JP3415527B2 - 抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置 - Google Patents
抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置Info
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- JP3415527B2 JP3415527B2 JP35764599A JP35764599A JP3415527B2 JP 3415527 B2 JP3415527 B2 JP 3415527B2 JP 35764599 A JP35764599 A JP 35764599A JP 35764599 A JP35764599 A JP 35764599A JP 3415527 B2 JP3415527 B2 JP 3415527B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ出力の温度
補正方法並びにこの温度補正機能を具備した抵抗変化型
赤外線センサに関する。
補正方法並びにこの温度補正機能を具備した抵抗変化型
赤外線センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ボロメータで代表される抵抗変化型赤外
線センサは、センサに入射する赤外光の入射パワーの強
度によって変化する温度を、温度によって抵抗値が変化
する温度センサの抵抗値変化によって検出するものであ
る。そして、２次元マトリック状に配列された抵抗変化
型赤外線センサにバイアス電流を印加し、抵抗値変化を
電圧変化に変換し、各センサ素子の電圧をシフトレジス
タによって転送して出力を取り出すタイプの２次元セン
サを、抵抗変化型フォーカルプレーンアレイ赤外線セン
サと呼び、被写体の温度分布をリアルタイムに撮像する
赤外線撮像カメラに広く使われている。
線センサは、センサに入射する赤外光の入射パワーの強
度によって変化する温度を、温度によって抵抗値が変化
する温度センサの抵抗値変化によって検出するものであ
る。そして、２次元マトリック状に配列された抵抗変化
型赤外線センサにバイアス電流を印加し、抵抗値変化を
電圧変化に変換し、各センサ素子の電圧をシフトレジス
タによって転送して出力を取り出すタイプの２次元セン
サを、抵抗変化型フォーカルプレーンアレイ赤外線セン
サと呼び、被写体の温度分布をリアルタイムに撮像する
赤外線撮像カメラに広く使われている。
【０００３】この抵抗変化型フォーカルプレーンアレイ
赤外線センサは、通常、各画素毎のセンサの抵抗ばらつ
きによって発生するるＦＰＮ（固定パターンノイズ：Ｆ
ｉｘｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｎｏｉｓｅ）をもってお
り、均一な赤外線光を入力した場合でもこのＦＰＮが撮
像信号に現れるため、撮像信号に含まれるＦＰＮを除去
する必要がある。
赤外線センサは、通常、各画素毎のセンサの抵抗ばらつ
きによって発生するるＦＰＮ（固定パターンノイズ：Ｆ
ｉｘｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｎｏｉｓｅ）をもってお
り、均一な赤外線光を入力した場合でもこのＦＰＮが撮
像信号に現れるため、撮像信号に含まれるＦＰＮを除去
する必要がある。
【０００４】このＦＰＮを除去する方法として、一般的
には均一の赤外線入力条件下で各センサ固有のＦＰＮデ
ータを取得してメモリに記憶させ、入力画像データから
記憶しておいたＦＰＮデータを減算することにより、Ｆ
ＰＮを除去した画像データを得る方法がある。
には均一の赤外線入力条件下で各センサ固有のＦＰＮデ
ータを取得してメモリに記憶させ、入力画像データから
記憶しておいたＦＰＮデータを減算することにより、Ｆ
ＰＮを除去した画像データを得る方法がある。
【０００５】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の方式では、基板温度が一定である場合にはＦＰＮ
を除去することができるが、センサの基板温度が変動し
た場合、基板温度の変動によってもＦＰＮが変動し、変
動分が画面に現れ画質を劣化させるため、センサの基板
温度を高精度に一定に保つ手段が必要であった。また、
センサの基板温度が変わると、赤外線光に対する感度自
体も変動するため、これを補正するために可変利得増幅
器が必要となっていた。また、センサの動作温度を高精
度に一定に保つ手段を持たない場合には、センサの動作
温度が変動する度にＦＰＮデータを取り直す必要があっ
た。本発明の目的は、周囲温度が或る一定温度にてＦＰ
Ｎを除去し、センサの基板温度が変動した場合でも、セ
ンサ基板温度を常に一定に保つ手段を必要とせずに、Ｆ
ＰＮ変動分が画面に現れることによる画質の劣化を防
ぎ、なおかつ赤外光に対する感度の変動を防ぐことがで
きる、温度補正方法とこの方法に基づく補正手段を具備
した抵抗変化型赤外線センサを提供することにある。
従来の方式では、基板温度が一定である場合にはＦＰＮ
を除去することができるが、センサの基板温度が変動し
た場合、基板温度の変動によってもＦＰＮが変動し、変
動分が画面に現れ画質を劣化させるため、センサの基板
温度を高精度に一定に保つ手段が必要であった。また、
センサの基板温度が変わると、赤外線光に対する感度自
体も変動するため、これを補正するために可変利得増幅
器が必要となっていた。また、センサの動作温度を高精
度に一定に保つ手段を持たない場合には、センサの動作
温度が変動する度にＦＰＮデータを取り直す必要があっ
た。本発明の目的は、周囲温度が或る一定温度にてＦＰ
Ｎを除去し、センサの基板温度が変動した場合でも、セ
ンサ基板温度を常に一定に保つ手段を必要とせずに、Ｆ
ＰＮ変動分が画面に現れることによる画質の劣化を防
ぎ、なおかつ赤外光に対する感度の変動を防ぐことがで
きる、温度補正方法とこの方法に基づく補正手段を具備
した抵抗変化型赤外線センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係わ
る発明の抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法
は、特定の周囲温度で固定パターンノイズを除去し、前
記周囲温度が変化した時、赤外線入力が遮断されている
画素であるオプティカルブラックの出力信号の振幅の平
均値に基づき、全画素に印加されるバイアス電流を一括
に制御して、周囲温度の変動により発生する固定パター
ンノイズの変動を抑圧することを特徴とする。また、本
発明の請求項２に係わる発明の抵抗変化型赤外線センサ
は、赤外線入力が遮断されている画素であるオプティカ
ルブラックと赤外線を感知する画素である有効画素とを
有する抵抗変化型赤外線センサ素子と、特定の周囲温度
で、均一の赤外線入力条件下にて前記各有効画素固有の
固定パターンノイズデータを取得してメモリに記憶さ
せ、前記抵抗変化型赤外線センサ素子出力データから記
憶しておいた前記固定パターンノイズデータを減算する
ことにより、前記有効画素の前記固定パターンノイズを
除去する手段と、前記抵抗変化型赤外線センサの出力信
号のうち複数の前記オプティカルブラックの出力信号の
振幅の平均値を算出する平均値算出手段と、前記平均値
算出手段の出力から前記赤外線センサを構成する全画素
に印加するバイアス電流を一括に制御するバイアス制御
手段を含み、前記抵抗変化型赤外線センサ素子の周囲温
度の変動により発生する前記抵抗変化型赤外線センサの
固定パターンノイズの変動を抑圧する温度補正機能を具
備したことを特徴とする。また、本発明の請求項３に係
わる発明の撮像装置は、前記請求項２記載の抵抗変化型
赤外線センサを備えたことを特徴とする。
る発明の抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法
は、特定の周囲温度で固定パターンノイズを除去し、前
記周囲温度が変化した時、赤外線入力が遮断されている
画素であるオプティカルブラックの出力信号の振幅の平
均値に基づき、全画素に印加されるバイアス電流を一括
に制御して、周囲温度の変動により発生する固定パター
ンノイズの変動を抑圧することを特徴とする。また、本
発明の請求項２に係わる発明の抵抗変化型赤外線センサ
は、赤外線入力が遮断されている画素であるオプティカ
ルブラックと赤外線を感知する画素である有効画素とを
有する抵抗変化型赤外線センサ素子と、特定の周囲温度
で、均一の赤外線入力条件下にて前記各有効画素固有の
固定パターンノイズデータを取得してメモリに記憶さ
せ、前記抵抗変化型赤外線センサ素子出力データから記
憶しておいた前記固定パターンノイズデータを減算する
ことにより、前記有効画素の前記固定パターンノイズを
除去する手段と、前記抵抗変化型赤外線センサの出力信
号のうち複数の前記オプティカルブラックの出力信号の
振幅の平均値を算出する平均値算出手段と、前記平均値
算出手段の出力から前記赤外線センサを構成する全画素
に印加するバイアス電流を一括に制御するバイアス制御
手段を含み、前記抵抗変化型赤外線センサ素子の周囲温
度の変動により発生する前記抵抗変化型赤外線センサの
固定パターンノイズの変動を抑圧する温度補正機能を具
備したことを特徴とする。また、本発明の請求項３に係
わる発明の撮像装置は、前記請求項２記載の抵抗変化型
赤外線センサを備えたことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例である温
度補正装置付き赤外線センサのブロック図であり、セン
サ１、Ａ／Ｄコンバータ２、平均値算出回路３、Ｄ／Ａ
コンバータ４、バイアス制御回路５、ＦＰＮ除去回路６
によって構成されている。
度補正装置付き赤外線センサのブロック図であり、セン
サ１、Ａ／Ｄコンバータ２、平均値算出回路３、Ｄ／Ａ
コンバータ４、バイアス制御回路５、ＦＰＮ除去回路６
によって構成されている。
【０００９】センサ１は抵抗変化型フォーカルプレーン
アレイ赤外線センサで、その基本的な構成とバイアス制
御回路５とを図２に示す。センサ基板上に抵抗変化型の
センサ素子１１が２次元に配置されている。センサの各
素子１１は外部から入射される赤外線の強度に応じた温
度変化をし、その温度に対応した抵抗値となる。したが
って、センサの各素子にバイアス信号２５を印加するこ
とにより、各センサ素子の抵抗値に対応した電圧は、垂
直シフトレジスタ１３によって画素スイッチ１５を開閉
し、また、水平シフトレジスタ１４によって水平スイッ
チ１６を開閉することによって順次読み出され、センサ
出力２０として時系列に出力される。
アレイ赤外線センサで、その基本的な構成とバイアス制
御回路５とを図２に示す。センサ基板上に抵抗変化型の
センサ素子１１が２次元に配置されている。センサの各
素子１１は外部から入射される赤外線の強度に応じた温
度変化をし、その温度に対応した抵抗値となる。したが
って、センサの各素子にバイアス信号２５を印加するこ
とにより、各センサ素子の抵抗値に対応した電圧は、垂
直シフトレジスタ１３によって画素スイッチ１５を開閉
し、また、水平シフトレジスタ１４によって水平スイッ
チ１６を開閉することによって順次読み出され、センサ
出力２０として時系列に出力される。
【００１０】センサ素子１１の温度はそれぞれの素子が
受ける赤外線光の強度によって変化するが、センサ基板
の温度の影響も受ける。センサの基板温度が、センサ周
囲温度にほぼ等しい場合、外部赤外線が遮断されている
ＯＢ領域（オプティカル・ブラック領域）１８のセンサ
出力により、センサ基板温度を検知することができる。
図２では２次元アレイの第１列の画素列ををＯＢ画素領
域１８、２列目以降を有効画素領域１９としている。
受ける赤外線光の強度によって変化するが、センサ基板
の温度の影響も受ける。センサの基板温度が、センサ周
囲温度にほぼ等しい場合、外部赤外線が遮断されている
ＯＢ領域（オプティカル・ブラック領域）１８のセンサ
出力により、センサ基板温度を検知することができる。
図２では２次元アレイの第１列の画素列ををＯＢ画素領
域１８、２列目以降を有効画素領域１９としている。
【００１１】図１の本発明の実施例の温度補正装置付き
赤外線センサのブロック図に戻り、温度補正装置の動作
を説明する。センサ１からのセンサ出力２０は、Ａ／Ｄ
コンバータ２よってディジタル信号に変換され、ディジ
タル型のＦＰＮ除去回路６によって画素毎の抵抗変化値
のばらつきに起因するＦＰＮが除去され撮像信号２１と
して出力される。このＦＰＮの除去の動作は、前述の従
来技術の説明で述べた、均一の赤外線入力条件下で各セ
ンサ固有のＦＰＮデータを取得してメモリに記憶させ、
入力画像データから記憶しておいたＦＰＮデータを減算
することにより、ＦＰＮを除去する方法である。
赤外線センサのブロック図に戻り、温度補正装置の動作
を説明する。センサ１からのセンサ出力２０は、Ａ／Ｄ
コンバータ２よってディジタル信号に変換され、ディジ
タル型のＦＰＮ除去回路６によって画素毎の抵抗変化値
のばらつきに起因するＦＰＮが除去され撮像信号２１と
して出力される。このＦＰＮの除去の動作は、前述の従
来技術の説明で述べた、均一の赤外線入力条件下で各セ
ンサ固有のＦＰＮデータを取得してメモリに記憶させ、
入力画像データから記憶しておいたＦＰＮデータを減算
することにより、ＦＰＮを除去する方法である。
【００１２】センサ素子個々のばらつきに起因するＦＰ
Ｎは、上記のＦＰＮ除去回路６によって取り除けるが、
センサ基板温度の変化によるＦＰＮのドリフトは除去で
きない。図３にバイアス電流が一定な場合のＦＰＮデー
タの一例を示す。バイアス電流が一定の時は、センサの
温度変動によってＦＰＮのレベルも変動する。本実施例
では、センサの温度変動によって生じるＦＰＮのレベル
の変動を抑圧するために、ＯＢ画素のデータからセンサ
のバイアス電流を制御する信号に帰還する帰還制御系を
構成している。
Ｎは、上記のＦＰＮ除去回路６によって取り除けるが、
センサ基板温度の変化によるＦＰＮのドリフトは除去で
きない。図３にバイアス電流が一定な場合のＦＰＮデー
タの一例を示す。バイアス電流が一定の時は、センサの
温度変動によってＦＰＮのレベルも変動する。本実施例
では、センサの温度変動によって生じるＦＰＮのレベル
の変動を抑圧するために、ＯＢ画素のデータからセンサ
のバイアス電流を制御する信号に帰還する帰還制御系を
構成している。
【００１３】ＯＢ画素領域を含め、センサ各素子には出
力特性のばらつきがあるので、ＯＢデータ２２から、平
均値算出回路３によってＯＢ画素領域全体の平均値を算
出し、平均値データ２３を出力する。この平均値をＤ／
Ａコンバータ３に入力する。Ｄ／Ａコンバータ４の出力
はバイアス制御回路４へバイアス制御信号２４として入
力する。バイアス制御回路５は入力に応じたバイアス信
号２５をセンサ１に供給する。
力特性のばらつきがあるので、ＯＢデータ２２から、平
均値算出回路３によってＯＢ画素領域全体の平均値を算
出し、平均値データ２３を出力する。この平均値をＤ／
Ａコンバータ３に入力する。Ｄ／Ａコンバータ４の出力
はバイアス制御回路４へバイアス制御信号２４として入
力する。バイアス制御回路５は入力に応じたバイアス信
号２５をセンサ１に供給する。
【００１４】センサ出力２０はセンサ抵抗とバイアス信
号２５の電流の大きさに比例する。センサの抵抗値はセ
ンサ基板温度によって指数関数的に変化するが、どのセ
ンサも均一な抵抗温度係数を持っていれば、センサ基板
温度の変化によるセンサ出力２０の変化と、バイアス信
号２５の変化よるセンサ出力２０の変化は同じように変
化する。つまり、バイアス信号２５を制御することによ
りセンサ基板温度変化による、ＦＰＮのドリフトを相殺
し、そのレベルを一定に保つことが可能である。図４に
バイアス電流を制御した場合のＦＰＮデータの一例を示
す。センサ温度が上昇するとＦＰＮのレベルは高くなる
が、バイアス電流を下げることにより、ＦＰＮのレベル
を一定に保たれる。逆にセンサ温度が低下した場合は、
ＦＰＮレベルが低下するので、バイアス電流を上げるこ
とにより再びＦＰＮのレベルを一定に保つことができ
る。ＯＢデータの平均値データ２３、すなわちセンサ基
板温度の電圧値をバイアス信号２５に負帰還を掛けるバ
イアス制御回路５のゲインは、予め計測して定める。
号２５の電流の大きさに比例する。センサの抵抗値はセ
ンサ基板温度によって指数関数的に変化するが、どのセ
ンサも均一な抵抗温度係数を持っていれば、センサ基板
温度の変化によるセンサ出力２０の変化と、バイアス信
号２５の変化よるセンサ出力２０の変化は同じように変
化する。つまり、バイアス信号２５を制御することによ
りセンサ基板温度変化による、ＦＰＮのドリフトを相殺
し、そのレベルを一定に保つことが可能である。図４に
バイアス電流を制御した場合のＦＰＮデータの一例を示
す。センサ温度が上昇するとＦＰＮのレベルは高くなる
が、バイアス電流を下げることにより、ＦＰＮのレベル
を一定に保たれる。逆にセンサ温度が低下した場合は、
ＦＰＮレベルが低下するので、バイアス電流を上げるこ
とにより再びＦＰＮのレベルを一定に保つことができ
る。ＯＢデータの平均値データ２３、すなわちセンサ基
板温度の電圧値をバイアス信号２５に負帰還を掛けるバ
イアス制御回路５のゲインは、予め計測して定める。
【００１５】そして、センサ出力２０はＡ／Ｄ変換後、
ＦＰＮ除去回路６により、上述の予め取得されているＦ
ＰＮデータを減算され、ＦＰＮ成分が取り除かれる。こ
のように、センサ温度が変動しても、ＦＰＮの大きさは
一定に保たれ、後のＦＰＮ除去回路６を通すことによっ
て、ＦＰＮ成分が画面に現れることがない。またセンサ
抵抗とバイアス電流の積が、センサ周囲温度が変動して
も一定に保たれようと制御される為、赤外光に対する感
度の変動を防ぐ。
ＦＰＮ除去回路６により、上述の予め取得されているＦ
ＰＮデータを減算され、ＦＰＮ成分が取り除かれる。こ
のように、センサ温度が変動しても、ＦＰＮの大きさは
一定に保たれ、後のＦＰＮ除去回路６を通すことによっ
て、ＦＰＮ成分が画面に現れることがない。またセンサ
抵抗とバイアス電流の積が、センサ周囲温度が変動して
も一定に保たれようと制御される為、赤外光に対する感
度の変動を防ぐ。
【００１６】図５は、本発明の別なる実施例の温度セン
サを用いた温度補正回路のブロック図を示す。第一の実
施例ではＯＢデータの平均値から、赤外線センサの動作
温度の情報を算出しているが、ＯＢデータの代わりに熱
電対やサーミスタのような温度センサ３０を直接赤外線
センサの基板に設けて、この温度センサ３０の温度セン
サ出力２６を、バイアス制御回路４０に入力し、赤外線
センサ１のバイアス信号を制御することによっても第一
の実施例と同様の効果が期待できる。
サを用いた温度補正回路のブロック図を示す。第一の実
施例ではＯＢデータの平均値から、赤外線センサの動作
温度の情報を算出しているが、ＯＢデータの代わりに熱
電対やサーミスタのような温度センサ３０を直接赤外線
センサの基板に設けて、この温度センサ３０の温度セン
サ出力２６を、バイアス制御回路４０に入力し、赤外線
センサ１のバイアス信号を制御することによっても第一
の実施例と同様の効果が期待できる。
【００１７】また、第一及び第二の実施例の温度補正手
段を備えた赤外線センサを使用することによって画質の
優れた撮像装置が得られる。
段を備えた赤外線センサを使用することによって画質の
優れた撮像装置が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、抵抗変化型赤外線
センサの出力の中に含まれるＯＢ領域の平均値を算出
し、または、抵抗変化型赤外線センサの基板に取り付け
た温度センサの出力から、ＦＰＮレベルが一定になるよ
う抵抗変化型赤外線センサのバイアス電流を制御するこ
とにより、センサ基板温度を常に一定に保つ手段を必要
とせずに、ＦＰＮ変動分が画面に現れることによる画質
の劣化を防ぎ、なおかつ赤外光に対する感度の変動を防
ぐことができる。
センサの出力の中に含まれるＯＢ領域の平均値を算出
し、または、抵抗変化型赤外線センサの基板に取り付け
た温度センサの出力から、ＦＰＮレベルが一定になるよ
う抵抗変化型赤外線センサのバイアス電流を制御するこ
とにより、センサ基板温度を常に一定に保つ手段を必要
とせずに、ＦＰＮ変動分が画面に現れることによる画質
の劣化を防ぎ、なおかつ赤外光に対する感度の変動を防
ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例の温度補正回路のブロック図
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施例に用いるセンサである抵抗変化
型フォーカルプレーンアレイ赤外線センサの基本的な構
成とバイアス制御回路とを示す図である。
型フォーカルプレーンアレイ赤外線センサの基本的な構
成とバイアス制御回路とを示す図である。
【図３】バイアス電流が一定な場合のＦＰＮデータの一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】バイアス電流を制御した場合のＦＰＮデータの
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図５】本発明の別なる実施例の温度センサを用いた温
度補正回路のブロック図を示す図である。
度補正回路のブロック図を示す図である。
１ センサ
２ Ａ／Ｄコンバータ
３ 平均値算出回路
４ Ｄ／Ａコンバータ
５ バイアス制御回路
６ ＦＰＮ除去回路
１１ センサ素子
１３ 垂直シフトレジスタ
１４ 水平シフトレジスタ
１５ 画素スイッチ
１６ 水平スイッチ
１８ ＯＢ画素領域
１９ 有効画素領域
２０ センサ出力
２１ 撮像信号
２２ ＯＢデータ
２３ 平均値データ
２４ バイアス制御信号
２５ バイアス信号
２６ 温度センサ出力
３０ 温度センサ
４０ バイアス制御回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−23335（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−168116（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−284652（ＪＰ，Ａ)
特開2000−39358（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−304251（ＪＰ，Ａ)
赤外線工学−基礎と応用−，日本,
（株）オーム社，1991年 ３月20日，第
１版，131
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01J 1/02
G01J 1/42 - 1/44
G01J 5/20 - 5/26
G01J 5/48
H04N 5/30 - 5/335
Claims (3)
- 【請求項１】特定の周囲温度で固定パターンノイズを除
去し、前記周囲温度が変化した時、赤外線入力が遮断さ
れている画素であるオプティカルブラックの出力信号の
振幅の平均値に基づき、全画素に印加されるバイアス電
流を一括に制御して、前記周囲温度の変動により発生す
る前記固定パターンノイズの変動を抑圧することを特徴
とする抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法。 - 【請求項２】赤外線入力が遮断されている画素であるオ
プティカルブラックと赤外線を感知する画素である有効
画素とを有する抵抗変化型赤外線センサ素子と、特定の周囲温度で、均一の赤外線入力条件下にて前記各
有効画素固有の固定パターンノイズデータを取得してメ
モリに記憶させ、前記抵抗変化型赤外線センサ素子出力
データから記憶しておいた前記固定パターンノイズデー
タを減算することにより、前記有効画素の前記固定パタ
ーンノイズを除去する手段と、 前記抵抗変化型赤外線センサの出力信号のうち複数の前
記オプティカルブラックの出力信号の振幅の平均値を算
出する平均値算出手段と、 前記平均値算出手段の出力から前記赤外線センサを構成
する全画素に印加するバイアス電流を一括に制御するバ
イアス制御手段を含み、前記抵抗変化型赤外線センサ素
子の周囲温度の変動により発生する前記抵抗変化型赤外
線センサの固定パターンノイズの変動を抑圧する温度補
正機能を具備したことを特徴とする抵抗変化型赤外線セ
ンサ。 - 【請求項３】前記請求項３記載の抵抗変化型赤外線セン
サを備えたことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35764599A JP3415527B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35764599A JP3415527B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001174329A JP2001174329A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3415527B2 true JP3415527B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=18455185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35764599A Expired - Fee Related JP3415527B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3415527B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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