JPH02267989A - セラミック回路基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02267989A JPH02267989A JP8950589A JP8950589A JPH02267989A JP H02267989 A JPH02267989 A JP H02267989A JP 8950589 A JP8950589 A JP 8950589A JP 8950589 A JP8950589 A JP 8950589A JP H02267989 A JPH02267989 A JP H02267989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic circuit
- thin film
- circuit board
- holes
- film conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、LSIペアチップ、受動素子等の電子部品が
配設されるセラミック回路基板およびその製造方法に関
する。
配設されるセラミック回路基板およびその製造方法に関
する。
[従来の技術]
近時、電子回路が形成される回路基板にあっては、抗折
強度、熱拡散率、さらにアナログ/デジタル混成回路化
に伴う高周波数およびパルス伝送特性に係る誘電率等の
優位性の深化からセラミック回路基板が多用される。
強度、熱拡散率、さらにアナログ/デジタル混成回路化
に伴う高周波数およびパルス伝送特性に係る誘電率等の
優位性の深化からセラミック回路基板が多用される。
この種のセラミック回路基板およびその製造方法では、
グリーンシートにレーザパンチングマシーンあるいは金
型プレス等を用いて所定位置に複数の貫通孔が形成され
た後、スクリーン印刷等で貫通孔に導体ペーストを充填
せしめて接続導体(以後、必要に応じてスルーホールと
記載する)が形成される。この後、前記接続導体に電気
的に接続される導体パターン(配線パターン)を形成し
、且つ焼成を行い、さらにメツキ処理、薄膜導体の形成
等を行いセラミック回路基板を完成するのが一般的であ
る。
グリーンシートにレーザパンチングマシーンあるいは金
型プレス等を用いて所定位置に複数の貫通孔が形成され
た後、スクリーン印刷等で貫通孔に導体ペーストを充填
せしめて接続導体(以後、必要に応じてスルーホールと
記載する)が形成される。この後、前記接続導体に電気
的に接続される導体パターン(配線パターン)を形成し
、且つ焼成を行い、さらにメツキ処理、薄膜導体の形成
等を行いセラミック回路基板を完成するのが一般的であ
る。
[発明が解決しようとする課題]
然しなから、上記の従来の技術に係るセラミック回路基
板およびその製造方法においては、貫通孔の形成加工に
レーザパンチング、金型プレス等を用いるため、スルー
ホールの穴径を100μm以下に形成することは現状の
技術においては困難である。また、接続導体として導体
ペーストが採用される。そのため、スクリーン印刷によ
る導体ペーストの充填の際に接続導体に気泡状空間が形
成され易い。このため、良好な導通を維持するためには
微細、すなわち、小径の接続導体の形成が比較的困難と
なる。また薄膜パターンの形成のための研磨が行われる
際に、前記気泡状空間、すなわち、導体の欠落部分が表
面に露呈して、例えば、エツチング液の浸透を生起し、
薄膜パターンの形成に不都合を伴う夫々の欠点を露呈し
ている。
板およびその製造方法においては、貫通孔の形成加工に
レーザパンチング、金型プレス等を用いるため、スルー
ホールの穴径を100μm以下に形成することは現状の
技術においては困難である。また、接続導体として導体
ペーストが採用される。そのため、スクリーン印刷によ
る導体ペーストの充填の際に接続導体に気泡状空間が形
成され易い。このため、良好な導通を維持するためには
微細、すなわち、小径の接続導体の形成が比較的困難と
なる。また薄膜パターンの形成のための研磨が行われる
際に、前記気泡状空間、すなわち、導体の欠落部分が表
面に露呈して、例えば、エツチング液の浸透を生起し、
薄膜パターンの形成に不都合を伴う夫々の欠点を露呈し
ている。
本発明は係る点に鑑みてなされたものであって、金属線
あるいは金属部材を用いてより微細な接続導体を形成せ
しめ、且つ表面粗さをより改善し、これにより薄膜の導
体パターンの配設の自由度が向上すると共に、その製造
工程が簡素化し、また、均一な品質が得られ、且つ多量
生産が可能となるセラミック回路基板およびその製造方
法を提供することを目的とする。
あるいは金属部材を用いてより微細な接続導体を形成せ
しめ、且つ表面粗さをより改善し、これにより薄膜の導
体パターンの配設の自由度が向上すると共に、その製造
工程が簡素化し、また、均一な品質が得られ、且つ多量
生産が可能となるセラミック回路基板およびその製造方
法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
前記の課題を解決するために、本発明はセラミック基体
の一方の面および他方の面が所定の表面粗さをもって形
成されると共に金属部材が貫通して形成される複数の接
続導体と、当該複数の接続導体に接続されて前記一方の
面および他方の面上に形成される複数の厚膜および/ま
たは薄膜の導体パターンとを具備することを特徴とする
。
の一方の面および他方の面が所定の表面粗さをもって形
成されると共に金属部材が貫通して形成される複数の接
続導体と、当該複数の接続導体に接続されて前記一方の
面および他方の面上に形成される複数の厚膜および/ま
たは薄膜の導体パターンとを具備することを特徴とする
。
また、本発明は金属線を挟持した複数のグリーンシート
が積層されてグリーンシート積層体が形成されると共に
、当該グリーンシート積層体を金属線の長手方向に直交
して所定の厚さに切離せしめ、且つ切離されたグリーン
シートを焼結し、次いで、焼結された基板の表面を微細
研磨を行い、さらに前記研磨されたグリーンシートに厚
膜および/または薄膜の導体パターンを形成することを
特徴とする。
が積層されてグリーンシート積層体が形成されると共に
、当該グリーンシート積層体を金属線の長手方向に直交
して所定の厚さに切離せしめ、且つ切離されたグリーン
シートを焼結し、次いで、焼結された基板の表面を微細
研磨を行い、さらに前記研磨されたグリーンシートに厚
膜および/または薄膜の導体パターンを形成することを
特徴とする。
さらに、本発明はグリーンシートの所定位置に複数の貫
通孔が形成された後、金属部材を前記貫通孔に挿通せし
めると共に焼結し、次いで、前記焼結された基板の表面
を微細研磨を行い、さらに前記研磨されたグリーンシー
トに厚膜および/または薄膜の導体パターンを形成する
ことを特徴とする。
通孔が形成された後、金属部材を前記貫通孔に挿通せし
めると共に焼結し、次いで、前記焼結された基板の表面
を微細研磨を行い、さらに前記研磨されたグリーンシー
トに厚膜および/または薄膜の導体パターンを形成する
ことを特徴とする。
[作用]
本発明に係るセラミック回路基板およびその製造方法に
おいては、金属線あるいは金属部材を用いることにより
微細な接続導体が形成され、さらに作製された複数のグ
リーンシートに、スルーホールの接続導体となる金属線
を載置して、比較的低い温度および圧力で接合した後、
金属線の長手方向に直交してスライス状に切離し、ある
いは夫々のグリーンシートに複数の貫通孔を形成し、当
該貫通孔に金属部材を挿通せしめて接続導体を形成して
焼成を行い、且つその表面粗さを薄膜導体パターンが形
成可能な程度としている。これにより、微細且つ薄膜の
導体パターンの配設の自由度が向上すると共に、その製
造工程が簡素化し、また、均一な品質が得られ、且つ多
量生産が可能となる。
おいては、金属線あるいは金属部材を用いることにより
微細な接続導体が形成され、さらに作製された複数のグ
リーンシートに、スルーホールの接続導体となる金属線
を載置して、比較的低い温度および圧力で接合した後、
金属線の長手方向に直交してスライス状に切離し、ある
いは夫々のグリーンシートに複数の貫通孔を形成し、当
該貫通孔に金属部材を挿通せしめて接続導体を形成して
焼成を行い、且つその表面粗さを薄膜導体パターンが形
成可能な程度としている。これにより、微細且つ薄膜の
導体パターンの配設の自由度が向上すると共に、その製
造工程が簡素化し、また、均一な品質が得られ、且つ多
量生産が可能となる。
[実施例]
次に、本発明に係るセラミック回路基板およびその製造
方法の実施例を添付の図面を参照して以下詳細に説明す
る。なお、文中および図面において、共通の構成要素に
は共通の参照符号を付し、その重複した説明は省略する
。また、理解を容易にするため、先ず、セラミック回路
基板の製造方法を説明し、次に、製造されたセラミック
回路基板を説明する。
方法の実施例を添付の図面を参照して以下詳細に説明す
る。なお、文中および図面において、共通の構成要素に
は共通の参照符号を付し、その重複した説明は省略する
。また、理解を容易にするため、先ず、セラミック回路
基板の製造方法を説明し、次に、製造されたセラミック
回路基板を説明する。
第1図に示される例は、工程(a)において、以下に示
される組成およびアクリルバインダ、可塑材等をもって
作製した、200枚の未焼結の基体であるグリーンシー
トG、 、G、乃至G。
される組成およびアクリルバインダ、可塑材等をもって
作製した、200枚の未焼結の基体であるグリーンシー
トG、 、G、乃至G。
をアルミナポットによりスラリ化し、且つドクタブレー
ド法を用いて均一な厚さ、例えば、500μmに形成し
、この後、金型による打ち抜きにおいて、60X60
(mm)に切断する。さらにスルーホール(接続導体)
となる、例えば、直径50μmのCu 、Au SAg
、Ag−Pa等のいずれか、または組み合わせに係る
金属線り3、L、、H3、L、、H3、H6乃至Lnを
グリーンシートG2乃至G0に載置する。
ド法を用いて均一な厚さ、例えば、500μmに形成し
、この後、金型による打ち抜きにおいて、60X60
(mm)に切断する。さらにスルーホール(接続導体)
となる、例えば、直径50μmのCu 、Au SAg
、Ag−Pa等のいずれか、または組み合わせに係る
金属線り3、L、、H3、L、、H3、H6乃至Lnを
グリーンシートG2乃至G0に載置する。
グリーンシートG1乃至G、の組成
アルミナ 30 wt%
ホウケイ酸ガラス 40 wt%
石英ガラス 30両t%
次に、工程ら)において、100℃で且つ200kg/
CrB’でプレスしてグリーンシートG、 、G2乃
至G。を厚さ60mmに形成してグリーンシート積層体
Gaを作製する。
CrB’でプレスしてグリーンシートG、 、G2乃
至G。を厚さ60mmに形成してグリーンシート積層体
Gaを作製する。
次に、工程(C)において、グリーンシート積層体Ga
を金属線り、 、L、 、L、 、L、 、H3、H6
乃至り。の長手方向に直交して所定寸法、例えば、厚さ
500μmにスライスする。その際、例えば、ダイヤモ
ンドカッターを用いてグI) −ンシー)16a、16
b等に切離する。さらに、切離されたグリーンシーH6
aS16b等を前記温度および圧力より高い値、例えば
、窒素雰囲気中、最高1000℃をもって焼結せしめる
。
を金属線り、 、L、 、L、 、L、 、H3、H6
乃至り。の長手方向に直交して所定寸法、例えば、厚さ
500μmにスライスする。その際、例えば、ダイヤモ
ンドカッターを用いてグI) −ンシー)16a、16
b等に切離する。さらに、切離されたグリーンシーH6
aS16b等を前記温度および圧力より高い値、例えば
、窒素雰囲気中、最高1000℃をもって焼結せしめる
。
また、工程(d)において、焼成された表面粗さ0.5
μmRa程度の基板17a、17b等の表面を微細研磨
、例えば、ダイヤモンド粒研磨において、表面粗さ0.
05μmRaに形成せしめる。なお1、以降においては
基板17bのみで説明する。
μmRa程度の基板17a、17b等の表面を微細研磨
、例えば、ダイヤモンド粒研磨において、表面粗さ0.
05μmRaに形成せしめる。なお1、以降においては
基板17bのみで説明する。
この場合、図示されるように、基板17bの基体が収縮
し、金属線が表面より突出するが、表面の微細研磨にお
いて同時に削除して均一面に形成する。さらに、前記研
磨された基板17bに所定の回路を構成すべく薄膜導体
パターン18a、18b、18c等が形成されてセラミ
ック回路基板を完成する。
し、金属線が表面より突出するが、表面の微細研磨にお
いて同時に削除して均一面に形成する。さらに、前記研
磨された基板17bに所定の回路を構成すべく薄膜導体
パターン18a、18b、18c等が形成されてセラミ
ック回路基板を完成する。
なお、他の実施例として、下記の組成であるコージュラ
イト結晶ガラス100重量部と、さらにアクリルバイン
ダ、トルエン、分散剤をアルミナポットによりスラリ化
し、且つドクタブレード法を用いて均一なグリーンシー
トG1、G、乃至G。を作製した。しかも金属線L1、
H2、H3、H4、H6、H6乃至Lnに直径50μm
のAu線を採用し、また空気雰囲気中で、最高950℃
において焼成せしめ、さらに研磨により表面粗さ0.0
2μmRaに形成することも可能であることがft1K
忍された。
イト結晶ガラス100重量部と、さらにアクリルバイン
ダ、トルエン、分散剤をアルミナポットによりスラリ化
し、且つドクタブレード法を用いて均一なグリーンシー
トG1、G、乃至G。を作製した。しかも金属線L1、
H2、H3、H4、H6、H6乃至Lnに直径50μm
のAu線を採用し、また空気雰囲気中で、最高950℃
において焼成せしめ、さらに研磨により表面粗さ0.0
2μmRaに形成することも可能であることがft1K
忍された。
他のグリーンシー) G +乃至Ghの組成5i02
48wt% Aβ203 33wt% Mg0 12 wt% B20a 5ivt%TlO22wt
% 次に、第2図を参照して、セラミック回路基板の製造方
法の他の実施例を説明する。この例では、工程(f)に
おいて、以下に示される組成およびアクリルバインダ、
可塑材等をもって作製した未焼結の基体であるグリーン
シート20をアルミナポットによりスリラ化し、さらに
ドクタブレード法を用いて均一な厚さ、例えば、250
μmに形成した後、金型による打ち抜きにおいて、例え
ば、60X60 (aun)に切断する。
48wt% Aβ203 33wt% Mg0 12 wt% B20a 5ivt%TlO22wt
% 次に、第2図を参照して、セラミック回路基板の製造方
法の他の実施例を説明する。この例では、工程(f)に
おいて、以下に示される組成およびアクリルバインダ、
可塑材等をもって作製した未焼結の基体であるグリーン
シート20をアルミナポットによりスリラ化し、さらに
ドクタブレード法を用いて均一な厚さ、例えば、250
μmに形成した後、金型による打ち抜きにおいて、例え
ば、60X60 (aun)に切断する。
グリーンシート20の組成
アルミナ 30 wt%
ホウケイ酸ガラス 4o wt%
石英ガラス 30 wt%
次に、工程((至)において、グリーンシート20にレ
ザーパンチング、あるいは金型プレス等を用いて、例え
ば、直径100μmの貫通孔22a、22bを形成する
。
ザーパンチング、あるいは金型プレス等を用いて、例え
ば、直径100μmの貫通孔22a、22bを形成する
。
さらに、工程(社)において、前記貫通孔22a122
bにAgの金属部材24a、24bを自動機を用いて挿
通せしめる。
bにAgの金属部材24a、24bを自動機を用いて挿
通せしめる。
また、工程(i)において、前記グリーンシート20を
空気雰囲気中、最高850℃をもって焼結し、さらに焼
結された表面粗さ0.5μmRa程度の基板21の表面
を微細研磨、例えば、ダイヤモンド粒研磨を行って、表
面粗さ0.05μmRaに形成せしめる。
空気雰囲気中、最高850℃をもって焼結し、さらに焼
結された表面粗さ0.5μmRa程度の基板21の表面
を微細研磨、例えば、ダイヤモンド粒研磨を行って、表
面粗さ0.05μmRaに形成せしめる。
この場合、図示されるように、基板210表面より突出
した金属部材24a、24bが微細研磨において同時に
均−面に形成される。この後、研磨された基板21に所
定の回路を構成すべく薄膜導体パターンを形成してセラ
ミック回路基板が形成される。
した金属部材24a、24bが微細研磨において同時に
均−面に形成される。この後、研磨された基板21に所
定の回路を構成すべく薄膜導体パターンを形成してセラ
ミック回路基板が形成される。
以上のようなセラミック回路基板の製造方法においでは
均一な品質が得られ、且つ多量生産が可能になると共に
、製造工程が簡素化される。
均一な品質が得られ、且つ多量生産が可能になると共に
、製造工程が簡素化される。
次に、上記のセラミック回路基板の製造方法によって作
製されたセラミック回路基板の一例を第3図に示す。こ
の例は基板30の一方および他方の面31a、31bの
貫通孔32a、32bおよび32cに、前記した金属線
あるいは金属部材でなる直径50μm以下の接続導体3
4a、34bおよび34cが配設されている。さらに、
一方の面31aには接続導体34a、34bおよび34
cと導通゛する導体パターン36a、36bおよび36
cが形成されている。さらに他方の面31bには接続導
体34a、341よび34cと導通する導体パターン3
8a138bおよび38cが形成され、これにより一方
および他方のm31a、31bに、所謂、スルーホール
の回路が形成される。
製されたセラミック回路基板の一例を第3図に示す。こ
の例は基板30の一方および他方の面31a、31bの
貫通孔32a、32bおよび32cに、前記した金属線
あるいは金属部材でなる直径50μm以下の接続導体3
4a、34bおよび34cが配設されている。さらに、
一方の面31aには接続導体34a、34bおよび34
cと導通゛する導体パターン36a、36bおよび36
cが形成されている。さらに他方の面31bには接続導
体34a、341よび34cと導通する導体パターン3
8a138bおよび38cが形成され、これにより一方
および他方のm31a、31bに、所謂、スルーホール
の回路が形成される。
以上のように構成されることにより、金属線あるいは金
属部材を用いた微細な接続導体が形成され、且つ表面粗
さをより改善せしめ、これにより薄膜の導体パターンの
配設の自由度が向上する。
属部材を用いた微細な接続導体が形成され、且つ表面粗
さをより改善せしめ、これにより薄膜の導体パターンの
配設の自由度が向上する。
[発明の効果]
以上のように、本発明のセラミック回路基板およびその
製造方法によれば、金属線あるいは金属部材を用いるこ
とにより微細な接続導体が形成され、さらに作製された
複数のグリーンシートにスルーホールの接続導体となる
金属線を載置して積層し金属線の長手方向に直交してス
ライス状に切離し、あるいは夫々のグリーンシートに複
数の貫通孔を形成し、当該貫通孔に金属部材を挿通せし
めて接続導体を形成して焼成を行い且つ表面粗さを薄膜
導体パターンが形成可能に形成している。これにより微
細且つ薄膜の導体パターンの配設の自由度が向上すると
共に、その製造工程が簡素化し、また、均一な品質が得
られ、且つ多量生産が可能となる効果を奏する。
製造方法によれば、金属線あるいは金属部材を用いるこ
とにより微細な接続導体が形成され、さらに作製された
複数のグリーンシートにスルーホールの接続導体となる
金属線を載置して積層し金属線の長手方向に直交してス
ライス状に切離し、あるいは夫々のグリーンシートに複
数の貫通孔を形成し、当該貫通孔に金属部材を挿通せし
めて接続導体を形成して焼成を行い且つ表面粗さを薄膜
導体パターンが形成可能に形成している。これにより微
細且つ薄膜の導体パターンの配設の自由度が向上すると
共に、その製造工程が簡素化し、また、均一な品質が得
られ、且つ多量生産が可能となる効果を奏する。
第1図は本発明に係るセラミック回路基板の製造方法の
概略工程図、 第2図は本発明に係るセラミック回路基板の製造方法の
他の実施例を示す概略工程図、第3図は本発明に係るセ
ラミック回路基板の概略構成を示す斜視図である。 G1〜G、、・・・グリーンシート L1〜L7・・・金属線 Ga・・・グリーンシート積層体 18a−18b・・・導体パターン 20・・・グリーンシート 22a、22b・・・
貫通孔24a、24b・・・金属部材 30・・・グ
リーンシート32a〜32c・・・貫通孔 34a
〜34c・・・接続導体36 a 〜36 c 、 3
8 a 〜38 c−・・導体パターン特許出願人
日本碍子株式会社 4b 4a
概略工程図、 第2図は本発明に係るセラミック回路基板の製造方法の
他の実施例を示す概略工程図、第3図は本発明に係るセ
ラミック回路基板の概略構成を示す斜視図である。 G1〜G、、・・・グリーンシート L1〜L7・・・金属線 Ga・・・グリーンシート積層体 18a−18b・・・導体パターン 20・・・グリーンシート 22a、22b・・・
貫通孔24a、24b・・・金属部材 30・・・グ
リーンシート32a〜32c・・・貫通孔 34a
〜34c・・・接続導体36 a 〜36 c 、 3
8 a 〜38 c−・・導体パターン特許出願人
日本碍子株式会社 4b 4a
Claims (6)
- (1)セラミック基体の一方の面および他方の面が所定
の表面粗さをもって形成されると共に金属部材が貫通し
て形成される複数の接続導体と、当該複数の接続導体に
接続されて前記一方の面および他方の面上に形成される
複数の厚膜および/または薄膜の導体パターンとを具備
することを特徴とするセラミック回路基板。 - (2)請求項1記載のセラミック回路基板において、金
属部材は、銅、金、銀のいずれかまたは組み合わせが採
用されることを特徴とするセラミック回路基板。 - (3)金属線を挟持した複数のグリーンシートが積層さ
れてグリーンシート積層体が形成されると共に、当該グ
リーンシート積層体を金属線の長手方向に直交して所定
の厚さに切離せしめ、且つ切離されたグリーンシートを
焼結し、次いで、焼結された基板の表面を微細研磨を行
い、さらに前記研磨された基板に厚膜および/または薄
膜の導体パターンを形成することを特徴とするセラミッ
ク回路基板の製造方法。 - (4)グリーンシートの所定位置に複数の貫通孔が形成
された後、金属部材を前記貫通孔に挿通せしめると共に
焼結し、次いで、前記焼結された基板の表面を微細研磨
を行い、さらに前記研磨された基板に厚膜および/また
は薄膜の導体パターンを形成することを特徴とするセラ
ミック回路基板の製造方法。 - (5)請求項3および4記載のセラミック回路基板の製
造方法において、金属線および金属部材は、銅、金、銀
のいずれかまたは組み合わせが採用されることを特徴と
するセラミック回路基板の製造方法。 - (6)請求項3および4記載のセラミック回路基板の製
造方法において、薄膜の導体パターンはフォトリソグラ
フィ技術で形成されることを特徴とするセラミック回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8950589A JPH02267989A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | セラミック回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8950589A JPH02267989A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | セラミック回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02267989A true JPH02267989A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13972639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8950589A Pending JPH02267989A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | セラミック回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02267989A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0690505A2 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
EP0691682A3 (en) * | 1994-07-04 | 1996-08-07 | Shinko Electric Ind Co | Sintered material for substrate and its manufacture |
EP1435658A4 (en) * | 2001-10-10 | 2006-10-25 | Tokuyama Corp | SUBSTRATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE |
WO2012166405A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic structure for high frequency applications and process for making same |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8950589A patent/JPH02267989A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0690505A2 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
EP0690505A3 (en) * | 1994-07-01 | 1996-08-07 | Shinko Electric Ind Co | Sintered material ceramic substrate and its fabricating |
US5997999A (en) * | 1994-07-01 | 1999-12-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Sintered body for manufacturing ceramic substrate |
EP1005088A1 (en) * | 1994-07-01 | 2000-05-31 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
EP0691682A3 (en) * | 1994-07-04 | 1996-08-07 | Shinko Electric Ind Co | Sintered material for substrate and its manufacture |
US5733640A (en) * | 1994-07-04 | 1998-03-31 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Fired body for manufacturing a substrate |
EP1435658A4 (en) * | 2001-10-10 | 2006-10-25 | Tokuyama Corp | SUBSTRATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE |
WO2012166405A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic structure for high frequency applications and process for making same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20040031680A (ko) | 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
US4525597A (en) | Ceramic leadless packages and a process for manufacturing the same | |
JP2002141248A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP5971447B2 (ja) | セラミック基板およびモジュール部品の製造方法 | |
JP2000138455A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
JP5448400B2 (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JPH05102342A (ja) | セラミツクシート中にバイアパターンを得る方法およびそれにより製造されたデバイス | |
JP5236371B2 (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JP5442974B2 (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JPH02267989A (ja) | セラミック回路基板およびその製造方法 | |
JP3330104B2 (ja) | 多数個取りセラミック配線基板の製造方法 | |
JP5314370B2 (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JP2001332857A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2002324973A (ja) | セラミック多層基板 | |
JP3878871B2 (ja) | 多数個取りセラミック基板 | |
JP3840146B2 (ja) | 多数個取りセラミック基板 | |
JP2000332378A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2004022958A (ja) | 多数個取りセラミック基板 | |
JP5289874B2 (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JPH07273447A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
JP2001308525A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP3801843B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2001332838A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4601151B2 (ja) | 多数個取り配線基板の製造方法 | |
JP4711667B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 |