JP3522595B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅、すなわちトラック幅を数ミク
ロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造
の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するた
めに半導体加工技術が利用されている。
【０００４】ここで、図１９ないし図２２を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１９ないし図２２において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図１９に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５μｍ程度の厚みで堆積す
る。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生
ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを例えば３５〜６０ｎｍの厚みにスパッタ堆
積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を
形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上
に、再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成
する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、Ｍ
Ｒ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６
を形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を例えば３５〜６０ｎｍの厚みに形成
し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０
７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約２．５〜３．５μｍの厚
みに形成する。
【０００９】次に、図２０に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を例えば０．２〜０．２５μｍの厚み
に形成する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層
１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１
０９ａを形成する。次に、後述する薄膜コイルを形成す
る領域における記録ギャップ層１０９の上に、フォトレ
ジスト層１１０を例えば１．０〜１．５μｍの厚みに形
成する。次に、フォトレジスト層１１０の上に、例えば
電解めっき法によって、誘導型の記録ヘッド用の薄膜コ
イル１１１を形成する。次に、薄膜コイル１１１を覆う
ようにフォトレジスト層１１２を形成する。
【００１０】次に、図２１に示したように、磁極部分に
おける記録ギャップ層１０９の上からフォトレジスト層
１１２の上を経てコンタクトホール１０９ａにかけて、
記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極層１１３を、
例えば２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。
【００１１】次に、図２２に示したように、上部磁極層
１１３をマスクとして、例えばイオンミリングによっ
て、上部磁極層１１３の周囲における記録ギャップ層１
０９を除去し、更に下部磁極層１０８を例えば０．３〜
０．４μｍだけエッチングする。図２２（ｂ）に示した
ように、上部磁極部分（上部磁極層１１３）、記録ギャ
ップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が
垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）
構造と呼ばれる。
【００１２】次に、上部磁極層１１３の上に、例えばア
ルミナよりなるオーバーコート層１１４を形成する。最
後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび
再生ヘッドのエアベアリング面１２０を形成して、薄膜
磁気ヘッドが完成する。
【００１３】図２２において、符号ＴＨはスロートハイ
トを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表し、Ｍ
Ｒ−ＨはＭＲハイトを表し、θはエイペックスアングル
（Apex Angle）を表している。なお、スロートハイトと
は、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部
分すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。スロートハイ
トゼロ位置とは、磁極部分のエアベアリング面とは反対
側の端部の位置をいう。ＭＲハイトとは、ＭＲ素子１０
５のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの
長さ（高さ）をいう。また、エイペックスアングルと
は、フォトレジスト層１１２のような絶縁層で覆われて
山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部
と言う。）における磁極側の斜面と記録ギャップ層１０
９の上面とのなす角度をいう。図２２に示した薄膜磁気
ヘッドでは、フォトレジスト層１１２のエアベアリング
面１２０側の端部の位置が、スロートハイトゼロ位置Ｔ
Ｈ０となる。
【００１４】図２３は、図２２に示した薄膜磁気ヘッド
の主要部分についての平面図（図２３において上側に配
置された図）と断面図（図２３において下側に配置され
た図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図２３
では、オーバーコート層１１４や、その他の絶縁層およ
び絶縁膜を適宜省略している。図２３において、符号Ｐ
２Ｗは記録トラック幅を表している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２２に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈおよびエイペックスアング
ルθや、図２３に示した記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に
形成することが重要である。
【００１６】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。
【００１７】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
【００１８】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
【００１９】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２０】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
【００２１】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２２】特に、エイペックス部の斜面上の領域で
は、露光用の光が下地電極膜で反射して戻ってくる反射
光には、垂直方向の反射光のみならず、エイペックス部
の斜面からの斜め方向または横方向の反射光も含まれる
ため、これらの反射光によってフォトレジストが感光し
て、フォトレジストパターンのくずれが大きくなる。
【００２３】一方、トラック幅には、スライダの研磨加
工時の研磨量によって変化がないことが要求される。
【００２４】そのため、エイペックス部の上に上部磁極
層を形成する場合には、フォトリソグラフィの露光時に
おける下地電極膜での反射光によってトラック幅が影響
を受けにくくなるような工夫が必要であった。
【００２５】エイペックスアングルθが大きいほど、フ
ォトリソグラフィの露光時に、下地電極膜での反射光の
うち斜め方向または横方向に進む光の光量が大きくな
り、下地電極膜での反射光によってトラック幅が影響を
受けやすくなる。そこで、従来は、例えば、スロートハ
イトゼロ位置ＴＨ０から薄膜コイル１１１の外周端まで
の距離を大きくすることによって、エイペックスアング
ルθを小さくしていた。
【００２６】ところで、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁
路長（Yoke Length）を短くすることが困難であるとい
う問題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほ
ど、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高
周波特性や非線形トランジションシフト（Non-linear T
ransition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）に優れた
記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを
限りなく小さくしていった場合、スロートハイトゼロ位
置からコイル外周端までの距離、および上部磁極層と下
部磁極層とのコンタクト部からコイル内周端までの距離
が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因となって
いた。以下、これを詳しく説明する。
【００２７】例えば図２２に示した薄膜磁気ヘッドで
は、フォトレジスト層１１０の上に薄膜コイル１１１が
形成されている。フォトレジスト層１１０の端部近傍は
丸みを帯びた形状になる。このような部分では、コイル
のシード層のエッチングができず、コイルがショートす
るため、薄膜コイル１１１は平坦部に形成する必要があ
る。そのため、薄膜コイル１１１の外周端および内周端
は、フォトレジスト層１１０の外周端および内周端から
ある程度離れた位置に配置する必要がある。また、薄膜
コイル１１１を覆うようにフォトレジスト層１１２を形
成するため、薄膜コイル１１１の外周端および内周端か
らフォトレジスト層１１２の外周端および内周端までの
各距離、すなわち、スロートハイトゼロ位置からコイル
の外周端までの距離、および上部磁極層と下部磁極層と
のコンタクト部からコイル内周端までの距離は、薄膜コ
イル１１１の外周端および内周端からフォトレジスト層
１１１の外周端および内周端までの各距離よりも大きく
なる。このような薄膜コイル１１１の外周端および内周
端からフォトレジスト層１１２の外周端および内周端ま
での各距離が、磁路長の縮小を妨げる要因となる。
【００２８】更に、上述のように、エイペックスアング
ルθを小さくするために、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０から薄膜コイル１１１の外周端までの距離を大きくす
ると、一層、磁路長が大きくなる。
【００２９】図２４は、図２３におけるＡ部、すなわち
薄膜コイル１１１の内周端の近傍を拡大して示したもの
である。ここで、例えば、コイルの厚みを２〜２．５μ
ｍとし、フォトレジスト層１１０の厚み、およびフォト
レジスト層１１２のうちの薄膜コイル１１１の上面から
上側の部分の厚みを１〜２μｍとすると、図２４に示し
たように、薄膜コイル１１１の内周端からフォトレジス
ト層１１０の内周端までの長さｄ1としては例えば３μ
ｍ必要であり、薄膜コイル１１１の内周端からフォトレ
ジスト層１１２の内周端までの長さｄ2としては例えば
５μｍ必要になる。
【００３０】更に、エイペックスアングルθを２５°〜
３５°とすると、薄膜コイル１１１の外周端からフォト
レジスト層１１２の外周端までの長さとしては例えば１
０μｍ必要になる。薄膜コイル１１１の線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの８巻コイルを１層で形成す
る場合には、磁路長のうち薄膜コイル１１１に対応する
部分の長さは１５．２μｍである。磁路長には、これに
加え、薄膜コイル１１１の外周端からフォトレジスト層
１１２の外周端までの長さである例えば１０μｍと、薄
膜コイル１１１の内周端からフォトレジスト層１１２の
内周端までの長さである例えば５μｍが必要になる。従
って、磁路長は例えば３０．２μｍとなる。なお、本出
願では、磁路長を、図２２において符号Ｌ0で示したよ
うに、磁極層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を
除いた部分の長さで表す。このように、従来は、磁路長
の縮小が困難であり、これが高周波特性やＮＬＴＳの改
善を妨げていた。
【００３１】なお、ここまでは、１層の薄膜コイルを形
成する場合を例にとって説明したが、磁路長を短くする
ことが困難であるという問題点は、２層の薄膜コイルを
形成する場合も同様である。すなわち、従来は、１層目
の薄膜コイルを覆うフォトレジスト層の上に２層目の薄
膜コイルを形成するため、２層の薄膜コイルの外周端お
よび内周端は、フォトレジスト層の丸みを帯びた端部か
らある程度離れた位置に配置する必要がある。
【００３２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、誘導型磁気変換素子のトラック幅お
よび磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体
対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部
分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性
層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを
備え、一方の磁性層は、薄膜コイルの少なくとも一部に
対向する位置に配置された第１の層と、第１の層におけ
る薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第
２の層とを有し、第２の層は、媒体対向面側に配置され
た第１の部分と、媒体対向面から離れた位置に配置され
た第２の部分とを含み、第１の部分の幅は第２の部分の
幅よりも小さく、薄膜コイルの少なくとも一部は第２の
層の側方に配置され、他方の磁性層はトラック幅を規定
する部分を有し、更に、第２の層に形成され、スロート
ハイトを規定するためのスロートハイト規定用絶縁層を
収納する絶縁層収納部と、絶縁層収納部に収納されたス
ロートハイト規定用絶縁層とを備えたものである。
【００３４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互
いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面
側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少
なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、
第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との
間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
薄膜磁気ヘッドを製造する方法である。
【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第
１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャ
ップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性
層を形成する工程と、少なくとも一部が第１および第２
の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して
絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形成
する工程とを含み、一方の磁性層を形成する工程は、薄
膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置された
第１の層を形成する工程と、第１の層における薄膜コイ
ル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の層を形
成する工程とを含み、第２の層を形成する工程は、媒体
対向面側に配置された第１の部分と、媒体対向面から離
れた位置に配置された第２の部分とを含み、第１の部分
の幅が第２の部分の幅よりも小さくなるように、第２の
層を形成し、薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイル
の少なくとも一部を第２の層の側方に配置し、他方の磁
性層を形成する工程は、トラック幅を規定する部分を形
成し、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第２の層に
対して、スロートハイトを規定するためのスロートハイ
ト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部を形成する工程
と、絶縁層収納部に収納されるように、スロートハイト
規定用絶縁層を形成する工程とを含むものである。
【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、一方の磁性層の第２の層に形成される絶縁層収
納部によってスロートハイトが規定され、他方の磁性層
によってトラック幅が規定される。また、本発明では、
薄膜コイルの少なくとも一部が、第２の層の側方に配置
される。これにより、トラック幅を規定する他方の磁性
層を平坦な面の上に精度よく形成することが可能にな
る。また、本発明では、第２の層において、媒体対向面
側に配置された第１の部分の幅を、媒体対向面から離れ
た位置に配置された第２の部分の幅よりも小さくしてい
る。これにより、実効的なトラック幅の増加が防止され
る。また、本発明では、薄膜コイルの少なくとも一部の
端部を第２の層の端部の近傍に配置することが可能にな
り、これにより、磁路長の縮小が可能になる。
【００３７】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、更に、第２の層の側方に配置された薄膜コイル
の少なくとも一部を覆い、そのギャップ層側の面が第２
の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化された絶縁
層を設けてもよい。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、他方の磁性層は、１つの層からなっ
ていてもよい。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、他方の磁性層は、磁極部分となる磁
極部分層と、磁極部分層に接続され、ヨーク部分となる
ヨーク部分層とを有していてもよい。この場合、ヨーク
部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面から離れた
位置に配置されていてもよい。また、薄膜コイルは、一
方の磁性層の第２の層の側方に配置された第１層部分
と、他方の磁性層の磁極部分層の側方に配置された第２
層部分とを有していてもよい。この場合には、更に、薄
膜コイルの第１層部分を覆い、そのギャップ層側の面が
第２の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化された
第１の絶縁層と、薄膜コイルの第２層部分を覆い、その
ヨーク部分層側の面が磁極部分層におけるヨーク部分層
側の面と共に平坦化された第２の絶縁層とを設けてもよ
い。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の層の第１の部分におけるギャ
ップ層側の一部は、トラック幅に等しい幅を有していて
もよい。
【００４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に
対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
に配置された、磁気抵抗素子をシールドするための第１
および第２のシールド層とを設けてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図９を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図５において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
【００４３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１８を、約４〜
５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）
によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、
表面を平坦化処理する。
【００４４】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法
によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールド
ギャップ膜４，７をＣＶＤ法によって形成する場合に
は、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いる
と、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャ
ップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００４５】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８の第１の層８ａを、約１．０〜２．０μ
ｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８
は、この第１の層８ａと、後述する第２の層８ｂおよび
第３の層８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の層
８ａは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向す
る位置に配置される。
【００４６】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１９を、約２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭ
Ｐ（化学機械研磨）によって、下部磁極層８の第１の層
８ａが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４７】次に、下部磁極層８の第１の層８ａの上
に、下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃ
を、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の層
８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第１の層８
ａの薄膜コイルが形成される側（図において上側）の面
に接続される。第３の層８ｃは、第１の層８ａと後述す
る上部磁極層とを接続するための部分である。
【００４８】図７は、この時点における下部磁極層８の
第２の層８ｂの形状を示す斜視図である。この図に示し
たように、第２の層８ｂは、エアベアリング面３０側に
配置された第１の部分８ｂ1と、この第１の部分８ｂ1に
連結され、エアベアリング面３０から離れた位置に配置
された第２の部分８ｂ2とを含む。第１の部分８ｂ1と第
２の部分８ｂ2は、それぞれ一定の幅Ｗ1，Ｗ2を有し、
第１の部分８ｂ1の幅Ｗ 1は、第２の部分８ｂ2の幅Ｗ2よ
りも小さくなっている。従って、第２の層８ｂは、エア
ベアリング面３０側から見てＴ形をなしている。また、
第１の部分８ｂ 1と第２の部分８ｂ2との境界の位置（第
１の部分８ｂ1と第２の部分８ｂ2との段差部分の位置）
は、スロートハイトゼロ位置の近傍に配置されている。
【００４９】下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の
層８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形
成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料である
ＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５０】次に、第２の層８ｂの上において、所望の
スロートハイトゼロ位置からエアベアリング面３０側の
部分に、フォトレジストによって図示しないエッチング
マスクを形成する。次に、このエッチングマスクを用い
て、第２の層８ｂの上面のうち、スロートハイトゼロ位
置からエアベアリング面３０とは反対側の部分を、イオ
ンミリング等によって、例えば０．３〜０．６μｍだけ
エッチングする。
【００５１】図８は、この時点における下部磁極層８の
第２の層８ｂの形状を示す斜視図である。この図に示し
たように、上述のエッチングにより、第２の層８ｂの上
面において、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０からエアベ
アリング面３０とは反対側の部分は、スロートハイトゼ
ロ位置ＴＨ０からエアベアリング面３０側の部分よりも
低くなり、両部分の間にスロートハイトを規定するテー
パー状の段差面８ｂ3が形成される。スロートハイトゼ
ロ位置ＴＨ０からエアベアリング面３０とは反対側の部
分は、後述するスロートハイトを規定するためのスロー
トハイト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部２０とな
る。
【００５２】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．５μｍ
の厚みに形成する。
【００５３】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するための図示しないフレームを
形成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっ
き法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１
０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２
〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。次に、フレー
ムを除去する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル
１０を、後述する導電層（リード）と接続するための接
続部を示している。
【００５４】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層
８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出するまで、
絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここ
で、図４では、薄膜コイル１０は露出していないが、薄
膜コイル１０が露出するようにしてもよい。
【００５５】この時点で、絶縁層収納部２０には、絶縁
膜９および絶縁層１１が収納され、これら絶縁膜９およ
び絶縁層１１が本実施の形態におけるスロートハイト規
定用絶縁層となる。
【００５６】次に、図５に示したように、露出した下部
磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃと絶縁層１
１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例
えば０．１５〜０．２５μｍの厚みに形成する。記録ギ
ャップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、
アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、
シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン
（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ層１２は、ス
パッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長
（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。アルミナ膜より
なる記録ギャップ層１２をＣＶＤ法によって形成する場
合には、材料としては例えばトリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を
用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ない記録ギ
ャップ層１２を形成することが可能となる。
【００５７】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。ま
た、薄膜コイル１０の接続部１０ａの上の部分におい
て、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５８】次に、記録ギャップ層１２の上において、
エアベアリング面３０から下部磁極層８の第３の層８ｃ
の上の部分にかけて上部磁極層１３を約２．０〜３．０
μｍの厚みに形成すると共に、薄膜コイル１０の接続部
１０ａに接続されるように導電層１４を約３〜４μｍの
厚みに形成する。上部磁極層１３は、下部磁極層８の第
３の層８ｃの上の部分に形成されたコンタクトホールを
介して、下部磁極層８の第３の層８ｃに接続されてい
る。
【００５９】上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００６０】次に、上部磁極層１３をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層８の第２の層８ｂを
選択的に約０．３〜０．５μｍ程度エッチングして、図
５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止するこ
とができる。
【００６１】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【００６２】本実施の形態では、第１の層８ａ、第２の
層８ｂおよび第３の層８ｃよりなる下部磁極層８が、本
発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１３
が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、下
部シールド層３は、本発明における第１のシールド層に
対応する。また、下部磁極層８は、上部シールド層を兼
ねているので、本発明における第２のシールド層にも対
応する。
【００６３】図６は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての断面図（図６において上側に配
置された図）と平面図（図６において下側に配置された
図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図６で
は、オーバーコート層１７や、その他の絶縁層および絶
縁膜を省略している。図６において、符号ＴＨはスロー
トハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表
している。
【００６４】図６に示したように、上部磁極層１３は、
エアベアリング面３０側から順に配置された第１の部分
１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよび第３の部分１３Ｃを有
している。第１の部分１３Ａの幅は記録トラック幅Ｗ3
に等しく、第２の部分１３Ｂの幅は第１の部分１３Ａの
幅よりも大きく、第３の部分１３Ｃの幅は第２の部分１
３Ｂの幅よりも大きくなっている。第３の部分１３Ｃの
幅は、エアベアリング面３０に近づく従って徐々に小さ
くなっている。また、第１の部分１３Ａと第２の部分１
３Ｂとの境界の位置（第１の部分１３Ａと第２の部分１
３Ｂとの段差部分の位置）は、スロートハイトゼロ位置
ＴＨ０の近傍に配置されている。
【００６５】図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの磁極部分の近傍を示す斜視図である。この図に示し
たように、下部磁極層８の第２の層８ｂの第１の部分８
ｂ1における記録ギャップ層１２側の一部は、上部磁極
層１３の第１の部分１３Ａの幅、すなわち記録トラック
幅に等しい幅を有している。
【００６６】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向す
る側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有してい
る。
【００６７】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
記録媒体に対向する側において互いに対向する磁極部分
を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極
層８（第１の層８ａ、第２の層８ｂおよび第３の層８
ｃ）および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の磁極
部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記
録ギャップ層１２と、少なくとも一部が下部磁極層８お
よび上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された
状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。
【００６８】本実施の形態では、下部磁極層８は、薄膜
コイル１０の少なくとも一部に対向する位置に配置され
た第１の層８ａと、この第１の層８ａにおける薄膜コイ
ル１０側（図５（ａ）において上側）の面に接続され、
磁極部分を形成する第２の層８ｂとを有している。第２
の層８ｂは、エアベアリング面３０側に配置された第１
の部分８ｂ1の幅Ｗ1が、エアベアリング面３０から離れ
た位置に配置された第２の部分８ｂ2の幅Ｗ2よりも小さ
い形状をなしている（図７参照）。また、薄膜コイル１
０は、下部磁極層８の第２の層８ｂの側方（図５（ａ）
において右側）に配置されている。
【００６９】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の層８ｂに絶縁層収納部２０が形成され、この絶縁
層収納部２０のエアベアリング面３０側の端部である段
差面８ｂ3（図８参照）がスロートハイトを規定する。
また、本実施の形態では、上部磁極層１３の第１の部分
１３Ａによって記録トラック幅を規定する。
【００７０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、下部磁極層８の第２の層８ｂに形成された絶縁層収
納部２０によってスロートハイトを規定し、上部磁極層
１３によって記録トラック幅を規定し、薄膜コイル１０
を第２の層８ｂの側方に配置したので、記録トラック幅
を規定する上部磁極層１３を平坦な面の上に精度よく形
成することが可能になる。従って、記録トラック幅をハ
ーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも小さくし
ても、記録トラック幅を精度よく制御することができ
る。また、本実施の形態では、第２の層８ｂにおいて、
エアベアリング面３０側に配置された第１の部分８ｂ1
の幅を、エアベアリング面３０から離れた位置に配置さ
れた第２の部分８ｂ2の幅よりも小さくしたので、第２
の層８ｂのエアベアリング面３０における幅を小さくし
て、実効的なトラック幅の増加を防止することができ
る。更に、本実施の形態では、下部磁極層８の第２の層
８ｂの第１の部分８ｂ1における記録ギャップ層１２側
の一部を、上部磁極層１３の第１の部分１３Ａの幅、す
なわち記録トラック幅に等しい幅にしたので、実効的な
トラック幅の増加をより一層防止することができる。以
上のことから、本実施の形態によれば、記録ヘッド（誘
導型磁気変換素子）のトラック幅の縮小が可能になる。
【００７１】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を下部磁極層８の第２の層８ｂの側方に配置し、平坦な
絶縁膜９の上に形成している。そのため、本実施の形態
によれば、薄膜コイル１０を微細に精度よく形成するこ
とが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エイペ
ックス部が存在しないので、下部磁極層８の第２の層８
ｂの端部の近くに薄膜コイル１０の端部を配置すること
ができる。
【００７２】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮
小が可能となり、その結果、薄膜コイル１０で発生した
起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。従
って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周波特性
や、ＮＬＴＳや、オーバーライト特性の優れた薄膜磁気
ヘッドを提供することが可能となる。
【００７３】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１０の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１０の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１０の厚みを小さくするこ
とが可能となる。
【００７４】ところで、もし、下部磁極層８の第２の層
８ｂの全体をスロートハイトに等しい長さとして、第２
の層８ｂの端部によってスロートハイトを規定するよう
にした場合には、下部磁極層８の第１の層８ａと第２の
層８ｂとの接続部分で磁路の断面積が急激に減少するた
め、この部分で磁束の飽和が生じる可能がある。これ
は、特にスロートハイトが小さくなったときに顕著にな
る。
【００７５】これに対し、本実施の形態では、第２の層
８ｂの上面の一部をエッチングして絶縁層収納部２０を
形成し、この絶縁層収納部２０の端部によってスロート
ハイトを規定している。従って、本実施の形態によれ
ば、スロートハイトゼロ位置よりもエアベアリング面３
０から離れた位置においても、下部磁極層８の第１の層
８ａと第２の層８ｂとを接触させることができる。従っ
て、本実施の形態によれば、下部磁極層８において磁路
の断面積が急激に減少することがなく、磁路の途中での
磁束の飽和を防止することができる。その結果、本実施
の形態によれば、薄膜コイル１０で発生した起磁力を効
率よく記録に利用することが可能となる。
【００７６】また、本実施の形態では、第２の層８ｂの
上面の一部をエッチングして形成された絶縁層収納部２
０の端部によってスロートハイトを規定するので、薄膜
コイルを覆うように形成されたフォトレジスト層によっ
てスロートハイトを規定する場合に比べて、スロートハ
イトを正確に制御することができる。
【００７７】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
をマスクとして記録ギャップ層１２および下部磁極層８
の第２の層８ｂをエッチングしてトリム構造とするが、
そのエッチングは、エッチングすべき領域以外の部分の
上に図示しないフォトレジストマスクを形成してから行
う。そして、エッチングの後にフォトレジストマスクを
除去する。このフォトレジストマスクの除去には、アッ
シング等のドライエッチングを用いることができる。こ
こで、薄膜コイルがフォトレジスト層によって覆われて
いると、フォトレジストマスクの除去にドライエッチン
グを用いると、薄膜コイルを覆うフォトレジスト層まで
除去されてしまう場合がある。本実施の形態では、薄膜
コイル１０は、無機絶縁材料よりなる絶縁層１１で覆わ
れているので、このような不具合はない。
【００７８】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の層８ｂと薄膜コイル１０の間に、薄く且つ十分な
絶縁耐圧が得られる無機絶縁材料よりなる絶縁膜９が設
けられるので、下部磁極層８の第２の層８ｂと薄膜コイ
ル１０との間に大きな絶縁耐圧を得ることができる。
【００７９】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１１で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１０の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。
【００８０】［第２の実施の形態］次に、図１０ないし
図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１０ないし図１６において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【００８１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１０に示したように、例えばアルテ
ィック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例
えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μ
ｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材
料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シー
ルド層３を、約３μｍの厚みで選択的に形成する。次
に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭ
Ｐによって、下部シールド層３が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。
【００８２】次に、図１１に示したように、下部シール
ド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜
４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次
に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素
子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シール
ドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続され
る一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次
に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上
に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例え
ば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシー
ルドギャップ膜４，７内に埋設する。
【００８３】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなる下部磁極層８の第１の層８ａを、約
１．０〜２．０μｍの厚みで、選択的に形成する。
【００８４】次に、図１２に示したように、下部磁極層
８の第１の層８ａの上に、下部磁極層８の第２の層８ｂ
および第３の層８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに
形成する。次に、第２の層８ｂの上面のうち、スロート
ハイトゼロ位置からエアベアリング面３０とは反対側の
部分を、イオンミリング等によって、例えば０．３〜
０．６μｍだけエッチングする。第２の層８ｂの形状
は、第１の実施の形態と同様である。次に、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．５μ
ｍの厚みに形成する。
【００８５】次に、図１３に示したように、フレームめ
っき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第１層
部分２１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび
１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。なお、
図中、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部分２１を後
述する第２層部分に接続するための接続部を示してい
る。
【００８６】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２２を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、下部磁極層８の第２の層８ｂおよ
び第３の層８ｃが露出するまで、絶縁層２２を研磨し
て、表面を平坦化処理する。ここで、図１３では、薄膜
コイルの第１層部分２１は露出していないが、薄膜コイ
ルの第１層部分２１が露出するようにしてもよい。
【００８７】次に、図１４に示したように、露出した下
部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃと絶縁層
２２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、
例えば０．１５〜０．２５μｍの厚みに形成する。
【００８８】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００８９】次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁
極層１３の磁極部分を形成する磁極部分層１３ａを例え
ば３．０〜４．０μｍの厚みに形成すると共に、下部磁
極層８の第３の層８ｃの上に位置する部分の上に形成さ
れたコンタクトホールの位置に、磁性層１３ｂを例えば
３．０〜４．０μｍの厚みに形成する。なお、本実施の
形態における上部磁極層１３は、磁極部分層１３ａおよ
び磁性層１３ｂと、後述するヨーク部分層１３ｃとで構
成される。磁性層１３ｂは、ヨーク部分層１３ｃと下部
磁極層８の第３の層８ｃとを接続するための部分であ
る。本実施の形態では、上部磁極層１３の磁極部分層１
３ａのエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部
までの長さをスロートハイトよりも大きくしている。
【００９０】上部磁極層１３の磁極部分層１３ａおよび
磁性層１３ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタに
よって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材
料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いても
よい。
【００９１】次に、上部磁極層１３の磁極部分層１３ａ
をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャッ
プ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライ
エッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガ
スや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次
に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極
層８の第２の層８ｂを選択的に約０．３〜０．５μｍ程
度エッチングして、図１４（ｂ）に示したようなトリム
構造とする。
【００９２】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜２３を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成する。
【００９３】次に、図１５に示したように、薄膜コイル
の第１層部分２１の接続部２１ａの上の部分において、
絶縁膜２３、記録ギャップ層１２および絶縁層２２をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。次に、フレ
ームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの
第２層部分２４を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚み
および１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。
なお、図中、符号２４ａは、薄膜コイルの第２層部分２
４を第１層部分２１に接続するための接続部を示してい
る。また、本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分
２１と第２層部分２４の巻き数を共に４巻としている。
【００９４】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２５を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層１３の磁極部分層１３
ａおよび磁性層１３ｂが露出するまで、絶縁層２５を研
磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１５では、
薄膜コイルの第２層部分２４は露出していないが、薄膜
コイルの第２層部分２４が露出するようにしてもよい。
第２層部分２４が露出するようにした場合には、第２層
部分２４および絶縁層２５の上に他の絶縁層を形成す
る。
【００９５】次に、図１６に示したように、平坦化され
た上部磁極層１３の磁極部分層１３ａおよび磁性層１３
ｂと、絶縁層２５の上に、記録ヘッド用の磁性材料から
なる上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層１
３ｃを、例えば３．０〜４．０μｍの厚みに形成する。
このヨーク部分層１３ｃは、磁性層１３ｂを介して、下
部磁極層８の第３の層８ｃと接触し、磁気的に連結して
いる。上部磁極層１３のヨーク部分層１３ｃは、ＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和
磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。
この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ
系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性
の改善のため、上部磁極層１３のヨーク部分層１３ｃ
を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層に
も重ね合わせた構造としてもよい。
【００９６】本実施の形態では、上部磁極層１３のヨー
ク部分層１３ｃのエアベアリング面３０側の端面は、エ
アベアリング面３０から離れた位置（図１６（ａ）にお
いて右側）に配置されている。
【００９７】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【００９８】本実施の形態では、磁極部分層１３ａ、磁
性層１３ｂおよびヨーク部分層１３ｃよりなる上部磁極
層１３が、本発明の第２の磁性層に対応する。
【００９９】図１７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての断面図（図１７において上側
に配置された図）と平面図（図１７において下側に配置
された図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図
１７中の平面図では、オーバーコート層２７や、その他
の絶縁層および絶縁膜を省略している。図１７におい
て、符号ＴＨはスロートハイトを表し、ＴＨ０はスロー
トハイトゼロ位置を表している。この図に示したよう
に、上部磁極層１３の磁極部分層１３ａは、エアベアリ
ング面３０側に配置された第１の部分１３ａ1と、この
第１の部分１３ａ1に連結され、エアベアリング面３０
から離れた位置に配置された第２の部分１３ａ 2とを含
む。第１の部分１３ａ1の幅は記録トラック幅に等し
く、第２の部分１３ａ2の幅は第１の部分１３ａ1の幅よ
りも大きくなっている。また、第１の部分１３ａ1と第
２の部分１３ａ2との境界の位置（第１の部分１３ａ1と
第２の部分１３ａ2との段差部分の位置）は、スロート
ハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍に配置されている。
【０１００】上部磁極層１３のヨーク部分層１３ｃは、
エアベアリング面３０側から順に配置された第１の部分
１３ｃ1と第２の部分１３ｃ2とを有している。ヨーク部
分層１３ｃの第１の部分１３ｃ1の幅は、磁極部分層１
３ａの第２の部分１３ａ2の幅とほぼ等しくなってい
る。ヨーク部分層１３ｃの第２の部分１３ｃ2の幅は、
第１の部分１３ｃ1との境界部分では第１の部分１３ｃ1
の幅と等しく、境界部分からエアベアリング面３０とは
反対側に向かうほど大きくなるように変化した後、一定
の大きさになっている。
【０１０１】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、薄膜コイルの第１層部分２１を下部磁極層８の第２
の層８ｂの側方に配置し、薄膜コイルの第１層部分２１
を覆う絶縁層２２の上面を下部磁極層８の第２の層８ｂ
の上面と共に平坦化したので、記録トラック幅を規定す
る上部磁極層１３の磁極部分層１３ａを平坦な面の上に
形成することができる。そのため、本実施の形態によれ
ば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン寸法やクォ
ータミクロン寸法にも小さくしても、磁極部分層１３ａ
を精度よく形成することができ、記録トラック幅の縮小
が可能になる。
【０１０２】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２層部分２４を上部磁極層１３の磁極部分層１３ａ
の側方に配置し、薄膜コイルの第２層部分２４を覆う絶
縁層２５の上面を磁極部分層１３ａの上面と共に平坦化
したので、上部磁極層１３のヨーク部分層１３ｃも、平
坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施
の形態によれば、ヨーク部分層１３ｃも微細に形成可能
となり、その結果、記録媒体に対して、本来、記録すべ
き領域以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわ
ゆるサイドライトの発生を防止することが可能となる。
【０１０３】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
のヨーク部分層１３ｃのエアベアリング面３０側の端面
を、エアベアリング面３０から離れた位置に配置してい
る。そのため、本実施の形態によれば、スロートハイト
が小さい場合においても、上部磁極層１３のヨーク部分
層１３ｃがエアベアリング面３０に露出することがな
く、その結果、いわゆるサイドライトの発生を防止する
ことができる。
【０１０４】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
の磁極部分層１３ａのエアベアリング面３０側の端部か
ら反対側の端部までの長さをスロートハイトよりも大き
くしている。そのため、スロートハイトゼロ位置よりも
エアベアリング面３０から離れた位置においても、上部
磁極層１３の磁極部分層１３ａとヨーク部分層１３ｃと
を接触させることができる。従って、本実施の形態によ
れば、上部磁極層１３において磁路の断面積が急激に減
少することがなく、磁路の途中での磁束の飽和を防止す
ることができる。
【０１０５】また、本実施の形態では、薄膜コイルの第
１層部分２１と第２層部分２４との間には、記録ギャッ
プ層１２の他に、無機材料よりなる絶縁膜２３が設けら
れるので、薄膜コイルの第１層部分２１と第２層部分２
４との間に大きな絶縁耐圧を得ることができると共に、
薄膜コイル２１，２４からの磁束の漏れを低減すること
ができる。
【０１０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】［第３の実施の形態］次に、図１８を参照
して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図１８は、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分についての断面
図（図１８において上側に配置された図）と平面図（図
１８において下側に配置された図）とを対応付けて示す
説明図である。なお、図１８では、オーバーコート層
や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。
【０１０８】本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部
分２１の内周端の位置と第２層部分２４の内周端の位置
を合わせながら、第２層部分２４の巻き数を第１層部分
２１の巻き数よりも少なくしている。図１８に示した例
では、第１層部分２１の巻き数を５巻とし、第２層部分
２４の巻き数を４巻としている。そのため、本実施の形
態では、第２層部分２４の外周端の位置は、第１層部分
２１の外周端の位置よりも、エアベアリング面３０から
離れた位置になっている。このことを利用して、本実施
の形態では、上部磁極層１３の磁極部分層１３ａの長さ
を、下部磁極層８の第２の層８ｂの長さよりも大きくし
ている。従って、本実施の形態によれば、第２の実施の
形態に比べて、上部磁極層１３の磁極部分層１３ａとヨ
ーク部分層１３ｃとの接触面積を大きくすることができ
る。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層１３に
おける磁路の途中での磁束の飽和をより一層防止するこ
とができる。
【０１０９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１１０】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。
【０１１１】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１１２】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【０１１３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし９の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１０ない
し１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、一方の磁性層の第２の層に形成される絶縁層収
納部によってスロートハイトを規定し、他方の磁性層に
よってトラック幅を規定し、薄膜コイルの少なくとも一
部を第２の層の側方に配置したので、トラック幅を規定
する他方の磁性層を平坦な面の上に精度よく形成するこ
とが可能になる。また、本発明では、第２の層におい
て、媒体対向面側に配置された第１の部分の幅を、媒体
対向面から離れた位置に配置された第２の部分の幅より
も小さくしたので、実効的なトラック幅の増加を防止す
ることができる。以上のことから、本発明によれば、誘
導型磁気変換素子のトラック幅の縮小が可能になるとい
う効果を奏する。また、本発明では、薄膜コイルの少な
くとも一部を第２の層の側方に配置したので、薄膜コイ
ルの少なくとも一部の端部を第２の層の端部の近傍に配
置することが可能になり、磁路長の縮小が可能になると
いう効果を奏する。
【０１１４】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の層の側方に配置された薄膜コイルの少なくと
も一部を覆い、そのギャップ層側の面が第２の層におけ
るギャップ層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けた
ので、特に、トラック幅を規定する磁性層を平坦な面の
上に精度よく形成することができるという効果を奏す
る。
【０１１５】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、他方の磁性層が、磁極部分となる磁極部分層とヨー
ク部分となるヨーク部分層とを有するようにし、ヨーク
部分層の媒体対向面側の端面を媒体対向面から離れた位
置に配置したので、更に、記録すべき領域以外の領域へ
のデータの書き込みを防止することができるという効果
を奏する。
【０１１６】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、一方の磁性層の第２の層の側方に配
置された第１層部分と、他方の磁性層の磁極部分層の側
方に配置された第２層部分とを有するようにし、更に、
薄膜コイルの第１層部分を覆い、そのギャップ層側の面
が第２の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化され
た第１の絶縁層と、薄膜コイルの第２層部分を覆い、そ
のヨーク部分層側の面が磁極部分層におけるヨーク部分
層側の面と共に平坦化された第２の絶縁層とを設けたの
で、更に、ヨーク部分層を精度よく形成することができ
るという効果を奏する。
【０１１７】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の層の第１の部分におけるギャップ層側の一部
が、トラック幅に等しい幅を有するようにしたので、特
に、実効的なトラック幅の増加を防止することができる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての断面図と平面図とを対応付けて
示す説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための斜視図で
ある。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための斜視図で
ある。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの磁極部分の近傍を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての断面図と平面図とを対応付け
て示す説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての断面図と平面図とを対応付け
て示す説明図である。
【図１９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２２】従来の磁気ヘッドの平面図である。
【図２３】図２２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部分に
ついての平面図と断面図とを対応付けて示す説明図であ
る。
【図２４】図２３におけるＡ部を拡大して示す説明図で
ある。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、８ａ…第１の層、８ｂ…第２の
層、８ｃ…第３の層、９…絶縁膜、１０…薄膜コイル、
１１…絶縁層、１２…記録ギャップ層、１３…上部磁極
層、１７……オーバーコート層、２０…絶縁層収納部。

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
    向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
    含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
    第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第
    ２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
    と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間
    に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
    態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドで
    あって、 一方の磁性層は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対
    向する位置に配置された第１の層と、前記第１の層にお
    ける前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成
    する第２の層とを有し、 前記第２の層は、媒体対向面側に配置された第１の部分
    と、媒体対向面から離れた位置に配置された第２の部分
    とを含み、前記第１の部分の幅は前記第２の部分の幅よ
    りも小さく、且つ、前記第１の部分における前記ギャッ
    プ層側の一部の幅は、前記第１の部分における他の部分
    の幅よりも小さく、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記第２の層の側方
    に配置され、 他方の磁性層はトラック幅を規定する部分を有し、 更に、前記第２の層に形成され、スロートハイトを規定
    するためのスロートハイト規定用絶縁層を収納する絶縁
    層収納部と、前記絶縁層収納部に収納されたスロートハ
    イト規定用絶縁層とを備えたことを特徴とする薄膜磁気
    ヘッド。
  2. 【請求項２】 更に、前記第２の層の側方に配置された
    前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのギャップ
    層側の面が前記第２の層におけるギャップ層側の面と共
    に平坦化された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項
    １記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記他方の磁性層は、１つの層からなる
    ことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】 前記他方の磁性層は、磁極部分となる磁
    極部分層と、前記磁極部分層に接続され、ヨーク部分と
    なるヨーク部分層とを有することを特徴とする請求項１
    または２記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
    は、媒体対向面から離れた位置に配置されていることを
    特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記薄膜コイルは、前記一方の磁性層の
    前記第２の層の側方に配置された第１層部分と、前記他
    方の磁性層の前記磁極部分層の側方に配置された第２層
    部分とを有することを特徴とする請求項４または５記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 更に、前記薄膜コイルの前記第１層部分
    を覆い、そのギャップ層側の面が前記第２の層における
    ギャップ層側の面と共に平坦化された第１の絶縁層と、
    前記薄膜コイルの前記第２層部分を覆い、そのヨーク部
    分層側の面が前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の
    面と共に平坦化された第２の絶縁層とを備えたことを特
    徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第２の層の前記第１の部分における
    前記ギャップ層側の一部は、トラック幅に等しい幅を有
    することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
    する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
    に配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするための
    第１および第２のシールド層とを備えたことを特徴とす
    る請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  10. 【請求項１０】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分
    を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１およ
    び第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記
    第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
    と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間
    に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
    態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの
    製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 一方の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの少な
    くとも一部に対向する位置に配置された第１の層を形成
    する工程と、前記第１の層における前記薄膜コイル側の
    面に接続され、磁極部分を形成する第２の層を形成する
    工程とを含み、 前記第２の層を形成する工程は、媒体対向面側に配置さ
    れた第１の部分と、媒体対向面から離れた位置に配置さ
    れた第２の部分とを含み、前記第１の部分の幅が前記第
    ２の部分の幅よりも小さく、且つ、前記第１の部分にお
    ける前記ギャップ層側の一部の幅が、前記第１の部分に
    おける他の部分の幅よりも小さくなるように、前記第２
    の層を形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を前記第２の層の側方に配置し、 他方の磁性層を形成する工程は、トラック幅を規定する
    部分を形成し、 薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、 前記第２の層に対して、スロートハイトを規定するため
    のスロートハイト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部
    を形成する工程と、 前記絶縁層収納部に収納されるように、スロートハイト
    規定用絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記一方の磁性層は前記第１の磁性層
    であり、前記他方の磁性層は前記第２の磁性層であり、 更に、前記第２の層の側方に配置された前記薄膜コイル
    の少なくとも一部を覆い、そのギャップ層側の面が前記
    第２の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化された
    絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１
    ０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記他方の磁性層は、１つの層からな
    ることを特徴とする請求項１０または１１記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記他方の磁性層を形成する工程は、
    磁極部分となる磁極部分層と、前記磁極部分層に接続さ
    れ、ヨーク部分となるヨーク部分層とを形成することを
    特徴とする請求項１０または１１記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記他方の磁性層を形成する工程は、
    前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面
    から離れた位置に配置することを特徴とする請求項１３
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記一方の磁性層の前記第２の層の側方に配置された第１
    層部分と、前記他方の磁性層の前記磁極部分層の側方に
    配置された第２層部分とを形成することを特徴とする請
    求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記一方の磁性層は前記第１の磁性層
    であり、前記他方の磁性層は前記第２の磁性層であり、 更に、前記薄膜コイルの前記第１層部分を覆い、そのギ
    ャップ層側の面が前記第２の層におけるギャップ層側の
    面と共に平坦化された第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記薄膜コイルの前記第２層部分を覆い、そのヨーク部
    分層側の面が前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の
    面と共に平坦化された第２の絶縁層を形成する工程とを
    含むことを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第２の層の前記第１の部分におけ
    る前記ギャップ層側の一部は、トラック幅に等しい幅を
    有することを特徴とする請求項１０ないし１６のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と形成する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１０ないし１７のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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