JP3427594B2 - センサ装置 - Google Patents
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D3/00—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
- G01D3/028—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
- G01D3/032—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure affecting incoming signal, e.g. by averaging; gating undesired signals
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ装置に関
し、特に高周波ノイズに対し対策を施すようにしたもの
に関する。
し、特に高周波ノイズに対し対策を施すようにしたもの
に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のセンサ装置として、例えば半導
体圧力センサがあり、特開昭５５ー１５５２５３号公報
あるいは特開平２ー２４２１２１号公報に示すように、
測定すべき圧力に応じて抵抗値が変化する拡散抵抗によ
る歪ゲージによりブリッジ回路を構成し、このブリッジ
回路の２つの出力信号を差動増幅器により差動増幅して
出力するようにしている。ここで、測定すべき圧力は、
ケースに設けられた圧力導入パイプによりケース内に導
入され、その導入された圧力によりダイヤフラムが変位
し、このダイヤフラムの変位により上記歪ゲージの抵抗
値が変化するようになっており、その歪ゲージを含む回
路ユニット（センサ回路部）はケース内に設けられてい
る。
体圧力センサがあり、特開昭５５ー１５５２５３号公報
あるいは特開平２ー２４２１２１号公報に示すように、
測定すべき圧力に応じて抵抗値が変化する拡散抵抗によ
る歪ゲージによりブリッジ回路を構成し、このブリッジ
回路の２つの出力信号を差動増幅器により差動増幅して
出力するようにしている。ここで、測定すべき圧力は、
ケースに設けられた圧力導入パイプによりケース内に導
入され、その導入された圧力によりダイヤフラムが変位
し、このダイヤフラムの変位により上記歪ゲージの抵抗
値が変化するようになっており、その歪ゲージを含む回
路ユニット（センサ回路部）はケース内に設けられてい
る。
【０００３】このような半導体圧力センサにおいては、
センサ回路部に対する電源入力線（以下、電源ラインと
いう）、接地線および出力線を介し、ケース外部から高
周波ノイズが入った場合、安定して検出作動することが
できず、従ってそのような高周波ノイズに対して何らか
の対策（耐ＥＭＩ対策）を施す必要がある。そこで、こ
の高周波ノイズ対策として、特開昭５７ー１６９６４４
号公報に示すように、ケースに貫通コンデンサを設け、
この貫通コンデンサを介して上記電源ライン、接地線お
よび出力線をケースに接続し、高周波ノイズを貫通コン
デンサからケースにバイパスするようにしている。
センサ回路部に対する電源入力線（以下、電源ラインと
いう）、接地線および出力線を介し、ケース外部から高
周波ノイズが入った場合、安定して検出作動することが
できず、従ってそのような高周波ノイズに対して何らか
の対策（耐ＥＭＩ対策）を施す必要がある。そこで、こ
の高周波ノイズ対策として、特開昭５７ー１６９６４４
号公報に示すように、ケースに貫通コンデンサを設け、
この貫通コンデンサを介して上記電源ライン、接地線お
よび出力線をケースに接続し、高周波ノイズを貫通コン
デンサからケースにバイパスするようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな貫通コンデンサをケースに設けると、そのためのス
ペース等が必要となり、必然的に装置が大きくなってし
まうという問題がある。この種のセンサ装置においては
その取り付けスペース等にかなりの制約があり、少しで
もセンサ装置を小型化することが望まれており、上記の
貫通コンデンサに替わる他の高周波ノイズ対策を施す必
要がある。
うな貫通コンデンサをケースに設けると、そのためのス
ペース等が必要となり、必然的に装置が大きくなってし
まうという問題がある。この種のセンサ装置においては
その取り付けスペース等にかなりの制約があり、少しで
もセンサ装置を小型化することが望まれており、上記の
貫通コンデンサに替わる他の高周波ノイズ対策を施す必
要がある。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、ケースに貫通コンデンサを設けることなく高周波ノ
イズ対策を施し、装置の小型化を図ることを目的とす
る。
で、ケースに貫通コンデンサを設けることなく高周波ノ
イズ対策を施し、装置の小型化を図ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、電源ラインＶと
は別にセンサ回路部内のオペアンプ電源用の電源ライン
Ｖ’を設け、電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点
Ａからセンサ回路部への電源ラインＶに第１のフィルタ
回路を構成し、また電源ラインＶ’に第２のフィルタ回
路を構成し、さらにセンサ回路部からの出力ラインに第
３のフィルタ回路を構成したことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、電源ラインＶと
は別にセンサ回路部内のオペアンプ電源用の電源ライン
Ｖ’を設け、電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点
Ａからセンサ回路部への電源ラインＶに第１のフィルタ
回路を構成し、また電源ラインＶ’に第２のフィルタ回
路を構成し、さらにセンサ回路部からの出力ラインに第
３のフィルタ回路を構成したことを特徴としている。
【０００７】このことにより、ケースに貫通コンデンサ
を設けなくても十分な高周波ノイズ対策を施すことがで
きる。他の請求項に記載の発明においても上記と同様の
特徴を有し、同様の効果を奏する。また、請求項５、
８、１１に記載の発明のように、フィルタ回路を含んで
集積化センサチップ構成とすれば、センサ装置として一
層小型化したものとすることができる。
を設けなくても十分な高周波ノイズ対策を施すことがで
きる。他の請求項に記載の発明においても上記と同様の
特徴を有し、同様の効果を奏する。また、請求項５、
８、１１に記載の発明のように、フィルタ回路を含んで
集積化センサチップ構成とすれば、センサ装置として一
層小型化したものとすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のセンサ装置とし
て、半導体圧力センサを一例としたものを、図に示す実
施形態について説明する。図２は半導体圧力センサの全
体構成を示すもので、上ケース１と下ケース２を接合し
てケースを構成し、このケースに被測定圧力（例えば、
自動車のエンジン吸気圧）を導入する圧力導入パイプ３
が取り付けられている。この圧力導入パイプ３により導
入された圧力は、パイレックスガラスからなる台座４を
介し集積化センサチップ５に導かれ、ここで圧力検出が
行われる。
て、半導体圧力センサを一例としたものを、図に示す実
施形態について説明する。図２は半導体圧力センサの全
体構成を示すもので、上ケース１と下ケース２を接合し
てケースを構成し、このケースに被測定圧力（例えば、
自動車のエンジン吸気圧）を導入する圧力導入パイプ３
が取り付けられている。この圧力導入パイプ３により導
入された圧力は、パイレックスガラスからなる台座４を
介し集積化センサチップ５に導かれ、ここで圧力検出が
行われる。
【０００９】この集積化センサチップ５は、図３に示す
ように、シリコンチップ５ａによりダイヤフラム５ｂが
形成され、このシリコンチップ５ａ上にダイヤフラム５
ｂの変位を検出する圧力検出回路部（センサ回路部）が
集積化して形成されている。この集積化センサチップ５
への電源ライン、接地線、出力線は、図２に示すように
ボンディングワイヤ６、７および出力端子８、９を介し
て外部に導出される。なお、ボンディングワイヤ６、７
および出力端子８、９は、図２ではそれぞれ２本示され
ているが、実際にはそれぞれの配線に対応し３本設けら
れている。
ように、シリコンチップ５ａによりダイヤフラム５ｂが
形成され、このシリコンチップ５ａ上にダイヤフラム５
ｂの変位を検出する圧力検出回路部（センサ回路部）が
集積化して形成されている。この集積化センサチップ５
への電源ライン、接地線、出力線は、図２に示すように
ボンディングワイヤ６、７および出力端子８、９を介し
て外部に導出される。なお、ボンディングワイヤ６、７
および出力端子８、９は、図２ではそれぞれ２本示され
ているが、実際にはそれぞれの配線に対応し３本設けら
れている。
【００１０】次に、圧力検出を行う圧力検出回路部の構
成について図１を用いて説明する。この圧力検出回路部
は、電源ラインＶ、出力線Ｏ、接地線Ｇによりそれぞれ
の端子を介して外部と接続されている。図３に示すダイ
ヤフラム５ｂの感圧領域には、不純物を拡散して歪ゲー
ジ１１〜１４が形成されており、これらにより図１に示
すようなブリッジ回路１００（センサ手段）が構成され
ている。ここで、歪ゲージ１１〜１４のうち一方の対角
位置の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が増加し、
他の対角位置の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が
減少するように設定されている。この歪ゲージは４つ設
けるのが好ましいが、２つの歪ゲージをそれぞれのブリ
ッジ辺に設け、他は固定抵抗にしたもの、あるいは１つ
の歪ゲージと固定抵抗を用いてブリッジ回路を構成する
ようにしたのでもよい。なお、可変抵抗１５、１６はブ
リッジ回路１００の不平衡電圧を補正するために設けら
れている。
成について図１を用いて説明する。この圧力検出回路部
は、電源ラインＶ、出力線Ｏ、接地線Ｇによりそれぞれ
の端子を介して外部と接続されている。図３に示すダイ
ヤフラム５ｂの感圧領域には、不純物を拡散して歪ゲー
ジ１１〜１４が形成されており、これらにより図１に示
すようなブリッジ回路１００（センサ手段）が構成され
ている。ここで、歪ゲージ１１〜１４のうち一方の対角
位置の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が増加し、
他の対角位置の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が
減少するように設定されている。この歪ゲージは４つ設
けるのが好ましいが、２つの歪ゲージをそれぞれのブリ
ッジ辺に設け、他は固定抵抗にしたもの、あるいは１つ
の歪ゲージと固定抵抗を用いてブリッジ回路を構成する
ようにしたのでもよい。なお、可変抵抗１５、１６はブ
リッジ回路１００の不平衡電圧を補正するために設けら
れている。
【００１１】このブリッジ回路１００へは抵抗１７〜２
０およびオペアンプ２９等より構成される定電流回路２
００から定電流が供給される。すなわち、抵抗１７、１
８により電源電圧を分圧した基準電圧と電源電圧との差
の電圧を抵抗１９の抵抗値で割った電流がブリッジ回路
１００に供給される。ブリッジ回路１００は、その定電
流の供給を受けてダイヤフラム５ｂへの印加圧力に応じ
た電圧Ｖ１、Ｖ２を出力する。
０およびオペアンプ２９等より構成される定電流回路２
００から定電流が供給される。すなわち、抵抗１７、１
８により電源電圧を分圧した基準電圧と電源電圧との差
の電圧を抵抗１９の抵抗値で割った電流がブリッジ回路
１００に供給される。ブリッジ回路１００は、その定電
流の供給を受けてダイヤフラム５ｂへの印加圧力に応じ
た電圧Ｖ１、Ｖ２を出力する。
【００１２】この電圧Ｖ１、Ｖ２は増幅回路３００にて
差動増幅される。この増幅回路３００は、オペアンプ３
０〜３２、トランジスタ３３、３４、抵抗２１〜２５等
より構成されている。オペアンプ３１の非反転入力端子
にはブリッジ回路１００からの電圧Ｖ１が印加され、ま
たその反転入力端子にはブリッジ回路１００から出力さ
れる電圧Ｖ２が、バッファとして機能するオペアンプ３
０および抵抗２１を介して印加されており、両入力電圧
がオペアンプ３１にて差動増幅され、その出力によりト
ランジスタ３３、３４が制御される。この作動により、
ブリッジ回路１００の出力電圧（Ｖ１ーＶ２）が電流出
力に変換される。
差動増幅される。この増幅回路３００は、オペアンプ３
０〜３２、トランジスタ３３、３４、抵抗２１〜２５等
より構成されている。オペアンプ３１の非反転入力端子
にはブリッジ回路１００からの電圧Ｖ１が印加され、ま
たその反転入力端子にはブリッジ回路１００から出力さ
れる電圧Ｖ２が、バッファとして機能するオペアンプ３
０および抵抗２１を介して印加されており、両入力電圧
がオペアンプ３１にて差動増幅され、その出力によりト
ランジスタ３３、３４が制御される。この作動により、
ブリッジ回路１００の出力電圧（Ｖ１ーＶ２）が電流出
力に変換される。
【００１３】この電流変換された電流出力は、オペアン
プ３２等よりなる増幅回路にて増幅され圧力検出信号を
出力線Ｏに出力する。また、この圧力検出回路部の温度
特性を補償するために抵抗２６〜２８が設けられてい
る。なお、この図１における抵抗１５、１６等の可変抵
抗は、所望の出力を得るために設けられたもので、半導
体圧力センサの製造時に調整される。
プ３２等よりなる増幅回路にて増幅され圧力検出信号を
出力線Ｏに出力する。また、この圧力検出回路部の温度
特性を補償するために抵抗２６〜２８が設けられてい
る。なお、この図１における抵抗１５、１６等の可変抵
抗は、所望の出力を得るために設けられたもので、半導
体圧力センサの製造時に調整される。
【００１４】なお、上述した半導体圧力センサの構成お
よび圧力検出回路部の構成については、特開昭５５ー１
５５２５３号公報あるいは特開平２ー２４２１２１号公
報に示すものと基本的に同様のものである。ここで、こ
れら従来のものと異なるのは、１）定電流回路２００お
よび増幅回路３００において電源ラインＶに直接接続さ
れている全ての抵抗１７、１９、２２に、コンデンサ３
５、３６、３７を設けて、抵抗１７、１９、２２ととも
にフィルタ回路を構成した点、２）オペアンプ２９〜３
２の電源を上記電源ラインＶとは別の電源ラインＶ’か
ら供給するとともにその電源ラインＶ’に抵抗４０およ
びコンデンサ３９からなるフィルタ回路を設けた点、お
よび３）オペアンプ３２からの出力線Ｏに抵抗２５およ
びコンデンサ３８からなるフィルタ回路を設けた点であ
る。
よび圧力検出回路部の構成については、特開昭５５ー１
５５２５３号公報あるいは特開平２ー２４２１２１号公
報に示すものと基本的に同様のものである。ここで、こ
れら従来のものと異なるのは、１）定電流回路２００お
よび増幅回路３００において電源ラインＶに直接接続さ
れている全ての抵抗１７、１９、２２に、コンデンサ３
５、３６、３７を設けて、抵抗１７、１９、２２ととも
にフィルタ回路を構成した点、２）オペアンプ２９〜３
２の電源を上記電源ラインＶとは別の電源ラインＶ’か
ら供給するとともにその電源ラインＶ’に抵抗４０およ
びコンデンサ３９からなるフィルタ回路を設けた点、お
よび３）オペアンプ３２からの出力線Ｏに抵抗２５およ
びコンデンサ３８からなるフィルタ回路を設けた点であ
る。
【００１５】なお、上記コンデンサ３５〜３９は、他の
回路素子と同様に集積化センサチップ５に、例えば通常
ＩＣで形成されるＭＯＳキャパシタやジャンクションキ
ャパシタ等として形成されており、その内の１つのコン
デンサ３５が図３に図示されている。このような抵抗お
よびコンデンサからなるフィルタ回路を高周波対策のた
めに設けることは、従来より種々提案されているが、通
常は、例えば特開昭５８ー１１２４２号公報に示される
ように、電源ラインに単にフィルタ回路を設けるもので
ある。このように電源ラインに単にフィルタ回路を形成
すると、そのフィルタを構成する抵抗による電圧降下に
て各部回路への供給電圧が低下し、本件のようにセンサ
装置を対象とする場合、そのような電圧低下は、センサ
作動上好ましくない。
回路素子と同様に集積化センサチップ５に、例えば通常
ＩＣで形成されるＭＯＳキャパシタやジャンクションキ
ャパシタ等として形成されており、その内の１つのコン
デンサ３５が図３に図示されている。このような抵抗お
よびコンデンサからなるフィルタ回路を高周波対策のた
めに設けることは、従来より種々提案されているが、通
常は、例えば特開昭５８ー１１２４２号公報に示される
ように、電源ラインに単にフィルタ回路を設けるもので
ある。このように電源ラインに単にフィルタ回路を形成
すると、そのフィルタを構成する抵抗による電圧降下に
て各部回路への供給電圧が低下し、本件のようにセンサ
装置を対象とする場合、そのような電圧低下は、センサ
作動上好ましくない。
【００１６】そこで、本実施形態においては、センサ特
性に関係のあるセンサ駆動用の電源ラインＶに単にフィ
ルタ回路を形成するのでなく、圧力検出回路部に従来よ
り用いられている抵抗１７、１９、２２を利用してフィ
ルタ回路を構成するようにしている。このような構成に
よりセンサ特性に影響を与えることなく、高周波ノイズ
対策を行うことができる。
性に関係のあるセンサ駆動用の電源ラインＶに単にフィ
ルタ回路を形成するのでなく、圧力検出回路部に従来よ
り用いられている抵抗１７、１９、２２を利用してフィ
ルタ回路を構成するようにしている。このような構成に
よりセンサ特性に影響を与えることなく、高周波ノイズ
対策を行うことができる。
【００１７】また、圧力検出回路部内におけるオペアン
プ２９〜３２への電源に高周波ノイズが混入すると、セ
ンサの検出作動に影響を与えるため、それに対しても高
周波ノイズ対策を施す必要があるが、上述したように電
源ラインＶに単にフィルタ回路を設けることは好ましく
ない。そこで、電源ラインＶとは別に電源ラインＶ’、
すなわちセンサ特性に無関係のオペアンプ駆動用の電源
ラインを、分岐点Ａから分岐して設け、この電源ライン
Ｖ’からオペアンプ２９〜３２に電源供給を行うように
するとともに、この電源ラインＶ’に抵抗４０およびコ
ンデンサ３９からなるフィルタ回路を形成して、オペア
ンプ２９〜３２への電源供給に対する高周波ノイズ対策
を行うようにしている。
プ２９〜３２への電源に高周波ノイズが混入すると、セ
ンサの検出作動に影響を与えるため、それに対しても高
周波ノイズ対策を施す必要があるが、上述したように電
源ラインＶに単にフィルタ回路を設けることは好ましく
ない。そこで、電源ラインＶとは別に電源ラインＶ’、
すなわちセンサ特性に無関係のオペアンプ駆動用の電源
ラインを、分岐点Ａから分岐して設け、この電源ライン
Ｖ’からオペアンプ２９〜３２に電源供給を行うように
するとともに、この電源ラインＶ’に抵抗４０およびコ
ンデンサ３９からなるフィルタ回路を形成して、オペア
ンプ２９〜３２への電源供給に対する高周波ノイズ対策
を行うようにしている。
【００１８】さらに、出力線Ｏから混入するノイズに対
しても高周波ノイズ対策を行う必要があるため、出力線
Ｏに抵抗２５およびコンデンサ３８からなるフィルタ回
路を設けている。上述したフィルタ回路はノイズ除去を
行うローパスフィルタであり、このような抵抗およびコ
ンデンサからなるＣＲフィルタの遮断周波数ｆo は、ｆ
o ＝１／２πＣＲ（ＨZ ）で表される。従って、定電流
回路２００における基準電圧作成用の抵抗１７の抵抗値
が５ｋΩの時、コンデンサ３５の容量を６ｐＦに設定す
ると、ｆo は約５．３（ＭＨZ ）となる。この場合のフ
ィルタ特性は、図４のようになり、ＥＭＩにて除去した
いノイズ（例えば１０ＭＨZ 以上）を考えると、５３Ｍ
ＨZ で−２０ｄＢ、５３０ＭＨZ で−４０ｄＢのノイズ
除去効果を得ることができる。
しても高周波ノイズ対策を行う必要があるため、出力線
Ｏに抵抗２５およびコンデンサ３８からなるフィルタ回
路を設けている。上述したフィルタ回路はノイズ除去を
行うローパスフィルタであり、このような抵抗およびコ
ンデンサからなるＣＲフィルタの遮断周波数ｆo は、ｆ
o ＝１／２πＣＲ（ＨZ ）で表される。従って、定電流
回路２００における基準電圧作成用の抵抗１７の抵抗値
が５ｋΩの時、コンデンサ３５の容量を６ｐＦに設定す
ると、ｆo は約５．３（ＭＨZ ）となる。この場合のフ
ィルタ特性は、図４のようになり、ＥＭＩにて除去した
いノイズ（例えば１０ＭＨZ 以上）を考えると、５３Ｍ
ＨZ で−２０ｄＢ、５３０ＭＨZ で−４０ｄＢのノイズ
除去効果を得ることができる。
【００１９】なお、抵抗１７以外の抵抗１９、２２に対
しても上記と同様の考え方で、所望のフィルタ特性を得
るためのコンデンサ３６、３７が設けられている。この
ように、圧力検出回路部内で用いられている抵抗を利用
し、その抵抗値とノイズ除去のために必要とするフィル
タ特性から所望の容量を有するコンデンサをその抵抗に
接続することにより、圧力検出回路部内に混入する高周
波ノイズを低減させることができる。
しても上記と同様の考え方で、所望のフィルタ特性を得
るためのコンデンサ３６、３７が設けられている。この
ように、圧力検出回路部内で用いられている抵抗を利用
し、その抵抗値とノイズ除去のために必要とするフィル
タ特性から所望の容量を有するコンデンサをその抵抗に
接続することにより、圧力検出回路部内に混入する高周
波ノイズを低減させることができる。
【００２０】なお、フィルタ回路を構成する抵抗として
は、電源ラインＶに直接接続されたもので圧力検出回路
部内でその検出動作を行うために必要とされる既存のも
のである。すなわち、抵抗１７は、定電流回路２００に
おいて定電流の値を定める基準電圧を作成するための抵
抗であり、抵抗１９は、基準電圧と電源電圧との関係で
定電流値を決定するための抵抗であり、抵抗２２は、増
幅回路３００の動作点を定めるための抵抗である。
は、電源ラインＶに直接接続されたもので圧力検出回路
部内でその検出動作を行うために必要とされる既存のも
のである。すなわち、抵抗１７は、定電流回路２００に
おいて定電流の値を定める基準電圧を作成するための抵
抗であり、抵抗１９は、基準電圧と電源電圧との関係で
定電流値を決定するための抵抗であり、抵抗２２は、増
幅回路３００の動作点を定めるための抵抗である。
【００２１】また、抵抗４０とコンデンサ３９により構
成されるフィルタ回路は電源ラインＶ’に設けられるた
め、抵抗４０は、消費電流と許容電圧ドロップとの関係
から大きな抵抗値とすることはできない。それらの条件
を考慮し、例えば抵抗４０の抵抗値を７００Ωとした場
合、コンデンサ３９の容量を４０ｐＦとすると、遮断周
波数は約５．７ＭＨｚとなり、図４に示すものと同等の
フィルタ特性のものを得ることができる。
成されるフィルタ回路は電源ラインＶ’に設けられるた
め、抵抗４０は、消費電流と許容電圧ドロップとの関係
から大きな抵抗値とすることはできない。それらの条件
を考慮し、例えば抵抗４０の抵抗値を７００Ωとした場
合、コンデンサ３９の容量を４０ｐＦとすると、遮断周
波数は約５．７ＭＨｚとなり、図４に示すものと同等の
フィルタ特性のものを得ることができる。
【００２２】次に、上記のように構成した本実施形態の
半導体圧力センサに対して、本発明者等が実施したイミ
ュニティテスト（IMMUNITY TEST ）について説明する。
図５は、ＴＥＭセル（TRANSVERSE ELECTRO-MAGNETIC CE
LL）装置によるイミュニティテストを実施したときの、
ＥＭＣレベル（高周波：１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚ）に
おける誤動作を起こす電界強度Ｅの測定結果を示したも
のである。
半導体圧力センサに対して、本発明者等が実施したイミ
ュニティテスト（IMMUNITY TEST ）について説明する。
図５は、ＴＥＭセル（TRANSVERSE ELECTRO-MAGNETIC CE
LL）装置によるイミュニティテストを実施したときの、
ＥＭＣレベル（高周波：１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚ）に
おける誤動作を起こす電界強度Ｅの測定結果を示したも
のである。
【００２３】図において、実線の波形ａは図１に示され
る本実施形態の半導体圧力センサによる測定結果を示
し、破線の波形ｂは比較例として図１のコンデンサ３
５、３６、３７、３８、３９および抵抗２５、４０を接
続しない場合の半導体圧力センサの測定結果を示したも
のである。なお、両者のオペアンプ２９〜３２の高周波
ノイズに対する耐量は実質的に同ーである。
る本実施形態の半導体圧力センサによる測定結果を示
し、破線の波形ｂは比較例として図１のコンデンサ３
５、３６、３７、３８、３９および抵抗２５、４０を接
続しない場合の半導体圧力センサの測定結果を示したも
のである。なお、両者のオペアンプ２９〜３２の高周波
ノイズに対する耐量は実質的に同ーである。
【００２４】図から明らかなように波形ａと波形ｂとで
は顕著な差があり、例えば波形ｂによれば周波数ｆ＝約
７５ＭＨｚ〜約９００ＭＨｚの帯域において電界強度の
低い領域で誤動作を起こし、特に周波数ｆ＝約２２０Ｍ
Ｈｚ〜約２４０ＭＨｚで電界強度Ｅ＝５Ｖ／ｍの耐量し
かないことがわかる。これに対して、波形ａによれば、
周波数ｆ＝１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの帯域において電
界強度Ｅ＝１００Ｖ／ｍ以上の耐量があることがわか
る。
は顕著な差があり、例えば波形ｂによれば周波数ｆ＝約
７５ＭＨｚ〜約９００ＭＨｚの帯域において電界強度の
低い領域で誤動作を起こし、特に周波数ｆ＝約２２０Ｍ
Ｈｚ〜約２４０ＭＨｚで電界強度Ｅ＝５Ｖ／ｍの耐量し
かないことがわかる。これに対して、波形ａによれば、
周波数ｆ＝１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの帯域において電
界強度Ｅ＝１００Ｖ／ｍ以上の耐量があることがわか
る。
【００２５】このことから、本実施形態の半導体圧力セ
ンサは、上記比較例として用いた半導体圧力センサに比
して誤動作しにくいものであることがいえる。従って、
特に本実施形態の半導体圧力センサを、無線、ラジオ、
テレビ、電話等の苛酷な電磁波障害の影響を受けるよう
な用途に使用した場合であっても、誤動作の心配はな
く、例えば車両用として用いれば非常に有効である。
ンサは、上記比較例として用いた半導体圧力センサに比
して誤動作しにくいものであることがいえる。従って、
特に本実施形態の半導体圧力センサを、無線、ラジオ、
テレビ、電話等の苛酷な電磁波障害の影響を受けるよう
な用途に使用した場合であっても、誤動作の心配はな
く、例えば車両用として用いれば非常に有効である。
【００２６】また、本出願人は、先に耐ＥＭＩ対策を施
した半導体装置を提案している（特開平５−３２７２６
４号公報）。その図４に示される回路構成は、本実施形
態の図１の回路構成に対し、オペアンプ３１、３０の非
反転入力端子と接地間にコンデンサをそれぞれ接続する
とともに、コンデンサ３８、３９、抵抗２４、２５、４
０を接続しないようにしたものである。本発明者等は、
この公報に記載の回路構成に基づいて、図５と同じＴＥ
Ｍセル装置によるイミュニティテストを実施したが、そ
の耐量は本実施形態の波形ａほど期待できず、むしろ波
形ｂに近いものであることを確認した。
した半導体装置を提案している（特開平５−３２７２６
４号公報）。その図４に示される回路構成は、本実施形
態の図１の回路構成に対し、オペアンプ３１、３０の非
反転入力端子と接地間にコンデンサをそれぞれ接続する
とともに、コンデンサ３８、３９、抵抗２４、２５、４
０を接続しないようにしたものである。本発明者等は、
この公報に記載の回路構成に基づいて、図５と同じＴＥ
Ｍセル装置によるイミュニティテストを実施したが、そ
の耐量は本実施形態の波形ａほど期待できず、むしろ波
形ｂに近いものであることを確認した。
【００２７】従って、苛酷な電磁波障害の影響を受け易
い場所には本実施形態のような半導体圧力センサ、すな
わち、電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから
センサ回路部１００、２００、３００に至る電源ライン
Ｖに、抵抗１７とコンデンサ３５とから構成されるフィ
ルタ回路、抵抗１９とコンデンサ３６から構成されるフ
ィルタ回路、および抵抗２２とコンデンサ３７とから構
成されるフィルタ回路を形成し、かつ電源ラインＶ’に
抵抗４０とコンデンサ３９とから構成されるフィルタ回
路を形成し、かつ出力線Ｏに抵抗２５とコンデンサ３８
とから構成されるフィルタ回路を形成する回路構成を用
いるのが好適である。
い場所には本実施形態のような半導体圧力センサ、すな
わち、電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから
センサ回路部１００、２００、３００に至る電源ライン
Ｖに、抵抗１７とコンデンサ３５とから構成されるフィ
ルタ回路、抵抗１９とコンデンサ３６から構成されるフ
ィルタ回路、および抵抗２２とコンデンサ３７とから構
成されるフィルタ回路を形成し、かつ電源ラインＶ’に
抵抗４０とコンデンサ３９とから構成されるフィルタ回
路を形成し、かつ出力線Ｏに抵抗２５とコンデンサ３８
とから構成されるフィルタ回路を形成する回路構成を用
いるのが好適である。
【００２８】なお、本実施形態の半導体圧力センサにあ
っては、その高周波ノイズ対策として用いた各フィルタ
回路のうち、特に電源ラインＶに構成するフィルタ回路
は、既に電源ラインＶに用いられ直接接続された抵抗１
７、１９、２２を利用し、これらにコンデンサ３５、３
６、３７を設けることにより実現している。これは、フ
ィルタ回路を構成する抵抗による電圧降下にて各部回路
への供給電圧が低下し、センサ特性が劣化することを踏
まえて構成されたものであったが、このフィルタ回路構
成に固執するする必要はなく、例えば電源ラインＶと電
源ラインＶ’との分岐点Ａから圧力検出回路部に至る電
源ラインＶに接続されるものであれば、新たな抵抗およ
びコンデンサにてフィルタ回路を構成するようにしても
よい。
っては、その高周波ノイズ対策として用いた各フィルタ
回路のうち、特に電源ラインＶに構成するフィルタ回路
は、既に電源ラインＶに用いられ直接接続された抵抗１
７、１９、２２を利用し、これらにコンデンサ３５、３
６、３７を設けることにより実現している。これは、フ
ィルタ回路を構成する抵抗による電圧降下にて各部回路
への供給電圧が低下し、センサ特性が劣化することを踏
まえて構成されたものであったが、このフィルタ回路構
成に固執するする必要はなく、例えば電源ラインＶと電
源ラインＶ’との分岐点Ａから圧力検出回路部に至る電
源ラインＶに接続されるものであれば、新たな抵抗およ
びコンデンサにてフィルタ回路を構成するようにしても
よい。
【００２９】この場合は、フィルタ回路の抵抗の回路定
数を、抵抗１７、１９、２２の回路定数と併せて適宜最
適設計すればよく、これによって電源ラインＶに直接接
続された抵抗を利用しなくてもセンサ特性の劣化を回避
しつつ高周波ノイズ対策が可能となる。これに対して、
電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから電源端
子側においてフィルタ回路を構成すると、例えセンサ特
性（抵抗の回路定数）を考慮したとしても、このフィル
タ回路の抵抗を流れるオペアンプ電源用の電流によって
電圧降下が生じるため、センサ出力の低下による性能劣
化が避けられない。従って、分岐点Ａ−電源端子間には
フィルタ回路を設けることは有効ではない。
数を、抵抗１７、１９、２２の回路定数と併せて適宜最
適設計すればよく、これによって電源ラインＶに直接接
続された抵抗を利用しなくてもセンサ特性の劣化を回避
しつつ高周波ノイズ対策が可能となる。これに対して、
電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから電源端
子側においてフィルタ回路を構成すると、例えセンサ特
性（抵抗の回路定数）を考慮したとしても、このフィル
タ回路の抵抗を流れるオペアンプ電源用の電流によって
電圧降下が生じるため、センサ出力の低下による性能劣
化が避けられない。従って、分岐点Ａ−電源端子間には
フィルタ回路を設けることは有効ではない。
【００３０】以上説明した内容から鑑みると、センサ装
置の高周波ノイズ対策として必要な回路としては、
（１）電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから
センサ回路部に至る電源ラインＶ上にフィルタ回路を構
成すること、好適には、既に電源ラインＶに直接接続さ
れた抵抗にコンデンサを組み合わせてできるフィルタ回
路を構成すること、具体的には、定電流回路２００およ
び増幅回路３００において電源ラインＶに直接接続され
ている全ての抵抗１７、１９、２２に、コンデンサ３
５、３６、３７を設けて、抵抗１７、１９、２２と共に
夫々フィルタ回路を構成すること、（２）電源ラインＶ
とは別に分岐して接続されたセンサ回路部内のオペアン
プ電源用の電源ラインＶ’にフィルタ回路を構成するこ
と、具体的には、オペアンプ２９〜３２の電源を電源ラ
インＶとは別の電源ラインＶ’から供給するとともにそ
の電源ラインＶ’に抵抗４０およびコンデンサ３９から
なるフィルタ回路を構成すること、および、（３）セン
サ回路部の出力と出力端子Ｏとの間にフィルタ回路を構
成すること、具体的には、オペアンプ３２からの出力線
Ｏに抵抗２５およびコンデンサ３８からなるフィルタ回
路を構成することである。
置の高周波ノイズ対策として必要な回路としては、
（１）電源ラインＶと電源ラインＶ’との分岐点Ａから
センサ回路部に至る電源ラインＶ上にフィルタ回路を構
成すること、好適には、既に電源ラインＶに直接接続さ
れた抵抗にコンデンサを組み合わせてできるフィルタ回
路を構成すること、具体的には、定電流回路２００およ
び増幅回路３００において電源ラインＶに直接接続され
ている全ての抵抗１７、１９、２２に、コンデンサ３
５、３６、３７を設けて、抵抗１７、１９、２２と共に
夫々フィルタ回路を構成すること、（２）電源ラインＶ
とは別に分岐して接続されたセンサ回路部内のオペアン
プ電源用の電源ラインＶ’にフィルタ回路を構成するこ
と、具体的には、オペアンプ２９〜３２の電源を電源ラ
インＶとは別の電源ラインＶ’から供給するとともにそ
の電源ラインＶ’に抵抗４０およびコンデンサ３９から
なるフィルタ回路を構成すること、および、（３）セン
サ回路部の出力と出力端子Ｏとの間にフィルタ回路を構
成すること、具体的には、オペアンプ３２からの出力線
Ｏに抵抗２５およびコンデンサ３８からなるフィルタ回
路を構成することである。
【００３１】従って、上記（１）〜（３）の条件を全て
満たせば、図５に示した実線波形ａの如く耐量をもった
耐高周波ノイズ性のセンサ装置を構成することができる
ことになる。なお、電源ラインＶ’に設けるフィルタ回
路の構成としては、図６に示すように抵抗４０ａおよび
コンデンサ３９ａを追加した２段のもの、あるいはさら
に多段とした構成とするようにしてもよい。
満たせば、図５に示した実線波形ａの如く耐量をもった
耐高周波ノイズ性のセンサ装置を構成することができる
ことになる。なお、電源ラインＶ’に設けるフィルタ回
路の構成としては、図６に示すように抵抗４０ａおよび
コンデンサ３９ａを追加した２段のもの、あるいはさら
に多段とした構成とするようにしてもよい。
【００３２】また、オペアンプの反転、非反転入力端子
には電流が流れないため、これを利用し、例えば抵抗１
７とコンデンサ３５によるフィルタ回路に対して、図７
に示すような、高抵抗値の抵抗５０とコンデンサ５１の
フィルタ回路を追加し、フィルタ回路の多段化を行うよ
うにしてもよい。この場合、抵抗５０の抵抗値を大きく
することによりコンデンサ５１を容量の小さいものとす
ることができ、その形成面積を小さくして、センサチッ
プへの集積化を図ることができる。
には電流が流れないため、これを利用し、例えば抵抗１
７とコンデンサ３５によるフィルタ回路に対して、図７
に示すような、高抵抗値の抵抗５０とコンデンサ５１の
フィルタ回路を追加し、フィルタ回路の多段化を行うよ
うにしてもよい。この場合、抵抗５０の抵抗値を大きく
することによりコンデンサ５１を容量の小さいものとす
ることができ、その形成面積を小さくして、センサチッ
プへの集積化を図ることができる。
【００３３】なお、上記実施形態においては、半導体圧
力センサに適用するものについて説明したが、加速度セ
ンサ、磁気センサ、光センサ等のセンサ装置に適用する
ようにしてもよい。
力センサに適用するものについて説明したが、加速度セ
ンサ、磁気センサ、光センサ等のセンサ装置に適用する
ようにしてもよい。
【図１】半導体圧力センサの圧力検出回路部の回路構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図３】集積化センサチップの構成を示す構成図であ
る。
る。
【図４】フィルタ回路のフィルタ特性を示す特性図であ
る。
る。
【図５】イミュニティテスト結果を示す特性図である。
【図６】電源ラインＶ’に形成するフィルタ回路の他の
構成を示す部分回路図である。
構成を示す部分回路図である。
【図７】定電流回路に形成するフィルタ回路の他の構成
を示す部分回路図である。
を示す部分回路図である。
１……上ケース、２……下ケース、３……圧力導入パイ
プ、４……台座、５……集積化センサチップ、１００…
…ブリッジ回路、２００……定電流回路、３００……増
幅回路。
プ、４……台座、５……集積化センサチップ、１００…
…ブリッジ回路、２００……定電流回路、３００……増
幅回路。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−327264（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−18151（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−217375（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−286924（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−50240（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭62−160342（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01D 3/028
G01L 9/04 101
H05K 9/00
Claims (11)
- 【請求項１】 電源端子に接続された第１の電源ライン
（Ｖ）と、 この第１の電源ラインとは別に分岐して接続された第２
の電源ライン（Ｖ’）と、 出力ライン（Ｏ）と、 前記第１の電源ラインに接続されこの第１の電源ライン
からの電源供給を受けて被測定物の状態を検出し検出信
号を前記出力ラインに出力するセンサ回路部（１００〜
３００）とを備え、 前記センサ回路部は、前記第２の電源ラインからの電源
供給を受けて動作するオペアンプ（２９、３２）を有し
て前記検出作動を行うものであり、 さらに前記第１の電源ラインと前記第２の電源ラインと
の分岐点（Ａ）から前記センサ回路部への前記第１の電
源ラインに第１のフィルタ回路（１７、３５、１９、３
６、２２、３７）が接続され、前記第２の電源ラインに
第２のフィルタ回路（３９、４０）が接続され、前記出
力ラインに第３のフィルタ回路（２５、３８）が接続さ
れていることを特徴とするセンサ装置。 - 【請求項２】 前記センサ回路部は、前記第１の電源ラ
インに直接接続された抵抗（１７、１９、２２）を有
し、この抵抗を介して前記第１の電源ラインからの電源
供給を受け、前記抵抗とともに前記検出動作を行うよう
に構成されたものであって、 前記抵抗にコンデンサ（３５、３６、３７）が接続され
て前記第１のフィルタ回路が構成されていることを特徴
とする請求項１に記載のセンサ装置。 - 【請求項３】 前記センサ回路部は、前記被測定媒体の
状態を検出する検出回路（１００）およびこの検出回路
からの信号を増幅する増幅回路（３００）を備え、この
増幅回路は前記オペアンプ（３２）を含んで構成されて
おり、このオペアンプの入力端子と前記第１の電源ライ
ンとの間には、前記増幅回路の動作点を定めるための抵
抗（２２）が接続されており、この抵抗にコンデンサ
（３７）が接続されて前記第１のフィルタ回路が構成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装
置。 - 【請求項４】 前記センサ回路部は、前記被測定媒体の
状態を検出する検出回路（１００）およびこの検出回路
に定電流を供給する定電流回路（２００）を備え、この
定電流回路は前記オペアンプ（２９）を含んで構成され
ており、このオペアンプの反転入力端子、非反転入力端
子の一方と前記第１の電源ラインとの間には、前記定電
流の値を定める基準電圧を作成するための第１の抵抗
（１７）が接続されており、前記反転入力端子、非反転
入力端子の他方の端子と前記第１の電源ラインとの間に
は、前記基準電圧と電源電圧との関係で前記定電流値を
決定するための第２の抵抗（１９）が接続されており、
前記第１の抵抗に第１のコンデンサ（３５）が接続さ
れ、かつ前記第２の抵抗に第２のコンデンサ（３６）が
接続されて、前記第１のフィルタ回路が構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。 - 【請求項５】 前記第１の電源ライン、前記第２の電源
ライン、前記センサ回路部、前記出力ライン、前記第１
のフィルタ回路、前記第２のフィルタ回路、および前記
第３のフィルタ回路は全て集積化センサチップとして形
成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１つに記載のセンサ装置。 - 【請求項６】 電源端子に接続された第１の電源ライン
（Ｖ）と、 この第１の電源ラインとは別に分岐して接続された第２
の電源ライン（Ｖ’）と、 前記第１の電源ラインに接続されこの第１の電源ライン
からの電源供給を受けて定電流を生成する定電流生成手
段（２００）と、 この定電流生成手段からの定電流の供給を受けて被測定
物の状態を検出して検出信号を出力するセンサ手段（１
００）と、 前記第１の電源ラインに接続され前記センサ手段の検出
信号を増幅して出力する増幅手段（３００）と、 この増幅手段の出力側に接続された出力ライン（Ｏ）と
を備え、 前記定電流生成手段および前記増幅手段のそれぞれは、
前記第２の電源ラインからの電源供給を受けて動作する
オペアンプ（２９、３２）を有し、 前記第１の電源ラインと前記第２の電源ラインとの分岐
点（Ａ）から前記定電流生成手段および前記増幅手段に
至る前記第１の電源ラインに第１のフィルタ回路（１
７、３５、１９、３６、２２、３７）が接続され、前記
第２の電源ラインに第２のフィルタ回路（３９、４０）
が接続され、前記出力ラインに第３のフィルタ回路（２
５、３８）が接続されていることを特徴とするセンサ装
置。 - 【請求項７】 前記定電流生成手段は、前記第１の電源
ラインに直接接続され前記定電流の値を定める基準電圧
を作成するための第１の抵抗（１７）と、前記基準電圧
と電源電圧との関係で前記定電流値を決定するための第
２の抵抗（１９）とを有して構成されたものであり、前
記増幅手段は、前記第１の電源ラインに直接接続され前
記増幅手段の動作点を定めるための第３の抵抗（２２）
を有して構成されたものであり、前記第１の抵抗、第２
の抵抗、および前記第３の抵抗のそれぞれにコンデンサ
（３５、３６、３７）が接続されて前記第１のフィルタ
回路が構成されていることを特徴とする請求項６に記載
のセンサ装置。 - 【請求項８】 前記第１の電源ライン、前記第２の電源
ライン、前記定電流生成手段、前記センサ手段、前記増
幅手段、前記出力ライン、前記第１のフィルタ回路、前
記第２のフィルタ回路、および前記第３のフィルタ回路
は全て集積化センサチップとして形成されていることを
特徴とする請求項６又は７に記載のセンサ装置。 - 【請求項９】 前記第１のフィルタ回路、前記第２のフ
ィルタ回路、および前記第３のフィルタ回路はローパス
フィルタであることを特徴とする請求項１乃至８のいず
れか１つに記載のセンサ装置。 - 【請求項１０】 電源端子に接続された第１の電源ライ
ン（Ｖ）と、 この第１の電源ラインとは別に分岐して接続された第２
の電源ライン（Ｖ’）と、 第１のオペアンプ（２９）と、この第１のオペアンプの
反転入力端子、非反転入力端子の一方と前記第１の電源
ラインとの間に接続され定電流の値を定める基準電圧を
作成するための第１の抵抗（１７）と、前記反転入力端
子、非反転入力端子の他方の端子と前記第１の電源ライ
ンとの間に接続され前記基準電圧と電源電圧との関係で
前記定電流値を決定するための第２の抵抗（１９）と、
前記第１の抵抗に接続され第１の抵抗とともに第１のフ
ィルタ回路を構成する第１のコンデンサ（３５）と、前
記第２の抵抗に接続され第２の抵抗とともに第２のフィ
ルタ回路を構成する第２のコンデンサ（３６）とを有し
て、定電流を出力する定電流回路（２００）と、 被測定圧力に応じて抵抗値が変動する歪ゲージを有し、
前記定電流回路からの定電流の供給を受けて、前記抵抗
値に応じた信号を出力するブリッジ回路（１００）と、 第２のオペアンプ（３２）と、この第２のオペアンプの
入力端子と前記第１の電源ラインとの間に接続された第
３の抵抗（２２）と、この第３の抵抗に接続され第３の
抵抗とともに第３のフィルタ回路を構成するコンデンサ
（３７）とを備え、前記ブリッジ回路の出力信号を増幅
する増幅回路（３００）と、 この増幅回路と出力端子との間に接続された出力ライン
（Ｏ）とを備え、 前記第１、第２のオペアンプは前記２の電源ラインから
電源供給されるように構成されたものであって、 前記第２の電源ラインに第４の抵抗（４０）と第４のコ
ンデンサ（３９）からなる第４のフィルタ回路が接続さ
れ、前記出力ラインに第５の抵抗（２５）と第５のコン
デンサ（３８）からなる第５のフィルタ回路が接続され
ていることを特徴とするセンサ装置。 - 【請求項１１】 前記第１の電源ライン、前記第２の電
源ライン、前記定電流回路、前記ブリッジ回路、前記増
幅回路、前記出力ライン、前記第１のフィルタ回路、前
記第２のフィルタ回路、前記第３のフィルタ回路、前記
第４のフィルタ回路、および前記第５のフィルタ回路は
全て集積化センサチップとして形成されていることを特
徴とする請求項１０に記載のセンサ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26534295A JP3427594B2 (ja) | 1994-11-04 | 1995-10-13 | センサ装置 |
| DE69517488T DE69517488T2 (de) | 1994-11-04 | 1995-11-03 | Eine Schaltung für einen Sensor, fähig, Hochfrequenzrauschen zu verhindern |
| US08/552,789 US5684428A (en) | 1994-11-04 | 1995-11-03 | Sensor apparatus capable of preventing high frequency noise |
| EP95117338A EP0710825B1 (en) | 1994-11-04 | 1995-11-03 | A sensor circuit capable of preventing high frequency noise |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-270836 | 1994-11-04 | ||
| JP27083694 | 1994-11-04 | ||
| JP26534295A JP3427594B2 (ja) | 1994-11-04 | 1995-10-13 | センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08184462A JPH08184462A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3427594B2 true JP3427594B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=26546938
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26534295A Expired - Fee Related JP3427594B2 (ja) | 1994-11-04 | 1995-10-13 | センサ装置 |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US5684428A (ja) |
| EP (1) | EP0710825B1 (ja) |
| JP (1) | JP3427594B2 (ja) |
| DE (1) | DE69517488T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| ES2349696T3 (es) * | 2006-11-11 | 2011-01-10 | Mettler-Toledo Ag | Procedimiento para la supervisión y/o determinación del estado de un dispositivo de medición de fuerza, y dispositivo de medición de fuerza. |
| FR2910958B1 (fr) * | 2006-12-28 | 2009-02-20 | Siemens Vdo Automotive Sas | Capteur integre a rejection de couplage capacitif a la masse mecanique |
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Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2730152B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1998-03-25 | 株式会社デンソー | 圧力・温度複合検出装置 |
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Cited By (1)
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