JP3475928B2 - 圧電振動子およびその製造方法 - Google Patents
圧電振動子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3475928B2 JP3475928B2 JP2000561702A JP2000561702A JP3475928B2 JP 3475928 B2 JP3475928 B2 JP 3475928B2 JP 2000561702 A JP2000561702 A JP 2000561702A JP 2000561702 A JP2000561702 A JP 2000561702A JP 3475928 B2 JP3475928 B2 JP 3475928B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface portion
- piezoelectric vibrating
- vibrating piece
- metal layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 66
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 59
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 46
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 39
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子などの
圧電振動子、およびその製造方法に関するものである。
さらに詳しくは、圧電振動片に形成した電極同士の電気
的接続と短絡防止技術に関するものである。
圧電振動子、およびその製造方法に関するものである。
さらに詳しくは、圧電振動片に形成した電極同士の電気
的接続と短絡防止技術に関するものである。
【背景技術】各種の屈曲振動モードあるいは縦振動モー
ドあるいはねじり振動モードの圧電振動子のうち、音叉
型水晶振動子は、たとえば、第１１図に示すように、基
部１０２１から２つの腕部１０２２、１０２３が延びた
薄板状の水晶片からなる圧電振動片１００２が用いら
れ、この圧電振動片１００２の基部１０２１には、プラ
グ１０３０の内部端子１０３１が接続している。第１２
図（Ａ）、（Ｂ）に圧電振動子（音叉型水晶振動子）に
用いられている圧電振動片１００２の上面側からの斜視
図、および下面側からの斜視図に示すように、圧電振動
片１００２の各腕部１０２２、１０２３の上面部１０２
５および下面部１０２６には、それぞれ所定のギャップ
を隔てて形成された２つの電極パターン１０４０によっ
て励振電極１０４５が形成されている。第１２図
（Ａ）、（Ｂ）では、２つの電極パターン１０４０を区
別するために、一方の電極パターン１０４０には右上が
りの斜線を付し、他方の電極パターン１０４０には右下
がりの斜線を付して、それぞれを図示してある。
ドあるいはねじり振動モードの圧電振動子のうち、音叉
型水晶振動子は、たとえば、第１１図に示すように、基
部１０２１から２つの腕部１０２２、１０２３が延びた
薄板状の水晶片からなる圧電振動片１００２が用いら
れ、この圧電振動片１００２の基部１０２１には、プラ
グ１０３０の内部端子１０３１が接続している。第１２
図（Ａ）、（Ｂ）に圧電振動子（音叉型水晶振動子）に
用いられている圧電振動片１００２の上面側からの斜視
図、および下面側からの斜視図に示すように、圧電振動
片１００２の各腕部１０２２、１０２３の上面部１０２
５および下面部１０２６には、それぞれ所定のギャップ
を隔てて形成された２つの電極パターン１０４０によっ
て励振電極１０４５が形成されている。第１２図
（Ａ）、（Ｂ）では、２つの電極パターン１０４０を区
別するために、一方の電極パターン１０４０には右上が
りの斜線を付し、他方の電極パターン１０４０には右下
がりの斜線を付して、それぞれを図示してある。
【０００２】ここで、励振電極１０４５は、圧電振動片
１００２の上面部１０２５および下面部１０２６のそれ
ぞれに形成されているので、圧電振動片１００２の上面
部１０２５の側の励振電極１０４５と下面部１０２６の
側の励振電極１０４５とは、上面部１０２５の縁部分１
２５１、１２５２、１２５３、１２５４、下面部１０２
６の縁部分１２６１、１２６２、１２６３、１２６４、
および各側面部１２７１、１２７２に形成された導通用
電極１０４６によって電気的に接続している。従って、
電極パターン１０４０のうち、基部１０２１に形成され
ている部分をマウント部として、そこにインナーリード
１０３１を半田や導電性接着剤などで電気的に接続し、
これらのインナーリード１０３１を介して励振電極１０
４５に交流電圧を印加すれば、腕部１０２２、１０２３
が所定の周波数で振動する。
１００２の上面部１０２５および下面部１０２６のそれ
ぞれに形成されているので、圧電振動片１００２の上面
部１０２５の側の励振電極１０４５と下面部１０２６の
側の励振電極１０４５とは、上面部１０２５の縁部分１
２５１、１２５２、１２５３、１２５４、下面部１０２
６の縁部分１２６１、１２６２、１２６３、１２６４、
および各側面部１２７１、１２７２に形成された導通用
電極１０４６によって電気的に接続している。従って、
電極パターン１０４０のうち、基部１０２１に形成され
ている部分をマウント部として、そこにインナーリード
１０３１を半田や導電性接着剤などで電気的に接続し、
これらのインナーリード１０３１を介して励振電極１０
４５に交流電圧を印加すれば、腕部１０２２、１０２３
が所定の周波数で振動する。
【０００３】このように構成した圧電振動子１００１に
おいて、電極パターン１０４０は、クロム層単独の層と
して形成される場合があるが、電極パターン１０４０の
電気的抵抗を低減することを目的に金電極層や銀電極層
などといった貴金属層を利用することがある。但し、圧
電振動片１００２の表面に直接、金電極層などを形成す
ると、圧電振動片１００２と金電極層との密着性が悪
い。そこで、従来の圧電振動子に用いられている圧電振
動片１００２における第１２図のＤ−Ｄ′断面を第１３
図（Ａ）に示すように、電極パターン１０４０に金電極
層１０４２を用いる場合でも、その下層にはクロム層か
らなる下地金属層１０４１を形成する。
おいて、電極パターン１０４０は、クロム層単独の層と
して形成される場合があるが、電極パターン１０４０の
電気的抵抗を低減することを目的に金電極層や銀電極層
などといった貴金属層を利用することがある。但し、圧
電振動片１００２の表面に直接、金電極層などを形成す
ると、圧電振動片１００２と金電極層との密着性が悪
い。そこで、従来の圧電振動子に用いられている圧電振
動片１００２における第１２図のＤ−Ｄ′断面を第１３
図（Ａ）に示すように、電極パターン１０４０に金電極
層１０４２を用いる場合でも、その下層にはクロム層か
らなる下地金属層１０４１を形成する。
【０００４】一方、圧電振動子１（水晶振動子）の腕部
１０２２、１０２３では、各電極パターン１０４０間の
ギャップがμｍオーダと極めて狭いため、電極パターン
１０４０間で短絡が発生しやすい。そこで、従来は、第
１２図のＥ−Ｅ′断面およびＦ−Ｆ′断面をそれぞれ第
１３図（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、電極パターン１０
４０の表面にシリコン酸化膜などの表面保護膜１０４７
をスパッタ形成している。但し、シリコン酸化膜（表面
保護膜１０４７）は金電極層１０４２との密着性が悪い
ため、腕部１０２２、１０２３の側では金電極層１０４
２を除去してクロム層からなる下地金属層１０４１を露
出させ、この下地金属層１０４１上に表面保護膜１０４
７を積層した構造になっている。
１０２２、１０２３では、各電極パターン１０４０間の
ギャップがμｍオーダと極めて狭いため、電極パターン
１０４０間で短絡が発生しやすい。そこで、従来は、第
１２図のＥ−Ｅ′断面およびＦ−Ｆ′断面をそれぞれ第
１３図（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、電極パターン１０
４０の表面にシリコン酸化膜などの表面保護膜１０４７
をスパッタ形成している。但し、シリコン酸化膜（表面
保護膜１０４７）は金電極層１０４２との密着性が悪い
ため、腕部１０２２、１０２３の側では金電極層１０４
２を除去してクロム層からなる下地金属層１０４１を露
出させ、この下地金属層１０４１上に表面保護膜１０４
７を積層した構造になっている。
【０００５】なお、第１３図（Ａ）に示したように、基
部１０２１の側では電極パターン１０４０間のギャップ
が広いので、電極パターン１０４０間での短絡のおそれ
がなく、かつ、第１１図に示したように、基部１０２１
においてプラグ１０３０の内部端子１０３１とマウント
部との半田付けなどを行うという観点からすれば金電極
層１０４２があった方がよいので、第１３図（Ａ）に示
すように、表面保護膜１０４７を形成せず、かつ、下地
金属層１０４１と金電極層１０４２との２層構造になっ
ている。
部１０２１の側では電極パターン１０４０間のギャップ
が広いので、電極パターン１０４０間での短絡のおそれ
がなく、かつ、第１１図に示したように、基部１０２１
においてプラグ１０３０の内部端子１０３１とマウント
部との半田付けなどを行うという観点からすれば金電極
層１０４２があった方がよいので、第１３図（Ａ）に示
すように、表面保護膜１０４７を形成せず、かつ、下地
金属層１０４１と金電極層１０４２との２層構造になっ
ている。
【０００６】しかしながら、従来の圧電振動子１００１
では、圧電振動片１００２の上面部１０２５の側の励振
電極１０４５と下面部１０２６の側の励振電極１０４５
とを、上面部１０２５の縁部分１２５１、１２５２、１
２５３、１２５４、下面部１０２６の縁部分１２６１、
１２６２、１２６３、１２６４、および各側面部１２７
１、１２７２に形成された導通用電極１０４６によって
電気的に接続しているが、これらの導通用電極１０４６
に相当する電極パターン１０４０はいずれもクロム層か
らなる下地金属層１０４１のみで構成されているため、
上面部１０２５の側の励振電極１０４５と下面部１０２
６の側の励振電極１０４５とがオープン状態になりやす
いという問題点がある。すなわち、導通用電極１０４６
を形成するクロム層からなる下地金属層１０４１はかな
り硬質の膜であり、圧電振動片１００２の側面部１２７
１、１２７２が湾曲形状あるいは屈曲形状を有する部分
１２７６、１２７７、１２７８、１２７９でクラックが
発生し、断線が発生しやすい。また、クロム層からなる
下地金属層１０４１の表面に形成した金電極層１０４２
を部分的にエッチング除去するためマスクを形成する際
に、アライメントずれが発生すると、金電極層４２に対
するエッチング中にクロム層（下地金属層１０４１）ま
でエッチング除去され、クロム層（下地金属層１０４
１）からなる導通用電極１０４６の欠落が発生すること
がある。このような導通用電極１０４６の断線によっ
て、圧電振動片１００２の上面部１０２５の側の励振電
極１０４５と下面部１０２６の側の励振電極１０４５と
がオープン状態になると、ＣＩ値（クリスタルインピー
ダンス／振動子の機械的振動を抵抗、容量、インダクタ
ンスの直列共振回路とこの直列共振回路に対する並列容
量とによって等価回路を表したときの抵抗の値）の増
大、あるいは発振不能という不具合の原因となる。
では、圧電振動片１００２の上面部１０２５の側の励振
電極１０４５と下面部１０２６の側の励振電極１０４５
とを、上面部１０２５の縁部分１２５１、１２５２、１
２５３、１２５４、下面部１０２６の縁部分１２６１、
１２６２、１２６３、１２６４、および各側面部１２７
１、１２７２に形成された導通用電極１０４６によって
電気的に接続しているが、これらの導通用電極１０４６
に相当する電極パターン１０４０はいずれもクロム層か
らなる下地金属層１０４１のみで構成されているため、
上面部１０２５の側の励振電極１０４５と下面部１０２
６の側の励振電極１０４５とがオープン状態になりやす
いという問題点がある。すなわち、導通用電極１０４６
を形成するクロム層からなる下地金属層１０４１はかな
り硬質の膜であり、圧電振動片１００２の側面部１２７
１、１２７２が湾曲形状あるいは屈曲形状を有する部分
１２７６、１２７７、１２７８、１２７９でクラックが
発生し、断線が発生しやすい。また、クロム層からなる
下地金属層１０４１の表面に形成した金電極層１０４２
を部分的にエッチング除去するためマスクを形成する際
に、アライメントずれが発生すると、金電極層４２に対
するエッチング中にクロム層（下地金属層１０４１）ま
でエッチング除去され、クロム層（下地金属層１０４
１）からなる導通用電極１０４６の欠落が発生すること
がある。このような導通用電極１０４６の断線によっ
て、圧電振動片１００２の上面部１０２５の側の励振電
極１０４５と下面部１０２６の側の励振電極１０４５と
がオープン状態になると、ＣＩ値（クリスタルインピー
ダンス／振動子の機械的振動を抵抗、容量、インダクタ
ンスの直列共振回路とこの直列共振回路に対する並列容
量とによって等価回路を表したときの抵抗の値）の増
大、あるいは発振不能という不具合の原因となる。
【０００７】本発明の目的は、上記課題を解消して、表
面保護膜の密着性を高めるために貴金属層を部分的に除
去したときでも、圧電振動片の上面部と下面部との間で
励振電極がオープン状態になることのない圧電振動子、
およびその製造方法を提供することである。
面保護膜の密着性を高めるために貴金属層を部分的に除
去したときでも、圧電振動片の上面部と下面部との間で
励振電極がオープン状態になることのない圧電振動子、
およびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明における圧電振
動子は （１） 平板状の圧電振動片と、該圧電振動片に形成さ
れた電極パターンによって当該圧電振動片の上面部およ
び下面部にそれぞれ形成された励振電極と、前記励振電
極同士を電気的に接続するように前記電極パターンによ
って当該圧電振動片の上面部の縁部分、下面部の縁部分
および側面部に形成された導通用電極と、前記圧電振動
片の上面部および下面部に対して少なくとも前記励振電
極を覆うように形成された絶縁性の表面保護被膜とを有
し、前記電極パターンは、前記圧電振動片表面に形成され
た下地金属層と、該下地金属層表面に形成された金ある
いは銀からなる貴金属層とを備える圧電振動子におい
て、前記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属
層により構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片
の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域における
前記圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分を除いて前記電極パターンが前記下地金属層により
構成され、前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは
屈曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至
る部分では前記電極パターンが前記下地金属層および前
記貴金属層により構成されていることを特徴とする。
動子は （１） 平板状の圧電振動片と、該圧電振動片に形成さ
れた電極パターンによって当該圧電振動片の上面部およ
び下面部にそれぞれ形成された励振電極と、前記励振電
極同士を電気的に接続するように前記電極パターンによ
って当該圧電振動片の上面部の縁部分、下面部の縁部分
および側面部に形成された導通用電極と、前記圧電振動
片の上面部および下面部に対して少なくとも前記励振電
極を覆うように形成された絶縁性の表面保護被膜とを有
し、前記電極パターンは、前記圧電振動片表面に形成され
た下地金属層と、該下地金属層表面に形成された金ある
いは銀からなる貴金属層とを備える圧電振動子におい
て、前記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属
層により構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片
の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域における
前記圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分を除いて前記電極パターンが前記下地金属層により
構成され、前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは
屈曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至
る部分では前記電極パターンが前記下地金属層および前
記貴金属層により構成されていることを特徴とする。
【０００９】この発明では、下地金属層と貴金属層との
２層構造からなる電極パターンを形成してその電気的抵
抗を低減するとともに、励振電極を構成する電極パター
ンについては下地金属層単独としている。また、導通用
電極を構成する電極パターンについても、圧電振動片の
側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域における、
圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に至る部分
を除いて下地金属層単独としている。従って、圧電振動
片の上面部および下面部に対して、少なくとも励振電極
を覆うように形成した絶縁性の表面保護被膜は、密着よ
く圧電振動片の表面に形成される。但し、導通用電極を構
成する電極パターンにおいて、圧電振動片の側面部の湾
曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から側面部を
経て下面部に至る部分については、下地金属層と貴金属
層の２層構造にしてあるので、たとえこの部分の下地金
属層にクラックや欠落が発生したとしても、この部分で
は貴金属層によって電気的な接続が確保されている。そ
れゆえ、圧電振動片の上面部と下面部との間で励振電極
がオープン状態になることはないので、表面保護被膜の
密着性を高めるために貴金属層を部分的に除去しても、
ＣＩ値の増大、あるいは発振不能などといった不具合の
発生を防止でき、信頼性の高い圧電振動子を実現するこ
とができる。
２層構造からなる電極パターンを形成してその電気的抵
抗を低減するとともに、励振電極を構成する電極パター
ンについては下地金属層単独としている。また、導通用
電極を構成する電極パターンについても、圧電振動片の
側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域における、
圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に至る部分
を除いて下地金属層単独としている。従って、圧電振動
片の上面部および下面部に対して、少なくとも励振電極
を覆うように形成した絶縁性の表面保護被膜は、密着よ
く圧電振動片の表面に形成される。但し、導通用電極を構
成する電極パターンにおいて、圧電振動片の側面部の湾
曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から側面部を
経て下面部に至る部分については、下地金属層と貴金属
層の２層構造にしてあるので、たとえこの部分の下地金
属層にクラックや欠落が発生したとしても、この部分で
は貴金属層によって電気的な接続が確保されている。そ
れゆえ、圧電振動片の上面部と下面部との間で励振電極
がオープン状態になることはないので、表面保護被膜の
密着性を高めるために貴金属層を部分的に除去しても、
ＣＩ値の増大、あるいは発振不能などといった不具合の
発生を防止でき、信頼性の高い圧電振動子を実現するこ
とができる。
【００１０】（２） 平板状の圧電振動片と、該圧電振
動片に形成された電極パターンによって当該圧電振動片
の上面部および下面部にそれぞれ形成された励振電極
と、前記励振電極同士を電気的に接続するように前記電
極パターンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、
下面部の縁部分および側面部に形成された導通用電極
と、前記圧電振動片の上面部および下面部に対して少な
くとも前記励振電極を覆うように形成された絶縁性の表
面保護膜とを有し、前記電極パターンは、前記圧電振動
片表面に形成された下地金属層と、該下地金属層表面に
形成された金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、前
記励振電極では、前記電極パターンが前記下地金属によ
り構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片の上
面部から側面部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記
電極パターンが前記下記金属層により構成され、前記圧
電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域
の上面部から側面部を経て下面部に至る部分では前記電
極パターンが前記下地金属層および前記貴金属層により
構成されている圧電振動子の製造方法であって、前記圧
電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成領域に
前記下地金属層、および該下地金属層の表面全体を覆う
前記貴金属層を備える電極パターンを形成する第１電極
パターン形成工程と、前記圧電振動片のうち、前記導通
用電極の前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈
曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分に相当する領域を覆うとともに、前記圧電振動片の
側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部か
ら側面部を経て下面部に至る部分を除く前記導通用電極
の形成領域および前記励振電極の形成領域が窓明け部分
になっているマスクを形成する第１マスク形成工程と、
該マスクの窓明け部分で露出している前記貴金属層を除
去する第１貴金属除去工程と、前記表面保護被膜を形成
するための絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、し
かる後に前記マスクを除去することにより該マスクの表
面に積層された前記絶縁膜も除去する第１絶縁膜除去工
程とを有することを特徴とする圧電振動子の製造方法で
ある。
動片に形成された電極パターンによって当該圧電振動片
の上面部および下面部にそれぞれ形成された励振電極
と、前記励振電極同士を電気的に接続するように前記電
極パターンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、
下面部の縁部分および側面部に形成された導通用電極
と、前記圧電振動片の上面部および下面部に対して少な
くとも前記励振電極を覆うように形成された絶縁性の表
面保護膜とを有し、前記電極パターンは、前記圧電振動
片表面に形成された下地金属層と、該下地金属層表面に
形成された金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、前
記励振電極では、前記電極パターンが前記下地金属によ
り構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片の上
面部から側面部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記
電極パターンが前記下記金属層により構成され、前記圧
電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域
の上面部から側面部を経て下面部に至る部分では前記電
極パターンが前記下地金属層および前記貴金属層により
構成されている圧電振動子の製造方法であって、前記圧
電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成領域に
前記下地金属層、および該下地金属層の表面全体を覆う
前記貴金属層を備える電極パターンを形成する第１電極
パターン形成工程と、前記圧電振動片のうち、前記導通
用電極の前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈
曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分に相当する領域を覆うとともに、前記圧電振動片の
側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部か
ら側面部を経て下面部に至る部分を除く前記導通用電極
の形成領域および前記励振電極の形成領域が窓明け部分
になっているマスクを形成する第１マスク形成工程と、
該マスクの窓明け部分で露出している前記貴金属層を除
去する第１貴金属除去工程と、前記表面保護被膜を形成
するための絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、し
かる後に前記マスクを除去することにより該マスクの表
面に積層された前記絶縁膜も除去する第１絶縁膜除去工
程とを有することを特徴とする圧電振動子の製造方法で
ある。
【００１１】（３） 平板上の圧電振動片と、該圧電振
動片に形成された電極パターンによって当該圧電振動片
の上面部および下面部にそれぞれ形成された励振電極
と、前記励振電極同士を電気的に接続するように前記電
極パターンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、
下面部の縁部分および側面部に形成された導通用電極
と、前記圧電振動片の上面部および下面部に対して少な
くとも前記励振電極を覆うように形成された絶縁性の表
面保護膜とを有し、前記電極パターンは、前記圧電振動
片表面に形成された下地金属層と、該下地金属層表面に
形成された金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、前
記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属層によ
り構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片の上
面部から側面部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記
電極パターンが前記下地金属層により構成され、前記圧
電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域
の上面部から側面部を経て下面部に至る部分では前記電
極パターンが前記下地金属層および前記貴金属層により
構成されている圧電振動子の製造方法であって、前記圧
電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成領域に
前記下地金属層、該下地金属層の表面全体を覆う前記貴
金属層を形成し、前記電極パターンに相当する部分の前
記貴金属層の表面を覆うレジストを形成する第２電極パ
ターン形成工程と、前記圧電振動片のうち、前記レジス
トに覆われていない前記下地金属層および前記貴金属層
を除去し、さらに前記導通用電極の前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から
側面部を経て下面部に至る部分に相当する領域を覆うと
ともに、前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈
曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分を除く前記導通用電極の形成領域および前記励振電
極の形成領域が窓明け部分となっているマスクを形成す
る第２マスク形成工程と、該マスクの窓明け部分で露出
している前記貴金属層を除去する第２貴金属除去工程
と、前記表面保護膜を形成するための絶縁膜を形成する
第２絶縁膜形成工程と、しかる後に前記マスクを除去す
ることにより該マスクの表面に積層された前記絶縁膜も
除去する第２絶縁膜除去工程とを有することを特徴とす
る圧電振動子の製造方法である。
動片に形成された電極パターンによって当該圧電振動片
の上面部および下面部にそれぞれ形成された励振電極
と、前記励振電極同士を電気的に接続するように前記電
極パターンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、
下面部の縁部分および側面部に形成された導通用電極
と、前記圧電振動片の上面部および下面部に対して少な
くとも前記励振電極を覆うように形成された絶縁性の表
面保護膜とを有し、前記電極パターンは、前記圧電振動
片表面に形成された下地金属層と、該下地金属層表面に
形成された金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、前
記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属層によ
り構成され、前記導通用電極では、前記圧電振動片の上
面部から側面部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記
電極パターンが前記下地金属層により構成され、前記圧
電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域
の上面部から側面部を経て下面部に至る部分では前記電
極パターンが前記下地金属層および前記貴金属層により
構成されている圧電振動子の製造方法であって、前記圧
電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成領域に
前記下地金属層、該下地金属層の表面全体を覆う前記貴
金属層を形成し、前記電極パターンに相当する部分の前
記貴金属層の表面を覆うレジストを形成する第２電極パ
ターン形成工程と、前記圧電振動片のうち、前記レジス
トに覆われていない前記下地金属層および前記貴金属層
を除去し、さらに前記導通用電極の前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から
側面部を経て下面部に至る部分に相当する領域を覆うと
ともに、前記圧電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈
曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部に至る
部分を除く前記導通用電極の形成領域および前記励振電
極の形成領域が窓明け部分となっているマスクを形成す
る第２マスク形成工程と、該マスクの窓明け部分で露出
している前記貴金属層を除去する第２貴金属除去工程
と、前記表面保護膜を形成するための絶縁膜を形成する
第２絶縁膜形成工程と、しかる後に前記マスクを除去す
ることにより該マスクの表面に積層された前記絶縁膜も
除去する第２絶縁膜除去工程とを有することを特徴とす
る圧電振動子の製造方法である。
【００１２】この発明では、マスクの形成が１回で良
く、製造工程を短縮することができる。また、これによ
り、このマスクを除去するための薬品の使用量が低減さ
れる。また、製造工程が減少した分、不良が生じないの
で歩留まりを向上させることができる。
く、製造工程を短縮することができる。また、これによ
り、このマスクを除去するための薬品の使用量が低減さ
れる。また、製造工程が減少した分、不良が生じないの
で歩留まりを向上させることができる。
【００１３】（４） （２）または（３）の発明のいず
れかの構成において、前記マスクはレジストマスクであ
ることを特徴とする圧電振動片の製造方法である。
れかの構成において、前記マスクはレジストマスクであ
ることを特徴とする圧電振動片の製造方法である。
【００１４】この発明では、前記マスクとしてレジスト
マスクを用いた場合には、金属マスクを被せる場合と比
較して、圧電振動片や電極パターンに傷がつきにくく、か
つ、安価に形成できるという利点がある。
マスクを用いた場合には、金属マスクを被せる場合と比
較して、圧電振動片や電極パターンに傷がつきにくく、か
つ、安価に形成できるという利点がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１６】（圧電振動子の全体構成）
〔第１実施形態〕
第１図は、屈曲振動モードあるいは縦振動モードの圧電
振動子のうち、音叉型水晶振動子の全体構成を示す斜視
図である。第２図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、この圧電
振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみたときの斜
視図、および斜め下方からみたときの斜視図である。
振動子のうち、音叉型水晶振動子の全体構成を示す斜視
図である。第２図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、この圧電
振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみたときの斜
視図、および斜め下方からみたときの斜視図である。
【００１７】第１図に示すように、本形態に係る圧電振
動子は、基部２１から２つの腕部２２、２３が延びた薄
板状の水晶片からなる圧電振動片２と、この圧電振動片
２の基部２１に対して内部端子３１が接続されたプラグ
３０と、圧電振動片２を収納したケース３５とから構成
され、このケース３５とプラグ３０とによって内部が気
密状態に保たれている。
動子は、基部２１から２つの腕部２２、２３が延びた薄
板状の水晶片からなる圧電振動片２と、この圧電振動片
２の基部２１に対して内部端子３１が接続されたプラグ
３０と、圧電振動片２を収納したケース３５とから構成
され、このケース３５とプラグ３０とによって内部が気
密状態に保たれている。
【００１８】第２図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、圧電
振動片２の各腕部２２、２３の上面部２５および下面部
２６の中央部分には、所定のギャップを隔てて形成され
た２つの電極パターン４０によって励振電極４５がそれ
ぞれ形成されている。第２図（Ａ）、（Ｂ）では、２つ
の電極パターン４０を区別するために、一方の電極パタ
ーン４０には右上がりの斜線を付し、他方の電極パター
ン４０には右下がりの斜線を付して、それぞれ図示して
ある。
振動片２の各腕部２２、２３の上面部２５および下面部
２６の中央部分には、所定のギャップを隔てて形成され
た２つの電極パターン４０によって励振電極４５がそれ
ぞれ形成されている。第２図（Ａ）、（Ｂ）では、２つ
の電極パターン４０を区別するために、一方の電極パタ
ーン４０には右上がりの斜線を付し、他方の電極パター
ン４０には右下がりの斜線を付して、それぞれ図示して
ある。
【００１９】ここで、励振電極４５は、圧電振動片２の
腕部２２、２３の上面部２５および下面部２６における
中央部分にそれぞれ形成されているので、圧電振動片２
の上面部２５の側の励振電極４５と下面部２６の側の励
振電極４５とは、上面部２５の縁部分２５１、２５２、
２５３、２５４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、
２６３、２６４、および各側面部２７１、２７２に形成
された電極パターン４０からなる導通用電極４６によっ
て電気的に接続している。
腕部２２、２３の上面部２５および下面部２６における
中央部分にそれぞれ形成されているので、圧電振動片２
の上面部２５の側の励振電極４５と下面部２６の側の励
振電極４５とは、上面部２５の縁部分２５１、２５２、
２５３、２５４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、
２６３、２６４、および各側面部２７１、２７２に形成
された電極パターン４０からなる導通用電極４６によっ
て電気的に接続している。
【００２０】従って、第１図に示すように、電極パター
ン４０のうち、基部２１に形成されている部分をマウン
ト部として、そこに内部端子３１を半田や導電性接着剤
などで電気的に接続した状態で、この外部端子３３およ
び内部端子３１を介して励振電極４５に交流電圧を印加
すれば、腕部２２、２３が所定の周波数で振動する。こ
の場合、導通用電極４６も圧電振動片２を励振する機能
を有している。なお、腕部２２、２３の先端側にはレー
ザトリミングにより周波数調整を行うための錘部分４９
が形成されている。
ン４０のうち、基部２１に形成されている部分をマウン
ト部として、そこに内部端子３１を半田や導電性接着剤
などで電気的に接続した状態で、この外部端子３３およ
び内部端子３１を介して励振電極４５に交流電圧を印加
すれば、腕部２２、２３が所定の周波数で振動する。こ
の場合、導通用電極４６も圧電振動片２を励振する機能
を有している。なお、腕部２２、２３の先端側にはレー
ザトリミングにより周波数調整を行うための錘部分４９
が形成されている。
【００２１】（電極パターン４０の構成）
第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適
用した圧電振動子に用いた圧電振動片を第２図（Ａ）、
（Ｂ）のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線で
切断したときの断面図である。
用した圧電振動子に用いた圧電振動片を第２図（Ａ）、
（Ｂ）のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線で
切断したときの断面図である。
【００２２】本形態では、電極パターン４０の電気的抵
抗を低減することを目的に金電極層や銀電極層などとい
った貴金属層が用いられている。但し、圧電振動片２の
表面に直接、金電極層などの貴金属層を形成すると、圧
電振動片２と金電極層との密着性が悪い。また、圧電振
動片２の腕部２２、２３では、各電極パターン４０間の
ギャップがμｍオーダと極めて狭いため、電極パターン
４０間で短絡が発生しやすいので、電極パターン４０の
表面にシリコン酸化膜などの表面保護膜４７を蒸着法あ
るいはスパッタ法により形成している。但し、シリコン
酸化膜は金電極層との密着性が悪い。
抗を低減することを目的に金電極層や銀電極層などとい
った貴金属層が用いられている。但し、圧電振動片２の
表面に直接、金電極層などの貴金属層を形成すると、圧
電振動片２と金電極層との密着性が悪い。また、圧電振
動片２の腕部２２、２３では、各電極パターン４０間の
ギャップがμｍオーダと極めて狭いため、電極パターン
４０間で短絡が発生しやすいので、電極パターン４０の
表面にシリコン酸化膜などの表面保護膜４７を蒸着法あ
るいはスパッタ法により形成している。但し、シリコン
酸化膜は金電極層との密着性が悪い。
【００２３】そこで、本形態では、まず、第３図（Ａ）
に示すように、圧電振動片２のうち、基部２１の側で
は、電極パターン４０間のギャップが広いので、電極パ
ターン４０間での短絡のおそれがなく、かつ、基部２１
においてプラグ３０の内部端子３１とマウント部との半
田付けや導電性接着剤などによる電気的な接続を行うと
いう観点からすれば金電極層４２があった方がよいの
で、電極パターン４０を下地金属層４１と金電極層４２
との２層構造で形成し、シリコン酸化膜などの表面保護
膜を形成しない。
に示すように、圧電振動片２のうち、基部２１の側で
は、電極パターン４０間のギャップが広いので、電極パ
ターン４０間での短絡のおそれがなく、かつ、基部２１
においてプラグ３０の内部端子３１とマウント部との半
田付けや導電性接着剤などによる電気的な接続を行うと
いう観点からすれば金電極層４２があった方がよいの
で、電極パターン４０を下地金属層４１と金電極層４２
との２層構造で形成し、シリコン酸化膜などの表面保護
膜を形成しない。
【００２４】一方、圧電振動片２の腕部２２、２３で
は、各電極パターン４０間のギャップがμｍオーダと極
めて狭いため、電極パターン４０間で短絡が発生しやす
い。そこで、本形態では、第３図（Ｂ）に示すように、
圧電振動片２の各腕部２２、２３の先端側のストレート
部分では、上面部２５および下面部２６において、少な
くとも励振電極４５を構成する電極パターン４０の表面
をシリコン酸化膜などの表面保護膜４７で覆う。その結
果、短絡が発生しない。但し、この部分の電極パターン
４０については、クロム層からなる下地電極層４１単独
の層とし、金電極層４２が形成されていない。それ故、
表面保護膜４７と圧電振動片２との密着性が高い。
は、各電極パターン４０間のギャップがμｍオーダと極
めて狭いため、電極パターン４０間で短絡が発生しやす
い。そこで、本形態では、第３図（Ｂ）に示すように、
圧電振動片２の各腕部２２、２３の先端側のストレート
部分では、上面部２５および下面部２６において、少な
くとも励振電極４５を構成する電極パターン４０の表面
をシリコン酸化膜などの表面保護膜４７で覆う。その結
果、短絡が発生しない。但し、この部分の電極パターン
４０については、クロム層からなる下地電極層４１単独
の層とし、金電極層４２が形成されていない。それ故、
表面保護膜４７と圧電振動片２との密着性が高い。
【００２５】また、第３図（Ｃ）に示すように、圧電振
動片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状あるいは屈曲
形状になっている部分２７６、２７７、２７８、２７９
においては、クロム層からなる下地電極層４１だけでは
下地電極層４１にクラックあるいは欠落が発生して導通
用電極４６が断線するおそれがある。
動片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状あるいは屈曲
形状になっている部分２７６、２７７、２７８、２７９
においては、クロム層からなる下地電極層４１だけでは
下地電極層４１にクラックあるいは欠落が発生して導通
用電極４６が断線するおそれがある。
【００２６】そこで、本形態では、圧電素子片２の側面
部２７１、２７２が湾曲形状あるいは屈曲形状をもつ部
分２７６、２７７、２７８、２７９については、クロム
層からなる下地金属層４１と、展性に優れた金電極層４
２との２層構造にしてある。従って、このような部分で
は、下地金属層４１がオープンになっても、この部分の
電気的な接続は、金電極層４２によって確保できる。そ
れ故、圧電振動片２の上面部２５と下面部２６との間に
おいて、下地金属層４１のクラックや欠落に起因して導
通用電極４６がオープンになることがない。よって、本
形態に係る圧電振動子では、表面保護膜４７の密着性を
高めることを目的に表面保護膜４７の形成領域の大部分
を占める領域で金電極層４２を除去しても、圧電振動片
２の上面部２５と下面部２６との間で励振電極４５を確
実に電気的に接続することができる。しかも、後述する
金属マスクを用いる場合には、表面保護膜４７が形成さ
れている領域のうち、金電極層４２の表面に表面保護膜
４７が直接、形成されているのは、圧電素子片２の側面
部２７１、２７２が湾曲形状をもつ部分２７６、２７
７、２７８、２７９のみで、全体からみれば極めて狭い
領域にすぎない。このため、表面保護膜４７の圧電振動
片２との密着性が低下するおそれがない（第８図（Ｂ）
参照）。
部２７１、２７２が湾曲形状あるいは屈曲形状をもつ部
分２７６、２７７、２７８、２７９については、クロム
層からなる下地金属層４１と、展性に優れた金電極層４
２との２層構造にしてある。従って、このような部分で
は、下地金属層４１がオープンになっても、この部分の
電気的な接続は、金電極層４２によって確保できる。そ
れ故、圧電振動片２の上面部２５と下面部２６との間に
おいて、下地金属層４１のクラックや欠落に起因して導
通用電極４６がオープンになることがない。よって、本
形態に係る圧電振動子では、表面保護膜４７の密着性を
高めることを目的に表面保護膜４７の形成領域の大部分
を占める領域で金電極層４２を除去しても、圧電振動片
２の上面部２５と下面部２６との間で励振電極４５を確
実に電気的に接続することができる。しかも、後述する
金属マスクを用いる場合には、表面保護膜４７が形成さ
れている領域のうち、金電極層４２の表面に表面保護膜
４７が直接、形成されているのは、圧電素子片２の側面
部２７１、２７２が湾曲形状をもつ部分２７６、２７
７、２７８、２７９のみで、全体からみれば極めて狭い
領域にすぎない。このため、表面保護膜４７の圧電振動
片２との密着性が低下するおそれがない（第８図（Ｂ）
参照）。
【００２７】（圧電振動子１の第１の製造方法）
このような構成の圧電振動子１の第１の製造方法を、第
４図ないし第７図を参照して説明する。ここで説明する
製造プロセスは、半導体プロセスと共通する部分がある
が、半導体プロセスと違って、圧電振動子の場合にはウ
エーハの両面に同一パターンを形成していく。なお、第
４図、第５図および第６図に示す工程断面図は、圧電素
子片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状をもつ部分２
７６、２７７、２７８、２７９における２つの腕部２
２、２３のそれぞれの断面に相当する。
４図ないし第７図を参照して説明する。ここで説明する
製造プロセスは、半導体プロセスと共通する部分がある
が、半導体プロセスと違って、圧電振動子の場合にはウ
エーハの両面に同一パターンを形成していく。なお、第
４図、第５図および第６図に示す工程断面図は、圧電素
子片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状をもつ部分２
７６、２７７、２７８、２７９における２つの腕部２
２、２３のそれぞれの断面に相当する。
【００２８】まず、第４図（Ａ）に示すように切り出し
た水晶ウェーハ２０に研磨加工、洗浄を行った後、第４
図（Ｂ）に示すように、クロム層Ｃｒおよび金層Ａｕを
それぞれ数百オングストローム〜約２０００オングスト
ロームの膜厚で真空蒸着する。ここで、クロム層Ｃｒを
形成するのは金層Ａｕだけでは水晶ウェーハ２０に対す
る密着性が悪いからである。
た水晶ウェーハ２０に研磨加工、洗浄を行った後、第４
図（Ｂ）に示すように、クロム層Ｃｒおよび金層Ａｕを
それぞれ数百オングストローム〜約２０００オングスト
ロームの膜厚で真空蒸着する。ここで、クロム層Ｃｒを
形成するのは金層Ａｕだけでは水晶ウェーハ２０に対す
る密着性が悪いからである。
【００２９】次に、音叉形状形成用のフォトレジストを
形成した後、音叉形状のパターンで焼付け、現像し、第
４図（Ｃ）に示すように、音叉形状にフォトレジストＲ
１を残す。次に、第４図（Ｄ）に示すように、フォトレ
ジストＲをマスクとして金属Ａｕおよびクロム層Ｃｒに
エッチングを行い、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを音叉
形状に残す。次に、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒをマス
クとして、フッ酸およびフッ化アンモニウムを用いたエ
ッチング液で水晶ウェーハ２０のエッチングを行い、第
４図（Ｅ）に示すように、水晶を音叉形状に成形する。
これが圧電振動片２である。
形成した後、音叉形状のパターンで焼付け、現像し、第
４図（Ｃ）に示すように、音叉形状にフォトレジストＲ
１を残す。次に、第４図（Ｄ）に示すように、フォトレ
ジストＲをマスクとして金属Ａｕおよびクロム層Ｃｒに
エッチングを行い、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを音叉
形状に残す。次に、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒをマス
クとして、フッ酸およびフッ化アンモニウムを用いたエ
ッチング液で水晶ウェーハ２０のエッチングを行い、第
４図（Ｅ）に示すように、水晶を音叉形状に成形する。
これが圧電振動片２である。
【００３０】次に、圧電振動片２上の金層Ａｕおよびク
ロム層Ｃｒを全て除去し、第５図（Ａ）に示すように、
改めて、電極パターン４０を形成するためのクロム層Ｃ
ｒおよび金層Ａｕを形成する。
ロム層Ｃｒを全て除去し、第５図（Ａ）に示すように、
改めて、電極パターン４０を形成するためのクロム層Ｃ
ｒおよび金層Ａｕを形成する。
【００３１】次に、電極パターン形成用のフォトレジス
トを形成した後、それを各電極パターン４０のパターン
形状に焼付け、現像し、第５図（Ｂ）に示すように、フ
ォトレジストＲ２を各電極パターン４０のパターン形状
に残す。
トを形成した後、それを各電極パターン４０のパターン
形状に焼付け、現像し、第５図（Ｂ）に示すように、フ
ォトレジストＲ２を各電極パターン４０のパターン形状
に残す。
【００３２】次に、フォトレジストＲ２をマスクとして
金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒにエッチングを行い、第５
図（Ｃ）に示すように、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを
電極パターン４０のパターン形状に残す（第１電極パタ
ーン形成工程）。その結果、クロム層Ｃｒから形成され
た下地金属膜４１と、金層Ａｕから形成された金電極層
４２とを有する電極パターン４０が形成される。
金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒにエッチングを行い、第５
図（Ｃ）に示すように、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを
電極パターン４０のパターン形状に残す（第１電極パタ
ーン形成工程）。その結果、クロム層Ｃｒから形成され
た下地金属膜４１と、金層Ａｕから形成された金電極層
４２とを有する電極パターン４０が形成される。
【００３３】次に、第６図（Ａ）に示すように、圧電振
動片２の腕部２２、２３の全体を覆うように金剥離用お
よび絶縁膜形成用のフォトレジストＲを塗布した後、焼
付け、現像し、第６図（Ｂ）に示すように、圧電振動片
２の上面部２５および下面部２６において、少なくとも
励振電極４５、および好ましくはこの励振電極４５と導
通用電極４６とのギャップに相当する部分が窓開け部分
Ｒ３０になっているレジストマスクＲ３を形成する（第
１マスク形成工程）。
動片２の腕部２２、２３の全体を覆うように金剥離用お
よび絶縁膜形成用のフォトレジストＲを塗布した後、焼
付け、現像し、第６図（Ｂ）に示すように、圧電振動片
２の上面部２５および下面部２６において、少なくとも
励振電極４５、および好ましくはこの励振電極４５と導
通用電極４６とのギャップに相当する部分が窓開け部分
Ｒ３０になっているレジストマスクＲ３を形成する（第
１マスク形成工程）。
【００３４】次に、レジストマスクＲ３の窓開け部分Ｒ
３０からエッチングを行い、第６図（Ｃ）に示すよう
に、励振電極４５を構成する電極パターン４０から金電
極層４２を除去する。その結果、励振電極４５は、クロ
ム層からなる下地電極層４１のみで形成される（第１貴
金属除去工程）。
３０からエッチングを行い、第６図（Ｃ）に示すよう
に、励振電極４５を構成する電極パターン４０から金電
極層４２を除去する。その結果、励振電極４５は、クロ
ム層からなる下地電極層４１のみで形成される（第１貴
金属除去工程）。
【００３５】次に、第６図（Ｄ）に示すように、圧電振
動片２の上面部２５および下面部２６のそれぞれに対し
て絶縁膜４７０を形成する（第１絶縁膜形成工程）。
動片２の上面部２５および下面部２６のそれぞれに対し
て絶縁膜４７０を形成する（第１絶縁膜形成工程）。
【００３６】次に、第６図（Ｅ）に示すように、レジス
トマスクＲ３を除去する。このとき、半導体プロセスで
行われているリフトオフ法と同様、レジストマスクＲ３
の表面に形成されていた絶縁膜４７０も除去されるの
で、圧電振動片２の所定領域のみに絶縁膜４７０が表面
保護膜４７として残る（第１絶縁膜除去工程）。また、
表面保護膜４７の下層にはクロム層（下地金属膜４１）
からなる励振電極４５が形成されている構造となる。さ
らに、第２図を参照して説明したように、圧電振動片２
の上面部２５の縁部分２５１、２５２、２５３、２５
４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、２６３、２６
４、および各側面部２７１、２７２には、クロム層から
なる下地電極層４１と金電極層４２とからなる導通用電
極４６が形成される。
トマスクＲ３を除去する。このとき、半導体プロセスで
行われているリフトオフ法と同様、レジストマスクＲ３
の表面に形成されていた絶縁膜４７０も除去されるの
で、圧電振動片２の所定領域のみに絶縁膜４７０が表面
保護膜４７として残る（第１絶縁膜除去工程）。また、
表面保護膜４７の下層にはクロム層（下地金属膜４１）
からなる励振電極４５が形成されている構造となる。さ
らに、第２図を参照して説明したように、圧電振動片２
の上面部２５の縁部分２５１、２５２、２５３、２５
４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、２６３、２６
４、および各側面部２７１、２７２には、クロム層から
なる下地電極層４１と金電極層４２とからなる導通用電
極４６が形成される。
【００３７】このような表面保護膜４７の形成は、第８
図を参照して後述するように、金属マスクを介してのマ
スク蒸着あるいはマスクスパッタを用いても行うことが
できるが、第６図を参照して説明した形態のように、レ
ジストマスクＲ３を用いて圧電振動片２の所定領域に表
面保護膜４７を形成する方法では、金属マスクを使用し
た場合と異なり圧電振動片２や励振電極４５に傷が付く
ことがなく、かつ、安価にマスクの形成を行うことがで
きるという利点がある。
図を参照して後述するように、金属マスクを介してのマ
スク蒸着あるいはマスクスパッタを用いても行うことが
できるが、第６図を参照して説明した形態のように、レ
ジストマスクＲ３を用いて圧電振動片２の所定領域に表
面保護膜４７を形成する方法では、金属マスクを使用し
た場合と異なり圧電振動片２や励振電極４５に傷が付く
ことがなく、かつ、安価にマスクの形成を行うことがで
きるという利点がある。
【００３８】このようにして製造した圧電振動片２につ
いては、第７図に示すように、その基部２１にプラグ３
０の内部端子３１をはんだ接続する。次に、この段階で
の圧電振動片２の周波数調整を圧電振動片２の腕部２
２、２３の先端に形成してある金電極層からなる錘部分
４９へのレーザトリミングにより行った後、真空チャン
バー内でケース３５へプラグ３０を圧入し、圧電振動子
１を製造する。そして、圧電振動子１の特性検査を行
う。
いては、第７図に示すように、その基部２１にプラグ３
０の内部端子３１をはんだ接続する。次に、この段階で
の圧電振動片２の周波数調整を圧電振動片２の腕部２
２、２３の先端に形成してある金電極層からなる錘部分
４９へのレーザトリミングにより行った後、真空チャン
バー内でケース３５へプラグ３０を圧入し、圧電振動子
１を製造する。そして、圧電振動子１の特性検査を行
う。
【００３９】なお、金属マスクを介してのマスク蒸着あ
るいはマスクスパッタを用いる方法では、第８図（Ａ）
に示すように、圧電振動片２の表面に金属マスクＭを被
せ、この金属マスクＭを介して絶縁膜４７０をマスク蒸
着あるいはマスクスパッタを行った後、第８図（Ｂ）に
示すように、金属マスクＭを除去する。このような製造
方法によっても、圧電振動片２の所定領域のみに、絶縁
膜４７０を表面保護膜４７として残すことができる。
るいはマスクスパッタを用いる方法では、第８図（Ａ）
に示すように、圧電振動片２の表面に金属マスクＭを被
せ、この金属マスクＭを介して絶縁膜４７０をマスク蒸
着あるいはマスクスパッタを行った後、第８図（Ｂ）に
示すように、金属マスクＭを除去する。このような製造
方法によっても、圧電振動片２の所定領域のみに、絶縁
膜４７０を表面保護膜４７として残すことができる。
【００４０】〔第２実施形態〕
第２実施形態に係る圧電振動子は、第１実施形態に係わ
る圧電振動子と同様の構成であり、製造方法が異なるの
でその異なる点のついて説明する。
る圧電振動子と同様の構成であり、製造方法が異なるの
でその異なる点のついて説明する。
【００４１】（圧電振動子の第２の製造方法）
上記圧電振動子１の第２の製造方法を、第４図、第７
図、第９図および第１０図を参照して説明する。ここで
説明する製造プロセスは、半導体プロセスと共通する部
分があるが、半導体プロセスと違って、圧電振動子の場
合にはウエーハの両面に同一パターンを形成していく。
なお、第４図、第９図および第１０図に示す工程断面図
は、圧電素子片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状を
もつ部分２７６、２７７、２７８、２７９における２つ
の腕部２２、２３のそれぞれの断面に相当する。
図、第９図および第１０図を参照して説明する。ここで
説明する製造プロセスは、半導体プロセスと共通する部
分があるが、半導体プロセスと違って、圧電振動子の場
合にはウエーハの両面に同一パターンを形成していく。
なお、第４図、第９図および第１０図に示す工程断面図
は、圧電素子片２の側面部２７１、２７２が湾曲形状を
もつ部分２７６、２７７、２７８、２７９における２つ
の腕部２２、２３のそれぞれの断面に相当する。
【００４２】第２の製造方法では、圧電振動片２は、第
１の製造方法における第４図に示す工程と同様の工程経
て製造されるので、第４図に示す工程の説明は省略す
る。第４図に示す工程を経て、圧電振動片２は、第９図
（Ａ）のような構成となる。
１の製造方法における第４図に示す工程と同様の工程経
て製造されるので、第４図に示す工程の説明は省略す
る。第４図に示す工程を経て、圧電振動片２は、第９図
（Ａ）のような構成となる。
【００４３】次に、圧電振動片２上の金層Ａｕおよびク
ロム層Ｃｒを全て除去し、第９図（Ａ）に示すように、
改めて、電極パターン４０を形成するためのクロム層Ｃ
ｒおよび金層Ａｕを形成する。
ロム層Ｃｒを全て除去し、第９図（Ａ）に示すように、
改めて、電極パターン４０を形成するためのクロム層Ｃ
ｒおよび金層Ａｕを形成する。
【００４４】次に、電極パターン形成用のフォトレジス
トを形成した後、それを各電極パターン４０のパターン
形状に焼付け、現像し、第９図（Ｂ）に示すように、フ
ォトレジストＲ２を各電極パターン４０のパターン形状
に残す。フォトレジストＲ２は、例えばポジタイプのフ
ォトレジスト（ＯＦＰＲレジスト）である。
トを形成した後、それを各電極パターン４０のパターン
形状に焼付け、現像し、第９図（Ｂ）に示すように、フ
ォトレジストＲ２を各電極パターン４０のパターン形状
に残す。フォトレジストＲ２は、例えばポジタイプのフ
ォトレジスト（ＯＦＰＲレジスト）である。
【００４５】次に、フォトレジストＲ２をマスクとして
金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒにエッチングを行い、第９
図（Ｃ）に示すように、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを
電極パターン４０のパターン形状に残す（第２電極パタ
ーン形成工程）。その結果、フォトレジストＲ２の下層
には、クロム層Ｃｒから形成された下地金属層４１と、
金層Ａｕから形成された金電極層４２とを有する電極パ
ターン４０が形成される。
金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒにエッチングを行い、第９
図（Ｃ）に示すように、金層Ａｕおよびクロム層Ｃｒを
電極パターン４０のパターン形状に残す（第２電極パタ
ーン形成工程）。その結果、フォトレジストＲ２の下層
には、クロム層Ｃｒから形成された下地金属層４１と、
金層Ａｕから形成された金電極層４２とを有する電極パ
ターン４０が形成される。
【００４６】次に、第１０図（Ａ）に示すように、圧電
振動片２の上面部２５および下面部２６において、励振
電極４５を覆う部分のフォトレジストＲ２を露光し除去
することにより、励振電極４５、およびこの励振電極４
５と導通用電極４６とのギャップに相当する部分が窓開
け部分Ｒ３０になっているレジストマスクＲ３を形成す
る（第２マスク形成工程）。
振動片２の上面部２５および下面部２６において、励振
電極４５を覆う部分のフォトレジストＲ２を露光し除去
することにより、励振電極４５、およびこの励振電極４
５と導通用電極４６とのギャップに相当する部分が窓開
け部分Ｒ３０になっているレジストマスクＲ３を形成す
る（第２マスク形成工程）。
【００４７】次に、レジストマスクＲ３の窓開け部分Ｒ
３０からエッチングを行い、第１０図（Ｂ）に示すよう
に、励振電極４５を構成する電極パターン４０から金電
極層４２を除去する。その結果、励振電極４５は、クロ
ム層からなる下地電極層４１のみで形成される（第２貴
金属除去工程）。
３０からエッチングを行い、第１０図（Ｂ）に示すよう
に、励振電極４５を構成する電極パターン４０から金電
極層４２を除去する。その結果、励振電極４５は、クロ
ム層からなる下地電極層４１のみで形成される（第２貴
金属除去工程）。
【００４８】次に、第１０図（Ｃ）に示すように、圧電
振動片２の上面部２５および下面部２６のそれぞれに対
して絶縁膜４７０を形成する（第２絶縁膜形成工程）。
振動片２の上面部２５および下面部２６のそれぞれに対
して絶縁膜４７０を形成する（第２絶縁膜形成工程）。
【００４９】次に、第１０図（Ｄ）に示すように、レジ
ストマスクＲ３を除去する。このとき、半導体プロセス
で行われているリフトオフ法と同様、レジストマスクＲ
３の表面に形成されていた絶縁膜４７０も除去されるの
で、圧電振動片２の所定領域のみに絶縁膜４７０が表面
保護膜４７として残る（第２絶縁膜除去工程）。また、
表面保護膜４７の下層にはクロム層（下地金属膜４１）
からなる励振電極４５が形成されている構造となる。さ
らに、第２図を参照して説明したように、圧電振動片２
の上面部２５の縁部分２５１、２５２、２５３、２５
４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、２６３、２６
４、および各側面部２７１、２７２には、クロム層から
なる下地電極層４１と金電極層４２とからなる導通用電
極４６が形成される。
ストマスクＲ３を除去する。このとき、半導体プロセス
で行われているリフトオフ法と同様、レジストマスクＲ
３の表面に形成されていた絶縁膜４７０も除去されるの
で、圧電振動片２の所定領域のみに絶縁膜４７０が表面
保護膜４７として残る（第２絶縁膜除去工程）。また、
表面保護膜４７の下層にはクロム層（下地金属膜４１）
からなる励振電極４５が形成されている構造となる。さ
らに、第２図を参照して説明したように、圧電振動片２
の上面部２５の縁部分２５１、２５２、２５３、２５
４、下面部２６の縁部分２６１、２６２、２６３、２６
４、および各側面部２７１、２７２には、クロム層から
なる下地電極層４１と金電極層４２とからなる導通用電
極４６が形成される。
【００５０】このような表面保護膜４７の形成は、第８
図を参照して後述するように、金属マスクを介してのマ
スク蒸着あるいはマスクスパッタを用いても行うことが
できるが、第１０図を参照して説明した形態のように、
レジストマスクＲ３を用いて圧電振動片２の所定領域に
表面保護膜４７を形成する方法では、金属マスクを使用
した場合と異なり圧電振動片２や励振電極４５に傷が付
くことがなく、かつ、安価にマスクの形成を行うことが
できるという利点がある。
図を参照して後述するように、金属マスクを介してのマ
スク蒸着あるいはマスクスパッタを用いても行うことが
できるが、第１０図を参照して説明した形態のように、
レジストマスクＲ３を用いて圧電振動片２の所定領域に
表面保護膜４７を形成する方法では、金属マスクを使用
した場合と異なり圧電振動片２や励振電極４５に傷が付
くことがなく、かつ、安価にマスクの形成を行うことが
できるという利点がある。
【００５１】このようにして製造した圧電振動片２につ
いては、第７図に示すように、その基部２１にプラグ３
０の内部端子３１をはんだ接続する。次に、この段階で
の圧電振動片２の周波数調整を圧電振動片２の腕部２
２、２３の先端に形成してある金電極層からなる錘部分
４９へのレーザトリミングにより行った後、真空チャン
バー内でケース３５へプラグ３０を圧入し、圧電振動子
１を製造する。そして、圧電振動子１の特性検査を行
う。
いては、第７図に示すように、その基部２１にプラグ３
０の内部端子３１をはんだ接続する。次に、この段階で
の圧電振動片２の周波数調整を圧電振動片２の腕部２
２、２３の先端に形成してある金電極層からなる錘部分
４９へのレーザトリミングにより行った後、真空チャン
バー内でケース３５へプラグ３０を圧入し、圧電振動子
１を製造する。そして、圧電振動子１の特性検査を行
う。
【００５２】なお、金属マスクを介しての蒸着あるいは
マスクスパッタを用いる方法では、第８図（Ａ）に示す
ように、圧電振動片２の表面に金属マスクＭを被せ、こ
の金属マスクＭを介して絶縁膜４７０をマスク蒸着ある
いはマスクスパッタを行った後、第８図（Ｂ）に示すよ
うに、金属マスクＭを除去する。このような製造方法に
よっても、圧電振動片２の所定領域のみに、絶縁膜４７
０を表面保護膜４７として残すことができる。
マスクスパッタを用いる方法では、第８図（Ａ）に示す
ように、圧電振動片２の表面に金属マスクＭを被せ、こ
の金属マスクＭを介して絶縁膜４７０をマスク蒸着ある
いはマスクスパッタを行った後、第８図（Ｂ）に示すよ
うに、金属マスクＭを除去する。このような製造方法に
よっても、圧電振動片２の所定領域のみに、絶縁膜４７
０を表面保護膜４７として残すことができる。
【００５３】第２の製造方法では、第１の製造方法と異
なりフォトレジストの未露光部分を再利用しておりフォ
トレジストの塗布が１回で良く、製造工程を短縮するこ
とができる。また、これにより、第２の方法では、この
フォトレジストを除去するための薬品の使用量を低減す
ることができる。また、第２の製造方法によれば、製造
工程が減少した分不良が生じないので歩留まりを向上さ
せることができる。
なりフォトレジストの未露光部分を再利用しておりフォ
トレジストの塗布が１回で良く、製造工程を短縮するこ
とができる。また、これにより、第２の方法では、この
フォトレジストを除去するための薬品の使用量を低減す
ることができる。また、第２の製造方法によれば、製造
工程が減少した分不良が生じないので歩留まりを向上さ
せることができる。
【００５４】（その他の実施の形態）
なお、上記形態では貴金属層として金電極層４２を用い
たが、銀電極層を用いた場合も同様な効果を奏する。
たが、銀電極層を用いた場合も同様な効果を奏する。
【００５５】以上説明したように本発明によれば、下地
金属層と貴金属層との２層構造からなる電極パターンを
形成してその電気的抵抗を低減するとともに、励振電極
を構成する電極パターンについては下地金属層単独とし
ている。また、導通用電極を構成する電極パターンにつ
いても、圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に
至る一部分を除いて下地金属層単独としている。従っ
て、圧電振動片の上面部および下面部に対して少なくと
も励振電極を覆うように形成した絶縁性の表面保護膜
は、密着性よく圧電振動片の表面に形成される。また、
導通用電極を構成する電極パターンにおいて、圧電振動
片の上面部から側面部を経て下面部に至る一部分につい
ては、下地金属層と貴金属層との２層構造にしてあるの
で、たとえこの部分の下地金属層にクラックや欠落が発
生したとしても、この部分では貴金属層によって電気的
な接続が確保されている。それ故、圧電振動片の上面部
と下面部との間で励振電極がオープン状態になることは
ないので、表面保護膜の密着性を高めるために貴金属層
を部分的に除去しても、ＣＩ値の増大、あるいは発振不
能などといった不具合の発生を防止でき、信頼性の高い
圧電振動子を実現することができる。ケースへプラグを
圧入して封止する筒型容器タイプの圧電振動子で説明し
たが、本願発明は、上記の実施の形態に限らず、セラミ
ックパッケージの表面実装型圧電振動子や缶タイプの圧
電振動子へ広く応用することができる。
金属層と貴金属層との２層構造からなる電極パターンを
形成してその電気的抵抗を低減するとともに、励振電極
を構成する電極パターンについては下地金属層単独とし
ている。また、導通用電極を構成する電極パターンにつ
いても、圧電振動片の上面部から側面部を経て下面部に
至る一部分を除いて下地金属層単独としている。従っ
て、圧電振動片の上面部および下面部に対して少なくと
も励振電極を覆うように形成した絶縁性の表面保護膜
は、密着性よく圧電振動片の表面に形成される。また、
導通用電極を構成する電極パターンにおいて、圧電振動
片の上面部から側面部を経て下面部に至る一部分につい
ては、下地金属層と貴金属層との２層構造にしてあるの
で、たとえこの部分の下地金属層にクラックや欠落が発
生したとしても、この部分では貴金属層によって電気的
な接続が確保されている。それ故、圧電振動片の上面部
と下面部との間で励振電極がオープン状態になることは
ないので、表面保護膜の密着性を高めるために貴金属層
を部分的に除去しても、ＣＩ値の増大、あるいは発振不
能などといった不具合の発生を防止でき、信頼性の高い
圧電振動子を実現することができる。ケースへプラグを
圧入して封止する筒型容器タイプの圧電振動子で説明し
たが、本願発明は、上記の実施の形態に限らず、セラミ
ックパッケージの表面実装型圧電振動子や缶タイプの圧
電振動子へ広く応用することができる。
【００５６】
【産業上の利用分野】このように、本発明は、水晶振動
子などの圧電振動子、およびその製造方法として用いる
のに適している。さらに詳しくは、圧電振動片に形成し
た電極同士の電気的接続と短絡防止技術として用いるの
に適している。 ［図面の簡単な説明］
子などの圧電振動子、およびその製造方法として用いる
のに適している。さらに詳しくは、圧電振動片に形成し
た電極同士の電気的接続と短絡防止技術として用いるの
に適している。 ［図面の簡単な説明］
【図１】 本発明を適した圧電振動子のうち、音叉型水
晶振動子の全体構成を示す斜視図。
晶振動子の全体構成を示す斜視図。
【図２】 （Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、本発明を適用
した圧電振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみた
ときの斜視図、および斜め下方からみたときの斜視図。
した圧電振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみた
ときの斜視図、および斜め下方からみたときの斜視図。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、圧電
振動片を第２図（Ａ）、（Ｂ）のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′
線、およびＣ−Ｃ′線で切断したときの断面図である。
振動片を第２図（Ａ）、（Ｂ）のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′
線、およびＣ−Ｃ′線で切断したときの断面図である。
【図４】 （Ａ）〜（Ｅ）は、第２図および第３図に示
す圧電振動片の製造工程のうち、音叉型の圧電振動片を
形成するまでの腕部に相当する部分の工程断面図であ
る。
す圧電振動片の製造工程のうち、音叉型の圧電振動片を
形成するまでの腕部に相当する部分の工程断面図であ
る。
【図５】 （Ａ）〜（Ｃ）は、第２図および第３図に示
す圧電振動片の製造工程のうち、音叉型の圧電振動片を
形成してから電極パターンを形成するまでの腕部に相当
する部分の工程断面図である。
す圧電振動片の製造工程のうち、音叉型の圧電振動片を
形成してから電極パターンを形成するまでの腕部に相当
する部分の工程断面図である。
【図６】 （Ａ）〜（Ｅ）は、第２図および第３図に示
す圧電振動片の製造工程のうち、電極パターンを形成し
てから絶縁膜を形成するまでの腕部に相当する部分の工
程断面図である。
す圧電振動片の製造工程のうち、電極パターンを形成し
てから絶縁膜を形成するまでの腕部に相当する部分の工
程断面図である。
【図７】 第１図に示す圧電振動子の製造工程のうち、
圧電振動片に絶縁膜を形成した以降の圧電振動子の組み
立て工程図である。
圧電振動片に絶縁膜を形成した以降の圧電振動子の組み
立て工程図である。
【図８】 （Ａ）、（Ｂ）は、第２図および第３図に示
す圧電振動片の製造工程のうち、金属マスクを用いて絶
縁膜を形成する工程を示す工程断面図である。
す圧電振動片の製造工程のうち、金属マスクを用いて絶
縁膜を形成する工程を示す工程断面図である。
【図９】 （Ａ）〜（Ｃ）は、第２図および第３図に示
す圧電振動片の別の製造工程のうち、音叉型の圧電振動
片を形成してから電極パターンを形成するまでの腕部に
相当する部分の工程断面図である。
す圧電振動片の別の製造工程のうち、音叉型の圧電振動
片を形成してから電極パターンを形成するまでの腕部に
相当する部分の工程断面図である。
【図１０】 （Ａ）〜（Ｄ）は、第２図および第３図に
示す圧電振動片の別の製造工程のうち、電極パターンを
形成してから絶縁膜を形成するまでの腕部に相当する部
分の工程断面図である。
示す圧電振動片の別の製造工程のうち、電極パターンを
形成してから絶縁膜を形成するまでの腕部に相当する部
分の工程断面図である。
【図１１】 従来の圧電振動子のうち、音叉型水晶振動
子の全体構成を示す斜視図。
子の全体構成を示す斜視図。
【図１２】 （Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、従来の圧電
振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみたときの斜
視図、および斜め下方からみたときの斜視図。
振動子に用いた圧電振動片を斜め上方からみたときの斜
視図、および斜め下方からみたときの斜視図。
【図１３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、従
来の圧電振動子に用いられている圧電振動片における第
１２図（Ａ）、（Ｂ）のＤ−Ｄ′線、Ｅ−Ｅ′線、およ
びＦ−Ｆ′線で切断したときの断面図である。
来の圧電振動子に用いられている圧電振動片における第
１２図（Ａ）、（Ｂ）のＤ−Ｄ′線、Ｅ−Ｅ′線、およ
びＦ−Ｆ′線で切断したときの断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−326668（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−212161（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−129874（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−298110（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−10815（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/00 - 9/215
H03H 9/54 - 9/60
H03H 3/00 - 3/04
Claims (4)
- 【請求項１】 平板状の圧電振動片と、該圧電振動片に
形成された電極パターンによって当該圧電振動片の上面
部および下面部にそれぞれ形成された励振電極と、前記
励振電極同士を電気的に接続するように前記電極パター
ンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、下面部の
縁部分および側面部に形成された導通用電極と、前記圧
電振動片の上面部および下面部に対して少なくとも前記
励振電極を覆うように形成された絶縁性の表面保護被膜
とを有し、前記電極パターンは、前記圧電振動片表面に形
成された下地金属層と、該下地金属層表面に形成された
金あるいは銀か らなる貴金属層とを備える圧電振動子において、 前記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属層に
より構成され、 前記導通用電極では、前記圧電振動片の側面部の湾曲形
状あるいは屈曲形状部分領域における前記圧電振動片の
上面部から側面部を経て下面部に至る部分を除いて前記
電極パターンが前記下地金属層により構成され、前記圧
電振動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域
の上面部から側面部を経て下面部に至る部分では前記電
極パターンが前記下地金属層および前記貴金属層により
構成されていることを特徴とする圧電振動子。 - 【請求項２】 平板状の圧電振動片と、該圧電振動片に
形成された電極パターンによって当該圧電振動片の上面
部および下面部にそれぞれ形成された励振電極と、前記
励振電極同士を電気的に接続するように前記電極パター
ンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、下面部の
縁部分および側面部に形成された導通用電極と、前記圧
電振動片の上面部および下面部に対して少なくとも前記
励振電極を覆うように形成された絶縁性の表面保護膜と
を有し、前記電極パターンは、前記圧電振動片表面に形
成された下地金属層と、該下地金属層表面に形成された
金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、 前記励振電極では、前記電極パターンが前記下地金属に
より構成され、 前記導通用電極では、前記圧電振動片の上面部から側面
部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側面部の湾曲形
状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記電極パターン
が前記下地金属層により構成され、前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から
側面部を経て下面部に至る部分では前記電極パターンが
前記下地金属層および前記貴金属層により構成されてい
る圧電振動子の製造方法であって、 前記圧電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成
領域に前記下地金属層、および該下地金属層の表面全体
を覆う前記貴金属層を備える電極パターンを形成する第
１電極パターン形成工程と、 前記圧電振動片のうち、前記導通用電極の前記圧電振動
片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面
部から側面部を経て下面部に至る部分に相当する領域を
覆うとともに、前記圧電振動片の側面部の湾曲形状ある
いは屈曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部
に至る部分を除く前記導通用電極の形成領域および前記
励振電極の形成領域が窓明け部分になっているマスクを
形成する第１マスク形成工程と、 該マスクの窓明け部分で露出している前記貴金属層を除
去する第１貴金属除去工程と、 前記表面保護被膜を形成するための絶縁膜を形成する第
１絶縁膜形成工程と、 しかる後に前記マスクを除去することにより該マスクの
表面に積層された前記絶縁膜も除去する第１絶縁膜除去
工程と を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - 【請求項３】 平板上の圧電振動片と、該圧電振動片に
形成された電極パターンによって当該圧電振動片の上面
部および下面部にそれぞれ形成された励振電極と、前記
励振電極同士を電気的に接続するように前記電極パター
ンによって当該圧電振動片の上面部の縁部分、下面部の
縁部分および側面部に形成された導通用電極と、前記圧
電振動片の上面部および下面部に対して少なくとも前記
励振電極を覆うように形成された絶縁性の表面保護膜と
を有し、前記電極パターンは、前記圧電振動片表面に形
成された下地金属層と、該下地金属層表面に形成された
金あるいは銀からなる貴金属層とを備え、 前記励振電極では前記電極パターンが前記下地金属層に
より構成され、 前記導通用電極では、前記圧電振動片の上面部から側面
部を経て下面部に至る前記圧電振動片の側面部の湾曲形
状あるいは屈曲形状部分領域を除いて前記電極パターン
が前記下地金属層により構成され、前記圧電振動片の側
面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上面部から
側面部を経て下面部に至る部分では前記電極パターンが
前記下地金属層および前記貴金属層により構成されてい
る圧電振動子の製造方法であって、 前記圧電振動片の表面のうち、前記電極パターンの形成
領域に前記下地金属層、該下地金属層の表面全体を覆う
前記貴金属層を形成し、前記電極パターンに相当する部
分の前記貴金属層の表面を覆うレジストを形成する第２
電極パターン形成工程と、 前記圧電振動片のうち、前記レジストに覆われていない
前記下地金属層および前記貴金属層を除去し、さらに前
記導通用電極の前記圧電振動片の側面部の湾曲形状ある
いは屈曲形状部分領域の上面部から側面部を経て下面部
に至る部分に相当する領域を覆うとともに、前記圧電振
動片の側面部の湾曲形状あるいは屈曲形状部分領域の上
面部から側面部を経て下面部に至る部分を除く前記導通
用電極の形成領域および前記励振電極の形成領域が窓明
け部分になっているマスクを形成する第２マスク形成工
程と、 該マスクの窓明け部分で露出している前記貴金属層を除
去する第２貴金属除去工程と、 前記表面保護膜を形成するための絶縁膜を形成する第２
絶縁膜形成工程と、 しかる後に前記マスクを除去することにより該マスクの
表面に積層された前記絶縁膜も除去する第２絶縁膜除去
工程と を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - 【請求項４】前記マスクはレジストマスクであることを
特徴とする請求の範囲第２項または第３項のいずれかに
記載の圧電振動子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001798 | 1998-07-24 | ||
| JP10-210017 | 1998-07-24 | ||
| PCT/JP1999/003977 WO2000005812A1 (fr) | 1998-07-24 | 1999-07-23 | Oscillateur piezoelectrique et son procede de production |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239895A Division JP2001144581A (ja) | 1998-07-24 | 2000-08-08 | 圧電振動子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3475928B2 true JP3475928B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=16582454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000561702A Expired - Fee Related JP3475928B2 (ja) | 1998-07-24 | 1999-07-23 | 圧電振動子およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6661162B1 (ja) |
| JP (1) | JP3475928B2 (ja) |
| WO (1) | WO2000005812A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060251495A1 (en) * | 2001-03-09 | 2006-11-09 | Reinhold Opper | Self-piercing rivet, process and device for setting a rivet element, and employment thereof |
| US7302830B2 (en) * | 2001-06-06 | 2007-12-04 | Symyx Technologies, Inc. | Flow detectors having mechanical oscillators, and use thereof in flow characterization systems |
| JP4822189B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2011-11-24 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶振動子の製造方法 |
| JP4862639B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2012-01-25 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶振動子とその製造方法と水晶ユニットの製造方法 |
| JP4862856B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2012-01-25 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶振動子と水晶ユニットと携帯機器 |
| JP5066653B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2012-11-07 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶ユニットと水晶発振器 |
| JP5135565B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2013-02-06 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶振動子の製造方法と水晶ユニットの製造方法 |
| JP4868335B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2012-02-01 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶ユニットの製造方法 |
| US7721590B2 (en) | 2003-03-21 | 2010-05-25 | MEAS France | Resonator sensor assembly |
| US7378782B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-05-27 | The Penn State Research Foundation | IDT electroded piezoelectric diaphragms |
| US20060196845A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Honeywell International Inc. | Quartz Tuning-Fork Resonators and Production Method |
| JP2007243435A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Daishinku Corp | 圧電振動片、圧電振動片の周波数調整方法 |
| JP4525623B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2010-08-18 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
| US8446079B2 (en) * | 2008-05-23 | 2013-05-21 | Statek Corporation | Piezoelectric resonator with vibration isolation |
| JP5135566B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2013-02-06 | 有限会社ピエデック技術研究所 | 水晶振動子と水晶ユニットと水晶発振器及びそれらの製造方法 |
| JP5445114B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片および発振器 |
| JP2011114692A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動片、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
| US20110221312A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Seiko Epson Corporation | Vibrator element, vibrator, sensor, and electronic apparatus |
| JP2017103267A (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電素子の形成方法および超音波装置 |
| US10110198B1 (en) | 2015-12-17 | 2018-10-23 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz MEMS tuning fork resonator/oscillator |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52146588A (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-06 | Matsushima Kogyo Kk | Quartz oscillator |
| JPS5832524B2 (ja) * | 1976-11-04 | 1983-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 音叉型水晶振動子の電極構造 |
| JPS5821965B2 (ja) * | 1977-06-13 | 1983-05-06 | 松島工業株式会社 | 音叉型圧電振動子の側面電極形成方法 |
| JPS5460883A (en) * | 1977-10-25 | 1979-05-16 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of thin plate piezoelectric oscillator |
| JPS5583316A (en) | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Citizen Watch Co Ltd | Electrode structure of tuning-fork type crystal vibrator |
| US4232109A (en) * | 1979-02-14 | 1980-11-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for manufacturing subminiature quartz crystal vibrator |
| SE8004571L (sv) | 1980-06-19 | 1981-12-20 | Carbox Ab | Sett och anordning for bockning av platemnen till skal med cylinderformad krokning |
| JPS5736019U (ja) * | 1980-08-05 | 1982-02-25 | ||
| JPS5732115A (en) | 1980-08-05 | 1982-02-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Forming method for electrode of tuning fork type quartz oscillator |
| JPS5798033U (ja) * | 1980-12-05 | 1982-06-16 | ||
| JPS5798033A (en) | 1980-12-12 | 1982-06-18 | Ricoh Co Ltd | Input device |
| JPS57164615A (en) | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Piezoelectric oscillator |
| JPS57171817A (en) | 1981-04-15 | 1982-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | Adjusting method for frequency of piezoelectric tuning fork |
| US4633124A (en) * | 1982-03-16 | 1986-12-30 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Mount for quartz crystal resonator |
| JPS59125129U (ja) | 1983-02-08 | 1984-08-23 | 日本電波工業株式会社 | 音叉形水晶振動子 |
| JPS6085425U (ja) | 1983-11-16 | 1985-06-12 | 株式会社大真空 | 音叉型水晶振動子の電極膜構造 |
| JPS6310815A (ja) | 1986-07-01 | 1988-01-18 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 音叉型圧電振動片の電極構造 |
| US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
| JPS6476835A (en) | 1988-08-10 | 1989-03-22 | Hitachi Medical Corp | Ultrasonic apparatus |
| JPH02298110A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子 |
| JPH05129874A (ja) | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Seiko Epson Corp | 水晶発振片 |
| JPH07212161A (ja) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶振動子の製造方法 |
| DE69628981T2 (de) * | 1995-04-04 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Drehgeschwindigkeitssensor |
| US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
| JPH09326668A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-12-16 | Seiko Epson Corp | 圧電素子とその製造方法 |
| US6114795A (en) * | 1997-06-24 | 2000-09-05 | Tdk Corporation | Piezoelectric component and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-07-23 WO PCT/JP1999/003977 patent/WO2000005812A1/ja active Application Filing
- 1999-07-23 US US09/508,168 patent/US6661162B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-23 JP JP2000561702A patent/JP3475928B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-22 US US10/665,112 patent/US6961981B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000005812A1 (fr) | 2000-02-03 |
| US6961981B2 (en) | 2005-11-08 |
| US20040055127A1 (en) | 2004-03-25 |
| US6661162B1 (en) | 2003-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3475928B2 (ja) | 圧電振動子およびその製造方法 | |
| JP4329492B2 (ja) | 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 | |
| JP3925133B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JP5534828B2 (ja) | 音叉型屈曲水晶振動素子 | |
| WO2007072668A1 (ja) | 圧電振動片、及び圧電振動デバイス | |
| JP2007214941A (ja) | 圧電振動片及び圧電デバイス | |
| JP2001144581A (ja) | 圧電振動子およびその製造方法 | |
| JP2008113238A (ja) | 圧電振動子、圧電振動子の製造方法及び電子部品 | |
| JP2005117151A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JP2004364019A (ja) | 圧電振動片、圧電振動子、圧電発振器、ジャイロスコープセンサ、電子機器、及び製造方法 | |
| US7518296B2 (en) | Piezoelectric resonator with short-circuits preventing means | |
| CN110235363B (zh) | 音叉型压电振动片及使用该音叉型压电振动片的音叉型压电振子 | |
| JP6085147B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| JP4196641B2 (ja) | 超薄板圧電デバイスとその製造方法 | |
| JP3603571B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法 | |
| JP5465041B2 (ja) | 音叉型屈曲水晶振動素子 | |
| JP5228948B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP3702656B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法 | |
| JP5599057B2 (ja) | パッケージおよび圧電振動子 | |
| TWI419466B (zh) | 具短路防止機構的壓電共振器 | |
| JP2005318080A (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
| CN115001440B (zh) | 电子器件和电容结构 | |
| JP3734127B2 (ja) | 圧電振動子及び圧電発振器とこれに用いる圧電振動素子の製造方法 | |
| JP2007174230A (ja) | 圧電振動片、及び圧電振動デバイス | |
| JP2004297342A (ja) | 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030826 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |