JP3419526B2 - 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 - Google Patents
磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗素子（ＭＲ
ヘッド）の読出し信号に生ずるベースシフトの検査装置
に関する。 【０００２】 【従来の技術】磁気ディスクに対するデータの書込み／
読出し用の磁気ヘッドには、磁気抵抗効果を利用したＭ
Ｒヘッドが開発されて使用されている。磁気抵抗効果
は、磁界の変化に対応して抵抗値が変化するもので、Ｍ
Ｒヘッドに一定電圧を加圧してディスクのトラックを走
査すると、これに記録されている正または負の磁極に従
って、読出し信号の電流または電圧が変化して記録デー
タが読出しされるものである。 【０００３】上記のＭＲヘッドには、磁気抵抗効果の非
直線性などに起因して、その読出し信号波形がベースに
対して部分的にシフトする性質があり、これを図３によ
り説明する。図３(a) は、ディスクのトラックに記録さ
れたデータ符号の例を示し、ＮおよびＳの磁極のビット
ｂが間隔Ｔ0 で順次に列をなしているものとする。(b)
は、このビット列をＭＲヘッドにより読出した、正側の
パルス（＋ｐ）と負側のパルス（−ｐ）の波形の例を示
し、両パルスはビットｂに対応したピークを有する。た
だし、＋ｐには電圧０のベースに対して、電圧＋ＶS だ
け上方にシフトした平坦な部分＋Ｂが、また−ｐには電
圧−ＶS だけ下方にシフトした平坦な部分−Ｂがそれぞ
れ生じて変歪している。＋Ｂと−Ｂはベースシフトとよ
ばれ、これが過大であると、それぞれのピークの検出に
支障するので、これらの大きさを測定してＭＲヘッドの
良否が検査されている。 【０００４】図４は、上記のベースシフトに対する従来
の測定方法を示し、＋ｐと−ｐの波形を、適当な時間間
隔δｔでサンプリングし、サンプリングされた各波高値
ｈをメモリに記憶する。データ処理により波高値ｈが連
続して平坦な部分を求めることにより、各シフト電圧＋
ＶS または−ＶS がえられる。一方、＋ｐ，−ｐのピー
ク電圧＋Ｖmax,−Ｖmax を求めて、シフト電圧＋ＶS,−
ＶS との比（％値）を算出し、これらを基準値に比較し
てＭＲヘッドの良否が判定されている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来のシフト
電圧の測定方法は、原理的にはもちろん正しいが、しか
しデータ処理がやや面倒でかなりの時間を要する。ま
た、パルス列の各パルスのシフト電圧は、かならずしも
一定値でないため、できるだけ多数のパルスに対するシ
フト電圧を測定して良否を判定することが必要であり、
このために測定とデータ処理の時間はますます長くな
る。この発明は上記に鑑みててなされたもので、複数の
パルスのベースシフト量を迅速に測定してＭＲヘッドの
良否を検査できる、ベースシフト検査装置を提供するこ
とを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成したベースシフト検査装置であって、テストディス
クに記録された "１" と "−１" が連続したテスト符号
を、ＭＲヘッドにより読出し、読出されたパルス列を、
コンパレータにより可変の正および負の閾値電圧に比較
して、各パルスの正側および負側のパルス幅を検出す
る。マイクロプロセッサの制御により、可変の各閾値電
圧の絶対値をそれぞれ漸次減少して、各パルス幅が急激
に増加するパルス幅増加点をそれぞれ検出し、各増加点
における正または負の閾値電圧を、パルスの正側または
負側のシフト電圧とする。各パルスのそれぞれのピーク
電圧に対する各シフト電圧の％値を算出してメモリに記
憶し、マイクロプロセッサにより、複数のパルスの各％
値、または算出したその平均値を基準値と比較し、ＭＲ
ヘッドの良否を判定するものである。 【０００７】 【作用】上記のベースシフト検査装置においては、ＭＲ
ヘッドによりテストディスクのテスト符号を読出すと、
＋ｐと−ｐのパルスが連続したパルス列がえられる。パ
ルス列は、コンパレータにより可変の正および負の閾値
電圧に比較されて、各パルスの正側および負側のパルス
幅が検出され、マイクロプロセッサの制御により、可変
の各閾値電圧の絶対値をそれぞれ漸次減少すると、各パ
ルス幅が急激に増加するパルス幅増加点があるので、こ
の増加点をそれぞれ検出し、各増加点における正または
負の閾値電圧が、パルスの正側または負側のシフト電圧
とされる。各パルスのそれぞれのピーク電圧に対する各
シフト電圧の％値が算出されてメモリに記憶され、マイ
クロプロセッサにより、複数のパルスの各％値、または
その平均値が基準値と比較されてＭＲヘッドの良否が判
定される。上記の閾値電圧を変化する方法は、図４で説
明した各パルスの波形のサンプリングとその処理による
方法に比較して、シフト電圧を迅速に測定することがで
きる。 【０００８】 【実施例】図１および図２は、この発明の一実施例を示
し、図１はベースシフト検査装置４のブロック構成図、
図２は可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の説明
図である。 【０００９】図１において、テストディスク１には "
１" と "−１" が連続したテスト符号が記録されてお
り、テストディスク１はスピンドル２に装着されてθ回
転し、ＭＲヘッド３によりテスト符号が読出される。検
査装置４は、正側のパルス測定部41と、負側のパルス測
定部42、共通の可変閾値電圧発生回路43、 マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）44、メモリ（ＭＥＭ）45、および出力
器46とにより構成される。正側のパルス測定部41は、ピ
ークホールド回路411 と、コンパレータ412 、増加点検
出回路413 、＋シフト電圧検出回路414 、％算出器415
、およびＡ／Ｄ変換器416 よりなる。負側のパルス測
定部42も同様である。可変閾値電圧発生回路43はＭＰＵ
44により制御され、可変の閾値電圧＋ＳV と−ＳV を出
力して各コンパレータ412,423 に供給する。 【００１０】以下、図２を併用して上記の検査装置４の
各部の動作を説明する。ＭＲヘッド３により読出された
パルス列は各コンパレータ412,422 に入力し、適当な閾
値電圧＋ＳV,−ＳV に比較されて、図２に示すように、
パルス＋ｐと−ｐのそれぞれのパルス幅ｗが検出され
る。両パルスの処理は同様であるので、パルス＋ｐにつ
いて述べると、ＭＰＵ44の制御により、閾値電圧＋ＳV
を＋ＳV′に減少すると、パルス幅はｗからｗ′に少し
増加する。さらに＋ＳV″に減少すると、これらは＋ｐ
のシフト電圧＋ＶS より小さいので、パルス幅はｗ′か
らｗ″に急激に大きくなる。増加点検出回路413 は、コ
ンパレータ412 が出力するパルスの幅を監視し、これが
急激に増加した時点を検出して、幅増加信号を＋シフト
電圧検出回路414 に出力する。＋シフト電圧検出回路41
4 においては、この増加時点における閾値電圧＋ＳV″
を、＋ｐのシフト電圧＋ＶS として、％算出回路415 に
出力する。一方、ＭＲヘッド３よりのパルス列は、ピー
クホールド回路411 に入力して、＋ｐのピーク電圧＋Ｖ
max が検出されてホールドされており、上記の増加信号
が入力すると、その時点におけるピーク電圧＋Ｖmax が
％算出回路415 に対して出力され、これに対するシフト
電圧＋ＶS の比の％値が算出され、さらにＡ／Ｄ変換器
416 によりデジタル化され、ＭＰＵ44によりＭＥＭ45に
記憶される。パルス−ｐも上記と同様に処理されて、そ
のピーク電圧−Ｖmax に対するシフト電圧−ＶS の％値
が算出され、デジタル化されてＭＥＭ45に記憶される。
上記の方法により、パルス列の複数のパルスのベースシ
フト量の％値がそれぞれ算出されて、ＭＥＭ45に逐次に
記憶され、これらはＭＰＵ45に読出されて基準値と比較
され、または各％値の平均値が算出されて基準値と比較
されてＭＲヘッドの良否が判定され、判定結果が出力器
46に出力される。 【００１１】 【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明のベース
シフト検査装置においては、ＭＲヘッドにより読出され
たパルス列の、各パルスの正側または負側のシフト電圧
が迅速に測定され、それぞれのピーク電圧に対する％
値、またはその平均値が基準値と比較されて、ＭＲヘッ
ドの良否が正しく判定されるもので、従来の各パルスの
波形のサンプリングとその処理による方法に比較して、
ＭＲヘッドのベースシフトの検査が迅速になされる効果
には、大きいものがある。
ヘッド）の読出し信号に生ずるベースシフトの検査装置
に関する。 【０００２】 【従来の技術】磁気ディスクに対するデータの書込み／
読出し用の磁気ヘッドには、磁気抵抗効果を利用したＭ
Ｒヘッドが開発されて使用されている。磁気抵抗効果
は、磁界の変化に対応して抵抗値が変化するもので、Ｍ
Ｒヘッドに一定電圧を加圧してディスクのトラックを走
査すると、これに記録されている正または負の磁極に従
って、読出し信号の電流または電圧が変化して記録デー
タが読出しされるものである。 【０００３】上記のＭＲヘッドには、磁気抵抗効果の非
直線性などに起因して、その読出し信号波形がベースに
対して部分的にシフトする性質があり、これを図３によ
り説明する。図３(a) は、ディスクのトラックに記録さ
れたデータ符号の例を示し、ＮおよびＳの磁極のビット
ｂが間隔Ｔ0 で順次に列をなしているものとする。(b)
は、このビット列をＭＲヘッドにより読出した、正側の
パルス（＋ｐ）と負側のパルス（−ｐ）の波形の例を示
し、両パルスはビットｂに対応したピークを有する。た
だし、＋ｐには電圧０のベースに対して、電圧＋ＶS だ
け上方にシフトした平坦な部分＋Ｂが、また−ｐには電
圧−ＶS だけ下方にシフトした平坦な部分−Ｂがそれぞ
れ生じて変歪している。＋Ｂと−Ｂはベースシフトとよ
ばれ、これが過大であると、それぞれのピークの検出に
支障するので、これらの大きさを測定してＭＲヘッドの
良否が検査されている。 【０００４】図４は、上記のベースシフトに対する従来
の測定方法を示し、＋ｐと−ｐの波形を、適当な時間間
隔δｔでサンプリングし、サンプリングされた各波高値
ｈをメモリに記憶する。データ処理により波高値ｈが連
続して平坦な部分を求めることにより、各シフト電圧＋
ＶS または−ＶS がえられる。一方、＋ｐ，−ｐのピー
ク電圧＋Ｖmax,−Ｖmax を求めて、シフト電圧＋ＶS,−
ＶS との比（％値）を算出し、これらを基準値に比較し
てＭＲヘッドの良否が判定されている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来のシフト
電圧の測定方法は、原理的にはもちろん正しいが、しか
しデータ処理がやや面倒でかなりの時間を要する。ま
た、パルス列の各パルスのシフト電圧は、かならずしも
一定値でないため、できるだけ多数のパルスに対するシ
フト電圧を測定して良否を判定することが必要であり、
このために測定とデータ処理の時間はますます長くな
る。この発明は上記に鑑みててなされたもので、複数の
パルスのベースシフト量を迅速に測定してＭＲヘッドの
良否を検査できる、ベースシフト検査装置を提供するこ
とを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成したベースシフト検査装置であって、テストディス
クに記録された "１" と "−１" が連続したテスト符号
を、ＭＲヘッドにより読出し、読出されたパルス列を、
コンパレータにより可変の正および負の閾値電圧に比較
して、各パルスの正側および負側のパルス幅を検出す
る。マイクロプロセッサの制御により、可変の各閾値電
圧の絶対値をそれぞれ漸次減少して、各パルス幅が急激
に増加するパルス幅増加点をそれぞれ検出し、各増加点
における正または負の閾値電圧を、パルスの正側または
負側のシフト電圧とする。各パルスのそれぞれのピーク
電圧に対する各シフト電圧の％値を算出してメモリに記
憶し、マイクロプロセッサにより、複数のパルスの各％
値、または算出したその平均値を基準値と比較し、ＭＲ
ヘッドの良否を判定するものである。 【０００７】 【作用】上記のベースシフト検査装置においては、ＭＲ
ヘッドによりテストディスクのテスト符号を読出すと、
＋ｐと−ｐのパルスが連続したパルス列がえられる。パ
ルス列は、コンパレータにより可変の正および負の閾値
電圧に比較されて、各パルスの正側および負側のパルス
幅が検出され、マイクロプロセッサの制御により、可変
の各閾値電圧の絶対値をそれぞれ漸次減少すると、各パ
ルス幅が急激に増加するパルス幅増加点があるので、こ
の増加点をそれぞれ検出し、各増加点における正または
負の閾値電圧が、パルスの正側または負側のシフト電圧
とされる。各パルスのそれぞれのピーク電圧に対する各
シフト電圧の％値が算出されてメモリに記憶され、マイ
クロプロセッサにより、複数のパルスの各％値、または
その平均値が基準値と比較されてＭＲヘッドの良否が判
定される。上記の閾値電圧を変化する方法は、図４で説
明した各パルスの波形のサンプリングとその処理による
方法に比較して、シフト電圧を迅速に測定することがで
きる。 【０００８】 【実施例】図１および図２は、この発明の一実施例を示
し、図１はベースシフト検査装置４のブロック構成図、
図２は可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の説明
図である。 【０００９】図１において、テストディスク１には "
１" と "−１" が連続したテスト符号が記録されてお
り、テストディスク１はスピンドル２に装着されてθ回
転し、ＭＲヘッド３によりテスト符号が読出される。検
査装置４は、正側のパルス測定部41と、負側のパルス測
定部42、共通の可変閾値電圧発生回路43、 マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）44、メモリ（ＭＥＭ）45、および出力
器46とにより構成される。正側のパルス測定部41は、ピ
ークホールド回路411 と、コンパレータ412 、増加点検
出回路413 、＋シフト電圧検出回路414 、％算出器415
、およびＡ／Ｄ変換器416 よりなる。負側のパルス測
定部42も同様である。可変閾値電圧発生回路43はＭＰＵ
44により制御され、可変の閾値電圧＋ＳV と−ＳV を出
力して各コンパレータ412,423 に供給する。 【００１０】以下、図２を併用して上記の検査装置４の
各部の動作を説明する。ＭＲヘッド３により読出された
パルス列は各コンパレータ412,422 に入力し、適当な閾
値電圧＋ＳV,−ＳV に比較されて、図２に示すように、
パルス＋ｐと−ｐのそれぞれのパルス幅ｗが検出され
る。両パルスの処理は同様であるので、パルス＋ｐにつ
いて述べると、ＭＰＵ44の制御により、閾値電圧＋ＳV
を＋ＳV′に減少すると、パルス幅はｗからｗ′に少し
増加する。さらに＋ＳV″に減少すると、これらは＋ｐ
のシフト電圧＋ＶS より小さいので、パルス幅はｗ′か
らｗ″に急激に大きくなる。増加点検出回路413 は、コ
ンパレータ412 が出力するパルスの幅を監視し、これが
急激に増加した時点を検出して、幅増加信号を＋シフト
電圧検出回路414 に出力する。＋シフト電圧検出回路41
4 においては、この増加時点における閾値電圧＋ＳV″
を、＋ｐのシフト電圧＋ＶS として、％算出回路415 に
出力する。一方、ＭＲヘッド３よりのパルス列は、ピー
クホールド回路411 に入力して、＋ｐのピーク電圧＋Ｖ
max が検出されてホールドされており、上記の増加信号
が入力すると、その時点におけるピーク電圧＋Ｖmax が
％算出回路415 に対して出力され、これに対するシフト
電圧＋ＶS の比の％値が算出され、さらにＡ／Ｄ変換器
416 によりデジタル化され、ＭＰＵ44によりＭＥＭ45に
記憶される。パルス−ｐも上記と同様に処理されて、そ
のピーク電圧−Ｖmax に対するシフト電圧−ＶS の％値
が算出され、デジタル化されてＭＥＭ45に記憶される。
上記の方法により、パルス列の複数のパルスのベースシ
フト量の％値がそれぞれ算出されて、ＭＥＭ45に逐次に
記憶され、これらはＭＰＵ45に読出されて基準値と比較
され、または各％値の平均値が算出されて基準値と比較
されてＭＲヘッドの良否が判定され、判定結果が出力器
46に出力される。 【００１１】 【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明のベース
シフト検査装置においては、ＭＲヘッドにより読出され
たパルス列の、各パルスの正側または負側のシフト電圧
が迅速に測定され、それぞれのピーク電圧に対する％
値、またはその平均値が基準値と比較されて、ＭＲヘッ
ドの良否が正しく判定されるもので、従来の各パルスの
波形のサンプリングとその処理による方法に比較して、
ＭＲヘッドのベースシフトの検査が迅速になされる効果
には、大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施例におけるベースシフト検
査装置４のブロック構成図である。 【図２】 可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の
説明図である。 【図３】 ＭＲヘッドの読出し信号に生ずるベースシフ
トの説明図である。 【図４】 従来のベースシフトの測定方法の説明図であ
る。 【符号の説明】 １…テストディスク、２…スピンドル、３…ＭＲヘッ
ド、４…この発明のベースシフト検査装置、41…正側の
パルス測定部、411 …＋ピークホールド回路、412 …コ
ンパレータ 413 …増加点検出回路、 414 …＋シフト電圧検出回
路、415 …％算出回路、416 …Ａ／Ｄ変換器、42…負側
のパルス測定部、421 …−ピークホールド回路、422 …
コンパレータ 423 …増加点検出回路、424 …−シフト電圧検出回路、
425 …％算出回路、426 …Ａ／Ｄ変換器、43…可変閾値
電圧発生回路、44…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、45
…メモリ（ＭＥＭ）、46…出力器、＋ｐ…正側パルス，
−ｐ…負側パルス、＋Ｂ，−Ｂ…ベースシフト、＋ＶS,
−ＶS …シフト電圧 ｈ…パルスの波高値、＋Ｖmax,−
Ｖmax …ピーク電圧、＋ＳV,−ＳV …可変閾値。
査装置４のブロック構成図である。 【図２】 可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の
説明図である。 【図３】 ＭＲヘッドの読出し信号に生ずるベースシフ
トの説明図である。 【図４】 従来のベースシフトの測定方法の説明図であ
る。 【符号の説明】 １…テストディスク、２…スピンドル、３…ＭＲヘッ
ド、４…この発明のベースシフト検査装置、41…正側の
パルス測定部、411 …＋ピークホールド回路、412 …コ
ンパレータ 413 …増加点検出回路、 414 …＋シフト電圧検出回
路、415 …％算出回路、416 …Ａ／Ｄ変換器、42…負側
のパルス測定部、421 …−ピークホールド回路、422 …
コンパレータ 423 …増加点検出回路、424 …−シフト電圧検出回路、
425 …％算出回路、426 …Ａ／Ｄ変換器、43…可変閾値
電圧発生回路、44…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、45
…メモリ（ＭＥＭ）、46…出力器、＋ｐ…正側パルス，
−ｐ…負側パルス、＋Ｂ，−Ｂ…ベースシフト、＋ＶS,
−ＶS …シフト電圧 ｈ…パルスの波高値、＋Ｖmax,−
Ｖmax …ピーク電圧、＋ＳV,−ＳV …可変閾値。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 磁気抵抗素子ヘッドの読出し信号のベー
スシフトの検査において、テストディスクに記録された
"１" と "−１" が連続したテスト符号を、該磁気抵抗
素子ヘッドにより読出し、該読出されたパルス列をコン
パレータにより可変の正および負の閾値電圧に比較し
て、該各パルスの正側および負側のパルス幅を検出し、
マイクロプロセッサの制御により、該可変の各閾値電圧
の絶対値をそれぞれ漸次減少して、該各パルス幅が急激
に増加するパルス幅増加点をそれぞれ検出し、該各増加
点における該正または負の閾値電圧を、前記パルスの正
側または負側のシフト電圧とし、該各パルスのそれぞれ
のピーク電圧に対する該各シフト電圧の％値を算出して
メモリに記憶し、前記マイクロプロセッサにより、複数
の前記パルスの該各％値、または算出したその平均値を
基準値と比較し、前記磁気抵抗素子ヘッドの良否を判定
することを特徴とする、磁気抵抗素子ヘッドのベースシ
フト検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34855693A JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34855693A JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192232A JPH07192232A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3419526B2 true JP3419526B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=18397821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34855693A Expired - Lifetime JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3419526B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34855693A patent/JP3419526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07192232A (ja) | 1995-07-28 |
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