JP3727868B2 - プラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレーパネルに関し、特にミスライティングを防止するとともに効率を高めるようにしたプラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレーパネル（以下“ＰＤＰ”という）はＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガスの放電時に発生する波長１４７ｎｍの紫外線によって蛍光体を発光させて文字またはグラフィックを含む画像を表示している。このようなＰＤＰは薄型化と大型化が容易であるだけではなく、最近の技術開発によって大きく向上した画質を提供できるようなっている。特に、３電極の交流の面放電型ＰＤＰは誘電体に蓄積された壁電荷を利用して放電に必要な電圧を低くするようになっており、放電によって発生するスパッタリングから電極を保護するために低電圧の駆動と長寿命の長所を有する。
【０００３】
図１を参照すると、従来の３電極の交流面放電型ＰＤＰ（以下、“３電極ＰＤＰ”という）は上部パネル（１０）にスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）を形成するとともに、下部パネル（１８）にデータ電極（Ｘ）を形成させている。なお、上部とは製品としてみた場合の表示側である。
【０００４】
スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）はそれぞれ幅が広い透明電極（１２Ｙ、１２Ｚ）とその上に載せた幅が狭い金属バス電極（１３Ｙ、１３Ｚ）とでそれぞれ構成されており、双方が一定の間隔で平行に並んで配置されている。金属バス電極（１３Ｙ、１３Ｚ）は光を反射してコントラストを低下させるので金属バス電極（１３Ｙ、１３Ｚ）と上部パネル（１０）の間には図２のように光遮断層（１５Ｙ、１５Ｚ）を形成させている。光遮断層（１５Ｙ、１５Ｚ）は上部パネル（１０）を経由して金属バス電極（１３Ｙ、１３Ｚ）の側に進行する光を吸収する。
【０００５】
上部パネル（１０）にはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）を覆うように上部誘電体層（１４）と保護膜（１６）が積層される。上部誘電体層（１４）にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜（１６）はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層（１４）の損傷を防止するとともに二次電子の放出の効率を高めるためのものである。この保護膜（１６）としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
データ電極（Ｘ）はスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）とに直交するように配置されている。
【０００６】
下部パネル（１８）には下部誘電体層（２２）と隔壁（２４）が形成され、それらの表面に蛍光体層（２６）が塗布される。隔壁（２４）は図２の紙面に直交する方向で隣接した放電空間を分離して、その隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層（２６）はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されると赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
【０００７】
上部パネル（１０）、下部パネル（１８）、隔壁（２４）によって形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性混合ガスが注入される。３電極のＰＤＰは画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。各サブフィールドは放電を均一にさせるためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によってグレーレベルを実現するサスティン期間に分けられる。２５６のグレーレベルで画像を表示しようとする場合に１／６０秒に当たるフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けられる。８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）のそれぞれは前記したようにリセット期間、アドレス期間及びサスティン期間に分けられる。各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールド毎に同一である。セルを選択するためのアドレス放電はデータ電極（Ｘ）とスキャン電極（Ｙ）の間の電圧差によって起きる。サスティン期間は各サブフィールドにおいて２ⁿ（ただし、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の比率で増加する。このように各サブフィールドでサスティン期間のサスティン放電の回数を調節して映像表示時に必要なグレースケールを実現している。サスティン放電はスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）に交互に供給される高い電圧のパルス信号によって起きる。
【０００８】
図３は３電極ＰＤＰの駆動波形である。
図３を参照すると、リセット期間にはサスティン電極（Ｚ）に供給されるリセットパルス（Ｖｒ）によって放電セルを初期化するリセット放電が発生する。このリセットパルス（Ｖｒ）はスキャン電極（Ｙ）に供給されることもある。
【０００９】
アドレス期間にはスキャン電極（Ｙ）に順次スキャンパルス（−Ｖｓｃ）を供給し、同時にスキャンパルス（−Ｖｓｃ）に同期させてデータパルス（Ｖｄ）をデータ電極（Ｘ）に供給する。データパルス（Ｖｄ）とスキャンパルス（−Ｖｓｃ）が供給された放電セルでアドレス放電が起きる。サスティン電極（Ｚ）にはデータ電極（Ｘ）とサスティン電極（Ｚ）の間に誤放電が起きないように低い電圧レベルの正極性の直流電圧が供給される。
【００１０】
サスティン期間にはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）に交互にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給される。そうするとアドレス放電によって選択された放電セルはサスティンパルス（Ｖｓ）が供給される時毎にサスティン放電が連続的に起きる。
【００１１】
この３電極ＰＤＰはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）が放電空間の中央部にあるので放電空間の活用度が低い。すなわち、３電極のＰＤＰはサスティン放電を生じさせる電圧が高くなり、消費電力が高くなったり、あるいはサスティン放電時の放電及び発光の効率が低い。以下これを詳細にする。サスティン放電はスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の間の面放電として生じる。その際、放電開示の電圧をより低くするためにはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）を近づける必要があり、そのためセルの中央部にそれらを配置している。このように両電極の間を近くするとサスティン放電時に放電パスが短くなって放電効率及び発光効率が低くなる。効率を重視して、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の間の間隔を大きくすると、双方の極間の間隔に比例して放電開示電圧が高くなるという問題が生じる。また、効率を高めるために、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の中の少なくともいずれか一方の電極幅を広くすると放電電流の増加によって消費電力が大きくなる。
【００１２】
このような３電極ＰＤＰの問題点を解決するために、サスティン放電用の電極を４つに分離した５電極ＰＤＰが提案されたことがある。
図４及び図５を参照してその例を説明する。従来の５電極ＰＤＰは上部パネル（３０）に第１及び第２サスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）のほかにこれらに平行に第１及び第２トリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）を配置している。図示のように、第１及び第２トリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）をセルの中央部に、第１及び第２サスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）をセルの縁の部分に配置している。従来同様下部パネル（４０）にはデータ電極（Ｘ）が設けられている。
【００１３】
トリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極で構成されている。トリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）は電極間の間隔（Ｎｉ）が小さいために低い電位差でも容易に放電する。第１トリガ電極（ＴＹ）はスキャンパルスが供給されてデータ電極（Ｘ）に供給されるデータパルスとの電位差によってアドレス放電を起こす役割をも重ねている。サスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）はトリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）を間に置いているのでその電極間の間隔（Ｗｉ）は広い。このサスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）はトリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）の間の放電によって形成された空間の電荷及び壁電荷を利用してロングパス放電を生じさせる。
【００１４】
上部パネル（３０）にはトリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）を覆うように上部誘電体層（３６）と保護膜（３８）が積層される。上部誘電体層（３６）にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜（３８）はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層（３６）の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜（１６）としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
【００１５】
下部パネル（４０）には下部誘電体層（４４）と隔壁（４６）が形成され、それらの表面には蛍光体層（４８）が塗布される。隔壁（４６）は隣接した放電空間を分離して隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止している。蛍光体層（４８）はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
【００１６】
上部パネル（３０）、下部パネル（４０）、隔壁（４６）で形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
５電極ＰＤＰは、３電極ＰＤＰと同様に、画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。これを図６、図７によって詳細に説明する。
【００１７】
図６及び図７は５電極ＰＤＰのトリガ／サスティン駆動装置とその出力波形を現す。
図６を参照すると、５電極ＰＤＰの駆動装置は第１サスティン電極（ＳＹ）を駆動するための第１サスティン駆動部（５８）と、第１トリガ電極（ＴＹ）を駆動するための第１トリガ駆動部（５６）と、第２サスティン電極（ＳＺ）を駆動するための第２サスティン駆動部（６２）と、第２トリガ電極（ＴＺ）を駆動するための第２トリガ駆動部（６０）とを具備する。
【００１８】
第１サスティン駆動部（５８）はアドレス期間に負極性の直流電圧を第１サスティン電極（ＳＹ）に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第１サスティン電極（ＳＹ）に供給する。
第１トリガ駆動部（５６）はアドレス期間に負極性のスキャンパルスを第１トリガ電極（ＴＹ）に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第１トリガ電極（ＴＹ）に供給する。
第２サスティン駆動部（６２）はアドレス期間に正極性の直流電圧を第２サスティン電極（ＳＺ）に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第２サスティン電極（ＳＺ）に供給する。
【００１９】
第２トリガ駆動部（６０）はリセット期間にリセットパルスを第２トリガ電極（ＴＺ）に供給した後、アドレス期間に正極性の直流電圧を第２トリガ電極（ＴＺ）に供給する。そして第２トリガ駆動部（６０）はサスティン期間にサスティンパルスを第２トリガ電極（ＴＺ）に供給する。
一方、データ電極（Ｘ）は図示されていないデータ駆動部からスキャンパルスに同期されるデータパルスが供給される。
【００２０】
図７を参照すると、リセット期間には電圧レベルが高い正極性リセットパルス（Ｖrst ）が第２トリガ電極（ＴＺ）に供給される。そうすると、全画面の放電セルはリセット放電して均一の量の壁電荷を生成して初期化する。データ電極（Ｘ）には第２トリガ電極（ＴＺ）とデータ電極（Ｘ）の間に誤放電が起きないように電圧レベルが低い正極性のパルス信号が供給される。
【００２１】
アドレス期間には第１トリガ電極（ＴＹ）にスキャンパルス（−Ｖｓｃ）を順次供給し、データ電極（Ｘ）にスキャンパルス（−Ｖｓｃ）に同期したデータパルス（Ｖｄ）が１水平ラインのデータ電極（Ｘ）に供給する。データパルス（Ｖｄ）が供給された放電セルはデータ電極（Ｘ）と第１トリガ電極（ＴＹ）の間の電圧差とでセル内部の壁電荷によってアドレス放電が起きる。
【００２２】
サスティン期間には第１トリガ電極（ＴＹ）と第１サスティン電極（ＳＹ）それぞれにトリガパルス（Ｖｔ）とサスティンパルス（Ｖｓ）が同時に供給される。そして第２トリガ電極（ＴＺ）と第２サスティン電極（ＳＺ）それぞれにトリガパルス（Ｖｔ）とサスティンパルス（Ｖｓ）が同時に供給される。ここで、トリガパルス（Ｖｔ）の電圧レベルはサスティンパルス（Ｖｓ）のそれより低く設定される。第１トリガ電極（ＴＹ）に最初のトリガパルス（Ｖｔ）が供給されると、アドレス放電が起きた放電セルは第１トリガ電極（ＴＹ）と第２トリガ電極（ＴＺ）の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってアドレス放電によって選択された放電セルの内には空間電荷と壁電荷が生成される。このショートパス放電によって発生される空間電荷と壁電荷は第１及び第２サスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）の間のロングパス放電に対するプライミング効果となる。このショートパス放電によるプライミング効果は第１サスティン電極（ＳＹ）と第２サスティン電極（ＳＺ）間のロングパス放電を誘導させる。したがって、トリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）間のショートパス放電によって電極間の間隔が広いサスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）間に低い電圧でロングパス放電を生じさせることができる。
【００２３】
このように５電極ＰＤＰはサスティン放電がロングパスで放電されるために放電によって生成される紫外線量が増加して、紫外線によって励起される蛍光体（４８）の発光量がその分多いために放電及び発光効率が３電極ＰＤＰに比べて高い。
【００２４】
しかし従来の５電極ＰＤＰは第１トリガ電極（ＴＹ）の幅が小さいためにアドレス放電時に第１トリガ電極（ＴＹ）上に充分な量の壁電荷が蓄積されにくい。アドレス放電時に発生される壁電荷が小さいとサスティン放電に必要な外部印加電圧をその分高くしなければならない。その結果、従来の５電極ＰＤＰは消費電力が大きくなるという問題が発生する。
【００２５】
また、従来の５電極ＰＤＰはアドレス放電時に充分な壁電荷が形成されないためにサスティン放電が起きない、すなわちミスライティングが生じ、発光すべきセルが発光しないという問題があった。
【００２６】
また、５電極ＰＤＰはトリガパルス（Ｖｔ）とサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルが相違するために図６のようにトリガ電極（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極（ＳＹ、ＳＺ）を別個に駆動しなければならないので駆動回路が複雑になってコストが大きくなるという問題点がある。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はＰＤＰをミスライティングを防止することができるとともに放電効率を高めるようにしたプラズマディスプレーパネル及びその駆動方法及び装置を提供することである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明によるプラズマディスプレーパネルは多数の放電セルを間に置いて対向して配置される上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで上部パネルに形成される第１上部電極群と、第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含み、第１上部電極群に隣接して上部パネルに形成される第２上部電極群と、第１及び第２上部電極群と直交されるように下部パネルに形成されるデータ電極とを具備する。
【００２９】
一実施態様は前記第２上部電極群は前記第１上部電極群より幅が広いことを特徴とする。
他の実施態様は前記第１及び第２上部電極群は幅が広い透明電極と、前記透明電極より幅が狭い金属バス電極とを具備することを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記透明電極と前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記第１及び第２上部電極群の中のいずれか一つの電極が金属バス電極だけで構成されることを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記上部パネルと前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする。
【００３０】
さらに、前記下部パネルに形成されて放電セルを空間的に分離するための隔壁と、前記第１及び第２上部電極群を覆うように前記上部パネルに形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される保護膜と、前記隔壁と前記下部パネルの表面に塗布される蛍光体とを具備することが望ましい。
前記隔壁はストライプ及び格子型の中のいずれか一つの形態で形成される。
【００３１】
本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動方法は、所定の幅を有する少なくとも１つ以上の電極を含む第１上部電極群と、第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第２上部電極群とを備えたディスプレイパネルを駆動する方法であって、第１及び第２上部電極群と直交する方向に配置されているデータ電極と第１及び第２上部電極群の中の少なくともいずれか一つの電極の間にアドレス放電を生じさせて放電セルを選択する段階と、第１及び第２上部電極群に含まれた電極の中に相互の間の間隔が狭い二電極の間にショートパスの放電を起こさせる段階と、第１及び第２上部電極群に含まれた電極の中に前記ショートパスのサスティン放電を起こせる電極の間の間隔より広い間隔で離隔される２つの電極の間にロングパスの放電を起こさせる段階とを含む。
【００３２】
本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動装置は、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第１上部電極群、第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第２上部電極群及び上部電極群と直交されるデータ電極が設けられる表示パネルと、データ電極にデータパルスを供給するデータ駆動部と、第１及び第２上部電極群の中の少なくともいずれか一つの電極にデータパルスに同期されるスキャンパルスを供給してデータ電極とスキャンパルスが供給される電極の間にアドレス放電を起こさせて放電セルを選択するスキャン駆動部と、第１及び第２上部電極群に含まれた電極の中に相互間の間隔が狭い二電極の間にショートパスの放電を生じさせるショートパスサスティン駆動部と、第１及び第２上部電極群に含まれた電極の中にショートパスのサスティン放電を起こす電極の間の間隔より広い間隔で離れている２つの電極の間にロングパスの放電を起こさせるロングパスサスティン駆動部とを具備する。
【００３３】
本発明によるプラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置は少なくとも３つ以上のサスティン電極を一群のサスティン電極群で構成して、その中でアドレス放電を起こすための電極の幅を大きく設定するようにしている。
【００３４】
【発明の実施の形態】
前記の目的の以外の本発明の異なる目的及び利点は、添付した図面を参照した本発明の好ましい実施形態に対する説明を通して明らかになるだろう。
以下、本発明の実施形態を添付した図８〜図３２を参照してして詳細に説明することにする。
【００３５】
図８及び図９を参照すると、本発明によるＰＤＰは上部パネル（７０）の内面側の表面に並んで形成されたスキャン電極（ＷＹ）、第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）とを具備する。下部パネル（７８）にはスキャン電極（ＷＹ）や第１、第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）と直交される方向にデータ電極（Ｘ）が形成されている。
【００３６】
第１サスティン電極（Ｚ１）はスキャン電極（ＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間に配置される。第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）の間の間隔（Ｓｉ）はスキャン電極（ＷＹ）と第１サスティン電極（Ｚ１）間の間隔（ＳＳＷｉ）より小さい。具体的には、第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）の間隔（Ｓｉ）は３０〜８０μｍの範囲内で選択される。
【００３７】
スキャン電極（ＷＹ）は広い幅の透明電極（７２Ｙ）と狭い幅の金属バス電極（７３Ｙ）からなる。また、スキャン電極（ＷＹ）は広い幅の金属バス電極だけとしてもよい。スキャン電極（ＷＹ）は、透明電極（７２Ｙ）の幅が１００〜３００μｍの範囲内で選択され、金属バス電極（７３Ｙ）の幅が５０〜１２０μｍの範囲内で選択される。このスキャン電極（ＷＹ）はデータ電極（Ｘ）との対向放電によってセルを選択するために利用されるとともに、サスティン放電にも利用される。サスティン放電は、第１サスティン電極（Ｚ１）との面放電によってサスティン期間の初期にショートパスで放電し、第２サスティン電極（Ｚ２）との間でもサスティン放電が生じする。このために、スキャン電極（ＷＹ）にはアドレス期間にデータ電極（Ｘ）に供給されるデータパルスに同期したスキャンパルスが供給されて、かつサスティン期間にはサスティンパルスが供給される。
【００３８】
第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）のそれぞれは広い幅の透明電極（７２Ｚ１、７２Ｚ２）と狭い幅の金属バス電極（７３Ｚ１、７３Ｚ２）を含む。サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）の透明電極（７２Ｚ１、７２Ｚ２）の幅はスキャン電極（ＷＹ）のそれ（７２Ｙ）より狭い。第１サスティン電極（Ｚ１）は透明電極（７２Ｚ１）無しで金属バス電極（７３Ｚ１）だけとしてもよい。サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）の透明電極（７２Ｚ１、７２Ｚ２）の幅は１００〜３００μｍの範囲内で選択され、金属バス電極（７３Ｚ１、７３Ｚ２）の幅は５０〜１２０μｍの範囲内で選択される。
【００３９】
上部パネル（７０）にはスキャン電極（ＷＹ）とサスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）を覆うように上部誘電体層（７４）と保護膜（７６）が積層される。上部誘電体層（７４）にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。この上部誘電体層（７４）は放電電流を制限するために約２５μｍ以上の厚さに形成することが好ましい。保護膜（７６）はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層（７４）の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜（７６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
【００４０】
下部パネル（７８）には下部誘電体層（８２）と隔壁（８４）が形成される。下部誘電体層（８２）と隔壁（８４）の表面には蛍光体層（８６）が塗布される。隔壁（８４）は水平に隣接した放電空間を分離するようにストライプの形態として形成されている。この隔壁（８４）は放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層（８６）はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色、青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。一方、隔壁（８４）は水平及び垂直方向ともに分離して個々の放電セルの放電空間が全て互いに隔離されるような格子型としてもよい。
【００４１】
上部パネル（７０）、下部パネル（７８）及び隔壁（８４）で形成された放電空間にＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００４２】
第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）は同一の駆動部によってサスティンパルスを共通に供給してもよいが、また、電圧のレベルの異なるパルスを別々に供給するように互いに異なる駆動部によって駆動してもよい。
【００４３】
本発明によるＰＤＰは画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数の異なる多数のサブフィールドで分けて駆動されている。各サブフィールドは全画面を初期化するためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によってグレーレベルを実現するサスティン期間に分けられる。アドレス期間にデータ電極（Ｘ）とスキャン電極（ＷＹ）の間の対向放電によってセルを選択する。このアドレス放電によってスキャン電極（ＷＹ）とサスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）に覆われた誘電体層（７４）上に壁電荷が形成される。壁電荷が集中的に形成されるスキャン電極（ＷＹ）上の誘電体層（７４）にはスキャン電極（ＷＹ）の幅が広くなるほど放電セルの壁電荷が多くなる。本実施形態ではその幅を広くしているので、サスティン放電に必要な電圧を低くすることができ、選択された放電セルのサスティン放電を安定的に行わせることができるのでミスライティングが防止される。サスティン期間にはアドレス放電によって選択された放電セル内の壁電荷とスキャン電極（ＷＹ）に印加されるサスティンパルスによってスキャン電極（ＷＹ）と第１サスティン電極（ＳＺ１）の間に一次放電が起きる。そしてこの一次ショートパス放電によるプライミング効果がスキャン電極（ＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間に起きるロングパスの放電電圧を低くする。
【００４４】
サスティン期間の放電過程を図１０Ａ〜図１０Ｄに示す。
サスティン期間の開示時点に、スキャン電極（ＷＹ）に正極性のサスティンパルスが供給される。それによって、図１０Ａのようにスキャン電極（ＷＹ）が位置している表面には負極性の壁電荷が形成される。同時に、サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）上にはスキャン電極（ＷＹ）との相対的な電位差によって正極性の壁電荷が形成される。第１サスティン電極（Ｚ１）とスキャン電極（ＷＹ）の間に図１０Ｂのようにショートパス放電が起きる。それと同時に、第１サスティン電極（Ｚ１）とスキャン電極（ＷＹ）の間のショートパスによるプライミング効果を利用して第２サスティン電極（Ｚ２）とスキャン電極（ＷＹ）の間にロングパス放電が起きる。このように１回のサスティン放電が起きると、図１０Ｃのようにサスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）とスキャン電極（ＷＹ）上に形成された壁電荷の極性が反転される。次に、正極性のサスティンパルスがサスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）に印加されると図１０Ｄのように第１サスティン電極（Ｚ１）とスキャン電極（ＷＹ）の間にショートパス放電が起きて、このプライミング効果を利用して第２サスティン電極（Ｚ２）とスキャン電極（ＷＹ）の間に低い電圧でロングパス放電が起きる。
【００４５】
本発明によるＰＤＰは、スキャン電極（ＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間の間隔が広いから放電時に陽光柱領域が現れ放電効率と輝度が高くなる。これを図１１のグロー放電とポジティブ放電領域による電位分布を関連させて詳細に説明する。
【００４６】
図１１で分かるように、ネガティブ・グロー領域では電圧が大きく増加する。これに反して、陽光柱領域では電圧が殆ど一定に維持されて高い輝度を有する。その結果、電極間の間隔が高いスキャン電極（ＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間の陽光柱領域での放電が起きるために発光量が大きくなる。それにもかかわらず消費電力は小さくなる。
【００４７】
すなわち、本発明によるＰＤＰはスキャン電極（ＷＹ）の幅が広いために充分な壁電荷を生成することができ、スキャン電極（ＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間の間隔が広いために効率が高くなる。
【００４８】
スキャン電極（ＷＹ）は必ずしも透明電極を用いる必要がなく、幅が広い金属バス電極（７３ＷＹ）だけで構成することもできる。その場合、図１２のように外部光の反射によるコントラストの低下を防止するために金属バス電極（７３ＷＹ）と上部パネル（７０）の間には光遮断層（７５Ｙ）が形成される。同じく、第１及び第２サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）でも、金属バス電極（７３Ｚ１、７３Ｚ２）と上部パネル（７０）の間に光遮断層（７５Ｚ１、７５Ｚ２）を形成してもよい。これらの光遮断層（７５Ｙ、７５Ｚ１、７５Ｚ２）は導電性を有するものを使用する。
【００４９】
図１３及び図１４は本発明の第２実施形態によるＰＤＰを表す。
図１３及び図１４の第２実施形態によるＰＤＰは、第１と第２のサスティン電極（Ｚ１、ＷＺ２）の幅を異なるようにしてある。第２サスティン電極（ＷＺ２）は幅が広い透明電極（７２ＷＺ２）と幅が狭い金属バス電極（７３ＷＺ２）を含む。この第２サスティン電極（ＷＺ２）は放電時に、誘電体層（７４）蓄積される壁電荷の量を大きくして、放電パスがより遠くなるように透明電極（７２ＷＺ２）の幅が第１サスティン電極（Ｚ１）の透明電極（７２Ｚ１）より広く設定される。
本発明の第２実施形態によるＰＤＰ は図８及び図９に図示されたＰＤＰに比べてサスティン電極（Ｚ１、ＷＺ２）の幅が異なることを除いて異なる構成要素などが同一でありその動作が実質的に同一である。
【００５０】
図１５及び図１６は本発明の第３実施形態によるＰＤＰを表す。
図１５及び図１６を参照すると、本発明の第３実施形態によるＰＤＰは、第１及び第２サスティン電極（ＳＺ１、ＳＺ２）をセルの両側に配置してその間に幅が広いスキャン電極（ＣＷＹ）配置した構造である。下部パネル（９８）には従来同様にデータ電極（Ｘ）が形成される。
【００５１】
スキャン電極（ＣＷＹ）とサスティン電極（ＳＺ１、ＳＺ２）はそれぞれ広い幅の透明電極（９２Ｙ、９２Ｚ１、９２Ｚ２）と狭い幅の金属バス電極（９３Ｙ、９３Ｚ１、９３Ｚ２）からなる。サスティン電極（Ｚ１、Ｚ２）の透明電極（９２Ｚ１、９２Ｚ２）の幅はスキャン電極（ＣＷＹ）のそれ（９２Ｙ）より狭い。スキャン電極（ＣＷＹ）と双方のスキャン電極との間の距離は、第２サスティン電極（ＳＺ２）との間の間隔（Ｓｉ）が第１サスティン電極（ＳＺ１）との間の間隔（ＳＳＷｉ）より狭く設定される。スキャン電極（ＣＷＹ）はデータ電極（Ｘ）との対向放電によってセルを選択する。また、スキャン電極（ＣＷＹ）は第２サスティン電極（ＳＺ２）との面放電によってサスティン期間の初期にショートパス放電を生じさせるとともに第１サスティン電極（ＳＺ１）とロングパス放電を行う。したがって、スキャン電極（ＣＷＹ）はアドレス期間にはデータ電極（Ｘ）に供給されるデータパルスに同期したスキャンパルスが供給され、サスティン期間にはサスティンパルスが供給される。
【００５２】
上部パネル（９０）にはスキャン電極（ＣＷＹ）とサスティン電極（ＳＺ１、ＳＺ２）を覆うように上部誘電体層（９４）と保護膜（９６）が積層される。
下部パネル（９８）には下部誘電体層（１０２）と隔壁（１０４）が形成される。下部誘電体層（１０２）と隔壁（１０４）の表面には蛍光体層（１０６）が塗布される。隔壁（１０４）はストライプ形態または格子型の形態の中でいずれか一つで形成される。
上部パネル（９０）、下部パネル（９８）、隔壁（１０４）で形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００５３】
サスティン期間の放電は次のようになる。
サスティン期間の開示時に、電極間の間隔が狭いスキャン電極（ＣＷＹ）と第２サスティン電極（Ｚ２）の間の電位差によってショートパス放電が起きる。このショートパス放電によるプライミング効果を利用してスキャン電極（ＣＷＹ）と第１サスティン電極（ＳＺ１）の間にロングパス放電が連続的に起きる。
【００５４】
図１７及び図１８は本発明の第４実施形態によるＰＤＰである。
図１７及び図１８を参照すると、本発明の第４実施形態によるＰＤＰの上部パネル（１１０）の電極構造は、放電セルの中央にスキャン／トリガ電極（ＴＹ）を配置し、その両側の放電セルの両端に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）を配置している。下部パネル（１２２）には従来同様データ電極（Ｘ）が形成されている。
【００５５】
スキャン／トリガ電極（ＴＹ）は幅が狭い金属バス電極だけで形成されているが、幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とで構成させても良い。スキャン／トリガ電極（ＴＹ）はその左右に隣接した第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）とは等距離を保って配置されている。このスキャン／トリガ電極（ＴＹ）はデータ電極（Ｘ）とともにアドレス放電を生じさせ、かつ第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の中のいずれか一つとサスティン期間の初期にショートパス放電を生じさせる。
【００５６】
第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）は広い透明電極（１１２Ｚ１、１１２Ｚ２）と狭い幅の金属バス電極（１１３Ｚ１、１１３Ｚ２）からなる。第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）はそれぞれ放電セルの両端に配置されて交互に供給されるサスティンパルスによってサスティン放電を連続的に生じさせる。このサスティン放電に必要な電圧はトリガ電極（ＴＹ）といずれかのサスティン電極（ＳＷＺ１またはＳＷＺ２）の間のショートパス放電によるプライミング効果を利用するので低くなる。
【００５７】
上部パネル（１１０）にはスキャン／トリガ電極（ＴＹ）とサスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）を覆うように上部誘電体層（１１４）と保護膜（１１６）が積層される。上部誘電体層（１１４）にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜（１１６）はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層（１１４）の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜（１１６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
【００５８】
下部パネル（１１８）には下部誘電体層（１２２）と隔壁（１２４）が形成される。下部誘電体層（１２２）と隔壁（１２４）の表面には蛍光体層（１２６）が塗布される。隔壁（１２４）は格子形態で形成される。また、隔壁（１２４）はストライプ形態で形成されるてもよい。
上部パネル（１１０）、下部パネル（１１８）及び隔壁（１２４）で形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００５９】
第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）にはサスティン放電のためのサスティンパルスが交互に供給される。第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の配置が垂直方向に隣接した放電セルでその順序が同一であると、垂直に隣接した放電セルで交互に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）に供給される電圧の電位差が隣接セル管で放電が生じる程度になり、それらの放電セルの間で誤放電が起きる。このような誤放電を防止するために、第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）は垂直に隣接した放電セルの間では第１と第２の配置順序が反対になることが好ましい。これは前述した実施形態などでも同様に適用される。
【００６０】
格子型の隔壁（１２４）が適用される場合に、水平方向と垂直方向に放電セルが隔離されて水平方向と垂直方向で隣接した放電セルの間に放電が起きにくい。従って、格子型の隔壁（１２４）が適用される場合には図１９のように第１サスティン電極（ＳＷＺ１）−スキャン／トリガ電極（ＴＹ）−第２サスティン電極（ＳＷＺ２）のように全てのセルで同じに配置しても差し支えない。
【００６１】
図２０のようにストライプ型の隔壁（１２４Ｂ）が適用される場合には垂直に隣接した放電セルの間には空間電荷の移動が自由で絶縁体がない。したがって、ストライプ型の隔壁（１２４Ｂ）が適用されて垂直に隣接した放電セルの間に第１サスティン電極（ＳＷＺ１）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）が隣接するとそれらの間に放電が生じるに十分な電位差が現れために誤放電が起きる。従って、ストライプ型の隔壁（１２４Ｂ）が適用される場合には垂直に隣接した２つの放電セルの電極が第１サスティン電極（ＳＷＺ１）−スキャン／トリガ電極（ＴＹ１）−第２サスティン電極（ＳＷＺ２）−第２サスティン電極（ＳＷＺ２）−スキャン／トリガ電極（ＴＹ２）−第１サスティン電極（Ｓｙ）と図２０のように配置されるべきである。
【００６２】
図２１は本発明の第４実施形態によるＰＤＰの駆動装置を表す。
図２１を参照すると、本発明の第４実施形態によるＰＤＰの駆動装置はスキャン／トリガ電極（ＴＹ）を駆動するためのスキャン／トリガ駆動部（１１２）と、第１サスティン電極（ＳＷＺ１）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）をそれぞれ駆動するための第１及び第２サスティン駆動部（１２８、１２９）と、データ電極（１２０）を駆動するためのデータ駆動部（１２０）とを具備する。
【００６３】
スキャン／トリガ駆動部（１１２）はアドレス期間に負極性のスキャンパルスをスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に順次供給する。また、スキャン／トリガ駆動部（１１２）はサスティン期間に正極性の直流電圧またはサスティンパルスと同期されるパルス信号をスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給する。
【００６４】
第１サスティン駆動部（１２８）はサスティン期間にサスティンパルスを第１サスティン電極（ＳＷＺ１）に共通に供給する。
第２サスティン駆動部（１５４）はサスティン期間に第１サスティン電極（ＳＷＺ１）に供給されるサスティンパルスと逆極性のサスティンパルスを第２サスティン電極（ＳＷＺ２）に共通に供給する。
データ駆動部（１２０）はスキャンパルスに同期したデータパルスをデータ電極（Ｘ）に供給する。
【００６５】
本発明の第４実施形態によるＰＤＰの駆動方法を図２２と図２３Ａ〜図２３Ｄを関連づけて説明する。図２２ではリセット期間は省略される。
図２２を参照すると、アドレス期間にはデータ電極（Ｘ）にデータパルス（Ｖｄ）が供給され、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）に負極性のスキャンパルス（−Ｖｓｃ）が供給される。データ電極（Ｘ）とスキャン／トリガ電極（ＴＹ）の間の電圧差によって選択された放電セル内でアドレス放電が起きる。このアドレス放電によってスキャン／トリガ電極（ＴＹ）には正極性の壁電荷が形成されてデータ電極（Ｘ）には陰の壁電荷が蓄積される。
【００６６】
サスティン期間の初期、ａ時点にはスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に正極性のトリガ直流電圧（Ｖｔ）が供給され始める。この正極性のトリガ直流電圧（Ｖｔ）によってアドレス放電が起きた放電セルはスキャン／トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（Ｘ）の間に放電が起きる。その放電によって生成された電子はスキャン／トリガ電極（ＴＹ）の上に集中される。従って、サスティン期間の初期時点（ａ）でスキャン／トリガ電極（ＴＹ）には図２３Ａのように負極性の壁電荷が形成される。
【００６７】
第２サスティン電極（ＳＷＺ２）にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給される時点で放電が起きた放電セルは図２３Ｂのようにスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってスキャン／トリガ電極（ＴＹ）は第２サスティン電極（ＳＷＺ２）との相対的な電位差によって正極性の壁電荷が生成されて第２サスティン電極（ＳＷＺ２）には負極性の壁電荷が形成される。
【００６８】
ショートパス放電によって生成された壁電荷と空間電荷即ちプライミング効果を利用して第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）にサスティンパルス（Ｖｓ）が交互に供給される時点（ｃ、ｄ、ｅ）毎に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の間にロングパス放電が起きる。
【００６９】
ｃ時点で、第１放電維持電極（Ｓｙ）にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給されると、図２３Ｃのようにスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間にショートパス放電が起きると同時に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第１サスティン電極（ＳＷＺ１）には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）にはそれぞれ前の状態（図２３Ｂ）とは反対極性の壁電荷が形成される。
【００７０】
ｄ時点で、第２サスティン電極（ＳＷＺ２）にサスティンパルスが供給されると図２３のＤのようにスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間にショートパス放電が起きると同時に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第１サスティン電極（ＳＷＺ１）には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン／トリガ電極（ＴＷ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）にはそれぞれ前の状態（図２３Ｃ）とは反対極性の壁電荷が形成される。
【００７１】
ｅ時点で、第１サスティン電極（ＳＷＺ１）にサスティンパルスが供給されると図２３Ｅのようにスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間にショートパス放電が起きると同時に第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第１サスティン電極（ＳＷＺ１）には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン／トリガ電極（ＴＷ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）にはそれぞれ前の状態（図２３Ｃ）とは反対極性の壁電荷が形成される。
【００７２】
図２４〜図２６は本発明の第４実施形態によるＰＤＰの異なる駆動波形である。図２４〜図２６において、リセット期間は省略する。
図２４を参照すると、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）にはａ時点でサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス（Ｖｔａ）が供給される。そうするとスキャン／トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（Ｘ）の間には放電が起きる。この時、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）には図２３Ａのように壁電荷が形成される。ｂ時点でサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルより低い電圧の正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）がスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給される。この正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）によってスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間に放電が起きることができる電位差が発生してスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってスキャン／トリガ電極（ＴＹ）と第２サスティン電極（ＳＷＺ２）には図２３Ｂのように壁電荷が形成される。
【００７３】
最初のサスティンパルス（Ｖｓ）の供給時点は図２４のようにショートパス放電によるプライミング効果を最大に利用することができるようにスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給される正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）に同期される。また、最初のサスティンパルス（Ｖｓ）の供給時点はスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給される正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）の供給時点から所定の時間遅延してもよい。
【００７４】
最初のサスティンパルスが第２サスティン電極（ＳＷＺ２）に供給された後に、第１及び第２サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）に交互にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給されると図２３Ｃ〜図２３Ｅに示されたようにロングパス放電が連続する。このようにロングパス放電が起きる間に、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）には正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）が供給されている。
【００７５】
図２４のように、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給される前に、サスティン電圧（Ｖｓ）より大きい電圧のトリガパルス（Ｖｔａ）を供給して正極性の直流電圧（Ｖｔｂ）を供給するとスキャン／トリガ電極（ＴＹ）上に形成される壁電荷の量を多くすることができる。
【００７６】
図２５を参照すると、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）にはサスティン期間の初期ａ−ｂ期間の間にサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス（Ｖｔａ）だけが供給される。そうするとスキャン／トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（Ｘ）の間には放電が起きる。ｂ時点の以後のサスティン期間にはスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に電圧が印加されない。この場合、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）はサスティンパルス（Ｖｓ）が供給されるサスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）に対して相対的に電位差を有するのでショートパス放電とロングパス放電によって図２３Ｂ〜図２３Ｅのように壁電荷が形成される。
【００７７】
図２６を参照すると、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）には最初にサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス（Ｖｔａ）が供給されて、その後はサスティンパルス（Ｖｓ）の電圧レベルより小さい電圧のパルス（Ｖｔａｃ）が供給される。トリガパルス（Ｖｔａ）に続いてスキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給されるパルスは第１サスティン電極（ＳＷＺ１）に供給されるサスティンパルス（Ｖｓ）と同期される。
【００７８】
スキャン／トリガ電極（ＴＹ）にトリガパルス（Ｖｔａ）が供給されると前述したように放電が起き、図２３Ａのようにトリガ電極（Ｔ）に壁電荷が形成される。サスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）にサスティンパルス（Ｖｓ）が交互に供給される時、ショートパス放電とロングパス放電が起きる。このようにショートパス放電とロングパス放電が起きる時、各電極（ＴＹ、ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）には図２３Ｂ〜図２３Ｅのように壁電荷が形成される。トリガパルスに続いて、スキャン／トリガ電極（ＴＹ）に供給されるパルス（Ｖｔａｃ）はサスティン電極（ＳＷＺ１、ＳＷＺ２）との相対的な電位差をより大きくして壁電荷量を高めるためのものである。
【００７９】
図２７〜図３２は本発明を利用して５電極構造とした実施形態のＰＤＰとその駆動方法及び装置を表す。
図２７及び図２８を参照すると、本発明の実施形態による５電極のＰＤＰは広い幅の第１トリガ電極（ＷＴ１）と、第１トリガ電極（ＷＴ１）より幅が狭い第２トリガ電極（ＴＴ２）と、第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）を間に置いて放電セルの両端に配置されるサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）とを具備する。
【００８０】
第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）とサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）はぞれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とからなる。下部パネル（１３０）にはトリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）とサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）と直交されるデータ電極（Ｘ）が形成される。
【００８１】
第１トリガ電極（ＷＴ１）は第２トリガ電極（ＴＴ２）とサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）に比べて幅が広く形成される。第１トリガ電極（ＷＴ１）はスキャンパルスが供給されてデータ電極（Ｘ）に供給されるデータパルスとの電位差によってアドレス放電を起こす。第１トリガ電極（ＷＴ１）は電極幅が広いためにアドレス放電時に第１トリガ電極（ＷＴ１）の上に形成される壁電荷量が多くなる。また、第１トリガ電極（ＷＴ１）はアドレス放電によって生成された壁電荷と外部から供給されるトリガ電圧によって第２トリガ電極（ＴＴ２）とともにサスティン期間の初期にショートパスのショートパス放電を起こさせる。第１トリガ電極（ＷＴ１）と第２トリガ電極（ＴＴ２）の間の間隔はショートパス放電が低い電圧でも安定して起きるように狭く設定される。一方、第２サスティン電極（ＳＳ２）と第２トリガ電極（ＴＴ２）の間の間隔は第１トリガ電極（ＷＴ１）と第２トリガ電極（ＴＴ２）の間の間隔より大きく設定されている。
【００８２】
サスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）はトリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）を間に置いて放電セルの両端に位置するためにそれらの間の間隔は大きくなる。このサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）はトリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）の間に起きるショートパス放電によるプライミング効果を利用してロングパス放電を起こす。サスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）の間の間隔は放電セルの両端にそれぞれ位置するために放電距離が最大となっている。
【００８３】
上部パネル（１３０）にはトリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２）とサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）を覆うように上部誘電体層（１３４）と保護膜（１３６）が積層される。上部誘電体層（１３４）にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜（１３６）はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層（１３４）の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜（１１６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
【００８４】
下部パネル（１３８）には下部誘電体層（１４２）と隔壁（１４４）が形成される。下部誘電体層（１４２）と隔壁（１４４）の表面には蛍光体層（１４６）が塗布される。隔壁（１４４）は水平に隣接した放電空間を分離して光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層（１４６）はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
上部パネル（１３０）、下部パネル（１３８）、隔壁（１４４）で形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００８５】
図２９及び図３０を参照すると、本発明の実施形態による５電極のＰＤＰは幅の広い第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２）と、第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２）を間に置いて放電セルの両端に配置される第１及び第２サスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）とを具備する。
【００８６】
この実施形態は図２７及び図２８に図示された５電極ＰＤＰと対比する時、放電セルの中央に隣接に配置される第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２）の双方の幅がサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）より広く設定されることを除いて他の構成要素が実質的に同一である。
【００８７】
このように第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２）の幅が広くなるためにショートパス放電で形成される壁電荷と空間電荷の量が多くなるのでサスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）の間のロングパス放電に必要な電圧をその分低くすることができる。
【００８８】
図３１及び図３２は本発明による５電極ＰＤＰの駆動装置及びその出力波形を示す。
図３１を参照すると、本発明による５電極ＰＤＰの駆動装置は第１サスティン電極（ＳＳ１）と第１トリガ電極（ＷＴ１）を駆動するための第１サスティン駆動部（１７０）と、第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）を駆動するためのトリガ駆動部（１５２）と、第２サスティン電極（ＳＳ２）を駆動するための第２サスティン駆動部（６２０と、データ電極（Ｘ）を駆動するためのデータ駆動部（１５６）とを具備する。
【００８９】
第１サスティン駆動部（１５０）はアドレス期間に負極性のスキャンパルスを第１サスティン電極（ＳＳ１）と第１トリガ電極（ＷＴ１）に順次供給する。そして第１サスティン駆動部（１５）はサスティン期間にサスティンパルスを第１サスティン電極（ＳＳ１）と第１トリガ電極（ＷＴ１）に供給する。
【００９０】
トリガ駆動部（１５２）はリセット期間にリセットパルスを第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）に供給するとともにアドレス期間に正極性の直流電圧を第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）に供給する。そして第２トリガ駆動部（１５２）はサスティン期間にサスティンパルスを第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）に供給する。
【００９１】
第２サスティン駆動部（１５４）はアドレス期間に正極性の直流電圧を第２サスティン電極（ＳＳ２）に供給した後に、サスティン期間にサスティンパルスを第２サスティン電極（ＳＳ２）に供給する。第２サスティン電極（ＳＳ２）に供給されるサスティンパルスの電圧レベルは第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＴＴ２、ＷＴ２）と第１サスティン電極（ＳＳ１）に供給されるサスティンパルスより高く設定される。
【００９２】
データ駆動部（１５６）はスキャンパルスに同期されるデータパルスをデータ電極（Ｘ）に供給する。
【００９３】
図３２を参照すると、リセット期間には電圧レベルが高い正極性のリセットパルス（Ｖｒｓｔ）が第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）に供給される。そうすると全画面の放電セルはリセット放電されて均一の量の壁電荷が生成されて初期化される。この時、データ電極（Ｘ）には第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）とデータ電極（Ｘ）の間に誤放電が起きないように電圧レベルが低い正極性のパルス信号が供給される。
【００９４】
アドレス期間には第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）にスキャンパルス（−Ｖｓｃ）が順次供給される。データ電極（Ｘ）にはスキャンパルス（−Ｖｓｃ）に同期したデータパルス（Ｖｄ）が１水平ライン分のデータ電極（Ｘ）に同時に供給される。この時、データパルス（Ｖａ）が供給された放電セルは第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）を含めた電極群とデータ電極（Ｘ）の間の電圧差と内部の壁電荷によってアドレス放電が起きる。このアドレス放電によって第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）を含めた電極群に広い面積で充分な量の壁電荷が形成される。
【００９５】
サスティン期間には第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）を含めた電極群と第２サスティン電極（ＳＳ２）にサスティンパルス（Ｖｓ、Ｖｓｓ）が同期されるように供給されるとともにこれらの電極（ＷＴ１、ＳＳ１、ＳＳ２）と交番されるように第２トリガ電極（ＴＴ２、ＷＴ２）にサスティンパルス（Ｖｓ）が供給される。そうするとサスティン期間の初期にアドレス放電によって生成された放電セルの内部の壁電圧と第１トリガ電極（ＷＴ１）に最初に供給されるサスティンパルスの電圧によって第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２、ＴＴ２）の間にショートパス放電が起きる。アドレス期間に充分な量の壁電荷が第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）の上に形成されているために第１トリガ電極（ＷＴ１）と第１サスティン電極（ＳＳ１）に供給されるサスティンパルスの電圧レベルは低くしてもよい。第１及び第２トリガ電極（ＷＴ１、ＷＴ２、ＴＴ２）の間のショートパス放電によって放電セル内に多くの荷電粒子と壁電荷が生成される。このような空間電荷と壁電荷によるプライミング効果を利用して第１及び第２サスティン電極（ＳＳ１、ＳＳ２）にサスティンパルスが交互に供給される時毎にロングパス放電が起きる。
【００９６】
【発明の効果】
上述したように、本発明によるＰＤＰとその駆動方法及び装置は少なくとも３つ以上のサスティン電極を一群のサスティン電極群として構成して、その中のアドレス放電を起こすための電極はその幅を大きく設定している。従って、本発明によるＰＤＰとその駆動方法及び装置はアドレス放電によって充分な量の荷電粒子が生成されるのでサスティン放電に必要な電圧を低くすることができ、消費電力と効率を向上させることができる。また、本発明によるＰＤＰとその駆動方法及び装置はアドレス放電によって充分な量の荷電粒子を生成することができるのでサスティン放電が安定的に起きることができるのでミスライティングを防止することができる。
【００９７】
本発明によるＰＤＰとその駆動方法及び装置は、広い金属バス電極だけで電極を構成する場合に、基板と金属橋電極の間に光遮断層を形成して外部光の反射によるコントラスト低下を最小化することができるようになる。また、本発明によるＰＤＰとその駆動方法及び装置はショートパス放電を起こせるためのトリガ電極とロングパス放電を起こせるためのサスティン電極を一つの駆動回路を利用して駆動するようにしているので駆動回路を単純化してコストを低減することができるようになる。
【００９８】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。例えば、当業者はアドレス放電を起こせるための電極の幅を広くするという本発明の技術的な思想に基づいて３電極ＰＤＰでスキャン電極の幅を広くすることを予測することができるだろう。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の３電極のプラズマディスプレーのパネルの放電セルを表す写視図である。
【図２】 図１に図示された３電極のプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図３】 図１に図示された３電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動の波形図である。
【図４】 従来の５電極のプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す平面図である。
【図５】 図４に図示された５電極のプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図６】 図４に図示された５電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図７】 図４に図示された５電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動の波形図である。
【図８】 本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図９】 図８に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図１０Ａ】 図８及び図９にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図１０Ｂ】 図８及び図９にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図１０Ｃ】 図８及び図９にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図１０Ｄ】 図８及び図９にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図１１】 図８及び図９にスキャン電極とサスティン電極の間の放電時に利用される陽光柱の領域を表す図面である。
【図１２】 図８に図示されたプラズマディスプレーパネルにおいて金属バス電極上に形成される光遮断層を表す断面図である。
【図１３】 本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図１４】 図１３に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図１５】 本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図１６】 図１５に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図１７】 本発明の第４実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図１８】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図１９】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルにおいて格子型の隔壁が適用される場合の電極配置の順序を表す平面図である。
【図２０】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルにおいてストライプ形態の隔壁が適用される場合の電極配置の順序を表す平面図である。
【図２１】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図２２】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第１実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図２３Ａ】 図１７に図示されたスキャン／トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図２３Ｂ】 図１７に図示されたスキャン／トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図２３Ｃ】 図１７に図示されたスキャン／トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図２３Ｄ】 図１７に図示されたスキャン／トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図２３Ｅ】 図１７に図示されたスキャン／トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図２４】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第２実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図２５】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第３実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図２６】 図１７に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第４実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図２７】 本発明の第５実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図２８】 図２７に図示されたプラズマディスプレーのパネルを上から見た一つの放電セルを表す写視図である。
【図２９】 本発明の第６実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図３０】 図２９に図示されたプラズマディスプレーのパネルを上から見た一つの放電セルを表す写視図である。
【図３１】 図２７及び図２９に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図３２】 図２７及び図２９に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【符号の説明】
Ｘ：データ電極
Ｙ、ＷＹ：スキャン電極
Ｚ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ１、ＷＺ２、ＳＷＺ１、ＳＷＺ２、ＳＳ１、ＳＳ２：サスティン電極
ＴＹ、ＴＺ、ＷＴ１、ＷＴ２、ＷＴ２：トリガ電極
１０、３０、７０、９０、１１０、１３０：上部パネル
１２Ｙ、１２Ｚ、７２Ｙ、７２Ｚ１、７２Ｚ２、７２ＷＺ２、９２Ｙ、９２Ｚ１、９２Ｚ２、１１２Ｚ１、１１２Ｚ２：透明電極
１３Ｙ、１３Ｚ、７３Ｙ、７３Ｚ１、７３Ｚ２、９３Ｙ、９３Ｚ１、９３Ｚ２、１１３Ｚ１、１１３Ｚ２：金属バス電極
１４、２２、３６、４４、７４、８２、９４、１０２、１１４、１２２、１３４、１４２：誘電体層
１５Ｙ、１５Ｚ、７５Ｙ、７５Ｚ１、７５Ｚ２：光遮断層
１６、３８、７６、９６、１１６、１３６：保護膜
１８、４０、７８、９８、１１８、１３８：下部パネル
２４、４６、８４、１０４、１２４、１４４：隔壁
２６、４６、８４、１０６、１２６、１４６：蛍光体層
５６、６０、１５２：トリガ駆動部
５８、１２８、６２、１２９、１５０、１５４：サスティン駆動部
１１２：スキャン／トリガ駆動部
１２０、１５６：データ駆動部

Claims (19)

1. 複数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第１上部電極群と、前記第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第１上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第２上部電極群と、前記第１及び第２上部電極群と直交する方向に前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備し、
   前記第１上部電極群は前記第２上部電極群の近くに設置される第１サスティン電極と、その第１サスティン電極を間に置くように前記第２上部電極群から遠い位置に設置される第２サスティン電極とを具備し、前記第２上部電極群と第１サスティン電極との間の間隔は、前記第１サスティン電極と第２サスティン電極との間の間隔と異なることを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
2. 前記第２上部電極群を構成する電極は前記第１上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
3. 前記第２上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を生じさせて前記放電セルを選択するとともに、前記選択された放電セルに対して前記第１サスティン電極とショートパス放電を起こして前記第２サスティン電極とロングパス放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極を具備することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
4. 前記スキャン電極と第１サスティン電極の間の間隔は前記第１及び第２サスティン電極の間の間隔より大きいことを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレーパネル。
5. 前記第１上部電極群の第１サスティン電極は、選択された前記放電セルに対して前記第２上部電極群との間でショートパス放電を起こす細幅のサスティン電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
6. 前記第１上部電極群は前記第２上部電極群の近くに配置された広幅の第１サスティン電極と、前記第２上部電極群と前記広幅の第１サスティン電極の間の間隔より広く設定された間隔に配置された細幅の第２サスティン電極とを具備することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
7. 前記細幅の第２サスティン電極と前記広幅の第１のサスティン電極の間の間隔は３０〜８０μｍの間の幅で選択されることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレーパネル。
8. 多数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第１上部電極群と、前記第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第１上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第２上部電極群と、前記第１及び第２上部電極群と直交されるように前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備するとともに、前記第２上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を起こす前記放電セルを選択し、かつ選択された放電セルに対して前記第１上部電極群とサスティン放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極を具備し、さらに、前記第１上部電極群は前記スキャン電極の近くに設置されて前記スキャン電極とショートパスのサスティン放電を起こす第１サスティン電極と、前記スキャン電極を間に置いて前記第１サスティン電極から遠い距離に離されるとともに前記スキャン電極と前記第１サスティン電極の間の間隔より広い間隔に前記スキャン電極から離隔されて設置され前記スキャン電極とロングパスの前記サスティン放電を起こす第２サスティン電極とを具備することを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
9. 多数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第１上部電極群と、前記第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第１上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第２上部電極群と、前記第１及び第２上部電極群と直交されるように前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備するとともに、前記第２上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を起こす前記放電セルを選択し、かつ選択された放電セルに対して前記第１上部電極群とサスティン放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極とを具備し、さらに、前記第１上部電極群は前記スキャン電極の近くに設置されてショートパスのサスティン放電を起こすトリガ電極と、前記スキャン電極及びトリガ電極を間に置いて前記放電セルの両端にそれぞれ配置されてロングパスの前記サスティン放電を起こすための第１及び第２サスティン電極とを具備することを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
10. 前記第１及び第２上部電極群は幅が広い透明電極と、前記透明電極より幅が狭い金属バス電極とを具備することを特徴とする請求項１，８，９のいずれかに記載のプラズマディスプレーパネル。
11. 前記透明電極と前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレーパネル。
12. 前記第１及び第２上部電極群の中のいずれか一つの電極が金属バス電極だけで構成されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレーパネル。
13. 前記上部パネルと前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレーパネル。
14. 前記下部パネル上に形成されて放電セルを空間的に分離するための隔壁と、前記第１及び第２上部電極群を覆うように前記上部パネル上に形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される保護膜と、前記隔壁と前記下部パネル上に塗布される蛍光体とを具備することを特徴とする請求項１，８，９のいずれかに記載のプラズマディスプレーパネル。
15. 前記隔壁はストライプ及び格子型の中のいずれか一つの形態で形成されることを特徴とする請求項１４記載のプラズマディスプレーパネル。
16. 所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第１上部電極群、及び前記第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第２上部電極群と直交される方向にデータ電極が設置された表示パネルと、前記第２上部電極群にスキャンパルスを印加し前記データ電極にデータパルスを印加して放電セルを選択する段階と、
    前記第２上部電極群と、この第２上部電極群の近くに設置された前記第１上部電極群の第１サスティン電極との間に第１放電を起こさせる段階と、
    前記第１サスティン電極を間に置いて前記第２上部電極群から遠い距離に離されるとともに前記第２上部電極群と前記第１サスティン電極の間の間隔より狭い間隔に前記第１サスティン電極から離隔されて設置された前記第１上部電極群の第２サスティン電極と、前記第２上部電極群との間に第２放電を起こさせる段階と
    を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの駆動方法。
17. 前記第２上部電極群を構成する電極は前記第１上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレーパネルの駆動方法。
18. 所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第１上部電極群、前記第１上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第２上部電極群及び前記上部電極群と直交する方向にデータ電極が設けられる表示パネルと、
    前記データ電極にデータパルスを供給するデータ駆動部と、
    前記第２上部電極群に前記データパルスに対応するスキャンパルスを供給するスキャン駆動部と、
    前記第２上部電極群と、この第２上部電極群の近くに設置された前記第１上部電極群の第１サスティン電極との間に第１放電を起こさせる第１サスティン駆動部と、
    前記第１サスティン電極を間に置いて前記第２上部電極群から遠い距離に離されるとともに前記第２上部電極群と前記第１サスティン電極の間の間隔より狭い間隔に前記第１サスティン電極から離隔されて設置された前記第１上部電極群の第２サスティン電極と、前記第２上部電極群との間に第２放電を起こさせる第２サスティン駆動部と
    を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの駆動装置。
19. 前記第２上部電極群を構成する電極は前記第１上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレーパネルの駆動装置。

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