JP3581110B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3581110B2 JP3581110B2 JP2001131009A JP2001131009A JP3581110B2 JP 3581110 B2 JP3581110 B2 JP 3581110B2 JP 2001131009 A JP2001131009 A JP 2001131009A JP 2001131009 A JP2001131009 A JP 2001131009A JP 3581110 B2 JP3581110 B2 JP 3581110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- magneto
- reproducing
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録再生装置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、書き換え可能な光記録媒体として、光磁気記録媒体が実用化されている。このような光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという欠点が生じている。
【0003】
このような欠点は、目的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生することができなくなることが原因である。
【0004】
上記の欠点を解消するために、特開平6−150418号公報において、室温において面内磁化状態であり温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と、記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層とが静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されている。
【0005】
これにより、面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々の記録ビットを分離して再生することが可能となることが示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特開平6−150418号公報では、さらに小さい記録ビット径及び記録ビット間隔で記録再生を行った場合、再生層に存在する磁化から発生する漏洩磁界が記録層へ達し、記録・消去に大きな磁界が必要であることが確認された。
【0007】
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、小さい記録ビット径及び小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても再生可能な光磁気記録媒体を得ると共に、小さな磁界でも記録消去可能な光磁気記録媒体を得ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の光磁気記録媒体は、第1の透明誘電体層と、室温で面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再生層と、第2の透明誘電体層と、記録補助層と、垂直磁化膜からなる記録層と、をこの順に有してなり、上記記録補助層が、記録層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有し、記録層のカー回転角より大きなカー回転角を有し、記録層よりも磁化反転が容易であることを特徴とするものである。
【0009】
上記構成によれば、記録層よりも磁界に対して感度の高い記録補助層を用いることにより、小さな消去磁界で消去可能な光磁気記録媒体を得ることが可能となる。
【0010】
また、本発明の光磁気記録媒体は、上記記録補助層の補償温度Ticompが50℃以下であるか、または記録補助層において室温からキュリー温度Ticまで常に遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントよりも大きいことを特徴とするものである。
【0011】
上記構成によれば、記録補助層の磁気特性が最適化されるため、実用可能な記録磁界で記録可能な光磁気記録媒体を得ることが可能となる。
【0012】
さらに、本発明の光磁気記録媒体は、第2の透明誘電体層と記録層との間に、記録補助層が形成されていることを特徴とするものである。
【0013】
上記構成により、再生層を透過したレーザ光が記録層より大きなカー回転角を有する記録補助層で反射されることにより、より大きな再生信号を得ることが可能となる。
【0014】
また、本発明の光磁気記録媒体は、上記再生層がGdFeCoからなり、その膜厚が5〜30nmであり、上記第2の透明誘電体層の膜厚が6〜40nmであり、上記記録層がTbDyFeCoからなり、上記記録補助層がGdFeCoからなり、上記記録層と記録補助層とのトータル膜厚が20nm以上であることを特徴とするものである。
【0015】
また、上記光磁気記録媒体を再生するには、垂直磁化膜からなる記録層と、室温で面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となり、静磁結合により記録層の磁化が転写される再生層と、を有する光磁気記録媒体の再生方法であって、再生を行う際のレーザ光強度を、再生層における磁区の消滅(コプラス)に伴う再生信号の急峻な変化が発生するレーザ光強度よりも低い強度に設定するようにすることができる。
【0016】
上記構成により、再生信号波形を従来と同様に記録磁区に対応した正弦状の波形とすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
〔参考の形態〕
本発明の参考の形態について図1に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考の形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【0018】
本参考の形態に係る光磁気ディスクは図1に示すように、基板1、第1の透明誘電体層2、再生層3、第2の透明誘電体層4、記録層5、保護層6、オーバーコート層7がこの順に積層されたディスク本体8を有している。
【0019】
このような光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導体レーザから出射される光ビーム9が対物レンズ10により再生層3に絞り込まれ、極カー効果として知られている光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向になる現象である。
【0020】
基板1は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成される。再生層3は、希土類遷移金属合金からなる磁性膜からなり、その磁気特性は室温において面内磁化状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるように組成調整され、その膜厚は5〜30nmの範囲に設定されている。第2の透明誘電体層4は、AlN、SiN等の誘電体からなり、その膜厚が6〜40nmに設定されている。記録層5は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、その膜厚が20〜80nmの範囲に設定されている。
【0021】
本参考の形態においては、再生層3と記録層5とが静磁結合しており、再生層3の磁化方向は、記録層5の磁化から発生する漏洩磁界と同じ方向、すなわち、記録層5の磁化と同じ方向を向こうとする。しかし、再生層の面内磁化状態にある部分、すなわち温度上昇していない部分は極カー効果を示さず、再生層の垂直磁化状態にある部分、すなわち再生のためのレーザ光照射により温度上昇した部分のみの情報を再生することが可能となり、光ビームスポットよりも小さなピッチで記録された記録磁区を再生することが可能となる。
【0022】
第1の透明誘電体層2の膜厚は、入射するレーザ光に対して良好な干渉効果が実現し媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要があり、再生層の波長をλ、透明誘電体層の屈折率をnとした場合、第1の透明誘電体層2の膜厚は(λ/4n)程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を680nmとした場合、第1の透明誘電体層2の膜厚を40nm〜100nm程度に設定すれば良い。
【0023】
〈参考例1〉
(1)光磁気ディスクの形成方法上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明する。
【0024】
まず、Alターゲットと、GdFeCo合金ターゲットと、TbDyFeCoターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板1を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を1×10−6Torrまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Alターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrの条件で、基板1にAlNからなる第1の透明誘電体層2を膜厚80nmで形成した。
【0025】
次に、再度スパッタ装置内を1×10−6Torrまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、GdFeCo合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrとし、上記第1の透明誘電体層2上にGd0.31(Fe0.78Co0.22)0.69からなる再生層3を膜厚20nmで形成した。その再生層3は、室温において面内磁化状態であり、120℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、その補償温度が300℃、そのキュリー温度が360℃であった。
【0026】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Alターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrの条件で、再生層3上にAlNからなる第2の透明誘電体層4を膜厚20nmで形成した。
【0027】
次に、再度スパッタ装置内を1×10−6Torrまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、TbDyFeCo合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrとし、上記第2の透明誘電体層4上に(Tb0.75Dy0.25)0.30(Fe0.72Co0.28)0.70からなる記録層5を膜厚40nmで形成した。その記録層5は25℃に補償温度を有し、キュリー温度は275℃であった。
【0028】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Alターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrの条件で、記録層5上にAlNからなる保護層6を形成した。
【0029】
ここで保護層6の膜厚は、記録層5を酸化等の腐食から保護することが可能であればよく、5nm以上であることが望ましい。本参考例の形態においては、保護層6の膜厚を20nmとした。
【0030】
次に、上記保護層6上に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布し、紫外線を照射するか加熱するかによってオーバーコート層7を形成した。
【0031】
(2)記録再生特性上記ディスクを、波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定したCNR(信号対雑音比)のマーク長依存性を図2に示す。
【0032】
比較のため、現在市販されている光磁気ディスクのCNRのマーク長依存性も併せて同図に記載する。なお現在市販されている光磁気ディスクの媒体構成は、図3に示すように(基板91/第1の誘電体層92/記録層93/第2の誘電体層94/反射層95/オーバーコート層96)となっている。
【0033】
本発明に関するCNRの測定は、波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップで行っており、市販光磁気ディスクにマーク長0.3μm、マークピッチ0.6μmにて普通に記録された記録磁区列の場合、複数の記録磁区が光ビームスポットの中に入り、個々の記録磁区を分離して再生することができなくなる。そのため市販光磁気ディスクにおいて、マーク長0.3μmでのCNRはゼロとなっている。
【0034】
これに対して本発明の光ディスクは、レーザ照射に伴い温度上昇し、再生層3が垂直磁化状態となった部分のみを再生することが可能であるため、マーク長0.3μmの場合においても41dBのCNRが得られている。
【0035】
本来、本発明のように再生層3と記録層5とが静磁結合した構成の光磁気記録媒体においては、再生層3と記録層5の間に形成される非磁性中間層(ここでは第2の透明誘電体層4)は、特開昭6−150418号公報に記載されているように5nmと薄く形成されている。記録層から発生する漏洩磁界は、記録層から離れるにつれて小さくなるため、再生層が記録層から発生する漏洩磁界と十分静磁結合すべく、再生層と記録層との間隔を小さく、すなわち非磁性中間層を薄く形成するものである。しかし、本参考例図2に示すように、第2の透明誘電体層4(非磁性中間層)を20nmと厚くした場合においても、良好な超解像再生特性を得ることができた。
【0036】
次に表1は、参考例1における再生層3と記録層5の膜厚を変えて、マーク長0.45μmでのCNRを測定した結果を示すものである。
【0037】
【表1】
【0038】
表1において、再生層膜厚0nmは、再生層3を形成せずに第2の干渉膜を第1の干渉膜に連続して形成したことを意味しており、再生層3が存在しない場合の記録再生特性を表している。再生層3の膜厚を3nmとした場合、再生層3が存在しない場合よりCNRが低くなっており、再生特性の改善が確認されなかった。これは、再生層3が薄くなり過ぎたため、室温において面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態となるべき再生層3の磁気特性が良好に実現されなかったことによる。良好なCNRを得るためには、再生層3の膜厚が5nm以上必要である。また、再生層3の膜厚が35nm以上になると消去磁界が急激に上昇し、40kA/m以上の消去磁界が必要となり、消去磁界発生装置の大型化・消費電力の増大が必要となる。現在の光磁気ディスクドライブにおいて、現実的な消去磁界を実現するためには、再生層膜厚を30nm以下とする必要がある。
【0039】
次に、再生層3の膜厚を20nmとし、記録層5の膜厚を10nmとした場合、まったく再生信号が得られなかった。再生層3の磁化方向は、記録層5から発生する漏洩磁界により決定されるため、記録層5の膜厚が薄くなり記録層5から発生する漏洩磁界が小さくなった場合、記録情報の再生を行うことができなくなる。表1から分かるように本発明の構成においては、記録層5の膜厚を20nm以上とする必要がある。また、再生特性(CNR)のみから判断すると、記録層5の膜厚の上限は存在しないが、記録層5が厚くなり過ぎると大きな消去磁界が必要となる。31kA/mより大きな消去磁界を発生させるためには、大型の磁界発生装置が必要となり、光磁気記録再生装置の大型化を招くことになる。実用的な消去磁界(31kA/m以下)を実現するためには、記録層5の膜厚を80nm以下とする必要がある。
【0040】
次に表2は、参考例1における第2の透明誘電体層4の膜厚を変えて、マーク長0.45μmでのCNR・消去磁界を測定した結果を示すものである。
【0041】
【表2】
【0042】
表2からわかるように、第2の誘電体層4の膜厚が5nm以下になると消去磁界が急激に大きくなる。これは、第2の誘電体層4の膜厚が薄くなり、再生層3と記録層5とが近づくにつれて、再生層3から発生する漏洩磁界が記録層5に及ぼす影響が大きくなり、消去磁界が増大するものである。第2の誘電体層4の膜厚が8nm以上においては、再生層から発生する漏洩磁界は、全く記録特性に影響を及ぼさず、消去磁界は記録層5の記録特性のみより決定されることとなり、20kA/mと一定の値を示す。
【0043】
消去磁界の増大は、光磁気ディスクドライブにおける磁界発生装置の大型化、消費電力の増大を招くことになる。現在の光磁気ディスクドライブにおいて、現実的な消去磁界の大きさは31kA/m以下であり、第2の透明誘電体層4の膜厚としては6nm以上必要であることがわかる。
【0044】
また、再生時においては、記録層5から発生する漏洩磁界により再生層3の磁化方向が決定されるため、第2の透明誘電体層4の膜厚が50nmと厚くなると、記録層5から発生する漏洩磁界が十分に再生層3へと届かなくなり、CNRの劣化が発生することになる。良好な信号品質、すなわち高いCNRを得るためには、第2の誘電体層4の膜厚を40nm以下とする必要がある。
【0045】
〈参考例2〉
次に、参考例1の構成において、記録層5の組成のみを変えて本発明の光磁気ディスクを作成し、その記録再生特性を測定した。各ディスクの記録層5の組成、補償温度及びキュリー温度を表3に示し、記録層5の保磁力Hcと磁化Mの温度依存性を図4、図5に示す。
【0046】
【表3】
【0047】
上記ディスクA2〜D2について、参考例1同様、波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップで、マーク長0.45μmでの最適再生条件におけるCNRを測定した。結果を表4に示す。
【0048】
【表4】
【0049】
ディスクA2〜D2の再生特性を比較すると、ディスクA2〜C2は良好なCNRが得られているのに対して、ディスクD2においては20dBのCNRしか得られなかった。これは、各ディスクの磁気特性(図4、図5)から理解される結果である。本発明の光磁気記録媒体における再生層3の磁化方向は、記録層5から発生する漏洩磁界により決定されるため、記録層5から発生する漏洩磁界が小さくなった場合、記録情報の再生を行うことができなくなる。記録層5から発生する漏洩磁界は、記録層5の磁化の大きさに比例するものであり、再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度、すなわち100℃〜150℃の温度において、記録層5は十分大きな磁化を有し、十分大きな漏洩磁界を発生させる必要がある。図5から分かるように、ディスクA2〜C2の場合、記録層5の補償温度は再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度(100℃〜150℃)から離れており、記録層5は十分大きな磁化を有し、十分大きな漏洩磁界を発生させることが可能である。しかしディスクD2の場合、記録層5の補償温度は再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度(100℃〜150℃)に近接しており、磁化が小さく、再生に必要な漏洩磁界を発生させることができなくなってしまう。このような理由から、記録層5の磁気特性としては補償温度が50℃以下である(ディスクB2,C2)か、または記録層5が室温からそのキュリー温度TWCまで、常に遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントより大きい(ディスクA2)ことが必要である。
【0050】
〈参考例3〉
次に、参考例1の構成において、再生層3の組成のみを変えて本発明の光磁気ディスクを作成し、その記録再生特性を測定した。各ディスクの再生層3の組成、補償温度及びキュリー温度を表5に示し、再生層3の保磁力Hcと磁化Mの温度依存性を図6、図7に示す。
【0051】
【表5】
【0052】
上記ディスクA3〜E3について、参考例1同様に波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップで、マーク長0.45μmでの最適再生条件におけるCNRを測定した。結果を表6に示す。
【0053】
【表6】
【0054】
ディスクA3〜E3の再生特性を比較すると、ディスクA3〜D3は良好なCNRが得られているのに対して、ディスクE3においては30dBのCNRしか得られなかった。これは、各ディスクの磁気特性(図6、図7)から理解される結果である。本発明の光磁気記録媒体における再生層3の磁化方向は、記録層5から発生する漏洩磁界により決定されるため、再生層3の磁化が小さくなると記録層5から発生する漏洩磁界との静磁結合が弱くなり、記録情報の再生を行うことができなくなる。再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度、すなわち100℃〜150℃の温度において、再生層3は十分大きな磁化を有し、記録層5から発生する漏洩磁界と十分に静磁結合する必要がある。図7から分かるように、ディスクA3〜D3の場合、再生層3の補償温度は再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度(100℃〜150℃)から離れており、再生層3は十分大きな磁化を有し、記録層5から発生する漏洩磁界と十分に静磁結合することが可能である。しかしディスクEの場合、再生層3の補償温度は再生層3の磁化方向が面内から垂直に移行する温度(100℃〜150℃)に近接しており、再生層3の磁化が小さく、十分な静磁結合を実現することができなくなってしまう。
【0055】
さらに、記録層5のキュリー温度(275℃)において、ディスクE3の場合、ディスクA3〜D3に比べて大きな磁化を有することになり、再生層から発生する漏洩磁界が記録消去特性に影響を与えることとなり、表5に示すように大きな消去磁界が必要となる。
【0056】
以上のような理由から、再生層3の磁気特性としては室温で面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態になるとともに、補償温度が180℃以上である(ディスクB3〜D3)か、またはそのキュリー温度Trcまで、常に希土類金属副格子モーメントが遷移金属副格子モーメントより大きい(ディスクA3)ことが必要である。
【0057】
〈参考例4〉
次に、参考例3におけるディスクC3の構成、すなわち再生層3として補償温度250℃、キュリー温度380℃であるGd0.31(Fe0.72Co0.28)0.69を使用し、記録層として補償温度25℃、キュリー温度275℃である(Tb0.75Dy0.25)0.30(Fe0.72Co0.28)0.70を使用したディスクにおける、キャリアレベル及びノイズレベルの再生パワー依存性を図8に示す。
【0058】
本発明に係る光磁気記録媒体の再生層は、室温で面内磁化状態であり、温度上昇に伴い垂直磁化状態となるため、再生信号出力(キャリアレベル)は再生レーザパワー0.6mWから1.8mWへと大きくなり、再生層3の温度が上昇するにつれて徐々に大きくなる。再生レーザパワー1.8mW以上において、再生に必要な範囲の再生層は全て垂直磁化状態となり、キャリアレベルは飽和する。ところが図8から分かるように、2.8mW以上の再生レーザパワーにおいてさらにキャリアレベルの上昇が確認される。ただし、この範囲の再生レーザパワーにおいては、ノイズレベルの上昇が観測され、実質的にCNRが低下するという問題を有している。
【0059】
図9(a)、(b)は、それぞれ再生レーザパワー2.5mW、3.2mWにおける再生波形を示している。(a)の場合、記録された磁区に対応して再生信号波形がサイン波形状に変化しており、適切なスライスレベルを設定することにより記録磁区の長さを記録情報として再生することが可能である。これに対して(b)の場合、急峻な再生信号の立ち下がりが不規則に観測される。これは、再生層3の温度がその補償温度に近づき再生層3の磁化が小さくなることにより記録層5との静磁結合が弱くなったため、静磁結合により記録層5から再生層3に転写されていた磁区が瞬間的に消滅(コラプス)することに起因している。この場合、コラプスに伴う再生信号強度の大きな変化が存在するためキャリアレベルが上昇するが、コラプスが不規則に起こるためノイズレベルも同時に上昇しCNRが劣化することになる。さらに、本来の記録磁区の長さがa1、a2、a3に対して、コラプスが発生することにより異なる長さの記録磁区b1、b3を検出することとなり、記録磁区の長さを記録情報として再生することが困難となる。以上の理由から、本発明に係る光磁気記録媒体を再生する際、レーザ光強度を再生層における磁区の消滅(コラプス)に伴う再生信号の急峻な変化が発生するレーザ光強度よりも低い強度に設定する必要がある。
【0060】
〔実施の形態〕
本発明の実施の形態について図10、図11に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【0061】
本実施の形態に係る光磁気ディスクは、図10に示すように、基板1、第1の透明誘電体層2、再生層3、第2の透明誘電体層4、記録補助層11、記録層5、保護層6、オーバーコート層7が、この順にて積層されたディスク本体8を有しているか、または図11に示すように、基板1、第1の透明誘電体層2、再生層3、第2の透明誘電体層4、記録層5、記録補助層11、保護層6、オーバーコート層7が、この順にて積層されたディスク本体8を有している。
【0062】
本実施の形態における記録再生動作については、参考の形態と同様である。本実施の形態においては、記録層5に接して、記録層5のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有する記録補助層11を形成し、記録動作の改善を行うことを可能としている。
【0063】
さらに図10に示すように、第2の透明誘電体層4と記録層5の間に記録補助層11を設けることにより、再生層3を透過したレーザ光が記録層5より高いキュリー温度を有する記録補助層11、すなわち記録層5よりも大きなカー回転角を有する記録補助層11によって反射されることにより、図11に示すように記録層5を反射膜とした場合よりもより大きな再生信号を得ることが可能となる。
【0064】
〈実施例1〉
(1)光磁気ディスクの形成方法
上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明する。本実施の形態の光磁気ディスクの形成方法は、記録補助層11を付加して設ける以外、参考の形態において記載と同じ方法である。
【0065】
図10に示す光磁気記録媒体は、第1の透明誘電体層2、再生層3、第2の透明誘電体層4を形成した後、スパッタ装置内を1×10−6Torrまで真空排気し、次いでアルゴンガスを導入し、記録補助層11用のGdFeCo合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrとし、上記第2の透明誘電体層4上にGd0.24(Fe0.83Co0.17)0.76からなる記録補助層11を膜厚20nmで形成し、記録層5、保護層6、オーバーコート層7を形成することにより作製される。上記記録補助層11は25℃以下に補償温度を有し、そのキュリー温度が290℃であった。本実施例においては、図10記載の光磁気ディスクをディスクA5として記述する。
【0066】
次に、図11に示す光磁気記録媒体は、第1の透明誘電体層2、再生層3、第2の透明誘電体層4、記録層5を形成した後、スパッタ装置内を1×10−6Torrまで真空排気し、次いでアルゴンガスを導入し、記録補助層11用のGdFeCo合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧4×10−3Torrとし、上記第2の透明誘電体層4上にGd0.24(Fe0.83Co0.17)0.76からなる記録補助層11を膜厚20nmで形成し、保護層6、オーバーコート層7を形成することにより作製される。上記記録補助層11は、図10の構成における記録補助層同様、25℃以下に補償温度を有し、そのキュリー温度が290℃であった。本実施例においては、図11記載の光磁気ディスクをディスクB5として記述する。
【0067】
(2)記録再生特性上記ディスクA5,B5を、波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップでマーク長0.45μmでの最適再生条件において測定されたCNRと、記録磁区を消去するのに必要な磁界(消去磁界)を表7に示す。比較のため、参考の形態のディスクB2の特性を併せて同表に記載する。
【0068】
【表7】
【0069】
表7から、参考の形態記載のディスクB2の場合20.0kA/mの消去磁界が必要であったのに対して、本実施の形態記載のディスクA5及びディスクB5の場合、7.5kA/mの消去磁界で消去可能であることが確認された。この結果は、記録層5のキュリー温度(275℃)よりも記録補助層11のキュリー温度(290℃)が高く、記録層5(TbDyFeCo)よりも磁化反転が容易な記録補助層11(GdFeCo)が消去動作を主導することにより消去磁界の低減が実現したことを意味している。
【0070】
さらに、ディスクA5とディスクB5とを比較すると、ディスクA5において、より高いCNRが得られていることがわかる。ディスクB5の場合、再生層3を透過したレーザ光は記録層5と再生層3の間で多重反射するため、その再生特性はディスクB2と同じ特性となる。これに対してディスクA5の場合、再生層3を透過したレーザ光は記録補助層11と再生層3の間で多重反射し、記録層5より高いキュリー温度を有する記録補助層11、すなわち記録層5よりも大きなカー回転角を有する記録補助層11を多重反射膜とすることにより、ディスクB2、ディスクB5よりも高いCNRを得られたものである。
【0071】
次に表8は、ディスクA5における再生層3、記録補助層11、記録層4の膜厚を変えて、マーク長0.45μmでのCNRを測定した結果を示すものである。
【0072】
【表8】
【0073】
表8において、再生層膜厚0nmは再生層3を形成せずに第2の干渉膜を第1の干渉膜に連続して形成したことを意味しており、再生層3が存在しない場合の記録再生特性を表している。再生層3の膜厚を3nmとした場合、再生層3が存在しない場合よりCNRが低くなっており、再生特性の改善が確認されなかった。これは再生層3が薄くなり過ぎたために、室温において面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態となるべき再生層3の磁気特性が良好に実現されなかったことによる。CNRを改善するためには、再生層3の膜厚が5nm以上必要である。また、再生層3の膜厚が35nm以上になると消去磁界が急激に上昇し36.5kA/m以上の消去磁界が必要となり、消去磁界発生装置の大型化・消費電力の増大が必要となる。現在の光磁気ディスクドライブにおいて、現実的な消去磁界を実現するためには再生層膜厚を30nm以下とする必要がある。
【0074】
次に再生層3の膜厚を20nmとし、記録補助層11の膜厚を5nm、記録層5の膜厚を5nmとした場合、まったく再生信号が得られなかった。再生層3の磁化方向は、記録補助層11と記録層5から発生する漏洩磁界により決定されるため、記録補助層11と記録層5のトータル膜厚が薄くなり、発生する漏洩磁界が小さくなった場合、記録情報の再生を行うことができなくなる。表8から分かるように、本発明の構成においては記録補助層11の膜厚を10nm、記録層5の膜厚を10nm、すなわち記録補助層11と記録層5のトータル膜厚を20nm以上とする必要がある。また参考の形態においては、消去磁界の増大から記録補助層11と記録層5のトータル膜厚を80nm以下としたが、本実施の形態においては記録補助層11が記録動作を主導しているため、記録補助層11と記録層5のトータル膜厚の上限は存在しない。しかし、記録補助層11と記録層5のトータル膜厚が厚くなり過ぎた場合、記録を行う際に大きなレーザ光強度が必要となるため、トータル膜厚を200nm以下とすることが望ましい。
【0075】
次に表9は、ディスクA5の構成において第2の透明誘電体層4の膜厚を変えて、マーク長0.45μmでのCNR・消去磁界を測定した結果を示すものである。
【0076】
【表9】
【0077】
表9からわかるように、第2の誘電体層4の膜厚が5nm以下になると消去磁界が急激に大きくなる。これは、第2の誘電体層4の膜厚が薄くなり、再生層3と記録層5及び記録補助層11とが近づくにつれて再生層3から発生する漏洩磁界が記録層5と記録補助層11に及ぼす影響が大きくなり、消去磁界が増大するものである。第2の誘電体層4の膜厚が8nm以上においては、再生層から発生する漏洩磁界は全く記録特性に影響を及ぼさず、消去磁界は記録層5の記録特性のみより決定されることとなり、7.5kA/mと一定の値を示す。
【0078】
消去磁界の増大は、光磁気ディスクドライブにおける磁界発生装置の大型化、消費電力の増大を招くことになる。現在の光磁気ディスクドライブにおいて、現実的な消去磁界の大きさは31kA/m以下であり、第2の透明誘電体層4の膜厚としては6nm以上必要であることがわかる。
【0079】
また再生時においては、記録層5及び記録補助層11から発生する漏洩磁界により再生層3の磁化方向が決定されるため、第2の透明誘電体層4の膜厚が50nmと厚くなると記録層5及び記録補助層11から発生する漏洩磁界が十分に再生層3へと届かなくなり、CNRの劣化が発生することになる。
【0080】
良好な信号品質、すなわち高いCNRを得るためには、第2の誘電体層4の膜厚を40nm以下とする必要がある。
【0081】
〈実施例2〉
次に、実施例1のディスクA5の構成において、記録補助層11の組成のみを変えて本発明の光磁気ディスクを作成し、その記録再生特性を測定した。各ディスクの記録補助層11の組成、補償温度及びキュリー温度を表10に示す。
【0082】
【表10】
【0083】
上記ディスクA6〜E6を、実施例1同様に波長680nmの半導体レーザを用いた光ピックアップで、マーク長0.45μmでの最適再生条件におけるCNRを測定した結果、及び記録磁区を消去するのに必要な磁界(消去磁界)、記録磁区を形成するのに必要な磁界(記録磁界)を表11に示す。
【0084】
【表11】
【0085】
ディスクA6〜E6の再生特性を比較すると、ディスクA6からディスクE6へとCNRが低くなっていることがわかる。これは、記録補助層11の補償温度が上昇し徐々に漏洩磁界が小さくなるため、徐々にCNRが低下するものである。しかし、記録補助層11に隣接して記録層5が存在し、十分な大きさの漏洩磁界を発生させているため、CNRの低下は小さいものに抑さえられている。
【0086】
次に消去磁界は、記録補助層11の補償温度が高くなるにつれて小さくなり、記録補助層11の補償温度は高いほど望ましいことになる。しかし、記録磁界は記録補助層の補償温度の上昇とともに大きくなり、ディスクE6の場合45kA/mもの記録磁界が必要であり、非実用的であることがわかる。
【0087】
以上の理由から、記録補助層11はその補償温度が50℃以下(ディスクC6、ディスクD6)であるか、又は室温からそのキュリー温度まで、常に遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントより大きいこと(ディスクA6、ディスクB6)が必要である。
【0088】
なお、参考の形態及び本実施の形態において、透明誘電体層、再生層、記録層、記録補助層として、それぞれAlN、GdFeCo、TbDyFeCo、GdFeCoについて説明したが、これに限られるものではない。
【0089】
透明誘電体層としては、他にSiN、SiAlN、TaO2 等の屈折率の高い透明膜を使用することが可能である。
【0090】
再生層としては、室温で面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態となればよく、希土類金属としてGdを主成分としたGdDyFeCo、GdTbFe、GdTbFeCo等の磁性膜を使用することが可能である。
【0091】
記録層としては、希土類金属としてDy又はTbを主成分としたDyFeCo、TbFeCo、GdTbFeCo等の磁性膜を使用することが可能である。
【0092】
記録補助層としては、希土類金属としてGdを主成分としたGdDyFeCo、GdTbFe、GdTbFeCo等の磁性膜を使用することが可能である。
【0093】
【発明の効果】
本発明の光磁気記録媒体によれば、記録層よりも磁界に対して感度の高い記録補助層を用いることにより、小さな消去磁界で消去可能な光磁気記録媒体を得ることが可能となる。
【0094】
また、記録補助層の磁気特性が最適化されるため、実用可能な記録磁界で記録可能な光磁気記録媒体を得ることが可能となる。
【0095】
また、再生層を透過したレーザ光が記録層より大きなカー回転角を有する記録補助層で反射されることにより、より大きな再生信号を得ることが可能となる。
【0096】
本発明の光磁気記録媒体の再生方法によれば、再生信号波形を従来と同様に記録磁区に対応した正弦状の波形とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の参考の形態に係る光磁気ディスクの記録媒体の膜構成を示す図である。
【図2】図1の光磁気ディスクと従来の光磁気ディスクの再生特性の比較図である。
【図3】従来の光磁気ディスクの記録媒体の膜構成を示す図である。
【図4】本発明の参考の形態に係る光磁気ディスクの記録層の磁気特性を示す図である。
【図5】本発明の参考の形態に係る光磁気ディスクの記録層の磁気特性を示す図である。
【図6】本発明の参考の形態に係る光磁気ディスクの再生層の磁気特性を示す図である。
【図7】本発明の参考の形態に係る光磁気ディスクの再生層の磁気特性を示す図である。
【図8】図1の光磁気ディスクの再生特性を示す図である。
【図9】図1の光磁気ディスクの再生信号の説明図である。
【図10】本発明に係る光磁気ディスクの記録媒体の膜構成を示す図である。
【図11】本発明に係る光磁気ディスクの記録媒体の膜構成を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
2 第1の透明誘電体層
3 再生層
4 第2の透明誘電体層
5 記録層
6 保護層
7 オーバーコート層
8 ディスク本体
9 光ビーム
10 対物レンズ
11 記録補助層
Claims (4)
- 第1の透明誘電体層と、
室温で面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再生層と、
第2の透明誘電体層と、
記録補助層と、
垂直磁化膜からなる記録層と、
をこの順に有してなり、
上記記録補助層が、記録層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有し、記録層のカー回転角より大きなカー回転角を有し、記録層よりも磁化反転が容易であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 上記記録補助層の補償温度Ticompが50℃以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
- 上記記録補助層において室温からキュリー温度T ic まで常に遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光磁気記録媒体。
- 上記再生層がGdFeCoからなり、その膜厚が5〜30nmであり、
上記第2の透明誘電体層の膜厚が6〜40nmであり、
上記記録層がTbDyFeCoからなり、
上記記録補助層がGdFeCoからなり、
上記記録層と記録補助層とのトータル膜厚が20nm以上であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131009A JP3581110B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131009A JP3581110B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7336698A Division JPH09180276A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001357573A JP2001357573A (ja) | 2001-12-26 |
JP3581110B2 true JP3581110B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=18979267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001131009A Expired - Fee Related JP3581110B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3581110B2 (ja) |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001131009A patent/JP3581110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001357573A (ja) | 2001-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6187460B1 (en) | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information therein | |
JP3781823B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP2986622B2 (ja) | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 | |
JP3400251B2 (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 | |
KR100222218B1 (ko) | 광자기 기록매체 및 그 재생방법 | |
JPH07254175A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 | |
JP3545133B2 (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 | |
JPH09231631A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3492233B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
KR100308857B1 (ko) | 광자기기록매체및그기록방법과광자기기록장치 | |
JPH06223420A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3626050B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
JP3581110B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP4027490B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP3476698B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3789861B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3436709B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP4312425B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3995833B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH10293949A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH1139803A (ja) | 光記録媒体、光記録方法および光記録装置 | |
JPH07334877A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 | |
JP3516865B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び再生装置 | |
EP0595639A2 (en) | Magnetooptical recording medium and method of recording data thereon | |
JP2001084658A (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040720 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070730 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100730 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |