JPH0676625A - 多層構造の誘電体部材およびその形成方法 - Google Patents
多層構造の誘電体部材およびその形成方法Info
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- JPH0676625A JPH0676625A JP5160179A JP16017993A JPH0676625A JP H0676625 A JPH0676625 A JP H0676625A JP 5160179 A JP5160179 A JP 5160179A JP 16017993 A JP16017993 A JP 16017993A JP H0676625 A JPH0676625 A JP H0676625A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】極めて近接した2層間の絶縁を実現する誘電体
を提供する。 【構成】多層構造(例えば、磁気抵抗トランスジュー
サ)の少なくとも2層を分離するための誘電体として用
いられる部材を、タンタル(Ta)、ハフニウム(H
f)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、チ
タン(Ti)、またはニオブ(Nb)から選択された金
属の酸化薄膜から構成する。この酸化薄膜は、酸素プラ
ズマ、高温における酸素中への曝露、あるいは紫外線照
射の下における酸素中への曝露のいずれかまたはこれら
の複合により酸化され形成される。
を提供する。 【構成】多層構造(例えば、磁気抵抗トランスジュー
サ)の少なくとも2層を分離するための誘電体として用
いられる部材を、タンタル(Ta)、ハフニウム(H
f)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、チ
タン(Ti)、またはニオブ(Nb)から選択された金
属の酸化薄膜から構成する。この酸化薄膜は、酸素プラ
ズマ、高温における酸素中への曝露、あるいは紫外線照
射の下における酸素中への曝露のいずれかまたはこれら
の複合により酸化され形成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗トランスジュー
サに関し、特に磁気抵抗トランスジューサ内において各
種の金属層を分離するための誘電体として用いられる種
類の材料に関する。
サに関し、特に磁気抵抗トランスジューサ内において各
種の金属層を分離するための誘電体として用いられる種
類の材料に関する。
【0002】
【従来技術と発明が解決しようとする課題】移動する媒
体によって誘発される磁束を感知するための磁気抵抗
(MR)トランスジューサが知られている。双細片(デ
ュアルストライプ)MRトランスジューサは、ボーゲリ
に許可された米国特許第3,860,965号に開示さ
れている。この種の双細片MRトランスジューサは、単
位トラック幅当たりの出力が非常に大きく、共通モード
リジェクションによりノイズレベルが低く、オフトラッ
クレスポンスが線形かつ対称であるので、その設計は現
在技術の最先端に位置するものとみなされる。
体によって誘発される磁束を感知するための磁気抵抗
(MR)トランスジューサが知られている。双細片(デ
ュアルストライプ)MRトランスジューサは、ボーゲリ
に許可された米国特許第3,860,965号に開示さ
れている。この種の双細片MRトランスジューサは、単
位トラック幅当たりの出力が非常に大きく、共通モード
リジェクションによりノイズレベルが低く、オフトラッ
クレスポンスが線形かつ対称であるので、その設計は現
在技術の最先端に位置するものとみなされる。
【0003】この種の設計に従って作成されたトランス
ジューサにおいては、小さい間隔をもって密接配置され
た2個のMR細片は差分的に感知される。MR細片は小
さい間隔をもって密接配置されることが望ましく、理由
は、この種配置によれば、トランスジューサによって読
み取ろうとする磁気媒体の記憶容量が比較的大きくても
差し支えないことに因る。更に、磁気抵抗細片の電流密
度の限界を越えることなしに適切なバイアス条件を確立
できるように、2本の細片は近接していることが必要と
される。
ジューサにおいては、小さい間隔をもって密接配置され
た2個のMR細片は差分的に感知される。MR細片は小
さい間隔をもって密接配置されることが望ましく、理由
は、この種配置によれば、トランスジューサによって読
み取ろうとする磁気媒体の記憶容量が比較的大きくても
差し支えないことに因る。更に、磁気抵抗細片の電流密
度の限界を越えることなしに適切なバイアス条件を確立
できるように、2本の細片は近接していることが必要と
される。
【0004】双細片MRトランスジューサが適切に作動
するためには、2つのMR細片は、少なくとも細片対の
1つの端において相互に電気的に分離されていなければ
ならない。そうでなければ、細片は一緒に短絡され、ト
ランスジューサは作動不可能になる。幾つかのMRトラ
ンスジューサ設計においては、MR細片と近接した強磁
性シールドとの間に均等な小間隔を配置することも有効
である。既に述べたように、有用なMRトランスジュー
サを製造するためには、MR細片シールドに近接配置さ
れ、しかもシールドから電気的に分離された状態を維持
しなければならない。
するためには、2つのMR細片は、少なくとも細片対の
1つの端において相互に電気的に分離されていなければ
ならない。そうでなければ、細片は一緒に短絡され、ト
ランスジューサは作動不可能になる。幾つかのMRトラ
ンスジューサ設計においては、MR細片と近接した強磁
性シールドとの間に均等な小間隔を配置することも有効
である。既に述べたように、有用なMRトランスジュー
サを製造するためには、MR細片シールドに近接配置さ
れ、しかもシールドから電気的に分離された状態を維持
しなければならない。
【0005】図1は、米国特許第3,860,965号
に開示されたタイプの双細片MRトランスジューサの透
視図である。図1には、間隙15を設けるために第1の
MR細片14の軸に沿って間隔配置された導電リード1
0,11から成る第1のMR装置を示す。間隙は、トラ
ンスジューサによって読み取ろうとする媒体の読取りト
ラック幅に対応する作動部分を形成する。双細片MRト
ランスジューサの設計において、間隙15aを形成する
ために第2のMR細片18の軸に沿って間隔を保って配
置された導電リード12、13を備えた第2の装置は、
第1の要素と平行に配置される。
に開示されたタイプの双細片MRトランスジューサの透
視図である。図1には、間隙15を設けるために第1の
MR細片14の軸に沿って間隔配置された導電リード1
0,11から成る第1のMR装置を示す。間隙は、トラ
ンスジューサによって読み取ろうとする媒体の読取りト
ラック幅に対応する作動部分を形成する。双細片MRト
ランスジューサの設計において、間隙15aを形成する
ために第2のMR細片18の軸に沿って間隔を保って配
置された導電リード12、13を備えた第2の装置は、
第1の要素と平行に配置される。
【0006】図2は、双細片MRトランスジューサの断
面図であり、トランスジューサの作動部分を示す。この
ように、2つのMR細片14、18の部分は、相互に平
行間隔を保って配置される。細片の間の間隔16は、M
R内誘電体20によって保たれる。更に別の誘電体2
2、24により、MR細片と強磁性シールド25、26
との間隔が保たれる。空気受け面27により、トランス
ジューサは、読み取ろうとする磁気記憶媒体上で浮動す
る。作動に際しては、電流は、矢印i1,i2方向から
導体内に流れる。これらの電流は、MR細片に沿って伝
播し、感知電流及びバイアス電流の両方として役立つ。
任意の所定時間において間隙15に近接して移動する媒
体の部分からの磁束の瞬間的な値は、双細片MRトラン
スジューサによって測定される。この種の磁束値は、媒
体に記憶されたデータのビットに対応する。
面図であり、トランスジューサの作動部分を示す。この
ように、2つのMR細片14、18の部分は、相互に平
行間隔を保って配置される。細片の間の間隔16は、M
R内誘電体20によって保たれる。更に別の誘電体2
2、24により、MR細片と強磁性シールド25、26
との間隔が保たれる。空気受け面27により、トランス
ジューサは、読み取ろうとする磁気記憶媒体上で浮動す
る。作動に際しては、電流は、矢印i1,i2方向から
導体内に流れる。これらの電流は、MR細片に沿って伝
播し、感知電流及びバイアス電流の両方として役立つ。
任意の所定時間において間隙15に近接して移動する媒
体の部分からの磁束の瞬間的な値は、双細片MRトラン
スジューサによって測定される。この種の磁束値は、媒
体に記憶されたデータのビットに対応する。
【0007】米国特許第3,860,965号はMR細
片の間隔が30nmの場合について開示しているが、こ
の種の装置が実際に作成されたとは表示されていない。
実際、そのように薄い誘電体の厚さを横断して電気的絶
縁を維持することは、双細片MRトランスジューサを実
現するための主要な障害であった。当該技術分野におい
て、約70nm未満の間隔をもつ双細片MRヘッドを確
実かつ再現可能に製造することは非常に困難であること
が研究者の経験とされてきた。主として加工および材料
面における制限条件の結果、2つのMR細片の間を短絡
することが原因である。双細片MRヘッドに関する全て
の開示事項は、MR内誘電体としてスパッタリングされ
たAl2O3,SiO2又はSiO の使用と関係する。ただし、約7
0nm未満の厚さの誘電体に対してMRヘッド内の金属
層の間を分離することは、これらの材料にとって、実際
問題として殆ど不可能である。
片の間隔が30nmの場合について開示しているが、こ
の種の装置が実際に作成されたとは表示されていない。
実際、そのように薄い誘電体の厚さを横断して電気的絶
縁を維持することは、双細片MRトランスジューサを実
現するための主要な障害であった。当該技術分野におい
て、約70nm未満の間隔をもつ双細片MRヘッドを確
実かつ再現可能に製造することは非常に困難であること
が研究者の経験とされてきた。主として加工および材料
面における制限条件の結果、2つのMR細片の間を短絡
することが原因である。双細片MRヘッドに関する全て
の開示事項は、MR内誘電体としてスパッタリングされ
たAl2O3,SiO2又はSiO の使用と関係する。ただし、約7
0nm未満の厚さの誘電体に対してMRヘッド内の金属
層の間を分離することは、これらの材料にとって、実際
問題として殆ど不可能である。
【0008】薄膜誘電体の性質を改良するために、薄膜
の付着後処理を実施する半導体技術に関する開示事項も
呈示されている。このような場合、SiOxNyのゲー
ト誘電体は、5から10nmのSiO2膜を短期間だけ高温
窒素雰囲気に曝すことによって製造されてきた。例え
ば、熱的に窒化された二酸化ケイ素の破壊電界の加工過
程依存性(ラメシュらによるJ.Appl.Phys 70(4),1991
年)を参照されたい。
の付着後処理を実施する半導体技術に関する開示事項も
呈示されている。このような場合、SiOxNyのゲー
ト誘電体は、5から10nmのSiO2膜を短期間だけ高温
窒素雰囲気に曝すことによって製造されてきた。例え
ば、熱的に窒化された二酸化ケイ素の破壊電界の加工過
程依存性(ラメシュらによるJ.Appl.Phys 70(4),1991
年)を参照されたい。
【0009】64MビットDRAMにおけるゲート誘電
体としてTa2O5 を使うことが提案されている。例えば、
THERMCO INTERNATIONAL LABORATORY(DR212.06,日本日刊
リポート、1991年11月12日)を参照されたい。更に、集
積回路構造における容量性誘電体として11205が使
用出来ることが開示済みである。例えば、ヤマザキらに
よって富士通科学技術ジャーナル、1970年12月号
に発表された「単一基質上の高度安定タンタル薄膜CR
回路」を参照されたい。この種開示事項は特に有益では
ないが、類推によって、一般にNiFe膜として形成さ
れるMR細片の製造に有用である。
体としてTa2O5 を使うことが提案されている。例えば、
THERMCO INTERNATIONAL LABORATORY(DR212.06,日本日刊
リポート、1991年11月12日)を参照されたい。更に、集
積回路構造における容量性誘電体として11205が使
用出来ることが開示済みである。例えば、ヤマザキらに
よって富士通科学技術ジャーナル、1970年12月号
に発表された「単一基質上の高度安定タンタル薄膜CR
回路」を参照されたい。この種開示事項は特に有益では
ないが、類推によって、一般にNiFe膜として形成さ
れるMR細片の製造に有用である。
【0010】以上のように、双細片MRトランスジュー
サ技術の全利点、即ち、磁気媒体への非常に高密度のデ
ータ記憶ということは、MR細片の間隔を著しく小さく
しない限り実現不可能である。この事実は、結局、新し
い種類の誘電体が必要であることを意味する。
サ技術の全利点、即ち、磁気媒体への非常に高密度のデ
ータ記憶ということは、MR細片の間隔を著しく小さく
しない限り実現不可能である。この事実は、結局、新し
い種類の誘電体が必要であることを意味する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば磁気抵
抗トランスジューサのような多層構造内の各種金属層を
分離する誘電体として有用な種類の材料を提供する。本
発明は、再現性が良く、著しく微細で高品質の誘電体膜
を供給する。この種の結果は、基質上に薄い金属膜を付
着することによって達成される。このようにして付着さ
れた膜は、その上に酸化物が形成される表面を提供す
る。本発明の好ましい実施例は、Ti、Ta、Hf、Z
r、Y、または、Nbを含む各種金属の薄膜の使用を可
能にする。この種材料の薄膜は、本発明の開示事項に従
って製造すると、厚さ5nmまでの絶縁体として無欠陥
性を維持する誘電体膜を構成する。酸化物は、例えばプ
ラズマに曝すような、酸素を含んでも差し支えの無い周
囲条件に曝すこと及び/又は酸化プロセスによってこの
種金属膜上に形成される。
抗トランスジューサのような多層構造内の各種金属層を
分離する誘電体として有用な種類の材料を提供する。本
発明は、再現性が良く、著しく微細で高品質の誘電体膜
を供給する。この種の結果は、基質上に薄い金属膜を付
着することによって達成される。このようにして付着さ
れた膜は、その上に酸化物が形成される表面を提供す
る。本発明の好ましい実施例は、Ti、Ta、Hf、Z
r、Y、または、Nbを含む各種金属の薄膜の使用を可
能にする。この種材料の薄膜は、本発明の開示事項に従
って製造すると、厚さ5nmまでの絶縁体として無欠陥
性を維持する誘電体膜を構成する。酸化物は、例えばプ
ラズマに曝すような、酸素を含んでも差し支えの無い周
囲条件に曝すこと及び/又は酸化プロセスによってこの
種金属膜上に形成される。
【0012】
【実施例】本発明は、添付図面を参照しながら本説明を
読むことによりよく理解される。本発明は、例えば磁気
抵抗性トランスジューサのような多層構造内において様
々な金属層を分離する誘電体として有益な種類の材料を
提供する。当該技術分野においては、ある種の金属膜は
空気に曝すと非常に酸化し易いことが知られている。多
くの場合、このようにして形成された酸化物の薄い層
は、酸化した金属膜と続いて付着された金属層との間に
効果的な(意図しないことが多いにも拘わらず)絶縁層
を形成することが可能である。本発明は、酸化した金属
膜で構成される誘電体を提供するこの性質を開発する。
読むことによりよく理解される。本発明は、例えば磁気
抵抗性トランスジューサのような多層構造内において様
々な金属層を分離する誘電体として有益な種類の材料を
提供する。当該技術分野においては、ある種の金属膜は
空気に曝すと非常に酸化し易いことが知られている。多
くの場合、このようにして形成された酸化物の薄い層
は、酸化した金属膜と続いて付着された金属層との間に
効果的な(意図しないことが多いにも拘わらず)絶縁層
を形成することが可能である。本発明は、酸化した金属
膜で構成される誘電体を提供するこの性質を開発する。
【0013】−例− ニッケル‐鉄(25nm)/タンタル(15nm)−N
iFe/Ta−フィルムをケイ素ウェーハ上に付着させ
た。このフィルムは、大きさが約14x200マイクロ
メータの長方形に型どった。13日間に亙って空気に曝
し、続いて酸素プラズマに2分間曝した後で、リフトオ
フ加工法により、長方形のいずれかの端部上にタンタル
/金の−Ta/Au−リード(導線)を付着させた。T
a/Auリードの付着に先立って、Taの表面上の酸化
物層を除去するために、型どりしたNiFe/Taフィ
ルムをアルゴンイオンによって数分間エッチング処理す
るという事以外は前記と同様の方法によって、別に3個
のケイ素ウェーハを処理した。次に、Ta/Auリード
を備えたNiFe/Ta細片の抵抗を測定した。アルゴ
ンイオンによるエッチング処理されないウェーハから採
取したNiFe/Ta細片の抵抗は一様に10,000
オームより大きかったが、アルゴンイオンによるエッチ
ング処理したウェーハから採取した細片の抵抗は約15
オームであった。
iFe/Ta−フィルムをケイ素ウェーハ上に付着させ
た。このフィルムは、大きさが約14x200マイクロ
メータの長方形に型どった。13日間に亙って空気に曝
し、続いて酸素プラズマに2分間曝した後で、リフトオ
フ加工法により、長方形のいずれかの端部上にタンタル
/金の−Ta/Au−リード(導線)を付着させた。T
a/Auリードの付着に先立って、Taの表面上の酸化
物層を除去するために、型どりしたNiFe/Taフィ
ルムをアルゴンイオンによって数分間エッチング処理す
るという事以外は前記と同様の方法によって、別に3個
のケイ素ウェーハを処理した。次に、Ta/Auリード
を備えたNiFe/Ta細片の抵抗を測定した。アルゴ
ンイオンによるエッチング処理されないウェーハから採
取したNiFe/Ta細片の抵抗は一様に10,000
オームより大きかったが、アルゴンイオンによるエッチ
ング処理したウェーハから採取した細片の抵抗は約15
オームであった。
【0014】従って、本発明は、薄い金属膜の酸化によ
って超薄片の誘電体(本発明の好ましい実施例において
は5nm以下)を作成可能であることを示す。このよう
に、産業界を悩ましてきた各種金属の酸化の問題は本発
明によって有利に利用される。従って、現行技術におい
てはこの種の酸化を防止し、防止のための方法を提供し
ようとしているが、本発明は、この種の酸化を利用して
非常に薄い誘電体を製造する。この種の誘電体は、驚く
べきことに、双細片(デュアルストライプ)MRヘッド
におけるMR細片(ストライプ)を分離するために使用
可能である。
って超薄片の誘電体(本発明の好ましい実施例において
は5nm以下)を作成可能であることを示す。このよう
に、産業界を悩ましてきた各種金属の酸化の問題は本発
明によって有利に利用される。従って、現行技術におい
てはこの種の酸化を防止し、防止のための方法を提供し
ようとしているが、本発明は、この種の酸化を利用して
非常に薄い誘電体を製造する。この種の誘電体は、驚く
べきことに、双細片(デュアルストライプ)MRヘッド
におけるMR細片(ストライプ)を分離するために使用
可能である。
【0015】本発明は、少なくとも次の理由により、伝
統的な付着誘電体の無欠陥性よりも優れた後処理金属の
誘電的無欠陥性の大幅な改良を提供する。 − 付着された誘電体膜よりも付着された金属の表面被
覆性の方が改良されている。 − 後続酸化処理に際して、付着された金属膜の有効容
積が増大する。
統的な付着誘電体の無欠陥性よりも優れた後処理金属の
誘電的無欠陥性の大幅な改良を提供する。 − 付着された誘電体膜よりも付着された金属の表面被
覆性の方が改良されている。 − 後続酸化処理に際して、付着された金属膜の有効容
積が増大する。
【0016】本発明は、双細片MRヘッドにおいて誘電
体として使用される材料、並びに、この種の材料の製造
方法の両方に関する。本発明の好ましい実施例は、タン
タル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Z
r)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、または、イッ
トリウム(Y)の酸化物の使用を可能にする。当該技術
分野においてこれまでは、これら酸化物のいずれもMR
ヘッド用誘電体としての利用可能性が認められていなか
った。本発明が適用される好ましい金属は、酸素に対し
て親和力が強く、安定して強力に付着した酸化物を形成
する。これらの酸化物は、既知の薄膜付着技術によって
直接付着可能であるはずであるが、本発明の好ましい実
施例においては、前以て付着された薄い金属膜を、高温
において、プラズマにより、紫外線照射の下において、
又は、上記3方法の任意の組み合わせにより、酸化する
ことによって酸化物を製造することが可能である。実験
によれば、Taを300度Cにおいて空気に曝すか、或
いは、酸素プラズマに曝すことにより、5nmまで効果
的に酸化させることが実証されている。
体として使用される材料、並びに、この種の材料の製造
方法の両方に関する。本発明の好ましい実施例は、タン
タル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Z
r)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、または、イッ
トリウム(Y)の酸化物の使用を可能にする。当該技術
分野においてこれまでは、これら酸化物のいずれもMR
ヘッド用誘電体としての利用可能性が認められていなか
った。本発明が適用される好ましい金属は、酸素に対し
て親和力が強く、安定して強力に付着した酸化物を形成
する。これらの酸化物は、既知の薄膜付着技術によって
直接付着可能であるはずであるが、本発明の好ましい実
施例においては、前以て付着された薄い金属膜を、高温
において、プラズマにより、紫外線照射の下において、
又は、上記3方法の任意の組み合わせにより、酸化する
ことによって酸化物を製造することが可能である。実験
によれば、Taを300度Cにおいて空気に曝すか、或
いは、酸素プラズマに曝すことにより、5nmまで効果
的に酸化させることが実証されている。
【0017】この種の超薄誘電体が必要でない場合に
は、既に付着済みの誘電体の上面に薄い金属層を付着さ
せ、その次に、例えばAl2O3 のような薄い金属層を酸化
させる事によって前述の手順を用いることができる。こ
の方法によれば、前記の過程を用いて比較的厚い誘電体
を作ることが可能であり、これに付随してピンホールの
減少が可能になる。好ましい実施例を参照して本発明に
ついて説明してきたが、当該技術分野における熟達者で
あれば、本発明の精神及び適用範囲から逸脱することな
く、本発明の前記以外の応用も可能であることが容易に
認められるはずである。例えば、ここに開示した薄い誘
電体に関する技法は、半導体技術分野において、並び
に、MRトランスジューサの形成において、本発明の精
神及び適用範囲から逸脱することなしに利用できるはず
である。
は、既に付着済みの誘電体の上面に薄い金属層を付着さ
せ、その次に、例えばAl2O3 のような薄い金属層を酸化
させる事によって前述の手順を用いることができる。こ
の方法によれば、前記の過程を用いて比較的厚い誘電体
を作ることが可能であり、これに付随してピンホールの
減少が可能になる。好ましい実施例を参照して本発明に
ついて説明してきたが、当該技術分野における熟達者で
あれば、本発明の精神及び適用範囲から逸脱することな
く、本発明の前記以外の応用も可能であることが容易に
認められるはずである。例えば、ここに開示した薄い誘
電体に関する技法は、半導体技術分野において、並び
に、MRトランスジューサの形成において、本発明の精
神及び適用範囲から逸脱することなしに利用できるはず
である。
【発明の効果】以上の如く本発明によれば極めて近接し
た2層間の絶縁を良好ならしめ、装置の小型化・高密度
化を実現可能とすることができる。
た2層間の絶縁を良好ならしめ、装置の小型化・高密度
化を実現可能とすることができる。
【図1】双細片MRトランスジューサーの従来例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】図1のトランスジューサーの能動領域を示す断
面図である。
面図である。
10、11、12、13:導電リード 14、18:MR細片 15、15a:間隙 20、22、24:誘電体 25、26:強磁性シールド 27:空気受け面
Claims (12)
- 【請求項1】多層構造の少なくとも2層を分離するため
の誘電体として用いられる部材において、タンタル(T
a)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、イ
ットリウム(Y)、チタン(Ti)、およびニオブ(N
b)の群から選択された金属の酸化薄膜からなることを
特徴とする部材。 - 【請求項2】前記酸化薄膜は、酸素を含むプラズマによ
り酸化され形成されることを特徴とする請求項1記載の
部材。 - 【請求項3】前記酸化薄膜は、高温で酸素中に曝される
ことにより酸化され形成されることを特徴とする請求項
1記載の部材。 - 【請求項4】前記酸化薄膜は、紫外線照射の下で酸素中
に曝されることにより酸化され形成されることを特徴と
する請求項1記載の部材。 - 【請求項5】前記酸化薄膜は、酸素を含むプラズマによ
る方法、高温で酸素中に曝される方法、あるいは紫外線
照射の下で酸素中に曝される方法のいずれかの複合によ
り酸化され形成されることを特徴とする請求項1記載の
部材。 - 【請求項6】前記多層構造が磁気抵抗トランスジューサ
であり、前記酸化薄膜が導体層間に形成されることを特
徴とする請求項1乃至5記載の部材。 - 【請求項7】多層構造における少なくとも2層を分離す
るための誘電体を形成する方法において、 前記多層構造の一つの層上にタンタル(Ta)、ハフニ
ウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム
(Y)、チタン(Ti)、またはニオブ(Nb)の群か
ら選択された金属の薄膜を付着するステップと、 前記金属の薄膜を酸化するステップと、 前記酸化された金属の薄膜上に他の層を形成するステッ
プと、 からなることを特徴とする誘電体を形成する方法。 - 【請求項8】前記金属の薄膜は、酸素を含むプラズマに
より酸化されることを特徴とする請求項7記載の誘電体
を形成する方法。 - 【請求項9】前記金属の薄膜は、高温で酸素中に曝され
ることにより酸化されることを特徴とする請求項7記載
の誘電体を形成する方法。 - 【請求項10】前記金属の薄膜は、紫外線照射の下で酸
素中に曝されることにより酸化されることを特徴とする
請求項7記載の誘電体を形成する方法。 - 【請求項11】前記金属の薄膜は、酸素を含むプラズマ
による方法、高温で酸素中に曝される方法、あるいは紫
外線照射の下で酸素中に曝される方法のいずれかの複合
により酸化されることを特徴とする請求項1記載の誘電
体を形成する方法。 - 【請求項12】前記多層構造が磁気抵抗トランスジュー
サであり、前記金属の薄膜が導体層間に形成されること
を特徴とする請求項7乃至11記載の誘電体を形成する
方法。
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US894,398 | 1992-06-05 |
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---|---|
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---|---|
US (1) | US5302461A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US5491605A (en) * | 1994-12-23 | 1996-02-13 | International Business Machines Corporation | Shorted magnetoresistive head elements for electrical overstress and electrostatic discharge protection |
US5831426A (en) * | 1996-08-16 | 1998-11-03 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetic current sensor |
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US5963401A (en) * | 1997-09-29 | 1999-10-05 | Storage Technology Corporation | Magnetic tape head assembly including modules having a plurality of magneto-resistive head elements |
US5997381A (en) * | 1997-09-29 | 1999-12-07 | Storage Technology Corporation | Lapping sensor for thin film recording elements and method for manufacturing same |
US5953184A (en) * | 1997-09-30 | 1999-09-14 | Storage Technology Corporation | Transverse slotted magnetic tape head assembly |
US5923506A (en) * | 1997-10-03 | 1999-07-13 | Storage Technology Corporation | Recording head element with improved coil tap and method for manufacturing same |
US6002554A (en) * | 1997-10-03 | 1999-12-14 | Storage Technology Corporation | Multitrack coupled element read head with support structure to eliminate shorting and method for manufacturing same |
US6038108A (en) * | 1997-11-21 | 2000-03-14 | Storage Technology Corporation | Magnetic tape head assembly having segmented heads |
US5999379A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers and method of making |
US6452204B1 (en) * | 1998-12-08 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Tunneling magnetoresistance transducer and method for manufacturing the same |
DE19938215A1 (de) | 1999-08-12 | 2001-02-22 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Tunnelkontakts sowie magnetischer Tunnelkontakt |
US6266218B1 (en) | 1999-10-28 | 2001-07-24 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensors having antiferromagnetically exchange-coupled layers for longitudinal biasing |
US6452761B1 (en) | 2000-01-14 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Magneto-resistive and spin-valve sensor gap with reduced thickness and high thermal conductivity |
DE10020769C2 (de) * | 2000-04-28 | 2003-07-24 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zum Herstellen magnetischer Tunnelkontakte |
JP2002025017A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
US6429640B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | GMR high current, wide dynamic range sensor |
US6714387B1 (en) | 2001-01-08 | 2004-03-30 | Headway Technologies, Inc. | Spin valve head with reduced element gap |
US6707647B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with thin gap layers |
US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
US6767795B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY |
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US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
US6921702B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
US7192892B2 (en) * | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
US7183186B2 (en) * | 2003-04-22 | 2007-02-27 | Micro Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrTiO4 films |
US7049192B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics |
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US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
US8110469B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-02-07 | Micron Technology, Inc. | Graded dielectric layers |
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---|---|---|---|---|
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US3860965A (en) * | 1973-10-04 | 1975-01-14 | Ibm | Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection |
US4012781A (en) * | 1975-08-14 | 1977-03-15 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read head assembly for servo operation |
US4219853A (en) * | 1978-12-21 | 1980-08-26 | International Business Machines Corporation | Read/write thin film head |
FR2505070B1 (fr) * | 1981-01-16 | 1986-04-04 | Suwa Seikosha Kk | Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage |
JPS5971112A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツド |
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-
1992
- 1992-06-05 US US07/894,398 patent/US5302461A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-12 EP EP93303664A patent/EP0573157B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-12 DE DE69311972T patent/DE69311972T2/de not_active Expired - Fee Related
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