JP3438689B2 - 圧電共振子及び圧電発振子 - Google Patents

圧電共振子及び圧電発振子

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振素子の上
下に外装基板が積層されている構造を有する圧電共振子
及び圧電発振子に関し、例えばマイクロコンピューター
のクロック信号発生用発振子として用いられる、圧電共
振子及び圧電発振子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、圧電共振素子にコンデンサを複合
させてなる圧電共振子や負荷容量内蔵型の圧電発振子が
種々提案されている。
【0003】例えば、特許第2666295号特許掲載
公報には、図9(a)及び(b)に示す圧電部品が開示
されている。この圧電部品101では、板状の圧電共振
素子102の上下に外装基板103,104が積層され
ている。圧電共振素子102は、エネルギー閉じ込め型
の圧電共振子であり、圧電板105と、圧電板105を
介して表裏対向された励振電極106,107とを有す
る。圧電板105と外装基板103,104との積層体
の一方端面に励振電極106が引き出されている。該端
面に、外部電極108が形成されている。また、励振電
極107は、上記端面とは反対側の端面に引き出されて
おり、該端面に形成された外部電極109に電気的に接
続されている。
【0004】外部電極108,109は、上記積層体の
端面だけでなく、上面、一対の側面及び下面に至るよう
に形成されている。また、上記積層体の中央において、
上面、一対の側面及び下面を巻回するように、外部電極
110が形成されている。
【0005】圧電部品101では、上記外部電極10
8,110間及び外部電極109,110間で、それぞ
れ、コンデンサが構成されている。また、上記のように
上下の外装基板103,104を利用することにより、
大きな容量のコンデンサを構成し得るとされている。
【0006】また、特許第2839092号掲載公報、
特開平4−192709号公報、実開平5−18120
号公報などには、コンデンサを構成し得るパッケージ基
板上に圧電共振素子を接合し、圧電共振素子を囲繞する
キャップ材を接合してなるキャップ付の圧電部品が開示
されている。
【0007】これらのキャップ付圧電部品では、圧電共
振素子が搭載されるパッケージ基板が多層基板からな
り、該多層基板においてコンデンサが構成されている。
すなわち、パッケージ基板にコンデンサを構成すること
により、コンデンサと圧電共振素子とを組み合わせてな
る圧電部品の小型化が図られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】特許第2666295
号特許掲載公報に記載の圧電部品101では、上記のよ
うに圧電共振素子102の上下に積層された外装基板1
03,104を利用して圧電共振素子に接続されるコン
デンサが構成されている。従って、低背化が可能な圧電
部品が構成される。
【0009】しかしながら、大きな容量のコンデンサを
構成する場合には、外装基板の103,104として、
高誘電率のセラミック基板を用いる必要がある。ところ
が、高誘電率のセラミック基板では、抗折強度が低く、
薄肉化が困難である。従って、外装基板103,104
の厚みをある程度大きくせざるをえず、高容量化の妨げ
となっていた。
【0010】また、圧電共振素子102の上下に高誘電
率のセラミック基板からなる外装基板103,104を
積層した構造を得ようとする場合、その積層体を粘着シ
ートに固定した後、切断が行われる。上記高誘電率のセ
ラミック基板は、加工性が十分でないので、切断に際し
チッピングが生じがちであるという問題があった。
【0011】すなわち、圧電部品101のように、圧電
共振素子102の上下に外装基板103,104を積層
してなる構造では、上下の外装基板103,104の一
方は、加工性に優れた低誘電率の誘電体セラミック基板
により構成しなければならなかった。そのため、高容量
化に限界があった。
【0012】他方、前述した、キャップ付圧電部品で
は、金属キャップなどのキャップがパッケージ基板の上
面に接合されている。従って、パッケージ基板はキャッ
プより大きな平面形状を有するので、小型化が困難であ
った。加えて、キャップにおいてコンデンサを構成する
ことができず、パッケージ基板においてのみコンデンサ
が構成されている。従って、大きな静電容量のコンデン
サを構成することが困難であった。また、パッケージ基
板においてのみコンデンサを構成する必要があるため、
その点においてもパッケージ基板の寸法が大型にならざ
るを得なかった。
【0013】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、圧電共振素子の上下に外装基板が積層されて
いる構造を有する圧電共振子であって、小型化及び低背
化が可能であり、大きな静電容量のコンデンサを構成す
ることができる、圧電共振子を提供することにある。
【0014】本発明の他の目的は、圧電共振素子に三端
子型コンデンサが接続されている負荷容量内蔵型圧電発
振子であって、小型化及び低背化が可能であり、大きな
静電容量を構成し得る圧電発振子を提供することにあ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】本願の第1の発明は、圧
電共振素子と、前記圧電共振素子の上下に積層された第
1,第2の外装基板とを備える圧電共振子であって、前
記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する第
1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度で
は焼結しない第2の基板材料層とを交互に積層してな
り、前記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の
基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する
無機固体粉末が未焼成のまま一体となっており、抗折強
度が2000kg/cm 2 以上の多層基板であり、前記
第1,第2の外装基板において、前記第1または第2の
基板材料層を介して第1,第2の内部電極が形成される
ことによりコンデンサが構成されていることを特徴とす
る。
【0016】
【0017】本願のの発明は圧電共振素子と、前
記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2の外装基
板とを備える圧電共振子であって、前記第1,第2の外
装基板は、それぞれ、液相焼結する第1の基板材料層
と、前記第1の基板材料層の焼結温度では焼結しない第
2の基板材料層とを交互に積層してなり、前記第1の基
板材料層を構成する材料が前記第2の基板材料層に浸透
し、前記第2の基板材料層を構成する無機固体粉末が未
焼成のまま一体となっており、抗折強度が2000kg
/cm 2 以上の多層基板であり、前記第1,第2の外装
基板において、同一高さ位置に一対の第1,第2の内部
電極が形成され、前記第1,第2の内部電極と前記第1
または前記第2の基板材料層を介して第3の内部電極が
形成され、前記第1,第3の内部電極間及び前記第2,
第3の内部電極間にそれぞれコンデンサが構成されてい
ことを特徴とする本願の第3の発明は、圧電共振素
子と、前記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2
の外装基板とを備える圧電共振子であって、前記第1,
第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する第1の基板
材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度では焼結し
ない第2の基板材料層とを積層してなり、前記第1の基
板材料層を構成する材料が前記第2の基板材料層に浸透
し、前記第2の基板材料層を構成する無機固体粉末が未
焼成のまま一体となっている多層基板であり、前記第
1,第2の外装基板において、前記第2の基板材料層を
介して第1,第2の内部電極が形成されることによりコ
ンデンサが構成されていることを特徴とする。 本願の第
4の発明は、圧電共振素子と、前記圧電共振素子の上下
に積層された第1,第2の外装基板とを備える圧電共振
子であって、前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、
液相焼結する第1の基板材料層と、前記第1の基板材料
層の焼結温度では焼結しない第2の基板材料層とを積層
してなり、前記第1の基板材料層を構成する材料が前記
第2の基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構
成する無機固体粉末が未焼成のまま一体となっている多
層基板であり、前記第1,第2の外装基板において、同
一高さ位置に一対の第1,第2の内部電極が形成され、
前記第1,第2の内部電極と前記第2の基板材料層を介
して第3の内部電極が形成され、前記第1,第3の内部
電極間及び前記第2,第3の内部電極間に それぞれコン
デンサが構成されていることを特徴とする。
【0018】第1〜4の発明の特定の局面では、前記第
1,第2の外装基板の各第1の内部電極がそれぞれ第
1,第2の電位に、第1,第2の外装基板の各第2の電
極がアース電位に接続されている。
【0019】
【0020】本願の第の発明は、板状の圧電共振素子
と、前記圧電共振素子の上下に積層されており、圧電共
振素子に接続される三端子型のコンデンサを構成する第
1,第2の外装基板とを備える負荷容量内蔵型の圧電発
振子であって、前記第1,第2の外装基板は、それぞ
れ、液相焼結する第1の基板材料層と、前記第1の基板
材料層の焼結温度では焼結しない第2の基板材料層とを
交互に積層してなり、前記第1の基板材料層を構成する
材料が前記第2の基板材料層に浸透し、前記第2の基板
材料層を構成する無機固体粉末が未焼成のまま一体とな
っており抗折強度2000kg/cm 2 以上の多層基板
であり、前記圧電共振素子と、前記第1,第2の外装基
板とを積層してなる積層体の外表面に形成された入力電
極、出力電極及びアース電極をさらに備え、前記第1,
第2の外装基板で構成される前記三端子型コンデンサ
が、前記入力電極、前記出力電極及び前記アース電極に
接続されていることを特徴とする。本願の第6の発明
は、板状の圧電共振素子と、前記圧電共振素子の上下に
積層されており、前記圧電共振素子に接続される三端子
型のコンデンサを構成する第1,第2の外装基板とを備
える負荷容量内蔵型の圧電発振子であって、前記第1,
第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する第1の基板
材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度では焼結し
ない第2の基板材料層とを積層してなり、前記第1の基
板材料層を構成する材料が前記第2の基板材料層に浸透
し、前記第2の基板材料層を構成する無機固体粉末が未
焼成のまま一体となっている多層基板であり、前記圧電
共振素子と、前記第1,第2の外装基板とを積層してな
る積層体の外表面に形成された入力電極、出力電極及び
アース電極をさらに備え、前記第1,第2の外装基板で
構成される前記三端子型コンデンサが、前記入力電極、
前記出力電極及び前記アース電極に接続されており、前
記第1,第2の外装基板において、同一高さ位置に一対
の第1,第2の内部電極が形成され、前記第1,第2の
内部電極と前記第2の基板材料層を介して第3の内部電
極が形成され、前記第1,第2の内部電極がそれぞれ前
記入力電極及び前記出力電極に接続されており、前記第
3の内部電極が前記アース電極に接続されていることを
特徴とする。 本願の第7の発明は、板状の圧電共振素子
と、前記圧電共振素子の上下に積層 されており、圧電共
振素子に接続される三端子型のコンデンサを構成する第
1,第2の外装基板とを備える負荷容量内蔵型の圧電発
振子であって、前記第1,第2の外装基板は、それぞ
れ、液相焼結する第1の基板材料層と、前記第1の基板
材料層の焼結温度では焼結しない第2の基板材料層とを
積層してなり、前記第1の基板材料層を構成する材料が
前記第2の基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層
を構成する無機固体粉末が未焼成のまま一体となってい
る多層基板であり、前記圧電共振素子と、前記第1,第
2の外装基板とを積層してなる積層体の外表面に形成さ
れた入力電極、出力電極及びアース電極をさらに備え、
前記第1,第2の外装基板で構成される前記三端子型コ
ンデンサが、前記入力電極、前記出力電極及び前記アー
ス電極に接続されており、前記第1の外装基板におい
て、前記入力電極に接続された第1の内部電極が形成さ
れ、前記第1の内部電極と前記第2の基板材料層を介し
て配置され、前記アース電極に接続された第2の内部電
極が形成され、前記第2の外装基板において、前記出力
電極に接続された第3の内部電極が形成され、前記第3
の内部電極と前記第2の基板材料層を介して配置され、
前記アース電極に接続された第4の内部電極が形成され
ていることを特徴とする。
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】第5〜7の発明のある特定の局面では、前
積層体の上面及び下面に、前記入力電極、前記出力電
極及び前記アース電極が構成されている。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【0027】図1(a)及び(b)は、本発明の一参考
例に係る負荷容量内蔵型圧電発振子を示す断面図及び外
観斜視図である。圧電発振子1は、板状の圧電共振素子
2と、圧電共振素子2の上下に積層された第1,第2の
外装基板3,4とを有する。
【0028】図2に分解斜視図で示されているように、
圧電共振素子2は、矩形板上の圧電板5を用いて構成さ
れている。圧電板5の上面には励振電極6が、下面には
励振電極7が形成されている(図1(a))。励振電極
6,7は、圧電板5の中央において圧電板5を介して対
向されており、エネルギー閉じ込め型の圧電共振部を構
成している。上記圧電板5は、チタン酸ジルコン酸鉛系
セラミックスのような圧電セラミックスあるいは圧電単
結晶を用いて構成されている。本参考例では、チタン酸
ジルコン酸鉛系セラミックスにより圧電板5が構成され
ており、厚み方向に分極処理されている。従って、圧電
共振素子2では、厚み縦振動モードを利用したエネルギ
ー閉じ込め型の圧電共振部が構成されている。
【0029】励振電極6は、圧電共振子2及び外装基板
3,4が積層されている積層体の一方端面に引き出され
ており、励振電極7は他方端面に引き出されている。ま
た、励振電極6は、接続電極6aに連ねられている。接
続電極6aは、圧電板5の上面において、圧電板5の両
側縁に至るように形成されている。なお、側縁とは、上
記両端面を結ぶ方向に延ばされている圧電板5の外縁を
いうものとする。特に図示はされていないが、励振電極
7もまた、接続電極に接続されており、該接続電極が圧
電板5の下面において両側縁に至るように形成されてい
る。
【0030】他方、外装基板3,4は、それぞれ、多層
基板を用いて構成されている。本参考例では、外装基板
3内には、同一高さ位置に第1,第2の内部電極8,9
が形成されている。第1,第2の内部電極8,9と基板
材料層を介して、特に本参考例では重なり合うように、
上方に第3の内部電極10が配置されている。なお、第
3の内部電極10は、第1,第2の内部電極と厚み方向
において重なり合っていなくてもよい。
【0031】図3に分解斜視図で示すように、第1,第
2の内部電極8,9は、上記積層体の側面に至る引き出
し部8a,9aを有する。また、第3の内部電極10
は、積層体の側面に引き出されている引き出し部10a
を有する。
【0032】また、図1に示すように、外装基板3は、
圧電共振素子2に積層される側の主面に凹部3aを有す
る。凹部3aは、圧電共振素子の共振部の振動を妨げな
いための空間を形成するために設けられている。
【0033】上記多層基板3は、図3に示すように、複
数の基板材料層3b〜3eを上記内部電極8〜10を介
して積層し、一体焼成することにより得られる。すなわ
ち、従来より周知のセラミック多層基板の製造方法に従
って容易に得ることができる。
【0034】第2の外装基板4についても第1の外装基
板3と同様に構成されている。すなわち、第2の外装基
板4は、第1,第2の内部電極8A,9A及び第3の内
部電極10Aを有し、かつ圧電共振素子2側の主面に凹
部4aが形成されている。
【0035】なお、本参考例では、内部電極8,9,8
A,9Aに比べて、アース電位に接続される内部電極1
0,10Aが、圧電共振素子2側に配置されている。す
なわち、圧電共振素子2が内部電極10,10Aに挟ま
れている。
【0036】上記外装基板3,4を圧電共振素子2に積
層した後、表面に入力電極11、出力電極12及びアー
ス電極13が外部電極として形成される。入力電極1
1、出力12、アース電極13は、導電性材料を蒸着、
メッキもしくはスパッタリングすることによりあるいは
導電ペーストの塗布・硬化により形成され得る。
【0037】本参考例では、上記入力電極11、出力電
極12及びアース電極13が外部との接続端子とされて
いる三端子型の圧電発振子が構成されている。すなわ
ち、第1の内部電極8,8Aは、上記積層体の側面にお
いて、入力電極11に電極的に接続されている。また、
第2の内部電極9,9Aは、積層体の側面において、出
力電極12に電気的に接続されている。さらに、第3の
内部電極10,10Aは、積層体の側面においてアース
電極13に電気的に接続されている。
【0038】また、圧電共振素子2の励振電極6が入力
電極11に、励振電極7が出力電極12に電気的に接続
されている。従って、入力電極11とアース電極13と
の間には、第1の内部電極8と第3の内部電極10とで
構成されるコンデンサと、第1の内部電極8Aと第3の
内部電極10Aとで構成されるコンデンサとが並列に接
続されている。また、出力電極12とアース電極13と
の間には、第2の内部電極9と第3の内部電極10とで
構成されるコンデンサ及び第2の内部電極9Aと第3の
内部電極10Aとで構成されるコンデンサとが並列に接
続されている。
【0039】よって、第1,第2の外装基板3,4が多
層基板で構成されており、かつ各外装基板3,4におい
て、上記コンデンサが構成されているので、大きな静電
容量を有する負荷容量内蔵型の圧電発振子1が構成され
る。
【0040】しかも、圧電発振子1では、板状の圧電共
振素子2に、平板状の外装基板3,4が上下に積層され
ている構造を有し、入力電極11、出力電極12及びア
ース電極13が、それぞれ、上下対称に構成されいてい
るので、圧電発振子1は方向性を有しない。従って、圧
電発振子1をプリント回路基板などに容易に表面実装す
ることができる。
【0041】また、板状の圧電共振素子2の上下に板状
の外装基板3,4を積層した構造を有するものであるた
め、キャップ付圧電発振子に比べて低背化が容易であ
り、かつ小型化も進めることができる。
【0042】さらに、外装基板3,4内に少なくとも一
層の内部電極を形成してコンデンサが構成されているの
で、大きな容量のコンデンサを容易に構成することがで
きる。従って、外装基板3,4を構成する材料として、
アルミナやチタン酸マグネシウムなどの低誘電率のセラ
ミックスを用いることができる。よって、高誘電率であ
るが、加工性の低い誘電体材料を用いる必要がないた
め、加工性においても優れている。すなわち、マザーの
積層体から個々の容量内蔵型圧電発振子を切り出す場合
のチッピング等が生じ難い。
【0043】例えば、2.5×2.0mmの平面形状を
有するチップ型圧電発振子1を構成した場合、外装基板
3,4の、比誘電率が20程度のチタン酸マグネシウム
系セラミックスを用いて構成した場合であっても、内部
電極間のセラミック層の厚みを7μm程度とした場合、
電極間の重なり面積を0.80mm2 とした場合、一層
で約20pFの静電容量を得ることができる。
【0044】これに対して、従来の図9に示した圧電部
品においては、比誘電率ε=2000程度の高誘電率の
チタン酸バリウム系セラミックスを用いて外装基板を構
成した場合であっても、内部電極間で構成される静電容
量は、同じ寸法の圧電部品を構成した場合、15pF程
度が限界であった。すなわち、前述したように、高誘電
率のセラミックスを用いた場合、加工上の理由により一
方の外装基板にしか高誘電率セラミックスを用いること
ができなかった。従って、上記のように同じ寸法では、
従来の圧電部品では、本参考例の圧電発振子1に比べて
大きな静電容量を得ることはできない。
【0045】なお、本参考例において、上記内部電極8
〜10,8A〜10Aは、外装基板3,4を構成するセ
ラミック材料と同時焼成されるが、入力電極11、出力
電極12及びアース電極13については、積層体上に導
電ペーストを塗布した後セラミックスと同時焼成しても
よく、あるいは積層体を得た後に、入力電極11,出力
12及びアース電極13を別途形成してもよい。
【0046】また、本参考例では、上記のように、比誘
電率が低いセラミック材料を用いて外装基板3,4を構
成した場合においても、大きな静電容量を得ることがで
きる。従って、抗折強度が高く、チッピング等が生じ難
いセラミック材料を用いて外装基板3,4を構成するこ
とができる。よって、外装基板3,4の薄型化が可能で
あり、それによって、負荷容量内蔵型圧電発振子の薄型
化及び高容量化を実現することが可能となる。
【0047】加えて、上記内部電極8〜10,8A〜1
0Aが埋設されているので、該内部電極の存在によって
も、外装基板3,4の機械的強度が高められ、それによ
っても薄型化を進めることができる。
【0048】なお、本参考例の圧電発振子1において、
入出力電極11,12やアース電極13と接続されてい
ないダミーの内部電極をさらに埋設してもよく、それに
よって外装基板3,4の機械的強度をより一層高めても
よい。
【0049】加えて、前述した従来例では、外装基板に
反りが生じ易く、加工時にワレやカケの原因となってい
たが、本参考例においては、上記内部電極8〜10及び
8A〜10Aの配置を工夫することにより基板の反りを
緩和することもできる。すなわち、内部電極がセラミッ
ク層を介して外部電極と対向されるように内部電極を配
置すれば、基板の反りを抑制することができる。
【0050】第1の参考例に係る圧電発振子1では、外
装基板3,4のいずれにおいても、入力電極11−アー
ス電極13間に接続されるコンデンサ及び出力電極12
−アース電極13間に接続されるコンデンサが構成され
ている。従って、いずれか一方の多層基板において、入
出力電極11,12及びアース電極13と内部電極との
接続不良が生じたとしても、他方の外装基板における電
気的接続構造が確保されている限り、必ず入力電極11
−アース電極13間及び出力電極12−アース電極13
間にそれぞれコンデンサが接続される。従って、上記の
ような一方の外装基板3または4における故障が生じて
いたとしても、発振停止などの重大な事故に至る可能性
を著しく低減することができる。
【0051】なお、第1の参考例においては、外装基板
3,4における内部電極構造は同一とされていたが、外
装基板3と外装基板4とで、内部電極積層数、内部電極
間のセラミック層の厚み等を適宜異ならせてもよい。
【0052】また、第1の参考例では、内部電極間に挟
まれて静電容量が取り出されるセラミック層は1層であ
ったが、3以上の内部電極を積層し、2以上のセラミッ
ク層に基づいて静電容量を取り出してもよい。
【0053】図4及び図5は、第1の参考例の圧電発振
子の変形例を示す各斜視図である。図4に示す変形例に
係る圧電発振子21では、入力電極11、出力電極12
及びアース電極13が、それぞれ、外装基板3、圧電共
振素子2及び外装基板4からなる積層体の上面、一対の
側面及び下面を巻回するように構成されている。このよ
うに、外部電極としての入出力電極11,12及びアー
ス電極13は、上記積層体の周囲を巻回するように形成
されていてもよい。
【0054】また、図5に示す圧電発振子22のよう
に、入出力電極11,12及びアース電極13が、上記
積層体の上面には至らないように形成してもよい。な
お、図5では明瞭ではないが、入力電極11、出力電極
12及びアース電極13は、上記積層体の一対の側面及
び下面に至るように形成されている。このように、積層
体の上面に電極が形成されないように、入力電極11、
出力電極12及びアース電極13を形成した場合、上面
に電極を有しない構造の圧電発振子を提供することがで
きる。
【0055】従って、圧電発振子1をプリント回路基板
などに実装した場合、圧電発振子1の上方に他の電子部
品を配置することができると共に、他の電子部品との短
絡の発生を防止することができる。
【0056】図4及び図5に示した変形例から明らかな
ように、本参考例の圧電発振子1では、外装基板3,4
内で容量が構成されているので、外表面に形成される入
出力電極11,12及びアース電極13の形状について
は種々変更し得る。
【0057】図6(a)及び(b)は、それぞれ、本発
明の第2の参考例に係る圧電発振子における第1,第2
の外装基板の構造を説明するための分解斜視図である。
図6(a)及び(b)には、第1の参考例において示し
た図3の上方部分及び下方部分に相当する図である。
【0058】第2の参考例では、図6(a)に示すよう
に、第1の外装基板23において、第1の内部電極24
及び第2の内部電極25がセラミック層26を介して積
層されている。なお、27,28,29は、それぞれ、
セラミック層を示す。また、11〜13は、それぞれ、
入力電極、出力電極及びアース電極を示す。
【0059】本参考例では、第1の内部電極24が、引
き出し部24aを有し、引き出し部24aは、上述した
積層体の側面に引き出されている。従って、第1の内部
電極24は、入力電極11の外装基板の側面部分(図6
では示されていないが、第1の参考例と同様に構成され
ている。)に電気的に接続されている。
【0060】また、第2の内部電極25は、基板材料層
としてのセラミック層26を介して内部電極24に重な
り合うように配置されている。第2の内部電極25は引
き出し部25aを有する。引き出し部25aは上述した
積層体の側面中央に引き出されており、アース電極13
の外装基板の側面部分(図6では示されていないが、第
1の参考例と同様に構成されている。)に電気的に接続
されている。従って、第1の外装基板23においては、
入力電極11とアース電極13との間に、第1,第2の
内部電極24,25で構成されるコンデンサが接続され
る。なお、第1,第2の内部電極24,25は必ずしも
厚み方向に重なり合うように構成されていなくてもよ
い。
【0061】他方、図6(b)に示すように、第2の外
装基板31では、第3の内部電極32と、第4の内部電
極33とがセラミック層34を介して積層されている。
この第3の内部電極32は、引き出し部32aを有し、
引き出し部32aは、上記積層体の側面において、一方
端面近傍に引き出されており、出力電極12に電気的に
接続される。また、第4の内部電極33は、引き出し部
33aを有し、引き出し部33aは、側面中央に引き出
されており、アース電極13に電気的に接続される。
【0062】従って、第2の外装基板31においては、
出力電極12とアース電極13との間に接続されるコン
デンサが構成されている。なお、第3,第4の内部電極
32,33は必ずしも厚み方向に重なり合うように構成
されていなくてもよい。
【0063】第2の参考例では、第1の外装基板23に
おいて、入力電極11とアース電極13との間に接続さ
れるコンデンサが構成され、第2の外装基板31におい
て、出力電極12とアース電極13とに接続されるコン
デンサが構成される。このように、第1,第2の外装基
板23,31に、振り分けてコンデンサを構成してもよ
い。この場合には、各外装基板23,31において、図
6から明らかなように、ほぼ全面に渡る面積の内部電極
24,25,32,33を形成することができるため、
より大きな静電容量を形成することができる。
【0064】なお、第2の参考例においても、上記第
1,第2の内部電極24,25及び第3,第4の内部電
極32,33の積層数をさらに高め、より大きな静電容
量を得てもよい。
【0065】第2の参考例に係る圧電共振子は、上記外
装基板23,31が設けられていることを除いては、第
1の参考例の圧電発振子1と同様に構成されている。従
って、第1の参考例の圧電発振子と同様に、低背化及び
小型化が可能であり、かつ大きな静電容量を内蔵させて
なる負荷容量内蔵型圧電発振子を提供することができ
る。
【0066】
【0067】図7は、本発明の実施例に係る圧電発振子
を説明するための分解斜視図である。図7は、実施例
の圧電発振子における下方の外装基板の構造を示す分解
斜視図である。なお、実施例に係る圧電発振子は、外
装基板が異なることを除いては、第1の参考例と同様に
構成されている。
【0068】図7は、下方の外装基板を示す分解斜視図
であり、第1の参考例と同様に、第1の内部電極8A
と、第2の内部電極9Aとが同一高さ位置に形成されて
いる。また、内部電極8A,9Aとセラミック層を介し
て重なり合うように第3の内部電極10Aが、形成され
ている。これらの内部電極8A〜10A及び入力電極1
1、出力電極12及びアース電極13は、第1の参考
の場合と同様に構成されている。異なるところは、外装
基板41を構成する基板材料層にある。
【0069】すなわち、外装基板41では、液相焼結す
るセラミック材料からなる第1の基板材料層42と、第
1の基板材料層42が焼結する温度では焼結しない材料
からなる第2の基板材料層43とが交互に積層されてい
る。
【0070】上記液相焼結する第1の基板材料層として
は、例えばガラスあるいはガラスセラミックを用いて構
成することができる。より具体的には、アノーサイト系
結晶化ガラス、フォルステライト系結晶化ガラス、コー
ジェライト系結晶化ガラスもしくはセルシアン系結晶化
ガラスなどの結晶化ガラス;またはSiO2−MgO−
Al23系、SiO2−Al2O系、SiO2−Al23
−CaO系、SiO2−Al23−BaO系もしくはS
iO2−CaO系などの非結晶化ガラスなどにより構成
することができる。
【0071】上記第1の基板材料層の焼結温度では焼結
しない第2の基板材料層は、高融点の無機固体粉末を用
いて構成することができる。このような無機固体粉末の
例としては、Al23 、BaTiO3 、ZrO2 、ム
ライトあるいはこれらの混合物を挙げることができる。
【0072】もっとも、上記液相焼結する第1の基板材
料層よりも十分に軟化点が高く、液相焼結材料層の焼結
温度で焼結しない限り、上記無機固体粉末だけでなく、
ガラス状材料も使用することができる。
【0073】上記のように、実施例では、第1の基板
材料層42と第2の基板材料層43とが交互に積層され
ており、上記第1の基板材料層が、通常800〜100
0℃程度で焼成される。この場合、第2の基板材料層は
焼結しないので、第1の材料層を構成している材料が第
2の基板材料層に浸透し、第2の基板材料層を構成する
無機固体粉末などが未焼成のまま、一体の多層基板とし
て完成される。従って、第1の基板材料層の焼成時の収
縮が、第2の基板材料層によって拘束されることになる
ため、多層基板の主表面と平行な面における焼成時の収
縮がほとんどなくなり、多層基板の寸法精度を飛躍的に
高めることができる。
【0074】なお、本実施例では、上記第2の基板材料
層が第1の基板材料層の焼成時の収縮を拘束するため
に、第1の基板材料層42と第2の基板材料層43とが
交互に積層されているが、必ずしも両者が交互に積層さ
れる必要はない。また、本実施例では、内部電極8A,
9Aと内部電極10Aとの間に第1の基板材料層が配置
されて、第1の基板材料層により静電容量が構成されて
いたが、第2の基板材料層により静電容量を構成しても
よい。
【0075】図7では、下方の外装基板41のみを示し
たが、上方に配置される第1の外装基板も同様に構成さ
れている。従って、実施例に係る圧電発振子では、上
記のように外装基板が高精度に形成される。しかも、上
記のような第1,第2の基板材料層が積層されている構
造とすることにより、外装基板の強度も高められる。例
えば、従来のチタン酸バリウム系セラミックスを用いた
外装基板及び低誘電率のチタン酸マグネシウム系セラミ
ックスを用いた誘電体基板は、それぞれ、抗折強度が8
00〜1000kg/cm2 及び1000〜1500k
g/cm2 程度であるのに対し、上記第1,第2の基板
材料層を交互に積層してなる外装基板41では、同じ厚
みの場合、抗折強度は2000kg/cm2 以上と高く
なる。従って、精度及び強度に優れた外装基板を構成す
ることができ、それによって外装基板の厚みを薄くし得
るので、より一層圧電発振子の小型化及び低背化を進め
ることができる。
【0076】また、上記第1,第2の基板材料層を積層
してなる外装基板41では、焼成温度が800〜100
0℃程度であるため、従来の誘電体セラミック基板の焼
成温度である1200〜1300℃に比べて低く、従っ
て、焼成コスト、ひいては圧電発振子の製造コストを低
減することができる。
【0077】なお、実施例では、複数の第1の材料層
42及び第2の材料層43が交互に積層されていたが、
第1,第2の材料層は少なくとも一層存在すればよい。
例えば、図8(a)に示すように、外装基板41Aにお
いて、内部電極8A,9Aと内部電極10Aに挟まれる
層として単一の第1の基板材料層42を配置し、その上
下に第2の基板材料層43が配置されてもよい。
【0078】逆に、図8(b)に示すように、内部電極
8A,9Aと内部電極10Aとの間に第2の基板材料層
43を配置し、その上下に第1の基板材料層42が配置
されてもよい。
【0079】さらに、図8(c)に示すように、内部電
極8A,9Aと内部電極10Aとの間に第2の材料層4
3が配置され、内部電極10A上に、さらにもう一組の
内部電極8A,9Aが配置され、その間に第2の材料層
43が配置され、全体の上下に第1の材料層42,42
が積層されてもよい。また、図8(d)に示すように、
図8(a)に示した外装基板において、さらにその最上
部及び最下部に、第1の基板材料層42,42を積層し
てもよい。
【0080】なお、内部電極8A,9A,10Aは、外
装基板を構成する第1,第2の基板材料層42,43と
同時焼成されるが、第1の参考例と同様に外部電極とし
ての入出力電極やアース電極については外装基板41と
同時焼成されてもよく、あるいは焼成された外装基板を
圧電共振素子に積層した後に形成されてもよい。
【0081】なお、上記実施例では、三端子型コンデン
サが圧電共振素子に一体化された負荷容量内蔵型圧電発
振子を示したが、本発明は、圧電共振素子にコンデンサ
が一体化される圧電共振子に一般的に適用することがで
きる。
【0082】
【発明の効果】本願の第1〜4の発明によれば、圧電共
振素子の上下に第1,第2の外装基板が積層された構造
において、第1,第2の外装基板が少なくとも一層の内
部電極を有する多層基板により構成されている。従っ
て、上下に配置された第1,第2の外装基板のいずれに
おいてもコンデンサを構成することができるので、大き
な静電容量のコンデンサを内蔵させた圧電共振子を提供
することができる。また、第1,第2の外装基板のそれ
ぞれにおいてコンデンサを構成し得るので、第1,第2
の外装基板の厚みを薄くすることができ、それによって
圧電共振子の薄型化及び小型化を進めることができる。
【0083】また、第1,第2の外装基板において、多
層基板を用いてコンデンサを構成するものであるため、
大きな静電容量を得ることができ、低誘電率の誘電体基
板を用いることができる。従って、抗折強度などの機械
的強度に優れた外装基板を構成することができる。
【0084】また、第1,第2の外装基板においてコン
デンサが構成されているので、第1,第2の内部電極の
数を調整することにより、大きな静電容量のコンデンサ
を構成することができる。
【0085】さらに、第1,第2の発明では、上記第
1,第2の外装基板を構成する多層基板が、液相焼結す
る第1の基板材料層と、第1の基板材料層の焼結温度で
は焼結しない第2の基板材料層とを交互に積層してな
り、第1の基板材料を構成する材料は第2の基板材料層
に浸透し、第2の基板材料層を構成する固体粉末が未焼
成のまま一体となっており、抗折強度が2000kg/
cm 2 以上である多層基板により構成されている。よっ
て、焼成に際して平面方向における基板の収縮が抑制さ
れ、多層基板の精度が高められ、かつ抗折強度が200
0kg/cm 2 以上と高いため、外装基板の薄型化を図
ることができる。 また、第3,4の発明では、第2の基
板材料層を介して内部電極が配置されているため、第2
の基板材料層が焼成工程において焼結温度まで達してい
ないため、収縮量が小さく、従って精度の高いコンデン
サを構成することが可能となる。
【0086】第1、第2の外装基板の各第1の内部電極
が第1,第2の電位にそれぞれ接続されており、第1,
第2の外装基板の第2の内部電極がアース電位に接続さ
れている場合には、第1の外装基板で第1の電位とアー
ス電位との間に接続されたコンデンサが、第2の外装基
板において第2の電位とアース電極との間に接続された
コンデンサをそれぞれ構成することができる。従って、
第1,第2の外装基板において、それぞれ、第1の内部
電極及び第2の内部電極を大きな面積に構成することが
できるので、静電容量の大きなコンデンサを各外装基板
に構成することができる。
【0087】
【0088】第5〜7の発明に係る圧電発振子では、圧
電共振素子の上下に第1,第2の外装基板が積層された
構造において、第1,第2の外装基板が少なくとも一層
の内部電極を有する多層基板により構成されている。従
って、上下に配置された第1,第2の外装基板のいずれ
においてもコンデンサを構成することができるので、大
きな静電容量のコンデンサを内蔵させた圧電発振子を提
供することができる。また、第1,第2の外装基板のそ
れぞれにおいてコンデンサを構成し得るので、第1,第
2の外装基板の厚みを薄くすることができ、それによっ
て圧電発振子の薄型化及び小型化を進めることができ
る。加えて、第5の発明では、第1,第2の外装基板を
構成する多層基板が、第1の発明と同様に構成されてい
るため、外装基板の精度を高めることができ、かつ抗折
強度が十分な大きさとされているため、外装基板の薄型
化を図ることができる。 また、第6,第7の発明に係る
圧電発振子では、第3,第4の発明と同様に、内部電極
間に第2の基板材料層が配置されてコンデンサが構成さ
れているため、コンデンサの精度を高めることができ
る。
【0089】第2の発明において、上記積層体の外表面
に入力電極及び出力電極及びアース電極が形成されてお
り、上記三端子型コンデンサが入力電極、出力電極及び
アース電極に接続されている場合には、本発明に従って
小型で、大きな静電容量を有するコンデンサが接続され
た負荷容量内蔵型の圧電発振子を提供することができ
る。
【0090】
【0091】
【0092】
【0093】第5〜7の発明において、上記積層体の
面及び下面に入力電極及び出力電極及びアース電極が形
成されている場合には、本発明に従って小型で、大きな
静電容量を有するコンデンサが内蔵された圧電発振子を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)及び(b)は、本発明の第1の参考例に
係る圧電発振子の断面図及び及び外観を示す斜視図。
【図2】図1に示した第1の参考例に係る圧電発振子の
分解斜視図。
【図3】図1に示した第1の参考例の圧電発振子におけ
る外装基板の構造を説明するための分解斜視図。
【図4】第1の参考例の変形例の圧電発振子を示す外観
斜視図。
【図5】第1の参考例に係る圧電発振子の他の変形例を
示す外観斜視図。
【図6】(a)及び(b)は、本発明の第2の参考例に
係る圧電発振子において用いられる第1,第2の外装基
板の各分解斜視図。
【図7】本発明の実施例に係る圧電発振子の層の外装基
板の構成を説明するための分解斜視図。
【図8】(a)〜(d)は、実施例に係る圧電発振子
の変形例を説明するための図であり、外装基板における
第1,第2の材料層の配置対応の変形例を示す各断面
図。
【図9】(a)及び(b)は、それぞれ、従来の圧電部
品の一例を示す断面図及び斜視図。
【符号の説明】
1…圧電発振子 2…圧電共振素子 3,4…第1,第2の外装基板 5…圧電板 6,7…第1,第2の励振電極 8,9…第1,第2の内部電極 10…第3の内部電極 8A,9A…第1,第2の内部電極 10A…第3の内部電極 11…入力電極 12…出力電極 13…アース電極 21…圧電発振子 23…第1の外装基板 24…第1の内部電極 25…第2の内部電極 26…基板材料層 31…第2の外装基板 32…第3の内部電極 33…第4の内部電極 34…基板材料層 41…圧電部品 42…第1の材料層 43…第2の材料層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−177374(JP,A) 特開 平4−4604(JP,A) 特開 平3−247010(JP,A) 実開 平5−59956(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/02 H01G 4/40

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2の外装
    基板とを備える圧電共振子であって前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを交互に積層してな
    り、前記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の
    基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する
    無機固体粉末が未焼成のまま一体となっており、抗折強
    度が2000kg/cm 2 以上の多層基板であり、 前記第1,第2の外装基板において、前記第1または第
    2の基板材料層を介して第1,第2の内部電極が形成さ
    れることによりコンデンサが構成されてい ることを特徴
    とする、圧電共振子。
  2. 【請求項2】 圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2の外装
    基板とを備える圧電共振子であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを交互に積層してな
    り、前記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の
    基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する
    無機固体粉末が未焼成のまま一体となっており、抗折強
    度が2000kg/cm 2 以上の多層基板であり、 前記第1,第2の外装基板において、 同一高さ位置に一対の第1,第2の内部電極が形成さ
    れ、 前記第1,第2の内部電極と前記第1または前記第2の
    基板材料層を介して第3の内部電極が形成され、 前記第1,第3の内部電極間及び前記第2,第3の内部
    電極間にそれぞれ コンデンサが構成されていることを特
    徴とする、圧電共振子。
  3. 【請求項3】 圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2の外装
    基板とを備える圧電共振子であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを積層してなり、前
    記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の基板材
    料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する無機固
    体粉末が未焼成のまま一体となっている多層基板であ
    り、 前記第1,第2の外装基板において、前記第2の基板材
    料層を介して第1,第2の内部電極が形成されることに
    より コンデンサが構成されていることを特徴とする、
    電共振子。
  4. 【請求項4】 圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層された第1,第2の外装
    基板とを備える圧電共振子であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを積層してなり、前
    記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の基板材
    料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する無機固
    体粉末が未焼成のまま一体となっている多層基板であ
    り、 前記第1,第2の外装基板において、同一高さ位置に一
    対の第1,第2の内部電極が形成され、 前記第1,第2の内部電極と前記第2の基板材料層を介
    して第3の内部電極が形成され、 前記第1,第3の内部電極間及び前記第2,第3の内部
    電極間にそれぞれコンデンサが構成 されていることを特
    徴とする、圧電共振子。
  5. 【請求項5】 前記第1,第2の外装基板の各第1の内
    部電極がそれぞれ第1,第2の電位に、 前記第1,第2の外装基板の各第2の内部電極がアース
    電位に接続されていることを特徴と する、請求項1また
    は3に記載の圧電共振子。
  6. 【請求項6】 板状の圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層されており、圧電共振素
    子に接続される三端子型のコンデンサを構成する第1,
    第2の外装基板とを備える負荷容量内蔵型の圧電発振子
    であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを交互に積層してな
    り、前記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の
    基板材料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する
    無機固体粉末が未焼成のまま一体となっており抗折強度
    が2000kg/cm 2 以上の多層基板であり、 前記圧電共振素子と、前記第1,第2の外装基板とを積
    層してなる積層体の外表面に形成された入力電極、出力
    電極及びアース電極をさらに備え、前記第1,第2の外
    装基板で構成される前記三端子型コンデンサが、前記入
    力電極、前記出力電極及び前記アース電極に接続されて
    ることを特徴とする圧電発振子。
  7. 【請求項7】 板状の圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層されており、前記圧電共
    振素子に接続される三端子型のコンデンサを構成する第
    1,第2の外装基板とを備える負荷容量内蔵型の圧電発
    振子であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを積層してなり、前
    記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の基板材
    料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する無機固
    体粉末が未焼成のまま一体となっている多層基板であ
    り、 前記圧電共振素子と、前記第1,第2の外装基板とを積
    層してなる積層体の外表面に形成された入力電極、出力
    電極及びアース電極をさらに備え、前記第1,第2の外
    装基板で構成される前記三端子型コンデンサが、前記入
    力電極、前記出力電極及び前記アース電極に接続されて
    おり、 前記第1,第2の外装基板において、同一高さ位置に一
    対の第1,第2の内部電極が形成され、 前記第1,第2の内部電極と前記第2の基板材料層を介
    して第3の内部電極が形成され、 前記第1,第2の内部電極がそれぞれ前記入力電極及び
    前記出力電極に接続されており、前記第3の内部電極が
    前記 アース電極に接続されていることを特徴と する、
    電発振子。
  8. 【請求項8】 板状の圧電共振素子と、 前記圧電共振素子の上下に積層されており、圧電共振素
    子に接続される三端子型のコンデンサを構成する第1,
    第2の外装基板とを備える負荷容量内蔵型の圧電発振子
    であって、 前記第1,第2の外装基板は、それぞれ、液相焼結する
    第1の基板材料層と、前記第1の基板材料層の焼結温度
    では焼結しない第2の基板材料層とを積層してなり、前
    記第1の基板材料層を構成する材料が前記第2の基板材
    料層に浸透し、前記第2の基板材料層を構成する無機固
    体粉末が未焼成のまま一体となっている多層基板であ
    り、 前記圧電共振素子と、前記第1,第2の外装基板とを積
    層してなる積層体の外表面に形成された入力電極、出力
    電極及びアース電極をさらに備え、前記第1,第2の外
    装基板で構成される前記三端子型コンデンサが、前記入
    力電極、前記出力電極及び前記アース電極に接続されて
    おり、 前記第1の外装基板において、 前記入力電極に接続された第1の内部電極が形成され、 前記第1の内部電極と前記第2の基板材料層を介して配
    置され、前記アース電極に接続された第2の内部電極が
    形成され、 前記第2の外装基板において、 前記出力電極に接続された第3の内部電極が形成され、 前記第3の内部電極と前記第2の基板材料層を介して配
    置され、前記アース電極に接続された第4の内部電極が
    形成されていることを特徴とする、 圧電発振子。
  9. 【請求項9】 前記積層体の上面及び下面に、前記入力
    電極、前記出力電極及び前記アース電極が構成されてい
    ることを特徴とする、請求項6〜8のいずれかに記載の
    圧電発振子。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3716724B2 (ja) * 1999-09-30 2005-11-16 ブラザー工業株式会社 圧電式インクジェットプリンタヘッドの圧電アクチュエータ及びその製造方法
JP2002057544A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電発振子
US7429816B2 (en) * 2002-09-27 2008-09-30 Innochips Technology Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof
KR100490501B1 (ko) * 2002-09-27 2005-05-17 주식회사 이노칩테크놀로지 압전체 진동소자 및 그 제조 방법
JP4311090B2 (ja) * 2003-06-16 2009-08-12 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
US7224040B2 (en) * 2003-11-28 2007-05-29 Gennum Corporation Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate
JP2006050537A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Kyocera Corp 圧電共振子
US7259499B2 (en) * 2004-12-23 2007-08-21 Askew Andy R Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof
US7649306B2 (en) * 2005-04-27 2010-01-19 Kyocera Corporation Piezoelectric component and method for manufacturing same
WO2007026428A1 (ja) 2005-08-31 2007-03-08 Kyocera Corporation 圧電共振子
KR100731509B1 (ko) * 2005-12-23 2007-06-21 주식회사 에스세라 절연 세라믹 기저판을 이용해서 캡 수단을 갖는 표면실장형 레조네이터들 및 그의 형성방법들
US20090100925A1 (en) * 2006-10-27 2009-04-23 Baker Hughes Incorporated System and method for coating flexural mechanical resonators
JP5206415B2 (ja) * 2006-12-07 2013-06-12 パナソニック株式会社 静電気対策部品およびその製造方法
WO2010004534A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Nxp B.V. Bulk acoustic wave resonator using acoustic reflector layers as inductive or capacitive circuit element
JP2014239203A (ja) * 2014-01-31 2014-12-18 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の実装構造体
JPWO2018051800A1 (ja) * 2016-09-16 2019-02-28 株式会社大真空 圧電振動デバイス
CN109075761B (zh) * 2016-09-16 2022-06-24 株式会社大真空 压电振动器件
WO2018107055A1 (en) * 2016-12-09 2018-06-14 New Scale Technologies, Inc. Semi-resonant motion devices and methods thereof

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54136970U (ja) * 1978-03-16 1979-09-22
JP2666295B2 (ja) 1987-08-31 1997-10-22 住友金属工業株式会社 圧電共振子とコンデンサとの複合部品
JP2839092B2 (ja) 1987-09-22 1998-12-16 ティーディーケイ株式会社 圧電複合部品及びその製造方法
US5102720A (en) * 1989-09-22 1992-04-07 Cornell Research Foundation, Inc. Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering
JPH03247010A (ja) 1990-02-23 1991-11-05 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
JPH044604A (ja) 1990-04-21 1992-01-09 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の封止基板
JPH04192709A (ja) 1990-11-26 1992-07-10 Fujitsu Ltd 振動子応用デバイス
JPH0518120A (ja) 1991-07-09 1993-01-26 Central Japan Railway Co コンクリート躯体の補修方法
JPH0559956A (ja) 1991-08-26 1993-03-09 Nissan Motor Co Ltd 内燃機関の吸気装置
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JPH08288790A (ja) * 1995-04-10 1996-11-01 Fujitsu Ltd 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置
JP3516367B2 (ja) 1996-01-31 2004-04-05 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品
EP0897217A3 (en) * 1997-08-12 2001-09-19 NGK Spark Plug Co. Ltd. Energy trapping type piezoelectric filter
JPH11150153A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP3211757B2 (ja) 1997-12-08 2001-09-25 松下電器産業株式会社 振動子とその製造方法およびその振動子を用いた電子機器
JPH11346138A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Murata Mfg Co Ltd チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法

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