表５〜６に示した。
【００３４】
さらに、これら等方性ボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁した後、８０℃に保持したオーブンに１０００時間放置し、等方性ボンド磁石の熱減磁率を測定し、その結果を表５〜６に示し、熱的安定性を評価した。
【００３５】
【表４】
【００３６】
【表５】
【００３７】
【表６】
【００３８】
表４〜表６に示される結果から、ＣｒおよびＭｏのうち１種または２種を合計で０．０１〜５．０％含有する本発明磁石粉末８〜１４とＣｒおよびＭｏを含有しない従来磁石粉末２を比較すると、本発明磁石粉末８〜１４は従来磁石粉末２に比べて角形性に優れており、これら本発明磁石粉末８〜１４を使用して作製した等方性ボンド磁石は角形性に優れており、さらに熱的安定性が格段に優れていることから本発明磁石粉末８〜１４は熱的安定性が格段に優れていることが分かる。しかし、ＣｒおよびＭｏの含有量が５．０％よりも多い比較磁石粉末３〜４で作製したボンド磁石は残留磁束密度Ｂｒが低下するので好ましくないことが分かる。
【００３９】
【発明の効果】
この発明は、熱的安定性および角形性に優れた等方性ボンド磁石を提供することができ、電子・電気産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明の属する技術分野】
この発明は、従来よりも角形性および熱的安定性に優れたＲ（但し、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうち少くとも１種を示す），Ｆｅ，Ｃｏ，およびＢを主成分とするＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびこの粉末を用いたボンド磁石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は高い磁気特性および比較的安定な温度特性を有するところから、これを樹脂結合してボンド磁石を作製している。このボンド磁石は、寸法精度が高いこと、薄肉で複雑形状の磁石を容易に製造できること、他の部品との一体成形が可能であることなどの特徴を有することから、ＯＡ、ＦＡ機器などの小型モーターなど各種部品として広く使用されている。
【０００３】
前記Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を製造する方法の一つとして、水素化・脱水素処理する方法（一般に、ＨＤＤＲ法と呼ばれている）が知られており、この方法は、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系鋳造合金またはこれを粉砕して得られた粗粉末を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して鋳造合金またはその合金の粗粉末に水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち急却し、ついで粉砕することにより製造するものである。
【０００４】
この方法で得られたＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒は全再結晶粒の５０容量％以上を占め、このＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の望ましい組成は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．００１〜５．０％を含有し、さらに、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．０１〜２．０％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成であることも知られている。
【０００５】
これらＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、樹脂と混合した後、圧縮成形、射出成形、押し出し成形、ロール圧延などの方法により所定形状に成形し、ボンド磁石を製造することができる。この成形の際に、外部より磁界を加えない製造法では、磁石粉末粒子の磁化容易軸が無秩序に分布し、磁石のいずれの方向においても磁気特性の等しい等方性ボンド磁石が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびこの磁石粉末を用いて作製したボンド磁石は、熱的安定性に優れているものの十分ではなく、また減磁曲線の角形性が十分でなく、従来よりも一層熱的安定性および角形性に優れたＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびその磁石粉末を用いたボンド磁石が求められている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、熱的安定性に優れていると共に減磁曲線の角形性にも優れているＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末およびその磁石粉末を用いたボンド磁石を得るべく研究を行った結果、
従来のＲ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、さらにＡｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計量：０．１〜２．０％を含有し、さらに必要に応じてＧａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計量：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有するＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金に、さらにＣｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように添加した組成のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金からなる磁石粉末は、従来のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末よりも一層角形性および熱的安定性にも優れ、さらにその磁石粉末を用いたボンド磁石は従来よりも一層角形性に優れかつ熱的安定性に優れる、という研究結果が得られたのである。
【０００８】
この発明はかかる研究結果にもとづいてなされたものであって、
（１）原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占める角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末、
（２）原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％、Ｍｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、
Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占める角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末、
に特徴を有するものである。
【０００９】
前記（１）または（２）記載の角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合して得られたボンド磁石は、従来よりも一層角形性および熱的安定性に優れた特性を示す。このボンド磁石は、空隙が少ないほど好ましく、空隙率が１１容量％以下（一層好ましくは５容量％以下）であることが好ましい。
【００１０】
したがって、この発明は、
（３）前記（１）または（２）記載の希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合した角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石、
（４）前記（１）または（２）記載の希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合した空隙率が１１容量％以下である角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石、
に特徴を有するものである。
【００１１】
前記（１）記載のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％を含有し、さらにＣｒ：０．３〜２．５％、Ｍｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有する合金溶湯を鋳造して鋳造体を作製し、この鋳造体を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して前記フィルム状の鋳造体に水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち、冷却し、ついで粉砕することにより製造することができる。
【００１２】
また、前記（２）記載のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末は、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、さらにＧａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有する合金溶湯を鋳造して鋳造体を作製し、この鋳造体を１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガス雰囲気中または水素ガス分圧：１０Ｔｏｒｒ以上の水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃に保持して水素を吸蔵させた後、水素ガス圧力：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気または水素ガス分圧：１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の不活性ガス雰囲気になるまで温度：５００〜１０００℃で脱水素処理したのち、冷却し、ついで粉砕することにより製造することができる。
【００１３】
つぎに、この発明のＲ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の成分組成、結晶粒径および結晶粒形状を上記の如く限定した理由について説明する。
Ａ．成分組成
（ａ）Ｒ
Ｒは、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｍ，Ｙｂ，ＬｕおよびＹのうち１種または２種以上であり、一般にＮｄを主体とし、これにその他の希土類元素を添加して用いられるが、特にＴｂ，ＤｙおよびＰｒは保磁力ｉＨｃを向上させる効果があり、Ｒの含有量が１０％より低くても、また２０％より高くても磁石粉末の保磁力が低下し、優れた磁気特性が得られない。したがって、Ｒの含有量は１０〜２０％に定めた。
【００１４】
（ｂ）Ｂ
Ｂの含有量が３％より低くても、また２０％より高くても磁石粉末の保磁力が低下し、優れた磁気特性が得られないので、Ｂ含有量は３〜２０％と定めた。
【００１５】
（ｃ）Ｃｏ
Ｃｏを添加することにより磁石粉末の保磁力および磁気的温度特性（例えば、キュリー点）が向上し、さらに耐食性を向上させる効果があるが、その含有量が０．１％未満では所望の効果が得られず、一方、５０％を超えて含有してもかえって磁気特性が低下するので好ましくない。したがって、Ｃｏの含有量は０．１〜５０％に定めた。Ｃｏの含有量は、０．１〜２０％の間では、最も保磁力が高くなるのでＣｏ：０．１〜２０％とするのが一層好ましい。
【００１６】
（ｄ）Ａｌ，ＶおよびＳｉ
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系永久磁石粉末合金に、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上を添加することにより最大エネルギー積を安定して高めることができるので添加するが、その含有量が０．１％未満では所望の効果が得られず、一方、２．０％を超えて添加しても、磁化の値を高めることができないので好ましくない。
したがって、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上は合計量で０．１〜２．０％に定めた。Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上は合計量の一層好ましい範囲は０．１〜１．０％である。
【００１７】
（ｅ）Ｃｒ，Ｍｏ
ＣｒおよびＭｏを、Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上、特にＡｌと共に添加することにより優れた角形性を示すのでＣｒおよびＭｏを添加するが、Ｃｒの添加量が０．３％未満、Ｍｏの含有量が０．２％未満を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５％未満では所望の効果が得られず、一方、Ｃｒの添加量が２．５％を越えかつＭｏの含有量が２％を越えて含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が４．５％を越えて含有すると磁束密度が減少するので好ましくない。したがって、Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように定めた。
【００１８】
（ｆ）Ｇａ，ＺｒおよびＨｆ
これらの成分は、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の成分として含有し、保磁力を向上させるとともに優れた耐食性を安定的に付与する作用を有するので、必要に応じて添加するが、その含有量が０．５％未満では所望の効果が得られず、一方、１．５％を超えて含有すると磁気特性が低下する。したがって、Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計は０．５〜１．５％に定めた。
【００１９】
Ｂ．再結晶粒
（ｆ）再結晶粒径およびその形状
Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の組織を構成するＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型相の再結晶粒の粒径が０．０５μｍより小さいと着磁が困難になるので好ましくなく、一方、２０μｍより大きいと保磁力や角型性が低下し、高磁気特性が得られないので好ましくない。
【００２０】
したがって、再結晶粒径は０．０５〜３μｍに定めた。この場合、再結晶粒径は単磁区粒径の寸法（０．３μｍ）に近い０．０５〜３μｍとする方が一層好ましい。上記寸法を有する個々の再結晶粒は、最短粒径ａと最長粒径ｂの比が（ｂ／ａ）＜２の形状を有することが好ましく、この形状を有する再結晶粒は、全再結晶粒の５０容量％以上存在することが必要である。
【００２１】
上記最短粒径ａと最長粒径ｂの比ｂ／ａが２より小さい再結晶粒形状を有することにより、Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末の保磁力が改善されると共に耐食性も向上し、さらに保磁力の温度係数も小さくなる。したがって上記個々の再結晶粒のｂ／ａの値は２未満に定めた。
【００２２】
Ｃ．ボンド磁石の空隙率
ボンド磁石の空隙率は、１１容量％を越えると、空隙中の酸素により磁石粉末が酸化され、そのためボンド磁石の磁気特性が低下するのでボンド磁石の空隙率を１１容量％以下に定めた。ボンド磁石の空隙率は小さいほど好ましく、空隙率は５容量％以下であることが一層好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
実施例１
高周波溶解して温度：１３５０℃に保持された合金溶湯を金型に鋳造し、表１に示される成分組成を有する鋳造体Ａ〜Ｊを作製した。得られた鋳造体Ａ〜Ｊを１気圧の水素雰囲気中で室温から８５０℃まで昇温し、８５０℃で３時間保持の水素雰囲気中熱処理を施し、ついで、雰囲気を真空雰囲気にして８５０℃にて１時間保持することにより脱水素処理を行い、真空度：１×１０-5Torr以下になるまで排気を行った後、直ちにアルゴンガスを流入して急冷する条件のＨＤＤＲ処理を施すことにより、再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶集合組織を有するＨＤＤＲ処理体を作製した。このＨＤＤＲ処理体の平均再結晶粒径、再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）を測定し、その結果を表２〜３に示し、さらに得られたＨＤＤＲ処理体を粉砕することにより、表２〜３に示される平均粒径を有する本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１を作製した。
なお、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１の平均結晶粒径および個々の結晶粒の最長径ｂ／最短径ａの値は透過電子顕微鏡により観察し、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１の寸法である平均粒径は金属顕微鏡で測定した。
【００２４】
このようにして得られた本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１についての残留磁束密度Ｂｒを測定し、さらにＨｋ／ｉＨｃ（ただし、Ｈｋ：残留磁束密度Ｂｒを１０％減少させる減磁界、ｉＨｃ：保磁力である）の値を求めてその結果を表２〜３に示し、これら磁石粉末の角形性を評価した。
【００２５】
さらに、本発明磁石粉末１〜７、比較磁石粉末１〜２および従来磁石粉末１をビスマレイミドトリアジン樹脂：４．０重量％と混合してコンパウンド（混合物）を作製し、このコンパウンドを金型に充填し、圧力：６ton ／cm2 で圧縮成形する無磁界中成形を行うことにより直径：１０mm、高さ：７mmの寸法を有する成形体を作製し、ついでこの成形体をオーブンに装入し、真空雰囲気中、温度：１５０℃、１時間保持の加熱硬化を行って空隙率：５．３％の等方性ボンド磁石を作製し、これら等方性ボンド磁石のＢｒおよびＨｋ／ｉＨｃを測定し、その結果を表２〜３に示した。
【００２６】
さらに、これら等方性ボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁した後、８０℃に保持したオーブンに１０００時間放置し、等方性ボンド磁石の熱減磁率を測定し、その結果を表２〜３に示し、熱的安定性を評価した。
ただし、熱減磁率（％）＝｛（１０００時間暴露後の全磁束−暴露前の全磁束）／暴露前の全磁束｝×１００。
【００２７】
【表１】
【表２】
【表３】
表１〜表３に示される結果から、ＣｒおよびＭｏのうち１種または２種を合計で０．０１〜５．０％含有する本発明磁石粉末１〜７とＣｒおよびＭｏを含有しない従来磁石粉末１を比較すると、本発明磁石粉末１〜７は従来磁石粉末１に比べて角形性に優れており、これら本発明磁石粉末１〜７を使用して作製した等方性ボンド磁石は角形性に優れており、さらに熱的安定性が格段に優れていることから本発明磁石粉末１〜７は熱的安定性が格段に優れていることが分かる。しかし、ＣｒおよびＭｏの含有量が５．０％よりも多い比較磁石粉末１〜２で作製したボンド磁石は残留磁束密度Ｂｒが低下するので好ましくないことが分かる。
【００３１】
実施例２
高周波溶解して温度：１３５０℃に保持された合金溶湯を金型に鋳造し、表４に示される成分組成を有する鋳造体ａ〜ｊを作製した。得られた鋳造体ａ〜ｊを１気圧の水素雰囲気中で室温から８５０℃まで昇温し、８５０℃で３時間保持の水素雰囲気中熱処理を施し、ついで、雰囲気を真空雰囲気にして８５０℃にて１時間保持することにより脱水素処理を行い、真空度：１×１０-5Torr以下になるまで排気を行った後、直ちにアルゴンガスを流入して急冷する条件のＨＤＤＲ処理を施すことにより、再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶集合組織を有するＨＤＤＲ処理体を作製した。このＨＤＤＲ処理体の平均再結晶粒径、再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）を測定し、その結果を表５〜６に示し、さらに得られたＨＤＤＲ処理体を粉砕することにより、表５〜６に示される平均粒径を有する本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２を作製した。
なお、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末１の平均結晶粒径および個々の結晶粒の最長径ｂ／最短径ａの値は透過電子顕微鏡により観察し、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２の寸法である平均粒径は金属顕微鏡で測定した。
【００３２】
このようにして得られた本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２についての残留磁束密度Ｂｒを測定し、さらにＨｋ／ｉＨｃ（ただし、Ｈｋは残留磁束密度Ｂｒを１０％減少させる減磁界、ｉＨｃは保磁力）の値を求めてその結果を表５〜６に示し、これら磁石粉末の角形性を評価した。
【００３３】
さらに、本発明磁石粉末８〜１４、比較磁石粉末３〜４および従来磁石粉末２をビスマレイミドトリアジン樹脂：４．０重量％と混合してコンパウンド（混合物）を作製し、このコンパウンドを金型に充填し、圧力：６ton ／cm2 で圧縮成形する無磁界中成形を行うことにより直径：１０mm、高さ：７mmの寸法を有する成形体を作製し、ついでこの成形体をオーブンに装入し、真空雰囲気中、温度：１５０℃、１時間保持の加熱を行って空隙率：５．３％の等方性ボンド磁石を作製し、これら等方性ボンド磁石のＢｒおよびＨｋ／ｉＨｃを測定し、その結果を表５〜６に示した。
【００３４】
さらに、これら等方性ボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁した後、８０℃に保持したオーブンに１０００時間放置し、等方性ボンド磁石の熱減磁率を測定し、その結果を表５〜６に示し、熱的安定性を評価した。
【００３５】
【表４】
【表５】
【表６】
表４〜表６に示される結果から、ＣｒおよびＭｏのうち１種または２種を合計で０．０１〜５．０％含有する本発明磁石粉末８〜１４とＣｒおよびＭｏを含有しない従来磁石粉末２を比較すると、本発明磁石粉末８〜１４は従来磁石粉末２に比べて角形性に優れており、これら本発明磁石粉末８〜１４を使用して作製した等方性ボンド磁石は角形性に優れており、さらに熱的安定性が格段に優れていることから本発明磁石粉末８〜１４は熱的安定性が格段に優れていることが分かる。しかし、ＣｒおよびＭｏの含有量が５．０％よりも多い比較磁石粉末３〜４で作製したボンド磁石は残留磁束密度Ｂｒが低下するので好ましくないことが分かる。
【００３９】
【発明の効果】
この発明は、熱的安定性および角形性に優れた等方性ボンド磁石を提供することができ、電子・電気産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- Ｙを含む希土類元素のうち少なくとも１種をＲで示すと（以下、同じ）、原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占めることを特徴とする角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末。 - 原子百分率で、Ｒ：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、
Ａｌ，ＶおよびＳｉのうち１種または２種以上の合計：０．１〜２．０％、
Ｃｒ：０．３〜２．５％およびＭｏ：０．２〜２．０％を含有すると共にＣｒおよびＭｏの合計が０．５〜４．５％となるように含有し、
Ｇａ，ＺｒおよびＨｆのうち１種または２種以上の合計：０．５〜１．５％を含有し、残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有し、
さらに正方晶構造をとるＲ2 （Ｆｅ，Ｃｏ）14Ｂ型金属間化合物相を主相とする再結晶粒が相互に隣接して集合した再結晶粒集合組織を有し、この再結晶粒集合組織を構成する再結晶粒の平均粒径は０．０５〜３μｍでかつ再結晶粒の最短径ａと最長径ｂの比（ｂ／ａ）の値が２未満である再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上を占めることを特徴とする角形性および熱的安定性に優れた希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末。 - 請求項１または２記載の希土類−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系磁石粉末を樹脂バインダーで結合したことを特徴とする角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石。
- 請求項３記載のボンド磁石は、空隙率が１１容量％以下であることを特徴とする角形性および熱的安定性に優れたボンド磁石。
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