JP4494173B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の遮光膜312は主に横から入射する光を遮光し、第2の遮光膜314と第3の遮光膜315は主に真上から入射する光を遮光しているが、第1の遮光膜312と第2の遮光膜314、第3の遮光膜315の間には絶縁膜313が存在するため、図4(a)に示すように、斜め方向から入射してきた入射光401が、絶縁膜中を直接通り抜けたり(401a)、第1の遮光膜312と第2の遮光膜314の間で多重反射したりして(401b)、電荷転送部に直接入るため、スミア特性が悪くなる。
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、製造工程断面図である図1(a) 〜(g)を参照しながら説明する。
まず、図1(a)に示すようにN型シリコン基板101に、ボロン(B)のイオン注入を行い、熱処理してウェルである第1のP型層102を形成し、フォトレジスト材料を塗布し、フォトリソグラフィー技術により所定の形状にパターニングして、ボロン(B)のイオン注入によりバリア層である第2のP型層103と、画素分離のための第3のP型層104、電荷読み出し制御のための第4のP型層105を形成する。次にリン(P)或いはヒ素(As)のイオン注入により電荷転送部106、光電変換部107を形成する。
102 第1のP型層
103 第2のP型層
104 画素分離のためのP型層
105 電荷読み出し制御のためのP型層
106 電荷転送部
107 光電変換部
108 ゲート絶縁膜
109 電荷転送電極
110 第1の絶縁膜
111 金属遮光膜
112 第2の絶縁膜
113 絶縁膜のサイドウオール
114 レジストパターン
115 遮光膜開口部
201 N型シリコン基板
202 第1のP型層
203 第2のP型層
204 画素分離のためのP型層
205 電荷読み出し制御のためのP型層
206 電荷転送部
207 光電変換部
208 ゲート絶縁膜
209 電荷転送電極
210 絶縁膜
211 金属遮光膜
212 レジストパターン
213 遮光膜開口部
301 N型シリコン基板
302 第1のP型層
303 第2のP型層
304 第3のP型層
305 第4のP型層
306 電荷転送部
307 光電変換部
308 ゲート絶縁膜
309 電荷転送電極
310 絶縁膜
311 金属遮光膜
312 第1の遮光膜
313 絶縁膜
314 第2の遮光膜
315 第3の遮光膜
320 真上から入射する光
321 横から入射する光
401 入射光
401a 入射光
401b 入射光
402 入射光
403 入射光
Claims (5)
- 半導体基板に、入射光を信号電荷に光電変換する光電変換部と、前記光電変換部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部の上に形成されパルス電圧を印加することで前記電荷転送部に沿って前記信号電荷を転送する転送電極と、前記転送電極を覆うように設けられた遮光部とを有する固体撮像装置の製造方法において、
前記電荷転送部の上に転送電極を形成する工程と、
前記転送電極を含む前記半導体基板上の全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上の全面に金属遮光膜を形成する工程と、
前記金属遮光膜の上の全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜をエッチバックして前記金属遮光膜上の前記転送電極の側面に前記第2の絶縁膜のサイドウオールが残るように形成する工程と、
前記光電変換部上で開口し、前記開口の端部が前記サイドウオール上に位置するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンと前記サイドウオールとをマスクとして前記金属遮光膜をエッチングする工程とを備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記サイドウオールの底面の幅が100〜300nmである請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜を形成する工程が、CVD法により第2の絶縁膜を形成する工程である請求項1または2のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜のエッチバックが、異方性のドライエッチングによるエッチバックである請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜がSiO2またはSi3N4からなる絶縁膜である請求項1〜4のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
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