JP3646023B2 - 大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケージとリードフレーム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ハイパワー半導体装置用リードフレーム及びパッケージに関し、該リードフレーム及びパッケージは、大きい接続ポストと、新規なリードシーケンスを備えかつ隣り合うリード間の誘電沿面距離を増加した導体を有し、また、改良された外形を有する。
【0002】
【従来の技術】
ダイオード、サイリスタ並びにMOSFET及びIGBT等のMOSゲート装置などの半導体装置は、普通、装置接合を有するシリコン半導体ダイに形成される。このダイは、金属化された底部ドレン又は他のパワー電極を有し、また、ソース及びゲート電極又はその他のパワー電極をその上面に有する。ダイは、大きい導電性リードフレームパッド上に取付けられ、ダイ上面のパワー電極は、ダイの導電性電極の領域から平坦な接続ポストの領域にかけて複数のワイヤでワイヤ結合される接続ワイヤを備え、そして、上記平坦な接続ポストの領域は、リードフレームの外部リード導体に接続される。これらの外部リード導体は、リードフレームとダイをモールド被覆するモールドハウジングを貫通する。リードフレームは、複数の同一のセクション、例えば、20以上のセクションを含むことがあり、それらに対しては、別個のダイを取付け、ワイヤー結合及びモールド被覆を受け入れるための加工が同時になされる。そして個々の装置は、モールド加工の後分離される。最終的な装置は、良く知られた工業規格パッケージ外形、例えば、広く知られたTO220又はTO247パケージ外形を有する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
公知のパッケージ構造は、ダイパワー電極を、例えば、パワーMOSFETのソース電極又はダイオードのカソードを対応するリードフレームポストに接続することのできる。並列配置される結合ワイヤの数によって制限される電流容量を有する。リードフレームを配置するにあっては、並列配置される結合ワイヤの数を増やすことによって、パッケージサイズを大きくすることなく、パーケージ抵抗を小さくするようにすることが望ましい。
【0004】
特にパワーMOSFETのようなMOSゲート装置用の公知のパッケージ構造は、また、従来からゲート、ドレン及びソースのシーケンスにおいて平行な外部リード導体を有している。これは、ゲートリードとソースリードの離間距離を広げている。ソースポストの面積を最大にしながら、ゲートリードとソースリードを互いに隣り合わせて配置することが極めて有益である。また、ソースリード又はその他の長い外部リードの導通断面積を増加させるが望ましい。
【0005】
従来のモールドされたハウジングパッケージでは、リードフレーム導体は、高い誘電率のハウジングの内部からパッケージ外部の領域に延びている。パッケージの表面に沿う「沿面」距離は、このため外部導体の外側の離間距離に関係しており、また、それらリード間に印加される最大電圧を制限している。リードフレームのリードがパッケージから突出しているパッケージ表面に沿う沿面距離を、パケージサイズを大きくすることなく、大きくすることが望ましい。
【0006】
公知のパッケージ構造は、リードフレームからプラスティックハウジングの表面を通って外部へ延在するリード導体を有している。これらのリード導体は、従来、矩形又はV字形であり、プリント基板の金属開口に適切に嵌まり込むように設計されている。これら導体の断面積は、過剰な加熱を生じさせることなく、装置電流を流すに充分な大きさでなければならない。しかしながら、基板における開口の径は制限を受けているが、それは、開口離間の距離が装置のリード導体及びそれらの導電性ブッシングの離間によって定められているからである。こられリード導体の断面積を、導体を受け入れるプリント基板に設けられた開口の径を過度に大きくすることなく、大きくすることが望ましい。
【0007】
現在のパッケージ形状は、比較的厚手のプラスティック部分が薄手の部分に垂直の立ち上がり部でもって連結されてなる。厚手の領域は、パッケージのリード導体のエッジから、ダイの中央部上方に位置する垂直立ち上がり部まで延びている。薄手の部分は、その出力リード導体側と対向する側のパケージ端部まで延びている。パッケージの厚手の部分への垂直立ち上がり部は、厚手の部分の頂面と90度の角度を形成している。この急な角度内の材料はモールド中にプラスチック内に気泡を溜める傾向があり、これは、装置を不良なものにし廃棄品とすることになる。
【0008】
更にまた、上記の形状の装置が支持基板上表面に取付けられ、そこで片持ちバネにより適所に保持されるとき、バネは厚手のプラスティック領域の表面の上を押圧する。従って、バネ圧は、ダイ中心の上部から外れた位置に加わる。バネ圧が加わる位置を、パッケージ内に取付けられるダイ中心の上部にすることが望ましい。また、特別な道具を必要とすることがなく片持ちバネの下にパッケージの取付けを簡単化することが望ましい。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は、サイズを大きくすることなく電流容量を増加させた半導体装置であって;該半導体装置は、リードフレームと、1つのパワーMOSFETと、複数の結合ワイヤとを備え;前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平坦な導電性本体を備え;前記複数の平行に離間した外部導体の1つは、その一端に1つの大きい結合ワイヤポストを有し、この結合ワイヤポストは前記ダイ取付けパッドの近くに位置しているがこれと離間し;前記パワーMOSFETの底部は前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され;前記複数の結合ワイヤは、それらの一端で前記パワーMOSFETの頂面と結合され、他の端で前記1つの大きい結合ワイヤポストに結合され;前記1つの大きい結合ワイヤポストは、前記リードフレームの幅の1/2倍以上の幅を有し;前記ダイ取付けパッドは、前記複数の外部導体のうちの1つに電気的に接続され;プラスティックハウジングが前記パワーMOSFETと前記リードフレームの少なくともある複数の部分を取り囲み;前記複数の離間した導体は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部に至り;前記複数の離間された外部導体のうちの横方向に最も外側の2つは、くぼみ形に曲げられ、前記導体の延在自由端部の離間距離を小さくし;前記くぼみ形に曲げられた外部導体は、それらが最大の離間を有する距離となる位置において前記ハウジングの側壁を貫通し、それによって前記側壁の表面に沿う沿面距離を増していることを特徴とする。
【0010】
この発明の他の特徴によれば、例えば、MOSFETタイプのパッケージでは、リードフレームの外部リードのシーケンスを、従来のゲート、ドレン、ソースから、ゲート、ソース、ドレンの新規なシーケンスに変更した新規なリードフレーム構造が提供される。この新しいシーケンスは、ゲートとソースの接続部の離間距離を小さくすることで、装置の適用を改善し、それゆえ、ゲート回路の漏れインダクタンスを低下させることになる。この新規なシーケンスは、さらにソースポスト部の面積を増加させ、また(非常に大きな面積の底部ダイ接続面積を有する)ドレインポストの面積を減少させることを可能にし、そして、また、ダイソースからリードフレームソースパッドへの結合ワイヤの数を増加させて使うことができ、パッケージサイズを大きくすることなく、パッケージ抵抗を小さくすることを可能にする。
【0011】
この発明の更なる特徴によれば、2本の最も外側のリードが、リード導体がパッケージから出て行くところで、リード導通の断面積を小さくすることなく、最も中央のリードフレームリードから外方(リードフレーム中心から)にくぼみ形(reentrant)に曲げられることができる。このように外方にくぼみ形(reentrant)に曲げることによって、外方リードと中央リードとの間のパッケージ絶縁体の表面に沿う沿面距離が増され、装置の降状ダウン電圧を増大することになる。外方にくぼみ形(reentrant)に曲げるということは、長い導体をパッケージの中心から離れる方向の略々垂直な経路に向かわせ、その後再度、その長い導体を元の経路とは平行であるが、しかしそれから離間した経路に向かわせるということである。
【0012】
この発明の更なる特徴は、基板の孔径を実質的な増大を必要とすることなし、リードフレーム外部導体の断面積を増加させることを含む。このため、第1の実施例によれば、通常矩形をした導体の形状をより正方形に近づけ、より大きな面積の銅導体を同一径の孔に嵌入させることができることが判明した。更に、矩形の導体のエッジを僅かに面取りすることで、最終導体の総断面積を増加させることになる。
【0013】
この発明のまた更なる特徴としては、プラスチックパッケージの外形は改良され、それは均一な厚さと、リード導体エッジから延びて実質的に内部ダイの全面積の上に延在する平坦な頂部の外表面とを有する。リード導体に対向する側のパッケージの端部壁は、パッケージの底部及びエッジに向けてテーパーが施され、垂直に対し約45度の角度となっている。
【0014】
この新規な構造の結果、パッケージを片持ちバネで取付けるときに、パッケージの頂面に対するバネの押圧力の中心は、ダイの中心上方に向けることができ、これは、表面取付け装置に力を作用させるには最も効率的な位置である。
【0015】
更に、テーパーの付された端部面を使うことで、端部面と頂面との間の角度は約135度に増大され、これにより、モールド中に、ダイのこの頂部エッジ領域から気泡を排除することがより容易とすることができる。
【0016】
最後に、パッケージのテーパーが付された端面は、パッケージを楔として使用することを可能にし、それによって、特別な道具を必要とすることなく、パッケージを片持ちバネの上に向いたリップの下にそしてバネの下に押し込むことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
先ず、第1図、第2図および第3図において、この発明のある特徴を備えたTO220型半導体装置パッケージ20が示されている。パッケージ20は、移送成形することができる従来のプラスチックモールドハウジンク21からなり、第2図の点線で示されている半導体ダイ22を封止している。底部の主体となる導電性リードフレーム板23は、ダイ22の底部ドレン電極を受け止める。3本のリード導体25、26及び27は、プラスチックハウジング21の前壁28を通って延びている。リード25、26及び27は、それぞれダイ22(それがパワーMOSFETダイとすれば)のゲート、ドレン及びソース接点とすることができ、又は、記載されるこの発明の態様に従って、それぞれ、ゲート、ソース及びドレン接点とすることができる。
【0018】
本発明の重要な特徴によれば、導体25と27は、前面28に隣接する領域で、それぞれくぼみ形(reentrantly)に曲げた形状にしたベンド30及び31によって、リード26の中心及びパッケージ20から離れるように曲げられている。これにより、面28に沿う沿面距離32及び33を増加させ、リード25及び27と中心リード26の間のより高い電圧の使用を可能にしている。
【0019】
第4図は、第1図、第2図および第3図のパッケージ20で使用することができるマルチセクションリードフレームの1つのセクション35を示している。陰影部36は、第1図ないし第3図に示したようにハウジング21の過モールドの後、通常の手法で切り落とされるリードフレームのセクションを示している。板部23は、適当な銅又は銅合金であり、例えば、1.27mmの厚さとすることができる。半導体ダイ22を受止める板部23の頂面は、メッキをすることなく、(MOSFETダイの底部ドレンなどの)ダイ22の底部電極を板23に半田などにより結合するのを改良することができる。リードフレーム35のその他の部分は、ニッケルメッキとすることができる。
【0020】
外部リード導体を含むフレーム35の部分も、ニッケルメッキした銅とし、また0.8mmの厚さとすることができる。外部リード導体又は指部25及び27は、それぞれゲート及びソースコネクタに対応する半田ポスト40及び42までその末端がきている。ここで、半田ポスト40及び42は同一平面にあって、板23の上面の平面よりも上方の平面内にある。板23は、また導体26に整列しかつそれと連続する延長部41を有している。このように、ダイ22は、その頂部においてソース電極43及びゲート電極44を有している。ゲート電極44は、ポスト部(パッド23の上方に位置してそれから絶縁されている)ポスト40にワイヤ結合され、またソース電極43はポスト42にワイヤ結合される。なおポスト42もパッド23の上方に位置してそれから絶縁されている。(第2図参照)。ポスト42の面積が比較的小さいので、わずか20ミルの2本の結合ワイヤ45及び46を使ってソース電極43をポスト42(そして、陰影で示された余剰の金属が切り取られたとき、外部リード伝導体又は指部27)に結合する。
【0021】
第5図および第5a図は、この発明の他の態様を示している。ソース電極43に対しての追加の結合ワイヤの使用を可能にする。即ち、導体25、26及び27は、それぞれゲート、ソース及びドレンの電極であり、第5図に示されているようにソースとゲート導体を互いにより近づけている。さらに、ソースポスト50は、ここでは中央に位置し、第4図のポスト42よりも広い幅となっている。重要なことには、ポスト50を、リードフレームの幅の約1/2倍よりも大きな幅とすることができる。これにより、第4図のソース電極43から導体26から延びるポスト50までワイヤ45及び46と同一の20ミルの4本の結合ワイヤ51、52、53及び54を使用することを可能にする。2本に代えて4本の結合ワイヤの使用は、パッケージ抵抗を十分に小さくし、このためパッケージ又はダイのサイズを変更することなく、パッケージの電流容量を増加させることができる。
【0022】
結合ワイヤ45及び46、51乃至54は、好ましくは、不純物の少ないアルミニュウムワイヤ( .9999の純度)であって、その径は20ミルである。一本のワイヤは、約1ミリオームの抵抗を有し、2本並列のワイヤで約0.5ミリオームの抵抗を有し、4本並列のワイヤで約0.25ミリオームの抵抗を有する。このように、ワイヤを追加して使うことは、パッケージ抵抗を実質的に小さくさせる。
【0023】
細いゲート結合ワイヤのみを受入れるゲートポスト56は、その面積が小さくされており、パッド23からのパッド延長部41は移動され、リード導体27に整列かつ接続されている。ここで、ドレイン導体27は、パッド23の電位にある。
【0024】
第6図は、新規なリードフレームを、MOSFETダイ22用ではなく、ダイオードダイ60用のものとして示している。即ち、第6図においては、ダイオードは、パッド23に結合された底部電極を有している。ワイヤ結合ポストは改良され、第5図のポスト50及び56を共に単一の大きな面積のポスト61として一体化させている。ポスト61は、ダイオード頂部電極67から5本の結合ワイヤ62、63、64、65及び66の使用を可能にしている。中央部にある導体の金属は、プラスチック封止の後の金属切取りの操作中に切り離される。
【0025】
第7図および第8図、第4図のリードシーケンスを用いたリードフレーム(2つのセクションが示されている)の他の実施例を示しており、第4図のポスト42は、改良され(大きくされ)、3本の結合ワイヤで、パッド23上のダイの上部電極をポスト70に結合させている。重要なことには、ポスト70は、リードフレームの幅の約1/2倍に近い幅を有している。なお、パッド23は、外部導体26(ドレン導体)に接続した狭くなって湾曲した延在部71を有する。
【0026】
第9図、第10図および第11図は、第1図、第2図および第3図のパッケージ20の改良を示し、表面取付け型パッケージとしている。即ち、プラスチックパッケージ80は、前述の図面のものと同様に主要ダイ支持パッド23及び3本の出力用延在リード導体81、82及び83を有するリードフレームを備えている。導体81、82及び83は、それぞれ、ゲート、ドレン及びソース導体であり、第4図又は第7図に示した基本構造を持っている。しかし、リード81及び83は、第10図および第11図に示されているように、下方に向けくぼみ形(reentrantly)に曲げられ、パッド23の底部露出面の平面と平行な平面に置かれている。このため、第9図ないし第11図の装置は、表面取付け用のものであるが、それ以外の点では第4図ないし第7図のものに関して前述した種々の利点を持っている。
【0027】
第12図は、第1図ないし第3図におけるリード導体25乃至27いずれかの断面を示している。従来のTO220パッケージでは、導体25は、約0.8ミリメートルの高さと約0.46ミリメートルの幅を有し、約0.388平方ミリメートルの断面積となっていた。これは、定格約50アンペアRMSの装置として用いられ、約0.92ミリメートル径のプリント基板孔を必要としていた。
【0028】
第5図のようにパッケージ内の結合ワイヤを増やして使用することで、装置電流を増加させることができることが分かった。即ち、第13図に示されているように、接点25の断面は、064平方ミリメートルの断面に対して0.8ミリメートル×0.8ミリメートルとすることができる。これは、基板の孔径を僅か1.15ミリメートルまで増加させるだけを必要とするが、温度上昇を加えずに或いはパッケージ抵抗を増すことなく、電流容量を65アンペアRMSまで増加させることができる。
【0029】
更に、第14図に示すように、基板の孔径を1.27ミリメートルまで増すことで、0.8ミリメートル×1.0ミリメートルの接点断面にすることができ、その電流容量を約80アンペアRMSまで増やす。
【0030】
第15図は、矩形導体25上の面取りを施したエッジ90の使用を示している。これにより、プリント基板の貫通孔91を変更することなく、導体25の銅材断面を増加して使用することができる。
【0031】
第16図は、TO220の外形などのような、プラスティックハウジングに使われる外形を示す。第1図ないし第10図のパッケージの場合のように、(この発明のリードフレームと共に示されている)パッケージ20は、平坦な棚200を有する比較的厚い領域と、平坦な棚201を有する比較的薄い領域と、垂直又は垂直に近い壁202及び203とを有している。壁202は、上面200と約90度で交差している。これは、エッジ領域204に気泡が取り込まれるというモールド上の問題を生じさせた。また、パッケージ20は、通例、その一端を支持面210に固定された片持ちバネ211によってプリント基板210又はその他の面上に表面取付けされる。バネ211は上方に向けた端縁212を持ち、この端縁212はまたパッケージ20を支持面に対して押圧するために頂面200に圧力を加えるための圧力点を形成する。
【0032】
従来のパッケージデザインでは、圧力点215は、ダイ22のエッジの方に移されている。フレーム23と面210との間の接触抵抗を小さくし、またダイ22の領域の上方に応力をより良好に分散させるため、加圧点をダイ22の中心に向け移動させることが好ましい。
【0033】
第16図のパッケージに関する更なる問題は、壁202と面201とが交差する個所でのパッケージのエッジが低く、リードワイヤ46の曲げにおける許容誤差を減少させていることである。
【0034】
この発明によれば、パッケージの外形は、特に第17図および第18図に示されているように変更される。即ち、第17図および第18図において、平坦な頂面220はダイ22の中心を十分に越えて延び、端壁221は垂直面に対し約45度の角度を形成している。従って、バネ211の圧力点はダイ22の中心の上方に加えられ、パッケージ20の面210への取付けを、電気的にも、また機械的にも改善している。
【0035】
更に、第17図および第18図のパッケージ20の端部が新規な楔形状をしているため、このパッケージ20を図面において単に右方向に押すことで、即ち、バネ211の端部212に近づけてパッケージ20をバネ211の下のその所望の位置にまで移動させることで、パッケージをバネ211に対して取付けできる。パッケージ20をその所望の最終位置に配置するため(図示しない)、ノッチ又は位置決めポストをパッケージ20内に形成することができる。
【0036】
第17図および第18図のパッケージ外形の更なる利点は、エッジ230は、モールドに際して空気を取り込まないということである。また、第16図のようにリードが浅い棚段にあまり近づき過ぎるといった恐れなしに、リード46及び他の同様なリードに対して追加の場所が与えられる。なお、第1図ないし第10図のパッケージで注目において第16図のエッジ202に対応するエッジには、モールド中にそのエッジでの気泡の発生を防ぐため短かい面取りがされているのが分かる。
【0037】
この発明が、その特定の実施例に関して説明されてきたが、その他多くの変形例と修正例及びその他の用例は、当業者には明らかであろう。従って、この発明は、ここでの特定の開示に制限されるのではなく、特許請求の範囲の記載に従ってのみ制限されることが望まれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1図は、この発明の新規なリードフレームを含む新規なパッケージの頂面図である。
【図2】第2図は、第1図のパッケージの側面図である。
【図3】第3図は、第1図の端面図である。
【図4】第4図は、プラスチックのハウジング表面に沿う沿面距離を増すため、大きくしし外方に曲げた新規なリード導体を用い、またゲート、ドレン及びソースリード導体という公知のシーケンスを用いた、第1図、第2図および第3図のパッケージに封止することができるリードフレームの単一のセクションの頂面図である。
【図5】第5図はゲート、ソース及びドレンの新規なリード導体配列順序と大きくした面積のソースポストをもった第4図のリードフレームに類似するシーケンスリードフレームの第2の実施例である。(図5a)第5a図は、第5図の断面線5a―5aに沿ってとった第5図の断面図である。
【図6】第6図は、第5図のリードフレームセクションをダイオード用に改良したこの発明の第3の実施例である。
【図7】第7図は、ソースポスト面積を増すよう第4図のものを改良したこの発明の第4実施例を示す。
【図8】第8図は、第7図の断面線8−8に沿ってとった第7図の断面図である。
【図9】第9図は、表面取付け型パッケージに改良された、この発明の別の実施例の頂面図である。
【図10】第10図は、第9図の側面図である。
【図11】第11図は、第9図の端面図である。
【図12】第12図は、定格50アンペア用の標準TO220パッケージのリードフレーム導体の断面図である。
【図13】第13図は、この発明により生成されたより高い電流容量を持つ改良されたリードフレーム導体の断面図である。
【図14】第14図は、この発明により生成されたより高い電流容量を持つ改良されたリードフレーム導体の断面図である。
【図15】第15図は、この発明により生成された矩形の導体のエッジが面取りされ、回路基板の孔径を過度に大きくすることなく、より大きな導体断面の使用を可能にした改良されたリードフレーム伝導体の断面図である。
【図16】第16図は、取付けバネをもった従来の装置のパッケージ外形の側面図である。
【図17】第17図は、取付けバネをもったこの発明による新規なパッケージの外形の側面図である。
【図18】第18図は、第17図のパッケージの頂面図である。
Claims (5)
- サイズを大きくすることなく電流容量を増加させた半導体装置であって;該半導体装置は、リードフレームと、1つのパワーMOSFETと、複数の結合ワイヤとを備え;前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平坦な導電性本体を備え;前記複数の平行に離間した外部導体の1つは、その一端に1つの大きい結合ワイヤポストを有し、この結合ワイヤポストは前記ダイ取付けパッドの近くに位置しているがこれと離間し;前記パワーMOSFETの底部は前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され;前記複数の結合ワイヤは、それらの一端で前記パワーMOSFETの頂面と結合され、他の端で前記1つの大きい結合ワイヤポストに結合され;前記1つの大きい結合ワイヤポストは、前記リードフレームの幅の1/2倍以上の幅を有し;前記ダイ取付けパッドは、前記複数の外部導体のうちの1つに電気的に接続され;プラスティックハウジングが前記パワーMOSFETと前記リードフレームの少なくともある複数の部分を取り囲み;前記複数の離間した導体は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部に至り;前記複数の離間された外部導体のうちの横方向に最も外側の2つは、くぼみ形に曲げられ、前記導体の延在自由端部の離間距離を小さくし;前記くぼみ形に曲げられた外部導体は、それらが最大の離間を有する距離となる位置において前記ハウジングの側壁を貫通し、それによって前記側壁の表面に沿う沿面距離を増していることを特徴とする半導体装置。
- 前記外部導体の内の第2の外部導体は、前記パワーMOSFETの頂面の制御電極に接続するための大きい第2の結合ワイヤポストを有し;前記大きい結合ワイヤポストは、前記大きい第2の結合ワイヤポストの面積よりも実質的に大きい面積を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置。
- 前記プラスティックハウジングの形状は矩形状であり、略々平坦な頂面と、略々平坦な底面と、前記頂面と底面及び前記側壁との間を延びる、一対の離間した略々垂直かつ平行なエッジ壁と、前記側壁に対向する前記ハウジングの反対側の第2の側壁とを有し;前記略々平坦な頂面は、実質的に前記ダイの全面積上方に位置することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置。
- 前記第2の側壁は、垂直に対し45度の角度をなし、前記頂面と135度の内角で交差し、前記ハウジングに対し片持ち支持取付けバネの下にカム作用させるためのカム面を形成することを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の装置。
- 前記複数の外部導体の各個は、同一の矩形の形状を有し、前記複数の外部導体のエッジは、少なくともその長さ部分に対して面取りされ、それによって、面取りを行なわない導体を受入れるときの孔径よりも小さな径のプリント基板孔に挿入できるようにすると共に、所定の径のプリント基板孔に対してはより大きな断面積の使用を可能にしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置。
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