JP3484071B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP3484071B2 JP3484071B2 JP07089398A JP7089398A JP3484071B2 JP 3484071 B2 JP3484071 B2 JP 3484071B2 JP 07089398 A JP07089398 A JP 07089398A JP 7089398 A JP7089398 A JP 7089398A JP 3484071 B2 JP3484071 B2 JP 3484071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- gate
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 34
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 235000021190 leftovers Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
し、より詳細には低電圧でも読出し可能なCMOSイメ
ージセンサに関するものである。
幅型MOSセンサに関する数々の技術が提案されてい
る。かかる増幅型MOSセンサは、画素数の増加やイメ
ージサイズの縮小による画素サイズの縮小に適したもの
として期待されている。
べて低消費電力で、センサ部分と同じCMOSプロセス
を使う他の周辺回路との統合が容易であることからも、
非常に期待されている。
MOSセンサの概要構成を示した平面図である。
置は、多画素化されており、同一基板上に、光電変換素
子であるフォトダイオード(PD1、PD2、…)とト
ランジスタ(Tr、Ta、…)が並設されて構成されて
いる。そして、光電変換素子による光電変換により発生
した信号電荷で信号電荷蓄積部の電位を変調して、その
電位により画素内部の増幅トランジスタを変調すること
で、画素内部に増幅機能をもたせている。
ational ElectronDevice Me
eting) 1997 pp927−928に記載さ
れた、コダック社とモトローラ社が共同開発した増幅型
MOSセンサの回路図である。このMOSセンサは、フ
ォトダイオード、転送ゲートと、複数個のトランジスタ
により構成されている。
体撮像装置にあっては、以下のような課題を有してい
る。
トダイオード部から読み出しゲートまでの構造を示した
断面図及びポテンシャル図である。
部にフォトダイオードのp+ 拡散層2及びMOSトラン
ジスタのドレイン3が形成され、上記p+ 拡散層2の下
部にはn型拡散層4が形成されている。また、Pウェル
1の表面上には絶縁膜5を介して読み出しゲート6が形
成されている。
減するため、n拡散層4で形成されたフォトダイオード
の表面を覆うp+ 拡散層2が形成された、サーフェイス
シールド構造(S3構造)を設けている。
を有するCMOSイメージセンサのフォトダイオードか
ら読み出しゲートまでの断面図及びポテンシャル図であ
る。
は、現状読み出し電圧が10Vのため、蓄積された電荷
は破線のように全て読み出し側に転送されるが、低電圧
化された場合は実線のように積み残しが起こる。
に、CMOSイメージセンサでは読み出し電圧が3.3
Vと低電圧のため、フォトダイオードのn+ 拡散層4の
影響で、フォトダイオードから蓄積された電荷の読み出
しができなくなってしまう。これは、CMOSイメージ
センサにとっては、致命的な課題であった。
のであり、CMOSイメージセンサにとって致命的であ
る、低電圧でも蓄積された電荷を読み出し可能な固体撮
像装置を提供することを目的とする。
導体基板上に、単位セルを行列二次元状に配置して成る
撮像領域と、撮像領域の各セルからの信号を読み出す信
号走査部からなる固体撮像装置であって、上記半導体基
板の基板界面から基板深さ方向に所定距離離間された位
置に設けられて、光電変換により得られた信号電荷を蓄
積する信号蓄積領域と、上記半導体基板の表面で上記信
号蓄積部に近接して設けられるもので、上記信号蓄積部
から信号電荷を排出するMOS型トランジスタのゲート
電極と、上記半導体基板表面部で上記ゲート電極に隣接
して設けられるもので、そのチャネル方向に於いて上記
ゲート電極と重なるように突出形成されたMOS型トラ
ンジスタのドレイン領域とを具備する固体撮像装置に於
いて、上記突出形成されたドレイン領域は、上記ドレイ
ン領域から上記信号蓄積領域側へ向けてその一部が突出
された形状であることを特徴とする。
トダイオードに隣接して読み出し機能を有するMOSト
ランジスタの構造に於いて、読み出し用のトランジスタ
のドレイン側のイオン注入領域をゲート電極の下方にま
で延出させる。これにより、低電圧でもCCDと同様な
読み出しが可能なCMOSイメージセンサができる。
の実施の形態を説明する。
る増幅型固体撮像装置のセルの構成を示す断面図であ
る。
所定位置に、光を電荷に変換するフォトダイオード11
のn型拡散層12が形成されている。そして、Pウェル
10の表面部には、上記n型拡散層12の上方に濃度の
高いp+ 拡散層で形成されたサーフェイスシールド層1
3が、そしてこのサーフェイスシールド層13と所定距
離離間して読み出し用のトランジスタのドレイン14
が、それぞれ形成されている。
ォトダイオードのn型拡散層12に蓄積された電荷をド
レイン14に読み出すためのゲート15が設けられてい
る。上記ドレイン14は、少なくともその一部がトラン
ジスタのチャネル方向に於いてゲート15の下方で重な
るように、突出部17を形成して配置される。
のセルの平面図である。
11に蓄積された電荷を読み出すためのゲート15は、
ドレイン14の一部に重なって形成されていることがわ
かる。
イン14側のイオン注入領域をゲート15の下方に延出
された場合の読み出し用トランジスタの特性図である。
ここで、図中xはドレイン側のイオン注入領域をゲート
15の下方に延出した距離を表している。
してもオン状態にはならず、オフ状態のままであること
がわかる。これに対し、x=0.1〜0.2に設定する
ことによって、ゲート電圧3.3V以下で読み出し用ト
ランジスタをオン状態にすることができる。
がゲート側に延出された長さを、上記の値に設定するこ
とにより、CMOSで使用される電源電圧3.3V以下
に於いて読み出しトランジスタのオンとオフの動作が可
能となる。
ば、ゲート長が0.7μmとすると、ドレイン14とゲ
ート15が重なる部分は0.2μmとしている。しかし
ながら、このドレイン14とゲート15が重なる部分の
長さは、この値に限られず、好ましくはゲート長をLと
した場合に2L/7以上であれば良い。
る増幅型固体撮像装置のセルの構成を示す断面図であ
る。尚、以下に述べる実施の形態に於いて、上述した第
1の実施の形態と同じ部分には同一の参照番号を付して
説明を省略する。
は、図1に示される第1の実施の形態のセルの構造か
ら、サーフェイスシールド層13を除いた構成となって
おり、その他の構造は図1のセルの構造と同じであるの
で説明は省略する。
けられなくても、基本的に第1の実施の形態と同様の効
果を得ることができる。
増幅型固体撮像装置のセルの構造について説明する。
る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
いてドレイン14がゲート15の下方に延出された部分
の形状を異ならせている。すなわち、ドレイン14aの
突出部17aは、その中央部で最も突出されるように、
ゲート下方で重なる部分が略三角形状に形成されてい
る。
る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
いてドレイン14のゲート15の下方に延出された部分
の形状を異ならせている。すなわち、ドレイン14bの
突出部17bは、その中央部で最も突出されるように、
ゲート下方で重なる部分の端部が略円弧状に形成されて
いる。
る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
いてドレイン14のゲート15の下方に延出された部分
の形状を異ならせている。すなわち、トランジスタのチ
ャネル方向と直交する方向に於いて、ドレイン14cの
中央部のみ突出されるように、ゲート下方で重なる部分
の突出部17cが形成されている。
る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
いてドレイン14のゲート15の下方に延出された部分
の形状を異ならせている。すなわち、ドレイン14dの
突出部17dは、トランジスタのチャネル方向に於い
て、その端部が最も突出されるように、ゲート下方で重
なる部分が略三角形状に形成されている。
る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
いてドレイン14、ゲート15及び突出部17の幅を異
ならせている。すなわち、トランジスタのチャネル方向
に於いて、ドレイン14e、ゲート15e及び突出部1
7eの幅は、フォトダイオード11の幅に対して小さく
形成されている。この場合、図9に於いてフォトダイオ
ード11の下端に近接して形成されているが、これに限
られるものではない。
の幅より大きく構成しても、この発明の効果を得ること
ができる。
構造を用いたが、これに限られずに、図9に於いて、上
述した図4乃至図8に示されるゲート構造を用いた場合
にも効果は充分得られる。
置の簡単な製造プロセスについて説明する。
形成する前に、Pウェル10の表面部にMOSトランジ
スタのドレイン領域のイオン注入領域14が形成され
る。次に、図10(b)に示されるように、Pウェル1
0の表面上にゲート電極15が形成される。このゲート
電極15の形成方法としては、ポリシリコンが堆積され
て、マスクが用いられてRIE法等により切除される。
ウェル10の表面部から所定位置の深さに、n型拡散層
から成るフォトダイオード層12が形成される。次い
で、図10(d)に示されるように、フォトダイオード
層12の上方に、サーフェイスシールド層13が形成さ
れる。
ド層を除いても同様の効果を得ることができる。
係る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
形態に於いて、ドレイン14′から延出形成された部分
の端部が、円弧状に形成された突出部17′が用いられ
ている。その他の部分は、上述した第1の実施の形態と
同じである。
係る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
形態に於いて、端部が円弧状に形成された突出部17
a′が用いられている。その他の部分は、上述した第3
の実施の形態に準じる。
に係る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
形態に於いて、突出部の端部の形状が円弧状に形成され
て突出部17c′とされている。その他の部分は、上述
した第5の実施の形態に準ずる。
に係る増幅型固体撮像装置のセルの平面図である。
形態に於いて、突出部の端部の形状が円弧状に形成され
て突出部17d′とされている。その他の部分は、上述
した第6の実施の形態に準ずる。
て、この発明の効果を得ることができる。加えて、突出
部の端部を円弧状に形成したことにより、高電界集中に
よる各画素それぞれの特性バラツキを抑制することも可
能である。
Sイメージセンサにとって致命的である、低電圧でも蓄
積された電荷を読み出し可能な固体撮像装置を提供する
ことができる。
撮像装置のセルの構成を示す断面図である。
図である。
イオン注入領域をゲート15の下方に延出された場合の
読み出し用トランジスタの特性図である。
イオン注入領域をゲート15の下方に延出された場合の
読み出し用トランジスタの特性図である。
撮像装置のセルの平面図である。
撮像装置のセルの平面図である。
撮像装置のセルの平面図である。
撮像装置のセルの平面図である。
撮像装置のセルの平面図である。
スについて説明する工程図である。
体撮像装置のセルの平面図である。
体撮像装置のセルの平面図である。
固体撮像装置のセルの平面図である。
固体撮像装置のセルの平面図である。
成を示した平面図である。
lectron DeviceMeeting) 19
97 pp927−928に記載された、コダック社と
モトローラ社が共同開発した増幅型MOSセンサの回路
図である。
ートまでの構造を示したもので、(a)は断面図、
(b)はポテンシャル図である。
けている。S3構造を有するCMOSイメージセンサの
フォトダイオードから読み出しゲートまでの構造を示し
たもので、(a)は断面図、(b)はポテンシャル図で
ある。
ドレイン、 15 ゲート、 17、17a〜17e、17′、17a′〜17d′
突出部。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体基板上に、単位セルを行列二次元
状に配置して成る撮像領域と、撮像領域の各セルからの
信号を読み出す信号走査部からなる固体撮像装置であっ
て、 上記半導体基板の基板界面から基板深さ方向に所定距離
離間された位置に設けられて、光電変換により得られた
信号電荷を蓄積する信号蓄積領域と、 上記半導体基板の表面で上記信号蓄積部に近接して設け
られるもので、上記信号蓄積部から信号電荷を排出する
MOS型トランジスタのゲート電極と、 上記半導体基板表面部で上記ゲート電極に隣接して設け
られるもので、そのチャネル方向に於いて上記ゲート電
極と重なるように突出形成されたMOS型トランジスタ
のドレイン領域とを具備する固体撮像装置に於いて、 上記突出形成されたドレイン領域は、上記ドレイン領域
から上記信号蓄積領域側へ向けてその一部が突出された
形状であることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 上記突出形成されたドレイン領域は、三
角形状であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮
像装置。 - 【請求項3】 上記突出形成されたドレイン領域は、四
角形状であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮
像装置。 - 【請求項4】 上記突出形成されたドレイン領域は、上
記ゲート電極と重なるように突出形成された部分の長さ
が、少なくとも0.2μmであることを特徴とする請求
項1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項5】 上記突出形成されたドレイン領域は、上
記ゲート電極と重なるように突出形成された部分の長さ
が、上記ゲート電極のゲート長Lに対して2L/7以上
であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07089398A JP3484071B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07089398A JP3484071B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274458A JPH11274458A (ja) | 1999-10-08 |
JP3484071B2 true JP3484071B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=13444674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07089398A Expired - Fee Related JP3484071B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3484071B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3934827B2 (ja) | 1999-06-30 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR100431749B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2004-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 |
JP3795843B2 (ja) | 2002-08-01 | 2006-07-12 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置 |
JP4281375B2 (ja) | 2003-02-19 | 2009-06-17 | ソニー株式会社 | Cmos固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP4578792B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-11-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2007035674A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
KR100776147B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 운송 게이트를 전위 웰과 통합하여 확장된 화소의 동적범위를 갖는 이미지센서 센서 |
JP5246218B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2013-07-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP07089398A patent/JP3484071B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11274458A (ja) | 1999-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3403061B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7687299B2 (en) | Semiconductor apparatus, solid state image pickup device using the same, and method of manufacturing them | |
US7696597B2 (en) | Split transfer gate for dark current suppression in an imager pixel | |
US6897519B1 (en) | Tunneling floating gate APS pixel | |
US7514733B2 (en) | CMOS image device and local impurity region and method of manufacturing the same | |
JP3219036B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2003031787A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
JP2008166607A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 | |
JP3727639B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH11274450A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH11307752A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3484071B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH11274457A (ja) | 固体撮像装置 | |
US6653164B2 (en) | Solid state imaging device, manufacturing method thereof, and solid state imaging apparatus | |
JP2000031451A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2004312039A (ja) | 光電変換素子 | |
US7432543B2 (en) | Image sensor pixel having photodiode with indium pinning layer | |
JP3445502B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3477039B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP3248225B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP3406832B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3523057B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4561328B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP4351667B2 (ja) | 電荷検出装置の製造方法 | |
JP4157886B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131017 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |