JP4157886B2 - Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 - Google Patents
Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4157886B2 JP4157886B2 JP2005270580A JP2005270580A JP4157886B2 JP 4157886 B2 JP4157886 B2 JP 4157886B2 JP 2005270580 A JP2005270580 A JP 2005270580A JP 2005270580 A JP2005270580 A JP 2005270580A JP 4157886 B2 JP4157886 B2 JP 4157886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- image sensor
- cmos image
- oxide film
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明はＣＭＯＳイメージセンサに関し、より詳細には、フォトダイオード領域の表面を保護し、イメージセンサの感度特性を向上させたＣＭＯＳイメージセンサの製造方法に関するものである。
通常、ＣＭＯＳイメージセンサとは、ＣＭＯＳ製造工程上で得られるＰ−Ｎ接合フォトダイオードを用いて、光学的なイメージ、つまり入射光量を電気的な信号に変換させる素子である。
このようなＣＭＯＳイメージセンサは、画素数だけフォトダイオードを形成し、前記フォトダイオードで生成された光電荷を、多数のＭＯＳトランジスタを用いて順次出力して、光電荷から光信号を検出する方式を採用しており、ＣＭＯＳイメージセンサの技術において重要事項の一つは、フォトダイオードが入射された光量に対してできる限り高い感度を有するようにすることである。
現在、イメージセンサとして広く用いられているＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサに比べて、ＣＭＯＳイメージセンサは、その駆動方式が簡便で多様なスキャニング方式の実現が可能であり、信号処理回路を単一のチップに集積することができるため、製品の小型化が可能であるばかりでなく、互換性のＣＭＯＳ技術を用いるので、製造単価を低めることができ、電力の消耗も低いという長所を有していることは周知のことである。
一般的なＣＭＯＳイメージセンサの単位セルは、１つのフォトダイオードと３つのトランジスタで構成されるか、１つのフォトダイオードと４つのトランジスタで構成されている。
図１は、従来の４つのトランジスタとフォトダイオードで構成されたＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を示す回路図である。
従来のＣＭＯＳイメージセンサの単位画素は、図１に示したように、１つのフォトダイオードと４つのＭＯＳトランジスタで構成される。即ち、光を受けて光電荷を生成するフォトダイオード１００と、フォトダイオード１００で集められた光電荷をフローティング拡散領域１０２に運送するためのトランスファトランジスタ１０１と、所望値でフローティング拡散領域１０２の電位をセッティングし、電荷を排出してフローティング拡散領域１０２をリセットさせるためのリセットトランジスタ１０３と、ソースファロウァバッファ増幅器の役割をするドライブトランジスタ１０４と、スイッチングの役割でアドレッシングができるようにするセレクトトランジスタ１０５とで構成されている。
従来のＣＭＯＳイメージセンサの単位画素は、図１に示したように、１つのフォトダイオードと４つのＭＯＳトランジスタで構成される。即ち、光を受けて光電荷を生成するフォトダイオード１００と、フォトダイオード１００で集められた光電荷をフローティング拡散領域１０２に運送するためのトランスファトランジスタ１０１と、所望値でフローティング拡散領域１０２の電位をセッティングし、電荷を排出してフローティング拡散領域１０２をリセットさせるためのリセットトランジスタ１０３と、ソースファロウァバッファ増幅器の役割をするドライブトランジスタ１０４と、スイッチングの役割でアドレッシングができるようにするセレクトトランジスタ１０５とで構成されている。
そして、単位画素の外には、出力信号を読みとれるように、ロードトランジスタ１０６が形成されている。
以下、添付の図面を参照して、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明する。
図２ａ乃至図２ｃは、４つのトランジスタと１つのフォトダイオードとで構成されたＣＭＯＳイメージセンサの製造工程を示す断面図であり、フォトダイオード領域と、これに隣接したトランスファトランジスタを中心に示した図面である。
まず、図２ａに示したように、半導体基板１１にフィールド領域と活性領域を定義して、前記フィールド領域に素子隔離膜（図示せず）を形成する。そして、前記活性領域の半導体基板１１上にゲート酸化膜（図示せず）を介在させ、トランスファトランジスタのゲート電極１２を形成し、基板１１上で行われる各種のイオン注入時に半導体基板１１の表面欠陥を最小化するために障壁酸化膜１３を形成する。
その後、図面には示していないが、障壁酸化膜１３を形成した後、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域と、ＮＳＤ（Ｎ型ソース／ドレイン）領域の半導体基板を露出させるパターン（ＰＲ）を形成し、これをイオン注入マスクに用いて、ＬＤＤ領域とＮＳＤ領域を形成する。
次に、図２ｂに示したように、フォトダイオード領域の半導体基板を露出させるパターン（ＰＲ）を形成し、これをイオン注入マスクに用いて、半導体基板１１上にフォトダイオード領域（ＰＤ）１４を形成する。この際、前記フォトダイオード領域１４は、トランスファトランジスタのゲート電極１２のエッジにその一側面が整列されるように形成される。
次いで、図２ｃに示したように、前記ゲート電極１２を含む基板の全面に絶縁膜を蒸着し、これを異方性エッチングして、前記ゲート電極１２の側壁にスペーサ１２ａを形成する。それから、ウエットエッチング工程によって障壁酸化膜１３を除去する。
従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサは、ゲート電極１２を形成し、障壁酸化膜１３を形成した後、続いてＬＤＤ領域、ＮＳＤ領域、およびフォトダイオード領域１４を形成するためのイオンの注入を順次行う。
しかしながら、工程中に繰り返される数回のフォトレジスト工程、フォトレジスト除去工程、酸化膜の除去のためのエッチング工程によって単位画素のフォトダイオードの表面が損傷を受け、これは後に漏洩ソースとして作用する。
このようにフォトダイオードの表面特性が悪化することで、半導体基板上に形成されたシリコン格子構造に誤整列の状態が発生する。
このようにフォトダイオードの表面特性が悪化することで、半導体基板上に形成されたシリコン格子構造に誤整列の状態が発生する。
更に、シリコン格子構造の誤整列した部分は、電子を捕獲する電子トラップの役割を果たし、このような電子トラップに捕獲された電子がトランスファトランジスタを経由して、イメージの再現に影響を与えるようになるので、ＣＭＯＳイメージセンサの特性を悪化させる根本的な要因となった。
本発明は上記のような問題点を解決するためのもので、その目的は、各種の後続する工程によるフォトダイオードの表面のダメージを減らして、フォトダイオードの表面特性を向上させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、半導体基板にフォトダイオード領域を形成する段階と、格子構造を変化させるためのイオンを前記フォトダイオード領域に注入する段階と、前記イオン注入による格子構造の変化を復旧するのに十分な条件で、前記フォトダイオード領域に酸化膜を形成する段階とを備えることを特徴とする。
ここで、前記酸化膜を形成する段階は、前記フォトダイオード領域の表面を熱酸化することを特徴とする。
前記酸化膜は不均一な厚さを有することを特徴とする。
前記酸化膜の表面は膨らんでいることを特徴とする。
前記酸化膜は、入射光を前記フォトダイオード領域にフォーカシングすることを特徴とする。
前記半導体基板は、前記フォトダイオード領域を形成する段階で障壁層を有し、前記格子構造を変化させるためのイオン注入段階の前に前記障壁層を除去する段階を更に備えることを特徴とする。
前記格子構造を変化させるためのイオンは、４族元素グループを含むことを特徴とする。
前記格子構造を変化させるためのイオンは、１０ｋｅＶ〜２０ｋｅＶのエネルギーで注入されることを特徴とする。
本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法によれば、第一に、各種の工程中に損傷を受けたフォトダイオードのシリコン表面を回復させ、更に以後の工程でフォトダイオードの表面の損失を最小化することができる。
第二に、フォトダイオードの入射光量を増加させ、イメージセンサの特性を向上させることができる。
第二に、フォトダイオードの入射光量を増加させ、イメージセンサの特性を向上させることができる。
以下、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法の好適な実施例について、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、４つのトランジスタと１つのフォトダイオードからなる単位画素で構成され、従来と同一の構成要素からなるので、ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素についての詳細な説明は省略する。
図３ａ乃至図３ｄを参照して、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法の実施例を説明する。
図３ａ乃至図３ｄは、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造工程を示す断面図で、フォトダイオード領域と、これに隣接したトランスファトランジスタを中心に示した図面である。
図３ａ乃至図３ｄは、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造工程を示す断面図で、フォトダイオード領域と、これに隣接したトランスファトランジスタを中心に示した図面である。
図３ａに示したように、半導体基板２１上にトランジスタのゲート電極２２を形成する。そして、前記ゲート電極２２を含む基板の全面に障壁酸化膜２３を形成する。次いで、ＬＤＤ領域、ＮＳＤ（Ｎ型ソース／ドレイン）領域、フォトダイオード領域２４、およびゲート電極２２のスペーサ２２ａを順に形成する一連の工程は従来と同一なので省略する。
フォトダイオード領域２４とゲート電極２２のスペーサ２２ａを形成した後、図３ｂに示したように、まず、エッチング工程を介して障壁酸化膜２３を基板２１上で除去する。
次いで、トランジスタのゲート電極２２の上部を含む半導体基板２１の全面にフォトレジストＰＲを塗布した後、図３ｃに示したように、前記フォトダイオード領域２４が露出するように、前記フォトレジストＰＲをパターニングする。即ち、フォトダイオード領域２４を除いた領域は、フォトレジストによってマスキングされる。
次いで、トランジスタのゲート電極２２の上部を含む半導体基板２１の全面にフォトレジストＰＲを塗布した後、図３ｃに示したように、前記フォトダイオード領域２４が露出するように、前記フォトレジストＰＲをパターニングする。即ち、フォトダイオード領域２４を除いた領域は、フォトレジストによってマスキングされる。
そして、前記パターニングされたフォトレジストをイオン注入マスクに用いて、前記フォトダイオード領域２４にゲルマニウム（Ｇｅ）を注入する。ここで、前記ゲルマニウムだけでなく、シリコンのような４族元素のうち、何れか一つを選択して用いてもよい。
この際、前記フォトダイオード領域２４にシリコンのような４族元素のゲルマニウムを１０〜２０ｋｅＶ程度の弱いエネルギーで注入して、半導体基板２１、つまりシリコン表面の格子構造を分解させる。ここで、最も好ましいイオン注入エネルギーは１５ｋｅＶ程度であれば良好である。
この際、前記フォトダイオード領域２４にシリコンのような４族元素のゲルマニウムを１０〜２０ｋｅＶ程度の弱いエネルギーで注入して、半導体基板２１、つまりシリコン表面の格子構造を分解させる。ここで、最も好ましいイオン注入エネルギーは１５ｋｅＶ程度であれば良好である。
図３ｄに示したように、前記ゲルマニウム注入工程のためのフォトレジスト（ＰＲ）を除去する。そして、酸化工程を進行して、前記シリコン格子構造が崩れた前記フォトダイオード領域２４のシリコンの表面に表面酸化膜２５を厚く形成する。この際、酸化工程は、湿式、または乾式熱酸化工程を用いる。しかし、酸化工程だけでなく、例えば、ＴＥＯＳまたはシラン（ＳｉＨ4）などのようなシリコンソース、そしてオゾン（Ｏ3）又は酸素（Ｏ2）などのような酸素ソースなどを用いたブランケット蒸着、又はＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ、ＨＤＰ−ＣＶＤ）で形成できる。
そして、前記酸化膜２５は、前記フォトダイオード領域２４のシリコン表面に厚く形成され、前記酸化膜２５の表面は不均一な厚さを有して一定の曲率をもつ。即ち、前記酸化膜２５は膨らんでいる上部の表面を有してレンズの役割を果たす。
したがって、ゲルマニウムの注入によってフォトダイオード領域に当たるシリコン格子の構造を変化させた後、酸化工程を進行させると、フォトダイオードのシリコン表面に表面酸化膜２５が形成されるので、この際に形成された表面酸化膜２５によって工程中に損傷を受けたフォトダイオードの表面を回復し、以後の工程でもフォトダイオードの表面の損失を最小化することができる。
また、フォトダイオード領域２４に形成された表面酸化膜２５は除去せずに、以後の工程を進行させることで、製品の製造工程が完了した後、素子駆動時にレンズの役割をして、外部から入射する光の損失を減らすと共に、フォトダイオードに入射する光の量を増加させ、イメージセンサのイメージ実現の特性を向上させることができる。
図４から分かるように、フォトダイオードのシリコンの表面に形成された表面酸化膜２５によって外部から入射する光がフォトダイオードに集束する。
本発明は上述した実施例に限定せず、添付の請求範囲で分かるように、本発明の属する分野の通常の知識を有するものによって変形が可能であり、勿論、このような変形は本発明の範囲内に属する。
２１ 半導体基板
２２ ゲート電極
２２ａ スペーサ
２３ 障壁酸化膜
２４ フォトダイオード
２５ 表面酸化膜
２２ ゲート電極
２２ａ スペーサ
２３ 障壁酸化膜
２４ フォトダイオード
２５ 表面酸化膜
Claims (4)
- 半導体基板にフォトダイオード領域を形成する段階と、
４族元素グループのイオンを前記フォトダイオード領域に注入して格子構造を分解する段階と、
格子構造が分解された前記フォトダイオード領域の表面に酸化膜を形成する段階と
を備えることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記酸化膜を形成する段階は、前記フォトダイオード領域の表面を熱酸化することを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板は、前記フォトダイオード領域を形成する段階で障壁酸化膜を有し、前記イオン注入段階の前に前記障壁酸化膜を除去する段階を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記イオンは、１０ｋｅＶ〜２０ｋｅＶのエネルギーで注入されることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040075443A KR100741933B1 (ko) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006093704A JP2006093704A (ja) | 2006-04-06 |
| JP4157886B2 true JP4157886B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=36073025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005270580A Expired - Fee Related JP4157886B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-16 | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7381584B2 (ja) |
| JP (1) | JP4157886B2 (ja) |
| KR (1) | KR100741933B1 (ja) |
| CN (1) | CN100413052C (ja) |
| DE (1) | DE102005044902B4 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100772316B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 플라즈마손상으로부터 포토다이오드를 보호하는 씨모스이미지센서의 제조 방법 |
| KR100828942B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-05-13 | (주)실리콘화일 | 4ｔ-4ｓ 스텝 ＆ 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1225139A (en) | 1982-09-17 | 1987-08-04 | J. Thomas Tiedje | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
| JPS62190872A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | 受光素子の製造方法 |
| US6211560B1 (en) * | 1995-06-16 | 2001-04-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Voltage tunable schottky diode photoemissive infrared detector |
| US5671914A (en) | 1995-11-06 | 1997-09-30 | Spire Corporation | Multi-band spectroscopic photodetector array |
| JP2002151729A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100752675B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | Ｃｍｏｓ를 갖는 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| US6828234B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | RTP process chamber pressure control |
| KR100508086B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2005-08-17 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20040058692A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드의 표면을 보호하는 막을 구비한 시모스이미지센서 및 그 제조방법 |
| US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
| KR20040058697A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드의 표면결함을 치료하는 시모스 이미지센서및 그 제조방법 |
| JP2004228425A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP2004335588A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7148525B2 (en) * | 2004-01-12 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Using high-k dielectrics in isolation structures method, pixel and imager device |
-
2004
- 2004-09-21 KR KR1020040075443A patent/KR100741933B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-08-31 US US11/217,575 patent/US7381584B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 JP JP2005270580A patent/JP4157886B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-20 CN CNB2005101031671A patent/CN100413052C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-20 DE DE102005044902A patent/DE102005044902B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006093704A (ja) | 2006-04-06 |
| US20060060898A1 (en) | 2006-03-23 |
| US7381584B2 (en) | 2008-06-03 |
| DE102005044902B4 (de) | 2009-11-12 |
| DE102005044902A1 (de) | 2006-04-20 |
| KR20060026626A (ko) | 2006-03-24 |
| CN1753167A (zh) | 2006-03-29 |
| CN100413052C (zh) | 2008-08-20 |
| KR100741933B1 (ko) | 2007-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5306294B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| US7928485B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and method for producing the same | |
| US7927902B2 (en) | Methods of fabricating image sensors and image sensors fabricated thereby | |
| JPH11274454A (ja) | 固体撮像装置及びその形成方法 | |
| JP2004214665A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 | |
| US7825444B2 (en) | Image sensor pixel having a lateral doping profile formed with indium doping | |
| US20060001062A1 (en) | Method for fabricating CMOS image sensor | |
| JP5068453B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| US7432543B2 (en) | Image sensor pixel having photodiode with indium pinning layer | |
| JP4157886B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 | |
| US9000500B2 (en) | Image sensor with doped transfer gate | |
| KR20020017747A (ko) | 포토다이오드의 표면 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
| JP3523057B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100667499B1 (ko) | 시모스 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100716914B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2006041080A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20100030814A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| JP2009239058A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080630 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080714 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |