JP3449796B2

JP3449796B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3449796B2
Application number: JP21523994A
Authority: JP
Inventors: 徹紀平; 博之深澤; 明小島
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-08-18
Filing date: 1994-08-18
Publication date: 2003-09-22
Anticipated expiration: 2018-09-22
Also published as: JPH0864725A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子回路が集積、形
成された半導体チップ（以下、ＩＣチップという）をト
ランスファーモールド法により樹脂で封止した樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。具体的にいえば、こ
の発明は、薄型パッケージやＢＧＡに係り、特に、ＩＣ
カードやメモリカード用パッケージ等に最適な樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、樹脂封止型半導体装置のパッケー
ジは軽薄短小化の傾向にある。その中でも、特に薄型半
導体パッケージは、今後、メモリカードの高容量化のた
めに、需要の増加が見込まれている。このような現在の
パッケージとメモリカードの傾向を図で説明する。

【０００３】図１７は、薄型半導体パッケージの厚さ
と、ＪＥＩＤＡの規格のＩＣメモリカードの厚さとの関
係を示す図である。

【０００４】この図１７に示すように、現在のＩＣメモ
リカードの厚さは、ＪＥＩＤＡの規格によリ、３．３ｍ
ｍとなっている。その一方で、現在の薄型半導体パッケ
ージは、１．０ｍｍ厚のものが主流であり、上述の厚さ
３．３ｍｍのメモリカードの場合には、両面実装をする
ことが可能である（図１７の左上の欄）。

【０００５】これを現在開発中の厚さ０．５ｍｍの半導
体パッケージに置き換えると、４段実装まで可能とな
り、メモリー容量的にも、厚さ１．０ｍｍのパッケージ
の場合に比較して、２倍に拡大することができる（図１
７の右上の欄）。また、メモリカードの場合には、上述
の高容量化のほかに、カードそれ自体を薄型化する傾向
にある。

【０００６】例えば、次の段階のカードの規格として、
ＪＥＩＤＡによって厚さ２．２ｍｍのカードが定められ
ている（図１７の下の欄）。この厚さのメモリカードの
場合、厚さ１．０ｍｍの半導体パッケージは、片面実装
しかできないが（図１７の左下の欄）、厚さ０．５ｍｍ
以下のパッケージになると、２段以上の多段実装が可能
となる（図１７の右下の欄）。

【０００７】さらに、薄型化メモリカードは、ＩＳＯ規
格の厚さ０．７６ｍｍ（クレジットカードと同じ厚さ）
のスマートカードとして応用することも考えられる。ス
マートカードの側面を、次の図に示す。

【０００８】図１８は、超薄型ＩＣパッケージについ
て、ＩＳＯ規格のスマートカードヘのモジュールの応用
例を示す側面図である。

【０００９】この図１８に示すように、スマートカード
の厚さが０．７６ｍｍになると、現在の厚さ１．０ｍｍ
のパッケージでは、もはや搭載不可能となる。そのた
め、厚さ０．５ｍｍ以下の半導体装置（半導体パッケー
ジ）が必要となる。

【００１０】このような要求に応じて、厚さ０．７６ｍ
ｍのスマートカードと同等のサイズのメモリカードに実
装するために、ＣＯＢ（チップ・オン・ボード）方式や
テープキャリア方式なども提案されている。その実装形
態を、次の図１９と図２０で説明する。

【００１１】図１９は、ＣＯＢ方式のＩＣパッケージに
ついて、その実装形態の一例を示す側面図である。図に
おいて、５１は半導体チップ、５２は基板、５３は接着
剤、５４はＡｕ線、５５は電極パッド、５６は基板パッ
ドを示す。

【００１２】この図１９に示すように、ＣＯＢ方式で
は、半導体チップ５１を直接基板５２の上に搭載し、チ
ップ５１上の電極パッド５５から基板５２のメッキ上な
どにワイヤボンドを行う方法が採用されている。

【００１３】図２０は、テープキャリア方式のＩＣパッ
ケージについて、その実装形態の一例を示す側面図であ
る。図における符号は図１９と同様であり、５７はテー
プ、５８はバンプを示す。

【００１４】テープキャリア方式では、この図２０に示
すように、半導体チップ５１の電極パッド５５をテープ
５７にバンプ５８で接続して、基板５２等に実装する方
法が用いられている。しかしながら、これらの図１９や
図２０に示した従来方式でも、次のような問題点があ
る。例えば、図１９のＣＯＢ方式においては、モジュー
ルの不良率が高い。

【００１５】また、図２０のテープキャリア方式におい
ては、コストが極めて高価な上、実装の自動化が困難で
ある、という問題点がある。さらに、以上に述べたリー
ドを有する半導体装置を実装する方式や、ＣＯＢ方式、
テープキャリア方式などでは、チップの周囲に配置され
たリードや、基板上のメッキ部分にワイヤボンディング
を行ったり、テープで電極パッドに接続しなければなら
ないので、基本的に電極パッドをチップの周辺部に配置
する必要がある。

【００１６】そのため、チップ内の配線を無理に引き回
さなければならず、結果的に、半導体デバイスの高集積
化やチップサイズの縮小化への大きな妨げとなってい
る。また、従来から、以上のような問題点を解決するた
めに、ワイヤやテープを有しないフリップチップ方式な
ども実施されている。

【００１７】図２１は、フリップチップ方式のＩＣパッ
ケージについて、その実装形態の一例を示す側面図であ
る。図における符号は図１９および図２０と同様であ
る。

【００１８】このフリップチップ方式は、図２１に示す
ように、半導体チップ５１の電極パッド５５上にバンプ
５８を予め形成し、このバンプ５８で直接基板５２に接
着固定する方式である。このような方式を用いれば、実
装面積やチップサイズの縮小化が可能となり、カードの
高容量化を実現することができる。

【００１９】しかしながら、従来のＣＯＢ方式、テープ
キャリア方式あるいはフリップチップ方式などのよう
に、樹脂封止型半導体装置以外の方式では、半導体チッ
プがモールド樹脂で覆われていない構造が多いため、チ
ップ表面が外力によってダメージを受けることも多い。
さらに、これらの方式においては、半導体チップの表面
の保護のためにポッティング樹脂を滴下して封止を行う
場合もあるが、トランスファーモールドによる樹脂封止
の方式と比較して、樹脂の厚さの制御が困難である。

【００２０】その上、封止工程では、ほとんど加圧しな
いで行うため、封止する樹脂そのものがポーラスであ
り、その分だけ水分などを透過しやすく、耐湿性等、半
導体装置の信頼性の面で劣る、などの問題がある。以上
のように、従来の各種方式の半導体装置には、いずれも
一長一短があり、現在求められているチップサイズで、
かつ、パッケージの薄型化とチップの高集積化とが可能
な半導体装置は、存在していない、という問題があっ
た。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】この発明では、従来の
各種方式の半導体装置がもっている多くの不都合を解決
し、チップサイズの半導体パッケージを提供すると共
に、パッケージの薄型化とチップの高集積化とを可能に
した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この発明は、第１に、表
面上に半導体素子が形成された半導体ウェーハに対し
て、半導体素子の電極上にバンプまたはＡｕボールを形
成して、トランスファーモールド成形により半導体ウェ
ーハの表面および裏面を樹脂で封止することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

【００２３】第２に、上記第１の製造方法により得られ
た樹脂封止された半導体ウェーハにおいて、ダイシング
を施して、半導体素子を半導体チップ単体に分割する製
造方法である。

【００２４】第３に、上記第１の製造方法において、樹
脂の表面を研削して、バンプまたはＡｕボールを樹脂の
表面に露出させる製造方法である。

【００２５】第４に、上記第３の製造方法において、露
出されたバンプまたはＡｕボールの上にメッキ層を形成
する製造方法である。

【００２６】第５に、上記第１の製造方法において、半
導体ウェーハを金型内に挟持し、バンプまたはＡｕボー
ルを金型の内面に圧接させて、半導体ウェーハを樹脂で
封止する製造方法である。

【００２７】第６に、上記第１の製造方法において、樹
脂封止された半導体ウェーハの裏面を研削する製造方法
である。

【００２８】

【作用】この発明では、電極パッドの上にバンプまたは
金（Ａｕ）ボールを形成した半導体チップの表面および
裏面を、樹脂で封止し、樹脂の表面または裏面からバン
プまたはＡｕボールを露出させれば、外部との電気的接
続が可能になる、という点に着目して、チップサイズの
半導体パッケージを実現すると共に、パッケージの薄型
化、チップの高集積化を可能としている。

【００２９】具体的にいえば、この発明の製造方法によ
って得られる樹脂封止型半導体装置では、メモリカード
などの実装基板回路中の半導体素子を改良して、モール
ド樹脂保護における電気特性の保証や品質信頼性等を維
持すると共に、フリップチップ素子等と同等の面実装密
度を達成し、高集積の実装を可能にしている。

【００３０】

【実施例１】次に、この発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について、図面を参照しながら、その実施例を
詳細に説明する。

【００３１】すでに述べたように、この発明の製造方法
により得られる半導体装置（ＩＣ）は、半導体チップの
電極上にバンプまたはＡｕボールを形成し、電極をモー
ルド樹脂の片側の表面に露出させた超薄型の構成であ
る。この実施例では、半導体装置の両面をモールド樹脂
で封止した場合である。まず、この発明の製造方法によ
り得られる半導体装置について、斜視図でその構成を説
明する。

【００３２】図１は、この発明の製造方法により得られ
る半導体装置について、一実施例を示す斜視図である。
図において、１はこの発明の半導体装置（ＩＣ）、２は
半導体チップ、３はモールド樹脂で、３ａは表側のモー
ルド樹脂、３ｂは裏側のモールド樹脂、２０は外部電極
（メッキ層）を示す。

【００３３】この図１に示すように、この発明の製造方
法により得られる半導体装置１は、中央の半導体ウェー
ハ２の両面がモールド樹脂３で覆われており、外部電極
（メッキ層）２０が、その片面の表側のモールド樹脂３
ａから露出されている。このように構成することによ
り、パッケージの薄型化が可能となり、同時にメモリカ
ードなどの高容量化も実現される。

【００３４】また、リードを有しないチップと同サイズ
の樹脂封止型半導体パッケージが得られるので、実装面
積を小さくすることができる。しかも、回路構成上も極
めて強固であるから、信頼性の高い高密度実装が可能に
なる。次に、図１に示したこの発明の製造方法により得
られる半導体装置１の製造工程を、図２から図１１を用
いて説明する。

【００３５】図２は、この発明の製造方法により得られ
る半導体装置１を得るための半導体ウェーハの一例を示
す斜視図である。図において、１１は半導体ウェーハ、
１２はオリフラを示す。

【００３６】図３は、図２に示した半導体ウェーハ１１
の中に形成されている１素子を示す概略図である。図に
おいて、４は電極パッド、１３はチップ、１４はスクラ
イブラインを示す。

【００３７】この図３に示すように、半導体ウェーハ１
１は複数のチップ１３から構成されている。各チップ１
３は、その後、通常はウェーハ状態で裏面研削を施した
後、ダイシングの工程において個々に分割される。各チ
ップ１３には、それぞれ回路パターンが形成され、ま
た、主としてチップ１３の周囲部に、外部との電気的な
接続を行うための電極パッド４が形成されている。

【００３８】図４は、図２に示した半導体ウェーハ１１
について、電極パッド４が形成されたチップ１３周囲部
の要部断面図である。図における符号は図２および図３
と同様である。

【００３９】図５は、図４に示した半導体ウェーハ１１
において、その電極パッド４の上にバンプを形成した状
態を示す要部断面図である。図における符号は図２およ
び図３と同様であり、１５はバンプを示す。

【００４０】図４に示した半導体ウェーハ１１の電極パ
ッド４の上に、従来から行われている方法によって、バ
ンプ１５を形成する。このような処理によって、図５に
示したように、電極パッド４の上にバンプ１５が形成さ
れる。

【００４１】図６は、通常のワイヤボンディング方式に
よって、電極パッド４上にＡｕボールを形成した状態を
示す要部断面図である。図における符号は図２および図
３と同様であり、１６はＡｕボール、１７はＡｕ線、１
８はキャピラリを示す。

【００４２】また、バンプ１５の代りに、図６に示すよ
うに、電極パッド４の上にＡｕボール１６を形成しても
よい。以上の工程によって、半導体ウェーハ１１の電極
パッド４上に、バンプ１５またはＡｕボール１６を形成
した後、樹脂封止を行う。

【００４３】図７は、半導体ウェーハ１１の樹脂封止工
程を説明する図で、モールド金型に挾み込んだ状態を示
す概略断面図である。図における符号は図６と同様であ
り、２１はモールド金型で、２１Ａはその上金型、２１
Ｂは下金型、２２Ａは上キャビティ、２２Ｂは下キャビ
ティ、２３Ａは上ランナー、２３Ｂは下ランナー、２４
Ａは上ゲート、２４Ｂは下ゲートを示す。

【００４４】先の図６で説明した工程が終了したチップ
１３は、この図７に示すように、モールド金型２１に入
れられて、樹脂封止される。すなわち、半導体ウェーハ
１１を上金型２１Ａと下金型２１Ｂとで上下から挾み込
み、半導体ウェーハ１１の表側と裏側をモールド樹脂３
で成形する。

【００４５】この場合に、半導体ウェーハ１１の両面の
樹脂３は、薄く広い範囲にモールドする必要があるの
で、モールド樹脂３の硬化温度や粘度特性、さらにモー
ルド金型２１の成形温度、射出圧力、射出時間、予熱時
間などのモールド条件を最適化して行う。その後、従来
のウェーハの裏面研削と同様の工程で、表側および裏側
のモールド樹脂３ａ，３ｂの薄膜を研削し、後出の図１
０に示すように、バンプ１５またはＡｕボール１６をモ
ールド樹脂３ａの表面に露出させる。

【００４６】このとき、バンプ１５またはＡｕボール１
６の露出面積がほぼ均一になるように、予めバンプ１５
の面積もしくはＡｕボール１６の大きさを調整してお
く。なお、先の図７に示した実施例では、バンプ１５も
しくはＡｕボール１６はモールド樹脂３ａに完全に覆わ
れており、外部との接続を行うために、モールド樹脂３
ａの研削の工程が必要となる。

【００４７】図８は、図６の半導体ウェーハ１１をモー
ルド金型２１に挾み込み、Ａｕボール１６が上金型２１
Ａに接した状態を示す概略断面図である。図における符
号は図６および図７と同様である。

【００４８】この図８に示すように、予めバンプ１５も
しくはＡｕボール１６を高めに形成しておき、モールド
金型２１で挾み込んだときに、上型２１Ａの内面にこれ
らのバンプ１５もしくはＡｕボール１６の先端が当たる
ようにしておく。この方法によれば、成形後に、すでに
バンプ１５もしくはＡｕボール１６の一部がモールド樹
脂表面上に露出されているので、図７のような研削の工
程を省くことができる。

【００４９】図９は、半導体ウェーハ１１を図７または
図８に示したモールド金型２１で成形した後の状態を示
す概略斜視図である。図における符号は図２と同様であ
り、１９はモールド樹脂で、１９ａは表側モールド樹
脂、１９ｂは裏側モールド樹脂を示す。

【００５０】図１０は、モールド成形済みの半導体ウェ
ーハ１１のモールド樹脂１９を研削し、表面にＡｕボー
ル１６を露出させた状態を示す概略断面図である。

【００５１】図１１は、表側モールド樹脂１９ａの表面
に露出させたＡｕボール１６の上にメッキを施した後の
状態を示す断面図である。図において、２０はメッキ層
を示す。

【００５２】図７や図８で説明したように、半導体ウェ
ーハ１１をモールド金型２１を使用してモールド成形を
行うと、図９に示すように、両面がモールド樹脂１９
ａ，１９ｂで覆われた半導体ウェーハ１１が得られる。
このようにして得られた半導体ウェーハ１１に、図１０
に示すように、両面のモールド樹脂１９を研削して、表
側モールド樹脂１９ａの表面にＡｕボール１６を露出さ
せる。

【００５３】その後、図１１に示すように、露出したバ
ンプ１５もしくはＡｕボール１６の上に半田メッキ等の
処理を行って、メッキ層２０を形成する。以上の図２か
ら図１１のような処理工程が行われ、モールド済みウェ
ーハ１１にダイシングを施して個々の単体にすれば、図
１に示したような基板実装が可能な形態の半導体装置
（ＩＣ）１が得られる。

【００５４】この第１実施例で説明した半導体装置（半
導体パッケージ）では、半導体のチップ１３の表面がモ
ールド樹脂３ａ，３ｂに覆われているので、チップ表面
がダメージを受けることがなく、また耐湿性も確保する
ことが可能である。その上、リードを有しないチップと
同サイズの樹脂封止型半導体パッケージが得られるの
で、実装面積も小さくすることができる。

【００５５】

【実施例２】先の第１の実施例では、半導体装置１の両
面をモールド樹脂３ａ，３ｂで封止した場合を説明した
が、この第２の実施例では、半導体装置１の片面だけを
モールド樹脂で封止する点に特徴を有している。最初
に、この第２の実施例の半導体装置を斜視図で説明す
る。

【００５６】図１２は、この発明の半導体装置の第２の
実施例を示す斜視図である。図における符号は図１と同
様であり、３１はこの発明の半導体装置を示す。

【００５７】この図１２に示す半導体装置３１は、その
上面（表側）のみにモールド樹脂３ａが形成されている
点を除けば、先の第１の実施例で説明した図１の半導体
装置１と基本的に同様の構成である。次に、図１２に示
す半導体装置３１の製造工程を、図１３と図１４を用い
て説明する。

【００５８】図１３は、この発明の第２の実施例におい
て、半導体ウェーハ１１の樹脂封止工程を説明する図
で、モールド金型に挾み込んだ状態を示す概略断面図で
ある。図における符号は図６と同様であり、３２はモー
ルド成形用上金型、３２Ａはそのキャビティ、３２Ｂは
ランナー、３２Ｃはゲート、３３は下金型を示す。

【００５９】この第２の実施例でも、図２から図６まで
の工程は共通しており、半導体ウェーハ１１の電極パッ
ド４上にＡｕボール１６を形成した状態で、その上面に
モールド成形を行う。このモールド成形工程では、図１
３に示すように、半導体ウェーハ１１の表側のみにモー
ルド樹脂３ａを成形する。

【００６０】このように半導体ウェーハ１１の片側だけ
にモールド樹脂３ａの薄膜を形成させると、熱線膨張率
の違いから、ウェーハ１１に反りが生じることがある。
そこで、この場合には、モールド樹脂３ａの熱線膨張係
数が、半導体ウェーハ１１のそれに近い値の材料を選択
するのが好ましい。

【００６１】図１４は、図１３でモールド成形された半
導体ウェーハ１１を上下研削し、露出したＡｕボール１
６の上にメッキを施した状態を示す断面図である。図に
おける符号は図１１および図１３と同様である。

【００６２】このような工程が終了した後、モールド樹
脂３ａの表面、また必要に応じて半導体ウェーハ１１の
裏面を、先の第１の実施例で述べたのと同様な方法で研
削する。さらに、露出したＡｕボール１６（もしくはバ
ンプ１５）の上に半田メッキ等の処理を行って、メッキ
層２０を形成する。

【００６３】なお、半導体ウェーハ１１の裏面を研削す
る理由は、原理的には半導体ウェーハ１１の表層数十μ
ｍのアクティブ層を残していれば、デバイスとしては正
常に機能し得るが、全体の厚さが１００μｍ程度までの
半導体装置３１を得るためには、その裏面も研削すれ
ば、超薄型パッケージを実現することが可能になるから
である。その後、図１３と図１４の工程を行った半導体
ウェーハ１１を個々の単体に分割すれば、先の図１２に
示したような半導体装置３１が得られる。

【００６４】

【実施例３】第１と第２の実施例では、両面をモールド
樹脂３ａ，３ｂで封止した半導体装置１や、片面をモー
ルド樹脂３ａで封止した半導体装置３１を製造する場合
に、図２に示したような半導体ウェーハ１１を使用する
場合を述べた。この第３の実施例では、半導体ウェーハ
１１を予め個々のチップ単体に分割しておき、その後
に、第１の実施例で述べたのと同様な方法で、電極パッ
ド４の上にバンプ１５もしくはＡｕボール１６を形成す
る点に特徴を有している。

【００６５】したがって、得られる半導体装置１，３１
は、先の第１や第２の実施例と同様である。この第３の
実施例について、図１５と図１６を用いて説明する。

【００６６】図１５は、半導体ウェーハ１１から個々に
分割されたチップ単体を示す斜視図である。図における
符号は図３と同様であり、４１はチップ単体を示す。

【００６７】図１６は、この発明の第３の実施例におい
て、半導体チップ単体４１の樹脂封止工程を説明する図
で、モールド成形用金型に挾み込んだ状態を示す概略断
面図である。図における符号は図１３および図１５と同
様である。

【００６８】基本的な処理工程は、先に述べた第１や第
２の実施例と同様であり、図２に示したような半導体ウ
ェーハ１１を、予め図１５に示すようなチップ単体４１
に分割する。この図１５に示した状態で、第１の実施例
で述べたのと同様な方法によって、電極パッド４の上に
Ａｕボール１６（もしくはバンプ１５）を形成し、図１
６に示すように、各チップ４１ごとに用意されたモール
ド成形用上金型３２内のキャビティ３２Ａにチップ単体
４１を配置する。

【００６９】そして、チップ単体４１の表側（またはそ
の裏側にも）にモールド樹脂３の薄膜を成形する。その
後、モールド樹脂３ａ（もしくはチップ単体４１の裏
面）を研削し、所要の半導体装置１，３１を製造する。
これらの工程は、第１や第２の実施例で述べたのと同様
である。

【００７０】

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方
法によれば、パッケージの厚さを、従来の各種方式に比
べて薄くすることができる。したがって、第１に、メモ
リカードなどへの多段実装、ＩＳＯ規格のカードヘの実
装が可能となる。

【００７１】第２に、パッケージサイズをチップと同サ
イズとすることができるので、実装面積を小さくするこ
とができ、高密度実装が可能になる。第３に、リードヘ
のワイヤボンディングが不要となるので、電極パッドの
配置が比較的自由にできる。

【００７２】その結果、回路の無駄な引き回しをする必
要がなくなり、半導体チップのよリ一層の高集積化も実
現される。第４に、半導体チップがモールド樹脂で保護
されるので、チップ面へのダメージが低減し、また耐湿
性も向上する。

【００７３】第５に、リードフレームを有しないので、
ダイボンディングやリード加工などの工程が不要とな
り、また、リード曲がりやコプラナリティーといったリ
ードフレームに起因する不良も解消される。

【００７４】また、本発明の製造方法によれば、以上の
ように優れた樹脂封止型半導体装置が得られると共に、
歩留りも向上されるので、結果的に低コストの製造が可
能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の製造方法により得られる半導体装置
について、一実施例を示す斜視図である。

【図２】この発明の製造方法により得られる半導体装置
１を得るための半導体ウェーハの一例を示す斜視図であ
る。

【図３】図２に示した半導体ウェーハ１１の中に形成さ
れている１素子を示す概略図である。

【図４】図２に示した半導体ウェーハ１１について、電
極パッド４が形成されたチップ１３周囲部の要部断面図
である。

【図５】図４に示した半導体ウェーハ１１において、そ
の電極パッド４の上にバンプを形成した状態を示す要部
断面図である。

【図６】通常のワイヤボンディング方式によって、電極
パッド４上にＡｕボールを形成した状態を示す要部断面
図である。

【図７】半導体ウェーハ１１の樹脂封止工程を説明する
図で、モールド金型に挾み込んだ状態を示す概略断面図
である。

【図８】図６の半導体ウェーハ１１をモールド金型２１
に挾み込み、Ａｕボール１６が上金型２１Ａに接した状
態を示す概略断面図である。

【図９】半導体ウェーハ１１を図７または図８に示した
モールド金型２１で成形した後の状態を示す概略斜視図
である。

【図１０】モールド成形済みの半導体ウェーハ１１のモ
ールド樹脂１９を研削し、表面にＡｕボール１６を露出
させた状態を示す概略断面図である。

【図１１】表側モールド樹脂１９ａの表面に露出させた
Ａｕボール１６の上にメッキを施した後の状態を示す断
面図である。

【図１２】この発明の半導体装置の第２の実施例を示す
斜視図である。

【図１３】この発明の第２の実施例において、半導体ウ
ェーハ１１の樹脂封止工程を説明する図で、モールド金
型に挾み込んだ状態を示す概略断面図である。

【図１４】図１３でモールド成形された半導体ウェーハ
１１を上下研削し、露出したＡｕボール１６の上にメッ
キを施した状態を示す断面図である。

【図１５】半導体ウェーハ１１から個々に分割されたチ
ップ単体を示す斜視図である。

【図１６】この発明の第３の実施例において、半導体チ
ップ単体４１の樹脂封止工程を説明する図で、モールド
成形用金型に挾み込んだ状態を示す概略断面図である。

【図１７】薄型半導体パッケージの厚さと、ＪＥＩＤＡ
の規格のＩＣメモリカードの厚さとの関係を示す図であ
る。

【図１８】超薄型１Ｃパッケージについて、ＩＳＯ規格
のスマートカードヘのモジュールの応用例を示す側面図
である。

【図１９】ＣＯＢ方式について、その実装形態の一例を
示す側面図である。

【図２０】テープキャリア方式について、その実装形態
の一例を示す側面図である。

【図２１】フリップチップ方式について、その実装形態
の一例を示す側面図である。

【符号の説明】

１この発明の半導体装置２半導体チップ３モールド樹脂４電極パッド１１半導体ウェーハ１２オリフラ１３チップ１５バンプ１６Ａｕボール１７Ａｕ線１８キャピラリ１９モールド樹脂２０メッキ層３１この発明の半導体装置４１チップ単体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小島明東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】表面上に半導体素子が形成された半導体
ウェーハに対して、前記半導体素子の電極上にバンプま
たはＡｕボールを形成して、トランスファーモールド成形により前記半導体ウェーハ
の表面および裏面を樹脂で封止することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】樹脂封止された前記半導体ウェーハにダ
イシングを施して、前記半導体素子を半導体チップ単体
に分割する請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造
方法。
【請求項３】前記樹脂の表面を研削して、前記バンプ
または前記Ａｕボールを前記樹脂の表面に露出させる請
求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】露出された前記バンプまたは前記Ａｕボ
ールの上にメッキ層を形成する請求項３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記封止は、前記半導体ウェーハを金型
内に挟持し、前記バンプまたは前記Ａｕボールを前記金
型の内面に圧接させて行う請求項１記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
【請求項６】樹脂封止された前記半導体ウェーハの裏
面を研削する請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。