JP3556043B2 - 基板乾燥装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等の高度の清浄度が要求される基板を、水平に保持して回転させて脱水する基板乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて半導体基板上の回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。従って、半導体基板上に配線間距離よりも大きな微粒子が存在すると、配線がショートするなどの不具合が生じるため、基板上に残るパーティクルの寸法や量に対する許容限度はますます厳しいものとなっている。このような事情はマスク等に用いるガラス基板、或いは液晶パネル等の基板のプロセス処理においても同様である。
【0003】
例えば、半導体基板のエッチングやイオン注入に伴うレジスト剥離後に、基板に付着するパーティクルや有機物等を薬液で洗浄し、除去した後に純水で濯ぎ、乾燥する工程を行なう。この乾燥工程は処理の最終工程であるので、雰囲気中の清浄度も高くすることが望ましい。このような技術として、特開平4−100231号には、チャンバー内でウエハを水平回転させながら上部の吸気孔から気体を吹き付け、下部の排気孔から排気することによってウエハ表面に均一な層流を形成する方法が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ウエハを水平方向に回転すると、ウエハの裏面近傍の流体がその粘性によりウエハの回転運動に引きずられて回転し、遠心力によって半径方向外向きの速度成分を持つ気流が生じる。このため、チャンバー内に全体として上から下へ向かう清浄な気体の流れが形成されていても、ウエハ裏面側に、軸に沿って上昇し、径方向外側に向かい、基板縁部で下降する局所的な循環流が形成される。このような循環流は、基板を回転させる回転機構の軸受等から発生する汚染物質を巻き上げるのでウエハ裏面を汚染する可能性がある。
【0005】
また、上記のような循環流を防ぐために、チャンバー内に多量のガスを導入するとガス消費量が莫大になる。また、窒素ガスのような清浄なガスを多量に用いると大幅なコスト高になり、一方、コンプレッサで生成した圧縮気体を用いると、清浄度が低いために却って汚染を招くことになる。
本発明は、スピン乾燥法において、コスト高を招くことなく、基板両面の清浄度を維持することができる基板乾燥装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、基板をほぼ水平に把持する把持部と、回転筒を介してこの把持部をほぼ水平面内で回転させる駆動部と、上記回転筒の内側に配置され、上記基板の下側の空間に清浄な気体を回転軸線に沿って流通させる気体供給管とが設けられ、上記気体供給管は固定筒として設けられていることを特徴とする基板乾燥装置である。これにより、例えば駆動部の近傍を通過して上昇する汚れた気体により基板の裏面が汚染されることが防止される。
【0007】
上記気体供給管が、上記把持部及び/又は基板の回転に伴う遠心力を用いるものであってもよい。これにより、駆動源を別に設けることなく、スピン乾燥装置自体の機構を利用して基板裏面に気体を流通させることができる。
【0008】
請求項に記載の発明は、上記気体供給管が、上記駆動部より離れた位置に開口する気体取入口を有することを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥装置である。これにより、清浄気体源を別に設けることなく、装置が設置されたチャンバー内の適当な位置から清浄な気体を導入することができる。
上記気体供給管が、清浄気体源に連通するようにしてもよい。これにより、気体源の圧力を用いて上記空間へ強制的に気体流通を行わせることができる。
【0009】
請求項に記載の発明は、上記把持部に、上記基板との間に上記空間を形成する遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板乾燥装置である。遮蔽板により、基板の裏面の空間が限定され、この部分を清浄雰囲気に保つことが容易となる。
上記遮蔽板を漏斗状に形成してもよい。これにより、待機時に行なう注水の際の供給水が中央から抜けるとともに、基板と遮蔽板の外周部の縁部隙間を狭くして外気の侵入を防ぎ、遮蔽板の裏面に生じる循環流の整流も行われる。
【0010】
請求項4に記載の発明は、上記遮蔽板と上記気体供給管とは微小な隙間を介して接続され、上記隙間にはラビリンス構造が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板乾燥装置である。この隙間は、遮蔽板の回転に支障の無い範囲で狭く、また屈曲して形成することが望ましい。
ここで、上記気体供給管の基端部に、気液分離部を設けてもよい。
また、上記遮蔽板の傾斜勾配が、上記把持部が基板を把持していない待機時の低速回転において供給される乾燥防止液を下降させ、スピン乾燥を行なう時の高速回転においては濯ぎ液を外方向に向けて飛散させる角度であるようにしてもよい。
【0011】
請求項5に記載の発明は、上記遮蔽板には、該遮蔽板の回転により気体を外方に送る凹凸が形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板乾燥装置である。これにより、乾燥装置の回転駆動装置を用いて積極的に気体を圧送する機構が形成される。
請求項に記載の発明は、基板をほぼ水平に把持する把持部と、回転筒を介してこの把持部をほぼ水平面内で回転させる駆動部と、上記回転筒の内側に配置され、上記基板の下側の空間に清浄な気体を回転軸線に沿って流通させる気体供給管と、上記基板に洗浄液を供給するノズルとが設けられ、上記気体供給管は固定筒として設けられていることを特徴とする基板洗浄装置である。
【0012】
【実施例】
図1乃至図3は、この発明の一実施例の基板洗浄装置の構成を示すもので、基板(ウエハ)1をほぼ水平に把持する把持部2と、この把持部2を軸線回りに水平面内で回転させる駆動部3とを有するいわゆるスピン乾燥装置である。なお、この基板乾燥装置はチャンバー内に配置され、このチャンバーには上部から下部に向かう清浄な気体の流れが形成されているとともに、基板1面にリンス水を供給してリンス工程を行なうためのノズルNと、昇降自在なプロセスカップ(飛散防止部材)Pが設けられている。
【0013】
把持部2は、中央のハブ4から放射状に延びる複数本のL字状の把持アーム5の先端の直立部5aに、基板1の縁部を着脱自在に把持する基板把持機構6が設けられたいわゆるメカチャック型基板回転機構である。基板把持機構6は、例えば、機械式ラッチやバネ式チャックから構成されている。ハブ4は、鉛直な軸線に沿って配置された回転筒7に取り付けられ、この回転筒7は図示しない軸受装置により回転自在に支持されるとともに、伝達機構8を介して駆動部3のモータ9に連結されている。伝達機構8は、図示するようなタイミングベルトを用いる方法の他、ギヤ等が考えられる。
【0014】
上記アーム直立部5aには、基板把持機構6の下側に遮蔽板取付部10が設けられ、これには、微小なテーパを持つ漏斗状の遮蔽板11が取り付けられ、基板と遮蔽板11の間に円板状の空間Rを形成している。遮蔽板11の材質としては、基板1を汚染するおそれがなく、成型のしやすいものとする。軽量であることや、表面が疎水性であることが好ましい。この遮蔽板取付部10は、例えば、アーム直立部5aの基板把持機構6の下側に形成された取付溝である。
【0015】
一方、回転筒7の内側には、洗浄液と清浄気体を互いに逆向きに流通させる流路が形成された固定筒(気体供給管)12が設けられている。この固定筒12はチャンバー内の清浄な気体を基板裏面中央の低圧域に送り込むためのもので、微小圧力差でも気体がスムーズに通過するように、管路抵抗が小さくなるように設計されている。材質としては、例えば、フッ素樹脂が好適である。
【0016】
遮蔽板11の中央には固定筒12の中に向けて延びる筒状部13が設けられ、また、固定筒12の上端には遮蔽板11の底面に沿って延びるフランジ部14が形成されている。これにより、固定筒12と筒状部13及び遮蔽板11とフランジ部の間には、断面がL字状に屈曲する微小な隙間15が形成されている。この隙間15においては、フランジ部14の回転に伴う遠心力によって外向きの気流が形成されている。従って、固定筒12の外側を上昇した気体が、基板1と遮蔽板11の間の空間Rに侵入するのが防止される。微小な隙間15は、ラビリンス構造にして、より確実に固定筒12の外側を上昇してくる気体の侵入を防ぐこともできる。
【0017】
また、固定筒12の基部には気液分離室16が設けられ、この気液分離室16の側部には気体導入管17が、底部には洗浄液を排出する排出管18が設けられている。この気体導入管17は、チャンバー内の駆動部3から離れた位置に設置した気体取入口19に開口しており、これによって、チャンバー内に供給される清浄な空気を取り入れるようにしている。
【0018】
遮蔽板11の傾斜角度θは、基板1を把持してリンスを行なう際の高速回転においては水滴が外側に飛ばされ、また、基板1が無い状態で遮蔽板11の乾燥を防ぐために注水する際の低速回転においては水滴が漏斗状の壁に沿って下降するような値に設定されている。また、縁部隙間の間隔tとしては、スピン乾燥時に水滴が界面張力に打ち勝って飛び出すことができるような値、例えば、1mm程度に設定されている。
【0019】
このように遮蔽板11を漏斗状としたことにより、待機時に行なう注水の際の供給水が中央から抜けるだけでなく、基板1と遮蔽板11の外周部の縁部隙間tを狭くして、外気の侵入を防ぎ、遮蔽板11の裏面に生じる循環流の整流も行われる。なお、外周部においては遠心力が大きいので、縁部隙間tが狭くても遮蔽板11や基板1の下面との界面張力に打ち勝ってリンス水が外側に飛ばされる。
【0020】
次に、上記のように構成した基板乾燥装置の作用について説明する。基板1がこの乾燥装置上に無い待機状態では、把持部2や遮蔽板11の乾燥を防ぐためにノズルNより注水を行い、把持部2は例えば30rpm程度の低速で回転させる。この回転速度では、遮蔽板11に供給された水は遠心力により外方へ飛ばされることなく、漏斗状壁を下降して筒状部13から固定筒12に流入し、気液分離室16から排出管18を経て排出される。
【0021】
エッチングやイオン注入等の処理工程が終わった基板1を乾燥装置に移送し、メカチャック機構により基板把持部2に把持し、プロセスカップPを上昇させる。ここで、把持部2を例えば3000rpm程度の高速で回転し、濯ぎのためにノズルNより基板1上に注水を行なう。この段階で高圧水や薬液等を基板上に噴射し、洗浄を行うこともできる。この回転速度では、基板1に供給された液体は基板1の縁部から遠心力により外方へ飛ばされ、また、基板1から遮蔽板11に流れた液体も、漏斗状壁を伝って下降することなく、縁部から外方へ飛ばされる。飛散した液体は、プロセスカップPに当たって下降して排出される。
【0022】
所定時間の濯ぎが終わった後にノズルNからの注水を止め、把持部2の高速回転を続けてスピン乾燥を行なう。この高速回転によって、基板1と遮蔽板11の間の空間Rの気体が基板1と遮蔽板11の回転に伴う遠心力により径方向外側へ移動する。これにより、気体取入口19から気体供給管17、気水分離室16、固定筒12、基板1と遮蔽板11の間の空間Rを通り、該空間Rの縁部の隙間からチャンバー内へ流れる気体の流通経路が形成される。
【0023】
ここにおいて、気体取入口19は、駆動部3、すなわち、モータ9、タイミングベルト8、軸受等の機械的摩擦がある箇所から離れた位置、特にこの例では基板1よりも高い位置に開口しているので、流通経路には常に清浄な気体が供給される。たとえ、固定筒12の外側を上昇する循環流れが形成されたとしても、この流れが基板1の裏面の空間Rに入ることが防止される。
【0024】
なお、空間Rへの逆流防止作用を強めるために、図4に示すように、遮蔽板11の上面に螺旋状又は放射状に延びる羽根20や溝を設けて強制的に清浄な気体の流れを形成することもできる。また、上記においては、基板1及び遮蔽板11の回転を利用して、気体を基板1の下側空間Rへ供給するようにしているが、図5に示すように、チャンバーへの気体供給源21から流量調整弁22等を介して気体供給管17に導くようにしてもよく、また、別の気体源から別の駆動源によって気体を流通させるようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、例えば駆動部の近傍を通過して上昇する汚れた気体により基板の裏面が汚染されることが防止される。スピン乾燥装置自体の回転駆動機構を利用すれば、駆動源を別に設けることなく、基板裏面に気体を流通させることができる。そして、装置が設置されたチャンバー内の適当な位置に気体取入口を開口させることにより、清浄気体源を別に設けることなく、チャンバー内に供給される気体を用いて上記効果を得ることができる。従って、コストを大幅に上昇させることなしに清浄な基板の乾燥を行なうことができる実用的な基板乾燥装置を提供することができる。また、清浄気体源を別に設けて、基板の裏面空間に清浄気体を強制的に流通させて基板の汚染を積極的に防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の基板乾燥装置を模式的に示す図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】同じく斜視図である。
【図4】この発明の基板乾燥装置の遮蔽板の他の実施例を示す斜視図である。
【図5】この発明の基板乾燥装置のさらに他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
2 把持部
3 駆動部
6 基板把持機構
7 回転筒
8 伝達機構
9 モータ
11 遮蔽板
12 固定筒(気体供給管)
15 隙間
16 気液分離室
19 気体取入口
20 羽根
21 清浄気体源

Claims (6)

  1. 基板をほぼ水平に把持する把持部と、回転筒を介してこの把持部をほぼ水平面内で回転させる駆動部と、上記回転筒の内側に配置され、上記基板の下側の空間に清浄な気体を回転軸線に沿って流通させる気体供給管とが設けられ、上記気体供給管は固定筒として設けられていることを特徴とする基板乾燥装置。
  2. 上記気体供給管は、上記駆動部より離れた位置に開口する気体取入口を有することを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥装置。
  3. 上記把持部には、上記基板との間に上記空間を形成する遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板乾燥装置。
  4. 上記遮蔽板と上記気体供給管とは微小な隙間を介して接続され、上記隙間にはラビリンス構造が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板乾燥装置。
  5. 上記遮蔽板には、該遮蔽板の回転により気体を外方に送る凹凸が形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板乾燥装置。
  6. 基板をほぼ水平に把持する把持部と、回転筒を介してこの把持部をほぼ水平面内で回転させる駆動部と、上記回転筒の内側に配置され、上記基板の下側の空間に清浄な気体を回転軸線に沿って流通させる気体供給管と、上記基板に洗浄液を供給するノズルとが設けられ、上記気体供給管は固定筒として設けられていることを特徴とする基板洗浄装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103273102A (zh) * 2013-06-19 2013-09-04 黄石鑫华轮毂有限公司 汽车轮毂拉丝机
CN105127852A (zh) * 2015-09-28 2015-12-09 山西卡每特工业机械有限公司 一种用于汽车踏杠表面拉丝处理的拉丝机及拉丝工艺
US9677811B2 (en) 2013-08-07 2017-06-13 Ebara Corporation Substrate cleaning and drying apparatus

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5974681A (en) * 1997-09-10 1999-11-02 Speedfam-Ipec Corp. Apparatus for spin drying a workpiece
TW409947U (en) * 1999-05-12 2000-10-21 Nanya Plastics Corp Semiconductor element supporting device
TW472296B (en) * 1999-05-25 2002-01-11 Ebara Corp Substrate treating apparatus and method of operating the same
JP2000334395A (ja) 1999-05-31 2000-12-05 Ebara Corp 洗浄装置
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
WO2001027357A1 (en) * 1999-10-12 2001-04-19 Semitool, Inc. Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
US20050205111A1 (en) * 1999-10-12 2005-09-22 Ritzdorf Thomas L Method and apparatus for processing a microfeature workpiece with multiple fluid streams
KR100360402B1 (ko) * 2000-03-22 2002-11-13 삼성전자 주식회사 회전성 분사노즐을 구비하는 웨이퍼 건조 장치 및 이를이용한 웨이퍼 건조 방법
US6363623B1 (en) 2000-06-02 2002-04-02 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and method for spinning a work piece
WO2002101798A2 (en) * 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc. Method of applying liquid to a megasonic apparatus for improved cleaning control
US6752442B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-22 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece handling end-effector and a method for processing workpieces using a workpiece handling end-effector
KR100493849B1 (ko) * 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
KR100497999B1 (ko) * 2002-11-08 2005-07-01 (주)케이.씨.텍 웨이퍼 건조 방법 및 장치
US6892472B2 (en) * 2003-03-18 2005-05-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning and drying a workpiece
KR100568104B1 (ko) * 2003-08-26 2006-04-05 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치 및 세정 방법
KR100634376B1 (ko) * 2004-07-07 2006-10-16 삼성전자주식회사 기판 건조 장치
KR100645042B1 (ko) * 2004-09-07 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치
KR100696378B1 (ko) * 2005-04-13 2007-03-19 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP4548216B2 (ja) * 2005-05-23 2010-09-22 Tdk株式会社 噴霧盤、噴霧装置及び噴霧乾燥機
KR100775591B1 (ko) * 2006-12-13 2007-11-15 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
KR100922521B1 (ko) * 2007-10-11 2009-10-20 세메스 주식회사 브러시 어셈블리 및 이를 갖는 기판 세정 장치
JP2009147061A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Realize Advanced Technology Ltd 基板処理方法
US20100180460A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Jack Tang Mop dehydrating apparatus
JP2012094659A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ洗浄装置
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US9117856B2 (en) 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support
KR102042635B1 (ko) 2012-07-02 2019-11-08 삼성전자주식회사 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템
DE102014011133A1 (de) * 2014-05-27 2015-12-03 Liebherr-Verzahntechnik Gmbh Schleuderstation und Druckluftreinigungsanordnung
CN104880036B (zh) * 2015-05-14 2017-01-04 江苏双仪光学器材有限公司 无尘甩干机
CN105080803B (zh) * 2015-08-21 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 基板承载结构、减压干燥设备及减压干燥方法
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
CN107497764A (zh) * 2017-09-19 2017-12-22 太仓盖兹汽车零部件有限公司 一种便于车轮毂盖表面清洁装置
CN112414040B (zh) * 2020-11-25 2022-07-29 江西恒力电池科技有限公司 一种蓄电池生产用极板大批量旋转式快速烘干设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0330426A (ja) * 1989-06-28 1991-02-08 Fujitsu Ltd ウエハー裏面洗浄装置
JPH03238819A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Seiichiro Sogo 半導体材料の乾燥方法および装置
KR100248564B1 (ko) * 1992-04-07 2000-03-15 다카시마 히로시 스핀 드라이어
US5375291A (en) * 1992-05-18 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Device having brush for scrubbing substrate
JP2604561B2 (ja) * 1994-12-26 1997-04-30 山形日本電気株式会社 ウェーハ乾燥装置
TW316995B (ja) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103273102A (zh) * 2013-06-19 2013-09-04 黄石鑫华轮毂有限公司 汽车轮毂拉丝机
US9677811B2 (en) 2013-08-07 2017-06-13 Ebara Corporation Substrate cleaning and drying apparatus
CN105127852A (zh) * 2015-09-28 2015-12-09 山西卡每特工业机械有限公司 一种用于汽车踏杠表面拉丝处理的拉丝机及拉丝工艺

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US5829156A (en) 1998-11-03
JPH09257367A (ja) 1997-10-03

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