JP3528255B2 - 混成集積回路素子及びその製造方法 - Google Patents
混成集積回路素子及びその製造方法Info
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- JP3528255B2 JP3528255B2 JP19239994A JP19239994A JP3528255B2 JP 3528255 B2 JP3528255 B2 JP 3528255B2 JP 19239994 A JP19239994 A JP 19239994A JP 19239994 A JP19239994 A JP 19239994A JP 3528255 B2 JP3528255 B2 JP 3528255B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路素子に関
し、特に、高周波領域における不要電磁波の干渉によっ
て生じる性能劣化や異常共振等の電磁波障害を抑制でき
る混成集積回路素子に関する。
し、特に、高周波領域における不要電磁波の干渉によっ
て生じる性能劣化や異常共振等の電磁波障害を抑制でき
る混成集積回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】混成集積回路素子は、回路の高集積化、
実装の高効率化、秘密保持、コストの低減化、及び信頼
性の向上等が可能であることから、多くの電子機器に採
用されている。
実装の高効率化、秘密保持、コストの低減化、及び信頼
性の向上等が可能であることから、多くの電子機器に採
用されている。
【０００３】近年においては、更に電子機器のダウンサ
イジング化が進み、混成集積回路においても小型化、薄
厚型、及び軽量化が促進され、複数の半導体素子や能動
素子を収納して、より一層の小型化が成されている。ま
た、回路の高速化、高機能化に伴い、信号の伝播遅延に
よる所望のシステム性能が得られなくなる事態を回避す
べく、高密度配線基板または、パッケージ内に収容され
るマルチチップＩＣ（ＭＣＩＣ）等が、パーソナルコン
ピュータに代表される電子機器に多く用いられるように
なってきた。
イジング化が進み、混成集積回路においても小型化、薄
厚型、及び軽量化が促進され、複数の半導体素子や能動
素子を収納して、より一層の小型化が成されている。ま
た、回路の高速化、高機能化に伴い、信号の伝播遅延に
よる所望のシステム性能が得られなくなる事態を回避す
べく、高密度配線基板または、パッケージ内に収容され
るマルチチップＩＣ（ＭＣＩＣ）等が、パーソナルコン
ピュータに代表される電子機器に多く用いられるように
なってきた。
【０００４】通常、これらの高速化、高機能化、高密度
化された混成集積回路素子は、電子機器内のマザーボー
ド上に実装される。ここで問題となるのが、静電結合、
及び電磁結合による線間結合の増大や、輻射ノイズによ
る電磁干渉に起因する性能劣化や異常共振などの現象で
ある。
化された混成集積回路素子は、電子機器内のマザーボー
ド上に実装される。ここで問題となるのが、静電結合、
及び電磁結合による線間結合の増大や、輻射ノイズによ
る電磁干渉に起因する性能劣化や異常共振などの現象で
ある。
【０００５】従来、このような所謂電磁波障害に対し、
回路にローパスフィルタを挿入する、問題となる回路を
遠ざける、或いはシールディングを行うなどの手段を講
じて電磁波障害の原因となる電磁結合、不要輻射ノイズ
を抑制している。また、混成集積回路素子自身を樹脂で
封止した後に、導電ペーストなどでシールドして不要輻
射に対して混成集積回路素子を遮蔽するといったことも
成されている。
回路にローパスフィルタを挿入する、問題となる回路を
遠ざける、或いはシールディングを行うなどの手段を講
じて電磁波障害の原因となる電磁結合、不要輻射ノイズ
を抑制している。また、混成集積回路素子自身を樹脂で
封止した後に、導電ペーストなどでシールドして不要輻
射に対して混成集積回路素子を遮蔽するといったことも
成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電磁波障害に対する対策のうち、ノイズフィルタを挿入
る方法、及びシールディングを行う方法は、ノイズフィ
ルタを実装するスペースや、シールド材を実装するスペ
ースが必要となり、高密度化を実現する上で、有効な対
策とは言い難い。同様に、問題となる回路を遠ざける方
法も高密度化に逆行するものである。
電磁波障害に対する対策のうち、ノイズフィルタを挿入
る方法、及びシールディングを行う方法は、ノイズフィ
ルタを実装するスペースや、シールド材を実装するスペ
ースが必要となり、高密度化を実現する上で、有効な対
策とは言い難い。同様に、問題となる回路を遠ざける方
法も高密度化に逆行するものである。
【０００７】また、混成集積回路素子の外表面に導電ペ
ースト等の導電体をコーティングする方法は、反射によ
って、内部からの放射される電磁波を内側に抑え込み、
外部からの電磁波の侵入を防いでいるにすぎない。即
ち、この混成集積回路素子と、この素子が実装されるマ
ザーボードとの間における電磁波の透過減衰効果は期待
できるが、混成集積回路素子内の部品間、または、混成
集積回路素子とその混成集積回路素子に近接するマザー
ボード上の他の部品との間においては、このような効果
は期待できない。つまり、コーティングされた導電体
は、その特性上、反射によって同一実装部品面で二次的
な電磁結合を助長するという問題がある。
ースト等の導電体をコーティングする方法は、反射によ
って、内部からの放射される電磁波を内側に抑え込み、
外部からの電磁波の侵入を防いでいるにすぎない。即
ち、この混成集積回路素子と、この素子が実装されるマ
ザーボードとの間における電磁波の透過減衰効果は期待
できるが、混成集積回路素子内の部品間、または、混成
集積回路素子とその混成集積回路素子に近接するマザー
ボード上の他の部品との間においては、このような効果
は期待できない。つまり、コーティングされた導電体
は、その特性上、反射によって同一実装部品面で二次的
な電磁結合を助長するという問題がある。
【０００８】本発明は、混成集積回路素子の本来の回路
動作を損なうことなく、混成集積回路素子と、この素子
が実装されるマザーボードとの間で、電磁波の透過に対
して十分な遮蔽効果を有し、かつ、混成集積回路素子内
の部品間、及びマザーボード上の他の部品間の電磁結合
の助長させることのない混成集積回路素子を提供するこ
とを目的とする。
動作を損なうことなく、混成集積回路素子と、この素子
が実装されるマザーボードとの間で、電磁波の透過に対
して十分な遮蔽効果を有し、かつ、混成集積回路素子内
の部品間、及びマザーボード上の他の部品間の電磁結合
の助長させることのない混成集積回路素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、能動素
子と受動素子とが同一の配線基板に実装された混成集積
回路素子において、前記能動素子、前記受動素子、及び
前記配線基板が絶縁層で封止されており、該絶縁層の外
表面に、軟磁性体粉末と有機結合材とを含む絶縁性軟磁
性体層が形成され、該絶縁性軟磁性体層として第１及び
第２の絶縁性軟磁性体層を有し、該第１の絶縁性軟磁性
体層と該第２の絶縁性軟磁性体層との間に、導電性粉末
と有機結合剤とを含む導電体層を有することを特徴とす
る混成集積回路素子が得られる。
子と受動素子とが同一の配線基板に実装された混成集積
回路素子において、前記能動素子、前記受動素子、及び
前記配線基板が絶縁層で封止されており、該絶縁層の外
表面に、軟磁性体粉末と有機結合材とを含む絶縁性軟磁
性体層が形成され、該絶縁性軟磁性体層として第１及び
第２の絶縁性軟磁性体層を有し、該第１の絶縁性軟磁性
体層と該第２の絶縁性軟磁性体層との間に、導電性粉末
と有機結合剤とを含む導電体層を有することを特徴とす
る混成集積回路素子が得られる。
【００１０】また、本発明によれば、配線基板に実装さ
れた能動素子及び受動素子と、これらを封止する絶縁層
と、該絶縁層の外表面に形成された絶縁性軟磁性体層及
び導電体層とを有する混成集積回路素子の製造方法にお
いて、前記絶縁性軟磁性体層及び前記導電体層が、前記
絶縁層で封止された前記配線基板に実装された前記能動
素子及び前記受動素子を、それぞれ軟磁性体スラリー及
び導電体スラリーに含浸させて形成されることを特徴と
する混成集積回路素子の製造方法が得られる。
れた能動素子及び受動素子と、これらを封止する絶縁層
と、該絶縁層の外表面に形成された絶縁性軟磁性体層及
び導電体層とを有する混成集積回路素子の製造方法にお
いて、前記絶縁性軟磁性体層及び前記導電体層が、前記
絶縁層で封止された前記配線基板に実装された前記能動
素子及び前記受動素子を、それぞれ軟磁性体スラリー及
び導電体スラリーに含浸させて形成されることを特徴と
する混成集積回路素子の製造方法が得られる。
【００１１】
【作用】外部から混成集積回路素子の内部へ向かう輻射
ノイズは、絶縁性軟磁性体層により大きく吸収抑圧され
る。そして、導電体層で反射され、再び、絶縁性軟磁性
体層に吸収抑圧される。また、混成集積回路素子内部で
発生する輻射電磁波についても同様にして吸収抑圧され
る。
ノイズは、絶縁性軟磁性体層により大きく吸収抑圧され
る。そして、導電体層で反射され、再び、絶縁性軟磁性
体層に吸収抑圧される。また、混成集積回路素子内部で
発生する輻射電磁波についても同様にして吸収抑圧され
る。
【００１２】絶縁軟磁性体層は、偏平及び針状の少なく
とも一方の形状を呈する軟磁性体粉末を含む。これらの
軟磁性体粉末は形状磁気異方性を有し、高周波領域にお
いて、磁気共鳴に基づく複素透磁率の増大が生じるため
に、不要輻射成分を効率的に吸収抑制する。
とも一方の形状を呈する軟磁性体粉末を含む。これらの
軟磁性体粉末は形状磁気異方性を有し、高周波領域にお
いて、磁気共鳴に基づく複素透磁率の増大が生じるため
に、不要輻射成分を効率的に吸収抑制する。
【００１３】なお、このような絶縁軟磁性体層の特性
は、本発明者らによって、確認されている（特願平６−
４８６４号（平成６年１月２０日出願）参照）。
は、本発明者らによって、確認されている（特願平６−
４８６４号（平成６年１月２０日出願）参照）。
【００１４】
【実施例】以下に図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。図１に本発明の一実施例の混成集積回路素子の
断面図を示す。本実施例の混成集積回路素子は、配線基
板１１と、配線基板１１上に実装された能動素子及び受
動素子等の実装部品１２と、これら実装部品を外部へ接
続するための外部接続用リード線１３とを有し、その外
表面は、樹脂等の絶縁コーティング層１４で覆われてい
る。更に、本実施例の混成集積回路素子では、絶縁コー
ティング層１４の表面に、外部接続用リード線１３に接
触することなく、第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体
層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７がコーティン
グされている。
明する。図１に本発明の一実施例の混成集積回路素子の
断面図を示す。本実施例の混成集積回路素子は、配線基
板１１と、配線基板１１上に実装された能動素子及び受
動素子等の実装部品１２と、これら実装部品を外部へ接
続するための外部接続用リード線１３とを有し、その外
表面は、樹脂等の絶縁コーティング層１４で覆われてい
る。更に、本実施例の混成集積回路素子では、絶縁コー
ティング層１４の表面に、外部接続用リード線１３に接
触することなく、第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体
層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７がコーティン
グされている。
【００１５】第１の絶縁性軟磁性体層１５及び第２の絶
縁性軟磁性体層１７は、図２に示すように、偏平状及び
針状の少なくとも一方の形状を呈する軟磁性体粉末２１
と、有機結合剤２２とを含んでいる。また、導電体層１
６は、導電性粉末２３と、有機結合剤２４とを含んでい
る。これら第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体層１
６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７は、それぞれ、軟
磁性体粉末及び導電性粉末を絶縁性の有機結合剤２２、
２４と混練、分散させた軟磁性体スラリー、及び導電体
スラリーに、混成集積回路素子を含浸させる、所謂、ス
ラリー含浸法により形成される。
縁性軟磁性体層１７は、図２に示すように、偏平状及び
針状の少なくとも一方の形状を呈する軟磁性体粉末２１
と、有機結合剤２２とを含んでいる。また、導電体層１
６は、導電性粉末２３と、有機結合剤２４とを含んでい
る。これら第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体層１
６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７は、それぞれ、軟
磁性体粉末及び導電性粉末を絶縁性の有機結合剤２２、
２４と混練、分散させた軟磁性体スラリー、及び導電体
スラリーに、混成集積回路素子を含浸させる、所謂、ス
ラリー含浸法により形成される。
【００１６】ここで、第１の絶縁性軟磁性体層１５及び
第２の絶縁性軟磁性体層１７に含まれる軟磁性体粉末２
１としては、高周波透磁率の大きい鉄−アルミ珪素合金
（センダスト）、鉄−ニッケル合金（パーマロイ）が、
使用できる。これらの軟磁性体粉末２１は微細粉末化さ
れ、表面部分を酸化させて使用する。なお、これらの粉
末のアスペクト比は、十分に大きい（およそ５：１以
上）であることが望ましい。
第２の絶縁性軟磁性体層１７に含まれる軟磁性体粉末２
１としては、高周波透磁率の大きい鉄−アルミ珪素合金
（センダスト）、鉄−ニッケル合金（パーマロイ）が、
使用できる。これらの軟磁性体粉末２１は微細粉末化さ
れ、表面部分を酸化させて使用する。なお、これらの粉
末のアスペクト比は、十分に大きい（およそ５：１以
上）であることが望ましい。
【００１７】また、導電体層１６に含まれる導電性粉末
２３としては、銅粉、銀粉等の金属微粉末、或いは、導
電性カーボンブラック、導電性酸化チタン等の粉末を使
用することができる。
２３としては、銅粉、銀粉等の金属微粉末、或いは、導
電性カーボンブラック、導電性酸化チタン等の粉末を使
用することができる。
【００１８】更に、第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電
体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７に含まれる
有機結合剤２２及び２４としては、ポリエステル系樹
脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−
ブタジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂あるいはそれら共重合体、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、アミド系樹脂、及びイミド系樹脂等の熱
硬化樹脂等を使用することができる。
体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７に含まれる
有機結合剤２２及び２４としては、ポリエステル系樹
脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−
ブタジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂あるいはそれら共重合体、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、アミド系樹脂、及びイミド系樹脂等の熱
硬化樹脂等を使用することができる。
【００１９】なお、絶縁性軟磁性体層及び導電体層の各
々の厚さや、構成材料などは、混成集精器回路素子の回
路条件、実装する電子機器の配置、及び不要電磁波の電
磁界強度等を考慮して、最適な電磁環境を実現するよう
に決定される。
々の厚さや、構成材料などは、混成集精器回路素子の回
路条件、実装する電子機器の配置、及び不要電磁波の電
磁界強度等を考慮して、最適な電磁環境を実現するよう
に決定される。
【００２０】本実施例の混成集積回路素子の電磁波障害
に対する硬化を検証するために、第１の絶縁性軟磁性体
層１５、導電体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１
７から成る薄膜（試料１）を製造し、その特性を評価し
た。なお、第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体層１
６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７の組成は表１のと
おりである。
に対する硬化を検証するために、第１の絶縁性軟磁性体
層１５、導電体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１
７から成る薄膜（試料１）を製造し、その特性を評価し
た。なお、第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体層１
６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７の組成は表１のと
おりである。
【００２１】
【表１】
【００２２】また、厚さ７５μｍのポリイミドフィルム
の両面に、導電体層１６と同じ組成の銀ペーストをスラ
リー含浸法によりコーティングし、乾燥、硬化して、厚
さ１００μｍの比較試料（試料２）を得た。
の両面に、導電体層１６と同じ組成の銀ペーストをスラ
リー含浸法によりコーティングし、乾燥、硬化して、厚
さ１００μｍの比較試料（試料２）を得た。
【００２３】これらの試料１及び２に対して、透過レベ
ル及び結合レベルの試験を行なった。試験装置は、図３
（ａ）及び（ｂ）に示すように、電磁界波源用発信器３
１と、電磁界強度測定器（受信用素子）３２とに、それ
ぞれ、ループ径２ｍｍ以下の電磁界送信用微小ループア
ンテナ３３、及び電磁界受信用微小ループアンテナ３４
を接続した装置を用いた。透過レベルの測定は、図３
（ａ）に示すように、電磁界送信用微小ループアンテナ
３３と電磁界受信用微小ループアンテナ３４との間に試
料３５（試料１または２）を位置させ、結合レベルの測
定では、図３（ｂ）に示すように、試料３５の一方の面
に、電磁界送信用微小ループアンテナ３３と電磁界受信
用微小ループアンテナ３４とを対向させて行なった。な
お、電磁界強度測定器３２には、図示しないスペクトラ
ムアナライザが接続されており、試料が存在しない状態
での電磁界強度を基準として測定を行なった。
ル及び結合レベルの試験を行なった。試験装置は、図３
（ａ）及び（ｂ）に示すように、電磁界波源用発信器３
１と、電磁界強度測定器（受信用素子）３２とに、それ
ぞれ、ループ径２ｍｍ以下の電磁界送信用微小ループア
ンテナ３３、及び電磁界受信用微小ループアンテナ３４
を接続した装置を用いた。透過レベルの測定は、図３
（ａ）に示すように、電磁界送信用微小ループアンテナ
３３と電磁界受信用微小ループアンテナ３４との間に試
料３５（試料１または２）を位置させ、結合レベルの測
定では、図３（ｂ）に示すように、試料３５の一方の面
に、電磁界送信用微小ループアンテナ３３と電磁界受信
用微小ループアンテナ３４とを対向させて行なった。な
お、電磁界強度測定器３２には、図示しないスペクトラ
ムアナライザが接続されており、試料が存在しない状態
での電磁界強度を基準として測定を行なった。
【００２４】図４（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ、透過
レベル測定、及び結合レベル測定の結果（周波数数特
性）を示す。図４（ａ）及び（ｂ）から明らかな様に、
試料２では、透過レベルについて、大幅な低下が見られ
るものの、結合レベルについては増大する。これに対
し、試料１では、透過レベルが大幅に低下し、しかも、
結合レベルの増大も見られない。このことから、本実施
例の混成集積回路素子は、従来の銀ペーストをコーティ
ングした素子と同様に、十分に電磁波に対する遮蔽効果
を有すると共に、従来の素子に見られた様な電磁波の反
射が見られないことが分かる。
レベル測定、及び結合レベル測定の結果（周波数数特
性）を示す。図４（ａ）及び（ｂ）から明らかな様に、
試料２では、透過レベルについて、大幅な低下が見られ
るものの、結合レベルについては増大する。これに対
し、試料１では、透過レベルが大幅に低下し、しかも、
結合レベルの増大も見られない。このことから、本実施
例の混成集積回路素子は、従来の銀ペーストをコーティ
ングした素子と同様に、十分に電磁波に対する遮蔽効果
を有すると共に、従来の素子に見られた様な電磁波の反
射が見られないことが分かる。
【００２５】次に、上記組成の第１の絶縁性軟磁性体層
１５、導電体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７
を、順番に、樹脂封止された混成集積回路素子の外表面
にスラリー含浸法によりコーティングした。これらの層
を硬化させた後、この３層の厚さを測定したところ０．
７ｍｍであった。また、振動型磁力計と走査型電子顕微
鏡とを用いて第１及び第２の絶縁性軟磁性体層を解析し
たところ、磁化容易軸及び磁性粒子配向方向はいずれも
これら層の面内方向であった。さらに、この混成集積回
路素子をマザーボードに実装し、電気的回路動作を確認
したところ磁性体及び導電体による悪影響は認められな
かった。
１５、導電体層１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７
を、順番に、樹脂封止された混成集積回路素子の外表面
にスラリー含浸法によりコーティングした。これらの層
を硬化させた後、この３層の厚さを測定したところ０．
７ｍｍであった。また、振動型磁力計と走査型電子顕微
鏡とを用いて第１及び第２の絶縁性軟磁性体層を解析し
たところ、磁化容易軸及び磁性粒子配向方向はいずれも
これら層の面内方向であった。さらに、この混成集積回
路素子をマザーボードに実装し、電気的回路動作を確認
したところ磁性体及び導電体による悪影響は認められな
かった。
【００２６】このように、本実施例の絶縁性軟磁性体層
及び導電体層をコーティングした混成集積回路素子は、
マザーボードに実装したとき、不要輻射による影響を受
けず、また、反射によって電磁結合を助長することもな
い。
及び導電体層をコーティングした混成集積回路素子は、
マザーボードに実装したとき、不要輻射による影響を受
けず、また、反射によって電磁結合を助長することもな
い。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、混成集積回路素子を封
止する絶縁層の外表面に、絶縁性軟磁性体層を設けたこ
とで、混成集積回路素子としての本来の回路動作を損な
うことなく、マザーボード及びマザーボードに搭載され
た他の部品からの輻射電磁波に対して十分な遮蔽効果を
有し、内部の部品間、あるいはマザーボードに搭載され
た他の部品間の電磁結合を助長することのない混成集積
回路素子が得られる。特に、絶縁性軟磁性体層と導電体
層とを組み合わせるとこの効果は顕著になる。
止する絶縁層の外表面に、絶縁性軟磁性体層を設けたこ
とで、混成集積回路素子としての本来の回路動作を損な
うことなく、マザーボード及びマザーボードに搭載され
た他の部品からの輻射電磁波に対して十分な遮蔽効果を
有し、内部の部品間、あるいはマザーボードに搭載され
た他の部品間の電磁結合を助長することのない混成集積
回路素子が得られる。特に、絶縁性軟磁性体層と導電体
層とを組み合わせるとこの効果は顕著になる。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図１の第１の絶縁性軟磁性体層１５、導電体層
１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７の部分拡大断面
図である。
１６、及び第２の絶縁性軟磁性体層１７の部分拡大断面
図である。
【図３】図１の特性を検証するための測定方法を説明す
るための図であって、（ａ）は透過レベルの測定、
（ｂ）は結合レベルの測定をする方法を説明するための
図である。
るための図であって、（ａ）は透過レベルの測定、
（ｂ）は結合レベルの測定をする方法を説明するための
図である。
【図４】図３の測定方法を用いて特性を測定した結果を
示すグラフであって、（ａ）は、透過レベルの周波数特
性図、（ｂ）は結合レベルの周波数特性図である。
示すグラフであって、（ａ）は、透過レベルの周波数特
性図、（ｂ）は結合レベルの周波数特性図である。
１１ 配線基板
１２ 実装部品
１３ 外部接続用リード線
１４ 絶縁コーティング層
１５ 第１の絶縁性軟磁性体層
１６ 導電体層
１７ 第２の絶縁性軟磁性体層
２１ 軟磁性体粉末
２２ 有機結合剤
２３ 導電性粉末
２４ 有機結合剤
３１ 電磁界波源用発信器
３２ 電磁界強度測定器
３３ 電磁界送信用微小ループアンテナ
３４ 電磁界受信用微小ループアンテナ
３５ 試料
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−352498（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−213803（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−12502（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−29688（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−18739（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−158593（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−151297（ＪＰ，Ａ)
実開 平７−3195（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 9/00
H01L 25/04
H01L 25/18
H05K 3/28
H01F 1/00 - 1/375
Claims (3)
- 【請求項１】 能動素子と受動素子とが同一の配線基板
に実装された混成集積回路素子において、前記能動素
子、前記受動素子、及び前記配線基板が絶縁層で封止さ
れており、該絶縁層の外表面に、軟磁性体粉末と有機結
合材とを含む絶縁性軟磁性体層が形成され、該絶縁性軟
磁性体層として第１及び第２の絶縁性軟磁性体層を有
し、該第１の絶縁性軟磁性体層と該第２の絶縁性軟磁性
体層との間に、導電性粉末と有機結合剤とを含む導電体
層を有することを特徴とする混成集積回路素子。 - 【請求項２】 前記軟磁性体粉末が、偏平状及び針状の
うち少なくとも一方の形状を呈することを特徴とする請
求項１に記載の混成集積回路素子。 - 【請求項３】 配線基板に実装された能動素子及び受動
素子と、これらを封止する絶縁層と、該絶縁層の外表面
に形成された絶縁性軟磁性体層及び導電体層とを有する
混成集積回路素子の製造方法において、前記絶縁性軟磁
性体層及び前記導電体層が、前記絶縁層で封止された前
記配線基板に実装された前記能動素子及び前記受動素子
を、それぞれ軟磁性体スラリー及び導電体スラリーに含
浸させて形成されることを特徴とする混成集積回路素子
の製造方法。
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|---|---|---|---|
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