JP3453089B2 - Ｍｒｉ装置 - Google Patents
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/05—Detecting, measuring or recording for diagnosis by means of electric currents or magnetic fields; Measuring using microwaves or radio waves
- A61B5/055—Detecting, measuring or recording for diagnosis by means of electric currents or magnetic fields; Measuring using microwaves or radio waves involving electronic [EMR] or nuclear [NMR] magnetic resonance, e.g. magnetic resonance imaging
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
- G01R33/48—NMR imaging systems
- G01R33/54—Signal processing systems, e.g. using pulse sequences ; Generation or control of pulse sequences; Operator console
- G01R33/56—Image enhancement or correction, e.g. subtraction or averaging techniques, e.g. improvement of signal-to-noise ratio and resolution
- G01R33/565—Correction of image distortions, e.g. due to magnetic field inhomogeneities
- G01R33/56518—Correction of image distortions, e.g. due to magnetic field inhomogeneities due to eddy currents, e.g. caused by switching of the gradient magnetic field
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲ（Ｍagnetic
Ｒesonance）イメージング方法およびＭＲＩ（Ｍagneti
c Ｒesonance Imaging）装置に関し、さらに詳しくは、
勾配パルスに起因する残留磁化を低減できるＭＲイメー
ジング方法およびＭＲＩ装置に関する。
Ｒesonance）イメージング方法およびＭＲＩ（Ｍagneti
c Ｒesonance Imaging）装置に関し、さらに詳しくは、
勾配パルスに起因する残留磁化を低減できるＭＲイメー
ジング方法およびＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平１０−７５９４０号公報には、次
の従来技術が開示されている。 （１）励起ＲＦパルスを送信し、反転ＲＦパルスを送信
し、位相エンコードパルスを位相勾配軸に印加し、リー
ドパルスをリード勾配軸に印加し、リワインダパルスを
位相勾配軸に印加し、続いて、反転ＲＦパルスを送信
し、デフェーザパルスを位相勾配軸に印加し、リードパ
ルスを位相勾配軸に印加しながらエコーからデータを収
集するプリスキャンシーケンスを実行し、収集したデー
タを１次元フーリエ変換して得られた位相データを基
に、位相エンコードパルス等に起因する渦電流や残留磁
化の影響による後続のエコーの位相シフトを測定する位
相シフト測定方法。 （２）励起ＲＦパルスを送信した後、反転ＲＦパルスを
送信し、位相エンコードパルスを位相勾配軸に印加し、
リードパルスをリード勾配軸に印加しながらエコーから
データを収集し、リワインダパルスを位相勾配軸に印加
することを、位相エンコードパルスを変えながら複数回
繰り返し、１回の励起ＲＦパルスで複数エコーのデータ
を収集する高速スピンエコー法のパルスシーケンスにお
いて、上記（１）の位相シフト測定方法により測定した
位相シフト量を補償する補償パルスを、位相エンコード
パルスに組み込むか、位相エンコードパルスの直前また
は直後の一方または両方に付加するか、リワインダパル
スに組み込むか、リワインダパルスの直前または直後の
一方または両方に付加するＭＲイメージング方法。
の従来技術が開示されている。 （１）励起ＲＦパルスを送信し、反転ＲＦパルスを送信
し、位相エンコードパルスを位相勾配軸に印加し、リー
ドパルスをリード勾配軸に印加し、リワインダパルスを
位相勾配軸に印加し、続いて、反転ＲＦパルスを送信
し、デフェーザパルスを位相勾配軸に印加し、リードパ
ルスを位相勾配軸に印加しながらエコーからデータを収
集するプリスキャンシーケンスを実行し、収集したデー
タを１次元フーリエ変換して得られた位相データを基
に、位相エンコードパルス等に起因する渦電流や残留磁
化の影響による後続のエコーの位相シフトを測定する位
相シフト測定方法。 （２）励起ＲＦパルスを送信した後、反転ＲＦパルスを
送信し、位相エンコードパルスを位相勾配軸に印加し、
リードパルスをリード勾配軸に印加しながらエコーから
データを収集し、リワインダパルスを位相勾配軸に印加
することを、位相エンコードパルスを変えながら複数回
繰り返し、１回の励起ＲＦパルスで複数エコーのデータ
を収集する高速スピンエコー法のパルスシーケンスにお
いて、上記（１）の位相シフト測定方法により測定した
位相シフト量を補償する補償パルスを、位相エンコード
パルスに組み込むか、位相エンコードパルスの直前また
は直後の一方または両方に付加するか、リワインダパル
スに組み込むか、リワインダパルスの直前または直後の
一方または両方に付加するＭＲイメージング方法。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、上記
（１）の位相シフト測定方法で測定した位相シフト量と
上記（２）の高速スピンエコー法のパルスシーケンスで
補償パルスを付加しないときに生じる位相シフト量とが
等しいことが前提条件になっている。
（１）の位相シフト測定方法で測定した位相シフト量と
上記（２）の高速スピンエコー法のパルスシーケンスで
補償パルスを付加しないときに生じる位相シフト量とが
等しいことが前提条件になっている。
【０００４】しかし、ＭＲＩ装置では、整磁板等の磁気
ヒステリシス特性のために、両者は必ずしも等しくなら
ず、上記従来技術における前提条件が必ずしも成り立た
ない。これを、図６および図７により説明する。
ヒステリシス特性のために、両者は必ずしも等しくなら
ず、上記従来技術における前提条件が必ずしも成り立た
ない。これを、図６および図７により説明する。
【０００５】図６は、従来の高速スピンエコー法のパル
スシーケンス図である。このＦＳＥ（Ｆast Ｓpin Ｅch
o）シーケンスＳＱでは、まず、励起ＲＦパルスＲとス
ライス選択パルスｓｓを印加する。次に、デフェーズパ
ルスｇｘ１をリード勾配軸に印加する。次に、第１の反
転ＲＦパルスＰ１とスライス選択パルスｓｓを印加す
る。次に、位相エンコードパルスgy1iを位相勾配軸に印
加する。次に、リードパルスgxwを印加しながら、第１
エコーecho１からデータを収集する。その後、前記位相
エンコードパルスgy1iと面積が等しく逆極性のリワイン
ダパルスｇy1riを位相勾配軸に印加する。なお、ｉは、
図６のＦＳＥシーケンスＳＱの繰り返し番号である。ｉ
＝１〜Ｉ（例えばＩ＝１２８）である。次に、第２の反
転ＲＦパルスＰ２とスライス選択パルスｓｓを印加し、
位相エンコードパルスgy2iを位相勾配軸に印加し、リー
ドパルスgxwを印加しながら第２エコーecho２からデー
タを収集し、その後、前記位相エンコードパルスgy2iと
面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇy2riを位相勾
配軸に印加する。以下同様に、ｊ＝３〜Ｊ（例えばＪ＝
８であるが、図６ではＪ＝３にしている）について、第
ｊの反転ＲＦパルスＰｊとスライス選択パルスｓｓを印
加し、位相エンコードパルスgyjiを位相勾配軸に印加
し、リードパルスgxwを印加しながら第ｊエコーechoｊ
からデータを収集し、その後、前記位相エンコードパル
スgyjiと面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇyjri
を位相勾配軸に印加することを繰り返す。そして、最後
に、大振幅のキラーパルスｋｐを位相勾配軸に印加す
る。
スシーケンス図である。このＦＳＥ（Ｆast Ｓpin Ｅch
o）シーケンスＳＱでは、まず、励起ＲＦパルスＲとス
ライス選択パルスｓｓを印加する。次に、デフェーズパ
ルスｇｘ１をリード勾配軸に印加する。次に、第１の反
転ＲＦパルスＰ１とスライス選択パルスｓｓを印加す
る。次に、位相エンコードパルスgy1iを位相勾配軸に印
加する。次に、リードパルスgxwを印加しながら、第１
エコーecho１からデータを収集する。その後、前記位相
エンコードパルスgy1iと面積が等しく逆極性のリワイン
ダパルスｇy1riを位相勾配軸に印加する。なお、ｉは、
図６のＦＳＥシーケンスＳＱの繰り返し番号である。ｉ
＝１〜Ｉ（例えばＩ＝１２８）である。次に、第２の反
転ＲＦパルスＰ２とスライス選択パルスｓｓを印加し、
位相エンコードパルスgy2iを位相勾配軸に印加し、リー
ドパルスgxwを印加しながら第２エコーecho２からデー
タを収集し、その後、前記位相エンコードパルスgy2iと
面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇy2riを位相勾
配軸に印加する。以下同様に、ｊ＝３〜Ｊ（例えばＪ＝
８であるが、図６ではＪ＝３にしている）について、第
ｊの反転ＲＦパルスＰｊとスライス選択パルスｓｓを印
加し、位相エンコードパルスgyjiを位相勾配軸に印加
し、リードパルスgxwを印加しながら第ｊエコーechoｊ
からデータを収集し、その後、前記位相エンコードパル
スgyjiと面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇyjri
を位相勾配軸に印加することを繰り返す。そして、最後
に、大振幅のキラーパルスｋｐを位相勾配軸に印加す
る。
【０００６】図７は、ＭＲＩ装置における整磁板等の強
磁性体の磁気ヒステリシス特性図である。整磁板等の強
磁性体の磁化強度Ｂは、外部磁場強度Ｈが大きく変化す
る場合は、メインループＭａのように変化するが、外部
磁場強度Ｈが小さく変化する場合は、マイナーループＭ
ｉのように変化する。そして、勾配パルスは、外部磁場
強度Ｈの小さな変化に対応する。このため、勾配パルス
を印加すると、それに起因して、整磁板等の強磁性体の
磁化強度Ｂは、マイナーループＭｉのように変化する。
このように、ＭＲＩ装置では、整磁板等の強磁性体の磁
気ヒステリシス特性のため、勾配パルスの印加履歴に依
存して、残留磁化が変動する。
磁性体の磁気ヒステリシス特性図である。整磁板等の強
磁性体の磁化強度Ｂは、外部磁場強度Ｈが大きく変化す
る場合は、メインループＭａのように変化するが、外部
磁場強度Ｈが小さく変化する場合は、マイナーループＭ
ｉのように変化する。そして、勾配パルスは、外部磁場
強度Ｈの小さな変化に対応する。このため、勾配パルス
を印加すると、それに起因して、整磁板等の強磁性体の
磁化強度Ｂは、マイナーループＭｉのように変化する。
このように、ＭＲＩ装置では、整磁板等の強磁性体の磁
気ヒステリシス特性のため、勾配パルスの印加履歴に依
存して、残留磁化が変動する。
【０００７】ところが、上記（１）のプリスキャンシー
ケンスでは、キラーパルスｋｐによる残留磁化が考慮さ
れていないので、上記（１）の位相シフト測定方法で測
定した位相シフト量と上記（２）の高速スピンエコー法
のパルスシーケンスで補償パルスを付加しないときに生
じる位相シフト量とが一致しなくなる。すなわち、（ｉ
−１）番目のＦＳＥシーケンスＳＱでのキラーパルスｋ
ｐによる残留磁化が、（ｉ）番目のＦＳＥシーケンスＳ
Ｑの全エコーに影響を与えてしまう。また、上記（１）
のプリスキャンシーケンスは、ＦＳＥシーケンスの第１
エコーまでを切り出したような形になっているため、第
２エコー以降については、勾配パルスの印加履歴がＭＲ
イメージング用スキャンと一致しない。従って、残留磁
化が第２エコー以降に影響を与えてしまう。このよう
に、上記従来の技術では、勾配パルスに起因する残留磁
化の影響を十分に低減できない問題点がある。
ケンスでは、キラーパルスｋｐによる残留磁化が考慮さ
れていないので、上記（１）の位相シフト測定方法で測
定した位相シフト量と上記（２）の高速スピンエコー法
のパルスシーケンスで補償パルスを付加しないときに生
じる位相シフト量とが一致しなくなる。すなわち、（ｉ
−１）番目のＦＳＥシーケンスＳＱでのキラーパルスｋ
ｐによる残留磁化が、（ｉ）番目のＦＳＥシーケンスＳ
Ｑの全エコーに影響を与えてしまう。また、上記（１）
のプリスキャンシーケンスは、ＦＳＥシーケンスの第１
エコーまでを切り出したような形になっているため、第
２エコー以降については、勾配パルスの印加履歴がＭＲ
イメージング用スキャンと一致しない。従って、残留磁
化が第２エコー以降に影響を与えてしまう。このよう
に、上記従来の技術では、勾配パルスに起因する残留磁
化の影響を十分に低減できない問題点がある。
【０００８】そこで、本発明の第１の目的は、勾配パル
スに起因する残留磁化の影響を十分に低減できるＭＲイ
メージング方法およびＭＲＩ装置を提供することにあ
る。
スに起因する残留磁化の影響を十分に低減できるＭＲイ
メージング方法およびＭＲＩ装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、勾配軸に正または負のいずれかの極性の勾配パルス
を印加し、その後に前記勾配パルスによる残留磁化を低
減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印加
することを特徴とするＭＲイメージング方法を提供す
る。上記第１の観点によるＭＲイメージング方法では、
勾配パルスを印加した後に、残留磁化低減パルスを印加
する。この残留磁化低減パルスは、勾配パルスと逆極性
であり、勾配パルスによる残留磁化を低減しうる振幅を
持っている。このため、残留磁化低減パルスの印加後の
残留磁化は、無視できる程度に小さくなる。よって、勾
配パルスに起因する残留磁化の影響を十分に低減でき
る。
は、勾配軸に正または負のいずれかの極性の勾配パルス
を印加し、その後に前記勾配パルスによる残留磁化を低
減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印加
することを特徴とするＭＲイメージング方法を提供す
る。上記第１の観点によるＭＲイメージング方法では、
勾配パルスを印加した後に、残留磁化低減パルスを印加
する。この残留磁化低減パルスは、勾配パルスと逆極性
であり、勾配パルスによる残留磁化を低減しうる振幅を
持っている。このため、残留磁化低減パルスの印加後の
残留磁化は、無視できる程度に小さくなる。よって、勾
配パルスに起因する残留磁化の影響を十分に低減でき
る。
【００１０】第２の観点では、本発明は、勾配軸にキラ
ーパルスを印加し、その後に前記キラーパルスによる残
留磁化を低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パ
ルスを印加することを特徴とするＭＲイメージング方法
を提供する。上記構成において、キラーパルス（killer
pulse）とは、強制的にディフェーズ（dephase）させ
て横磁化をなくすための勾配パルスである。スポイラパ
ルス（spoiler pulse）とも呼ばれる。上記第２の観点
によるＭＲイメージング方法では、キラーパルスを印加
した後に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁
化低減パルスは、キラーパルスと逆極性であり、キラー
パルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持っている。
このため、残留磁化低減パルスの印加後の残留磁化は、
無視できる程度に小さくなる。よって、（ｉ−１）番目
のＦＳＥシーケンスＳＱでのキラーパルスｋｐによる残
留磁化が（ｉ）番目のＦＳＥシーケンスＳＱのデータに
影響することを防止できる。
ーパルスを印加し、その後に前記キラーパルスによる残
留磁化を低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パ
ルスを印加することを特徴とするＭＲイメージング方法
を提供する。上記構成において、キラーパルス（killer
pulse）とは、強制的にディフェーズ（dephase）させ
て横磁化をなくすための勾配パルスである。スポイラパ
ルス（spoiler pulse）とも呼ばれる。上記第２の観点
によるＭＲイメージング方法では、キラーパルスを印加
した後に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁
化低減パルスは、キラーパルスと逆極性であり、キラー
パルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持っている。
このため、残留磁化低減パルスの印加後の残留磁化は、
無視できる程度に小さくなる。よって、（ｉ−１）番目
のＦＳＥシーケンスＳＱでのキラーパルスｋｐによる残
留磁化が（ｉ）番目のＦＳＥシーケンスＳＱのデータに
影響することを防止できる。
【００１１】第３の観点では、本発明は、位相勾配軸に
位相エンコードパルスを印加するＭＲイメージング方法
であって、前記位相エンコードパルスによる残留磁化を
低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを前
記位相エンコードパルスの後に印加すると共にその残留
磁化低減パルスの面積だけ前記位相エンコードパルスの
面積を余分に増しておくことを特徴とするＭＲイメージ
ング方法を提供する。上記第３の観点によるＭＲイメー
ジング方法では、位相エンコードパルスを印加した後
に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁化低減
パルスは、位相エンコードパルスと逆極性であり、位相
エンコードパルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持
っている。このため、残留磁化低減パルスの印加後の残
留磁化は、無視できる程度に小さくなる。よって、ある
位相エンコードパルスによる残留磁化がその後のデータ
に影響することを防止できる。
位相エンコードパルスを印加するＭＲイメージング方法
であって、前記位相エンコードパルスによる残留磁化を
低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを前
記位相エンコードパルスの後に印加すると共にその残留
磁化低減パルスの面積だけ前記位相エンコードパルスの
面積を余分に増しておくことを特徴とするＭＲイメージ
ング方法を提供する。上記第３の観点によるＭＲイメー
ジング方法では、位相エンコードパルスを印加した後
に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁化低減
パルスは、位相エンコードパルスと逆極性であり、位相
エンコードパルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持
っている。このため、残留磁化低減パルスの印加後の残
留磁化は、無視できる程度に小さくなる。よって、ある
位相エンコードパルスによる残留磁化がその後のデータ
に影響することを防止できる。
【００１２】第４の観点では、本発明は、位相勾配軸に
位相エンコードパルスを印加するとともにＮＭＲ信号の
収集後にリワインダパルスを印加するＭＲイメージング
方法であって、前記位相エンコードパルスによる残留磁
化を低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルス
を前記位相エンコードパルスの後に印加すると共にその
残留磁化低減パルスの面積だけ前記位相エンコードパル
スの面積を余分に増しておき、さらに、前記リワインダ
パルスによる残留磁化を低減しうる極性と振幅とを持つ
残留磁化低減パルスを前記リワインダパルスの後に印加
すると共にその残留磁化低減パルスの面積だけ前記リワ
インダパルスの面積を余分に増しておくことを特徴とす
るＭＲイメージング方法を提供する。上記第４の観点に
よるＭＲイメージング方法では、位相エンコードパルス
を印加した後に、残留磁化低減パルスを印加する。この
残留磁化低減パルスは、位相エンコードパルスと逆極性
であり、位相エンコードパルスによる残留磁化を低減し
うる振幅を持っている。また、リワンダパルスを印加し
た後に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁化
低減パルスは、リワインダパルスと逆極性であり、リワ
インダパルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持って
いる。このため、残留磁化低減パルスの印加後の残留磁
化は、無視できる程度に小さくなる。よって、ある位相
エンコードパルスおよびリワンダパルスによる残留磁化
がその後のデータに影響することを防止できる。
位相エンコードパルスを印加するとともにＮＭＲ信号の
収集後にリワインダパルスを印加するＭＲイメージング
方法であって、前記位相エンコードパルスによる残留磁
化を低減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルス
を前記位相エンコードパルスの後に印加すると共にその
残留磁化低減パルスの面積だけ前記位相エンコードパル
スの面積を余分に増しておき、さらに、前記リワインダ
パルスによる残留磁化を低減しうる極性と振幅とを持つ
残留磁化低減パルスを前記リワインダパルスの後に印加
すると共にその残留磁化低減パルスの面積だけ前記リワ
インダパルスの面積を余分に増しておくことを特徴とす
るＭＲイメージング方法を提供する。上記第４の観点に
よるＭＲイメージング方法では、位相エンコードパルス
を印加した後に、残留磁化低減パルスを印加する。この
残留磁化低減パルスは、位相エンコードパルスと逆極性
であり、位相エンコードパルスによる残留磁化を低減し
うる振幅を持っている。また、リワンダパルスを印加し
た後に、残留磁化低減パルスを印加する。この残留磁化
低減パルスは、リワインダパルスと逆極性であり、リワ
インダパルスによる残留磁化を低減しうる振幅を持って
いる。このため、残留磁化低減パルスの印加後の残留磁
化は、無視できる程度に小さくなる。よって、ある位相
エンコードパルスおよびリワンダパルスによる残留磁化
がその後のデータに影響することを防止できる。
【００１３】第５の観点では、本発明は、勾配軸に極性
の異なる２以上の勾配パルスを連続して印加するＭＲイ
メージング方法であって、前記２以上の勾配パルスを連
続して印加した後の残留磁化を低減しうるように前記２
以上の勾配パルスの振幅を定めたことを特徴とするＭＲ
イメージング方法を提供する。上記第５の観点によるＭ
Ｒイメージング方法では、元々極性の異なる２以上の勾
配パルスを連続して印加するので、新たに残留磁化低減
パルスを付加することはせず、２以上の勾配パルスのそ
れぞれの振幅を調整して、２以上の勾配パルスを連続し
て印加した後の残留磁化が無視できる程度に小さくなる
ようにする。よって、２以上の勾配パルスを連続して印
加した後の残留磁化がデータに影響することを防止でき
る。
の異なる２以上の勾配パルスを連続して印加するＭＲイ
メージング方法であって、前記２以上の勾配パルスを連
続して印加した後の残留磁化を低減しうるように前記２
以上の勾配パルスの振幅を定めたことを特徴とするＭＲ
イメージング方法を提供する。上記第５の観点によるＭ
Ｒイメージング方法では、元々極性の異なる２以上の勾
配パルスを連続して印加するので、新たに残留磁化低減
パルスを付加することはせず、２以上の勾配パルスのそ
れぞれの振幅を調整して、２以上の勾配パルスを連続し
て印加した後の残留磁化が無視できる程度に小さくなる
ようにする。よって、２以上の勾配パルスを連続して印
加した後の残留磁化がデータに影響することを防止でき
る。
【００１４】第６の観点では、本発明は、スライス勾配
軸にスライス選択パルスを印加し、それに続いてリフェ
ーズパルスを印加するＭＲイメージング方法であって、
前記スライス選択パルスによる残留磁化を低減しうるよ
うに前記リフェーズパルスの振幅を定めたことを特徴と
するＭＲイメージング方法を提供する。上記第６の観点
によるＭＲイメージング方法では、元々極性の異なるス
ライス選択パルスとリフェーズパルスを連続して印加す
るので、リフェーズパルスの振幅を調整して、スライス
選択パルスとリフェーズパルスを連続して印加した後の
残留磁化が無視できる程度に小さくなるようにする。よ
って、スライス選択パルスとリフェーズパルスを連続し
て印加した後の残留磁化がデータに影響することを防止
できる。
軸にスライス選択パルスを印加し、それに続いてリフェ
ーズパルスを印加するＭＲイメージング方法であって、
前記スライス選択パルスによる残留磁化を低減しうるよ
うに前記リフェーズパルスの振幅を定めたことを特徴と
するＭＲイメージング方法を提供する。上記第６の観点
によるＭＲイメージング方法では、元々極性の異なるス
ライス選択パルスとリフェーズパルスを連続して印加す
るので、リフェーズパルスの振幅を調整して、スライス
選択パルスとリフェーズパルスを連続して印加した後の
残留磁化が無視できる程度に小さくなるようにする。よ
って、スライス選択パルスとリフェーズパルスを連続し
て印加した後の残留磁化がデータに影響することを防止
できる。
【００１５】第７の観点では、本発明は、リード勾配軸
にデフェーズパルスを印加し、その後にリードパルスを
印加するＭＲイメージング方法であって、前記デフェー
ズパルスによる残留磁化が前記リードパルスで低減され
うるように前記デフェーズパルスの振幅を定めたことを
特徴とするＭＲイメージング方法を提供する。上記第７
の観点によるＭＲイメージング方法では、元々極性の異
なるデフェーズパルスとリードパルスを連続して印加す
るので、デフェーズパルスの振幅を調整して、デフェー
ズパルスとリードパルスを連続して印加した後の残留磁
化が無視できる程度に小さくなるようにする。よって、
デフェーズパルスとリードパルスを連続して印加した後
の残留磁化がデータに影響することを防止できる。
にデフェーズパルスを印加し、その後にリードパルスを
印加するＭＲイメージング方法であって、前記デフェー
ズパルスによる残留磁化が前記リードパルスで低減され
うるように前記デフェーズパルスの振幅を定めたことを
特徴とするＭＲイメージング方法を提供する。上記第７
の観点によるＭＲイメージング方法では、元々極性の異
なるデフェーズパルスとリードパルスを連続して印加す
るので、デフェーズパルスの振幅を調整して、デフェー
ズパルスとリードパルスを連続して印加した後の残留磁
化が無視できる程度に小さくなるようにする。よって、
デフェーズパルスとリードパルスを連続して印加した後
の残留磁化がデータに影響することを防止できる。
【００１６】第８の観点では、本発明は、勾配軸にグラ
ジエント・モーメント・ヌリング（Ｇradient Ｍoment
Ｎulling：以下、ＧＭＮと記する）の位相補償パルスを
印加するＭＲイメージング方法であって、前記ＧＭＮの
位相補償パルスを印加した後の残留磁化を低減しうるよ
うに前記ＧＭＮの位相補償パルスの振幅を定めたことを
特徴とするＭＲイメージング方法を提供する。上記構成
において、ＧＭＮの位相補償パルスとは、動きによる核
スピンの位相変化を消去するように波形を工夫した勾配
パルスをいう。上記第８の観点によるＭＲイメージング
方法では、極性の異なる２以上の勾配パルスを組み合わ
せたＧＭＮの位相補償パルスを印加するので、各勾配パ
ルスの振幅を調整して、ＧＭＮの位相補償パルスを連続
して印加した後の残留磁化が無視できる程度に小さくな
るようにする。よって、ＧＭＮの位相補償パルスを印加
した後の残留磁化がデータに影響することを防止でき
る。
ジエント・モーメント・ヌリング（Ｇradient Ｍoment
Ｎulling：以下、ＧＭＮと記する）の位相補償パルスを
印加するＭＲイメージング方法であって、前記ＧＭＮの
位相補償パルスを印加した後の残留磁化を低減しうるよ
うに前記ＧＭＮの位相補償パルスの振幅を定めたことを
特徴とするＭＲイメージング方法を提供する。上記構成
において、ＧＭＮの位相補償パルスとは、動きによる核
スピンの位相変化を消去するように波形を工夫した勾配
パルスをいう。上記第８の観点によるＭＲイメージング
方法では、極性の異なる２以上の勾配パルスを組み合わ
せたＧＭＮの位相補償パルスを印加するので、各勾配パ
ルスの振幅を調整して、ＧＭＮの位相補償パルスを連続
して印加した後の残留磁化が無視できる程度に小さくな
るようにする。よって、ＧＭＮの位相補償パルスを印加
した後の残留磁化がデータに影響することを防止でき
る。
【００１７】第９の観点では、本発明は、ＲＦパルス送
信手段と、勾配パルス印加手段と、ＮＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、勾配軸に正または負のいずれかの極性の勾配パ
ルスを印加した後、前記勾配パルスによる残留磁化を低
減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印加
することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第９
の観点によるＭＲＩ装置では、上記第１〜第４の観点に
よるＭＲイメージング方法を好適に実施できる。
信手段と、勾配パルス印加手段と、ＮＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、勾配軸に正または負のいずれかの極性の勾配パ
ルスを印加した後、前記勾配パルスによる残留磁化を低
減しうる極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印加
することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第９
の観点によるＭＲＩ装置では、上記第１〜第４の観点に
よるＭＲイメージング方法を好適に実施できる。
【００１８】第１０の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＮＭＲ信号受信手
段とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印
加手段は、勾配軸に極性の異なる２以上の勾配パルスを
連続するとき、それら勾配パルスを印加した後の残留磁
化を低減しうるようにそれら勾配パルスの振幅を定めて
印加することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第１０の観点によるＭＲＩ装置では、上記第５〜第８の
観点によるＭＲイメージング方法を好適に実施できる。
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＮＭＲ信号受信手
段とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印
加手段は、勾配軸に極性の異なる２以上の勾配パルスを
連続するとき、それら勾配パルスを印加した後の残留磁
化を低減しうるようにそれら勾配パルスの振幅を定めて
印加することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第１０の観点によるＭＲＩ装置では、上記第５〜第８の
観点によるＭＲイメージング方法を好適に実施できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。 −第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態のＭＲＩ装置のブロッ
ク図である。このＭＲＩ装置１００において、マグネッ
トアセンブリ１は、内部に被検体を挿入するための空間
部分（孔）を有し、この空間部分を取りまくようにし
て、被検体に一定強度Ｈｏの静磁場を印加する永久磁石
１ｐと、スライス勾配軸，位相勾配軸，リード勾配軸に
勾配パルスを印加するための勾配磁場コイル１ｇと、被
検体内の原子核のスピンを励起するためのＲＦパルスを
与える送信コイル１ｔと、被検体からのＮＭＲ信号を検
出する受信コイル１ｒとが配置されている。前記勾配磁
場コイル１ｇ，送信コイル１ｔおよび受信コイル１ｒ
は、それぞれ勾配磁場駆動回路３，ＲＦ電力増幅器４お
よび前置増幅器５に接続されている。なお、上記のよう
な永久磁石型マグネットでなく、超伝導型マグネットや
常伝導型マグネットであってもよい。シーケンス記憶回
路８は、計算機７からの指令に従い、記憶しているパル
スシーケンスに基づいて勾配磁場駆動回路３を操作し、
前記マグネットアセンブリ１の勾配磁場コイル１ｇから
勾配パルスを印加すると共に、ゲート変調回路９を操作
し、ＲＦ発振回路１０の搬送波出力信号を所定タイミン
グ・所定包絡線形状のパルス状信号に変調し、それをＲ
ＦパルスとしてＲＦ電力増幅器４に加え、ＲＦ電力増幅
器４でパワー増幅した後、前記マグネットアセンブリ１
の送信コイル１ｔに印加し、所望のスライス領域を選択
励起する。前置増幅器５は、マグネットアセンブリ１の
受信コイル１ｒで検出された被検体からのＮＭＲ信号を
増幅し、位相検波器１２に入力する。位相検波器１２
は、ＲＦ発振回路１０の搬送波出力信号を参照信号と
し、前置増幅器５からのＮＭＲ信号を位相検波して、Ａ
／Ｄ変換器１１に与える。Ａ／Ｄ変換器１１は、位相検
波後のアナログ信号をディジタル信号に変換して、計算
機７に入力する。計算機７は、Ａ／Ｄ変換器１１からデ
ータを読み込み、画像再構成演算を行い、所望のスライ
ス領域のイメージを生成する。このイメージは、表示装
置６にて表示される。また、計算機７は、操作卓１３か
ら入力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受け
持つ。
発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。 −第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態のＭＲＩ装置のブロッ
ク図である。このＭＲＩ装置１００において、マグネッ
トアセンブリ１は、内部に被検体を挿入するための空間
部分（孔）を有し、この空間部分を取りまくようにし
て、被検体に一定強度Ｈｏの静磁場を印加する永久磁石
１ｐと、スライス勾配軸，位相勾配軸，リード勾配軸に
勾配パルスを印加するための勾配磁場コイル１ｇと、被
検体内の原子核のスピンを励起するためのＲＦパルスを
与える送信コイル１ｔと、被検体からのＮＭＲ信号を検
出する受信コイル１ｒとが配置されている。前記勾配磁
場コイル１ｇ，送信コイル１ｔおよび受信コイル１ｒ
は、それぞれ勾配磁場駆動回路３，ＲＦ電力増幅器４お
よび前置増幅器５に接続されている。なお、上記のよう
な永久磁石型マグネットでなく、超伝導型マグネットや
常伝導型マグネットであってもよい。シーケンス記憶回
路８は、計算機７からの指令に従い、記憶しているパル
スシーケンスに基づいて勾配磁場駆動回路３を操作し、
前記マグネットアセンブリ１の勾配磁場コイル１ｇから
勾配パルスを印加すると共に、ゲート変調回路９を操作
し、ＲＦ発振回路１０の搬送波出力信号を所定タイミン
グ・所定包絡線形状のパルス状信号に変調し、それをＲ
ＦパルスとしてＲＦ電力増幅器４に加え、ＲＦ電力増幅
器４でパワー増幅した後、前記マグネットアセンブリ１
の送信コイル１ｔに印加し、所望のスライス領域を選択
励起する。前置増幅器５は、マグネットアセンブリ１の
受信コイル１ｒで検出された被検体からのＮＭＲ信号を
増幅し、位相検波器１２に入力する。位相検波器１２
は、ＲＦ発振回路１０の搬送波出力信号を参照信号と
し、前置増幅器５からのＮＭＲ信号を位相検波して、Ａ
／Ｄ変換器１１に与える。Ａ／Ｄ変換器１１は、位相検
波後のアナログ信号をディジタル信号に変換して、計算
機７に入力する。計算機７は、Ａ／Ｄ変換器１１からデ
ータを読み込み、画像再構成演算を行い、所望のスライ
ス領域のイメージを生成する。このイメージは、表示装
置６にて表示される。また、計算機７は、操作卓１３か
ら入力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受け
持つ。
【００２０】図２は、本発明にかかる高速スピンエコー
法のパルスシーケンス図である。このＦＳＥシーケンス
ＳＱでは、まず、励起ＲＦパルスＲとスライス選択パル
スｓｓを印加する。次に、デフェーズパルスｇｘ１をリ
ード勾配軸に印加する。次に、第１の反転ＲＦパルスＰ
１とスライス選択パルスｓｓを印加する。
法のパルスシーケンス図である。このＦＳＥシーケンス
ＳＱでは、まず、励起ＲＦパルスＲとスライス選択パル
スｓｓを印加する。次に、デフェーズパルスｇｘ１をリ
ード勾配軸に印加する。次に、第１の反転ＲＦパルスＰ
１とスライス選択パルスｓｓを印加する。
【００２１】次に、位相エンコードパルスgy1iを位相勾
配軸に印加する。続いて、位相エンコードパルスgy1iに
よる残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化
低減パルスgy1i_rmsを印加する。ここで、残留磁化低減
パルスgy1i_rmsによって位相エンコード量が変わらない
ように、残留磁化低減パルスgy1i_rmsの面積だけ位相エ
ンコードパルスgy1iの面積を増やしておく。なお、位相
エンコードパルスgy1iによる残留磁化を打ち消しうる振
幅は、磁気ヒステリシス特性曲線が点対称な形状である
ことから、基本的には位相エンコードパルスgy1iの振幅
の約半分とする。但し、整磁板の材料や勾配磁場コイル
１ｇの特性などで変動しうるため、マイナーループＭｉ
の数学モデルを用いてシミュレーションを行って求めた
り、実験によって求めることが好ましい。
配軸に印加する。続いて、位相エンコードパルスgy1iに
よる残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化
低減パルスgy1i_rmsを印加する。ここで、残留磁化低減
パルスgy1i_rmsによって位相エンコード量が変わらない
ように、残留磁化低減パルスgy1i_rmsの面積だけ位相エ
ンコードパルスgy1iの面積を増やしておく。なお、位相
エンコードパルスgy1iによる残留磁化を打ち消しうる振
幅は、磁気ヒステリシス特性曲線が点対称な形状である
ことから、基本的には位相エンコードパルスgy1iの振幅
の約半分とする。但し、整磁板の材料や勾配磁場コイル
１ｇの特性などで変動しうるため、マイナーループＭｉ
の数学モデルを用いてシミュレーションを行って求めた
り、実験によって求めることが好ましい。
【００２２】次に、リードパルスgxwを印加しながら、
第１エコーecho１からデータを収集する。
第１エコーecho１からデータを収集する。
【００２３】その後、前記位相エンコードパルスgy1iと
面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇy1riを位相勾
配軸に印加する。続いて、リワインダパルスgy1riによ
る残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低
減パルスgy1i_rmsを印加する。ここで、残留磁化低減パ
ルスgy1i_rmsによって位相エンコード量が変わらないよ
うに、残留磁化低減パルスgy1i_rmsの面積だけ位相エン
コードパルスgy1iの面積を増やしておく。残留磁化低減
パルスgy1i_rmsの振幅は、上記と同様に、基本的にはリ
ワンダパルスgy1riの振幅の約半分とするが、シミュレ
ーションや実験によって求めることが好ましい。
面積が等しく逆極性のリワインダパルスｇy1riを位相勾
配軸に印加する。続いて、リワインダパルスgy1riによ
る残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低
減パルスgy1i_rmsを印加する。ここで、残留磁化低減パ
ルスgy1i_rmsによって位相エンコード量が変わらないよ
うに、残留磁化低減パルスgy1i_rmsの面積だけ位相エン
コードパルスgy1iの面積を増やしておく。残留磁化低減
パルスgy1i_rmsの振幅は、上記と同様に、基本的にはリ
ワンダパルスgy1riの振幅の約半分とするが、シミュレ
ーションや実験によって求めることが好ましい。
【００２４】なお、ｉは、図２のＦＳＥシーケンスＳＱ
の繰り返し番号である。ｉ＝１〜Ｉ（例えばＩ＝１２
８）である。
の繰り返し番号である。ｉ＝１〜Ｉ（例えばＩ＝１２
８）である。
【００２５】次に、第２の反転ＲＦパルスＰ２とスライ
ス選択パルスｓｓを印加し、位相エンコードパルスgy2i
を位相勾配軸に印加し、上記と同様に残留磁化低減パル
スgy2i_rmsを印加する。次に、リードパルスgxwを印加
しながら第２エコーecho２からデータを収集する。その
後、前記位相エンコードパルスgy2iと面積が等しく逆極
性のリワインダパルスｇy2riを位相勾配軸に印加し、上
記と同様に残留磁化低減パルスgy2ri_rmsを印加する。
ス選択パルスｓｓを印加し、位相エンコードパルスgy2i
を位相勾配軸に印加し、上記と同様に残留磁化低減パル
スgy2i_rmsを印加する。次に、リードパルスgxwを印加
しながら第２エコーecho２からデータを収集する。その
後、前記位相エンコードパルスgy2iと面積が等しく逆極
性のリワインダパルスｇy2riを位相勾配軸に印加し、上
記と同様に残留磁化低減パルスgy2ri_rmsを印加する。
【００２６】以下同様に、ｊ＝３〜Ｊ（例えばＪ＝８で
あるが、図２ではＪ＝３にしている）について、第ｊの
反転ＲＦパルスＰｊとスライス選択パルスｓｓを印加
し、位相エンコードパルスgyjiと残留磁場低減パルスgy
ji_rmsを位相勾配軸に印加し、リードパルスgxwを印加
しながら第ｊエコーechoｊからデータを収集し、その
後、前記位相エンコードパルスgyjiと面積が等しく逆極
性のリワインダパルスｇyjriと残留磁場低減パルスgyjr
i_rmsを位相勾配軸に印加することを繰り返す。
あるが、図２ではＪ＝３にしている）について、第ｊの
反転ＲＦパルスＰｊとスライス選択パルスｓｓを印加
し、位相エンコードパルスgyjiと残留磁場低減パルスgy
ji_rmsを位相勾配軸に印加し、リードパルスgxwを印加
しながら第ｊエコーechoｊからデータを収集し、その
後、前記位相エンコードパルスgyjiと面積が等しく逆極
性のリワインダパルスｇyjriと残留磁場低減パルスgyjr
i_rmsを位相勾配軸に印加することを繰り返す。
【００２７】そして、最後に、大振幅のキラーパルスｋ
ｐを位相勾配軸に印加し、続いてキラーパルスｋｐによ
る残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低
減パルスｋｐ_rmsを印加する。
ｐを位相勾配軸に印加し、続いてキラーパルスｋｐによ
る残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低
減パルスｋｐ_rmsを印加する。
【００２８】上記ＭＲＩ装置１００では、位相エンコー
ドパルス，リワインダパルスおよびキラーパルスによる
残留磁化を低減できるから、その残留磁化に起因して画
像にゴーストやシェーディングなどの画質劣化が生じる
ことを抑制できる。
ドパルス，リワインダパルスおよびキラーパルスによる
残留磁化を低減できるから、その残留磁化に起因して画
像にゴーストやシェーディングなどの画質劣化が生じる
ことを抑制できる。
【００２９】−第２の実施形態−
Inversion Recovery法のキラーパルスやSaturationパル
スのキラーパルスに続いて、それらキラーパルスによる
残留磁化を打ち消しうる逆極性と振幅とを持った残留磁
化低減パルスを印加してもよい。
スのキラーパルスに続いて、それらキラーパルスによる
残留磁化を打ち消しうる逆極性と振幅とを持った残留磁
化低減パルスを印加してもよい。
【００３０】−第３の実施形態−
励起パルスの直前に最大振幅の残留磁化飽和パルスを印
加し、続いてその残留磁化飽和パルスによる残留磁化を
打ち消しうる逆極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルス
を印加してもよい。
加し、続いてその残留磁化飽和パルスによる残留磁化を
打ち消しうる逆極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルス
を印加してもよい。
【００３１】−第４の実施形態−
図３に示すように、スライス選択パルスｓｓに続いて逆
極性のリフェーズパルスｓｒを印加するパルスシーケン
スにおいては、前記スライス選択パルスｓｓによる残留
磁化を低減するように前記リフェーズパルスｓｒの振幅
を調整すればよい。但し、面積を変えないように、前記
リフェーズパルスｓｒの時間幅も調整する必要がある。
これにより、スライス選択パルスｓｓに続いてリフェー
ズパルスｓｒを印加した後の残留磁化を低減することが
出来る。
極性のリフェーズパルスｓｒを印加するパルスシーケン
スにおいては、前記スライス選択パルスｓｓによる残留
磁化を低減するように前記リフェーズパルスｓｒの振幅
を調整すればよい。但し、面積を変えないように、前記
リフェーズパルスｓｒの時間幅も調整する必要がある。
これにより、スライス選択パルスｓｓに続いてリフェー
ズパルスｓｒを印加した後の残留磁化を低減することが
出来る。
【００３２】−第５の実施形態−
図４に示すように、リードパルスｒｏの前に逆極性のデ
フェーズパルスｄｐを印加するGradient Echo系のパル
スシーケンスにおいては、前記リードパルスｒｏによる
残留磁化を低減するように前記デフェーズパルスｄｐの
振幅を調整すればよい。但し、面積を変えないように、
前記デフェーズパルスｄｐの時間幅も調整する必要があ
る。これにより、デフェーズパルスｄｐに続いてリード
パルスｒｏを印加した後の残留磁化を低減することが出
来る。
フェーズパルスｄｐを印加するGradient Echo系のパル
スシーケンスにおいては、前記リードパルスｒｏによる
残留磁化を低減するように前記デフェーズパルスｄｐの
振幅を調整すればよい。但し、面積を変えないように、
前記デフェーズパルスｄｐの時間幅も調整する必要があ
る。これにより、デフェーズパルスｄｐに続いてリード
パルスｒｏを印加した後の残留磁化を低減することが出
来る。
【００３３】−第６の実施形態−
図５に示すように、極性の異なる３つの勾配パルスｆｃ
１，ｆｃ２，ｆｃ３を組み合わせた１次のＧＭＮの位相
補償パルスを印加するパルスシーケンスにおいては、該
位相補償パルスを印加した後の残留磁化をなるべく小さ
くするように各各勾配パルスｆｃ１，ｆｃ２，ｆｃ３の
振幅を調整すればよい。但し、面積を変えないように、
各勾配パルスｆｃ１，ｆｃ２，ｆｃ３の時間幅も調整す
る必要がある。これにより、位相補償パルスを印加した
後の残留磁化を低減することが出来る。
１，ｆｃ２，ｆｃ３を組み合わせた１次のＧＭＮの位相
補償パルスを印加するパルスシーケンスにおいては、該
位相補償パルスを印加した後の残留磁化をなるべく小さ
くするように各各勾配パルスｆｃ１，ｆｃ２，ｆｃ３の
振幅を調整すればよい。但し、面積を変えないように、
各勾配パルスｆｃ１，ｆｃ２，ｆｃ３の時間幅も調整す
る必要がある。これにより、位相補償パルスを印加した
後の残留磁化を低減することが出来る。
【００３４】
【発明の効果】本発明のＭＲイメージング方法およびＭ
ＲＩ装置によれば、正または負のいずれかの極性の勾配
パルスに対してはその後に残留磁化低減パルスを印加
し、連続して印加する極性の異なる２以上の勾配パルス
に対しては勾配パルスの振幅を調整して、その後の残留
磁化を低減するので、不要な位相エラーを生じることが
なくなり、ゴーストやシェーディング等の画質劣化を防
止できる。
ＲＩ装置によれば、正または負のいずれかの極性の勾配
パルスに対してはその後に残留磁化低減パルスを印加
し、連続して印加する極性の異なる２以上の勾配パルス
に対しては勾配パルスの振幅を調整して、その後の残留
磁化を低減するので、不要な位相エラーを生じることが
なくなり、ゴーストやシェーディング等の画質劣化を防
止できる。
【図１】第１の実施形態に係るＭＲＩ装置を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】第１の実施形態に係るＦＳＥシーケンスのパル
スシーケンス図である。
スシーケンス図である。
【図３】スライス選択パルスとリフェーズパルスの組み
合わせに本発明を適用した、第４の実施形態の説明図で
ある。
合わせに本発明を適用した、第４の実施形態の説明図で
ある。
【図４】デフェーズパルスとリードパルスの組み合わせ
に本発明を適用した、第５の実施形態の説明図である。
に本発明を適用した、第５の実施形態の説明図である。
【図５】位相補償パルスに本発明を適用した、第６の実
施形態の説明図である。
施形態の説明図である。
【図６】従来のＦＳＥシーケンスの一例のパルスシーケ
ンス図である。
ンス図である。
【図７】磁気ヒステリシス特性の説明図である。
１００ ＭＲＩ装置
１ マグネットアセンブリ
１ｇ 勾配磁場コイル
１ｔ 送信コイル
１ｐ 永久磁石
７ 計算機
８ シーケンス記憶回路
kp_rms 残留磁化低減パルス
Claims (10)
- 【請求項１】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印加
手段と、ＮＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
あって、 装置が有する強磁性体が磁気ヒステリシス特性を持つた
めに、勾配パルスの印加に伴って磁束密度の大きさが該
磁気ヒステリシス特性曲線上で変動し、残留磁化が０に
ならない場合において、 前記勾配パルス印加手段は、勾配軸に正または負のいず
れかの極性の勾配パルスを印加した後、前記磁気ヒステ
リシス特性に基づいて前記勾配パルスによる残留磁化を
打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印
加することを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項２】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印加
手段と、ＮＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
あって、 装置が有する強磁性体が磁気ヒステリシス特性を持つた
めに、勾配パルスの印加に伴って磁束密度の大きさが該
磁気ヒステリシス特性曲線上で変動し、残留磁化が０に
ならない場合において、 前記勾配パルス印加手段は、勾配軸に極性の異なる２以
上の勾配パルスを連続するとき、前記磁気ヒステリシス
特性に基づいてそれら勾配パルスを印加した後の残留磁
化を打ち消すようにそれら勾配パルスの振幅を定めて印
加することを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＭＲＩ装置であって、 前記ＲＦパルス送信手段及び勾配パルス印加手段が所定
のＲＦパルスを送信し所定の勾配パルスを印加すること
により高速スピンエコー法のパルスシーケンスを実行す
る中で、 前記勾配パルス印加手段は、反転ＲＦパルスのあとに、
位相勾配軸に位相エンコードパルスを印加し、リード勾
配軸にリードパルスを印加し、位相勾配軸に前記位相エ
ンコードパルスによる残留磁化を打ち消す逆極性と振幅
とを持つ残留磁化低減パルスを印加することを特徴とす
るＭＲＩ装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のＭＲＩ装置であって、 前記残留磁化低減パルスの振幅は、前記位相エンコード
パルスの振幅の約半分であることを特徴とするＭＲＩ装
置。 - 【請求項５】 請求項３又は請求項４に記載のＭＲＩ装
置であって、 前記勾配パルス印加手段は、励起ＲＦパルスのあとに続
く複数の反転ＲＦパルスのうちの最後の反転ＲＦパルス
のあとに印加される残留磁化低減パルスのあとに、位相
勾配軸に大振幅のキラーパルスを印加し、位相勾配軸に
前記キラーパルスによる残留磁化を打ち消す逆極性と振
幅とを持つ残留磁化低減パルスを印加することを特徴と
するＭＲＩ装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載のＭＲＩ装置であって、 前記勾配パルス印加手段は、インバージョンリカバリー
法のキラーパルス又はサチュレーションパルスのキラー
パルスに続いて、それらキラーパルスによる残留磁化を
打ち消す逆極性と振幅とを持つ残留磁化低減パルスを印
加することを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載のＭＲＩ装置であって、 前記勾配パルス印加手段は、励起パルスの直前に最大振
幅の残留磁化飽和パルスを印加し、前記残留磁化飽和パ
ルスによる残留磁化を打ち消す逆極性と振幅とを持つ残
留磁化低減パルスを印加することを特徴とするＭＲＩ装
置。 - 【請求項８】 請求項２に記載のＭＲＩ装置であって、 前記勾配パルス印加手段は、スライス選択パルスに続い
て逆特性のリフェーズパルスを印加するパルスシーケン
スにおいて、前記スライス選択パルスによる残留磁化を
打ち消すように振幅及び時間幅が調整された前記リフェ
ーズパルスを印加することを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項９】 請求項２に記載のＭＲＩ装置であって、 前記勾配パルス印加手段は、リードパルスの前に逆特性
のデフェーズパルスを印加するグラジエントエコー系の
パルスシーケンスにおいて、前記リードパルスによる残
留磁化を打ち消すように振幅及び時間幅が調整された前
記デフェーズパルスを印加することを特徴とするＭＲＩ
装置。 - 【請求項１０】 請求項２に記載のＭＲＩ装置であっ
て、 前記勾配パルス印加手段は、極性の異なる３つの勾配パ
ルスを組み合わせた１次のグラジエント・モーメント・
ヌリングの位相補償パルスを印加するパルスシーケンス
において、前記位相補償パルスを印加した後の残留磁化
を打ち消すように振幅が調整された前記３つの勾配パル
スを印加することを特徴とするＭＲＩ装置。
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