JP3398314B2 - 高周波用パッケージおよびその接続構造 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用半導体素
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等を気密封止
するための高周波用パッケージとその接続構造に関し、
気密を保持しつつ外部電気回路等に形成された導波管に
直接接続することのできる高周波用パッケージとその接
続構造に関するものである。
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等を気密封止
するための高周波用パッケージとその接続構造に関し、
気密を保持しつつ外部電気回路等に形成された導波管に
直接接続することのできる高周波用パッケージとその接
続構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、社会の情報化が進み、情報の伝達は
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
【０００３】このようにミリ波の応用が進むにつれ、そ
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
【０００４】このような要素技術の中でも、高周波素子
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
【０００５】従来における高周波用パッケージを外部電
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
【０００６】最近では、高周波素子を収納したパッケー
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
【０００８】これに対して、導波管から電磁波の形でパ
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
【０００９】また、キャビティ形成部材をすべて低誘電
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
【００１０】つまり、上記の困難性は、高周波信号を導
波管を通じ電磁波のままパッケージのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
波管を通じ電磁波のままパッケージのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
【００１１】本発明は、前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に、且つ高精度に接続可能な接続部を具備する高周波用
パッケージを提供することを目的とするものである。ま
た、本発明は、前記高周波用パッケージを用いて外部電
気回路に設けられた導波管に対して、低損失に且つ高精
度に接続可能な接続構造を提供することを他の目的とす
るものである。
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に、且つ高精度に接続可能な接続部を具備する高周波用
パッケージを提供することを目的とするものである。ま
た、本発明は、前記高周波用パッケージを用いて外部電
気回路に設けられた導波管に対して、低損失に且つ高精
度に接続可能な接続構造を提供することを他の目的とす
るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、パッケージのキャビティ内
部に収納される高周波素子に接続される高周波伝送線路
を形成した面とは異なる誘電体基板内部または表面に開
口部を有するグランド層を形成し、このグランド層を接
続する導波管の終端壁として機能させて高周波伝送線路
と導波管とを開口部を介して電磁結合させること、さら
に導波管の開放端部にガイドピンを形成し且つパッケー
ジ側にそのガイドピンを挿入して位置決めするための穴
を形成して、最も良好な電磁結合が可能な位置に固定で
きるようにすることにより、導波管と直接的に且つ高精
度に接続することができるとともに、高周波素子のキャ
ビティ内での封止を確実に行うことができることを見い
だした。
について鋭意検討した結果、パッケージのキャビティ内
部に収納される高周波素子に接続される高周波伝送線路
を形成した面とは異なる誘電体基板内部または表面に開
口部を有するグランド層を形成し、このグランド層を接
続する導波管の終端壁として機能させて高周波伝送線路
と導波管とを開口部を介して電磁結合させること、さら
に導波管の開放端部にガイドピンを形成し且つパッケー
ジ側にそのガイドピンを挿入して位置決めするための穴
を形成して、最も良好な電磁結合が可能な位置に固定で
きるようにすることにより、導波管と直接的に且つ高精
度に接続することができるとともに、高周波素子のキャ
ビティ内での封止を確実に行うことができることを見い
だした。
【００１３】即ち、本発明の高周波用パッケージは、誘
電体材料からなる誘電体基板と、高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内を封止するための
蓋体と、該キャビティ内における前記誘電体基板の表面
に被着形成され、一端が前記高周波素子と接続されると
ともに終端部を有する高周波用伝送線路と、前記誘電体
基板の内部あるいは前記伝送線路形成面の反対面に設け
られ、前記高周波用伝送線路の終端部と対峙する位置に
開口部が形成されたグランド層と、前記誘電体基板に形
成され導波管の開放端部に設けられたガイドピンが挿入
される位置決め穴を具備することを特徴とするものであ
る。
電体材料からなる誘電体基板と、高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内を封止するための
蓋体と、該キャビティ内における前記誘電体基板の表面
に被着形成され、一端が前記高周波素子と接続されると
ともに終端部を有する高周波用伝送線路と、前記誘電体
基板の内部あるいは前記伝送線路形成面の反対面に設け
られ、前記高周波用伝送線路の終端部と対峙する位置に
開口部が形成されたグランド層と、前記誘電体基板に形
成され導波管の開放端部に設けられたガイドピンが挿入
される位置決め穴を具備することを特徴とするものであ
る。
【００１４】また、かかる高周波用パッケージにおいて
は、前記グランド層が前記誘電体基板の前記伝送線路形
成面と反対の表面に設けられ、前記グランド層の少なく
とも前記開口部形成表面にインピーダンス整合用誘電体
部を形成してなること、前記グランド層が前記誘電体基
板の前記伝送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記
グランド層に形成された前記開口部の周囲に、前記グラ
ンド層と電気的に接続され且つ導波管の導体壁と接続さ
れる金属枠体が取り付けられており、前記位置決め穴が
前記誘電体基板および前記金属枠体に形成されているこ
と、あるいは前記グランド層表面に形成された整合用誘
電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に接続され、
且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体が取り付けら
れており、前記位置決め穴が前記誘電体基板および前記
金属枠体に形成されていることを特徴とするものであ
る。
は、前記グランド層が前記誘電体基板の前記伝送線路形
成面と反対の表面に設けられ、前記グランド層の少なく
とも前記開口部形成表面にインピーダンス整合用誘電体
部を形成してなること、前記グランド層が前記誘電体基
板の前記伝送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記
グランド層に形成された前記開口部の周囲に、前記グラ
ンド層と電気的に接続され且つ導波管の導体壁と接続さ
れる金属枠体が取り付けられており、前記位置決め穴が
前記誘電体基板および前記金属枠体に形成されているこ
と、あるいは前記グランド層表面に形成された整合用誘
電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に接続され、
且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体が取り付けら
れており、前記位置決め穴が前記誘電体基板および前記
金属枠体に形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１５】また、本発明の高周波用パッケージの接続
構造は、誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘電体
基板と蓋体により形成された高周波素子を収納するため
のキャビティと、該キャビティ内における前記誘電体基
板の表面に被着形成され、一端が前記高周波素子と接続
されるとともに終端部を有する高周波用伝送線路と、を
具備する高周波用パッケージと、開放端部にガイドピン
が形成された導波管との接続構造であって、前記パッケ
ージが、前記誘電体基板の内部、あるいは前記伝送線路
形成面の反対面に設けられ、前記伝送線路の終端部と前
記誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が形成され
たグランド層と、前記導波管の開放端部に設けられたガ
イドピンが挿入される位置決め穴を具備してなり、前記
導波管のガイドピンを前記位置決め穴に挿入して前記グ
ランド層の前記開口部が前記導波管の中心となる位置に
固定するとともに、前記導波管の導体壁と前記パッケー
ジの前記グランド層とを電気的に接続して前記グランド
層により前記導波管の終端壁を形成せしめることを特徴
するものである。
構造は、誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘電体
基板と蓋体により形成された高周波素子を収納するため
のキャビティと、該キャビティ内における前記誘電体基
板の表面に被着形成され、一端が前記高周波素子と接続
されるとともに終端部を有する高周波用伝送線路と、を
具備する高周波用パッケージと、開放端部にガイドピン
が形成された導波管との接続構造であって、前記パッケ
ージが、前記誘電体基板の内部、あるいは前記伝送線路
形成面の反対面に設けられ、前記伝送線路の終端部と前
記誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が形成され
たグランド層と、前記導波管の開放端部に設けられたガ
イドピンが挿入される位置決め穴を具備してなり、前記
導波管のガイドピンを前記位置決め穴に挿入して前記グ
ランド層の前記開口部が前記導波管の中心となる位置に
固定するとともに、前記導波管の導体壁と前記パッケー
ジの前記グランド層とを電気的に接続して前記グランド
層により前記導波管の終端壁を形成せしめることを特徴
するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用パッケー
ジの構造について以下に図面をもとに説明する。図１
（ａ）は、本発明の高周波用パッケージの一実施態様を
説明するための概略断面図、（ｂ）は（ａ）の高周波用
パッケージにおける誘電体基板の平面図、（ｃ）は導波
管との接続構造を説明するための概略断面図である。
ジの構造について以下に図面をもとに説明する。図１
（ａ）は、本発明の高周波用パッケージの一実施態様を
説明するための概略断面図、（ｂ）は（ａ）の高周波用
パッケージにおける誘電体基板の平面図、（ｃ）は導波
管との接続構造を説明するための概略断面図である。
【００１７】図１（ａ）の高周波用パッケージＡ１は、
誘電体基板１と、蓋体２によって形成されたキャビティ
３内において、高周波素子４が誘電体基板１表面に実装
搭載され、キャビティ３内は気密に封止されている。
誘電体基板１と、蓋体２によって形成されたキャビティ
３内において、高周波素子４が誘電体基板１表面に実装
搭載され、キャビティ３内は気密に封止されている。
【００１８】誘電体基板１のキャビティ３内の表面に
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端部５ａを
有する高周波伝送線路の中心導体５が形成されている。
そして、誘電体基板１の中心導体５が形成された面とは
反対の表面には、導体が形成されていない開口部（スロ
ット）６を有するグランド層７が一面に形成されてい
る。このパッケージにおいては、このグランド層７と中
心導体５によりマイクロストリップ線路からなる高周波
伝送線路が形成されている。なお、誘電体基板１の中心
導体５の周辺には、例えば、蓋体２を取り付けるための
導体層８が形成されている。
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端部５ａを
有する高周波伝送線路の中心導体５が形成されている。
そして、誘電体基板１の中心導体５が形成された面とは
反対の表面には、導体が形成されていない開口部（スロ
ット）６を有するグランド層７が一面に形成されてい
る。このパッケージにおいては、このグランド層７と中
心導体５によりマイクロストリップ線路からなる高周波
伝送線路が形成されている。なお、誘電体基板１の中心
導体５の周辺には、例えば、蓋体２を取り付けるための
導体層８が形成されている。
【００１９】上記の線路構成において、マイクロストリ
ップ線路の中心導体５は、スロット６と電磁的に結合さ
れている（電磁結合によりスロット６に給電する。）。
この電磁結合構造は、具体的には、特開平１−２６６５
７８号に記載されている。具体的には、図１（ｂ）の誘
電体基板１の平面図に示すように、マイクロストリップ
線路の中心導体５の終端部５ａがスロット６中心から信
号周波数の１／４波長の長さＬ1 で突出するように形成
することにより、電磁結合することができる。
ップ線路の中心導体５は、スロット６と電磁的に結合さ
れている（電磁結合によりスロット６に給電する。）。
この電磁結合構造は、具体的には、特開平１−２６６５
７８号に記載されている。具体的には、図１（ｂ）の誘
電体基板１の平面図に示すように、マイクロストリップ
線路の中心導体５の終端部５ａがスロット６中心から信
号周波数の１／４波長の長さＬ1 で突出するように形成
することにより、電磁結合することができる。
【００２０】しかし、電磁結合は必ずしも前記寸法の組
み合わせだけでなく、その他の組み合わせでも良好な結
合は可能である。
み合わせだけでなく、その他の組み合わせでも良好な結
合は可能である。
【００２１】また、図１の高周波用パッケージＡ１にお
いては、グランド層７のスロット６の表面には、インピ
ーダンス整合用誘電体部９が誘電体基板１と一体的に取
り付けられていることが望ましい。このインピーダンス
整合用誘電体部９は、電磁結合に用いたスロット６のイ
ンピーダンスと、このパッケージに接続される導波管の
インピーダンスが異なるため、両者のインピーダンス整
合を図るためのものであり、この誘電体部９の厚さｄは
誘電体部９内での伝送信号波長の１／４波長長さに設定
される。この誘電体部９は、導波管との接続時には、導
波管内に配設されるような形状、特に接続される導波管
の断面における内径形状を有することが望ましい。
いては、グランド層７のスロット６の表面には、インピ
ーダンス整合用誘電体部９が誘電体基板１と一体的に取
り付けられていることが望ましい。このインピーダンス
整合用誘電体部９は、電磁結合に用いたスロット６のイ
ンピーダンスと、このパッケージに接続される導波管の
インピーダンスが異なるため、両者のインピーダンス整
合を図るためのものであり、この誘電体部９の厚さｄは
誘電体部９内での伝送信号波長の１／４波長長さに設定
される。この誘電体部９は、導波管との接続時には、導
波管内に配設されるような形状、特に接続される導波管
の断面における内径形状を有することが望ましい。
【００２２】さらに、図１（ａ）の高周波用パッケージ
Ａ１においては、図１（ｂ）に示すように、誘電体基板
１の一部に誘電体基板１を貫通する位置決め穴１０が設
けられている。この位置決め穴１０は、後述する通り、
導波管の終端に形成されたガイドピンを収納するための
ものである。また、この位置決め穴１０は、パッケージ
Ａ１のキャビティ３の外側の領域に２個以上形成されて
いることが望ましい。
Ａ１においては、図１（ｂ）に示すように、誘電体基板
１の一部に誘電体基板１を貫通する位置決め穴１０が設
けられている。この位置決め穴１０は、後述する通り、
導波管の終端に形成されたガイドピンを収納するための
ものである。また、この位置決め穴１０は、パッケージ
Ａ１のキャビティ３の外側の領域に２個以上形成されて
いることが望ましい。
【００２３】図２は、本発明の高周波用パッケージに対
して接続される導波管Ｂ１の終端構造を説明するための
概略斜視図である。図２によれば、導波管Ｂ１は、導体
壁１１により内部が空洞（誘電率１の誘電体）の管によ
り構成されている。この導波管Ｂ１の断面は、図２では
矩形状であるが、導波管の断面は円形であっても問題は
ない。また、この導波管Ｂ１の終端には、フランジ１２
が設けられ、そのフランジ１２に、位置決め用のガイド
ピン１３が設けられている。このガイドピン１３は、２
個以上設けられていることが望ましい。
して接続される導波管Ｂ１の終端構造を説明するための
概略斜視図である。図２によれば、導波管Ｂ１は、導体
壁１１により内部が空洞（誘電率１の誘電体）の管によ
り構成されている。この導波管Ｂ１の断面は、図２では
矩形状であるが、導波管の断面は円形であっても問題は
ない。また、この導波管Ｂ１の終端には、フランジ１２
が設けられ、そのフランジ１２に、位置決め用のガイド
ピン１３が設けられている。このガイドピン１３は、２
個以上設けられていることが望ましい。
【００２４】図１（ｃ）は、図１（ａ）の高周波用パッ
ケージＡ１に図２の導波管Ｂ１を接続した時の構造を説
明するための概略断面図である。図１（ｃ）によれば、
導波管Ｂ１のフランジ１２に形成されたガイドピン１３
をパッケージＡ１の位置決め穴１０に挿入収納すること
により、パッケージＡ１のグランド層７に形成されたス
ロット６が導波管Ｂ１の中心となる位置に位置決めされ
る。従って、パッケージＡ１における位置決め穴１０
は、導波管Ｂ１のガイドピン１３が挿入、収納された時
に、パッケージＡ１のグランド層７に形成されたスロッ
ト６が導波管Ｂ１の中心となるような位置に形成されて
いることが必要となる。なお、位置決め穴１０に挿入収
納されたガイドピン１３は、ガイドピン１３が位置決め
穴１０から抜けないように樹脂やはんだなどの接着材に
より両者を固定してもよい。
ケージＡ１に図２の導波管Ｂ１を接続した時の構造を説
明するための概略断面図である。図１（ｃ）によれば、
導波管Ｂ１のフランジ１２に形成されたガイドピン１３
をパッケージＡ１の位置決め穴１０に挿入収納すること
により、パッケージＡ１のグランド層７に形成されたス
ロット６が導波管Ｂ１の中心となる位置に位置決めされ
る。従って、パッケージＡ１における位置決め穴１０
は、導波管Ｂ１のガイドピン１３が挿入、収納された時
に、パッケージＡ１のグランド層７に形成されたスロッ
ト６が導波管Ｂ１の中心となるような位置に形成されて
いることが必要となる。なお、位置決め穴１０に挿入収
納されたガイドピン１３は、ガイドピン１３が位置決め
穴１０から抜けないように樹脂やはんだなどの接着材に
より両者を固定してもよい。
【００２５】また、ガイドピン１３および位置決め穴１
０により接続位置が位置決めされた導波管Ｂ１の終端
は、グランド層７に対して単に当接させるか、またはロ
ウ付けなどの導電性接着材によりグランド層７に接着し
て導波管Ｂ１の導体壁１１とグランド層７とを電気的に
接続することにより、グランド層７が、導波管Ｂ１の終
端壁として機能することになる。そして、キャビティ３
内にて高周波素子４と接続された中心導体５と、導波管
Ｂ１とは、グランド層７に設けられたスロット６を介し
て電磁結合され、信号の伝達を行うことができる。
０により接続位置が位置決めされた導波管Ｂ１の終端
は、グランド層７に対して単に当接させるか、またはロ
ウ付けなどの導電性接着材によりグランド層７に接着し
て導波管Ｂ１の導体壁１１とグランド層７とを電気的に
接続することにより、グランド層７が、導波管Ｂ１の終
端壁として機能することになる。そして、キャビティ３
内にて高周波素子４と接続された中心導体５と、導波管
Ｂ１とは、グランド層７に設けられたスロット６を介し
て電磁結合され、信号の伝達を行うことができる。
【００２６】なお、パッケージＡ１と導波管Ｂ１とは、
上記のガイドピン１３および位置決め穴１０により接続
位置が位置決めとともに、場合によっては、螺子止めな
どの機械的な固定手段により両者を強固に固定してもよ
い。例えば、図１（ｃ）に示す通り、導波管Ｂ１のフラ
ンジ１２の一部に螺子穴１４を形成し、またパッケージ
Ａ１のキャビティ３の外側の領域に同様の螺子穴１５を
形成し、その螺子穴１４、１５を螺子１６により固定す
ればよい。かかる螺子止め構造においても、２箇所以上
螺子止めすることが望ましい。
上記のガイドピン１３および位置決め穴１０により接続
位置が位置決めとともに、場合によっては、螺子止めな
どの機械的な固定手段により両者を強固に固定してもよ
い。例えば、図１（ｃ）に示す通り、導波管Ｂ１のフラ
ンジ１２の一部に螺子穴１４を形成し、またパッケージ
Ａ１のキャビティ３の外側の領域に同様の螺子穴１５を
形成し、その螺子穴１４、１５を螺子１６により固定す
ればよい。かかる螺子止め構造においても、２箇所以上
螺子止めすることが望ましい。
【００２７】また、図１（ｃ）の接続構造に示すよう
に、パッケージＡ１の導波管Ｂ１との接続部に、インピ
ーダンス整合用誘電体部９を配設すると、スロット６−
導波管Ｂ１間のインピーダンス整合が行われ、良好な信
号の伝達が可能となる。
に、パッケージＡ１の導波管Ｂ１との接続部に、インピ
ーダンス整合用誘電体部９を配設すると、スロット６−
導波管Ｂ１間のインピーダンス整合が行われ、良好な信
号の伝達が可能となる。
【００２８】次に、図３は、本発明の高周波用パッケー
ジの他の実施態様を説明するためのもので、（ａ）はパ
ッケージの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のパッケージに
おける誘電体基板の底面図、（ｃ）は図２の導波管Ｂ１
と接続した時の概略断面図である。この高周波用パッケ
ージＡ２によれば、インピーダンス整合用誘電体部９の
周囲において、グランド層７に金属枠体１７がロウ剤等
の導電性接着剤を用いて取付けられており、金属枠体１
７とグランド層７とは電気的に接続された状態となる。
また、金属枠体１７には、金属枠体１７から誘電体基板
１に貫通する位置決め穴１８および螺子穴１９が設けら
れている。
ジの他の実施態様を説明するためのもので、（ａ）はパ
ッケージの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のパッケージに
おける誘電体基板の底面図、（ｃ）は図２の導波管Ｂ１
と接続した時の概略断面図である。この高周波用パッケ
ージＡ２によれば、インピーダンス整合用誘電体部９の
周囲において、グランド層７に金属枠体１７がロウ剤等
の導電性接着剤を用いて取付けられており、金属枠体１
７とグランド層７とは電気的に接続された状態となる。
また、金属枠体１７には、金属枠体１７から誘電体基板
１に貫通する位置決め穴１８および螺子穴１９が設けら
れている。
【００２９】そして、導波管Ｂ１のガイドピン１３を、
パッケージＡ２の位置決め穴１８に挿入し、さらに導波
管Ｂ１の螺子穴１５とパッケージＡ２の螺子穴１９を螺
子１６により固定し、導体壁１１の開放端Ｂ’を金属枠
体１７に対して、当接するか、ロウ付けにより接合す
る。この構成によれば、金属枠体１７はグランド層７と
電気的に接続しているために、金属枠体１７が導波管Ｂ
１の導体壁を形成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端
壁として機能する。
パッケージＡ２の位置決め穴１８に挿入し、さらに導波
管Ｂ１の螺子穴１５とパッケージＡ２の螺子穴１９を螺
子１６により固定し、導体壁１１の開放端Ｂ’を金属枠
体１７に対して、当接するか、ロウ付けにより接合す
る。この構成によれば、金属枠体１７はグランド層７と
電気的に接続しているために、金属枠体１７が導波管Ｂ
１の導体壁を形成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端
壁として機能する。
【００３０】かかる構造によれば、導波管Ｂ１を剛性を
有する金属枠体１７を介して強固に接続することがで
き、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との接続信頼性を高め
ることができる。なお、図３では、金属枠体１７は、一
体物としてパッケージの底面に取り付けられているが、
所望により誘電体基板１の底面に形成された２つの整合
用誘電体部９の個々の周囲に分割して形成してもよい。
有する金属枠体１７を介して強固に接続することがで
き、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との接続信頼性を高め
ることができる。なお、図３では、金属枠体１７は、一
体物としてパッケージの底面に取り付けられているが、
所望により誘電体基板１の底面に形成された２つの整合
用誘電体部９の個々の周囲に分割して形成してもよい。
【００３１】図１、図３の高周波用パッケージにおいて
は、整合用誘電体部９は、グランド層７の表面に誘電体
基板１と一体的に設けられているが、この整合用誘電体
部９は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および中心導体５
を印刷塗布し、同様に未焼成の整合用誘電体部９を接着
剤により接着して、それを一括して同時焼成することに
より作製することも可能であるが、整合用誘電体部９自
体が非常に小さいことから、焼成時あるいは焼成後に脱
落する可能性がある。
は、整合用誘電体部９は、グランド層７の表面に誘電体
基板１と一体的に設けられているが、この整合用誘電体
部９は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および中心導体５
を印刷塗布し、同様に未焼成の整合用誘電体部９を接着
剤により接着して、それを一括して同時焼成することに
より作製することも可能であるが、整合用誘電体部９自
体が非常に小さいことから、焼成時あるいは焼成後に脱
落する可能性がある。
【００３２】そこで、図４は、整合用誘電体部を誘電体
基板１と一体的に形成可能な高周波用パッケージに関す
るものである。まず、図４の高周波用パッケージＡ３に
よれば、誘電体基板１の底面に形成されたグランド層７
の表面に、第２の誘電体基板２０を形成する。この第２
の誘電体基板２０の表面には、導波管Ｂ１が接触する部
分に導体層２１が被着形成される。そして、導波管Ｂ１
と高周波用パッケージＡ３のグランド層７を同電位にす
るために、導体層２１とグランド層７とは、この基板を
貫通する複数のビアホール導体２２により電気的に接続
されている。そして、このビアホール導体２２内に位置
する誘電体が整合用誘電体部２３として機能することに
なる。なお、複数のビアホール導体２２は、導波管Ｂ１
の終端壁となるグランド層７と導波管とを接続するもの
で、導波管の疑似的な導体壁を形成するものであること
から、ビアホール導体２２を形成した部位からの信号の
漏洩を防止するため、ビアホール導体２２間の間隔Ｌ2
は、伝送する信号波長の１／４波長長さ以下に設定され
る。
基板１と一体的に形成可能な高周波用パッケージに関す
るものである。まず、図４の高周波用パッケージＡ３に
よれば、誘電体基板１の底面に形成されたグランド層７
の表面に、第２の誘電体基板２０を形成する。この第２
の誘電体基板２０の表面には、導波管Ｂ１が接触する部
分に導体層２１が被着形成される。そして、導波管Ｂ１
と高周波用パッケージＡ３のグランド層７を同電位にす
るために、導体層２１とグランド層７とは、この基板を
貫通する複数のビアホール導体２２により電気的に接続
されている。そして、このビアホール導体２２内に位置
する誘電体が整合用誘電体部２３として機能することに
なる。なお、複数のビアホール導体２２は、導波管Ｂ１
の終端壁となるグランド層７と導波管とを接続するもの
で、導波管の疑似的な導体壁を形成するものであること
から、ビアホール導体２２を形成した部位からの信号の
漏洩を防止するため、ビアホール導体２２間の間隔Ｌ2
は、伝送する信号波長の１／４波長長さ以下に設定され
る。
【００３３】また、この高周波用パッケージＡ３におい
ても、第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２０を貫
通する位置決め穴２４および螺子穴２５が設けられてい
る。
ても、第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２０を貫
通する位置決め穴２４および螺子穴２５が設けられてい
る。
【００３４】そして、導波管Ｂ１のガイドピン１３を、
パッケージＡ３の位置決め穴２４に挿入し、さらに導波
管Ｂ１の螺子穴１４とパッケージＡ３の螺子穴２５を螺
子１６により固定し、導波管Ｂ１の導体壁１１の開放端
Ｂ’を第２の誘電体基板２０の導体層２１に対して当接
するか、ロウ付けにより接合する。この接続構造によれ
ば、ビホアール導体２２が導波管の疑似的な導体壁を形
成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能す
る。
パッケージＡ３の位置決め穴２４に挿入し、さらに導波
管Ｂ１の螺子穴１４とパッケージＡ３の螺子穴２５を螺
子１６により固定し、導波管Ｂ１の導体壁１１の開放端
Ｂ’を第２の誘電体基板２０の導体層２１に対して当接
するか、ロウ付けにより接合する。この接続構造によれ
ば、ビホアール導体２２が導波管の疑似的な導体壁を形
成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能す
る。
【００３５】この図４の構造のパッケージＡ３は、第１
の誘電体基板１と第２の誘電体基板２０、導体層２１、
ビアホール導体２２、グランド層７、中心導体５等を、
周知のセラミック積層技術を用いて一括焼成して製造す
ることができる点で有利である。
の誘電体基板１と第２の誘電体基板２０、導体層２１、
ビアホール導体２２、グランド層７、中心導体５等を、
周知のセラミック積層技術を用いて一括焼成して製造す
ることができる点で有利である。
【００３６】図４の高周波用パッケージＡ３の場合、導
波管Ｂ１とグランド層７とは、複数のビアホール導体２
２によって接続されるが、伝送信号がミリ波などになる
と、ビアホール導体２２での接続は困難となる場合があ
る。そこで、導波管Ｂ１とグランド層７との接続をビア
ホール導体２２と導体壁による接続と複合化したパッケ
ージＡ４について図５をもとに説明する。
波管Ｂ１とグランド層７とは、複数のビアホール導体２
２によって接続されるが、伝送信号がミリ波などになる
と、ビアホール導体２２での接続は困難となる場合があ
る。そこで、導波管Ｂ１とグランド層７との接続をビア
ホール導体２２と導体壁による接続と複合化したパッケ
ージＡ４について図５をもとに説明する。
【００３７】図５（ａ）はその概略断面図であり、
（ａ）によれば、高周波用パッケージＡ３と同様に第１
の誘電体基板１と一体的に設けられた第２の誘電体基板
２０を具備する。この高周波用パッケージＡ４は、導波
管との接続に際して、図６の概略斜視図に示されるよう
な金属製の接続部材２６を用いる。この接続部材２６
は、接続する導波管の断面形状と同じ断面を有する孔２
７が設けられている。図６の接続部材２６においては、
図２の導波管Ｂ１の断面形状と同じ形状となっており、
孔２７を挟んで対向する一対の長辺（例えばＨ面）側の
導体壁が突出した突出壁２８、２９を有する。この突出
壁２８、２９の突出量は、第２の誘電体基板２０の厚み
とほぼ同等分に設定されている。また、この接続部材２
６には、導波管Ｂ２のガイドピン１３が挿入される位置
決め穴３０およひ螺子穴３１が設けられている。
（ａ）によれば、高周波用パッケージＡ３と同様に第１
の誘電体基板１と一体的に設けられた第２の誘電体基板
２０を具備する。この高周波用パッケージＡ４は、導波
管との接続に際して、図６の概略斜視図に示されるよう
な金属製の接続部材２６を用いる。この接続部材２６
は、接続する導波管の断面形状と同じ断面を有する孔２
７が設けられている。図６の接続部材２６においては、
図２の導波管Ｂ１の断面形状と同じ形状となっており、
孔２７を挟んで対向する一対の長辺（例えばＨ面）側の
導体壁が突出した突出壁２８、２９を有する。この突出
壁２８、２９の突出量は、第２の誘電体基板２０の厚み
とほぼ同等分に設定されている。また、この接続部材２
６には、導波管Ｂ２のガイドピン１３が挿入される位置
決め穴３０およひ螺子穴３１が設けられている。
【００３８】一方、パッケージＡ４の第２の誘電体基板
２０には、（ａ）および（ｂ）の底面図に示されるよう
に、図６の接続部材２６の突出壁２８、２９を挿入する
ための一対の挿入孔３２、３３が形成されており、挿入
時に突出壁２８、２９の先端がグランド層７と接触する
ようになっている。また、挿入時、接続部材２６の孔２
７を挟んで対向する一対の短辺（例えばＥ面）の導体壁
３４、３５と接触する第２の誘電体基板２０表面には、
導体層３６が被着形成されており、この導体層３６は、
複数のビアホール導体３７によりグランド層７と電気的
に接続されている。なお、導体層３６は、導体壁３４、
３５と接触する部分のみならず、第２の誘電体基板の挿
入孔３２、３３形成部を除く全面に形成されていてもよ
い。
２０には、（ａ）および（ｂ）の底面図に示されるよう
に、図６の接続部材２６の突出壁２８、２９を挿入する
ための一対の挿入孔３２、３３が形成されており、挿入
時に突出壁２８、２９の先端がグランド層７と接触する
ようになっている。また、挿入時、接続部材２６の孔２
７を挟んで対向する一対の短辺（例えばＥ面）の導体壁
３４、３５と接触する第２の誘電体基板２０表面には、
導体層３６が被着形成されており、この導体層３６は、
複数のビアホール導体３７によりグランド層７と電気的
に接続されている。なお、導体層３６は、導体壁３４、
３５と接触する部分のみならず、第２の誘電体基板の挿
入孔３２、３３形成部を除く全面に形成されていてもよ
い。
【００３９】かかる構造においては、第２の誘電体基板
２０における挿入孔３２、３３と、複数のビアホール導
体３７に囲まれた誘電体領域がインピーダンス整合用誘
電体部３８として機能することになる。
２０における挿入孔３２、３３と、複数のビアホール導
体３７に囲まれた誘電体領域がインピーダンス整合用誘
電体部３８として機能することになる。
【００４０】なお、複数のビアホール導体３７は、疑似
的な導体壁を形成するものであることから、ビアホール
導体３７を形成した部位からの信号の漏洩を防止するた
めにビアホール導体３７間の間隔Ｌ3 は伝送する信号波
長の１／４波長長さ以下に設定される。また、第１の誘
電体基板１および第２の誘電体基板２０には、図４のパ
ッケージＡ３と同様に、両基板を貫通する位置決め穴２
４および螺子穴２５が設けられている。
的な導体壁を形成するものであることから、ビアホール
導体３７を形成した部位からの信号の漏洩を防止するた
めにビアホール導体３７間の間隔Ｌ3 は伝送する信号波
長の１／４波長長さ以下に設定される。また、第１の誘
電体基板１および第２の誘電体基板２０には、図４のパ
ッケージＡ３と同様に、両基板を貫通する位置決め穴２
４および螺子穴２５が設けられている。
【００４１】このパッケージＡ４に導波管Ｂ１を接続す
るには、図５（ｃ）に示すように、まず、（ａ）のパッ
ケージＡ４に対して図６の接続部材２６を取り付ける。
この接続部材２６は、接続部材２６の一対の突出壁２
８、２９を第２の誘電体基板２０の挿入孔３２、３３に
挿入するとともに、第２の誘電体基板２０の導体層３６
が接続部材２６の短辺（例えばＥ面）の導体壁３４、３
５と接触し、且つ第２の誘電体基板２０と接続部材２６
のガイドピン１３を挿入する位置決め穴２４、３０と、
螺子穴２５、３１が整合する位置で接続部材２６と導体
層３６とロウ付けなどの手段により強固に取り付ける。
るには、図５（ｃ）に示すように、まず、（ａ）のパッ
ケージＡ４に対して図６の接続部材２６を取り付ける。
この接続部材２６は、接続部材２６の一対の突出壁２
８、２９を第２の誘電体基板２０の挿入孔３２、３３に
挿入するとともに、第２の誘電体基板２０の導体層３６
が接続部材２６の短辺（例えばＥ面）の導体壁３４、３
５と接触し、且つ第２の誘電体基板２０と接続部材２６
のガイドピン１３を挿入する位置決め穴２４、３０と、
螺子穴２５、３１が整合する位置で接続部材２６と導体
層３６とロウ付けなどの手段により強固に取り付ける。
【００４２】そして、導波管Ｂ１のガイドピン１３を、
パッケージＡ４の位置決め穴２４、３０に挿入し、さら
に導波管Ｂ１の螺子穴１４とパッケージＡ４の螺子穴２
５、３１を螺子１６により固定し、導波管Ｂ１の導体壁
１１の開放端Ｂ’を接続部材２６に対して当接するか、
ロウ付けにより接合する。この接続構造によれば、導波
管Ｂ１の導体壁１１は、接続部材２６および第２の誘電
体基板２０に設けられたビアホール導体３７を経由して
グランド層７と電気的に接続され、その結果、グランド
層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能し、導波管Ｂ１と
パッケージＡ４の伝送線路５とは、グランド層７に形成
されたスロット６を介して電磁結合される。
パッケージＡ４の位置決め穴２４、３０に挿入し、さら
に導波管Ｂ１の螺子穴１４とパッケージＡ４の螺子穴２
５、３１を螺子１６により固定し、導波管Ｂ１の導体壁
１１の開放端Ｂ’を接続部材２６に対して当接するか、
ロウ付けにより接合する。この接続構造によれば、導波
管Ｂ１の導体壁１１は、接続部材２６および第２の誘電
体基板２０に設けられたビアホール導体３７を経由して
グランド層７と電気的に接続され、その結果、グランド
層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能し、導波管Ｂ１と
パッケージＡ４の伝送線路５とは、グランド層７に形成
されたスロット６を介して電磁結合される。
【００４３】上記図１、図３乃至図５に示した本発明の
パッケージＡ１乃至Ａ４においては、第１の誘電体基板
１、第２の誘電体基板２０および整合用誘電体部９は、
セラミックスまたは有機樹脂、あるいはそれらの複合体
からなる構成することができる。例えば、セラミックス
としては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 などのセラ
ミックス材料や、ガラス材料、あるいはガラスとＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯなどの無機質フィラーとの複合
体からなるガラスセラミックス材料により形成でき、こ
れらの原料粉末を用いて所定の基板形状に成形した後、
焼成することにより形成される。また、有機樹脂として
は、有機系材料からなるプリント基板によって形成する
ことができる。
パッケージＡ１乃至Ａ４においては、第１の誘電体基板
１、第２の誘電体基板２０および整合用誘電体部９は、
セラミックスまたは有機樹脂、あるいはそれらの複合体
からなる構成することができる。例えば、セラミックス
としては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 などのセラ
ミックス材料や、ガラス材料、あるいはガラスとＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯなどの無機質フィラーとの複合
体からなるガラスセラミックス材料により形成でき、こ
れらの原料粉末を用いて所定の基板形状に成形した後、
焼成することにより形成される。また、有機樹脂として
は、有機系材料からなるプリント基板によって形成する
ことができる。
【００４４】また、信号の誘導を担う中心導体およびグ
ランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点金
属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成する
ことができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜選
択して、従来の積層技術をもって一体的に形成すること
ができる。
ランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点金
属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成する
ことができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜選
択して、従来の積層技術をもって一体的に形成すること
ができる。
【００４５】例えば、基板をＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 などのセラミック材料により形成する場合には、
タングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼
成体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼
成すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材
料により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同
様にして８００〜１１００℃の温度で焼成することによ
り作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料に
より形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペース
トを塗布するか、金属箔を接着することにより中心導体
やグランド層を形成することができる。
3 Ｎ4 などのセラミック材料により形成する場合には、
タングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼
成体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼
成すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材
料により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同
様にして８００〜１１００℃の温度で焼成することによ
り作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料に
より形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペース
トを塗布するか、金属箔を接着することにより中心導体
やグランド層を形成することができる。
【００４６】次に、上記本発明の高周波用パッケージと
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。
【００４７】その結果を図６に示した。図６の結果によ
れば、高周波用パッケージと導波管とが６０ＧＨｚにお
いて、Ｓ２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２
０ｄＢの良好な伝送特性をもって接続されていることが
わかる。
れば、高周波用パッケージと導波管とが６０ＧＨｚにお
いて、Ｓ２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２
０ｄＢの良好な伝送特性をもって接続されていることが
わかる。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用パ
ッケージおよびその接続構造によれば、キャビティ内部
に終端部を有する高周波信号線路を形成し、その終端部
をグランド層に形成したスロットを介して導波管と電磁
結合し、また、パッケージに導波管に形成したガイドピ
ンを挿入するための位置決め穴を設けて、導波管との接
続時にガイドピンと位置決め穴により導波管とパッケー
ジとの位置を定めることができる結果、常に高精度で接
続可能な導波管とパッケージとの接続構造を実現でき
る。その結果、この接続構造を構成するパッケージの信
頼性と量産性を高めることができる。
ッケージおよびその接続構造によれば、キャビティ内部
に終端部を有する高周波信号線路を形成し、その終端部
をグランド層に形成したスロットを介して導波管と電磁
結合し、また、パッケージに導波管に形成したガイドピ
ンを挿入するための位置決め穴を設けて、導波管との接
続時にガイドピンと位置決め穴により導波管とパッケー
ジとの位置を定めることができる結果、常に高精度で接
続可能な導波管とパッケージとの接続構造を実現でき
る。その結果、この接続構造を構成するパッケージの信
頼性と量産性を高めることができる。
【図１】本発明の一実施態様である高周波用パッケージ
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体基板の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構
造を説明するための概略断面図である。
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体基板の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構
造を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明における導波管Ｂ１の終端構造を説明す
るための概略斜視図である。
るための概略斜視図である。
【図３】本発明の他の実施態様である高周波用パッケー
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体基板の
底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明す
るための概略断面図である。
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体基板の
底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明す
るための概略断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を
説明するための概略断面図である。
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を
説明するための概略断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ４と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１との接続構造を説明
するための概略断面図である。
ッケージＡ４と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１との接続構造を説明
するための概略断面図である。
【図６】図５のパッケージＡ４において用いる接続部材
のの概略斜視図である。
のの概略斜視図である。
【図７】図１の高周波用パッケージＡ１と導波管Ｂ１と
の接続による伝送特性を示す図である。
の接続による伝送特性を示す図である。
１ 誘電体基板
２ 蓋体
３ キャビティ
４ 高周波素子
５ａ終端部
５ 中心導体
６ 開口部（スロット）
７ グランド層
８ 導体層
９ インピーダンス整合用誘電体部
１０ 位置決め穴
１１ 導体壁
１２ フランジ
１３ ガイドピン
１４、１５ 螺子穴
１６ 螺子
Ａ１ 高周波用パッケージ
Ｂ１ 導波管
Ｂ’ 開放端
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/04
H01L 23/12 301
H01P 5/107
H03F 3/60
Claims (5)
- 【請求項１】誘電体材料からなる誘電体基板と、高周波
素子を収納するためのキャビティと、該キャビティ内を
封止するための蓋体と、該キャビティ内における前記誘
電体基板の表面に被着形成され、一端が前記高周波素子
と接続されるとともに終端部を有する高周波用伝送線路
と、前記誘電体基板の内部あるいは前記伝送線路形成面
の反対面に設けられ、前記高周波用伝送線路の終端部と
対峙する位置に開口部が形成されたグランド層と、前記
誘電体基板に形成され導波管の開放端部に設けられたガ
イドピンが挿入される位置決め穴を具備することを特徴
とする高周波用パッケージ。 - 【請求項２】前記グランド層が前記誘電体基板の前記伝
送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記グランド層
の少なくとも前記開口部形成表面にインピーダンス整合
用誘電体部を形成してなることを特徴とする請求項１記
載の高周波用パッケージ。 - 【請求項３】前記グランド層が前記誘電体基板の前記伝
送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記グランド層
に形成された前記開口部の周囲に、前記グランド層と電
気的に接続され且つ導波管の導体壁と接続される金属枠
体が取り付けられており、前記位置決め穴が前記誘電体
基板および前記金属枠体に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の高周波用パッケージ。 - 【請求項４】前記グランド層表面に形成された整合用誘
電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に接続され、
且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体が取り付けら
れており、前記位置決め穴が前記誘電体基板および前記
金属枠体に形成されていることを特徴とする請求項３記
載の高周波用パッケージ。 - 【請求項５】誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘
電体基板と蓋体により形成された高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内における前記誘電
体基板の表面に被着形成され、一端が前記高周波素子と
接続されるとともに終端部を有する高周波用伝送線路
と、を具備する高周波用パッケージと、開放端部にガイ
ドピンが形成された導波管との接続構造であって、前記
パッケージが、前記誘電体基板の内部、あるいは前記伝
送線路形成面の反対面に設けられ、前記伝送線路の終端
部と前記誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が形
成されたグランド層と、前記導波管の開放端部に設けら
れたガイドピンが挿入される位置決め穴を具備してな
り、前記導波管のガイドピンを前記位置決め穴に挿入し
て前記グランド層の前記開口部が前記導波管の中心とな
る位置に固定するとともに、前記導波管の導体壁と前記
パッケージの前記グランド層とを電気的に接続して前記
グランド層により前記導波管の終端壁を形成せしめるこ
とを特徴する高周波用パッケージの接続構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30092697A JP3398314B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 高周波用パッケージおよびその接続構造 |
| US09/067,251 US6239669B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | High frequency package |
| DE69835633T DE69835633T2 (de) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | Hochfrequenzbaugruppe |
| EP98303224A EP0874415B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | High-frequency package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30092697A JP3398314B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 高周波用パッケージおよびその接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135660A JPH11135660A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3398314B2 true JP3398314B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=17890794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30092697A Expired - Lifetime JP3398314B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-10-31 | 高周波用パッケージおよびその接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3398314B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064286A (en) * | 1998-07-31 | 2000-05-16 | The Whitaker Corporation | Millimeter wave module with an interconnect from an interior cavity |
| JP4503476B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-07-14 | 株式会社ホンダエレシス | 高周波線路−導波管変換器 |
| JP5311073B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2013-10-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 非可逆回路素子、通信装置、及び非可逆回路素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP30092697A patent/JP3398314B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11135660A (ja) | 1999-05-21 |
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