JP2002008207A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘導型電磁変換素子の磁極部分を精度よく形
成すると共に、記録すべき領域以外の領域へのデータの
書き込みを防止する。 【解決手段】 記録ヘッドは、下部磁極層１０および上
部磁極層１８と、磁極層１０，１８の各磁極部分の間に
設けられた記録ギャップ層１７と、少なくとも一部が磁
極層１０，１８の間に、２つの磁極層１０，１８に対し
て絶縁された状態で配設された薄膜コイル１３とを有し
ている。下部磁極層１０は、磁極部分層１０ａとヨーク
部分層１０ｂとを有している。ヨーク部分層１０ｂのエ
アベアリング面３０側の端部はエアベアリング面３０か
ら離れた位置に配置されている。薄膜コイル１３は、磁
極部分層１０ａの側方に配置されている。上部磁極層１
８は１つの層で構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。

【０００４】ここで、図９ないし図１２を参照して、従
来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄
膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図９ないし図１２において、（ａ）はエアベアリン
グ面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベア
リング面に平行な断面を示している。

【０００５】この製造方法では、まず、図９に示したよ
うに、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりな
る基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）より
なる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積
する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再
生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。

【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。

【０００９】次に、図１０に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。

【００１０】次に、図１１に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図１１（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。

【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。

【００１３】次に、図１２に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、上記各層を含
むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生
ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面１１８
を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００１４】図１３は、図１２に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。

【００１５】図１２（ａ）において、ＴＨは、スロート
ハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。
なお、スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャッ
プ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端
部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、
ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部
から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図
１２（ｂ）において、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録ト
ラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定す
る要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、
図１２（ａ）においてθで示したようなエイペックスア
ングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアン
グルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山
状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と
言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁
層１１１の上面とのなす角度をいう。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図１２に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。

【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。

【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。

【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。

【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。

【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。

【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。

【００２４】このようなことから、上述の従来例の図１
０ないし図１２の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。

【００２５】また、特開平６−３１４４１３号公報に
は、上部磁極層と下部磁極層の双方を、磁極部分を含む
層とヨーク部分となる層の２つの層で構成した薄膜磁気
ヘッドが開示されている。

【００２６】しかしながら、図１２に示した薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、特開平６−３１４４１３号公報に開示
された薄膜磁気ヘッドにおいても、ヨーク部分となる層
の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、このような薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分を含む層
のみならず、ヨーク部分となる層側でも書き込みが行わ
れ、記録媒体に対して、本来、記録すべき領域以外の領
域にもデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライ
トが発生するという問題点があった。

【００２７】また、特開平６−３１４４１３号公報に開
示された薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分において、上部
磁極層の２つの層と下部磁極層の２つの層の合計４つの
層の幅が等しく形成されている。このように磁極部分に
おいて幅が等しくなるように４つの層を形成する方法と
しては、各層の形成時において各層の磁極部分の形状が
決まるように各層を形成する方法や、４つの層を形成し
た後に、磁極部分における４つの層の幅が等しくなるよ
うに４つの層を一括してエッチングする方法が考えられ
る。

【００２８】しかしながら、各層の形成時において各層
の磁極部分の形状が決まるように各層を形成する方法で
は、特に記録トラック幅を小さくしていった場合には、
各層の磁極部分の形状を精度よく決定し、且つ各層の磁
極部分の位置合わせを精度よく行うことが難しいという
問題点がある。

【００２９】また、４つの層を一括してエッチングする
方法では、エッチングに多くの時間を要すると共に、４
つの層の磁極部分の形状を精度よく決定することが難し
いという問題点がある。

【００３０】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエ
アベアリング面側の端部の位置）からコイルの外周端ま
での距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因
となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコ
イルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録
ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、
従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、
コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜
を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目の
コイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部
が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成す
るが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイル
のシード層のエッチングができず、コイルがショートす
るため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要があ
る。

【００３１】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。

【００３２】ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図１２に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図１２において符号Ｌ₀で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。

【００３３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、誘導型電磁変換素子の磁極部
分を精度よく形成することができると共に、記録すべき
領域以外の領域へのデータの書き込みを防止することが
できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供することにある。

【００３４】本発明の第２の目的は、上記第１の目的に
加え、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。

【００３５】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、第１の磁
性層は、一方の面がギャップ層に隣接し、第１の磁性層
における磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部分層の他
方の面に接続され、第１の磁性層におけるヨーク部分と
なるヨーク部分層とを有し、ヨーク部分層の媒体対向面
側の端部は媒体対向面から離れた位置に配置され、薄膜
コイルの少なくとも一部は磁極部分層の側方に配置さ
れ、第２の磁性層は、トラック幅を規定する部分を有す
る１つの層からなるものである。

【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギ
ャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁
性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１および第
２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形
成する工程とを備え、第１の磁性層を形成する工程は、
一方の面がギャップ層に隣接し、第１の磁性層における
磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部分層の他方の面に
接続され、第１の磁性層におけるヨーク部分となるヨー
ク部分層とを形成し、且つヨーク部分層の媒体対向面側
の端部を媒体対向面から離れた位置に配置し、薄膜コイ
ルを形成する工程は、薄膜コイルの少なくとも一部を磁
極部分層の側方に配置し、第２の磁性層は、トラック幅
を規定する部分を有する１つの層からなるものである。

【００３７】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の磁性層が磁極部分層とヨーク部分層とを
有し、且つヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対
向面から離れた位置に配置されるので、第１の磁性層の
磁極部分層を精度よく形成することが可能である。ま
た、本発明では、薄膜コイルの少なくとも一部が磁極部
分層の側方に配置されるので、１つの層からなる第２の
磁性層を平坦または平坦に近い状態で形成することがで
きる。これらのことから、本発明では、磁極部分を精度
よく形成することが可能になる。また、本発明では、ヨ
ーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れ
た位置に配置されるので、記録すべき領域以外の領域へ
のデータの書き込みが防止される。

【００３８】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法において、磁極部分層は、一端が媒体対向面に配置さ
れた、トラック幅に等しい幅を有する部分を含んでいて
もよい。

【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、磁極部分層は、一端が媒体対向面に
配置され、トラック幅に等しい幅を有する第１の部分
と、第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置さ
れ、トラック幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを
含んでいてもよい。

【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、磁極部分層の側方に配置された薄膜
コイルの少なくとも一部を覆い、ギャップ層側の面が磁
極部分層におけるギャップ層側の面と共に平坦化された
コイル絶縁層を設けてもよい。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図７を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【００４２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層３１を、例えば
４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以
下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露
出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。

【００４３】次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜と
しての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４
０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ
膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに
形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形
成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形
成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素
子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の
磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることが
できる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ
素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎ
ｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールド
ギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成
し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設す
る。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料とし
ては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライ
クカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャッ
プ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、
化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。
アルミナ膜よりなるシールドギャップ膜４，７をＣＶＤ
法によって形成する場合には、材料としては例えばトリ
メチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）およびＨ₂Ｏを
用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホ
ールの少ないシールドギャップ膜４，７を形成すること
が可能となる。

【００４４】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料、例えばパーマロイよりなる、再生ヘッド用の
上部シールド層８を、例えば１．０μｍの厚みで、選択
的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる
絶縁層３２を、約２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣ
ＭＰによって、上部シールド層８が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。

【００４５】次に、上部シールド層８および絶縁層３２
の上に、再生ヘッドと記録ヘッドとを磁気的に絶縁する
ための、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、例えば
０．１〜０．２μｍの厚みに形成する。

【００４６】次に、図２に示したように、絶縁膜９の上
に、磁性材料によって、記録ヘッド用の下部磁極層１０
におけるヨーク部分となるヨーク部分層１０ｂを、例え
ば１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。な
お、下部磁極層１０は、このヨーク部分層１０ｂと、後
述する磁極部分層１０ａおよび接続部分層１０ｃとで構
成される。ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０
側の端部は、エアベアリング面３０から離れた位置に配
置されている。

【００４７】ヨーク部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材
料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量
％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高
飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を
用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、
高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファ
ス材等を用いてもよい。

【００４８】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層を、約２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰに
よって、ヨーク部分層１０ｂが露出するまで研磨して、
表面を平坦化処理する。これにより、図２に示したよう
に、ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端
部からエアベアリング面３０までの部分において、絶縁
膜９の上に絶縁層１１が形成される。

【００４９】次に、図３に示したように、絶縁層１１と
ヨーク部分層１０ｂの上に下部磁極層１０の磁極部分層
１０ａを形成すると共に、ヨーク部分層１０ｂの上に接
続部分層１０ｃを形成する。磁極部分層１０ａは、下部
磁極層１０における磁極部分を含む。接続部分層１０ｃ
は、後述する薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置され
る。磁極部分層１０ａと接続部分層１０ｃの厚みは、例
えば１．０〜１．５μｍとする。

【００５０】下部磁極層１０の磁極部分層１０ａおよび
接続部分層１０ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆ
ｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、
めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材
料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ
によって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度
材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いて
もよい。

【００５１】次に、図４に示したように全体に、例えば
アルミナよりなる絶縁膜１２を、約０．３〜０．５μｍ
の厚みに形成する。次に、絶縁膜１２の上に、フレーム
めっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル１３
を、例えば０．８〜１．０μｍの厚みに形成する。薄膜
コイル１３は、接続部分層１０ｃを中心にして巻回され
るように形成される。なお、図中、符号１３ａは、薄膜
コイル１３を後述するリード層１９に接続するための接
続部を示している。次に、薄膜コイル１３を囲うように
フォトレジスト層１４を形成する。

【００５２】次に、全体に、例えばアルミナよりなるコ
イル絶縁層１５を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次
に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１０の磁極部分
層１０ａおよび接続部分層１０ｃが露出するまで、コイ
ル絶縁層１５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここ
で、図４は、薄膜コイル１３は露出していないが、薄膜
コイル１３が露出するようにしてもよい。

【００５３】次に、図５に示したように、エアベアリン
グ面３０より所定の距離だけ離れた位置からエアベアリ
ング面３０までの部分を除く全体の上に、スロートハイ
トを規定するための、例えばアルミナよりなる絶縁層１
６を、例えば０．８μｍの厚みに形成する。

【００５４】次に、全体に、絶縁材料よりなる記録ギャ
ップ層１７を、例えば０．１〜０．１５μｍの厚みに形
成する。記録ギャップ層１７に使用する絶縁材料として
は、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン
酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドラ
イクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ
層１７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学
的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。アル
ミナ膜よりなる記録ギャップ層１７をＣＶＤ法によって
形成する場合には、材料としては例えばトリメチルアル
ミニウム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）およびＨ₂Ｏを用いる。Ｃ
ＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少な
い記録ギャップ層１７を形成することが可能となる。

【００５５】次に、下部磁極層１０の接続部分層１０ｃ
の上の部分と薄膜コイル１３の接続部１３ａの上の部分
において、記録ギャップ層１７および絶縁層１６を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。

【００５６】次に、図６に示したように、記録ギャップ
層１７の上において、エアベアリング面３０から下部磁
極層１０の接続部分層１０ｃの上の部分にかけて上部磁
極層１８を例えば２．０〜３．０μｍの厚みに形成する
と共に、薄膜コイル１３の接続部１３ａに接続されるよ
うにリード層１９を例えば３〜４μｍの厚みに形成す
る。上部磁極層１８は、下部磁極層１０の接続部分層１
０ｃに接続される。

【００５７】上部磁極層１８は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１８を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【００５８】次に、上部磁極層１８の磁極部分の周辺に
おいて、上部磁極層１８をマスクとして、ドライエッチ
ングにより、記録ギャップ層１７を選択的にエッチング
する。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣ
ｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、ＣＦ₄，ＳＦ₆等のフッ素
系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（以
下、ＲＩＥと記す。）が用いられる。次に、上部磁極層
１８の磁極部分の周辺にいて、上部磁極層１８をマスク
として、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリング
によって、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａを選択的
に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６
（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構
造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の
広がりによる実効トラック幅の増加を防止することがで
きる。

【００５９】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッド
を含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成し
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００６０】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける下部磁極層１０および上部磁極層１８の磁極
部分の近傍を示す斜視図である。

【００６１】本実施の形態では、下部磁極層１０が本発
明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１８が本
発明における第２の磁性層に対応する。

【００６２】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エ
アベアリング面３０）と、再生ヘッドと、記録ヘッド
（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドと
記録ヘッドは、絶縁膜９によって磁気的に絶縁されてい
る。

【００６３】再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリ
ング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するよう
に配置され、ＭＲ素子５をシールドする下部シールド層
３および上部シールド層８とを有している。

【００６４】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層１０および上部磁極層１８と、これら２つの磁極層１
０，１８の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層
１７と、少なくとも一部がこれら２つの磁極層１０，１
８の間に、２つの磁極層１０，１８に対して絶縁された
状態で配設された薄膜コイル１３とを有している。

【００６５】下部磁極層１０は、一方の面（上面）が記
録ギャップ層１７に隣接し、下部磁極層１０における磁
極部分を含む磁極部分層１０ａと、磁極部分層１０ａの
他方の面（下面）に接続され、下部磁極層１０における
ヨーク部分となるヨーク部分層１０ｂとを有している。
ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部は
エアベアリング面３０から離れた位置に配置されてい
る。ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端
部からエアベアリング面３０までの部分には、絶縁層１
１が配置されている。上部磁極層１８は、トラック幅を
規定する部分を有する１つの層からなる。

【００６６】また、図７に示したように、下部磁極層１
０における磁極部分層１０ａは、一端がエアベアリング
面３０に配置され、少なくとも一部が記録トラック幅に
等しい幅を有する第１の部分１０ａ₁と、第１の部分１
０ａ₁よりもエアベアリング面３０とは反対側に配置さ
れ、記録トラック幅よりも大きい幅を有する第２の部分
１０ａ₂とを含んでいる。

【００６７】上部磁極層１８は、エアベアリング面３０
側から順に配置された第１の部分１８Ａ、第２の部分１
８Ｂおよび第３の部分１８Ｃを有している。第１の部分
１８Ａの幅は記録トラック幅に等しく、第２の部分１８
Ｂの幅は第１の部分１８Ａの幅よりも大きく、第３の部
分１８Ｃの幅は第２の部分１８Ｂの幅よりも大きくなっ
ている。第３の部分１８Ｃの幅は、エアベアリング面３
０に近づく従って徐々に小さくなっている。

【００６８】また、薄膜コイル１３は、下部磁極層１０
の磁極部分層１０ａの側方に配置されている。薄膜コイ
ル１３は、フォトレジスト層１４とコイル絶縁層１５と
によって覆われ、コイル絶縁層１５の上面は、磁極部分
層１０ａの上面と共に平坦化されている。

【００６９】以上説明したように、本実施の形態では、
下部磁極層１０は磁極部分層１０ａとヨーク部分層１０
ｂとを有している。従って、本実施の形態によれば、磁
極部分を含む磁極部分層１０ａを微細に精度よく形成す
ることが可能になる。また、本実施の形態では、薄膜コ
イル１３を、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方
に配置し、薄膜コイル１３を覆うコイル絶縁層１５の上
面を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの上面と共に平
坦化し、この平坦化された面の上に絶縁層１６および記
録ギャップ層１７を介して、上部磁極層１８を形成して
いる。従って、本実施の形態によれば、１つの層からな
る上部磁極層１８を平坦または平坦に近い状態で形成す
ることができ、その結果、磁極部分を含む上部磁極層１
８を微細に精度よく形成することが可能になる。

【００７０】また、本実施の形態では、下部磁極層１０
のヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部
はエアベアリング面３０から離れた位置に配置されてい
る。そのため、本実施の形態では、エアベアリング面３
０における上部磁極層１８の磁極部分の幅と下部磁極層
１０の磁極部分の幅を等しくする場合、上部磁極層１８
と下部磁極層の磁極部分層１０ａおよびヨーク部分層１
０ｂの３つの層についてではなく、上部磁極層１８と磁
極部分層１０ａとの２つの層のみについて磁極部分の幅
を等しくすればよい。従って、本実施の形態によれば、
上部磁極層１８の磁極部分の幅と下部磁極層１０の磁極
部分の幅を等しくすることを、容易に且つ精度よく行う
ことができる。

【００７１】以上のことから、本実施の形態によれば、
記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）の磁極部分を精度よ
く形成することが可能になる。

【００７２】また、本実施の形態によれば、ヨーク部分
層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部をエアベアリ
ング面３０から離れた位置に配置したので、記録すべき
領域以外の領域へのデータの書き込み、すなわちサイド
ライトを防止することができる。

【００７３】ところで、従来、記録ヘッドの下部磁極層
が再生ヘッドの上部シールド層を兼ねた構造の複合型薄
膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドにおける記録動作の直後
に、再生ヘッドにおける再生信号にノイズが発生した
り、再生信号の変動が大きくなるという問題点があっ
た。その原因の一つは、記録ヘッドの記録動作に伴って
記録ヘッド側で発生する残留磁気およびその変動である
と考えられる。

【００７４】これに対し、本実施の形態では、再生ヘッ
ドの上部シールド層８と記録ヘッドの下部磁極層１０と
を分離すると共に、これらの間に絶縁膜９を配置してい
る。これにより、記録ヘッド側で発生する残留磁気のＭ
Ｒ素子５に対する影響を低減することができる。更に、
本実施の形態では、下部磁極層１０のヨーク部分層１０
ｂのエアベアリング面３０側の端部をエアベアリング面
３０から離れた位置に配置し、ヨーク部分層１０ｂのエ
アベアリング面３０側の端部からエアベアリング面３０
までの部分に絶縁層１１を配置しているため、記録ヘッ
ドの磁極部分と再生ヘッドのＭＲ素子５との間を絶縁層
１１によって磁気的に分離することができる。その結
果、本実施の形態によれば、絶縁層１１によって、記録
ヘッド側で発生する残留磁気のＭＲ素子５に対する影響
をより一層低減することができる。従って、本実施の形
態によれば、記録ヘッドの記録動作に起因して再生ヘッ
ドにおける再生信号に発生するノイズや変動を低減する
ことができる。

【００７５】また、本実施の形態では、薄膜コイル１３
を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置し、
平坦な絶縁膜１２の上に形成している。そのため、本実
施の形態によれば、薄膜コイル１３を微細に精度よく形
成することが可能になる。また、本実施の形態によれ
ば、磁極部分層１０ａのエアベアリング面３０とは反対
側の端部の近くに、薄膜コイル１３の端部を配置するこ
とができる。これらのことから、本実施の形態によれ
ば、従来に比べて磁路長の縮小が可能となる。更に、薄
膜コイル１３で発生した起磁力が途中で飽和することを
防止でき、薄膜コイル１３で発生した起磁力を効率よく
記録に利用することができる。従って、本実施の形態に
よれば、記録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジシ
ョンシフト（Non-linear Transition Shift；ＮＬＴ
Ｓ）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーライト
特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能とな
る。

【００７６】また、本実施の形態では、薄膜コイル１３
を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置し、
薄膜コイル１３を覆うコイル絶縁層１５の上面を、磁極
部分層１０ａの上面と共に平坦化している。そのため、
本実施の形態によれば、コイル絶縁層１５に隣接する層
を精度よく形成することが可能になる。

【００７７】また、本実施の形態では、薄膜コイル１３
を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置した
ことから、上部磁極層１８をほぼ平坦な１つの層で構成
することができる。従って、本実施の形態によれば、上
部磁極層を複数の層で構成する場合に比べて、工数を減
らすことができる。

【００７８】［第２の実施の形態］次に、図８を参照し
て、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図８は本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示し、（ａ）はエアベ
アリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエ
アベアリング面に平行な断面を示している。

【００７９】本実施の形態では、図８（ｂ）に示したよ
うに、エアベアリング面３０における上部磁極層１８の
幅と磁極部分層１０ａの幅を、厚み方向の全体にわたっ
て等しくしたものである。このように両者の幅を等しく
する方法としては、上部磁極層１８をマスクとして記録
ギャップ層１７と磁極部分層１０ａとをエッチングする
方法でもよいし、上部磁極層１８の上に形成したマスク
層をマスクとして、上部磁極層１８、記録ギャップ層１
７および磁極部分層１０ａをエッチングする方法でもよ
い。エッチング方法としては、例えばＲＩＥが用いられ
る。また、マスク層は、例えば、アルミナ層の上に、パ
ターニングされた金属層を形成し、この金属層をマスク
として、ＲＩＥによってアルミナ層をエッチングするこ
とによって形成される。

【００８０】また、本実施の形態において、上部磁極層
１８、記録ギャップ層１７および下部磁極層１０の磁極
部分層１０ａを集束イオンビームによってエッチングす
るようにしてもよい。

【００８１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００８２】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。

【００８３】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。

【００８４】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし４の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項５ないし
８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有
し、且つヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向
面から離れた位置に配置されるので、第１の磁性層の磁
極部分層を精度よく形成することが可能である。また、
本発明によれば、薄膜コイルの少なくとも一部が磁極部
分層の側方に配置されるので、１つの層からなる第２の
磁性層を平坦または平坦に近い状態で形成することがで
きる。これらのことから、本発明によれば、誘導型電磁
変換素子の磁極部分を精度よく形成することが可能にな
るという効果を奏する。また、本発明によれば、ヨーク
部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れた位
置に配置されるので、記録すべき領域以外の領域へのデ
ータの書き込みを防止することができるという効果を奏
する。

【００８６】また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも
一部を覆い、ギャップ層側の面が磁極部分層におけるギ
ャップ層側の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を設け
たので、コイル絶縁層に隣接する層を精度よく形成する
ことが可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける下部磁極層および上部磁極層の磁極部分の近
傍を示す斜視図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工
程を説明するための断面図である。

【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１３】従来の磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…上部シールド層、９…絶縁膜、１０…下部磁
極層、１０ａ…磁極部分層、１０ｂ…ヨーク部分層、１
１…絶縁層、１３…薄膜コイル、１５…コイル絶縁層、
１６…絶縁層、１７…記録ギャップ層、１８…上部磁極
層、２０…オーバーコート層、３０…エアベアリング
面。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
   に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
   対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
   を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
   磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
   れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
   ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
   て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
   膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層は、一方の面が前記ギャップ層に隣接
   し、第１の磁性層における磁極部分を含む磁極部分層
   と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、第１の磁性
   層におけるヨーク部分となるヨーク部分層とを有し、 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面か
   ら離れた位置に配置され、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記磁極部分層の側
   方に配置され、 前記第２の磁性層は、トラック幅を規定する部分を有す
   る１つの層からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記磁極部分層は、一端が媒体対向面に
   配置された、トラック幅に等しい幅を有する部分を含む
   ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記磁極部分層は、一端が媒体対向面に
   配置され、トラック幅に等しい幅を有する第１の部分
   と、前記第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置
   され、トラック幅よりも大きい幅を有する第２の部分と
   を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 更に、前記磁極部分層の側方に配置され
   た薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ギャップ層
   側の面が前記磁極部分層におけるギャップ層側の面と共
   に平坦化されたコイル絶縁層を備えたことを特徴とする
   請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
   に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
   対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
   を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
   磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
   れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
   ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
   て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
   膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
   と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
   と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
   この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
   配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
   備え、 前記第１の磁性層を形成する工程は、一方の面が前記ギ
   ャップ層に隣接し、第１の磁性層における磁極部分を含
   む磁極部分層と、前記磁極部分層の他方の面に接続さ
   れ、第１の磁性層におけるヨーク部分となるヨーク部分
   層とを形成し、且つ前記ヨーク部分層の媒体対向面側の
   端部を媒体対向面から離れた位置に配置し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
   なくとも一部を前記磁極部分層の側方に配置し、 前記第２の磁性層は、トラック幅を規定する部分を有す
   る１つの層からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。
6. 【請求項６】 前記磁極部分層は、一端が媒体対向面に
   配置された、トラック幅に等しい幅を有する部分を含む
   ことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記磁極部分層は、一端が媒体対向面に
   配置され、トラック幅に等しい幅を有する第１の部分
   と、前記第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置
   され、トラック幅よりも大きい幅を有する第２の部分と
   を含むことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド
   の製造方法。
8. 【請求項８】 更に、前記磁極部分層の側方に配置され
   た薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ギャップ層
   側の面が前記磁極部分層におけるギャップ層側の面と共
   に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程を備えたこ
   とを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。