JP3522593B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。

【０００４】ここで、図１９ないし図２２を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１９ないし図２２において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００５】この製造方法では、まず、図１９に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。

【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。

【０００９】次に、図２０に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。

【００１０】次に、図２１に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２１（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。

【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。

【００１３】次に、図２２に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【００１４】図２３は、図２２に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。

【００１５】図２２において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図２２に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表
している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２２にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Ang
le）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁
極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面との
なす角度をいう。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２２に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。

【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。

【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。

【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。

【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。

【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。

【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。

【００２４】このようなことから、上述の従来例の図２
０ないし図２２の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。

【００２５】しかしながら、図２２に示したような構造
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような問題点があった。

【００２６】まず、図２２に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図２２に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図２２に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図２２に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトが発生するという問題点
があった。このような問題点は、記録ヘッドの性能を向
上させるためにコイルを２層や３層に形成した場合に、
コイルを１層に形成する場合に比べてエイペックス部の
高さが高くなり、より顕著になる。

【００２７】また、図２２に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極層１１６と上部磁極チップ１１０との接触
部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部分で
磁束の飽和が生じ、薄膜コイル１１２，１１４で発生し
た起磁力を効率よく記録に利用することができなくなる
という問題点があった。この問題点は、特にスロートハ
イトが小さくなったときに顕著になる。

【００２８】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエ
アベアリング面側の端部の位置）からコイルの外周端ま
での距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因
となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコ
イルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録
ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、
従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、
コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜
を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目の
コイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部
が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成す
るが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイル
のシード層のエッチングができず、コイルがショートす
るため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要があ
る。

【００２９】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。

【００３０】ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図２２に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図２２において符号Ｌ₀で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。

【００３１】ところで、コイルの膜厚を大きくし、線幅
を小さくできれば、磁路長の短縮が可能になる。しかし
ながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイルの膜厚を大
きくすると、エイペックス部の高さが大きくなり、既に
述べたように、上部磁極層を微細に形成することが困難
になるという問題点がある。

【００３２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、誘導型磁気変換素子のトラック幅お
よび磁路長の縮小を可能にすると共に、磁路の途中での
磁束の飽和を防止することができるようにした薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

【００３３】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する側に
おいて互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なく
とも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、第１
の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に
設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および
第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して
絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、更
に、一方の磁性層に形成され、記録媒体に対向する側に
おいてスロートハイトを規定する端部を有し、スロート
ハイトを規定するためのスロートハイト規定用絶縁層を
収納する絶縁層収納部と、絶縁層収納部に収納されたス
ロートハイト規定用絶縁層と、ギャップ層を越えて第１
の磁性層側と第２の磁性層側とにまたがるように形成さ
れ、記録媒体に対向する側において、絶縁層収納部の端
部よりも薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離
れた位置に配置された端部を有し、薄膜コイルの少なく
とも一部を収納するコイル収納部とを備え、薄膜コイル
の少なくとも一部はコイル収納部に配置されているもの
である。

【００３４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互
いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する側において
互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１
つの層からなる第１および第２の磁性層と、第１の磁性
層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の
磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁さ
れた状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法である。

【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第
１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャ
ップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性
層を形成する工程と、少なくとも一部が第１および第２
の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して
絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形成
する工程とを含み、一方の磁性層を形成する工程は、一
方の磁性層に対して、記録媒体に対向する側においてス
ロートハイトを規定する端部を有し、スロートハイトを
規定するためのスロートハイト規定用絶縁層を収納する
絶縁層収納部を形成し、更に、絶縁層収納部に収納され
るように、スロートハイト規定用絶縁層を形成する工程
と、ギャップ層を越えて第１の磁性層側と第２の磁性層
側とにまたがるように、記録媒体に対向する側におい
て、絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気ヘッドの記録媒
体に対向する面から離れた位置に配置された端部を有
し、薄膜コイルの少なくとも一部を収納するコイル収納
部を形成する工程とを含み、薄膜コイルを形成する工程
は、薄膜コイルの少なくとも一部をコイル収納部に配置
するものである。

【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、ギャップ層を越えて第１の磁性層側と第２の磁
性層側とにまたがるように形成されたコイル収納部に、
薄膜コイルの少なくとも一部が収納される。また、本発
明では、一方の磁性層に形成された絶縁層収納部の記録
媒体に対向する側の端部によってスロートハイトが規定
される。コイル収納部の記録媒体に対向する側の端部
は、絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気ヘッドの記録媒
体に対向する面から離れた位置に配置される。

【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、コイル収納部に配置された薄膜コイルの
少なくとも一部が、ギャップ層を越えて第１の磁性層側
と第２の磁性層側とにまたがるように配置されるように
してもよい。

【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層は、一方の面がギャップ層に隣接し、幅が記録
トラック幅に等しく、長さがスロートハイトに等しく、
磁極部分の一部となる第１の磁極部分層と、一方の面の
一部が第１の磁極部分層の他方の面に接触し、第１の磁
極部分層に接触する部分の幅が第１の磁極部分層の幅と
等しく、且つ全体の長さが第１の磁極部分層の長さより
も大きく、磁極部分の他の一部となる第２の磁極部分層
と、第２の磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部
分となるヨーク部分層とを有し、絶縁層収納部は、第２
の磁極部分層の一方の面のうち第１の磁極部分層の他方
の面に接触しない部分とギャップ層との間に形成されて
いてもよい。

【００３９】上記構成の場合、薄膜磁気ヘッドの記録媒
体に対向する面から、第２の磁極部分層における記録媒
体に対向する側とは反対側の端部までの距離は、薄膜磁
気ヘッドの記録媒体に対向する面から、コイル収納部に
おける記録媒体に対向する側の端部までの距離と一致し
てもよい。また、ヨーク部分層の記録媒体に対向する側
の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から
離れた位置に配置されていてもよい。また、スロートハ
イト規定用絶縁層の第２の磁極部分層側の面は、第１の
磁極部分層の他方の面と共に平坦化されていてもよい。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、コイル収納部
に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、ヨー
ク部分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平
坦化された他の絶縁層を備えていてもよい。また、薄膜
コイルは、コイル収納部に配置された第１の部分と、こ
の第１の部分とヨーク部分層との間に配置された第２の
部分とを有していてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、更に、コイル収納部に配置された薄膜コイルの
第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部
分層の他方の面と共に平坦化された他の絶縁層を備え、
薄膜コイルの第２の部分は、他の絶縁層とヨーク部分層
との間に配置されていてもよい。

【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層は、第１の磁性層のギャップ層側の面におい
て、絶縁層収納部となる第１の凹部と、その深さが第１
の凹部よりも大きく、コイル収納部の一部となる第２の
凹部とを有していてもよい。

【００４１】上記構成の場合、スロートハイト規定用絶
縁層のギャップ層側の面は、第１の磁性層のギャップ層
側の面と共に平坦化されていてもよい。また、第２の磁
性層は、磁極部分となる磁極部分層と、磁極部分層に接
続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有していて
もよい。また、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面
から、磁極部分層における記録媒体に対向する側とは反
対側の端部までの位置は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に
対向する面から、コイル収納部における記録媒体に対向
する側の端部までの距離と一致してもよい。また、本発
明の薄膜磁気ヘッドは、更に、コイル収納部に配置され
た薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分
層側の面が磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦
化された他の絶縁層を備えていてもよい。また、薄膜コ
イルは、コイル収納部に配置された第１の部分と、この
第１の部分とヨーク部分層との間に配置された第２の部
分とを有していてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドは、更に、コイル収納部に配置された薄膜コイルの第
１の部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が磁極部分層
のヨーク部分層側の面と共に平坦化された他の絶縁層を
備え、薄膜コイルの第２の部分は、他の絶縁層とヨーク
部分層との間に配置されていてもよい。

【００４２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵
抗素子を挟んで対向するように配置された、磁気抵抗素
子をシールドするための第１および第２のシールド層と
を備えていてもよい。

【００４３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第２の磁性層を形成する工程は、一方の面がギャ
ップ層に隣接し、磁極部分における長さがスロートハイ
トに等しく、磁極部分の一部となる第１の磁極部分層を
形成する工程と、一方の面の一部が第１の磁極部分層の
他方の面に接触し、第１の磁極部分層に接触する部分の
幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが磁極部
分における第１の磁極部分層の長さよりも大きく、磁極
部分の他の一部となる第２の磁極部分層を形成する工程
と、第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
分において、第１の磁極部分層の幅が第２の磁極部分層
の幅と等しくなるように、第２の磁極部分層をマスクと
して第１の磁極部分層をエッチングする工程と、第２の
磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分となるヨ
ーク部分層を形成する工程とを含み、絶縁層収納部は、
第２の磁極部分層の一方の面のうち第１の磁極部分層の
他方の面に接触しない部分とギャップ層との間に形成さ
れるようにしてもよい。

【００４４】この場合には、コイル収納部を形成する工
程は、第２の磁極部分層をマスクとして第１の磁性層を
エッチングすることによってコイル収納部を形成するよ
うにしてもよい。また、ヨーク部分層を形成する工程
は、ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄
膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に
配置するようにしてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、更に、スロートハイト規定用絶縁層
の第２の磁極部分層側の面を、第１の磁極部分層の他方
の面と共に平坦化する工程を含んでいてもよい。また、
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、コイル収
納部に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、
ヨーク部分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共
に平坦化された他の絶縁層を形成する工程を含んでいて
もよい。また、薄膜コイルを形成する工程は、コイル収
納部に配置される第１の部分と、この第１の部分とヨー
ク部分層との間に配置される第２の部分とを形成するよ
うにしてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、更に、コイル収納部に配置された薄膜コイルの
第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部
分層の他方の面と共に平坦化された他の絶縁層を形成す
る工程を含み、薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイ
ルの第２の部分を他の絶縁層とヨーク部分層との間に配
置するようにしてもよい。

【００４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層を形成する工程は、第１の磁性層の
ギャップ層側の面において、絶縁層収納部となる第１の
凹部を形成し、コイル収納部を形成する工程は、第１の
磁性層のギャップ層側の面において、その深さが第１の
凹部の深さよりも大きく、コイル収納部の一部となる第
２の凹部を形成するようにしてもよい。

【００４６】この場合、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、更に、スロートハイト規定用絶縁層のギャップ
層側の面を、第１の磁性層のギャップ層側の面と共に平
坦化する工程を含んでいてもよい。また、第２の磁性層
を形成する工程は、磁極部分となる磁極部分層と、磁極
部分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを
形成するようにしてもよい。また、コイル収納部を形成
する工程は、磁極部分層をマスクとして第１の磁性層を
エッチングすることによってコイル収納部を形成するよ
うにしてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、更に、コイル収納部に配置された薄膜コイルの
少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分層側の面が磁極
部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦化された他の絶
縁層を形成する工程を含んでいてもよい。また、薄膜コ
イルを形成する工程は、コイル収納部に配置される第１
の部分と、この第１の部分とヨーク部分層との間に配置
される第２の部分とを形成するようにしてもよい。ま
た、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、コイ
ル収納部に配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、
そのヨーク部分層側の面が磁極部分層のヨーク部分層側
の面と共に平坦化された他の絶縁層を形成する工程を含
み、薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイルの第２の
部分を、他の絶縁層とヨーク部分層との間に配置するよ
うにしてもよい。

【００４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一
部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置された、
磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシ
ールド層と、磁気抵抗素子と第１および第２のシールド
層との間に設けられた第１および第２の絶縁膜とを形成
する工程を含んでいてもよい。この場合、第１および第
２の絶縁膜の少なくとも一方は、化学的気相成長法によ
って形成されるようにしてもよい。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図８を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【００４９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。

【００５０】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）とＨ₂Ｏ等を用いた化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用
いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールド
ギャップ膜４，７を形成することが可能となる。

【００５１】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば約３μｍの厚みで、選択的に
形成する。

【００５２】次に、図３に示したように、下部磁極層８
の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば
０．１５〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ
層９に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコ
ン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）等がある。

【００５３】次に、磁路形成のために、後述する薄膜コ
イルの中心部分に対応する位置において、記録ギャップ
層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを
形成する。

【００５４】次に、記録ギャップ層９のエアベアリング
面３０側の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９
の上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．６〜
１．２μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形
成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成のた
めの磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．６〜
１．２μｍの厚みに形成する。この時点において、第１
の磁極部分層１０ａは、その幅（図３（ｂ）における左
右方向の寸法）が記録トラック幅よりも大きくなるよう
に形成されている。また、磁極部分における第１の磁極
部分層１０ａの長さ（図３（ａ）における左右方向の寸
法）はスロートハイトに等しくなっている。

【００５５】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１２を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０ａ
と磁性層１１が露出するまで、絶縁層１２を研磨して、
表面を平坦化処理する。このとき、絶縁層１２の平坦化
処理によって、第１の磁極部分層１０ａの厚みが０．５
〜１．０μｍ程度になるようにする。図３（ａ）におい
て、第１の磁極部分層１０ａと絶縁層１２との境界位置
がスロートハイトゼロ位置となる。

【００５６】次に、図４に示したように、第１の磁極部
分層１０ａの上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁
極部分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂを、例
えば約３．０〜５．０μｍの厚みに形成する。このとき
同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例えば約３．０
〜５．０μｍの厚みに形成する。第２の磁極部分層１０
ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の幅が記
録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが、磁極部分に
おける第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなっ
ている。

【００５７】第１の磁極部分層１０ａおよび第２の磁極
部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって所定のパターンに形成してもよいし、高
飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を
用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的に
エッチングして所定のパターンに形成してもよい。この
他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系ア
モルファス材等を用いてもよい。

【００５８】次に、第２の磁極部分層１０ｂと磁性層１
３をマスクとして、第１の磁極部分層１０ａおよび絶縁
層１２を、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリン
グによってエッチングする。これにより、第２の磁極部
分層１０ｂと接触する部分において、第１の磁極部分層
１０ａの幅は、第２の磁極部分層の幅、すなわち記録ト
ラック幅と等しくなる。

【００５９】次に、第１の磁極部分層１０ａおよび第２
の磁極部分層１０ｂと、磁性層１１，１３をマスクとし
て、ドライエッチングにより、記録ギャップ層９を選択
的にエッチングする。このときのドライエッチングに
は、例えば、ＢＣｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、Ｃ
Ｆ₄，ＳＦ₆等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。

【００６０】次に、第１の磁極部分層１０ａおよび第２
の磁極部分層１０ｂと、磁性層１１，１３をマスクとし
て、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによ
って、下部磁極層８を選択的に約０．３〜１．０μｍ程
度エッチングして、図４（ｂ）に示したようなトリム構
造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き
込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の
増加を防止することができる。なお、記録ギャップ層９
および下部磁極層８のエッチングの際には、エッチング
すべき領域以外の部分の上に図示しないトリム用フォト
マスクを形成してからエッチングを行うようにしてもよ
い。

【００６１】上述の下部磁極層８のエッチングでは、図
４（ａ）に示したように、後述する薄膜コイルを形成す
る領域において、記録ギャップ層９を越えて下部磁極層
８側と上部磁極層（磁極部分層１０ａ，１０ｂ）側とに
またがるように凹部を形成して、この凹部をコイル収納
部１４とする。

【００６２】また、下部磁極層８のエッチングの後で
は、図４（ａ）に示したように、第２の磁極部分層１０
ｂの一方の面のうち第１の磁極部分層１０ａの他方の面
に接触しない部分と記録ギャップ層９との間の部分に、
スロートハイトを規定するための絶縁層１２が残る。こ
の絶縁層１２は、本発明におけるスロートハイト規定用
絶縁層に対応する。また、この絶縁層１２を収納する部
分が、本実施の形態における絶縁層収納部５０になる。
この絶縁層収納部５０のエアベアリング面３０側の端部
５０ａの位置はスロートハイトゼロ位置となる。

【００６３】コイル収納部１４のエアベアリング面３０
側の端部１４ａは、絶縁層収納部５０のエアベアリング
面３０側の端部５０ａの位置、すなわちスロートハイト
ゼロ位置よりも、エアベアリング面３０から離れた位置
に配置される。また、エアベアリング面３０から、コイ
ル収納部１４のエアベアリング面３０側の端部１４ａま
での距離は、エアベアリング面３０から、第２の磁極部
分層１０ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部ま
での距離と一致する。

【００６４】なお、第２の磁極部分層１０ｂは、下部磁
極層８のエッチングの際のマスクとなることから、下部
磁極層８のエッチングの後には、例えば約１．５〜３．
０μｍの厚みとなる。

【００６５】次に、図５に示したように、全体に、後述
する薄膜コイルと下部磁極層８とを絶縁するための、例
えばアルミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．６
μｍの厚みに形成する。次に、コイル収納部１４内にお
いて、絶縁膜１５の上に、例えばフレームめっき法によ
って、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１６を、例
えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０
μｍのコイルピッチで形成する。薄膜コイル１６は、磁
性層１１，１３を中心にして巻回されるように形成され
る。なお、図５（ａ）において、符号１６ａは、薄膜コ
イル１６を後述する導電層（リード）と接続するための
接続部を示している。

【００６６】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１７を、約３〜４μｍの厚み
に形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の磁極
部分層１０ｂおよび磁性層１３が露出するまで、絶縁層
１７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図６
（ａ）では、薄膜コイル１６は露出していないが、薄膜
コイル１６が露出するようにしてもよい。薄膜コイル１
６が露出するようにした場合には、薄膜コイル１６を覆
う絶縁膜を形成する。

【００６７】次に、図７に示したように、接続部１６ａ
の上において、絶縁層１７を部分的にエッチングしてコ
ンタクトホールを形成する。次に、第２の磁極部分層１
０ｂ、絶縁層１７および磁性層１３の上に、上部磁極層
のヨーク部分となるヨーク部分層１８を、例えば約２．
０〜３．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、接
続部１６ａに接続される導電層１９を、例えば約２．０
〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層１８は、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、
高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量
％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって所
定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ
後、イオンミリング等によって選択的にエッチングして
所定のパターンに形成してもよい。この他にも、高飽和
磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等
を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨー
ク部分層１８を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性
層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【００６８】また、ヨーク部分層１８のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。

【００６９】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００７０】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、第１の磁極部分層１０
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層１８よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。また、下部シールド層３
は、本発明における第１のシールド層に対応する。ま
た、下部磁極層８は、上部シールド層を兼ねているの
で、本発明における第２のシールド層にも対応する。

【００７１】図８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート
層２０を省略していると共に、その他の絶縁層や絶縁膜
も適宜省略している。図８において、符号ＴＨ０は、ス
ロートハイトゼロ位置を示している。

【００７２】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型磁
気変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する側の一部がＭＲ素子５を挟ん
で対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドする
ための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁
極層８）とを有している。

【００７３】記録ヘッドは、磁気的に連結され、互いに
磁気的に連結され、記録媒体に対向する側において互い
に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
層からなる下部磁極層８および上部磁極層（第１の磁極
部分層１０ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，
１３およびヨーク部分層１８）と、これら２つの磁極層
の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層９と、少
なくとも一部がこれら２つの磁極層の間に、２つの磁極
層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１６
とを有している。

【００７４】本実施の形態では、上部磁極層は、一方の
面が記録ギャップ層９に隣接し、幅が記録トラック幅に
等しく、長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａと、一方の面が第１の
磁極部分層１０ａの他方の面に接触し、第１の磁極部分
層１０ａに接触する部分の幅が第１の磁極部分層１０ａ
の幅すなわち記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きく、磁極部
分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂと、第２の
磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分となるヨ
ーク部分層１８とを有している。従って、本実施の形態
では、上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａによってス
ロートハイトが規定され、上部磁極層の第１の磁極部分
層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂによって記録ト
ラック幅が規定される。

【００７５】本実施の形態では、上部磁極層の第２の磁
極部分層１０ｂの一方の面のうち第１の磁極部分層１０
ａの他方の面に接触しない部分と記録ギャップ層９との
間の部分に絶縁層収納部５０（図４参照）が形成され、
この絶縁層収納部５０に、スロートハイトを規定するた
めの絶縁層１２が収納される。絶縁層収納部５０のエア
ベアリング面側の端部５０ａの位置はスロートハイトゼ
ロ位置となる。

【００７６】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９を越えて下部磁極層８側と上部磁極層（磁極部分層１
０ａ，１０ｂ）側とにまたがるようにコイル収納部１４
（図４参照）が形成され、このコイル収納部１４に薄膜
コイル１６が収納される。本実施の形態では、特に、薄
膜コイル１６は、記録ギャップ層９を越えて下部磁極層
８側と上部磁極層側とにまたがるようにコイル収納部１
４に収納される。コイル収納部１４のエアベアリング面
３０側の端部１４ａは、絶縁層収納部５０のエアベアリ
ング面３０側の端部５０ａの位置、すなわちスロートハ
イトゼロ位置よりも、エアベアリング面３０から離れた
位置に配置される。

【００７７】本実施の形態によれば、記録ギャップ層９
を越えて下部磁極層８側と上部磁極層側とにまたがるよ
うにコイル収納部１４を形成し、このコイル収納部１４
に薄膜コイル１６を収納したので、記録ギャップ層９の
片面側に薄膜コイルを配置する場合に比べて、薄膜コイ
ル１６の膜厚を大きくして、薄膜コイル１６の抵抗を小
さくすることが可能となる。また、薄膜コイル１６を、
記録ギャップ層９を越えて下部磁極層８側と上部磁極層
側とにまたがるようにコイル収納部１４に収納すれば、
特に薄膜コイル１６の膜厚を大きくすることができる。
従って、本実施の形態によれば、薄膜コイル１６の線幅
を小さくすることが可能になる。また、本実施の形態に
よれば、薄膜コイル１６のエアベアリング面３０側の端
部は、コイル収納部１４のエアベアリング面３０側の端
部の近くに配置することが可能である。また、本実施の
形態によれば、薄膜コイル１６が平坦な絶縁膜１５の上
に形成されるので、薄膜コイル１６を微細に精度よく形
成することが可能となる。これらのことから、本実施の
形態によれば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、
磁路長の縮小が可能になる。

【００７８】また、本実施の形態によれば、エイペック
ス部が存在しないので、上部磁極層を微細に精度よく形
成することが可能となり、記録ヘッド（誘導型磁気変換
素子）のトラック幅の縮小が可能になる。特に、本実施
の形態では、上部磁極層のヨーク部分層１８を平坦な層
とすることができるので、ヨーク部分層１８の組成を正
確に制御することが可能となり、薄膜磁気ヘッドの量産
時に、安定した記録ヘッドの特性を確保することが可能
となる。

【００７９】ところで、記録トラック幅に等しい幅とス
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分にヨーク
部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の断
面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生
じる可能がある。これは、特にスロートハイトが小さく
なったときに顕著になる。

【００８０】これに対し、本実施の形態では、コイル収
納部１４のエアベアリング面３０側の端部１４ａを、絶
縁層収納部５０のエアベアリング面３０側の端部５０ａ
の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置よりも、エア
ベアリング面３０から離れた位置に配置している。従っ
て、本実施の形態によれば、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０から離れた位置において、磁
極部分（第２の磁極部分層１０ｂ）とヨーク部分層１８
とを、比較的広い接触面積で接触させて接続することが
できる。従って、本実施の形態によれば、ヨーク部分層
１８から第１の磁極部分層１０ａにかけて磁路の断面積
が急激に減少することがなく、磁路の途中での磁束の飽
和を防止することができる。その結果、本実施の形態に
よれば、薄膜コイル１６で発生した起磁力を効率よく記
録に利用することが可能となる。

【００８１】以上のことから、本実施の形態によれば、
記録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジションシフ
ト（Non-linear Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと
記す。）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーラ
イト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能
となる。

【００８２】また、本実施の形態では、第１の磁極部分
層１０ａは、最終的にはスロートハイトに等しい長さと
記録トラック幅に等しい幅とを有するが、始めは記録ト
ラック幅よりも大きい幅を有するように形成される。そ
して、記録トラック幅に等しい幅を有する第２の磁極部
分層１０ｂを形成した後、この第２の磁極部分層１０ｂ
をマスクとして第１の磁極部分層１０ａをエッチングす
ることにより、第１の磁極部分層１０ａの幅を記録トラ
ック幅に等しい幅とする。このように、本実施の形態に
よれば、始めに第１の磁極部分層１０ａを記録トラック
幅よりも大きい幅を有するように形成することができる
ので、始めから記録トラック幅に等しい幅とスロートハ
イトに等しい長さを有する磁極部分を形成する場合に比
べて、パターン端が丸みを帯びることなく第１の磁極部
分層１０ａを精度よく形成することができる。しかも、
本実施の形態によれば、第１の磁極部分層１０ａを平坦
な面の上に形成することができるので、この点からも第
１の磁極部分層１０ａを精度よく形成することができ
る。従って、本実施の形態によれば、トラック幅を小さ
くした場合でも、スロートハイトを精度よく規定するこ
とができる。

【００８３】また、本実施の形態では、第２の磁極部分
層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の
幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが第１の
磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなるように形成さ
れる。従って、本実施の形態によれば、記録トラック幅
に等しい幅とスロートハイトに等しい長さを有する磁極
部分を形成する場合に比べて、第２の磁極部分層１０ｂ
を精度よく形成することができる。また、本実施の形態
では、上面が平坦化された第１の磁極部分層１０ａおよ
び絶縁層１２の上に第２の磁極部分層１０ｂを形成する
ことができるので、この点からも第２の磁極部分層１０
ｂを精度よく形成することができる。従って、本実施の
形態によれば、トラック幅を小さくした場合でも、トラ
ック幅を精度よく規定することができる。

【００８４】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
８のエアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面
３０から離れた位置に配置している。従って、本実施の
形態によれば、記録すべき領域以外の領域へのデータの
書き込み、すなわちサイドライトを防止することができ
る。また、本実施の形態では、全体の長さがスロートハ
イトよりも大きな第２の磁極部分層１０ｂを介して、第
１の磁極部分層１０ａとヨーク部分層１８とが接続され
るので、上述のようにヨーク部分層１８のエアベアリン
グ面３０側の端面をエアベアリング面３０から離れた位
置に配置しても、磁路の断面積が急激に減少することが
ない。

【００８５】また、本実施の形態では、コイル収納部１
４に収納された薄膜コイル１６を覆う絶縁層１７を設
け、この絶縁層１７の上面を平坦化したので、その後に
形成されるヨーク部分層１８を精度よく形成することが
可能となる。

【００８６】また、本実施の形態では、下部磁極層８と
薄膜コイル１６の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得ら
れる無機材料よりなる絶縁膜である絶縁膜１５が設けら
れるので、下部磁極層８と薄膜コイル１６との間に大き
な絶縁耐圧を得ることができる。

【００８７】また、本実施の形態では、薄膜コイル１６
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１７で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１６の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。

【００８８】［第２の実施の形態］次に、図９および図
１０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平
行な断面を示している。

【００８９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けたものである。図９に示したよう
に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第１の実施
の形態における薄膜コイル１６の代りに薄膜コイルの第
１層部分２１を有し、第１の実施の形態における絶縁層
１７の代りに絶縁層２２を有している。なお、図９
（ａ）において、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部
分２１を後述する第２層部分に接続するための接続部を
示している。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、絶縁層２２を平坦化する工程までは、第１の
実施の形態において絶縁層１７を平坦化する工程までと
同様である。

【００９０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、次に、接続部２１ａの上において、絶縁層２
２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。次に、絶縁層２２の上に、例えばフレームめっき法
によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分２
３を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２
〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。なお、図９
（ａ）において、符号２３ａは、薄膜コイルの第２層部
分２３をコンタクトホールを介して第１層部分２１の接
続部２１ａに接続するための接続部を示している。

【００９１】次に、絶縁層２２および薄膜コイルの第２
層部分２３の上に、フォトレジスト層２４を、所定のパ
ターンに形成する。次に、第２の磁極部分層１０ｂ、フ
ォトレジスト層２４および磁性層１３の上に、上部磁極
層のヨーク部分となるヨーク部分層２５を、例えば約
２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層２
５は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によ
って所定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束密
度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパ
ッタ後、イオンミリング等によって選択的にエッチング
して所定のパターンに形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
ヨーク部分層２５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の
磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【００９２】また、ヨーク部分層２５のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。

【００９３】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２６を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００９４】図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層２６を省略していると共に、その他の絶縁層や絶縁
膜も適宜省略している。

【００９５】本実施の形態では、第１の磁極部分層１０
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層２５よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。

【００９６】本実施の形態では、薄膜コイルの第２層部
分２３を、平坦化された絶縁層２２の上に形成したの
で、第２層部分２３を微細に精度よく形成することが可
能になる。

【００９７】また、本実施の形態では、エイペックス部
が存在するが、記録ギャップ層９を越えて下部磁極層８
側と上部磁極層側とにまたがるように形成されたコイル
収納部に薄膜コイルの第１層部分２１を収納したので、
２層の薄膜コイルを記録ギャップ層９の片面側に配置す
る場合に比べて、エイペックス部の高さは小さくなる。
従って、本実施の形態によれば、上部磁極層のヨーク部
分層２５を微細に精度よく形成することが可能となる。

【００９８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００９９】［第３の実施の形態］次に、図１１ないし
図１６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１１ないし図１５において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０１００】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下
部磁極層側でスロートハイトを規定するようにしたもの
である。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、下部磁極層８を形成する工程までは、第１の実施
の形態と同様である。

【０１０１】本実施の形態では、次に、図１１に示した
ように、下部磁極層８の上面において、後述する薄膜コ
イルを形成する領域を、フォトレジスト膜をマスクとし
てイオンミリング等によって選択的に例えば約０．５〜
１．０μｍの深さまでエッチングして、下部磁極層８の
上面に第１の凹部６０を形成する。

【０１０２】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層３１を、約３〜５μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、下部磁極層８が露出するまで、絶
縁層３１を研磨して、表面を平坦化処理する。このと
き、絶縁層３１の平坦化処理によって、第１の凹部６０
の深さが０．３〜０．７μｍ程度になるようにする。図
１１（ａ）において、第１の凹部６０のエアベアリング
面３０側の端部６０ａの位置がスロートハイトゼロ位置
となる。第１の凹部６０に収納される絶縁層３１は、本
発明におけるスロートハイト規定用絶縁層に対応する。

【０１０３】次に、下部磁極層８および絶縁層３１の上
に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば０．
３μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、後
述する薄膜コイルの中心部分に対応する位置において、
記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクト
ホール９ａを形成する。

【０１０４】次に、図１２に示したように、記録ギャッ
プ層９のエアベアリング面３０側の端部近傍の位置にお
いて、記録ギャップ層９の上に、磁性材料よりなり、上
部磁極層の磁極部分となる磁極部分層３２を、例えば約
２〜３μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形
成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成のた
めの磁性材料からなる磁性層３３を、例えば約２〜３μ
ｍの厚みに形成する。磁極部分層３２の幅は記録トラッ
ク幅と等しく、磁極部分層３２の長さはスロートハイト
よりも大きくなっている。

【０１０５】磁極部分層３２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって所定のパターンに形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によ
って選択的にエッチングして所定のパターンに形成して
もよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦ
ｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。

【０１０６】次に、図１３に示したように、磁極部分層
３２と磁性層３３をマスクとして、ドライエッチングに
より、記録ギャップ層９を選択的にエッチングする。こ
のときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ₂，Ｃ
ｌ₂等の塩素系ガスや、ＣＦ₄，ＳＦ₆等のフッ素系ガス
等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が
用いられる。

【０１０７】次に、磁極部分層３２と磁性層３３をマス
クとして、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリン
グによって、下部磁極層８を選択的に約０．３〜０．６
μｍ程度エッチングして、図１３（ｂ）に示したような
トリム構造とする。なお、記録ギャップ層９および下部
磁極層８のエッチングの際には、エッチングすべき領域
以外の部分の上に図示しないトリム用フォトマスクを形
成してからエッチングを行うようにしてもよい。

【０１０８】本実施の形態では、上述の下部磁極層８の
エッチングにより、図１３（ａ）に示したように、後述
する薄膜コイルを形成する領域において、下部磁極層８
の上面に第２の凹部６２を形成することによって、記録
ギャップ層９を越えて下部磁極層８側と上部磁極層（磁
極部分層３２）側とにまたがるコイル収納部６３を形成
する。また、下部磁極層８のエッチング後に残った絶縁
層３１を収納する部分が、本実施の形態における絶縁層
収納部６１となる。この絶縁層収納部６１のエアベアリ
ング面３０側の端部６１ａ（第１の凹部６０のエアベア
リング面３０側の端部６０ａと同じ。）の位置はスロー
トハイトゼロ位置となる。

【０１０９】コイル収納部６３のエアベアリング面３０
側の端部６３ａは、絶縁層収納部６１のエアベアリング
面３０側の端部６１ａの位置、すなわちスロートハイト
ゼロ位置よりも、エアベアリング面３０から離れた位置
に配置される。また、エアベアリング面３０から、コイ
ル収納部６３のエアベアリング面３０側の端部６３ａま
での距離は、エアベアリング面３０から、磁極部分層３
２のエアベアリング面３０とは反対側の端部までの距離
と一致する。

【０１１０】なお、例えばイオンミリングによって下部
磁極層８をエッチングする場合、下部磁極層８の上面に
おいて、コイル収納部６３を形成すべき領域には、上部
磁極層の磁極部分層３２のようにイオンミリングのビー
ムを妨げる障害物がない。従って、コイル収納部６３を
形成すべき領域における下部磁極層８のエッチングレー
トは、磁極部分層３２の周辺における下部磁極層８のエ
ッチングレートよりも大きくなる。そのため、磁極部分
層３２の周辺において下部磁極層８を約０．３〜０．６
μｍ程度エッチングするようにすると、コイル収納部６
３を形成すべき領域では、下部磁極層８は例えば約０．
６〜１．５μｍ程度エッチングされる。従って、下部磁
極層８の上面からのコイル収納部６３の深さは、例えば
約０．６〜１．５μｍとなる。このコイル収納部６３の
深さは、絶縁層収納部６１の深さよりも大きくなるよう
にする。

【０１１１】次に、全体に、後述する薄膜コイルと下部
磁極層８とを絶縁するための、例えばアルミナよりなる
絶縁膜３４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成す
る。次に、コイル収納部６３内において、絶縁膜３４の
上に、例えばフレームめっき法によって、例えば銅より
なる薄膜コイル３５を、例えば約１．０〜２．０μｍの
厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイル３５は、磁性層３３を中心にして巻回さ
れるように形成される。なお、図１３（ａ）において、
符号３５ａは、薄膜コイル３５を後述する導電層（リー
ド）と接続するための接続部を示している。

【０１１２】次に、図１４に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３６を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分
層３２および磁性層３３が露出するまで、絶縁層３６を
研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１４
（ａ）では、薄膜コイル３５は露出していないが、薄膜
コイル３５が露出するようにしてもよい。薄膜コイル３
５が露出するようにした場合には、薄膜コイル３５を覆
う絶縁膜を形成する。

【０１１３】次に、図１５に示したように、接続部３５
ａの上において、絶縁層３６を部分的にエッチングして
コンタクトホールを形成する。次に、磁極部分層３２、
絶縁層３６および磁性層３３の上に、上部磁極層のヨー
ク部分となるヨーク部分層３８を、例えば約２．０〜
３．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、接続部
３５ａに接続される導電層３９を、例えば約２．０〜
３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層３８は、Ｎ
ｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高
飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，
Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって所定の
パターンに形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であ
るＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ後、イ
オンミリング等によって選択的にエッチングして所定の
パターンに形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密
度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用い
てもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨーク部分
層３８を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを
何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【０１１４】また、ヨーク部分層３８のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。

【０１１５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層４０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１１６】本実施の形態では、磁極部分層３２、磁性
層３３およびヨーク部分層３８よりなる上部磁極層が、
本発明における第２の磁性層に対応する。

【０１１７】図１６は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層４０を省略していると共に、その他の絶縁層や絶縁
膜も適宜省略している。

【０１１８】本実施の形態では、下部磁極層８の上面に
絶縁層収納部６１（図１３参照）が形成され、この絶縁
層収納部６１に、スロートハイトを規定するための絶縁
層３１が収納される。絶縁層収納部６１のエアベアリン
グ面側の端部６１ａの位置はスロートハイトゼロ位置と
なる。

【０１１９】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９を越えて下部磁極層８側と上部磁極層（磁極部分層３
２）側とにまたがるようにコイル収納部６３（図１３参
照）が形成され、このコイル収納部６３に薄膜コイル３
５が収納される。コイル収納部６３のエアベアリング面
３０側の端部６３ａは、絶縁層収納部６１のエアベアリ
ング面側の端部６１ａの位置、すなわちスロートハイト
ゼロ位置よりも、エアベアリング面３０から離れた位置
に配置される。

【０１２０】ところで、下部磁極層８に薄膜コイルを収
納するための凹部を形成し、この凹部のエアベアリング
面３０側の端部の位置をスロートハイトゼロ位置とする
と、下部磁極層８において、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０側の磁極部分と、薄膜コイル
の下側に位置するヨーク部分との接続部分で磁路の断面
積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生じ
る可能性がある。これは、特にスロートハイトが小さく
なったときに顕著になる。

【０１２１】これに対し、本実施の形態では、コイル収
納部６３のエアベアリング面３０側の端部６３ａを、絶
縁層収納部６１のエアベアリング面３０側の端部６１ａ
の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置よりも、エア
ベアリング面３０から離れた位置に配置している。ま
た、絶縁層収納部６１の深さは、コイル収納部６３の深
さよりも小さくなっている。従って、本実施の形態によ
れば、下部磁極層８において、ヨーク部分から磁極部分
にかけて磁路の断面積が急激に減少することがなく、磁
路の途中での磁束の飽和を防止することができる。その
結果、本実施の形態によれば、薄膜コイル３５で発生し
た起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。

【０１２２】また、本実施の形態によれば、スロートハ
イトを規定する絶縁層収納部６１を、フォトリソグラフ
ィを用いて比較的広いパターンに形成することができ
る。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層の磁極
部分でスロートハイトを規定する場合に比べて、スロー
トハイトを精度よく規定することができる。

【０１２３】また、本実施の形態によれば、絶縁層３１
の記録ギャップ層９側の面を、下部磁極層８の記録ギャ
ップ層９側の面と共に平坦化したので、その上に形成さ
れる記録ギャップ層９および上部磁極層の磁極部分層３
２を精度よく形成することができる。

【０１２４】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態における上部磁極層の
構造に基づく特有の作用、効果を除き、第１の実施の形
態と同様である。

【０１２５】［第４の実施の形態］次に、図１７および
図１８を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。

【０１２６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けたものである。図１７に示したよ
うに、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第３の実
施の形態における薄膜コイル３５の代りに薄膜コイルの
第１層部分４１を有し、第３の実施の形態における絶縁
層３６の代りに絶縁層４２を有している。なお、図１７
（ａ）において、符号４１ａは、薄膜コイルの第１層部
分４１を後述する第２層部分に接続するための接続部を
示している。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、絶縁層４２を平坦化する工程までは、第３の
実施の形態において絶縁層３６を平坦化する工程までと
同様である。

【０１２７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、次に、接続部４１ａの上において、絶縁層４
２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。次に、絶縁層４２の上に、例えばフレームめっき法
によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分４
３を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２
〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。なお、図１７
（ａ）において、符号４３ａは、薄膜コイルの第２層部
分４３をコンタクトホールを介して第１層部分４１の接
続部４１ａに接続するための接続部を示している。

【０１２８】次に、絶縁層４２および薄膜コイルの第２
層部分４３の上に、フォトレジスト層４４を、所定のパ
ターンに形成する。次に、磁極部分層３２、フォトレジ
スト層４４および磁性層３３の上に、上部磁極層のヨー
ク部分となるヨーク部分層４５を、例えば約２．０〜
３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層４５は、Ｎ
ｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高
飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，
Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって所定の
パターンに形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であ
るＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ後、イ
オンミリング等によって選択的にエッチングして所定の
パターンに形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密
度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用い
てもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨーク部分
層４５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを
何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【０１２９】また、ヨーク部分層４５のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。

【０１３０】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層４６を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１３１】図１８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層４６を省略していると共に、その他の絶縁層や絶縁
膜も適宜省略している。

【０１３２】本実施の形態では、磁極部分層３２、磁性
層３３およびヨーク部分層４５よりなる上部磁極層が、
本発明における第２の磁性層に対応する。

【０１３３】本実施の形態では、薄膜コイルの第２層部
分４３を、平坦化された絶縁層４２の上に形成したの
で、第２層部分４３を微細に精度よく形成することが可
能になる。

【０１３４】また、本実施の形態では、エイペックス部
が存在するが、記録ギャップ層９を越えて下部磁極層８
側と上部磁極層側とにまたがるように形成されたコイル
収納部に薄膜コイルの第１層部分４１を収納したので、
２層の薄膜コイルを記録ギャップ層９の片面側に配置す
る場合に比べて、エイペックス部の高さは小さくなる。
従って、本実施の形態によれば、上部磁極層のヨーク部
分層４５を微細に精度よく形成することが可能となる。

【０１３５】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１３６】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。

【０１３７】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。

【０１３８】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。

【０１３９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法によれば、ギャップ層を越えて
第１の磁性層側と第２の磁性層側とにまたがるようにコ
イル収納部を形成し、このコイル収納部に薄膜コイルの
少なくとも一部を収納したので、薄膜コイルの厚みを大
きくし線幅を小さくして、磁路長を短縮することが可能
になる。しかも、本発明によれば、エイペックス部が存
在しないようにするかエイペックス部の高さを小さくす
ることが可能となるので、磁性層を微細に精度よく形成
することが可能となり、誘導型磁気変換素子のトラック
幅を縮小することが可能になるという効果を奏する。更
に、本発明によれば、一方の磁性層に形成された絶縁層
収納部の記録媒体に対向する側の端部によってスロート
ハイトを規定すると共に、コイル収納部の記録媒体に対
向する側の端部を、絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気
ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置し
たので、一方の磁性層において磁路の断面積が急激に減
少することを防止でき、磁路の途中での磁束の飽和を防
止することが可能になるという効果を奏する。

【０１４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、コイル収納部に配置される薄膜コイ
ルの少なくとも一部を、ギャップ層を越えて第１の磁性
層側と第２の磁性層側とにまたがるように配置した場合
には、特に薄膜コイルの厚みを大きくすることができる
という効果を奏する。

【０１４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の磁性層が、スロートハイトを
規定する第１の磁極部分層と、トラック幅を規定する第
２の磁極部分層と、ヨーク部分層とを有するようにした
場合には、誘導型磁気変換素子のトラック幅を小さくし
た場合でもトラック幅とスロートハイトを精度よく規定
することが可能になるという効果を奏する。

【０１４２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、ヨーク部分層の記録媒体に対向する
側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面か
ら離れた位置に配置した場合には、更に、記録すべき領
域以外の領域へのデータの書き込みを防止することがで
きるという効果を奏する。

【０１４３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、スロートハイト規定用絶縁層の第２
の磁極部分層側の面を第１の磁極部分層の他方の面と共
に平坦化した場合には、更に、第２の磁極部分層を精度
よく形成することが可能になるという効果を奏する。

【０１４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、コイル収納部に配置された薄膜コイ
ルの少なくとも一部を覆い、ヨーク部分層側の面が第２
の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された他の絶縁層
を設けた場合には、更に、他の絶縁層に隣接する層を精
度よく形成することが可能になるという効果を奏する。

【０１４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、薄膜コイルが、コイル収納部に配置
された第１の部分と、この第１の部分とヨーク部分層と
の間に配置された第２の部分とを有し、更に、コイル収
納部に配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨー
ク部分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平
坦化された他の絶縁層を設け、薄膜コイルの第２の部分
を他の絶縁層とヨーク部分層との間に配置した場合に
は、更に、薄膜コイルの第２の部分を精度よく形成する
ことが可能になるという効果を奏する。

【０１４６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第１の磁性層のギャップ層側の面に
おいて、絶縁層収納部となる第１の凹部と、その深さが
第１の凹部の深さよりも大きく、コイル収納部の一部と
なる第２の凹部とを形成するようにした場合には、更
に、スロートハイトを精度よく規定することができると
いう効果を奏する。

【０１４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、スロートハイト規定用絶縁層のギャ
ップ層側の面を、第１の磁性層のギャップ層側の面と共
に平坦化した場合には、更に、スロートハイト規定用絶
縁層および第１の磁性層に隣接する層を精度よく形成す
ることが可能になるという効果を奏する。

【０１４８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の磁性層が磁極部分層とヨーク
部分層とを有し、更に、コイル収納部に配置された薄膜
コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分層側の
面が磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦化され
た他の絶縁層を設けた場合には、更に、他の絶縁層に隣
接する層を精度よく形成することが可能になるという効
果を奏する。

【０１４９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、薄膜コイルが、コイル収納部に配置
された第１の部分と、この第１の部分とヨーク部分層と
の間に配置された第２の部分とを有し、更に、コイル収
納部に配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、その
ヨーク部分層側の面が磁極部分層のヨーク部分層側の面
と共に平坦化された他の絶縁層を設け、薄膜コイルの第
２の部分を他の絶縁層とヨーク部分層との間に配置した
場合には、薄膜コイルの第２の部分を精度よく形成する
ことが可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１７】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２３】従来の磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１０ａ…
上部磁極層の第１の磁極部分層、１０ｂ…上部磁極層の
第２の磁極部分層、１２…絶縁層、１４…コイル収納
部、１５…絶縁膜、１６…薄膜コイル、１７…絶縁層、
１８…ヨーク部分層、２０…オーバーコート層、５０…
絶縁層収納部。

Claims (50)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
   ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
   層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層
   の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくと
   も一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１
   および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられ
   た薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、更
   に、 一方の磁性層に形成され、記録媒体に対向する側におい
   てスロートハイトを規定する端部を有し、スロートハイ
   トを規定するためのスロートハイト規定用絶縁層を収納
   する絶縁層収納部と、 前記絶縁層収納部に収納されたスロートハイト規定用絶
   縁層と、 前記ギャップ層を越えて前記第１の磁性層側と第２の磁
   性層側とにまたがるように形成され、記録媒体に対向す
   る側において、前記絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気
   ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置さ
   れた端部を有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部を収
   納するコイル収納部とを備え、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記ギャップ層を
   越えて前記第１の磁性層側と第２の磁性層側とにまたが
   るように、前記コイル収納部に配置され、 前記第２の磁性層は、 一方の面が前記ギャップ層に隣接し、幅が記録トラック
   幅に等しく、長さがスロートハイトに等しく、磁極部分
   の一部となる第１の磁極部分層と、 一方の面の一部が前記第１の磁極部分層の他方の面に接
   触し、前記第１の磁極部分層に接触する部分の幅が前記
   第１の磁極部分層の幅と等しく、且つ全体の長さが前記
   第１の磁極部分層の長さよりも大きく、磁極部分の他の
   一部となる第２の磁極部分層と、 前記第２の磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部
   分となるヨーク部分層とを有し、 前記絶縁層収納部は、前記第２の磁極部分層の一方の面
   のうち前記第１の磁極部分層の他方の面に接触しない部
   分と前記ギャップ層との間に形成され ていることを特徴
   とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面
   から、前記第２の磁極部分層における記録媒体に対向す
   る側とは反対側の端部までの距離は、薄膜磁気ヘッドの
   記録媒体に対向する面から、前記コイル収納部における
   記録媒体に対向する側の端部までの距離と一致すること
   を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記ヨーク部分層の記録媒体に対向する
   側の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面か
   ら離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項
   １または２記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記スロートハイト規定用絶縁層の前記
   第２の磁極部分層側の面は、前記第１の磁極部分層の他
   方の面と共に平坦化されていることを特徴とする請求項
   １ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 更に、前記コイル収納部に配置された薄
   膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ヨーク部分層側
   の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化さ
   れた他の絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１ない
   し４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記薄膜コイルは、前記コイル収納部に
   配置された第１の部分と、この第１の部分と前記ヨーク
   部分層との間に配置された第２の部分とを有することを
   特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁
   気ヘッド。
7. 【請求項７】 更に、前記コイル収納部に配置された薄
   膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク部分層側の面
   が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された
   他の絶縁層を備え、前記薄膜コイルの第２の部分は、前
   記他の絶縁層と前記ヨーク部分層との間に配置されてい
   ることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
   する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
   に配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするための
   第１および第２のシールド層とを備えたことを特徴とす
   る請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
9. 【請求項９】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
   ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
   層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層
   の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくと
   も一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１
   および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられ
   た薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、更
   に、 一方の磁性層に形成され、記録媒体に対向する側におい
   てスロートハイトを規定する端部を有し、スロートハイ
   トを規定するためのスロートハイト規定用絶縁層を収納
   する絶縁層収納部と、 前記絶縁層収納部に収納されたスロートハイト規定用絶
   縁層と、 前記ギャップ層を越えて前記第１の磁性層側と第２の磁
   性層側とにまたがるように形成され、記録媒体に対向す
   る側において、前記絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気
   ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置さ
   れた端部を有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部を収
   納するコイル収納部とを備え、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記ギャップ層を
   越えて前記第１の磁性層側と第２の磁性層側とにまたが
   るように、前記コイル収納部に配置され、 前記第１の磁性層は、第１の磁性層のギャップ層側の面
   において、前記絶縁層収納部となる第１の凹部と、その
   深さが前記第１の凹部の深さよりも大きく、前記コイル
   収納部の一部となる第２の凹部とを有することを特徴と
   する薄膜磁気ヘッド。
10. 【請求項１０】 前記スロートハイト規定用絶縁層のギ
    ャップ層側の面は、前記第１の磁性層のギャップ層側の
    面と共に平坦化されていることを特徴とする請求項９記
    載の薄膜磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 前記第２の磁性層は、磁極部分となる
    磁極部分層と、前記磁極部分層に接続され、ヨーク部分
    となるヨーク部分層とを有することを特徴とする請求項
    ９または１０記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する
    面から、前記磁極部分層における記録媒体に対向する側
    とは反対側の端部までの位置は、薄膜磁気ヘッドの記録
    媒体に対向する面から、前記コイル収納部における記録
    媒体に対向する側の端部までの距離と一致することを特
    徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 【請求項１３】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分層
    側の面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平
    坦化された他の絶縁層を備えたことを特徴とする請求項
    １１または１２記載の薄膜磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 前記薄膜コイルは、前記コイル収納部
    に配置された第１の部分と、この第１の部分と前記ヨー
    ク部分層との間に配置された第２の部分とを有すること
    を特徴とする請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
15. 【請求項１５】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの第１の部分を覆い、そのヨーク部分層側の
    面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦化
    された他の絶縁層を備え、前記薄膜コイルの第２の部分
    は、前記他の絶縁層と前記ヨーク部分層との間に配置さ
    れていることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
16. 【請求項１６】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層とを備えたことを特徴と
    する請求項９ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
17. 【請求項１７】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する側において互いに対向する磁極部分を含み、そ
    れぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁
    性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性
    層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なく
    とも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第
    １および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けら
    れた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法で
    あって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 一方の磁性層を形成する工程は、一方の磁性層に対し
    て、記録媒体に対向する側においてスロートハイトを規
    定する端部を有し、スロートハイトを規定するためのス
    ロートハイト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部を形
    成し、 薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、 前記絶縁層収納部に収納されるように、スロートハイト
    規定用絶縁層を形成する工程と、 前記ギャップ層を越えて前記第１の磁性層側と第２の磁
    性層側とにまたがるように、記録媒体に対向する側にお
    いて、前記絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気ヘッドの
    記録媒体に対向する面から離れた位置に配置された端部
    を有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部を収納するコ
    イル収納部を形成する工程とを含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を、前記ギャップ層を越えて前記第１の磁
    性層側と第２の磁性層側とにまたがるように、前記コイ
    ル収納部に配置し、 前記第２の磁性層を形成する工程は、 一方の面が前記ギャップ層に隣接し、磁極部分における
    長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一部となる
    第１の磁極部分層を形成する工程と、 一方の面の一部が前記第１の磁極部分層の他方の面に接
    触し、前記第１の磁極部分層に接触する部分の幅が記録
    トラック幅と等しく、且つ全体の長さが磁極部分におけ
    る前記第１の磁極部分層の長さよりも大きく、磁極部分
    の他の一部となる第２の磁極部分層を形成する工程と、 前記第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
    分において、前記第１の磁極部分層の幅が前記第２の磁
    極部分層の幅と等しくなるように、前記第２の磁極部分
    層をマスクとして第１の磁極部分層をエッチングする工
    程と、 前記第２の磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部
    分となるヨーク部分層を形成する工程とを含み、 前記絶縁層収納部は、前記第２の磁極部分層の一方の面
    のうち前記第１の磁極部分層の他方の面に接触しない部
    分と前記ギャップ層との間に形成される ことを特徴とす
    る薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記コイル収納部を形成する工程は、
    前記第２の磁極部分層をマスクとして前記第１の磁性層
    をエッチングすることによって前記コイル収納部を形成
    することを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、
    前記ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄
    膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に
    配置することを特徴とする請求項１７または１８記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
20. 【請求項２０】 更に、前記スロートハイト規定用絶縁
    層の前記第２の磁極部分層側の面を、前記第１の磁極部
    分層の他方の面と共に平坦化する工程を含むことを特徴
    とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
21. 【請求項２１】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ヨーク部分層
    側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化
    された他の絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とす
    る請求項１７ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
22. 【請求項２２】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記コイル収納部に配置される第１の部分と、この第１の
    部分と前記ヨーク部分層との間に配置される第２の部分
    とを形成することを特徴とする請求項１７ないし２０の
    いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
23. 【請求項２３】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク部分層側の
    面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化され
    た他の絶縁層を形成する工程を含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの第
    ２の部分を前記他の絶縁層と前記ヨーク部分層との間に
    配置することを特徴とする請求項２２記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
24. 【請求項２４】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と
    前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第
    １および第２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項１７ないし２３のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
25. 【請求項２５】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
    とも一方は、化学的気相成長法によって形成されること
    を特徴とする請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
26. 【請求項２６】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する側において互いに対向する磁極部分を含み、そ
    れぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁
    性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性
    層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なく
    とも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第
    １および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けら
    れた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法で
    あって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 一方の磁性層を形成する工程は、一方の磁性層に対し
    て、記録媒体に対向する側においてスロートハイトを規
    定する端部を有し、スロートハイトを規定するためのス
    ロートハイト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部を形
    成し、 薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、 前記絶縁層収納部に収納されるように、スロートハイト
    規定用絶縁層を形成する工程と、 前記ギャップ層を越えて前記第１の磁性層側と第２の磁
    性層側とにまたがるように、記録媒体に対向する側にお
    いて、前記絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気ヘッドの
    記録媒体に対向する面から離れた位置に配置された端部
    を有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部を収納するコ
    イル収納部を形成する工程とを含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を、前記ギャップ層を越えて前記第１の磁
    性層側と第２の磁性層側とにまたがるように、前記コイ
    ル収納部に配置し、 前記第１の磁性層を形成する工程は、第１の磁性層のギ
    ャップ層側の面において、前記絶縁層収納部となる第１
    の凹部を形成し、 前記コイル収納部を形成する工程は、第１の磁性層のギ
    ャップ層側の面において、その深さが前記第１の凹部の
    深さよりも大きく、前記コイル収納部の一部となる第２
    の凹部を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
27. 【請求項２７】 更に、前記スロートハイト規定用絶縁
    層のギャップ層側の面を、前記第１の磁性層のギャップ
    層側の面と共に平坦化する工程を含むことを特徴とする
    請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
28. 【請求項２８】 前記第２の磁性層を形成する工程は、
    磁極部分となる磁極部分層と、前記磁極部分層に接続さ
    れ、ヨーク部分となるヨーク部分層とを形成することを
    特徴とする請求項２６または２７記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記コイル収納部を形成する工程は、
    前記磁極部分層をマスクとして第１の磁性層をエッチン
    グすることによって前記コイル収納部を形成することを
    特徴とする請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
30. 【請求項３０】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分層
    側の面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平
    坦化された他の絶縁層を形成する工程を含むことを特徴
    とする請求項２８または２９記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
31. 【請求項３１】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記コイル収納部に配置される第１の部分と、この第１の
    部分と前記ヨーク部分層との間に配置される第２の部分
    とを形成することを特徴とする請求項２８または２９記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
32. 【請求項３２】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの第１の部分を覆い、そのヨーク部分層側の
    面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦化
    された他の絶縁層を形成する工程を含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの第
    ２の部分を、前記他の絶縁層と前記ヨーク部分層との間
    に配置することを特徴とする請求項３１記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
33. 【請求項３３】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と
    前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第
    １および第２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項２６ないし３２のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
34. 【請求項３４】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
    とも一方は、化学的気相成長法によって形成されること
    を特徴とする請求項３３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
35. 【請求項３５】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する側において互いに対向する磁極部分を含み、そ
    れぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁
    性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性
    層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なく
    とも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第
    １および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けら
    れた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法で
    あって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 一方の磁性層を形成する工程は、一方の磁性層に対し
    て、記録媒体に対向する側においてスロートハイトを規
    定する端部を有し、スロートハイトを規定するためのス
    ロートハイト規定用絶縁層を収納する絶縁層収納部を形
    成し、 薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、 前記絶縁層収納部に収納されるように、スロートハイト
    規定用絶縁層を形成する工程と、 前記ギャップ層を越えて前記第１の磁性層側と第２の磁
    性層側とにまたがるように、記録媒体に対向する側にお
    いて、前記絶縁層収納部の端部よりも薄膜磁気ヘッドの
    記録媒体に対向する面から離れた位置に配置された端部
    を有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部を収納するコ
    イル収納部を形成する工程とを含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を前記コイル収納部に配置し、 前記第２の磁性層を形成する工程は、磁極部分となる磁
    極部分層と、前記磁極部分層に接続され、ヨーク部分と
    なるヨーク部分層とを形成し、 前記コイル収納部を形成する工程は、前記磁極部分層を
    マスクとして第１の磁性層をエッチングすることによっ
    て前記コイル収納部を形成することを特徴とする薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
36. 【請求項３６】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記薄膜コイルの少なくとも一部を、前記ギャップ層を越
    えて前記第１の磁性層側と第２の磁性層側とにまたがる
    ように、前記コイル収納部に配置することを特徴とする
    請求項３５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
37. 【請求項３７】 前記第２の磁性層を形成する工程は、 一方の面が前記ギャップ層に隣接し、磁極部分における
    長さがスロートハイトに等しく、前記磁極部分層の一部
    となる第１の磁極部分層を形成する工程と、 一方の面の一部が前記第１の磁極部分層の他方の面に接
    触し、前記第１の磁極部分層に接触する部分の幅が記録
    トラック幅と等しく、且つ全体の長さが磁極部分におけ
    る前記第１の磁極部分層の長さよりも大きく、前記磁極
    部分層の他の一部となる第２の磁極部分層を形成する工
    程と、 前記第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
    分において、前記第１の磁極部分層の幅が前記第２の磁
    極部分層の幅と等しくなるように、前記第２の磁極部分
    層をマスクとして第１の磁極部分層をエッチングする工
    程と、 前記第２の磁極部分層の他方の面に接続されるように、
    前記ヨーク部分層を形成する工程とを含み、 前記絶縁層収納部は、前記第２の磁極部分層の一方の面
    のうち前記第１の磁極部分層の他方の面に接触しない部
    分と前記ギャップ層との間に形成されることを特徴とす
    る請求項３５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
38. 【請求項３８】 前記コイル収納部を形成する工程は、
    前記第２の磁極部分層をマスクとして第１の磁性層をエ
    ッチングすることによって前記コイル収納部を形成する
    ことを特徴とする請求項３７記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
39. 【請求項３９】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、
    前記ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄
    膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に
    配置することを特徴とする請求項３７または３８記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
40. 【請求項４０】 更に、前記スロートハイト規定用絶縁
    層の前記第２の磁極部分層側の面を、前記第１の磁極部
    分層の他方の面と共に平坦化する工程を含むことを特徴
    とする請求項３７ないし３９のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
41. 【請求項４１】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ヨーク部分層
    側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化
    された他の絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とす
    る請求項３７ないし４０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
42. 【請求項４２】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記コイル収納部に配置される第１の部分と、この第１の
    部分と前記ヨーク部分層との間に配置される第２の部分
    とを形成することを特徴とする請求項３７ないし４０の
    いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
43. 【請求項４３】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク部分層側の
    面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化され
    た他の絶縁層を形成する工程を含み、前記薄膜コイルを
    形成する工程は、前記薄膜コイルの第２の部分を前記他
    の絶縁層と前記ヨーク部分層との間に配置することを特
    徴とする請求項４２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
44. 【請求項４４】 前記第１の磁性層を形成する工程は、
    第１の磁性層のギャップ層側 の面において、前記絶縁層
    収納部となる第１の凹部を形成し、 前記コイル収納部を形成する工程は、第１の磁性層のギ
    ャップ層側の面において、その深さが前記第１の凹部の
    深さよりも大きく、前記コイル収納部の一部となる第２
    の凹部を形成することを特徴とする請求項３５薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
45. 【請求項４５】 更に、前記スロートハイト規定用絶縁
    層のギャップ層側の面を、前記第１の磁性層のギャップ
    層側の面と共に平坦化する工程を含むことを特徴とする
    請求項４４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
46. 【請求項４６】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分層
    側の面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平
    坦化された他の絶縁層を形成する工程を含むことを特徴
    とする請求項４４または４５記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
47. 【請求項４７】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記コイル収納部に配置される第１の部分と、この第１の
    部分と前記ヨーク部分層との間に配置される第２の部分
    とを形成することを特徴とする請求項４４または４５記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
48. 【請求項４８】 更に、前記コイル収納部に配置された
    薄膜コイルの第１の部分を覆い、そのヨーク部分層側の
    面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平坦化
    された他の絶縁層を形成する工程を含み、前記薄膜コイ
    ルを形成する工程は、前記薄膜コイルの第２の部分を、
    前記他の絶縁層と前記ヨーク部分層との間に配置するこ
    とを特徴とする請求項４７記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
49. 【請求項４９】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と
    前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第
    １および第２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項３５ないし４８のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
50. 【請求項５０】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
    とも一方は、化学的気相成長法によって形成されること
    を特徴とする請求項４９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。