JP3198139B2 - AlNメタライズ基板 - Google Patents
AlNメタライズ基板Info
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Description
タライズ基板に関する。
等の大電流を必要とする半導体素子の発展に伴い、半導
体素子からの放熱量は増大する傾向にある。これによっ
て、使用する実装基板やパッケージには、熱伝導率が高
く、放熱性に優れるという特性が要求されている。この
ような基板に対する要求特性に対して、窒化アルミニウ
ム焼結体基板が注目されている。窒化アルミニウム基板
は、熱伝導率が酸化アルミニウム基板の約 5倍以上と高
く放熱性に優れ、加えてSiチップに近似した低熱膨張率
を有する等の優れた特性を有している。
素子用の実装基板やパッケージ等として使用する場合に
は、回路の形成や電子部品の搭載部の形成等を目的とし
て、窒化アルミニウム基板の表面や内部に導電性を有す
る金属化層(メタライズ層)を形成することが不可欠と
されている。
ス基板に形成する方法としては、例えば W、Mo、W-Mo等
の高融点金属を用いる方法が知られている。この高融点
金属法は、高融点金属粉末に樹脂結合剤や分散媒を添加
してペ―ストを作製し、この高融点金属ペーストを基板
上に印刷法等によって塗布した後、所定の温度で焼成し
てメタライズ層を形成する方法である。ただし、上述し
た窒化アルミニウムは、酸化アルミニウム等の酸化物系
セラミックスに比べて、金属との濡れ性や反応性に劣る
ため、一般的な高融点金属法ではメタライズ層の接合強
度が極端に低いものとなってしまう。そこで、窒化アル
ミニウム基板と高融点金属層の焼成を同時に行う、いわ
ゆる同時焼成法によりメタライズ層(高融点金属層)を
形成することが行われている。
アルミニウムは金属との濡れ性や反応性に劣るため、同
時焼成法によって高融点金属層を窒化アルミニウム基板
に形成することが行われている。しかしながら、上記し
た同時焼成法を適用しても、必ずしも満足いくほどの接
合強度が得られているわけではない。すなわち、窒化ア
ルミニウム基板による半導体パッケージ等を作製する場
合、同時焼成法によって多層化した内部配線を形成して
いるが、個々の窒化アルミニウム層と高融点金属層(内
部配線層)との接合強度が不十分であるため、導通不良
を招いたり、パッケージの気密性が低下したり、さらに
はハガレ等の構造不良を招く等といった問題が生じてい
る。本発明は、このような課題に対処するためになされ
たもので、窒化アルミニウム基板に高接合強度で高融点
金属層を形成することを可能にし、信頼性に優れたAlN
メタライズ基板を提供することを目的としている。
タライズ基板は、窒化アルミニウム基板と、この窒化ア
ルミニウム基板に接して設けられた高融点金属層とを具
備する同時焼成AlNメタライズ基板において、前記高
融点金属層には前記窒化アルミニウム基板の構成材粒子
が分散析出しており、前記窒化アルミニウム基板の接合
界面から10μm以内には前記高融点金属の微粒子が分
散析出しており、さらに前記高融点金属層と前記窒化ア
ルミニウム基板との界面には空隙が存在しないことを特
徴としている。
ては、焼結助剤を用いた通常の液相焼結法によるものが
用いられる。上記焼結助剤としては、 CaO系や Y2 O 3
系等が用いられる。なお、 CaO系の焼結助剤は、CaCO3
として用いることも可能である。これら焼結助剤は、窒
化アルミニウム粉末に対して 0.5〜10重量%程度の範囲
で添加される。
W、Mo、W-Mo等が用いられる。このような高融点金属か
らなる導電層は、表面配線として窒化アルミニウム基板
の表面に形成してもよいし、また内部配線として窒化ア
ルミニウム基板の内部に形成してもよい。なお、本発明
における高融点金属層は、上記したような高融点金属単
体によって形成しなければならないものではなく、他の
添加物を含むことも可能である。
た窒化アルミニウム基板と高融点金属層とを同時焼成す
ることにより一体化したものである。そして、上記同時
焼成時の条件を適切に制御することによって、高融点金
属層内に窒化アルミニウム基板の構成材による粒子、す
なわち窒化アルミニウムと焼結助剤成分とを主体とする
化合物粒子を分散析出させており、また窒化アルミニウ
ム基板の接合界面から10μm以内には高融点金属の微
粒子を分散析出させている。さらには、界面空隙部内に
窒化アルミニウム基板の構成材粒子を再析出させること
により、界面空隙部を埋めて連続した界面を形成する。
高融点金属層内における窒化アルミニウム基板の構成材
粒子の析出量は、体積比で1〜10%程度とすることが
好ましく。また、窒化アルミニウム基板内に析出させる
高融点金属微粒子の析出量は体積比で0.2〜2%程度
とすることが好ましい。一般には後者の粒子の方が小さ
い。
方法について、図1を参照して詳述する。まず、焼結助
剤例えば CaOを含む AlNグリーンシートと、高融点金属
ペースト例えば Wペーストとを用意する。 AlNグリーン
シートは通常のドクターブレード法などにより作製すれ
ばよい。また、高融点金属ペーストは、高融点金属粉末
に樹脂結合剤および必要に応じて分散媒や可塑材を添加
し、均一に分散させて所望の粘度のペーストとして作製
する。
高融点金属ペーストを用いて、図1(a)に示すよう
に、 AlNグリーンシート1上に高融点金属ペースト2を
例えばスクリ―ン印刷法によって所要の形状に塗布す
る。また、 AlN多層配線基板を作製する場合には、複数
の AlNグリーンシート1に高融点金属ペースト2をそれ
ぞれ塗布した後、それらを所定の枚数積層する。この
際、高融点金属ペースト2を塗布した段階では、微視的
に見ると、 AlNグリーンシート1と高融点金属ペースト
2の塗布層との間に空隙3が存在し、必ずしも連続的な
界面が形成されているわけではない。
た AlNグリーンシート1を所定の温度で焼成し、図1
(b)に示すように、 AlN基板4と高融点金属層5とを
同時焼成によって形成する。ここで、本発明の AlNメタ
ライズ基板を得るためには、AlN基板4の構成材料、す
なわちAl、 N、焼結助剤成分(図中ではCa)が高融点金
属層5内に拡散すると共に、高融点金属(図中ではW)が
AlN基板4内に拡散し固溶するように、焼成条件を設定
することが重要である。具体的な焼成条件としては、焼
成温度を1750〜1900℃程度と高温に設定する。また、焼
成時間は 0.5〜10時間程度とすることが好ましい。この
ように、高温焼成することによって、相互拡散が促進さ
れる。
この冷却工程においては図1(c)に示すように、相互
拡散したAl、 Nおよび焼結助剤成分の固溶限が減少する
ため、再結合して AlN粒子6となり、また高融点金属の
微粒子7が十分に分散析出するように条件を設定する。
焼成工程で AlN基板4と高融点金属層5との間で各構成
元素を相互拡散させると共に、この相互拡散させた成分
が冷却工程で十分に析出するような条件を設定すること
により、さらに界面空隙部3内で AlNがCaを固溶して再
析出する。この再析出によって、図1(d)に示すよう
に、界面空隙部3がCaを含む AlN8により埋められ、連
続した界面9が形成される。なお、 AlN8は高融点金属
層5と一定の結晶方位関係をもつエピタキシャル成長を
する。
り形成された連続界面9は、高接合強度を有するため、
高融点金属層5の信頼性(機械的強度、導通性、気密性
等)を大幅に高めることが可能となる。また、高融点金
属層5内に拡散した窒化アルミニウム基板の構成成分
は、高融点金属の焼結を促進するため、高融点金属層5
の焼結密度が高まり、より一層導電性の向上を図ること
ができる。
平均粒径 0.5μm のCaCO3 粉末を、 CaO換算で 1重量%
添加、混合し、基板原料粉末を調製した。次いで、この
基板原料粉末に適量の PVC(ポリビニルブチラール)を
バインダとして加え、十分に混練した後、ドクターブレ
ード法により厚さ 0.4mmの AlNグリーンシートを 8枚作
製した。一方、平均粒径 1.0μm の W粉末に、適量の樹
脂バインタおよび分散媒を混合して、 Wペーストを作製
した。
ペーストをそれぞれスクリーン印刷し、乾燥させた後に
積層一体化した。なお、 Wペ―ストの塗布厚は約20μm
(乾燥後)とした。次いで、この積層体を脱脂炉内に配
置し、窒素雰囲気中で 700℃× 3時間の条件にて脱脂処
理を行った後、焼成炉で1800℃まで昇温した。この温度
で 6時間保持し、 AlNグリーンシートと Wの塗布層とを
窒素雰囲気中で同時焼成した後、1500℃まで 100℃/hr
の条件で冷却し、その後室温まで炉冷した。以上の工程
により、 AlN基板内に内部配線層として W層が設けられ
た、 PGA用の AlN多層配線基板(AlNメタライズ基板)を
作製した。
lN基板と W層との接合界面を、SEMにより観察すると
共に、EPMA解析により面分析した。図2に、上記 A
lN多層配線基板の接合界面のSEM写真を示す。また図
3として、図2のSEM写真を模式化した図を示す。
存在する W層12内には、 CaOとAl2 O 3 との複合酸化
物を含む AlN粒子13が析出しており、また AlN層11
内の界面近傍部には Wの微粒子14が析出していた。ま
た、EPMAによる面分析から、上記 AlN粒子13の構
成元素はAl、 N、Caおよび Oであり、また微粒子14の
構成元素は Wであることを確認した。そして、 AlN層1
1と W層12との接合界面15は、空隙等が存在しない
連続した界面であることを確認した。なお、 W層12に
おける AlN粒子13の析出量は体積比で5%で、 AlN層1
1内の W微粒子14の析出量は体積比で1%であった。ま
た、 W微粒子14は接合界面15から 5〜 6μm の範囲
に析出していた。
との近傍部分の結晶構造を調べるため、断面の高分解能
TEM観察を行った。その結果、接合界面15に向けて
AlNのエピタキシャル成長が生じていることを確認し
た。
層と W層との接合強度を評価するために、 AlN基板の表
面に W層を上記実施例と同一条件の同時焼成によって形
成した。そして、この W層の接合強度を、両側の AlNに
活性金属法でバルク AlNを接合して曲げ試験片を作製
し、 4点曲げ試験により測定したところ、160MPaという
良好な結果が得られた。また、上記 AlN多層配線基板の
導電性(W層)および気密性を 4端子法およびHeリーク試
験により評価したところ、 9〜10μΩcmおよび1×10-5c
c atm/secという良好な結果が得られた。
のCaCO3 を CaO換算で 0.5重量%添加し、同時焼成時の
条件を1700℃× 3時間とすると共に、その後の冷却を 5
00℃/hr の条件で行う以外は、上記実施例と同様にし
て、 AlN多層配線基板を作製した。この AlN多層配線基
板の界面構造についても、上記実施例と同様に、SEM
およびEPMA解析で調べたところ、 AlN粒子および W
微粒子は各々ほとんど析出しておらず、また接合界面に
は僅かな空隙が存在し、連続した界面は形成されていな
かった。
の W層の接合強度および導電性、さらに多層基板の気密
性を、実施例1と同様にして評価したところ、 W層の接
合強度は 80MPa、 W層の導電性は13〜15μΩcm、気密性
は 5×10-5cc atm/secと、いずれも実施例に比べて劣る
ものであった。 実施例2 平均粒径 1.0μm の AlN粉末に、焼結助剤として平均粒
径 1.0μm の Y2 O 3 粉末を 3重量%添加、混合し、基
板原料粉末を調製した。次いで、この基板原料粉末に適
量の PVCをバインダとして加え、十分に混練した後、ド
クターブレード法により厚さ 0.4mmの AlNグリーンシー
トを 8枚作製した。一方、平均粒径 1.0μm の W粉末
に、適量の樹脂バインタおよび分散媒を混合して、 Wペ
ーストを作製した。
ペーストをそれぞれスクリーン印刷し、乾燥させた後に
積層一体化した。なお、 Wペ―ストの塗布厚は約20μm
(乾燥後)とした。次いで、この積層体を脱脂炉内に配
置し、窒素雰囲気中で 700℃× 3時間の条件にて脱脂処
理を行った後、焼成炉で1800℃まで昇温した。この温度
で 6時間保持し、 AlNグリーンシートと Wの塗布層とを
窒素雰囲気中で同時焼成した後、1500℃まで 100℃/hr
の条件で冷却し、その後室温まで炉冷した。以上の工程
により、 AlN基板内に内部配線層として W層が設けられ
た、 PGA用のAlN多層配線基板(AlNメタライズ基板)を
作製した。
lN基板と W層との接合界面を、SEMにより観察すると
共に、EPMA解析により面分析した。その結果、SE
Mの2次電子像は実施例1と類似のものが得られ、 AlN
層間に存在する W層内には、Y2 O 3 とAl2 O 3 との複
合酸化物を含む AlN粒子が析出しており、また AlN層内
の界面近傍部には Wの微粒子が析出していた。また、E
PMAによる面分析から、上記 AlN粒子の構成元素はA
l、 N、 Yおよび Oであり、また微粒子の構成元素は W
であることを確認した。そして、 AlN層と W層との接合
界面は、空隙等が存在しない連続した界面であることを
確認した。なお、 W層における AlN粒子の析出量は体積
比で6%で、 AlN層内の W微粒子の析出量は体積比で1%で
あった。また、 W微粒子は接合界面から 5〜 6μm の範
囲に析出していた。
部分の結晶構造を調べるため、断面の高分解能TEM観
察を行った。その結果、接合界面に向けて AlNのエピタ
キシャル成長が生じていることを確認した。
層と W層との接合強度を評価するために、 AlN基板の表
面に W層を上記実施例2と同一条件の同時焼成によって
形成した。そして、この W層の接合強度を実施例1と同
様の手法により測定したところ、200MPaという良好な結
果が得られた。また、上記 AlN多層配線基板の導電性(W
層)および気密性を実施例1と同様の手法により評価し
たところ、 9〜11μΩcmおよび 1×10-5cc atm/sec以下
という良好な結果が得られた。
て、 Y2 O 3 の添加量を 2重量%に減らし、また同時焼
成時の条件を1700℃× 3時間とすると共に、その後の冷
却を500℃/hr の条件で行う以外は、上記実施例2と同
様にして、 AlN多層配線基板を作製した。この AlN多層
配線基板の界面構造についても、上記実施例と同様に、
SEMおよびEPMA解析で調べたところ、 AlN粒子お
よび W微粒子は各々ほとんど析出しておらず、また接合
界面には僅かな空隙が存在し、連続した界面は形成され
ていなかった。
板の W層の接合強度および導電性、さらに多層基板の気
密性を、実施例1と同様にして評価したところ、 W層の
接合強度は100MPa、 W層の導電性は13〜15μΩcm、気密
性は 5×10-5cc atm/secと、いずれも実施例2に比べて
劣るものであった。
多層配線基板の評価結果から分かるように、 W層内に A
lN粒子が分散析出し、かつ AlN基板の界面近傍部内に W
微粒子が分散析出するよう、焼成条件およびその後の冷
却条件を設定することによって、 W層の接合強度を大幅
に高めることができ、よって信頼性に優れた AlN多層配
線基板(AlNメタライズ基板)を得ることが可能となる。
の W層を AlN基板内に形成した例について説明したが、
W層を AlN基板の表面に形成したものについても、上記
実施例と同様な効果が得られた。また、上記実施例の A
lN多層配線基板においては、各 W層間を接続するビアホ
ール(W充填)でも同様な界面構造が認められた。
化アルミニウム基板と高融点金属層との接合強度を大幅
に向上させることが可能となるため、機械的強度、導通
性、気密性等に優れた AlNメタライズ基板を提供するこ
とができ、よって半導体パッケージや半導体実装基板の
信頼性向上に大きく寄与する。
を模式的に示す断面図である。
板の接合界面を拡大して示すSEM写真である。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 窒化アルミニウム基板と、この窒化アル
ミニウム基板に接して設けられた高融点金属層とを具備
する同時焼成AlNメタライズ基板において、前記高融
点金属層には前記窒化アルミニウム基板の構成材粒子が
分散析出しており、前記窒化アルミニウム基板の接合界
面から10μm以内には前記高融点金属の微粒子が分散
析出しており、さらに前記高融点金属層と前記窒化アル
ミニウム基板との界面には空隙が存在しないことを特徴
とするAlNメタライズ基板。 - 【請求項2】 前記窒化アルミニウム基板は焼結助剤を
含んでいることを特徴とする請求項1記載のAlNメタ
ライズ基板。 - 【請求項3】 前記高融点金属層内における前記窒化ア
ルミニウム基板の構成材粒子の析出量は体積比で1〜1
0%であることを特徴とする請求項1または2記載のA
lNメタライズ基板。 - 【請求項4】 前記高融点金属がタングステンであるこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のA
lNメタライズ基板。
Priority Applications (1)
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JP02619892A JP3198139B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | AlNメタライズ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02619892A JP3198139B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | AlNメタライズ基板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JPH05190703A JPH05190703A (ja) | 1993-07-30 |
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ID=12186786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP02619892A Expired - Lifetime JP3198139B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | AlNメタライズ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3198139B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
US6316116B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP02619892A patent/JP3198139B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH05190703A (ja) | 1993-07-30 |
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