JP3727868B2 - プラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレーパネルに関し、特にミスライティングを防止するとともに効率を高めるようにしたプラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマディスプレーパネル(以下“PDP”という)はHe+XeまたはNe+Xeガスの放電時に発生する波長147nmの紫外線によって蛍光体を発光させて文字またはグラフィックを含む画像を表示している。このようなPDPは薄型化と大型化が容易であるだけではなく、最近の技術開発によって大きく向上した画質を提供できるようなっている。特に、3電極の交流の面放電型PDPは誘電体に蓄積された壁電荷を利用して放電に必要な電圧を低くするようになっており、放電によって発生するスパッタリングから電極を保護するために低電圧の駆動と長寿命の長所を有する。
【0003】
図1を参照すると、従来の3電極の交流面放電型PDP(以下、“3電極PDP”という)は上部パネル(10)にスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)を形成するとともに、下部パネル(18)にデータ電極(X)を形成させている。なお、上部とは製品としてみた場合の表示側である。
【0004】
スキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)はそれぞれ幅が広い透明電極(12Y、12Z)とその上に載せた幅が狭い金属バス電極(13Y、13Z)とでそれぞれ構成されており、双方が一定の間隔で平行に並んで配置されている。金属バス電極(13Y、13Z)は光を反射してコントラストを低下させるので金属バス電極(13Y、13Z)と上部パネル(10)の間には図2のように光遮断層(15Y、15Z)を形成させている。光遮断層(15Y、15Z)は上部パネル(10)を経由して金属バス電極(13Y、13Z)の側に進行する光を吸収する。
【0005】
上部パネル(10)にはスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)を覆うように上部誘電体層(14)と保護膜(16)が積層される。上部誘電体層(14)にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜(16)はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層(14)の損傷を防止するとともに二次電子の放出の効率を高めるためのものである。この保護膜(16)としては酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
データ電極(X)はスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)とに直交するように配置されている。
【0006】
下部パネル(18)には下部誘電体層(22)と隔壁(24)が形成され、それらの表面に蛍光体層(26)が塗布される。隔壁(24)は図2の紙面に直交する方向で隣接した放電空間を分離して、その隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層(26)はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されると赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
【0007】
上部パネル(10)、下部パネル(18)、隔壁(24)によって形成された放電空間にはHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性混合ガスが注入される。3電極のPDPは画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。各サブフィールドは放電を均一にさせるためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によってグレーレベルを実現するサスティン期間に分けられる。256のグレーレベルで画像を表示しようとする場合に1/60秒に当たるフレーム期間(16.67ms)は8つのサブフィールド(SF1〜SF8)に分けられる。8つのサブフィールド(SF1〜SF8)のそれぞれは前記したようにリセット期間、アドレス期間及びサスティン期間に分けられる。各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールド毎に同一である。セルを選択するためのアドレス放電はデータ電極(X)とスキャン電極(Y)の間の電圧差によって起きる。サスティン期間は各サブフィールドにおいて2n(ただし、n=0、1、2、3、4、5、6、7)の比率で増加する。このように各サブフィールドでサスティン期間のサスティン放電の回数を調節して映像表示時に必要なグレースケールを実現している。サスティン放電はスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)に交互に供給される高い電圧のパルス信号によって起きる。
【0008】
図3は3電極PDPの駆動波形である。
図3を参照すると、リセット期間にはサスティン電極(Z)に供給されるリセットパルス(Vr)によって放電セルを初期化するリセット放電が発生する。このリセットパルス(Vr)はスキャン電極(Y)に供給されることもある。
【0009】
アドレス期間にはスキャン電極(Y)に順次スキャンパルス(−Vsc)を供給し、同時にスキャンパルス(−Vsc)に同期させてデータパルス(Vd)をデータ電極(X)に供給する。データパルス(Vd)とスキャンパルス(−Vsc)が供給された放電セルでアドレス放電が起きる。サスティン電極(Z)にはデータ電極(X)とサスティン電極(Z)の間に誤放電が起きないように低い電圧レベルの正極性の直流電圧が供給される。
【0010】
サスティン期間にはスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)に交互にサスティンパルス(Vs)が供給される。そうするとアドレス放電によって選択された放電セルはサスティンパルス(Vs)が供給される時毎にサスティン放電が連続的に起きる。
【0011】
この3電極PDPはスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)が放電空間の中央部にあるので放電空間の活用度が低い。すなわち、3電極のPDPはサスティン放電を生じさせる電圧が高くなり、消費電力が高くなったり、あるいはサスティン放電時の放電及び発光の効率が低い。以下これを詳細にする。サスティン放電はスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)の間の面放電として生じる。その際、放電開示の電圧をより低くするためにはスキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)を近づける必要があり、そのためセルの中央部にそれらを配置している。このように両電極の間を近くするとサスティン放電時に放電パスが短くなって放電効率及び発光効率が低くなる。効率を重視して、スキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)の間の間隔を大きくすると、双方の極間の間隔に比例して放電開示電圧が高くなるという問題が生じる。また、効率を高めるために、スキャン電極(Y)とサスティン電極(Z)の中の少なくともいずれか一方の電極幅を広くすると放電電流の増加によって消費電力が大きくなる。
【0012】
このような3電極PDPの問題点を解決するために、サスティン放電用の電極を4つに分離した5電極PDPが提案されたことがある。
図4及び図5を参照してその例を説明する。従来の5電極PDPは上部パネル(30)に第1及び第2サスティン電極(SY、SZ)のほかにこれらに平行に第1及び第2トリガ電極(TY、TZ)を配置している。図示のように、第1及び第2トリガ電極(TY、TZ)をセルの中央部に、第1及び第2サスティン電極(SY、SZ)をセルの縁の部分に配置している。従来同様下部パネル(40)にはデータ電極(X)が設けられている。
【0013】
トリガ電極(TY、TZ)とサスティン電極(SY、SZ)はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極で構成されている。トリガ電極(TY、TZ)は電極間の間隔(Ni)が小さいために低い電位差でも容易に放電する。第1トリガ電極(TY)はスキャンパルスが供給されてデータ電極(X)に供給されるデータパルスとの電位差によってアドレス放電を起こす役割をも重ねている。サスティン電極(SY、SZ)はトリガ電極(TY、TZ)を間に置いているのでその電極間の間隔(Wi)は広い。このサスティン電極(SY、SZ)はトリガ電極(TY、TZ)の間の放電によって形成された空間の電荷及び壁電荷を利用してロングパス放電を生じさせる。
【0014】
上部パネル(30)にはトリガ電極(TY、TZ)とサスティン電極(SY、SZ)を覆うように上部誘電体層(36)と保護膜(38)が積層される。上部誘電体層(36)にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜(38)はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層(36)の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜(16)としては酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
【0015】
下部パネル(40)には下部誘電体層(44)と隔壁(46)が形成され、それらの表面には蛍光体層(48)が塗布される。隔壁(46)は隣接した放電空間を分離して隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止している。蛍光体層(48)はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
【0016】
上部パネル(30)、下部パネル(40)、隔壁(46)で形成された放電空間にはHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性の混合ガスが注入される。
5電極PDPは、3電極PDPと同様に、画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。これを図6、図7によって詳細に説明する。
【0017】
図6及び図7は5電極PDPのトリガ/サスティン駆動装置とその出力波形を現す。
図6を参照すると、5電極PDPの駆動装置は第1サスティン電極(SY)を駆動するための第1サスティン駆動部(58)と、第1トリガ電極(TY)を駆動するための第1トリガ駆動部(56)と、第2サスティン電極(SZ)を駆動するための第2サスティン駆動部(62)と、第2トリガ電極(TZ)を駆動するための第2トリガ駆動部(60)とを具備する。
【0018】
第1サスティン駆動部(58)はアドレス期間に負極性の直流電圧を第1サスティン電極(SY)に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第1サスティン電極(SY)に供給する。
第1トリガ駆動部(56)はアドレス期間に負極性のスキャンパルスを第1トリガ電極(TY)に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第1トリガ電極(TY)に供給する。
第2サスティン駆動部(62)はアドレス期間に正極性の直流電圧を第2サスティン電極(SZ)に供給した後、サスティン期間にサスティンパルスを第2サスティン電極(SZ)に供給する。
【0019】
第2トリガ駆動部(60)はリセット期間にリセットパルスを第2トリガ電極(TZ)に供給した後、アドレス期間に正極性の直流電圧を第2トリガ電極(TZ)に供給する。そして第2トリガ駆動部(60)はサスティン期間にサスティンパルスを第2トリガ電極(TZ)に供給する。
一方、データ電極(X)は図示されていないデータ駆動部からスキャンパルスに同期されるデータパルスが供給される。
【0020】
図7を参照すると、リセット期間には電圧レベルが高い正極性リセットパルス(Vrst )が第2トリガ電極(TZ)に供給される。そうすると、全画面の放電セルはリセット放電して均一の量の壁電荷を生成して初期化する。データ電極(X)には第2トリガ電極(TZ)とデータ電極(X)の間に誤放電が起きないように電圧レベルが低い正極性のパルス信号が供給される。
【0021】
アドレス期間には第1トリガ電極(TY)にスキャンパルス(−Vsc)を順次供給し、データ電極(X)にスキャンパルス(−Vsc)に同期したデータパルス(Vd)が1水平ラインのデータ電極(X)に供給する。データパルス(Vd)が供給された放電セルはデータ電極(X)と第1トリガ電極(TY)の間の電圧差とでセル内部の壁電荷によってアドレス放電が起きる。
【0022】
サスティン期間には第1トリガ電極(TY)と第1サスティン電極(SY)それぞれにトリガパルス(Vt)とサスティンパルス(Vs)が同時に供給される。そして第2トリガ電極(TZ)と第2サスティン電極(SZ)それぞれにトリガパルス(Vt)とサスティンパルス(Vs)が同時に供給される。ここで、トリガパルス(Vt)の電圧レベルはサスティンパルス(Vs)のそれより低く設定される。第1トリガ電極(TY)に最初のトリガパルス(Vt)が供給されると、アドレス放電が起きた放電セルは第1トリガ電極(TY)と第2トリガ電極(TZ)の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってアドレス放電によって選択された放電セルの内には空間電荷と壁電荷が生成される。このショートパス放電によって発生される空間電荷と壁電荷は第1及び第2サスティン電極(SY、SZ)の間のロングパス放電に対するプライミング効果となる。このショートパス放電によるプライミング効果は第1サスティン電極(SY)と第2サスティン電極(SZ)間のロングパス放電を誘導させる。したがって、トリガ電極(TY、TZ)間のショートパス放電によって電極間の間隔が広いサスティン電極(SY、SZ)間に低い電圧でロングパス放電を生じさせることができる。
【0023】
このように5電極PDPはサスティン放電がロングパスで放電されるために放電によって生成される紫外線量が増加して、紫外線によって励起される蛍光体(48)の発光量がその分多いために放電及び発光効率が3電極PDPに比べて高い。
【0024】
しかし従来の5電極PDPは第1トリガ電極(TY)の幅が小さいためにアドレス放電時に第1トリガ電極(TY)上に充分な量の壁電荷が蓄積されにくい。アドレス放電時に発生される壁電荷が小さいとサスティン放電に必要な外部印加電圧をその分高くしなければならない。その結果、従来の5電極PDPは消費電力が大きくなるという問題が発生する。
【0025】
また、従来の5電極PDPはアドレス放電時に充分な壁電荷が形成されないためにサスティン放電が起きない、すなわちミスライティングが生じ、発光すべきセルが発光しないという問題があった。
【0026】
また、5電極PDPはトリガパルス(Vt)とサスティンパルス(Vs)の電圧レベルが相違するために図6のようにトリガ電極(TY、TZ)とサスティン電極(SY、SZ)を別個に駆動しなければならないので駆動回路が複雑になってコストが大きくなるという問題点がある。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はPDPをミスライティングを防止することができるとともに放電効率を高めるようにしたプラズマディスプレーパネル及びその駆動方法及び装置を提供することである。
【0028】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明によるプラズマディスプレーパネルは多数の放電セルを間に置いて対向して配置される上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで上部パネルに形成される第1上部電極群と、第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含み、第1上部電極群に隣接して上部パネルに形成される第2上部電極群と、第1及び第2上部電極群と直交されるように下部パネルに形成されるデータ電極とを具備する。
【0029】
一実施態様は前記第2上部電極群は前記第1上部電極群より幅が広いことを特徴とする。
他の実施態様は前記第1及び第2上部電極群は幅が広い透明電極と、前記透明電極より幅が狭い金属バス電極とを具備することを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記透明電極と前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記第1及び第2上部電極群の中のいずれか一つの電極が金属バス電極だけで構成されることを特徴とする。
さらに他の実施態様は前記上部パネルと前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする。
【0030】
さらに、前記下部パネルに形成されて放電セルを空間的に分離するための隔壁と、前記第1及び第2上部電極群を覆うように前記上部パネルに形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される保護膜と、前記隔壁と前記下部パネルの表面に塗布される蛍光体とを具備することが望ましい。
前記隔壁はストライプ及び格子型の中のいずれか一つの形態で形成される。
【0031】
本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動方法は、所定の幅を有する少なくとも1つ以上の電極を含む第1上部電極群と、第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第2上部電極群とを備えたディスプレイパネルを駆動する方法であって、第1及び第2上部電極群と直交する方向に配置されているデータ電極と第1及び第2上部電極群の中の少なくともいずれか一つの電極の間にアドレス放電を生じさせて放電セルを選択する段階と、第1及び第2上部電極群に含まれた電極の中に相互の間の間隔が狭い二電極の間にショートパスの放電を起こさせる段階と、第1及び第2上部電極群に含まれた電極の中に前記ショートパスのサスティン放電を起こせる電極の間の間隔より広い間隔で離隔される2つの電極の間にロングパスの放電を起こさせる段階とを含む。
【0032】
本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動装置は、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第1上部電極群、第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第2上部電極群及び上部電極群と直交されるデータ電極が設けられる表示パネルと、データ電極にデータパルスを供給するデータ駆動部と、第1及び第2上部電極群の中の少なくともいずれか一つの電極にデータパルスに同期されるスキャンパルスを供給してデータ電極とスキャンパルスが供給される電極の間にアドレス放電を起こさせて放電セルを選択するスキャン駆動部と、第1及び第2上部電極群に含まれた電極の中に相互間の間隔が狭い二電極の間にショートパスの放電を生じさせるショートパスサスティン駆動部と、第1及び第2上部電極群に含まれた電極の中にショートパスのサスティン放電を起こす電極の間の間隔より広い間隔で離れている2つの電極の間にロングパスの放電を起こさせるロングパスサスティン駆動部とを具備する。
【0033】
本発明によるプラズマディスプレーパネルとその駆動方法及び装置は少なくとも3つ以上のサスティン電極を一群のサスティン電極群で構成して、その中でアドレス放電を起こすための電極の幅を大きく設定するようにしている。
【0034】
【発明の実施の形態】
前記の目的の以外の本発明の異なる目的及び利点は、添付した図面を参照した本発明の好ましい実施形態に対する説明を通して明らかになるだろう。
以下、本発明の実施形態を添付した図8〜図32を参照してして詳細に説明することにする。
【0035】
図8及び図9を参照すると、本発明によるPDPは上部パネル(70)の内面側の表面に並んで形成されたスキャン電極(WY)、第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)とを具備する。下部パネル(78)にはスキャン電極(WY)や第1、第2サスティン電極(Z1、Z2)と直交される方向にデータ電極(X)が形成されている。
【0036】
第1サスティン電極(Z1)はスキャン電極(WY)と第2サスティン電極(Z2)の間に配置される。第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)の間の間隔(Si)はスキャン電極(WY)と第1サスティン電極(Z1)間の間隔(SSWi)より小さい。具体的には、第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)の間隔(Si)は30〜80μmの範囲内で選択される。
【0037】
スキャン電極(WY)は広い幅の透明電極(72Y)と狭い幅の金属バス電極(73Y)からなる。また、スキャン電極(WY)は広い幅の金属バス電極だけとしてもよい。スキャン電極(WY)は、透明電極(72Y)の幅が100〜300μmの範囲内で選択され、金属バス電極(73Y)の幅が50〜120μmの範囲内で選択される。このスキャン電極(WY)はデータ電極(X)との対向放電によってセルを選択するために利用されるとともに、サスティン放電にも利用される。サスティン放電は、第1サスティン電極(Z1)との面放電によってサスティン期間の初期にショートパスで放電し、第2サスティン電極(Z2)との間でもサスティン放電が生じする。このために、スキャン電極(WY)にはアドレス期間にデータ電極(X)に供給されるデータパルスに同期したスキャンパルスが供給されて、かつサスティン期間にはサスティンパルスが供給される。
【0038】
第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)のそれぞれは広い幅の透明電極(72Z1、72Z2)と狭い幅の金属バス電極(73Z1、73Z2)を含む。サスティン電極(Z1、Z2)の透明電極(72Z1、72Z2)の幅はスキャン電極(WY)のそれ(72Y)より狭い。第1サスティン電極(Z1)は透明電極(72Z1)無しで金属バス電極(73Z1)だけとしてもよい。サスティン電極(Z1、Z2)の透明電極(72Z1、72Z2)の幅は100〜300μmの範囲内で選択され、金属バス電極(73Z1、73Z2)の幅は50〜120μmの範囲内で選択される。
【0039】
上部パネル(70)にはスキャン電極(WY)とサスティン電極(Z1、Z2)を覆うように上部誘電体層(74)と保護膜(76)が積層される。上部誘電体層(74)にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。この上部誘電体層(74)は放電電流を制限するために約25μm以上の厚さに形成することが好ましい。保護膜(76)はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層(74)の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜(76)としては通常酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
【0040】
下部パネル(78)には下部誘電体層(82)と隔壁(84)が形成される。下部誘電体層(82)と隔壁(84)の表面には蛍光体層(86)が塗布される。隔壁(84)は水平に隣接した放電空間を分離するようにストライプの形態として形成されている。この隔壁(84)は放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層(86)はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色、青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。一方、隔壁(84)は水平及び垂直方向ともに分離して個々の放電セルの放電空間が全て互いに隔離されるような格子型としてもよい。
【0041】
上部パネル(70)、下部パネル(78)及び隔壁(84)で形成された放電空間にHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性の混合ガスが注入される。
【0042】
第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)は同一の駆動部によってサスティンパルスを共通に供給してもよいが、また、電圧のレベルの異なるパルスを別々に供給するように互いに異なる駆動部によって駆動してもよい。
【0043】
本発明によるPDPは画像のグレーレベルを実現するために一つのフレームを発光回数の異なる多数のサブフィールドで分けて駆動されている。各サブフィールドは全画面を初期化するためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によってグレーレベルを実現するサスティン期間に分けられる。アドレス期間にデータ電極(X)とスキャン電極(WY)の間の対向放電によってセルを選択する。このアドレス放電によってスキャン電極(WY)とサスティン電極(Z1、Z2)に覆われた誘電体層(74)上に壁電荷が形成される。壁電荷が集中的に形成されるスキャン電極(WY)上の誘電体層(74)にはスキャン電極(WY)の幅が広くなるほど放電セルの壁電荷が多くなる。本実施形態ではその幅を広くしているので、サスティン放電に必要な電圧を低くすることができ、選択された放電セルのサスティン放電を安定的に行わせることができるのでミスライティングが防止される。サスティン期間にはアドレス放電によって選択された放電セル内の壁電荷とスキャン電極(WY)に印加されるサスティンパルスによってスキャン電極(WY)と第1サスティン電極(SZ1)の間に一次放電が起きる。そしてこの一次ショートパス放電によるプライミング効果がスキャン電極(WY)と第2サスティン電極(Z2)の間に起きるロングパスの放電電圧を低くする。
【0044】
サスティン期間の放電過程を図10A〜図10Dに示す。
サスティン期間の開示時点に、スキャン電極(WY)に正極性のサスティンパルスが供給される。それによって、図10Aのようにスキャン電極(WY)が位置している表面には負極性の壁電荷が形成される。同時に、サスティン電極(Z1、Z2)上にはスキャン電極(WY)との相対的な電位差によって正極性の壁電荷が形成される。第1サスティン電極(Z1)とスキャン電極(WY)の間に図10Bのようにショートパス放電が起きる。それと同時に、第1サスティン電極(Z1)とスキャン電極(WY)の間のショートパスによるプライミング効果を利用して第2サスティン電極(Z2)とスキャン電極(WY)の間にロングパス放電が起きる。このように1回のサスティン放電が起きると、図10Cのようにサスティン電極(Z1、Z2)とスキャン電極(WY)上に形成された壁電荷の極性が反転される。次に、正極性のサスティンパルスがサスティン電極(Z1、Z2)に印加されると図10Dのように第1サスティン電極(Z1)とスキャン電極(WY)の間にショートパス放電が起きて、このプライミング効果を利用して第2サスティン電極(Z2)とスキャン電極(WY)の間に低い電圧でロングパス放電が起きる。
【0045】
本発明によるPDPは、スキャン電極(WY)と第2サスティン電極(Z2)の間の間隔が広いから放電時に陽光柱領域が現れ放電効率と輝度が高くなる。これを図11のグロー放電とポジティブ放電領域による電位分布を関連させて詳細に説明する。
【0046】
図11で分かるように、ネガティブ・グロー領域では電圧が大きく増加する。これに反して、陽光柱領域では電圧が殆ど一定に維持されて高い輝度を有する。その結果、電極間の間隔が高いスキャン電極(WY)と第2サスティン電極(Z2)の間の陽光柱領域での放電が起きるために発光量が大きくなる。それにもかかわらず消費電力は小さくなる。
【0047】
すなわち、本発明によるPDPはスキャン電極(WY)の幅が広いために充分な壁電荷を生成することができ、スキャン電極(WY)と第2サスティン電極(Z2)の間の間隔が広いために効率が高くなる。
【0048】
スキャン電極(WY)は必ずしも透明電極を用いる必要がなく、幅が広い金属バス電極(73WY)だけで構成することもできる。その場合、図12のように外部光の反射によるコントラストの低下を防止するために金属バス電極(73WY)と上部パネル(70)の間には光遮断層(75Y)が形成される。同じく、第1及び第2サスティン電極(Z1、Z2)でも、金属バス電極(73Z1、73Z2)と上部パネル(70)の間に光遮断層(75Z1、75Z2)を形成してもよい。これらの光遮断層(75Y、75Z1、75Z2)は導電性を有するものを使用する。
【0049】
図13及び図14は本発明の第2実施形態によるPDPを表す。
図13及び図14の第2実施形態によるPDPは、第1と第2のサスティン電極(Z1、WZ2)の幅を異なるようにしてある。第2サスティン電極(WZ2)は幅が広い透明電極(72WZ2)と幅が狭い金属バス電極(73WZ2)を含む。この第2サスティン電極(WZ2)は放電時に、誘電体層(74)蓄積される壁電荷の量を大きくして、放電パスがより遠くなるように透明電極(72WZ2)の幅が第1サスティン電極(Z1)の透明電極(72Z1)より広く設定される。
本発明の第2実施形態によるPDP は図8及び図9に図示されたPDPに比べてサスティン電極(Z1、WZ2)の幅が異なることを除いて異なる構成要素などが同一でありその動作が実質的に同一である。
【0050】
図15及び図16は本発明の第3実施形態によるPDPを表す。
図15及び図16を参照すると、本発明の第3実施形態によるPDPは、第1及び第2サスティン電極(SZ1、SZ2)をセルの両側に配置してその間に幅が広いスキャン電極(CWY)配置した構造である。下部パネル(98)には従来同様にデータ電極(X)が形成される。
【0051】
スキャン電極(CWY)とサスティン電極(SZ1、SZ2)はそれぞれ広い幅の透明電極(92Y、92Z1、92Z2)と狭い幅の金属バス電極(93Y、93Z1、93Z2)からなる。サスティン電極(Z1、Z2)の透明電極(92Z1、92Z2)の幅はスキャン電極(CWY)のそれ(92Y)より狭い。スキャン電極(CWY)と双方のスキャン電極との間の距離は、第2サスティン電極(SZ2)との間の間隔(Si)が第1サスティン電極(SZ1)との間の間隔(SSWi)より狭く設定される。スキャン電極(CWY)はデータ電極(X)との対向放電によってセルを選択する。また、スキャン電極(CWY)は第2サスティン電極(SZ2)との面放電によってサスティン期間の初期にショートパス放電を生じさせるとともに第1サスティン電極(SZ1)とロングパス放電を行う。したがって、スキャン電極(CWY)はアドレス期間にはデータ電極(X)に供給されるデータパルスに同期したスキャンパルスが供給され、サスティン期間にはサスティンパルスが供給される。
【0052】
上部パネル(90)にはスキャン電極(CWY)とサスティン電極(SZ1、SZ2)を覆うように上部誘電体層(94)と保護膜(96)が積層される。
下部パネル(98)には下部誘電体層(102)と隔壁(104)が形成される。下部誘電体層(102)と隔壁(104)の表面には蛍光体層(106)が塗布される。隔壁(104)はストライプ形態または格子型の形態の中でいずれか一つで形成される。
上部パネル(90)、下部パネル(98)、隔壁(104)で形成された放電空間にはHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性の混合ガスが注入される。
【0053】
サスティン期間の放電は次のようになる。
サスティン期間の開示時に、電極間の間隔が狭いスキャン電極(CWY)と第2サスティン電極(Z2)の間の電位差によってショートパス放電が起きる。このショートパス放電によるプライミング効果を利用してスキャン電極(CWY)と第1サスティン電極(SZ1)の間にロングパス放電が連続的に起きる。
【0054】
図17及び図18は本発明の第4実施形態によるPDPである。
図17及び図18を参照すると、本発明の第4実施形態によるPDPの上部パネル(110)の電極構造は、放電セルの中央にスキャン/トリガ電極(TY)を配置し、その両側の放電セルの両端に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)を配置している。下部パネル(122)には従来同様データ電極(X)が形成されている。
【0055】
スキャン/トリガ電極(TY)は幅が狭い金属バス電極だけで形成されているが、幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とで構成させても良い。スキャン/トリガ電極(TY)はその左右に隣接した第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)とは等距離を保って配置されている。このスキャン/トリガ電極(TY)はデータ電極(X)とともにアドレス放電を生じさせ、かつ第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の中のいずれか一つとサスティン期間の初期にショートパス放電を生じさせる。
【0056】
第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)は広い透明電極(112Z1、112Z2)と狭い幅の金属バス電極(113Z1、113Z2)からなる。第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)はそれぞれ放電セルの両端に配置されて交互に供給されるサスティンパルスによってサスティン放電を連続的に生じさせる。このサスティン放電に必要な電圧はトリガ電極(TY)といずれかのサスティン電極(SWZ1またはSWZ2)の間のショートパス放電によるプライミング効果を利用するので低くなる。
【0057】
上部パネル(110)にはスキャン/トリガ電極(TY)とサスティン電極(SWZ1、SWZ2)を覆うように上部誘電体層(114)と保護膜(116)が積層される。上部誘電体層(114)にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜(116)はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層(114)の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜(116)としては通常酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
【0058】
下部パネル(118)には下部誘電体層(122)と隔壁(124)が形成される。下部誘電体層(122)と隔壁(124)の表面には蛍光体層(126)が塗布される。隔壁(124)は格子形態で形成される。また、隔壁(124)はストライプ形態で形成されるてもよい。
上部パネル(110)、下部パネル(118)及び隔壁(124)で形成された放電空間にはHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性の混合ガスが注入される。
【0059】
第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)にはサスティン放電のためのサスティンパルスが交互に供給される。第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の配置が垂直方向に隣接した放電セルでその順序が同一であると、垂直に隣接した放電セルで交互に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)に供給される電圧の電位差が隣接セル管で放電が生じる程度になり、それらの放電セルの間で誤放電が起きる。このような誤放電を防止するために、第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)は垂直に隣接した放電セルの間では第1と第2の配置順序が反対になることが好ましい。これは前述した実施形態などでも同様に適用される。
【0060】
格子型の隔壁(124)が適用される場合に、水平方向と垂直方向に放電セルが隔離されて水平方向と垂直方向で隣接した放電セルの間に放電が起きにくい。従って、格子型の隔壁(124)が適用される場合には図19のように第1サスティン電極(SWZ1)−スキャン/トリガ電極(TY)−第2サスティン電極(SWZ2)のように全てのセルで同じに配置しても差し支えない。
【0061】
図20のようにストライプ型の隔壁(124B)が適用される場合には垂直に隣接した放電セルの間には空間電荷の移動が自由で絶縁体がない。したがって、ストライプ型の隔壁(124B)が適用されて垂直に隣接した放電セルの間に第1サスティン電極(SWZ1)と第2サスティン電極(SWZ2)が隣接するとそれらの間に放電が生じるに十分な電位差が現れために誤放電が起きる。従って、ストライプ型の隔壁(124B)が適用される場合には垂直に隣接した2つの放電セルの電極が第1サスティン電極(SWZ1)−スキャン/トリガ電極(TY1)−第2サスティン電極(SWZ2)−第2サスティン電極(SWZ2)−スキャン/トリガ電極(TY2)−第1サスティン電極(Sy)と図20のように配置されるべきである。
【0062】
図21は本発明の第4実施形態によるPDPの駆動装置を表す。
図21を参照すると、本発明の第4実施形態によるPDPの駆動装置はスキャン/トリガ電極(TY)を駆動するためのスキャン/トリガ駆動部(112)と、第1サスティン電極(SWZ1)と第2サスティン電極(SWZ2)をそれぞれ駆動するための第1及び第2サスティン駆動部(128、129)と、データ電極(120)を駆動するためのデータ駆動部(120)とを具備する。
【0063】
スキャン/トリガ駆動部(112)はアドレス期間に負極性のスキャンパルスをスキャン/トリガ電極(TY)に順次供給する。また、スキャン/トリガ駆動部(112)はサスティン期間に正極性の直流電圧またはサスティンパルスと同期されるパルス信号をスキャン/トリガ電極(TY)に供給する。
【0064】
第1サスティン駆動部(128)はサスティン期間にサスティンパルスを第1サスティン電極(SWZ1)に共通に供給する。
第2サスティン駆動部(154)はサスティン期間に第1サスティン電極(SWZ1)に供給されるサスティンパルスと逆極性のサスティンパルスを第2サスティン電極(SWZ2)に共通に供給する。
データ駆動部(120)はスキャンパルスに同期したデータパルスをデータ電極(X)に供給する。
【0065】
本発明の第4実施形態によるPDPの駆動方法を図22と図23A〜図23Dを関連づけて説明する。図22ではリセット期間は省略される。
図22を参照すると、アドレス期間にはデータ電極(X)にデータパルス(Vd)が供給され、スキャン/トリガ電極(TY)に負極性のスキャンパルス(−Vsc)が供給される。データ電極(X)とスキャン/トリガ電極(TY)の間の電圧差によって選択された放電セル内でアドレス放電が起きる。このアドレス放電によってスキャン/トリガ電極(TY)には正極性の壁電荷が形成されてデータ電極(X)には陰の壁電荷が蓄積される。
【0066】
サスティン期間の初期、a時点にはスキャン/トリガ電極(TY)に正極性のトリガ直流電圧(Vt)が供給され始める。この正極性のトリガ直流電圧(Vt)によってアドレス放電が起きた放電セルはスキャン/トリガ電極(TY)とデータ電極(X)の間に放電が起きる。その放電によって生成された電子はスキャン/トリガ電極(TY)の上に集中される。従って、サスティン期間の初期時点(a)でスキャン/トリガ電極(TY)には図23Aのように負極性の壁電荷が形成される。
【0067】
第2サスティン電極(SWZ2)にサスティンパルス(Vs)が供給される時点で放電が起きた放電セルは図23Bのようにスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってスキャン/トリガ電極(TY)は第2サスティン電極(SWZ2)との相対的な電位差によって正極性の壁電荷が生成されて第2サスティン電極(SWZ2)には負極性の壁電荷が形成される。
【0068】
ショートパス放電によって生成された壁電荷と空間電荷即ちプライミング効果を利用して第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)にサスティンパルス(Vs)が交互に供給される時点(c、d、e)毎に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の間にロングパス放電が起きる。
【0069】
c時点で、第1放電維持電極(Sy)にサスティンパルス(Vs)が供給されると、図23Cのようにスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間にショートパス放電が起きると同時に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第1サスティン電極(SWZ1)には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)にはそれぞれ前の状態(図23B)とは反対極性の壁電荷が形成される。
【0070】
d時点で、第2サスティン電極(SWZ2)にサスティンパルスが供給されると図23のDのようにスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間にショートパス放電が起きると同時に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第1サスティン電極(SWZ1)には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン/トリガ電極(TW)と第2サスティン電極(SWZ2)にはそれぞれ前の状態(図23C)とは反対極性の壁電荷が形成される。
【0071】
e時点で、第1サスティン電極(SWZ1)にサスティンパルスが供給されると図23Eのようにスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間にショートパス放電が起きると同時に第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)の間にロングパス放電が起きる。この放電によって、第1サスティン電極(SWZ1)には負極性の壁電荷が形成されて、スキャン/トリガ電極(TW)と第2サスティン電極(SWZ2)にはそれぞれ前の状態(図23C)とは反対極性の壁電荷が形成される。
【0072】
図24〜図26は本発明の第4実施形態によるPDPの異なる駆動波形である。図24〜図26において、リセット期間は省略する。
図24を参照すると、スキャン/トリガ電極(TY)にはa時点でサスティンパルス(Vs)の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス(Vta)が供給される。そうするとスキャン/トリガ電極(TY)とデータ電極(X)の間には放電が起きる。この時、スキャン/トリガ電極(TY)には図23Aのように壁電荷が形成される。b時点でサスティンパルス(Vs)の電圧レベルより低い電圧の正極性の直流電圧(Vtb)がスキャン/トリガ電極(TY)に供給される。この正極性の直流電圧(Vtb)によってスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間に放電が起きることができる電位差が発生してスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)の間にショートパス放電が起きる。このショートパス放電によってスキャン/トリガ電極(TY)と第2サスティン電極(SWZ2)には図23Bのように壁電荷が形成される。
【0073】
最初のサスティンパルス(Vs)の供給時点は図24のようにショートパス放電によるプライミング効果を最大に利用することができるようにスキャン/トリガ電極(TY)に供給される正極性の直流電圧(Vtb)に同期される。また、最初のサスティンパルス(Vs)の供給時点はスキャン/トリガ電極(TY)に供給される正極性の直流電圧(Vtb)の供給時点から所定の時間遅延してもよい。
【0074】
最初のサスティンパルスが第2サスティン電極(SWZ2)に供給された後に、第1及び第2サスティン電極(SWZ1、SWZ2)に交互にサスティンパルス(Vs)が供給されると図23C〜図23Eに示されたようにロングパス放電が連続する。このようにロングパス放電が起きる間に、スキャン/トリガ電極(TY)には正極性の直流電圧(Vtb)が供給されている。
【0075】
図24のように、スキャン/トリガ電極(TY)にサスティンパルス(Vs)が供給される前に、サスティン電圧(Vs)より大きい電圧のトリガパルス(Vta)を供給して正極性の直流電圧(Vtb)を供給するとスキャン/トリガ電極(TY)上に形成される壁電荷の量を多くすることができる。
【0076】
図25を参照すると、スキャン/トリガ電極(TY)にはサスティン期間の初期a−b期間の間にサスティンパルス(Vs)の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス(Vta)だけが供給される。そうするとスキャン/トリガ電極(TY)とデータ電極(X)の間には放電が起きる。b時点の以後のサスティン期間にはスキャン/トリガ電極(TY)に電圧が印加されない。この場合、スキャン/トリガ電極(TY)はサスティンパルス(Vs)が供給されるサスティン電極(SWZ1、SWZ2)に対して相対的に電位差を有するのでショートパス放電とロングパス放電によって図23B〜図23Eのように壁電荷が形成される。
【0077】
図26を参照すると、スキャン/トリガ電極(TY)には最初にサスティンパルス(Vs)の電圧レベルより大きい電圧のトリガパルス(Vta)が供給されて、その後はサスティンパルス(Vs)の電圧レベルより小さい電圧のパルス(Vtac)が供給される。トリガパルス(Vta)に続いてスキャン/トリガ電極(TY)に供給されるパルスは第1サスティン電極(SWZ1)に供給されるサスティンパルス(Vs)と同期される。
【0078】
スキャン/トリガ電極(TY)にトリガパルス(Vta)が供給されると前述したように放電が起き、図23Aのようにトリガ電極(T)に壁電荷が形成される。サスティン電極(SWZ1、SWZ2)にサスティンパルス(Vs)が交互に供給される時、ショートパス放電とロングパス放電が起きる。このようにショートパス放電とロングパス放電が起きる時、各電極(TY、SWZ1、SWZ2)には図23B〜図23Eのように壁電荷が形成される。トリガパルスに続いて、スキャン/トリガ電極(TY)に供給されるパルス(Vtac)はサスティン電極(SWZ1、SWZ2)との相対的な電位差をより大きくして壁電荷量を高めるためのものである。
【0079】
図27〜図32は本発明を利用して5電極構造とした実施形態のPDPとその駆動方法及び装置を表す。
図27及び図28を参照すると、本発明の実施形態による5電極のPDPは広い幅の第1トリガ電極(WT1)と、第1トリガ電極(WT1)より幅が狭い第2トリガ電極(TT2)と、第1及び第2トリガ電極(WT1、TT2)を間に置いて放電セルの両端に配置されるサスティン電極(SS1、SS2)とを具備する。
【0080】
第1及び第2トリガ電極(WT1、TT2)とサスティン電極(SS1、SS2)はぞれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とからなる。下部パネル(130)にはトリガ電極(WT1、TT2)とサスティン電極(SS1、SS2)と直交されるデータ電極(X)が形成される。
【0081】
第1トリガ電極(WT1)は第2トリガ電極(TT2)とサスティン電極(SS1、SS2)に比べて幅が広く形成される。第1トリガ電極(WT1)はスキャンパルスが供給されてデータ電極(X)に供給されるデータパルスとの電位差によってアドレス放電を起こす。第1トリガ電極(WT1)は電極幅が広いためにアドレス放電時に第1トリガ電極(WT1)の上に形成される壁電荷量が多くなる。また、第1トリガ電極(WT1)はアドレス放電によって生成された壁電荷と外部から供給されるトリガ電圧によって第2トリガ電極(TT2)とともにサスティン期間の初期にショートパスのショートパス放電を起こさせる。第1トリガ電極(WT1)と第2トリガ電極(TT2)の間の間隔はショートパス放電が低い電圧でも安定して起きるように狭く設定される。一方、第2サスティン電極(SS2)と第2トリガ電極(TT2)の間の間隔は第1トリガ電極(WT1)と第2トリガ電極(TT2)の間の間隔より大きく設定されている。
【0082】
サスティン電極(SS1、SS2)はトリガ電極(WT1、TT2)を間に置いて放電セルの両端に位置するためにそれらの間の間隔は大きくなる。このサスティン電極(SS1、SS2)はトリガ電極(WT1、TT2)の間に起きるショートパス放電によるプライミング効果を利用してロングパス放電を起こす。サスティン電極(SS1、SS2)の間の間隔は放電セルの両端にそれぞれ位置するために放電距離が最大となっている。
【0083】
上部パネル(130)にはトリガ電極(WT1、TT2)とサスティン電極(SS1、SS2)を覆うように上部誘電体層(134)と保護膜(136)が積層される。上部誘電体層(134)にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜(136)はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層(134)の損傷を防止するとともに二次電子の放出を高めるためのものである。この保護膜(116)としては通常酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
【0084】
下部パネル(138)には下部誘電体層(142)と隔壁(144)が形成される。下部誘電体層(142)と隔壁(144)の表面には蛍光体層(146)が塗布される。隔壁(144)は水平に隣接した放電空間を分離して光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層(146)はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起されて赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生する。
上部パネル(130)、下部パネル(138)、隔壁(144)で形成された放電空間にはHe+XeまたはNe+Xeなどの不活性の混合ガスが注入される。
【0085】
図29及び図30を参照すると、本発明の実施形態による5電極のPDPは幅の広い第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2)と、第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2)を間に置いて放電セルの両端に配置される第1及び第2サスティン電極(SS1、SS2)とを具備する。
【0086】
この実施形態は図27及び図28に図示された5電極PDPと対比する時、放電セルの中央に隣接に配置される第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2)の双方の幅がサスティン電極(SS1、SS2)より広く設定されることを除いて他の構成要素が実質的に同一である。
【0087】
このように第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2)の幅が広くなるためにショートパス放電で形成される壁電荷と空間電荷の量が多くなるのでサスティン電極(SS1、SS2)の間のロングパス放電に必要な電圧をその分低くすることができる。
【0088】
図31及び図32は本発明による5電極PDPの駆動装置及びその出力波形を示す。
図31を参照すると、本発明による5電極PDPの駆動装置は第1サスティン電極(SS1)と第1トリガ電極(WT1)を駆動するための第1サスティン駆動部(170)と、第2トリガ電極(TT2、WT2)を駆動するためのトリガ駆動部(152)と、第2サスティン電極(SS2)を駆動するための第2サスティン駆動部(620と、データ電極(X)を駆動するためのデータ駆動部(156)とを具備する。
【0089】
第1サスティン駆動部(150)はアドレス期間に負極性のスキャンパルスを第1サスティン電極(SS1)と第1トリガ電極(WT1)に順次供給する。そして第1サスティン駆動部(15)はサスティン期間にサスティンパルスを第1サスティン電極(SS1)と第1トリガ電極(WT1)に供給する。
【0090】
トリガ駆動部(152)はリセット期間にリセットパルスを第2トリガ電極(TT2、WT2)に供給するとともにアドレス期間に正極性の直流電圧を第2トリガ電極(TT2、WT2)に供給する。そして第2トリガ駆動部(152)はサスティン期間にサスティンパルスを第2トリガ電極(TT2、WT2)に供給する。
【0091】
第2サスティン駆動部(154)はアドレス期間に正極性の直流電圧を第2サスティン電極(SS2)に供給した後に、サスティン期間にサスティンパルスを第2サスティン電極(SS2)に供給する。第2サスティン電極(SS2)に供給されるサスティンパルスの電圧レベルは第1及び第2トリガ電極(WT1、TT2、WT2)と第1サスティン電極(SS1)に供給されるサスティンパルスより高く設定される。
【0092】
データ駆動部(156)はスキャンパルスに同期されるデータパルスをデータ電極(X)に供給する。
【0093】
図32を参照すると、リセット期間には電圧レベルが高い正極性のリセットパルス(Vrst)が第2トリガ電極(TT2、WT2)に供給される。そうすると全画面の放電セルはリセット放電されて均一の量の壁電荷が生成されて初期化される。この時、データ電極(X)には第2トリガ電極(TT2、WT2)とデータ電極(X)の間に誤放電が起きないように電圧レベルが低い正極性のパルス信号が供給される。
【0094】
アドレス期間には第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)にスキャンパルス(−Vsc)が順次供給される。データ電極(X)にはスキャンパルス(−Vsc)に同期したデータパルス(Vd)が1水平ライン分のデータ電極(X)に同時に供給される。この時、データパルス(Va)が供給された放電セルは第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)を含めた電極群とデータ電極(X)の間の電圧差と内部の壁電荷によってアドレス放電が起きる。このアドレス放電によって第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)を含めた電極群に広い面積で充分な量の壁電荷が形成される。
【0095】
サスティン期間には第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)を含めた電極群と第2サスティン電極(SS2)にサスティンパルス(Vs、Vss)が同期されるように供給されるとともにこれらの電極(WT1、SS1、SS2)と交番されるように第2トリガ電極(TT2、WT2)にサスティンパルス(Vs)が供給される。そうするとサスティン期間の初期にアドレス放電によって生成された放電セルの内部の壁電圧と第1トリガ電極(WT1)に最初に供給されるサスティンパルスの電圧によって第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2、TT2)の間にショートパス放電が起きる。アドレス期間に充分な量の壁電荷が第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)の上に形成されているために第1トリガ電極(WT1)と第1サスティン電極(SS1)に供給されるサスティンパルスの電圧レベルは低くしてもよい。第1及び第2トリガ電極(WT1、WT2、TT2)の間のショートパス放電によって放電セル内に多くの荷電粒子と壁電荷が生成される。このような空間電荷と壁電荷によるプライミング効果を利用して第1及び第2サスティン電極(SS1、SS2)にサスティンパルスが交互に供給される時毎にロングパス放電が起きる。
【0096】
【発明の効果】
上述したように、本発明によるPDPとその駆動方法及び装置は少なくとも3つ以上のサスティン電極を一群のサスティン電極群として構成して、その中のアドレス放電を起こすための電極はその幅を大きく設定している。従って、本発明によるPDPとその駆動方法及び装置はアドレス放電によって充分な量の荷電粒子が生成されるのでサスティン放電に必要な電圧を低くすることができ、消費電力と効率を向上させることができる。また、本発明によるPDPとその駆動方法及び装置はアドレス放電によって充分な量の荷電粒子を生成することができるのでサスティン放電が安定的に起きることができるのでミスライティングを防止することができる。
【0097】
本発明によるPDPとその駆動方法及び装置は、広い金属バス電極だけで電極を構成する場合に、基板と金属橋電極の間に光遮断層を形成して外部光の反射によるコントラスト低下を最小化することができるようになる。また、本発明によるPDPとその駆動方法及び装置はショートパス放電を起こせるためのトリガ電極とロングパス放電を起こせるためのサスティン電極を一つの駆動回路を利用して駆動するようにしているので駆動回路を単純化してコストを低減することができるようになる。
【0098】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。例えば、当業者はアドレス放電を起こせるための電極の幅を広くするという本発明の技術的な思想に基づいて3電極PDPでスキャン電極の幅を広くすることを予測することができるだろう。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の3電極のプラズマディスプレーのパネルの放電セルを表す写視図である。
【図2】 図1に図示された3電極のプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図3】 図1に図示された3電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動の波形図である。
【図4】 従来の5電極のプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す平面図である。
【図5】 図4に図示された5電極のプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図6】 図4に図示された5電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図7】 図4に図示された5電極のプラズマディスプレーのパネルの駆動の波形図である。
【図8】 本発明の第1実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図9】 図8に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図10A】 図8及び図9にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図10B】 図8及び図9にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図10C】 図8及び図9にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図10D】 図8及び図9にスキャン電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図11】 図8及び図9にスキャン電極とサスティン電極の間の放電時に利用される陽光柱の領域を表す図面である。
【図12】 図8に図示されたプラズマディスプレーパネルにおいて金属バス電極上に形成される光遮断層を表す断面図である。
【図13】 本発明の第2実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図14】 図13に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図15】 本発明の第3実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図16】 図15に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図17】 本発明の第4実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図18】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネル板を表す断面図である。
【図19】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルにおいて格子型の隔壁が適用される場合の電極配置の順序を表す平面図である。
【図20】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルにおいてストライプ形態の隔壁が適用される場合の電極配置の順序を表す平面図である。
【図21】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図22】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第1実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図23A】 図17に図示されたスキャン/トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図23B】 図17に図示されたスキャン/トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図23C】 図17に図示されたスキャン/トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図23D】 図17に図示されたスキャン/トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図23E】 図17に図示されたスキャン/トリガ電極とサスティン電極の間の放電過程を表す断面図である。
【図24】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第2実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図25】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第3実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図26】 図17に図示されたプラズマディスプレーのパネルの第4実施形態による駆動の波形を表す波形図である。
【図27】 本発明の第5実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図28】 図27に図示されたプラズマディスプレーのパネルを上から見た一つの放電セルを表す写視図である。
【図29】 本発明の第6実施形態によるプラズマディスプレーのパネルの一つの放電セルを表す写視図である。
【図30】 図29に図示されたプラズマディスプレーのパネルを上から見た一つの放電セルを表す写視図である。
【図31】 図27及び図29に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【図32】 図27及び図29に図示されたプラズマディスプレーのパネルの駆動装置を表すブラック図である。
【符号の説明】
X:データ電極
Y、WY:スキャン電極
Z、Z1、Z2、Z1、WZ2、SWZ1、SWZ2、SS1、SS2:サスティン電極
TY、TZ、WT1、WT2、WT2:トリガ電極
10、30、70、90、110、130:上部パネル
12Y、12Z、72Y、72Z1、72Z2、72WZ2、92Y、92Z1、92Z2、112Z1、112Z2:透明電極
13Y、13Z、73Y、73Z1、73Z2、93Y、93Z1、93Z2、113Z1、113Z2:金属バス電極
14、22、36、44、74、82、94、102、114、122、134、142:誘電体層
15Y、15Z、75Y、75Z1、75Z2:光遮断層
16、38、76、96、116、136:保護膜
18、40、78、98、118、138:下部パネル
24、46、84、104、124、144:隔壁
26、46、84、106、126、146:蛍光体層
56、60、152:トリガ駆動部
58、128、62、129、150、154:サスティン駆動部
112:スキャン/トリガ駆動部
120、156:データ駆動部
Claims (19)
- 複数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第1上部電極群と、前記第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第1上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第2上部電極群と、前記第1及び第2上部電極群と直交する方向に前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備し、
前記第1上部電極群は前記第2上部電極群の近くに設置される第1サスティン電極と、その第1サスティン電極を間に置くように前記第2上部電極群から遠い位置に設置される第2サスティン電極とを具備し、前記第2上部電極群と第1サスティン電極との間の間隔は、前記第1サスティン電極と第2サスティン電極との間の間隔と異なることを特徴とするプラズマディスプレーパネル。 - 前記第2上部電極群を構成する電極は前記第1上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記第2上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を生じさせて前記放電セルを選択するとともに、前記選択された放電セルに対して前記第1サスティン電極とショートパス放電を起こして前記第2サスティン電極とロングパス放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極を具備することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記スキャン電極と第1サスティン電極の間の間隔は前記第1及び第2サスティン電極の間の間隔より大きいことを特徴とする請求項3記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記第1上部電極群の第1サスティン電極は、選択された前記放電セルに対して前記第2上部電極群との間でショートパス放電を起こす細幅のサスティン電極であることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記第1上部電極群は前記第2上部電極群の近くに配置された広幅の第1サスティン電極と、前記第2上部電極群と前記広幅の第1サスティン電極の間の間隔より広く設定された間隔に配置された細幅の第2サスティン電極とを具備することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記細幅の第2サスティン電極と前記広幅の第1のサスティン電極の間の間隔は30〜80μmの間の幅で選択されることを特徴とする請求項6記載のプラズマディスプレーパネル。
- 多数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第1上部電極群と、前記第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第1上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第2上部電極群と、前記第1及び第2上部電極群と直交されるように前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備するとともに、前記第2上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を起こす前記放電セルを選択し、かつ選択された放電セルに対して前記第1上部電極群とサスティン放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極を具備し、さらに、前記第1上部電極群は前記スキャン電極の近くに設置されて前記スキャン電極とショートパスのサスティン放電を起こす第1サスティン電極と、前記スキャン電極を間に置いて前記第1サスティン電極から遠い距離に離されるとともに前記スキャン電極と前記第1サスティン電極の間の間隔より広い間隔に前記スキャン電極から離隔されて設置され前記スキャン電極とロングパスの前記サスティン放電を起こす第2サスティン電極とを具備することを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
- 多数の放電セルを間に設けた上部パネル及び下部パネルと、所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んで前記上部パネルに形成される第1上部電極群と、前記第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含んでいて前記第1上部電極群に隣接して前記上部パネルに形成される第2上部電極群と、前記第1及び第2上部電極群と直交されるように前記下部パネルに形成されるデータ電極とを具備するとともに、前記第2上部電極群は前記データ電極とアドレス放電を起こす前記放電セルを選択し、かつ選択された放電セルに対して前記第1上部電極群とサスティン放電を起こすための少なくとも一つのスキャン電極とを具備し、さらに、前記第1上部電極群は前記スキャン電極の近くに設置されてショートパスのサスティン放電を起こすトリガ電極と、前記スキャン電極及びトリガ電極を間に置いて前記放電セルの両端にそれぞれ配置されてロングパスの前記サスティン放電を起こすための第1及び第2サスティン電極とを具備することを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
- 前記第1及び第2上部電極群は幅が広い透明電極と、前記透明電極より幅が狭い金属バス電極とを具備することを特徴とする請求項1,8,9のいずれかに記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記透明電極と前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする請求項10記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記第1及び第2上部電極群の中のいずれか一つの電極が金属バス電極だけで構成されることを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記上部パネルと前記金属バス電極の間に光遮断層が形成されることを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記下部パネル上に形成されて放電セルを空間的に分離するための隔壁と、前記第1及び第2上部電極群を覆うように前記上部パネル上に形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される保護膜と、前記隔壁と前記下部パネル上に塗布される蛍光体とを具備することを特徴とする請求項1,8,9のいずれかに記載のプラズマディスプレーパネル。
- 前記隔壁はストライプ及び格子型の中のいずれか一つの形態で形成されることを特徴とする請求項14記載のプラズマディスプレーパネル。
- 所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第1上部電極群、及び前記第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第2上部電極群と直交される方向にデータ電極が設置された表示パネルと、前記第2上部電極群にスキャンパルスを印加し前記データ電極にデータパルスを印加して放電セルを選択する段階と、
前記第2上部電極群と、この第2上部電極群の近くに設置された前記第1上部電極群の第1サスティン電極との間に第1放電を起こさせる段階と、
前記第1サスティン電極を間に置いて前記第2上部電極群から遠い距離に離されるとともに前記第2上部電極群と前記第1サスティン電極の間の間隔より狭い間隔に前記第1サスティン電極から離隔されて設置された前記第1上部電極群の第2サスティン電極と、前記第2上部電極群との間に第2放電を起こさせる段階と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの駆動方法。 - 前記第2上部電極群を構成する電極は前記第1上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項16記載のプラズマディスプレーパネルの駆動方法。
- 所定の幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第1上部電極群、前記第1上部電極群と異なる幅を有する少なくとも一つ以上の電極を含む第2上部電極群及び前記上部電極群と直交する方向にデータ電極が設けられる表示パネルと、
前記データ電極にデータパルスを供給するデータ駆動部と、
前記第2上部電極群に前記データパルスに対応するスキャンパルスを供給するスキャン駆動部と、
前記第2上部電極群と、この第2上部電極群の近くに設置された前記第1上部電極群の第1サスティン電極との間に第1放電を起こさせる第1サスティン駆動部と、
前記第1サスティン電極を間に置いて前記第2上部電極群から遠い距離に離されるとともに前記第2上部電極群と前記第1サスティン電極の間の間隔より狭い間隔に前記第1サスティン電極から離隔されて設置された前記第1上部電極群の第2サスティン電極と、前記第2上部電極群との間に第2放電を起こさせる第2サスティン駆動部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの駆動装置。 - 前記第2上部電極群を構成する電極は前記第1上部電極群を構成する電極より幅が広いことを特徴とする請求項18記載のプラズマディスプレーパネルの駆動装置。
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