JP3442895B2 - 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法 - Google Patents
基板製造用焼成体、基板およびその製造方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 100
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 51
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 29
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
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- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜配線等を形成する基
板に関し、また該基板を製造するための焼成体および基
板の製造方法に関する。
板に関し、また該基板を製造するための焼成体および基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年電子デバイスの高集積化に伴い、基
板上の配線もより微細で高密度であることが要求されて
いる。これに対応してセラミック基板上に薄膜により微
細配線構造を形成する方法が最近多く採用されている。
この内特にセラミック基板に同時焼成によるビアを貫通
して形成したものは基板両面を効率的に利用でき、より
高密度配線が実現できることから最も多く利用され、こ
の様な基板を用いた半導体実装用基板あるいはパッケー
ジが実用化されている。
板上の配線もより微細で高密度であることが要求されて
いる。これに対応してセラミック基板上に薄膜により微
細配線構造を形成する方法が最近多く採用されている。
この内特にセラミック基板に同時焼成によるビアを貫通
して形成したものは基板両面を効率的に利用でき、より
高密度配線が実現できることから最も多く利用され、こ
の様な基板を用いた半導体実装用基板あるいはパッケー
ジが実用化されている。
【０００３】配線がより微細になると基板表面に開口す
るセラミックの気孔が断線や高抵抗化の原因になり、ま
たビア位置のわずかなズレが導通不良の原因になる。そ
のため薄膜による微細で高密度な配線形成を可能にする
ためにセラミック基板はより緻密で気孔が少なく平坦で
なければならず、またビアの位置精度が高くなければな
らない。更に最近特に重要視される要求としてこれら基
板はより低いコストで得られなければならない。
るセラミックの気孔が断線や高抵抗化の原因になり、ま
たビア位置のわずかなズレが導通不良の原因になる。そ
のため薄膜による微細で高密度な配線形成を可能にする
ためにセラミック基板はより緻密で気孔が少なく平坦で
なければならず、またビアの位置精度が高くなければな
らない。更に最近特に重要視される要求としてこれら基
板はより低いコストで得られなければならない。
【０００４】従来、上記の様なビアを有するセラミック
基板を製造する方法としては以下の様な方法が採られて
いた。まずセラミックのグリーンシートを形成し、これ
を定形に打ち抜いた後、スルーホールを所定の位置に設
ける。次にスルーホール内に金属ペーストを充填し、こ
の様に処理したグリーンシートを２層以上積層し一体化
する。得られた積層体を脱バインダー処理した後、焼成
を行い基板とする。このとき基板の反りが大きいと修正
処理をするかあるいは選別する。続いて定形に切断し、
研磨して完成する。
基板を製造する方法としては以下の様な方法が採られて
いた。まずセラミックのグリーンシートを形成し、これ
を定形に打ち抜いた後、スルーホールを所定の位置に設
ける。次にスルーホール内に金属ペーストを充填し、こ
の様に処理したグリーンシートを２層以上積層し一体化
する。得られた積層体を脱バインダー処理した後、焼成
を行い基板とする。このとき基板の反りが大きいと修正
処理をするかあるいは選別する。続いて定形に切断し、
研磨して完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の製造工程では基
板の厚さがある程度薄い場合にはグリーンシートを積層
体とした後にスルーホールを形成し、金属ペーストを充
填することもできるが、殆どの場合はグリーンシート一
枚毎に金属ペーストの充填を行わないと十分な充填が達
成されない。グリーンシートの積層体一枚当たりから得
られる基板の数は１〜４枚程度である。工程当たりの取
れ数を増やすためにグリーンシートの積層体のサイズを
大きくすると作業性が悪くなるだけでなく、ビアの位置
精度が低下するという問題がある。結局工程を通じて扱
われる単位数量は最終段階までほぼ同じであり、工程当
たり、あるいは設備当たりの取れ数が少なく、そのため
十分な量産効果が得られずコストを下げられないうえ、
ビアの積層ズレによる導通不良や基板の反り等の不良発
生が更にコストの引き下げを困難にしている。
板の厚さがある程度薄い場合にはグリーンシートを積層
体とした後にスルーホールを形成し、金属ペーストを充
填することもできるが、殆どの場合はグリーンシート一
枚毎に金属ペーストの充填を行わないと十分な充填が達
成されない。グリーンシートの積層体一枚当たりから得
られる基板の数は１〜４枚程度である。工程当たりの取
れ数を増やすためにグリーンシートの積層体のサイズを
大きくすると作業性が悪くなるだけでなく、ビアの位置
精度が低下するという問題がある。結局工程を通じて扱
われる単位数量は最終段階までほぼ同じであり、工程当
たり、あるいは設備当たりの取れ数が少なく、そのため
十分な量産効果が得られずコストを下げられないうえ、
ビアの積層ズレによる導通不良や基板の反り等の不良発
生が更にコストの引き下げを困難にしている。
【０００６】そこで本発明の目的とするところは、ビア
の位置精度がよく、また基板の量産化ができる基板製造
用焼成体、基板およびその製造方法を提供するにある。
の位置精度がよく、また基板の量産化ができる基板製造
用焼成体、基板およびその製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、基板製造用焼成
体において、絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成体であ
って、内部にその軸線に平行な金属配線体を有し、該金
属配線体は、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
し、前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも高
い温度で焼成されてなることを特徴とする。また、前記
金属配線体とともに内部にその軸線に平行な柱状体を有
しており、該柱状体は、該焼成体の焼成温度よりも高い
融点を有することを特徴とする。柱状体としては金属
柱、セラミック柱、シリコン柱が好適に使用できる。ま
た、基板製造用焼成体において、絶縁基体を焼成して成
る柱状の焼成体であって、内部にその軸線に平行な金属
配線体を有するとともに、金属またはセラミックからな
る筒状体を有し、前記金属配線体および筒状体は、前記
焼成体の焼成温度よりも高い融点を有し、前記絶縁基体
の融点、流動点または軟化点よりも高い温度で焼成され
てなること、また、絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成
体であって、内部にその軸線に平行な金属配線体を有す
るとともに、軸線方向に平行な貫通孔が設けられ、前記
金属配線体は、前記焼成体の焼成温度よりも高い融点を
有し、前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも
高い温度で焼成されてなることを特徴とする。また、前
記金属配線体は、銅、ニッケル、鉄、銀、金またはこれ
らのいずれか一種以上を主成分とする金属を用いること
ができる。また、前記金属柱は、銅、ニッケル、鉄、タ
ングステン、モリブデンまたはこれらのいずれか一種以
上を主成分とする金属からなることを特徴とする。ま
た、前記柱状の焼成体は円柱状または角柱状であること
を特徴とする。また、前記絶縁基体の主成分は、結晶化
ガラスまたは非晶質ガラスであることを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、基板製造用焼成
体において、絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成体であ
って、内部にその軸線に平行な金属配線体を有し、該金
属配線体は、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
し、前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも高
い温度で焼成されてなることを特徴とする。また、前記
金属配線体とともに内部にその軸線に平行な柱状体を有
しており、該柱状体は、該焼成体の焼成温度よりも高い
融点を有することを特徴とする。柱状体としては金属
柱、セラミック柱、シリコン柱が好適に使用できる。ま
た、基板製造用焼成体において、絶縁基体を焼成して成
る柱状の焼成体であって、内部にその軸線に平行な金属
配線体を有するとともに、金属またはセラミックからな
る筒状体を有し、前記金属配線体および筒状体は、前記
焼成体の焼成温度よりも高い融点を有し、前記絶縁基体
の融点、流動点または軟化点よりも高い温度で焼成され
てなること、また、絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成
体であって、内部にその軸線に平行な金属配線体を有す
るとともに、軸線方向に平行な貫通孔が設けられ、前記
金属配線体は、前記焼成体の焼成温度よりも高い融点を
有し、前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも
高い温度で焼成されてなることを特徴とする。また、前
記金属配線体は、銅、ニッケル、鉄、銀、金またはこれ
らのいずれか一種以上を主成分とする金属を用いること
ができる。また、前記金属柱は、銅、ニッケル、鉄、タ
ングステン、モリブデンまたはこれらのいずれか一種以
上を主成分とする金属からなることを特徴とする。ま
た、前記柱状の焼成体は円柱状または角柱状であること
を特徴とする。また、前記絶縁基体の主成分は、結晶化
ガラスまたは非晶質ガラスであることを特徴とする。
【０００８】また、基板の製造方法において、焼成体の
焼成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線材
を、内部にその軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を
成形し、該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流
動点または軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用
焼成体とした後、該焼成体をその軸線に垂直な方向から
所要の厚さに切断することを特徴とする。また、焼成体
の焼成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線
材を、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有する金属
柱、セラミック柱またはシリコン柱の柱状体とともに内
部にその軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形
し、該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点
または軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成
体とした後、該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要
の厚さに切断することを特徴とする。また、焼成体の焼
成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線材
を、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有する金属ま
たはセラミックからなる筒状体とともに内部にその軸線
に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形し、該未焼成体
を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点または軟化点よ
りも高い温度で焼成して基板製造用焼成体とした後、該
焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断す
ることを特徴とする。また、焼成体の焼成温度よりも高
い融点を有する金属からなる金属線材を、該焼成体の焼
成温度よりも高い融点を有する柱状体とともに内部にそ
の軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形し、該未
焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点または軟
化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体とした
後、該焼成体から前記柱状体を除去し、該焼成体をその
軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断することを特徴
とする。また、前記柱状の未焼成体を容器中に成形し、
該容器と共に焼成することを特徴とする。また、前記容
器は、銅、ニッケル、鉄またはこれらのいずれか一種以
上を主成分とする金属、もしくはアルミナ、ムライトま
たは窒化ホウ素のいずれかのセラミックス、もしくはグ
ラファイトからなることを特徴とする。また、前記基板
製造用焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに
切断して、表面に金属配線体が露出する板状に形成した
基板を得ることができる。
焼成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線材
を、内部にその軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を
成形し、該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流
動点または軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用
焼成体とした後、該焼成体をその軸線に垂直な方向から
所要の厚さに切断することを特徴とする。また、焼成体
の焼成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線
材を、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有する金属
柱、セラミック柱またはシリコン柱の柱状体とともに内
部にその軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形
し、該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点
または軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成
体とした後、該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要
の厚さに切断することを特徴とする。また、焼成体の焼
成温度よりも高い融点を有する金属からなる金属線材
を、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を有する金属ま
たはセラミックからなる筒状体とともに内部にその軸線
に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形し、該未焼成体
を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点または軟化点よ
りも高い温度で焼成して基板製造用焼成体とした後、該
焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断す
ることを特徴とする。また、焼成体の焼成温度よりも高
い融点を有する金属からなる金属線材を、該焼成体の焼
成温度よりも高い融点を有する柱状体とともに内部にそ
の軸線に平行に埋設した柱状の未焼成体を成形し、該未
焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点または軟
化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体とした
後、該焼成体から前記柱状体を除去し、該焼成体をその
軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断することを特徴
とする。また、前記柱状の未焼成体を容器中に成形し、
該容器と共に焼成することを特徴とする。また、前記容
器は、銅、ニッケル、鉄またはこれらのいずれか一種以
上を主成分とする金属、もしくはアルミナ、ムライトま
たは窒化ホウ素のいずれかのセラミックス、もしくはグ
ラファイトからなることを特徴とする。また、前記基板
製造用焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに
切断して、表面に金属配線体が露出する板状に形成した
基板を得ることができる。
【０００９】
【作用】本発明では従来の方法とは全く異なる製造工程
により、基板を得るものであり、基板製造用焼成体を用
いることにより従来歩留りに悪影響を与えていた各種不
良を発生することなくビアを有する基板が得られ、しか
も量産効果が十分に得られ大幅なコストダウンがはかれ
る。即ち、本発明ではまず軸線に平行な金属配線体を有
する柱状の焼成体を得て、次いで軸線に垂直にこの柱状
体を切断することによりビアを有する基板を得る。上記
柱状の焼成体を得るためには、柱状の未焼成体を成形す
る必要があり、その方法としてはスリップ鋳込み成形
や、押し出し成形法などが適用できる。しかし、軸線に
平行な金属配線体を形成することは従来法の応用では難
しく、少なくとも未焼成体成形後あるいは焼成後に金属
配線体を形成することは以下の諸点で難しい。従来法に
よれば未焼成体にスルーホールを形成し、そこに金属ペ
ーストを充填し焼成されるが、まず柱状の未焼成体に長
いスルーホールを精度良く形成することが困難であり、
例えスルーホールが形成できても金属ペーストを十分な
密度で充填することが難しい。また焼成体においても同
様である。
により、基板を得るものであり、基板製造用焼成体を用
いることにより従来歩留りに悪影響を与えていた各種不
良を発生することなくビアを有する基板が得られ、しか
も量産効果が十分に得られ大幅なコストダウンがはかれ
る。即ち、本発明ではまず軸線に平行な金属配線体を有
する柱状の焼成体を得て、次いで軸線に垂直にこの柱状
体を切断することによりビアを有する基板を得る。上記
柱状の焼成体を得るためには、柱状の未焼成体を成形す
る必要があり、その方法としてはスリップ鋳込み成形
や、押し出し成形法などが適用できる。しかし、軸線に
平行な金属配線体を形成することは従来法の応用では難
しく、少なくとも未焼成体成形後あるいは焼成後に金属
配線体を形成することは以下の諸点で難しい。従来法に
よれば未焼成体にスルーホールを形成し、そこに金属ペ
ーストを充填し焼成されるが、まず柱状の未焼成体に長
いスルーホールを精度良く形成することが困難であり、
例えスルーホールが形成できても金属ペーストを十分な
密度で充填することが難しい。また焼成体においても同
様である。
【００１０】そこで本発明においては金属線材を用い、
これを未焼成体成形時に同時に未焼成体内に貫通させ金
属配線体とする。次にこれを焼成して基板製造用焼成体
が得られるのである。未焼成体材料は金属線材の融点よ
りも低い融点または流動点または軟化点を有するものを
用いる。したがって、本発明によれば、上記焼成中に未
焼成体の絶縁基体部分が流動化する。そのため未焼成体
は焼成後の形状に等しい内構造を有する容器内で焼成さ
れる必要がある。この容器は通常未焼成体の成形時に使
用したものをそのまま用いることが可能である。容器内
に成形されそのまま焼成することができるので、未焼成
体を得る際に特にバインダー成分および可塑剤成分を加
える必要がない。そのため未焼成体の乾燥は従来より容
易になり、更に脱バインダー工程は不要になる。
これを未焼成体成形時に同時に未焼成体内に貫通させ金
属配線体とする。次にこれを焼成して基板製造用焼成体
が得られるのである。未焼成体材料は金属線材の融点よ
りも低い融点または流動点または軟化点を有するものを
用いる。したがって、本発明によれば、上記焼成中に未
焼成体の絶縁基体部分が流動化する。そのため未焼成体
は焼成後の形状に等しい内構造を有する容器内で焼成さ
れる必要がある。この容器は通常未焼成体の成形時に使
用したものをそのまま用いることが可能である。容器内
に成形されそのまま焼成することができるので、未焼成
体を得る際に特にバインダー成分および可塑剤成分を加
える必要がない。そのため未焼成体の乾燥は従来より容
易になり、更に脱バインダー工程は不要になる。
【００１１】該柱状の焼成体の絶縁基体部分は焼成処理
温度において十分流動化するものであれば基本的にはど
の様な組成物でも良いが、好ましくは結晶化ガラスまた
は非晶質ガラスを主成分としたものが良い。または、こ
れらガラスにアルミナセラミックやムライトセラミック
等の各種セラミック粉末を組成物が焼成温度に十分流動
化するのを妨げない程度の量加えたものが用いられる。
焼成温度はこれらの組成にも依るが一般に５００℃〜１
４００℃の範囲内の最高温度で上記柱状の焼成体が得ら
れる。また金属線材としては、銅、ニッケル、鉄、アル
ミニウム、銀、金などのいずれか一種以上を主成分とす
る金属を用いることができる。
温度において十分流動化するものであれば基本的にはど
の様な組成物でも良いが、好ましくは結晶化ガラスまた
は非晶質ガラスを主成分としたものが良い。または、こ
れらガラスにアルミナセラミックやムライトセラミック
等の各種セラミック粉末を組成物が焼成温度に十分流動
化するのを妨げない程度の量加えたものが用いられる。
焼成温度はこれらの組成にも依るが一般に５００℃〜１
４００℃の範囲内の最高温度で上記柱状の焼成体が得ら
れる。また金属線材としては、銅、ニッケル、鉄、アル
ミニウム、銀、金などのいずれか一種以上を主成分とす
る金属を用いることができる。
【００１２】ところで、上記金属線材が貫通した未焼成
体の絶縁基体は焼成時に緻密化に伴う収縮を起こし、一
方金属線材は逆に熱膨張する。しかし未焼成体の絶縁基
体はある温度で流動化してしまうので、上記の体積変化
に伴う応力は解消される。焼成後の冷却過程においては
金属線材と絶縁基体の熱膨張係数差が応力発生の原因と
なるが、金属線材の径がある程度細く、またヤング率が
ある程度小さければ問題は発生しない。柱状の焼成体の
高さにもよるが、両者の熱膨張係数がおよそ１２×１０
-6／℃程度の差があっても問題となる様な応力は生じ
ず、クラックや断線等は発生しない。
体の絶縁基体は焼成時に緻密化に伴う収縮を起こし、一
方金属線材は逆に熱膨張する。しかし未焼成体の絶縁基
体はある温度で流動化してしまうので、上記の体積変化
に伴う応力は解消される。焼成後の冷却過程においては
金属線材と絶縁基体の熱膨張係数差が応力発生の原因と
なるが、金属線材の径がある程度細く、またヤング率が
ある程度小さければ問題は発生しない。柱状の焼成体の
高さにもよるが、両者の熱膨張係数がおよそ１２×１０
-6／℃程度の差があっても問題となる様な応力は生じ
ず、クラックや断線等は発生しない。
【００１３】熱膨張係数差による応力で問題になり易い
のは第１に未焼成体とその焼成に用いる容器の間の熱膨
張係数差が大きい場合である。また第２には未焼成体内
に上記金属線材とは別に放熱用の金属柱を貫通している
場合で両者の熱膨張係数差が大きい場合である。
のは第１に未焼成体とその焼成に用いる容器の間の熱膨
張係数差が大きい場合である。また第２には未焼成体内
に上記金属線材とは別に放熱用の金属柱を貫通している
場合で両者の熱膨張係数差が大きい場合である。
【００１４】焼成中に用いられる容器としては銅、ニッ
ケル、鉄のいずれか一種以上を主成分とする金属製容器
あるいはアルミナ、ムライト、窒化ホウ素の内のいずれ
か一種以上を主成分とするセラミック製容器あるいはグ
ラファイト製容器が用いられる。この内、未焼成体が焼
成後該容器と接着しない場合、例えば六方晶窒化ホウ素
製あるいはグラファイト製の容器を用いると焼成後冷却
過程において焼成体が容器から離れ易く、この場合には
応力の問題はない。金属製容器を用いる場合には容器壁
の厚さをなるべく薄くすることで、破壊を防ぐことがで
きる。この効果は容器に銅を用いる場合に良好に得られ
る。しかし、その他の金属で壁厚が大きい容器であって
も、未焼成体の組成によっては柱状の焼成体全体に及ぶ
クラックは生じず、焼成体の底部および外周部に限定的
に開放したクラックが生ずるのみでこの様な場合は後の
工程で基板を得る上で支障とならない。一方、アルミナ
セラミックやムライトセラミック製の容器を用いる場合
には未焼成体と容器の熱膨張係数差はおよそ３×１０-6
／℃以下に合わせる必要がある。
ケル、鉄のいずれか一種以上を主成分とする金属製容器
あるいはアルミナ、ムライト、窒化ホウ素の内のいずれ
か一種以上を主成分とするセラミック製容器あるいはグ
ラファイト製容器が用いられる。この内、未焼成体が焼
成後該容器と接着しない場合、例えば六方晶窒化ホウ素
製あるいはグラファイト製の容器を用いると焼成後冷却
過程において焼成体が容器から離れ易く、この場合には
応力の問題はない。金属製容器を用いる場合には容器壁
の厚さをなるべく薄くすることで、破壊を防ぐことがで
きる。この効果は容器に銅を用いる場合に良好に得られ
る。しかし、その他の金属で壁厚が大きい容器であって
も、未焼成体の組成によっては柱状の焼成体全体に及ぶ
クラックは生じず、焼成体の底部および外周部に限定的
に開放したクラックが生ずるのみでこの様な場合は後の
工程で基板を得る上で支障とならない。一方、アルミナ
セラミックやムライトセラミック製の容器を用いる場合
には未焼成体と容器の熱膨張係数差はおよそ３×１０-6
／℃以下に合わせる必要がある。
【００１５】未焼成体内に金属柱が貫通する構造は放熱
部を有する基板を得る場合に用いられるが、この場合も
焼成後冷却過程において未焼成体の絶縁基体部分が固化
するまでは応力の問題がない。その後の冷却過程におけ
る熱膨張係数差が問題となる。該金属柱としては、銅、
ニッケル、鉄、タングステン、モリブデンのいずれか一
種以上を主成分とする金属を用いることができる。な
お、未焼成体の絶縁基体の熱膨張係数および柱状の焼成
体の高さおよび該金属柱の断面積等を考慮し、銅−タン
グステン系等の複合金属化によって熱ストレスを最小化
すると好適である。
部を有する基板を得る場合に用いられるが、この場合も
焼成後冷却過程において未焼成体の絶縁基体部分が固化
するまでは応力の問題がない。その後の冷却過程におけ
る熱膨張係数差が問題となる。該金属柱としては、銅、
ニッケル、鉄、タングステン、モリブデンのいずれか一
種以上を主成分とする金属を用いることができる。な
お、未焼成体の絶縁基体の熱膨張係数および柱状の焼成
体の高さおよび該金属柱の断面積等を考慮し、銅−タン
グステン系等の複合金属化によって熱ストレスを最小化
すると好適である。
【００１６】ビアを有する基板はこの柱状の焼成体を軸
線に垂直に所定の厚さに切断して得られる。つまり、焼
成体内の金属配線体を切断し、ビアとするのである。基
板とした後の工程の種類により必要であれば、基板に切
断してしまう前に外周部を研削により整えたり、オリエ
ンテーションフラット加工等を行う。切断後、通常は両
面研磨を行う。
線に垂直に所定の厚さに切断して得られる。つまり、焼
成体内の金属配線体を切断し、ビアとするのである。基
板とした後の工程の種類により必要であれば、基板に切
断してしまう前に外周部を研削により整えたり、オリエ
ンテーションフラット加工等を行う。切断後、通常は両
面研磨を行う。
【００１７】以上の様にして、一つの焼成体から多数の
基板を得ることができる。例えば高さ２０cmの柱状の焼
成体から0.6 〜0.7 mm厚程度のビアおよび放熱部を有す
る基板を１８０枚以上得ることができる。これら基板は
切り出しで得られているので個々で焼成される場合の様
な反りがなく、従ってそのままほぼ１００％両面研磨工
程に移行させることができる。またビア導体はグリーン
シートを積層し接続されたものではないので積層ズレに
よる断線や高抵抗化の問題がない。また、未焼成体を円
柱状にしておくと、焼成時に収縮が均一になるので、切
断された基板のサイズ（直径）を一定にできる。また、
角柱状にしておくと、基板上で有効利用できる面積を増
やすことができる。また、焼成体から切り出した基板を
さらに平面的にいくつかに分割して、個々の基板として
用いてもよい。
基板を得ることができる。例えば高さ２０cmの柱状の焼
成体から0.6 〜0.7 mm厚程度のビアおよび放熱部を有す
る基板を１８０枚以上得ることができる。これら基板は
切り出しで得られているので個々で焼成される場合の様
な反りがなく、従ってそのままほぼ１００％両面研磨工
程に移行させることができる。またビア導体はグリーン
シートを積層し接続されたものではないので積層ズレに
よる断線や高抵抗化の問題がない。また、未焼成体を円
柱状にしておくと、焼成時に収縮が均一になるので、切
断された基板のサイズ（直径）を一定にできる。また、
角柱状にしておくと、基板上で有効利用できる面積を増
やすことができる。また、焼成体から切り出した基板を
さらに平面的にいくつかに分割して、個々の基板として
用いてもよい。
【００１８】本発明で得られた基板は、表面に内部配線
となる配線パターンを形成したセラミック基板やガラス
基板等に積層してパッケージ（複合型パッケージ）とす
ることができる。このパッケージを半導体素子収納用の
キャビティを有する製品にする場合は、未焼成体材料を
注入する容器として容器内に断面が円形あるいは矩形の
筒状体を立設したものを使用し、金属線材を容器の軸線
方向に平行に配置した後、筒状体内に浸入しないように
容器内に未焼成体材料を注入し、容器ごと未焼成体材料
を焼成して焼成体を得る。基板は焼成体をスライスして
得られ、筒状体を設置した内部が貫通孔となった基板が
得られる。貫通孔の縁部は筒状体のスライス部によって
保持される。前記筒状体の材質としては、金属では銅、
ニッケルあるいはこれらを含有する合金、たとえば鉄−
コバルト−ニッケル合金、４２合金等が用いられる。セ
ラミックとしてはアルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム等が用いられる。
となる配線パターンを形成したセラミック基板やガラス
基板等に積層してパッケージ（複合型パッケージ）とす
ることができる。このパッケージを半導体素子収納用の
キャビティを有する製品にする場合は、未焼成体材料を
注入する容器として容器内に断面が円形あるいは矩形の
筒状体を立設したものを使用し、金属線材を容器の軸線
方向に平行に配置した後、筒状体内に浸入しないように
容器内に未焼成体材料を注入し、容器ごと未焼成体材料
を焼成して焼成体を得る。基板は焼成体をスライスして
得られ、筒状体を設置した内部が貫通孔となった基板が
得られる。貫通孔の縁部は筒状体のスライス部によって
保持される。前記筒状体の材質としては、金属では銅、
ニッケルあるいはこれらを含有する合金、たとえば鉄−
コバルト−ニッケル合金、４２合金等が用いられる。セ
ラミックとしてはアルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム等が用いられる。
【００１９】貫通孔の縁部を筒状体のスライス部分で保
持せず、単なる貫通孔を有する基板として得る場合は、
上記の金属あるいはセラミックの筒状体のかわりにグラ
ファイトまたは六方晶窒化ホウ素製の柱状体を容器内に
設置し、容器に未焼成体材料を注入して焼成した後、前
記柱状体を取り外すことにより、貫通孔を有する基板が
得られる。この場合、未焼成体材料の熱膨張係数が柱状
体より若干小さいと、焼成体と柱状体との界面にギャッ
プができるので、柱状体を容易に引き抜くことができ
る。
持せず、単なる貫通孔を有する基板として得る場合は、
上記の金属あるいはセラミックの筒状体のかわりにグラ
ファイトまたは六方晶窒化ホウ素製の柱状体を容器内に
設置し、容器に未焼成体材料を注入して焼成した後、前
記柱状体を取り外すことにより、貫通孔を有する基板が
得られる。この場合、未焼成体材料の熱膨張係数が柱状
体より若干小さいと、焼成体と柱状体との界面にギャッ
プができるので、柱状体を容易に引き抜くことができ
る。
【００２０】また、上記のように容器内に設置した柱状
体を取り外さずに前述した金属柱を用いた場合と同様に
そのまま残すことによって複合組成の基板を得ることが
できる。柱状体としてセラミック柱あるいはシリコン柱
を使用すると、ガラスを主体とする基板のマトリックス
部と機械的な物性差が小さいことから基板のスライスや
研磨が効率的にでき加工が容易になるという利点があ
る。また、セラミックあるいはシリコンとの複合組成の
基板は放熱性および熱的なストレス耐性に優れるという
利点がある。
体を取り外さずに前述した金属柱を用いた場合と同様に
そのまま残すことによって複合組成の基板を得ることが
できる。柱状体としてセラミック柱あるいはシリコン柱
を使用すると、ガラスを主体とする基板のマトリックス
部と機械的な物性差が小さいことから基板のスライスや
研磨が効率的にでき加工が容易になるという利点があ
る。また、セラミックあるいはシリコンとの複合組成の
基板は放熱性および熱的なストレス耐性に優れるという
利点がある。
【００２１】
（実施例１）熱膨張係数約 4.5×１０-6／℃、軟化点約
６４０℃のボロシリケートガラスの平均粒径約１６μｍ
の粉末をエタノール中に分散させた高濃度サスペンジョ
ンを、直径約0.24mmの銅ワイアからなる金属線材１０を
貫通させた径約１４cmの鉄製の容器１２内に満たし、沈
降充填後乾燥させ、未焼成体２２とした。（図１）。こ
れを容器１２ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度７００
℃で１時間焼成した後、容器１２を切断して焼成体２４
を取り出した。焼成体２４の外周には多くのクラックが
生じていたものの全て外周部に局在し、焼成体２４内部
に及ぶものはなかった。これを外周研削した後、金属配
線体２６に垂直に内周刃のスライサで厚さ約0.7 mmの基
板１４（図３）を切り出し、内部に大きな気孔やクラッ
ク特にビア２０周辺にクラックの発生していないことを
確認した。１８は金属線材１０を所定のパターンで貫通
させる貫通孔があけられた蓋体である。なお、金属線材
としてはニッケル、鉄、銀、金を用いることもできる。
６４０℃のボロシリケートガラスの平均粒径約１６μｍ
の粉末をエタノール中に分散させた高濃度サスペンジョ
ンを、直径約0.24mmの銅ワイアからなる金属線材１０を
貫通させた径約１４cmの鉄製の容器１２内に満たし、沈
降充填後乾燥させ、未焼成体２２とした。（図１）。こ
れを容器１２ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度７００
℃で１時間焼成した後、容器１２を切断して焼成体２４
を取り出した。焼成体２４の外周には多くのクラックが
生じていたものの全て外周部に局在し、焼成体２４内部
に及ぶものはなかった。これを外周研削した後、金属配
線体２６に垂直に内周刃のスライサで厚さ約0.7 mmの基
板１４（図３）を切り出し、内部に大きな気孔やクラッ
ク特にビア２０周辺にクラックの発生していないことを
確認した。１８は金属線材１０を所定のパターンで貫通
させる貫通孔があけられた蓋体である。なお、金属線材
としてはニッケル、鉄、銀、金を用いることもできる。
【００２２】（実施例２）熱膨張係数約 6.5×１０-6／
℃、軟化点約８５０℃のCaO-BaO-SiO2系ガラスの平均粒
径約１５μｍの粉末をエタノール中に分散させた高濃度
サスペンジョンを、直径約0.24mmの銅ワイアからなる金
属線材を貫通させた直径９cmのアルミナセラミック製円
筒型容器内に満たし、沈降充填後乾燥させ、未焼成体と
した。これをアルミナセラミック容器のままドライＮ2
雰囲気中、最高温度１０２０℃で１時間焼成し、焼成体
とした。アルミナセラミック製容器および焼成体共にク
ラックの発生はみられなかった。これをアルミナセラミ
ック製容器ごと金属配線体に垂直に内周刃のスライサで
厚さ約0.7 mmの基板を切り出し、内部に大きな気孔やク
ラック、特にビア周辺にクラックの発生していないこと
を確認した。なお、金属線材としてはニッケル、鉄、金
を用いることもできる。
℃、軟化点約８５０℃のCaO-BaO-SiO2系ガラスの平均粒
径約１５μｍの粉末をエタノール中に分散させた高濃度
サスペンジョンを、直径約0.24mmの銅ワイアからなる金
属線材を貫通させた直径９cmのアルミナセラミック製円
筒型容器内に満たし、沈降充填後乾燥させ、未焼成体と
した。これをアルミナセラミック容器のままドライＮ2
雰囲気中、最高温度１０２０℃で１時間焼成し、焼成体
とした。アルミナセラミック製容器および焼成体共にク
ラックの発生はみられなかった。これをアルミナセラミ
ック製容器ごと金属配線体に垂直に内周刃のスライサで
厚さ約0.7 mmの基板を切り出し、内部に大きな気孔やク
ラック、特にビア周辺にクラックの発生していないこと
を確認した。なお、金属線材としてはニッケル、鉄、金
を用いることもできる。
【００２３】（実施例３）実施例２と同様のガラス粉サ
スペンジョンを直径約0.24mmの銅ワイアからなる金属線
材１０と直径約１０mmの銅−タングステン複合（銅２０
％）からなる金属柱１６を貫通した径約１４cmの鉄製の
容器１２内に満たし、沈降充填後乾燥させ、未焼成体２
２とした（図４）。これを実施例２と同様にして焼成
し、厚さ約1.0 mmの基板１４（図５）を切り出し、内部
にクラック等の欠陥が生じていないことを確認した。
スペンジョンを直径約0.24mmの銅ワイアからなる金属線
材１０と直径約１０mmの銅−タングステン複合（銅２０
％）からなる金属柱１６を貫通した径約１４cmの鉄製の
容器１２内に満たし、沈降充填後乾燥させ、未焼成体２
２とした（図４）。これを実施例２と同様にして焼成
し、厚さ約1.0 mmの基板１４（図５）を切り出し、内部
にクラック等の欠陥が生じていないことを確認した。
【００２４】（実施例４）実施例２で使用したと同じガ
ラス粉に平均粒系約０．６μｍのアルミナ粉を１０体積
％混ぜ、均一サスペンジョンとした。これを、直径約0.
24mmの銅ワイヤからなる金属線材を貫通した内径約１０
cmの窒化ホウ素セラミック製円筒型容器内に満たし、沈
降充填後乾燥させ、未焼成体とした。これを窒化ホウ素
容器ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９８０℃で２時
間焼成し、焼成体とした。得られた焼成体を窒化ホウ素
容器から取り出した後、実施例２と同様に切断して基板
を得た。基板は内部に大きな気孔やクラックの発生がな
いことを確認した。このようにアルミナ粉を混ぜること
によって基板の強度を向上させることができる。
ラス粉に平均粒系約０．６μｍのアルミナ粉を１０体積
％混ぜ、均一サスペンジョンとした。これを、直径約0.
24mmの銅ワイヤからなる金属線材を貫通した内径約１０
cmの窒化ホウ素セラミック製円筒型容器内に満たし、沈
降充填後乾燥させ、未焼成体とした。これを窒化ホウ素
容器ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９８０℃で２時
間焼成し、焼成体とした。得られた焼成体を窒化ホウ素
容器から取り出した後、実施例２と同様に切断して基板
を得た。基板は内部に大きな気孔やクラックの発生がな
いことを確認した。このようにアルミナ粉を混ぜること
によって基板の強度を向上させることができる。
【００２５】（実施例５）熱膨張係数約 6.6×１０-6／
℃、軟化点約８５０℃のCaO-BaO-SiO2系ガラスの平均粒
径約１５μｍの粉末をエタノール中に分散させた高濃度
サスペンジョンを、直径約0.3mm の銅ワイアからなる金
属線材１０と肉厚約0.8mm で約１７mm角のアルミナセラ
ミックの筒状体３０を立設した内径約１０cmのアルミナ
セラミック製の円筒型の容器１２内に満たし、沈降充填
後乾燥させ、未焼成体２２とした（図６）。これを容器
１２ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９６０℃で３時
間焼成し、焼成体を得た。これをアルミナセラミック製
の容器１２ごと前記金属線材１０に垂直に内周刃のスラ
イサで厚さ約0.5 mmの基板１４を切り出し、クラック等
の不良が発生していないことを確認した（図７）。基板
の貫通孔３２はアルミナセラミックの筒状体３０のスラ
イス部３０ａによって保持されている。
℃、軟化点約８５０℃のCaO-BaO-SiO2系ガラスの平均粒
径約１５μｍの粉末をエタノール中に分散させた高濃度
サスペンジョンを、直径約0.3mm の銅ワイアからなる金
属線材１０と肉厚約0.8mm で約１７mm角のアルミナセラ
ミックの筒状体３０を立設した内径約１０cmのアルミナ
セラミック製の円筒型の容器１２内に満たし、沈降充填
後乾燥させ、未焼成体２２とした（図６）。これを容器
１２ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９６０℃で３時
間焼成し、焼成体を得た。これをアルミナセラミック製
の容器１２ごと前記金属線材１０に垂直に内周刃のスラ
イサで厚さ約0.5 mmの基板１４を切り出し、クラック等
の不良が発生していないことを確認した（図７）。基板
の貫通孔３２はアルミナセラミックの筒状体３０のスラ
イス部３０ａによって保持されている。
【００２６】（実施例６）熱膨張係数約 4.5×１０-6／
℃、軟化点約６４０℃のボロシリケートガラスの平均粒
径約１６μｍの粉末と柱状体として約１７mm角のグラフ
ァイト柱を使用した他は実施例５と同様にしてアルミナ
セラミック製円筒型容器内に高濃度サスペンジョンを満
たし、未焼成体とした。この未焼成体を容器ごとドライ
Ｎ2 雰囲気中、最高温度７００℃で２時間焼成し、焼成
体を得た。焼成体からグラファイトの柱状体を引き抜
き、実施例５と同様にスライスし、貫通孔３２を有する
基板１４を得た（図８）。基板１４の内部にクラック等
の不良が発生していないことを確認した。
℃、軟化点約６４０℃のボロシリケートガラスの平均粒
径約１６μｍの粉末と柱状体として約１７mm角のグラフ
ァイト柱を使用した他は実施例５と同様にしてアルミナ
セラミック製円筒型容器内に高濃度サスペンジョンを満
たし、未焼成体とした。この未焼成体を容器ごとドライ
Ｎ2 雰囲気中、最高温度７００℃で２時間焼成し、焼成
体を得た。焼成体からグラファイトの柱状体を引き抜
き、実施例５と同様にスライスし、貫通孔３２を有する
基板１４を得た（図８）。基板１４の内部にクラック等
の不良が発生していないことを確認した。
【００２７】（実施例７）柱状体として約１７mm角の９
９％アルミナセラミック柱を使用し、円筒型容器として
窒化ホウ素容器を使用した他は実施例５と同様に、アル
ミナセラミック製円筒型容器内に高濃度サスペンジョン
を満たし、沈降充填後乾燥させ未焼成体とした。これを
窒化ホウ素容器ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９６
０℃で３時間焼成し、焼成体を得た。これを容器ごと前
記銅ワイヤに垂直に内周刃のスライサで厚さ約0.7 mmの
基板を切り出した。基板内部に大きな気孔やクラック、
とくに銅ビアおよびアルミナセラミック部の周辺にクラ
ックが発生していないことを確認した。
９％アルミナセラミック柱を使用し、円筒型容器として
窒化ホウ素容器を使用した他は実施例５と同様に、アル
ミナセラミック製円筒型容器内に高濃度サスペンジョン
を満たし、沈降充填後乾燥させ未焼成体とした。これを
窒化ホウ素容器ごとドライＮ2 雰囲気中、最高温度９６
０℃で３時間焼成し、焼成体を得た。これを容器ごと前
記銅ワイヤに垂直に内周刃のスライサで厚さ約0.7 mmの
基板を切り出した。基板内部に大きな気孔やクラック、
とくに銅ビアおよびアルミナセラミック部の周辺にクラ
ックが発生していないことを確認した。
【００２８】（実施例８）柱状体として約１７mm角の９
７％窒化アルミニウムセラミック柱を使用し、円筒型容
器として窒化ホウ素容器を使用した他は実施例６と同様
にして未焼成体を作製し、これをドライＮ2 雰囲気中、
最高温度７００℃で２時間焼成し、焼成体を得た。実施
例６と同様にして焼成体をスライスして基板を得た。得
られた基板の内部にクラック等が発生していないことを
確認した。
７％窒化アルミニウムセラミック柱を使用し、円筒型容
器として窒化ホウ素容器を使用した他は実施例６と同様
にして未焼成体を作製し、これをドライＮ2 雰囲気中、
最高温度７００℃で２時間焼成し、焼成体を得た。実施
例６と同様にして焼成体をスライスして基板を得た。得
られた基板の内部にクラック等が発生していないことを
確認した。
【００２９】（実施例９）熱膨張係数約 2.6×１０-6／
℃、軟化点約８３０℃のボロシリケートガラスの最大粒
径約６０μｍの粉末に平均粒径約０．６μｍのアルミナ
粉を１０体積パーセント加えた混合粉末と、約１７mm角
のシリコーン単結晶柱と、内径約１０cmのグラファイト
製円筒型容器を用いて、実施例６と同様にして未焼成体
を得た後、ドライＮ2 雰囲気中、最高温度９８０℃で３
時間焼成し、焼成体を得た。これを実施例６と同様にス
ライスして基板を得た。基板に大きな気孔やクラック等
が発生していないことを確認した。
℃、軟化点約８３０℃のボロシリケートガラスの最大粒
径約６０μｍの粉末に平均粒径約０．６μｍのアルミナ
粉を１０体積パーセント加えた混合粉末と、約１７mm角
のシリコーン単結晶柱と、内径約１０cmのグラファイト
製円筒型容器を用いて、実施例６と同様にして未焼成体
を得た後、ドライＮ2 雰囲気中、最高温度９８０℃で３
時間焼成し、焼成体を得た。これを実施例６と同様にス
ライスして基板を得た。基板に大きな気孔やクラック等
が発生していないことを確認した。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、位置精度の良いビアあ
るいはビアと放熱用金属柱を有する基板が従来法より著
しく単純でかつ短い製造工程で得られ、しかも工程当た
りに得られる基板の取れ数が多いので、製造コストを大
幅に下げることができる。また、ビアはグリーンシート
を積層接続して形成されているのではなく、金属配線体
を切断して得られているので積層ズレによる導通不良の
問題がなく、また得られる基板の形状や寸法精度等の再
現性も良い。また、基板毎に焼成されているのではなく
焼成後の切り出しによって基板が得られるので、反りの
問題がなく、歩留りも高い。また、半導体素子等を搭載
するための貫通孔を有する基板や放熱性、熱ストレス耐
性に優れたセラミックあるいはシリコンとの複合型の基
板を容易に得ることができる。
るいはビアと放熱用金属柱を有する基板が従来法より著
しく単純でかつ短い製造工程で得られ、しかも工程当た
りに得られる基板の取れ数が多いので、製造コストを大
幅に下げることができる。また、ビアはグリーンシート
を積層接続して形成されているのではなく、金属配線体
を切断して得られているので積層ズレによる導通不良の
問題がなく、また得られる基板の形状や寸法精度等の再
現性も良い。また、基板毎に焼成されているのではなく
焼成後の切り出しによって基板が得られるので、反りの
問題がなく、歩留りも高い。また、半導体素子等を搭載
するための貫通孔を有する基板や放熱性、熱ストレス耐
性に優れたセラミックあるいはシリコンとの複合型の基
板を容易に得ることができる。
【図１】未焼成体を成形する状況の説明図である。
【図２】焼成体の説明図である。
【図３】切りだした基板の説明図である。
【図４】他の実施例を示す説明図である。
【図５】図４の実施例における切りだした基板の説明図
である。
である。
【図６】未焼成体を成形する状況の説明図である。
【図７】図６における切り出した基板の説明図である。
【図８】実施例６で切り出した基板の説明図である。
１０ 金属線材
１２ 容器
１４ 基板
１６ 金属柱
１８ 蓋体
２０ ビア
２２ 未焼成体
２４ 焼成体
２６ 金属配線体
３０ 筒状体
３２ 貫通孔
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｑ
(56)参考文献 特開 昭59−87893（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−139345（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12 - 23/15
C04B 35/495
Claims (17)
- 【請求項１】 絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成体で
あって、 内部にその軸線に平行な金属配線体を有し、 該金属配線体は、該焼成体の焼成温度よりも高い融点を
有し、 前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも高い温
度で焼成されてなることを特徴とする基板製造用焼成
体。 - 【請求項２】 金属配線体とともに内部にその軸線に平
行な柱状体を有しており、該柱状体は、該焼成体の焼成
温度よりも高い融点を有することを特徴とする請求項１
記載の基板製造用焼成体。 - 【請求項３】 絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成体で
あって、 内部にその軸線に平行な金属配線体を有するとともに、
金属またはセラミックからなる筒状体を有し、前記金属
配線体および筒状体は、前記焼成体の焼成温度よりも高
い融点を有し、 前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも高い温
度で焼成されてなることを特徴とする基板製造用焼成
体。 - 【請求項４】 柱状体が金属柱であることを特徴とする
請求項２記載の基板製造用焼成体。 - 【請求項５】 柱状体がセラミック柱またはシリコン柱
であることを特徴とする請求項２記載の基板製造用焼成
体。 - 【請求項６】 絶縁基体を焼成して成る柱状の焼成体で
あって、 内部にその軸線に平行な金属配線体を有するとともに、
軸線方向に平行な貫通孔が設けられ、前記金属配線体
は、前記焼成体の焼成温度よりも高い融点を有し、 前記絶縁基体の融点、流動点または軟化点よりも高い温
度で焼成されてなることを特徴とする基板製造用焼成
体。 - 【請求項７】 金属配線体は、銅、ニッケル、鉄、銀、
金またはこれらのいずれか一種以上を主成分とする金属
からなることを特徴とする請求項１、２、３、６に記載
の基板製造用焼成体。 - 【請求項８】 金属柱は、銅、ニッケル、鉄、タングス
テン、モリブデンまたはこれらのいずれか一種以上を主
成分とする金属からなることを特徴とする請求項４記載
の基板製造用焼成体。 - 【請求項９】 柱状の焼成体は円柱状または角柱状であ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７
または８記載の基板製造用焼成体。 - 【請求項１０】 絶縁基体の主成分は、結晶化ガラスま
たは非晶質ガラスであることを特徴とする請求項１、
２、３、４、５、６、７または８記載の基板製造用焼成
体。 - 【請求項１１】 焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
する金属からなる金属線材を、内部にその軸線に平行に
埋設した柱状の未焼成体を成形し、 該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点また
は軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体と
した後、 該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断
することを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項１２】 焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
する金属からなる金属線材を、該焼成体の焼成温度より
も高い融点を有する金属柱、セラミック柱またはシリコ
ン柱の柱状体とともに内部にその軸線に平行に埋設した
柱状の未焼成体を成形し、 該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点また
は軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体と
した後、 該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断
することを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項１３】 焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
する金属からなる金属線材を、該焼成体の焼成温度より
も高い融点を有する金属またはセラミックからなる筒状
体とともに内部にその軸線に平行に埋設した柱状の未焼
成体を成形し、 該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点また
は軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体と
した後、 該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断
することを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項１４】 焼成体の焼成温度よりも高い融点を有
する金属からなる金属線材を、該焼成体の焼成温度より
も高い融点を有する柱状体とともに内部にその軸線に平
行に埋設した柱状の未焼成体を成形し、 該未焼成体を該未焼成体の絶縁基体の融点、流動点また
は軟化点よりも高い温度で焼成して基板製造用焼成体と
した後、該焼成体から前記柱状体を除去し、 該焼成体をその軸線に垂直な方向から所要の厚さに切断
することを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項１５】 柱状の未焼成体を容器中に成形し、該
容器と共に焼成することを特徴とする請求項１１、１
２、１３または１４記載の基板の製造方法。 - 【請求項１６】 容器は、銅、ニッケル、鉄またはこれ
らのいずれか一種以上を主成分とする金属、もしくはア
ルミナ、ムライトまたは窒化ホウ素のいずれかのセラミ
ックス、もしくはグラファイトからなることを特徴とす
る請求項１５記載の基板の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９または１０記載の基板製造用焼成体をその軸線に
垂直な方向から所要の厚さに切断して、表面に金属配線
体が露出する板状に形成したことを特徴とする基板。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03349995A JP3442895B2 (ja) | 1994-07-04 | 1995-02-22 | 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法 |
| US08/493,616 US5733640A (en) | 1994-07-04 | 1995-06-22 | Fired body for manufacturing a substrate |
| EP00309912A EP1083594A3 (en) | 1994-07-04 | 1995-06-22 | Fired body for and manufacture of a substrate |
| EP95304382A EP0691682B1 (en) | 1994-07-04 | 1995-06-22 | Fired body for and manufacture of a substrate |
| DE69529366T DE69529366T2 (de) | 1994-07-04 | 1995-06-22 | Sinterteil für und Herstellung eines Substrates |
| KR1019950018701A KR100190980B1 (ko) | 1994-07-04 | 1995-06-30 | 기판제조용 소성체기판 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15236694 | 1994-07-04 | ||
| JP6-152366 | 1994-07-04 | ||
| JP03349995A JP3442895B2 (ja) | 1994-07-04 | 1995-02-22 | 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878580A JPH0878580A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3442895B2 true JP3442895B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=26372205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03349995A Expired - Fee Related JP3442895B2 (ja) | 1994-07-04 | 1995-02-22 | 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5733640A (ja) |
| EP (2) | EP0691682B1 (ja) |
| JP (1) | JP3442895B2 (ja) |
| KR (1) | KR100190980B1 (ja) |
| DE (1) | DE69529366T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3483012B2 (ja) * | 1994-07-01 | 2004-01-06 | 新光電気工業株式会社 | セラミック基板製造用焼結体、セラミック基板およびその製造方法 |
| US5919546A (en) * | 1995-06-22 | 1999-07-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Porous ceramic impregnated wiring body |
| US5785538A (en) * | 1995-11-27 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | High density test probe with rigid surface structure |
| US6162064A (en) * | 1997-10-27 | 2000-12-19 | Motorola | Method and apparatus for elastomer connection between a bonding shelf and a substrate |
| CA2295576A1 (en) | 1998-05-06 | 1999-11-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Substrate material for printed circuit, process for production thereof, and intermediate block for said substrate material |
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| US6528145B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Polymer and ceramic composite electronic substrates |
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| JP2012019108A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US2189340A (en) * | 1938-03-31 | 1940-02-06 | Rca Corp | Mosaic electrode manufacture |
| DE1227965C2 (de) * | 1961-08-25 | 1974-05-22 | Telefunken Patent | Mikrominiaturisierte Schaltungsanordnung |
| NL6705847A (ja) * | 1967-04-26 | 1968-10-28 | ||
| US4209481A (en) * | 1976-04-19 | 1980-06-24 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an anisotropically electroconductive sheet |
| JPS5987893A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-21 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法およびそれを用いた半導体装置 |
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-
1995
- 1995-02-22 JP JP03349995A patent/JP3442895B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-22 US US08/493,616 patent/US5733640A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-22 DE DE69529366T patent/DE69529366T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-22 EP EP95304382A patent/EP0691682B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-22 EP EP00309912A patent/EP1083594A3/en not_active Withdrawn
- 1995-06-30 KR KR1019950018701A patent/KR100190980B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0878580A (ja) | 1996-03-22 |
| US5733640A (en) | 1998-03-31 |
| KR100190980B1 (ko) | 1999-06-15 |
| DE69529366T2 (de) | 2003-09-04 |
| EP1083594A3 (en) | 2002-04-17 |
| EP1083594A2 (en) | 2001-03-14 |
| KR960005964A (ko) | 1996-02-23 |
| EP0691682B1 (en) | 2003-01-15 |
| DE69529366D1 (de) | 2003-02-20 |
| EP0691682A3 (en) | 1996-08-07 |
| EP0691682A2 (en) | 1996-01-10 |
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