JP3629399B2 - アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール構造に関し、特に、アンテナ効率と指向性を向上させたスロットアンテナを一体化したマイクロ波・ミリ波モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報量の増大に伴い、高速・大容量データ伝送手段として、マイクロ波やミリ波のような高周波での無線通信が注目されている。このような通信においては送受信機として、アンテナとマイクロ波・ミリ波回路とを一体化させた、小型・軽量で高性能のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波回路が必要となってくる。
【０００３】
従来のスロットアンテナは、マイクロストリップ線路のストリップ導体の開放端に対し、誘電体を介して、対抗する位置にスロットを設け、マイクロストリップ線路とスロットを電磁的に結合する構造になっている。
【０００４】
図４は従来のスロットアンテナを示す多層基板の断面図である。図において、１０１はスルーホール、１０２はストリップ導体の接続導体、１０３はトリプレート型ストリップ線路、１０４はスロット孔である。放射素子としては、スロットアンテナが用いられ、ＲＦ信号回路を含めてトリプレート型ストリップ線路１０３で構成され、これらが多層基板構成にされている。電磁波はこれらのＲＦ信号回路を経由してスロット孔１０４から放射され、各誘電体基板間は多数のスルーホール１０１により接続されている。また、スロットアンテナの周辺にも多数のスルーホール１０１が形成されている（例えば、電子通信学会総合全国大会講演論文集（１９８２）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の従来例においては、次のような欠点を有している。つまり、アンテナ給電線路がＲＦ信号回路と一体化して、多層基板構成をとる場合、基板間の導体接続を多く必要とし、平行平板モードを抑制するためスロット孔周辺にも接地導体板間を接続する多数のスルーホールを必要とするなど、給電回路の構造が複雑になり、作製が極めて困難になるという課題があった。
【０００６】
また、システムを小型にできる点ではメリットを有するが、スロット孔のインピーダンスと空間のインピーダンスにミスマッチがあり、アンテナとしての効率が一般的に低いものであった。
【０００７】
本発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、高効率で小型、軽量でかつ高効率なアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールは、マイクロ波回路またはミリ波回路が形成された半導体チップと、半導体チップを搭載する高周波回路線路と、第１のスロット孔を介して高周波回路線路と電磁界結合するアンテナ給電線路と、該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を備えてなり、第２のスロット孔は、アンテナ給電線路により給電される給電スロット孔と、アンテナ給電線路から給電されず、給電スロット孔から多層基板内に漏れて導体層により反射した漏れ電磁波を放射する無給電スロット孔とを交互に配し、無給電スロット孔と給電スロット孔との間隔は、λを実効波長、ｎを１以上の整数としたときに、略（０．５＋ｎ）λであることを特徴とする。
【００１２】
アンテナ一体化マイクロ波ミリ波モジュールは、前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長としたときに、略１．５λであることを特徴とする。
【００１３】
アンテナ一体化マイクロ波ミリ波モジュールは、前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成されており、前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線路が形成され、第１の内層に第１のスロット孔が形成され、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第２の内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表面の対面である第２の表面に第２のスロット孔が形成されており、第２の表面に、有機基板が貼り合わされてことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一の機能を有するものは同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
図１は、（ａ）本実施の形態のアンテナ一体化モジュールの断面図、（ｂ）貼り合わせ部の拡大図である。なお、本実施の形態では、本発明を６０ＧＨｚ帯のミリ波モジュールに適用した例について説明する。
【００１６】
図１において、１ａは第１の誘電体基板、１ｂは第２の誘電体基板、１ｃは第３の誘電体基板であり、１は１ａ、１ｂ、１ｃから構成される多層基板である。２は高周波回路線路（マイクロストリップ線路）、３、６は導体層、４、１０はスロット孔、５はアンテナ給電線路、７は有機基板、８は半導体チップ、９は金属キャップ、１１は接着層（樹脂層）である。
【００１７】
第１の誘電体基板１ａの一方の面（多層基板１における第１の表面）には高周波回路線路２が金メッキにより形成され、第３の誘電体基板１ｃの一方の面（多層基板１における第２の表面）には、アンテナ素子となる複数のスロット孔１０（例えば１６素子、３６素子等のスロット孔）を有する導体層６と、他面（多層基板１における第２の内層）には、複数のスロット孔１０に給電するアンテナ給電線路５が形成されている。また第２の誘電体基板１ｂの一方の面（多層基板１における第１の内層）には、略全面にスロット孔４を備えた導体層３が形成されている。なお、直流信号や中間周波数信号を内部から外部へ出すための多層基板１の周囲には、スルーホールが配置されているが、ここでは図示しない。
【００１８】
多層基板１は線膨張係数が４〜１０ｐｐｍ／℃のセラミック基板であり、１５０μｍ厚の３層からなり、全体の厚みは４５０μｍ厚である。多層基板１の表層の高周波回路線路２上に搭載する半導体チップ８は、従来技術であるボールボンド法によりＡｕバンプが形成されており、そのＡｕバンプを介し、熱圧着によるフリップチップ法により多層基板１上に接続されている。なお、このセラミック基板としては、厚膜回路基板、薄膜回路基板、特殊機能基板等を用いることができる。
【００１９】
また、金属キャップ９はコバール等の片面に半田材料をクラッドした材質からなり、半田付けにより多層基板１に固定されている。
【００２０】
有機基板７は、有機樹脂、有機樹脂からなる複合材料等からなる基板（具体例：ガラスフッ素基板）であり、厚みは接着層１１と合わせて３５０μｍ厚から８００μｍ厚である。
【００２１】
次に、多層基板１に形成されたアンテナ給電線路５、高周波回路線路２、スロット孔４、１０の配置関係を説明する。図２はその位置関係を示す図であり、図１の多層基板１を層厚方向に見た図である。
【００２２】
この図に示すように、第２の誘電体基板１ｂに形成されたスロット孔４に対して、第１の誘電体基板１ａに形成された高周波線路２、及び、第３の誘電体基板１ｃに形成されたアンテナ給電線路５は、層厚方向に重なるように配置されている。
【００２３】
第３の誘電体基板１ｃに形成されたスロット孔１０は、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂとから構成されており、給電スロット孔１０ａのみが、アンテナ給電線路５と層厚方向に重なるよう配置されている。すなわち、給電スロット孔１０ａのみがアンテナ給電線路５により給電されることとなっている。
【００２４】
また、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂは、スロット孔の伸びる方向に垂直な方向（電波が伝搬する方向（図中Ｘ方向））に交互に設けられており、各間隔は多層基板１中における波長（以下、実効波長と記す）の略１．５倍に設定されている。
【００２５】
以上説明した構成の本実施の形態のアンテナ一体化モジュールでは、半導体チップ８が接続された高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号が、スロット孔４との構成で生じる電磁結合により、アンテナ給電線路５を介し、スロット孔１０ａに給電され、放射される。
【００２６】
このスロット孔１０ａから放射された電磁波の一部は、多層基板内に洩れ、導体層３で反射される。この電磁波はスロット孔１０ａの伸びる方向に対して垂直方向に、より顕著に洩れる。また、電磁波は導体層３で反射する位相が反転する。ここで、アンテナ給電線路５で給電されるスロット孔１０ａに対して、多層基板内での実効波長に対して略１．５波長に相当する位置に無給電のスロット孔１０ｂがあり、且つ、給電スロット孔１０ａと導体層３との間隔が実効波長に対して無視できるほど小さいため、上記の洩れ電磁波は、給電スロット孔１０ａと同位相で無給電スロット孔１０ｂから放射されることになる。したがって、無給電スロット孔１０ｂは無給電であるにも関わらず、あたかも給電スロット孔１０ａと同様に働く。
【００２７】
以上より、本来は洩れ電磁波として基板端から放射される無効な電磁波を、本実施の形態の構成では、所望の電磁波として放射することが可能となる。
【００２８】
また、本実施の形態のように配列することにより、例えば、図２に記載の例では給電スロット孔１０ａが１６素子であるのに対して、全スロット孔数は３６素子となり、全体として給電スロット孔１０ａの２倍以上のスロット孔を具備することが可能となる。したがって、すべてのスロット孔に対して給電する場合と比較して、アンテナ給電線路５を短くすることが可能であるため、アンテナ給電線路５における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
【００２９】
なお、ここでは、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔を実効波長の略１．５倍にとしたが、これに限るものではなく、多層基板１内での実効波長に対して、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは０以上の整数）であれば、それぞれのスロット孔から放射される電磁波の位相が同相となる。但し、上記間隔が実効波長の略０．５倍であるときには、給電スロット孔１０ａ同士の間隔の間隔が略１波長となり、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されることになるため、電磁波が弱められてしまう。したがって、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔は、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。ここで、ｎが大きくなると、無給電スロット１０ｂからの放射量が減るため、ｎ＝１のときに最も大きな効果を得ることができる。なお、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔が実効波長の（０．５＋ｎ）倍（ｎは１以上の整数）である場合（例えば１．５倍である場合）、給電スロット孔１０ａ同士の間隔は略（１＋２ｎ）波長分（例えば３波長分）となり、上述のように、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されることになるが、それらの間隔は３波長以上であるため、ほとんど問題とはならない。
【００３０】
次に、有機基板７について説明する。
【００３１】
上述したように、有機基板７は多層基板１に対して電磁波の放射側に貼り合わせられている。この貼り合わせは、例えば以下のように行う。まず、半導体チップ８が搭載された多層基板１の他方の面上に、接着剤や樹脂をディスペンサー等で塗布し、貼りあわせる基板コーナーには位置ずれ防止のために、仮止め用のＵＶ樹脂を前記接着剤や前記樹脂と同様に多層基板の他方の面上に塗布する。次に、金属キャップ９された多層基板１をステージ内に加工した凹状を有する部分に載置し吸着する。前記有機基板７を加圧ツールに吸着させ、前記多層基板１と前記有機基板７を位置合せし、接着剤や樹脂を介し、基板１，７同士を貼り付ける。
【００３２】
本実施の形態のアンテナ一体化モジュールでは、多層基板１上の高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号はスロット孔４との構成で生じる電磁界結合により、アンテナ給電線路５を介し、複数のスロット孔１０に給電される。有機基板７を有していない場合、スロット孔１０のインピーダンスは空間のインピーダンスと異なるため、前記複数からなるスロット孔１０から空間に直接、電磁波を放射しようとしても、インピーダンス不整合により反射され、アンテナ特性の低下が生じる。そこで、本実施の形態では、複数のスロット孔１０を全面覆うように、有機基板７を貼り合わせることにより、各スロット孔１０から放射される有機基板内の表面波を互いに相殺し、電波を高効率で空間に放射することを可能としている。
【００３３】
図３は、有機基板厚７に対するスロットアンテナの６０ＧＨｚ帯でのアンテナ特性のシミュレーション結果を示す図である。この図より、特に、有機基板厚７が６００μｍ厚であるときにアンテナゲインが最大となり、３５０μｍから８００μｍ厚程度が好ましいことが分かる。実際には、貼り合わせに用いる接着層（樹脂層）１１の厚みもアンテナ特性に関係してくるため、モジュールを構成する有機基板７と接着層１１の厚みの合計が、３５０μｍ厚から８００μｍ厚（有機基板７内での実効波長の０．１倍〜０．３倍）程度が望ましい。なお、ここでは、接着層１１は有機基板７よりもはるかに薄いため、接着層１１の屈折率等の特性は有機基板７と同等であると仮定している。
【００３４】
ところで、線膨張係数が１桁異なる有機基板７を多層基板１の一体化すると、通常２５ｍｍあたり１０μｍ以上の反りが生じる。本実施の形態では、それを防止するために、有機基板７を多層基板１に貼り付ける接着層１１としては、シリコーン系樹脂を使用し、その厚さを２５μｍ〜１００μｍとすることにより搭載されている半導体チップに過剰な負荷を与えず、高い信頼性を有するモジュールを得ることができる。また、低加圧で基板同士を貼り合わせることが可能になる。
【００３５】
さらに、フッ素系樹脂等の誘電率が小さい接着剤や樹脂、例えば３．５以下の誘電率である接着剤や樹脂を用いることにより、更なるアンテナ特性の向上が可能になる。
【００３６】
次に具体例について説明する。
【００３７】
（実施例１）
比誘電率４〜１０のセラミックからなる多層基板１として、比誘電率８．９のアルミナセラミックを用い、高周波回路線路２とスロット孔４を有する導体層３をタングステンメタライズによって同時焼成して形成し、その後、高周波回路線路２と導体層６の表面に金メッキを施した。また、複数からなるスロット孔１０の表面には、接着剤（樹脂）としてシリコーン樹脂（誘電率３．１）を用い、接着剤（樹脂）の厚みを変化させたサンプルと有機基板厚を変化させたサンプルを試作した。
【００３８】
なお、接着剤（樹脂）の厚みは、貼り合わせる時や樹脂硬化時の加圧条件によりコントロールでき、本実施例では、接着層（樹脂層）１１の厚みを２５μｍ厚と１００μｍ厚のサンプルを作製した。
【００３９】
多層基板１と有機基板７を貼合せ、実際にサンプルを作製し、測定した結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
表１に示すように、複数のスロット孔１０上に有機基板７を貼り合わせる事により、高効率のアンテナが形成出来ることが示唆される。特に、トータル厚み（有機基板厚＋接着層厚）が６２５μｍ厚の場合が最も高ゲインであった。
【００４２】
（実施例２）
複数のスロット孔１０の表面に、接着剤（樹脂）として、シリコーン樹脂より誘電率（２．９）が低いフッ素系樹脂を用い、多層基板１と有機基板７を貼合せ、実施例１と同様に、実際にサンプルを作製し、測定した結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】
表２と表１を比較すると、有機基板７の厚さ（４５０μｍ、６００μｍ）及び接着層の厚さ（１００μｍ）が同じ場合、表２の誘電率が低いフッ素系樹脂（フッ素を含有する樹脂）を用いた方が、高効率化を実現できることが分かる。
【００４５】
以上、本実施の形態について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ここでは６０ＧＨｚ帯に使用する場合について述べたが、この周波数に限るものではない。特に周波数が５０〜７０ＧＨｚでは、上述した実施の形態と同一の構成により同一の効果を得ることができる。また、モジュールの構成も図１に限るものではない。さらに、図２にて示したスロット孔１０も、１６素子に給電している場合を説明したが、この場合限りではなく、異なる素子数の場合でも効果は同様である。また、ここでは給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂを交互に配列したが、スロット孔１０の伸びる方向に垂直な方向における、各給電スロット孔１０ａ間に無給電スロット孔１０ｂを２個づつ配置しても良い。
【００４６】
【発明の効果】
本発明では、有機基板を貼り合わせることにより、また、さらに接着層も含めた全体の厚さを規定することにより、スロットアンテナの効率を上げることが可能になり、高効率なスロットアンテナを得ることができる。したがって、特性が良好なアンテナ一体化マイクロ・ミリ波モジュールを提供できる。
【００４７】
また、スロット孔を給電スロット孔と無給電スロット孔とで構成することにより、アンテナ給電線路における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールの実施の形態を示す図である。
【図２】図１におけるスロット孔、アンテナ給電線路等の配置を示す図である。
【図３】有機基板厚とゲインとの関係を示す図である。
【図４】従来のスロットアンテナを示す多層基板の断面図である。
【符号の説明】
１ 多層基板
１ａ 第１の誘電体基板
１ｂ 第２の誘電体基板
１ｃ 第３の誘電体基板
２ 高周波回路線路（マイクロストリップ線路）
３、６ 導体層
４、１０ スロット孔
５ アンテナ給電線路
７ 有機基板
８ 半導体チップ
９ 金属キャップ
１０ａ 給電スロット孔
１０ｂ 無給電スロット孔
１１ 接着層（樹脂層）
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール構造に関し、特に、アンテナ効率と指向性を向上させたスロットアンテナを一体化したマイクロ波・ミリ波モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報量の増大に伴い、高速・大容量データ伝送手段として、マイクロ波やミリ波のような高周波での無線通信が注目されている。このような通信においては送受信機として、アンテナとマイクロ波・ミリ波回路とを一体化させた、小型・軽量で高性能のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波回路が必要となってくる。
【０００３】
従来のスロットアンテナは、マイクロストリップ線路のストリップ導体の開放端に対し、誘電体を介して、対抗する位置にスロットを設け、マイクロストリップ線路とスロットを電磁的に結合する構造になっている。
【０００４】
図４は従来のスロットアンテナを示す多層基板の断面図である。図において、１０１はスルーホール、１０２はストリップ導体の接続導体、１０３はトリプレート型ストリップ線路、１０４はスロット孔である。放射素子としては、スロットアンテナが用いられ、ＲＦ信号回路を含めてトリプレート型ストリップ線路１０３で構成され、これらが多層基板構成にされている。電磁波はこれらのＲＦ信号回路を経由してスロット孔１０４から放射され、各誘電体基板間は多数のスルーホール１０１により接続されている。また、スロットアンテナの周辺にも多数のスルーホール１０１が形成されている（例えば、電子通信学会総合全国大会講演論文集（１９８２）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の従来例においては、次のような欠点を有している。つまり、アンテナ給電線路がＲＦ信号回路と一体化して、多層基板構成をとる場合、基板間の導体接続を多く必要とし、平行平板モードを抑制するためスロット孔周辺にも接地導体板間を接続する多数のスルーホールを必要とするなど、給電回路の構造が複雑になり、作製が極めて困難になるという課題があった。
【０００６】
また、システムを小型にできる点ではメリットを有するが、スロット孔のインピーダンスと空間のインピーダンスにミスマッチがあり、アンテナとしての効率が一般的に低いものであった。
【０００７】
本発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、高効率で小型、軽量でかつ高効率なアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールは、マイクロ波回路またはミリ波回路が形成された半導体チップと、半導体チップを搭載する高周波回路線路と、第１のスロット孔を介して高周波回路線路と電磁界結合するアンテナ給電線路と、該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を備えてなり、第２のスロット孔は、アンテナ給電線路により給電される給電スロット孔と、アンテナ給電線路から給電されず、給電スロット孔から多層基板内に漏れて導体層により反射した漏れ電磁波を放射する無給電スロット孔とを交互に配し、無給電スロット孔と給電スロット孔との間隔は、λを実効波長、ｎを１以上の整数としたときに、略（０．５＋ｎ）λであることを特徴とする。
【００１２】
アンテナ一体化マイクロ波ミリ波モジュールは、前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長としたときに、略１．５λであることを特徴とする。
【００１３】
アンテナ一体化マイクロ波ミリ波モジュールは、前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成されており、前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線路が形成され、第１の内層に第１のスロット孔が形成され、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第２の内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表面の対面である第２の表面に第２のスロット孔が形成されており、第２の表面に、有機基板が貼り合わされてことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一の機能を有するものは同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
図１は、（ａ）本実施の形態のアンテナ一体化モジュールの断面図、（ｂ）貼り合わせ部の拡大図である。なお、本実施の形態では、本発明を６０ＧＨｚ帯のミリ波モジュールに適用した例について説明する。
【００１６】
図１において、１ａは第１の誘電体基板、１ｂは第２の誘電体基板、１ｃは第３の誘電体基板であり、１は１ａ、１ｂ、１ｃから構成される多層基板である。２は高周波回路線路（マイクロストリップ線路）、３、６は導体層、４、１０はスロット孔、５はアンテナ給電線路、７は有機基板、８は半導体チップ、９は金属キャップ、１１は接着層（樹脂層）である。
【００１７】
第１の誘電体基板１ａの一方の面（多層基板１における第１の表面）には高周波回路線路２が金メッキにより形成され、第３の誘電体基板１ｃの一方の面（多層基板１における第２の表面）には、アンテナ素子となる複数のスロット孔１０（例えば１６素子、３６素子等のスロット孔）を有する導体層６と、他面（多層基板１における第２の内層）には、複数のスロット孔１０に給電するアンテナ給電線路５が形成されている。また第２の誘電体基板１ｂの一方の面（多層基板１における第１の内層）には、略全面にスロット孔４を備えた導体層３が形成されている。なお、直流信号や中間周波数信号を内部から外部へ出すための多層基板１の周囲には、スルーホールが配置されているが、ここでは図示しない。
【００１８】
多層基板１は線膨張係数が４〜１０ｐｐｍ／℃のセラミック基板であり、１５０μｍ厚の３層からなり、全体の厚みは４５０μｍ厚である。多層基板１の表層の高周波回路線路２上に搭載する半導体チップ８は、従来技術であるボールボンド法によりＡｕバンプが形成されており、そのＡｕバンプを介し、熱圧着によるフリップチップ法により多層基板１上に接続されている。なお、このセラミック基板としては、厚膜回路基板、薄膜回路基板、特殊機能基板等を用いることができる。
【００１９】
また、金属キャップ９はコバール等の片面に半田材料をクラッドした材質からなり、半田付けにより多層基板１に固定されている。
【００２０】
有機基板７は、有機樹脂、有機樹脂からなる複合材料等からなる基板（具体例：ガラスフッ素基板）であり、厚みは接着層１１と合わせて３５０μｍ厚から８００μｍ厚である。
【００２１】
次に、多層基板１に形成されたアンテナ給電線路５、高周波回路線路２、スロット孔４、１０の配置関係を説明する。図２はその位置関係を示す図であり、図１の多層基板１を層厚方向に見た図である。
【００２２】
この図に示すように、第２の誘電体基板１ｂに形成されたスロット孔４に対して、第１の誘電体基板１ａに形成された高周波線路２、及び、第３の誘電体基板１ｃに形成されたアンテナ給電線路５は、層厚方向に重なるように配置されている。
【００２３】
第３の誘電体基板１ｃに形成されたスロット孔１０は、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂとから構成されており、給電スロット孔１０ａのみが、アンテナ給電線路５と層厚方向に重なるよう配置されている。すなわち、給電スロット孔１０ａのみがアンテナ給電線路５により給電されることとなっている。
【００２４】
また、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂは、スロット孔の伸びる方向に垂直な方向（電波が伝搬する方向（図中Ｘ方向））に交互に設けられており、各間隔は多層基板１中における波長（以下、実効波長と記す）の略１．５倍に設定されている。
【００２５】
以上説明した構成の本実施の形態のアンテナ一体化モジュールでは、半導体チップ８が接続された高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号が、スロット孔４との構成で生じる電磁結合により、アンテナ給電線路５を介し、スロット孔１０ａに給電され、放射される。
【００２６】
このスロット孔１０ａから放射された電磁波の一部は、多層基板内に洩れ、導体層３で反射される。この電磁波はスロット孔１０ａの伸びる方向に対して垂直方向に、より顕著に洩れる。また、電磁波は導体層３で反射する位相が反転する。ここで、アンテナ給電線路５で給電されるスロット孔１０ａに対して、多層基板内での実効波長に対して略１．５波長に相当する位置に無給電のスロット孔１０ｂがあり、且つ、給電スロット孔１０ａと導体層３との間隔が実効波長に対して無視できるほど小さいため、上記の洩れ電磁波は、給電スロット孔１０ａと同位相で無給電スロット孔１０ｂから放射されることになる。したがって、無給電スロット孔１０ｂは無給電であるにも関わらず、あたかも給電スロット孔１０ａと同様に働く。
【００２７】
以上より、本来は洩れ電磁波として基板端から放射される無効な電磁波を、本実施の形態の構成では、所望の電磁波として放射することが可能となる。
【００２８】
また、本実施の形態のように配列することにより、例えば、図２に記載の例では給電スロット孔１０ａが１６素子であるのに対して、全スロット孔数は３６素子となり、全体として給電スロット孔１０ａの２倍以上のスロット孔を具備することが可能となる。したがって、すべてのスロット孔に対して給電する場合と比較して、アンテナ給電線路５を短くすることが可能であるため、アンテナ給電線路５における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
【００２９】
なお、ここでは、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔を実効波長の略１．５倍にとしたが、これに限るものではなく、多層基板１内での実効波長に対して、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは０以上の整数）であれば、それぞれのスロット孔から放射される電磁波の位相が同相となる。但し、上記間隔が実効波長の略０．５倍であるときには、給電スロット孔１０ａ同士の間隔の間隔が略１波長となり、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されることになるため、電磁波が弱められてしまう。したがって、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔は、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。ここで、ｎが大きくなると、無給電スロット１０ｂからの放射量が減るため、ｎ＝１のときに最も大きな効果を得ることができる。なお、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂの間隔が実効波長の（０．５＋ｎ）倍（ｎは１以上の整数）である場合（例えば１．５倍である場合）、給電スロット孔１０ａ同士の間隔は略（１＋２ｎ）波長分（例えば３波長分）となり、上述のように、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されることになるが、それらの間隔は３波長以上であるため、ほとんど問題とはならない。
【００３０】
次に、有機基板７について説明する。
【００３１】
上述したように、有機基板７は多層基板１に対して電磁波の放射側に貼り合わせられている。この貼り合わせは、例えば以下のように行う。まず、半導体チップ８が搭載された多層基板１の他方の面上に、接着剤や樹脂をディスペンサー等で塗布し、貼りあわせる基板コーナーには位置ずれ防止のために、仮止め用のＵＶ樹脂を前記接着剤や前記樹脂と同様に多層基板の他方の面上に塗布する。次に、金属キャップ９された多層基板１をステージ内に加工した凹状を有する部分に載置し吸着する。前記有機基板７を加圧ツールに吸着させ、前記多層基板１と前記有機基板７を位置合せし、接着剤や樹脂を介し、基板１，７同士を貼り付ける。
【００３２】
本実施の形態のアンテナ一体化モジュールでは、多層基板１上の高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号はスロット孔４との構成で生じる電磁界結合により、アンテナ給電線路５を介し、複数のスロット孔１０に給電される。有機基板７を有していない場合、スロット孔１０のインピーダンスは空間のインピーダンスと異なるため、前記複数からなるスロット孔１０から空間に直接、電磁波を放射しようとしても、インピーダンス不整合により反射され、アンテナ特性の低下が生じる。そこで、本実施の形態では、複数のスロット孔１０を全面覆うように、有機基板７を貼り合わせることにより、各スロット孔１０から放射される有機基板内の表面波を互いに相殺し、電波を高効率で空間に放射することを可能としている。
【００３３】
図３は、有機基板厚７に対するスロットアンテナの６０ＧＨｚ帯でのアンテナ特性のシミュレーション結果を示す図である。この図より、特に、有機基板厚７が６００μｍ厚であるときにアンテナゲインが最大となり、３５０μｍから８００μｍ厚程度が好ましいことが分かる。実際には、貼り合わせに用いる接着層（樹脂層）１１の厚みもアンテナ特性に関係してくるため、モジュールを構成する有機基板７と接着層１１の厚みの合計が、３５０μｍ厚から８００μｍ厚（有機基板７内での実効波長の０．１倍〜０．３倍）程度が望ましい。なお、ここでは、接着層１１は有機基板７よりもはるかに薄いため、接着層１１の屈折率等の特性は有機基板７と同等であると仮定している。
【００３４】
ところで、線膨張係数が１桁異なる有機基板７を多層基板１の一体化すると、通常２５ｍｍあたり１０μｍ以上の反りが生じる。本実施の形態では、それを防止するために、有機基板７を多層基板１に貼り付ける接着層１１としては、シリコーン系樹脂を使用し、その厚さを２５μｍ〜１００μｍとすることにより搭載されている半導体チップに過剰な負荷を与えず、高い信頼性を有するモジュールを得ることができる。また、低加圧で基板同士を貼り合わせることが可能になる。
【００３５】
さらに、フッ素系樹脂等の誘電率が小さい接着剤や樹脂、例えば３．５以下の誘電率である接着剤や樹脂を用いることにより、更なるアンテナ特性の向上が可能になる。
【００３６】
次に具体例について説明する。
【００３７】
（実施例１）
比誘電率４〜１０のセラミックからなる多層基板１として、比誘電率８．９のアルミナセラミックを用い、高周波回路線路２とスロット孔４を有する導体層３をタングステンメタライズによって同時焼成して形成し、その後、高周波回路線路２と導体層６の表面に金メッキを施した。また、複数からなるスロット孔１０の表面には、接着剤（樹脂）としてシリコーン樹脂（誘電率３．１）を用い、接着剤（樹脂）の厚みを変化させたサンプルと有機基板厚を変化させたサンプルを試作した。
【００３８】
なお、接着剤（樹脂）の厚みは、貼り合わせる時や樹脂硬化時の加圧条件によりコントロールでき、本実施例では、接着層（樹脂層）１１の厚みを２５μｍ厚と１００μｍ厚のサンプルを作製した。
【００３９】
多層基板１と有機基板７を貼合せ、実際にサンプルを作製し、測定した結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
表１に示すように、複数のスロット孔１０上に有機基板７を貼り合わせる事により、高効率のアンテナが形成出来ることが示唆される。特に、トータル厚み（有機基板厚＋接着層厚）が６２５μｍ厚の場合が最も高ゲインであった。
【００４２】
（実施例２）
複数のスロット孔１０の表面に、接着剤（樹脂）として、シリコーン樹脂より誘電率（２．９）が低いフッ素系樹脂を用い、多層基板１と有機基板７を貼合せ、実施例１と同様に、実際にサンプルを作製し、測定した結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
表２と表１を比較すると、有機基板７の厚さ（４５０μｍ、６００μｍ）及び接着層の厚さ（１００μｍ）が同じ場合、表２の誘電率が低いフッ素系樹脂（フッ素を含有する樹脂）を用いた方が、高効率化を実現できることが分かる。
【００４５】
以上、本実施の形態について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ここでは６０ＧＨｚ帯に使用する場合について述べたが、この周波数に限るものではない。特に周波数が５０〜７０ＧＨｚでは、上述した実施の形態と同一の構成により同一の効果を得ることができる。また、モジュールの構成も図１に限るものではない。さらに、図２にて示したスロット孔１０も、１６素子に給電している場合を説明したが、この場合限りではなく、異なる素子数の場合でも効果は同様である。また、ここでは給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔１０ｂを交互に配列したが、スロット孔１０の伸びる方向に垂直な方向における、各給電スロット孔１０ａ間に無給電スロット孔１０ｂを２個づつ配置しても良い。
【００４６】
【発明の効果】
本発明では、有機基板を貼り合わせることにより、また、さらに接着層も含めた全体の厚さを規定することにより、スロットアンテナの効率を上げることが可能になり、高効率なスロットアンテナを得ることができる。したがって、特性が良好なアンテナ一体化マイクロ・ミリ波モジュールを提供できる。
【００４７】
また、スロット孔を給電スロット孔と無給電スロット孔とで構成することにより、アンテナ給電線路における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールの実施の形態を示す図である。
【図２】図１におけるスロット孔、アンテナ給電線路等の配置を示す図である。
【図３】有機基板厚とゲインとの関係を示す図である。
【図４】従来のスロットアンテナを示す多層基板の断面図である。
【符号の説明】
１ 多層基板
１ａ 第１の誘電体基板
１ｂ 第２の誘電体基板
１ｃ 第３の誘電体基板
２ 高周波回路線路（マイクロストリップ線路）
３、６ 導体層
４、１０ スロット孔
５ アンテナ給電線路
７ 有機基板
８ 半導体チップ
９ 金属キャップ
１０ａ 給電スロット孔
１０ｂ 無給電スロット孔
１１ 接着層（樹脂層）
Claims (3)
- マイクロ波回路またはミリ波回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する高周波回路線路と、
第１のスロット孔を介して前記高周波回路線路と電磁界結合するアンテナ給電線路と、
該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を備えてなり、
第２のスロット孔は、前記アンテナ給電線路により給電される給電スロット孔と、前記アンテナ給電線路から給電されず、前記給電スロット孔から多層基板内に漏れて導体層により反射した漏れ電磁波を放射する無給電スロット孔とを交互に配し、
前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長、ｎを１以上の整数としたときに、略（０．５＋ｎ）λであることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ
波・ミリ波モジュール。 - 請求項１に記載のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長としたときに、略１．５λであることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール。
- 請求項１または請求項２に記載のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成されており、前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線路が形成され、第１の内層に第１のスロット孔が形成され、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第２の内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表面の対面である第２の表面に第２のスロット孔が形成されており、第２の表面に、有機基板が貼り合わされていることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
| US09/835,356 US6388623B1 (en) | 2000-04-18 | 2001-04-17 | Antenna-integrated microwave-millimeter wave module |
| DE10118742A DE10118742B4 (de) | 2000-04-18 | 2001-04-17 | Mikrowellen-Millimeterwellen-Modul mit integrierter Antenne |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308631A JP2001308631A (ja) | 2001-11-02 |
| JP3629399B2 true JP3629399B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=18627521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A Expired - Fee Related JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6388623B1 (ja) |
| JP (1) | JP3629399B2 (ja) |
| DE (1) | DE10118742B4 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000295030A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 高周波装置およびその製造方法 |
| JP3570359B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-29 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| US6633260B2 (en) * | 2001-10-05 | 2003-10-14 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Electromechanical switching for circuits constructed with flexible materials |
| US6818985B1 (en) * | 2001-12-22 | 2004-11-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Embedded antenna and semiconductor die on a substrate in a laminate package |
| WO2005041352A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Proofcap Ab | Device with integrated antenna for encapsulation of radio electronics and a method for fabrication of such devices |
| AU2003248649A1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-12-22 | University Of Florida | High gain integrated antenna and devices therefrom |
| FR2847726B1 (fr) * | 2002-11-27 | 2005-03-04 | St Microelectronics Sa | Module radiofrequence |
| JP2004260786A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Fujitsu Ltd | アンテナ素子、平面アンテナ、配線基板及び通信装置 |
| US7444734B2 (en) * | 2003-12-09 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate |
| DE102004029440A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Sende-/Empfangs-Einrichtung |
| US7057564B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-06-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multilayer cavity slot antenna |
| US7511664B1 (en) * | 2005-04-08 | 2009-03-31 | Raytheon Company | Subassembly for an active electronically scanned array |
| US7456789B1 (en) | 2005-04-08 | 2008-11-25 | Raytheon Company | Integrated subarray structure |
| US7391382B1 (en) * | 2005-04-08 | 2008-06-24 | Raytheon Company | Transmit/receive module and method of forming same |
| DE102006023123B4 (de) * | 2005-06-01 | 2011-01-13 | Infineon Technologies Ag | Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse |
| DE602006010168D1 (de) * | 2006-01-24 | 2009-12-17 | Nokia Siemens Networks Spa | Antennenvorrichtung mit ungleichmäßig beabstandeten Elementen |
| US7477197B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | Intel Corporation | Package level integration of antenna and RF front-end module |
| US8077095B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-12-13 | Intel Corporation | Multi-band highly isolated planar antennas integrated with front-end modules for mobile applications |
| JP5446718B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、無線伝送システム |
| WO2011056774A2 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | Digi International Inc. | Compact satellite antenna |
| JP5172925B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
| US9172131B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor structure having aperture antenna |
| US9825597B2 (en) | 2015-12-30 | 2017-11-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Impedance transformation circuit for amplifier |
| US10062670B2 (en) | 2016-04-18 | 2018-08-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal |
| US10297913B2 (en) * | 2016-05-04 | 2019-05-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Shielded radio frequency component with integrated antenna |
| JP6687469B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2020-04-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | ミリ波帯通信装置 |
| US10515924B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-12-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency modules |
| CN110828962B (zh) | 2018-08-09 | 2021-08-03 | 财团法人工业技术研究院 | 天线阵列模块及其制造方法 |
| CN110717306B (zh) * | 2019-10-10 | 2023-03-14 | 博微太赫兹信息科技有限公司 | 一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2840493B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1998-12-24 | 株式会社日立製作所 | 一体型マイクロ波回路 |
| US5455594A (en) * | 1992-07-16 | 1995-10-03 | Conductus, Inc. | Internal thermal isolation layer for array antenna |
| JP3141692B2 (ja) * | 1994-08-11 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | ミリ波用検波器 |
| US5463404A (en) * | 1994-09-30 | 1995-10-31 | E-Systems, Inc. | Tuned microstrip antenna and method for tuning |
| US5596336A (en) * | 1995-06-07 | 1997-01-21 | Trw Inc. | Low profile TEM mode slot array antenna |
| FR2743199B1 (fr) * | 1996-01-03 | 1998-02-27 | Europ Agence Spatiale | Antenne reseau plane hyperfrequence receptrice et/ou emettrice, et son application a la reception de satellites de television geostationnaires |
| JPH09307342A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| JP3472430B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | アンテナ一体化高周波回路 |
| JP3373753B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-02-04 | 株式会社東芝 | 超高周波帯無線通信装置 |
| US6114997A (en) * | 1998-05-27 | 2000-09-05 | Raytheon Company | Low-profile, integrated radiator tiles for wideband, dual-linear and circular-polarized phased array applications |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116010A patent/JP3629399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-17 US US09/835,356 patent/US6388623B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-17 DE DE10118742A patent/DE10118742B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6388623B1 (en) | 2002-05-14 |
| DE10118742B4 (de) | 2007-11-22 |
| US20020070901A1 (en) | 2002-06-13 |
| JP2001308631A (ja) | 2001-11-02 |
| DE10118742A1 (de) | 2001-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040708 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041104 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041130 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
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