JP3658539B2 - 窒化アルミニウム多層基板 - Google Patents
窒化アルミニウム多層基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3658539B2 JP3658539B2 JP2000287093A JP2000287093A JP3658539B2 JP 3658539 B2 JP3658539 B2 JP 3658539B2 JP 2000287093 A JP2000287093 A JP 2000287093A JP 2000287093 A JP2000287093 A JP 2000287093A JP 3658539 B2 JP3658539 B2 JP 3658539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- aluminum nitride
- aln
- refractory metal
- multilayer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、同時焼成による窒化アルミニウム多層基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、パワーIC、高周波トランジスタ等の大電流を必要とする半導体素子の発展に伴い、半導体素子からの放熱量は増大する傾向にある。これによって、使用する実装基板やパッケージには、熱伝導率が高く、放熱性に優れるという特性が要求されている。このような基板に対する要求特性に対して、窒化アルミニウム焼結体基板が注目されている。窒化アルミニウム基板は、熱伝導率が酸化アルミニウム基板の約5倍以上と高く放熱性に優れ、加えてSiチップに近似した低熱膨張率を有する等の優れた特性を有している。
【0003】
ところで、窒化アルミニウム基板を半導体素子用の実装基板やパッケージ等として使用する場合には、回路の形成や電子部品の搭載部の形成等を目的として、窒化アルミニウム基板の表面や内部に導電性を有する金属化層(メタライズ層)を形成することが不可欠とされている。
【0004】
上述したようなメタライズ層をセラミックス基板に形成する方法としては、例えばW、Mo、W−Mo等の高融点金属を用いる方法が知られている。この高融点金属法は、高融点金属粉末に樹脂接合剤や分散媒を添加してペーストを作製し、この高融点金属ペーストを基板上に印刷法等によって塗布した後、所定の温度で焼成してメタライズ層を形成する方法である。ただし、上述した窒化アルミニウムは、酸化アルミニウム等の酸化物系セラミックスに比べて、金属との濡れ性や反応性に劣るため、一般的な高融点金属法ではメタライズ層の接合強度が極端に低いものとなってしまう。そこで、窒化アルミニウム基板と高融点金属層の焼成を同時に行う、いわゆる同時焼成法によりメタライズ層(高融点金属層)を形成することが行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、窒化アルミニウムは金属との濡れ性や反応性に劣るため、同時焼成法によって高融点金属層を窒化アルミニウム基板に形成することが行われている。しかしながら、上記した同時焼成法を適用しても、必ずしも満足いくほどの接合強度が得られているわけではない。すなわち、窒化アルミニウム基板による半導体パッケージ等を作製する場合、同時焼成法によって多層化した内部配線を形成しているが、個々の窒化アルミニウム層と高融点金属層(内部配線層)との接合強度が不十分であるため、導通不良を招いたり、パッケージの気密性が低下したり、さらにはハガレ等の構造不良を招く等といった問題が生じている。本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、窒化アルミニウム基板に高接合強度で高融点金属層を形成することを可能にし、信頼性に優れた窒化アルミニウム多層基板を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段と作用】
本発明の窒化アルミニウム多層基板は、CaO系またはY 2 O 3 系の焼結助剤を含んでなる複数の窒化アルミニウム層と、前記窒化アルミニウム層に接して設けられる内部配線としての高融点金属層とを具備する窒化アルミニウム多層基板において、前記高融点金属層と前記窒化アルミニウム層との接合界面には前記焼結助剤とAl 2 O 3 との複合酸化物を含むAlN粒子が充填され空隙が存在せず、かつ前記窒化アルミニウム層の接合界面から10μm以内には前記高融点金属の微粒子が析出していることを特徴としている。
【0007】
本発明における窒化アルミニウム層としては、焼結助剤を用いた通常の液相焼結法によるものが用いられる。上記焼結助剤としては、CaO系やY2O3系等が用いられる。なお、CaO系の焼結助剤は、CaCO3として用いることも可能である。これら焼結助剤は、窒化アルミニウム粉末に対して0.5〜10重量%程度の範囲で添加される。
【0008】
また、高融点金属層の形成材料としては、W、Mo、W−Mo等が用いられる。このような高融点金属からなる導電層は、表面配線として窒化アルミニウム層の表面に形成してもよいし、また内部配線として窒化アルミニウム層の内部に形成してもよい。なお、本発明における高融点金属層は、上記したような高融点金属単体によって形成しなければならないものではなく、他の添加物を含むことも可能である。
【0009】
本発明の窒化アルミニウム多層基板は、上述した窒化アルミニウム層と高融点金属層とを同時焼成することにより一体化したものである。そして、上記同時焼成時の条件を適切に制御することによって、高融点金属層と窒化アルミニウム層との接合界面に窒化アルミニウム層の構成材による粒子、すなわち窒化アルミニウムと焼結助剤成分とを主体とする化合物粒子を析出させて空隙を無くし、また窒化アルミニウム層の接合界面から10μm以内には高融点金属の微粒子を分散析出させている。なお、高融点金属層内に窒化アルミニウム層の構成材による粒子、すなわち窒化アルミニウムと焼結助剤成分とを主体とする化合物粒子が分散析出されていてもよい。高融点金属層内における窒化アルミニウム層の構成材粒子の析出量は、体積比で1〜10%程度とすることが好ましい。また、窒化アルミニウム層の接合界面から10μm以内に析出させる高融点金属微粒子の析出量は、体積比で0.2〜2%程度とすることが好ましい。一般には後者の粒子の方が小さい。
【0010】
本発明では高融点金属層と窒化アルミニウム層との接合界面の空隙を無くすことにより、高い接合強度を得ることが可能になる。また、高融点金属層と窒化アルミニウム層との接合界面の空隙に析出する窒化アルミニウム層の構成材による粒子は、高融点金属層と一定の結晶方位関係をもってエピタキシャル成長したものであることが好ましい。このようなエピタキシャル成長した窒化アルミニウム粒子が存在することによって、より高い接合強度を得ることが可能となる。
【0011】
本発明の窒化アルミニウム基板は、上記した構成とすることで、例えば160MPa以上の4点曲げ強度を得ることができる。
【0012】
このような本発明の窒化アルミニウム多層基板は、例えばPGA用多層基板として用いることが好ましい。
【0013】
次に、本発明の窒化アルミニウム多層基板の製造方法について、図1を参照して詳述する。まず、焼結助剤例えばCaOを含むAlNグリーンシートと、高融点金属ペースト例えばWペーストとを用意する。AlNグリーンシートは通常のドクターブレード法などにより作製すればよい。また、高融点金属ペーストは、高融点金属粉末に樹脂結合剤および必要に応じて分散媒や可塑材を添加し、均一に分散させて所望の粘度のペーストとして作製する。
【0014】
上記したようなAlNグリーンシートおよび高融点金属ペーストを用いて、図1(a)に示すように、AlNグリーンシート1上に高融点金属ペースト2を例えばスクリーン印刷法によって所要の形状に塗布する。また、AlN多層配線基板を作製する場合には、複数のAlNグリーンシート1に高融点金属ペースト2をそれぞれ塗布した後、それらを所定の枚数積層する。この際、高融点金属ペースト2を塗布した段階では、微視的に見ると、AlNグリーンシート1と高融点金属ペースト2の塗布層との間に空隙3が存在し、必ずしも連続的な界面が形成されているわけではない。
【0015】
次に、上記高融点金属ペースト2を塗布したAlNグリーンシート1を所定の温度で焼成し、図1(b)に示すように、AlN層4と高融点金属層5とを同時焼成によって形成する。ここで、本発明の窒化アルミニウム多層基板を得るためには、AlN層4の構成材料、すなわちAl、N、焼結助剤成分(図中ではCa)が高融点金属層5内に拡散すると共に、高融点金属(図中ではW)がAlN層4内に拡散し固溶するように、焼成条件を設定することが重要である。具体的な焼成条件としては、焼成温度を1750〜1900℃程度と高温に設定する。また、焼成時間は0.5〜10時間程度とすることが好ましい。このように高温焼成することによって、相互拡散が促進される。
【0016】
この焼成工程の後に常温まで冷却するが、この冷却工程においては図1(c)に示すように、相互拡散したAl、Nおよび焼結助剤成分の固溶限が減少するため、再結合してAlN粒子6となり、また高融点金属の微粒子7が十分に分散析出するように条件を設定する。焼成工程でAlN層4と高融点金属5との間で各構成元素を相互拡散させると共に、この相互拡散させた成分が冷却工程で十分に析出するような条件を設定することにより、さらに界面空隙部3内でAlNがCaを固溶して再析出する。この再析出によって、図1(d)に示すように、界面空隙部3がCaを含むAlN8により埋められ、連続した界面9が形成される。なお、AlN8は高融点金属層5と一定の結晶方位関係をもつエピタキシャル成長をする。
【0017】
上記したAlN8のエピタキシヤル成長により形成された連続界面9は、高接合強度を有するため、高融点金属層5の信頼性(機械的強度、導通性、気密性等)を大幅に高めることが可能となる。また、高融点金属層5内に拡散した窒化アルミニウム層の構成成分は、高融点金属の焼結を促進するため、高融点金属層5の焼結密度が高まり、より一層導通性の向上を因ることができる。
【0018】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【0019】
実施例1
まず、平均粒径1.0μmのAlN粉末に、焼結助剤として平均粒径0.5μmのCaCO3粉末を、CaO換算で1重量%添加、混合し、基板原料粉末を調整した。次いで、この基板原料粉末に適量のPVC(ポリビニルブチラール)をバインダとして加え、十分に混練した後、ドクターブレード法により厚さ0.4mmのAlNグリーンシートを8枚作製した。一方、平均粒径1.0μmのW粉末に、適量の樹脂バインダおよび分散媒を混合して、Wペーストを作製した。
【0020】
次に、上記した各AlNグリーンシートにWペーストをそれぞれスクリーン印刷し、乾燥させた後に積層一体化した。なお、Wペ一ストの塗布厚は約20μm(乾燥後)とした。次いで、この積層体を脱脂炉内に配置し、窒素雰囲気中で700℃×3時間の条件にて脱脂処理を行った後、焼成炉で1800℃まで昇温した。この温度で6時間保持し、AlNグリーンシートとWの塗布層とを窒素雰囲気中で同時焼成した後、1500℃まで100℃/hrの条件で冷却し、その後室温まで炉冷した。以上の工程により、AlN層内に内部配線層としてW層が設けられた、PGA用のAlN多層配線基板(AlNメタライズ基板)を作製した。
【0021】
このようにして得たAlN多層配線基板のAlN層とW層との接合界面を、SEMにより観察すると共に、EPMA分析により面分析した。図2に、上記AlN多層配線基板の接合界面のSEM写真を示す。また図3として、図2のSEM写真を模式化した図を示す。
【0022】
図3から明らかなように、AlN層11間に存在するW層12内には、CaOとAl2O3との複合酸化物を含むAlN粒子13が析出しており、またAlN層11内の界面近傍部にはWの微粒子14が析出していた。また、EPMAによる面分折から、上記AlN粒子13の構成元素はAl、N、CaおよびOであり、また微粒子14の構成元素はWであることを確認した。そして、AlN層11とW層12との接合界面15は、空隙等が存在しない連続した界面であることを確認した。なお、W層12におけるAlN粒子13の析出量は体積比で5%で、AlN層11内のW微粒子14の析出量は体積比で1%であった。また、W微粒子14は接合界面15から5〜6μmの範囲に析出していた。
【0023】
また、AlN層11内における接合界面15との近傍部分の結晶構造を調べるため、断面の断面の高分解能TEM観察を行った。その結果、接合界面15に向けてAlNのエピタキシャル成長が生じていることを確認した。
【0024】
次に、上記AlN多層配線基板におけるAlN層とW層との接合強度を評価するために、AlN層の表面にW層を上記実施例と同一条件の同時焼成によって形成した。そして、このW層の接合強度を、両側のAlNに活性金属法でバルクAlNを接合して曲げ試験片を作製し、4点曲げ試験により測定したところ、160MPaという良好な結果が得られた。また、上記AlN多層配線基板の導電性(W層)および気密性を4端子法およびHeリーク試験により評価したところ、9〜10μΩcmおよび1×10−5cc atm/secという良好な結果が得られた。
【0025】
また、本発明との比較として、助剤としてのCaCO3をCaO換算で0.5重量%添加し、同時焼成時の条件を1700℃×3時間とすると共に、その後の冷却を500℃/hrの条件で行う以外は、上記実施例と同様にして、AlN多層配線基板を作製した。このAlN多層配線基板の界面構造についても、上記実施例と同様に、SEMおよびEPMA解析で調べたところ、AlN粒子およびW微粒子は各々ほとんど析出しておらず、また接合界面には僅かな空隙が存在し、連続した界面は形成されていなかった。
【0026】
また、上記比較例によるAlN多層配線基板のW層の接合強度および導電性、さらに多層基板の気密性を、実施例1と同様にして評価したところ、W層の接合強度は80MPa、W層の導電性は13〜15μΩcm、気密性は5×10−5cc atm/secと、いずれも実施例に比べて劣るものであった。
【0027】
実施例2
平均粒径1.0μmのAlN粉末に、焼結助剤として平均粒径1.0μmのY2O3粉末を2重量%添加、混合し、基板原料粉末を調整した。次いで、この基板原料粉末に適量のPVCをバインダとして加え、十分に混練した後、ドクターブレード法により厚さ0.4mmのAlNグリーンシートを8枚作製した。一方、平均粒径1.0μmのW粉末に、適量の樹脂バインタおよび分散媒を混合して、Wペーストを作製した。
【0028】
次に、上記した各AlNグリーンシートにWペーストをそれぞれスクリーン印刷し、乾燥させた後に積層一体化した。なお、Wペーストの塗布厚は約20μm(乾燥後)とした。次いで、この積層体を脱脂炉内に配置し、窒素雰囲気中で700℃×3時間の条件にて脱脂処理を行った後、焼成炉で1800℃まで昇温した。この温度で6時間保持し、AlNグリーンシートとWの塗布層とを窒素雰囲気中で同時焼成した後、1500℃まで100℃/hrの条件で冷却し、その後室温まで炉冷した。以上の工程により、AlN層内に内部配線層としてW層が設けられた、PGA用のAlN多層配線基板(AlNメタライズ基板)を作製した。
【0029】
このようにして得たAlN多層配線基板のAlN層とW層との接合界面を、SEMにより観察すると共に、EPMA解析により面分析した。その結果、SEMの2次電子像は実施例1と類似のものが得られ AlN層間に存在するW層内には、Y2O3とAl2O3との複合酸化物を含むAlN粒子が析出しており、またAlN層内の界面近傍部にはWの微粒子が析出していた。また、EPMAによる面分析から、上記AlN粒子の構成元素はAl、N、YおよびOであり、また微粒子の構成元素はWであることを確認した。そして、AlN層とW層との接合界面は、空隙等が存在しない連続した界面であることを確認した。なお、W層におけるAlN粒子の析出量は体積比で6%で、AlN層内のW微粒子の析出量は体積比で1%であった。また、W微粒子は接合界面5〜6μmの範囲に析出していた。
【0030】
また、AlN層内における接合界面との近傍部分の結晶構造を調べるため、断面の高分解能TEM観察を行った。その結果、接合界面に向けてAlNのエピタキシャル成長が生じていることを確認した。
【0031】
次に、上記AlN多層配線基板におけるAlN層とW層との接合強度を評価するために、AlN層の表面にW層を上記実施例2と同一条件の同時焼成によって形成した。そして、このW層の接合強度を実施例1と同様の手法により測定したところ、200MPaという良好な結果が得られた。また、上記AlN多層配線基板の導電性(W層)および気密性を実施例1と同様の手法により評価したところ、9〜11μΩcmおよび1×10−5cc atm/sec以下という良好な結果が得られた。
【0032】
また、本発明との比較(比較例2)として、Y2O3の添加量を2重量%に減らし、また同時焼成時の条件を1700℃×3時間とすると共に、その後の冷却を500℃/hrの条件で行う以外は、上記実施例2と同様にして、AlN多層配線基板を作製した。このAlN多層配線基板の界面構造についても、上記実施例と同様に、SEMおよびEPMA解析で調べたところ、AlN粒子およびW微粒子は各々ほとんど析出しておらす、また接合界面には僅かな空隙が存在し、連続した界面は形成されていなかった。
【0033】
また、上記比較例2によるAlN多層配線基板のW層の接合強度および導電性、さらに多層基板の気密性を、実施例1と同様にして評価したところ、W層の接合強度は100MPa、W層の導電性は13〜15μΩcm、気密性は5×10−5cc atm/secと、いずれも実施例2に比べて劣るものであった。
【0034】
上記した各実施例および比較例によるAlN多層配線基板の表面結果から分かるように、W層内にAlN粒子が分散析出し、かつAlN層の界面近傍部内にW微粒子が分散析出するよう、焼成条件およびその後の冷却条件を設定することによって、W層の接合強度を大幅に高めることができ、よって信頼性に優れたAlN多層配線基板(AlNメタライズ基板)を得ることが可能となる。
【0035】
なお、上記実施例では高融点金属層としてのW層をAlN多層基板内に形成した例について説明したが、W層をAlN層の表面に形成したものについても、上記実施例と同様な効果が得られた。また、上記実施例のAlN多層基板においては、各W層間を接続するビアホール(W充填)でも同様な界面構造が認められた。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、窒化アルミニウム層と高融点金属層との接合強度を大幅に向上させることが可能となるため、機械的強度、導通性、気密性等に優れた窒化アルミニウム多層基板を提供することができ、よって半導体パッケージや半導体実装基板の信頼性向上に大きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の窒化アルミニウム多層基板の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図2】本発明の一実施例で作製した窒化アルミニウム多層基板の接合界面を拡大して示すSEM写真である。
【図3】図2に示すSEM写真を模式化して示す図である。
【符号の説明】
1……AlNグリーンシート
2……高融点金属ペーストの塗布層
3……界面空隙部
4……AlN基板
5……高融点金属層
6……AlN基板の構成材による析出粒子
7……高融点金属の析出微粒子
8……エピタキシャル成長によるAlN
Claims (4)
- CaO系またはY 2 O 3 系の焼結助剤を含んでなる複数の窒化アルミニウム層と、前記窒化アルミニウム層に接して設けられる内部配線としての高融点金属層とを具備する窒化アルミニウム多層基板において、
前記高融点金属層と前記窒化アルミニウム層との接合界面には前記焼結助剤とAl 2 O 3 との複合酸化物を含むAlN粒子が充填され空隙が存在せず、かつ前記窒化アルミニウム層の接合界面から10μm以内には前記高融点金属の微粒子が析出していることを特徴とする窒化アルミニウム多層基板。 - PGA用多層基板であることを特徴とする請求項1記載の窒化アルミニウム多層基板。
- 同時焼成後の窒化アルミニウム多層基板の4点曲げ強度が160MPa以上であることを特徴とする請求項1または2記載の窒化アルミニウム多層基板。
- ビアホールを具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の窒化アルミニウム多層基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000287093A JP3658539B2 (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 窒化アルミニウム多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000287093A JP3658539B2 (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 窒化アルミニウム多層基板 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02619892A Division JP3198139B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | AlNメタライズ基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001144447A JP2001144447A (ja) | 2001-05-25 |
JP3658539B2 true JP3658539B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=18770901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000287093A Expired - Lifetime JP3658539B2 (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 窒化アルミニウム多層基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3658539B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008245668A (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujinon Corp | 電子内視鏡の撮像装置、および電子内視鏡 |
JP5139742B2 (ja) | 2007-08-03 | 2013-02-06 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 内視鏡 |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000287093A patent/JP3658539B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001144447A (ja) | 2001-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0574956A1 (en) | Metallized circuit substrate comprising nitride type ceramics | |
JP2010103570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
US11420905B2 (en) | Ceramic substrate and production method for same | |
KR20180107163A (ko) | Ag 하지층이 형성된 금속 부재, Ag 하지층이 형성된 절연 회로 기판, 반도체 장치, 히트 싱크가 부착된 절연 회로 기판, 및 Ag 하지층이 형성된 금속 부재의 제조 방법 | |
JP4688380B2 (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP3566569B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3652196B2 (ja) | セラミック配線基板の製造方法 | |
JP2007273914A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
JP3658539B2 (ja) | 窒化アルミニウム多層基板 | |
JP4385484B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法および銅系導電性ペースト | |
JP3198139B2 (ja) | AlNメタライズ基板 | |
JP3929660B2 (ja) | 絶縁性アルミナ質基板およびアルミナ質銅貼回路基板 | |
JP2933463B2 (ja) | セラミック多層配線基板及びその製造方法 | |
JPH0624880A (ja) | 金属−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
JP2002176236A (ja) | ビアホール導体用組成物ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 | |
JP2000114724A (ja) | 多層配線基板 | |
JP3037493B2 (ja) | スルーホールを有するセラミックス基板の製造方法 | |
JP2001185838A (ja) | セラミック配線基板 | |
JP3560357B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JP3628088B2 (ja) | 窒化アルミニウム多層配線基板およびその製造方法 | |
JP3786609B2 (ja) | 複合セラミック部品及びその製造方法 | |
JP2004175599A (ja) | 金属化層を有するセラミックス焼結体の製造方法 | |
JP3420424B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2000312057A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2002179467A (ja) | AlNメタライズ基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050314 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080318 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080318 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080318 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090318 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120318 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |