JP3493278B2 - 高周波用パッケージの接続構造 - Google Patents
高周波用パッケージの接続構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用半導体素
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等をキャビテ
ィ内に気密封止しつつ、外部電気回路等に形成された導
波管に直接接続する高周波パッケ−ジの接続構造に関す
るものである。
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等をキャビテ
ィ内に気密封止しつつ、外部電気回路等に形成された導
波管に直接接続する高周波パッケ−ジの接続構造に関す
るものである。
【０００２】
【従来技術】近年、社会の情報化が進み、情報の伝達は
携帯電話に代表されるように無線化、パ−ソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レ−ダ−や無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レ−ダ
−（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コ−ドレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
携帯電話に代表されるように無線化、パ−ソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レ−ダ−や無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レ−ダ
−（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コ−ドレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
【０００３】このようにミリ波の応用が進むにつれ、そ
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
【０００４】このような要素技術の中でも、高周波素子
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
【０００５】従来における高周波用パッケ−ジを外部電
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
【０００６】最近では、高周波素子を収納したパッケ−
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ変換線路基板と接続したものであ
る。
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ変換線路基板と接続したものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
【０００８】これに対して、導波管から電磁波の形でパ
ッケ−ジのキャビティ内部まで直接導入する方法は、伝
送損失を抑制できる点では有効的であるが、蓋などのキ
ャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さく
するために、その通過部を誘電率および誘電正接が小さ
い材料を使用することが必要であり、そのために、前記
文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損失
材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込み
処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、量
産には全く不向きである。
ッケ−ジのキャビティ内部まで直接導入する方法は、伝
送損失を抑制できる点では有効的であるが、蓋などのキ
ャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さく
するために、その通過部を誘電率および誘電正接が小さ
い材料を使用することが必要であり、そのために、前記
文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損失
材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込み
処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、量
産には全く不向きである。
【０００９】また、キャビティ形成部材をすべて低誘電
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
【００１０】つまり、上記の困難性は、高周波信号を導
波管を通じ電磁波のままパッケ−ジのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
波管を通じ電磁波のままパッケ−ジのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
【００１１】本発明は、前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に接続可能な高周波用パッケージの接続構造を提供する
ことを目的とするものである。
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に接続可能な高周波用パッケージの接続構造を提供する
ことを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、キャビティ内部に収納され
る高周波素子に接続された高周波伝送線路の一端と対峙
する位置に、スロット孔を有するグランド層を形成し、
このスロット孔付きグランド層を導波管との接続部とす
ることにより、高周波素子の封止を確実に行うことがで
きるとともに、導波管に直接接続することを可能とした
ものである。
について鋭意検討した結果、キャビティ内部に収納され
る高周波素子に接続された高周波伝送線路の一端と対峙
する位置に、スロット孔を有するグランド層を形成し、
このスロット孔付きグランド層を導波管との接続部とす
ることにより、高周波素子の封止を確実に行うことがで
きるとともに、導波管に直接接続することを可能とした
ものである。
【００１３】
【００１４】即ち、本発明の高周波用パッケージの接続
構造によれば、誘電体材料からなる誘電体基板と、少な
くとも前記誘電体基板と蓋体により形成された高周波素
子を収納するためのキャビティと、前記誘電体基板の一
方の表面の前記キャビティ内に形成され、前記高周波素
子と一端が接続された高周波用伝送線路と、導波管と接
続するための接続部を具備する高周波用パッケージを、
導波管と接続するための構造であって、前記高周波用パ
ッケージの前記接続部が、前記誘電体基板の他方の表面
に設けられたグランド層と、該グランド層の前記高周波
用伝送線路の他端と前記誘電体基板を介して対峙する位
置に設けられスロット孔を具備し、前記導波管が、側壁
に形成された開口を具備し、前記導波管の前記開口に、
前記接続部を前記スロット孔形成面が前記導波管の中心
軸と平行になるように取付けるとともに、前記導波管内
の前記スロット孔と対峙する位置に、ダイポールアンテ
ナとして機能する導体層を前記グランド層と平行に内設
し、前記高周波用パッケージの前記高周波用伝送線路と
前記スロット孔を介して電磁結合してなることを特徴と
するものである。
構造によれば、誘電体材料からなる誘電体基板と、少な
くとも前記誘電体基板と蓋体により形成された高周波素
子を収納するためのキャビティと、前記誘電体基板の一
方の表面の前記キャビティ内に形成され、前記高周波素
子と一端が接続された高周波用伝送線路と、導波管と接
続するための接続部を具備する高周波用パッケージを、
導波管と接続するための構造であって、前記高周波用パ
ッケージの前記接続部が、前記誘電体基板の他方の表面
に設けられたグランド層と、該グランド層の前記高周波
用伝送線路の他端と前記誘電体基板を介して対峙する位
置に設けられスロット孔を具備し、前記導波管が、側壁
に形成された開口を具備し、前記導波管の前記開口に、
前記接続部を前記スロット孔形成面が前記導波管の中心
軸と平行になるように取付けるとともに、前記導波管内
の前記スロット孔と対峙する位置に、ダイポールアンテ
ナとして機能する導体層を前記グランド層と平行に内設
し、前記高周波用パッケージの前記高周波用伝送線路と
前記スロット孔を介して電磁結合してなることを特徴と
するものである。
【００１５】なお、上記接続構造においては、前記高周
波用パッケージの前記グランド層が、前記導波管におけ
る側壁として機能することが望ましい。
波用パッケージの前記グランド層が、前記導波管におけ
る側壁として機能することが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用パッケー
ジの構造について図１〜図５をもとに説明する。各図に
よれば、高周波用パッケージは、誘電体基板１と、蓋体
２によって形成されたキャビティ３内において、高周波
素子４が誘電体基板１表面に接続搭載され、キャビティ
３内は気密に封止されている。
ジの構造について図１〜図５をもとに説明する。各図に
よれば、高周波用パッケージは、誘電体基板１と、蓋体
２によって形成されたキャビティ３内において、高周波
素子４が誘電体基板１表面に接続搭載され、キャビティ
３内は気密に封止されている。
【００１７】図１は、高周波用パッケージの一実施態様
を説明するためのもので、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
は平面図（但し、蓋体は図示せず）である。
を説明するためのもので、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
は平面図（但し、蓋体は図示せず）である。
【００１８】図１のパッケージにおいては、誘電体基板
１の表面には高周波素子４が搭載され、また、キャビテ
ィ３内の誘電体基板１表面には、高周波素子４と端部が
接続された中心導体５が被着形成されている。
１の表面には高周波素子４が搭載され、また、キャビテ
ィ３内の誘電体基板１表面には、高周波素子４と端部が
接続された中心導体５が被着形成されている。
【００１９】一方、中心導体５が被着形成された誘電体
基板１の他方の表面、言い換えれば底面には、グランド
層６が形成され、このグランド層６とともに、中心導体
５はマイクロストリップ線路ａを形成している。
基板１の他方の表面、言い換えれば底面には、グランド
層６が形成され、このグランド層６とともに、中心導体
５はマイクロストリップ線路ａを形成している。
【００２０】また、グランド層６には、中心導体５の高
周波素子４と接続される端部と反対側の端部７と誘電体
基板１を挟んで対峙する位置に長孔のスロット孔８が形
成されている。より具体的には、平面的にみて、スロッ
ト孔８の中心から、中心導体７の端部までの距離ｘは、
信号周波数の１／４波長の長さとなるように設定され
る。
周波素子４と接続される端部と反対側の端部７と誘電体
基板１を挟んで対峙する位置に長孔のスロット孔８が形
成されている。より具体的には、平面的にみて、スロッ
ト孔８の中心から、中心導体７の端部までの距離ｘは、
信号周波数の１／４波長の長さとなるように設定され
る。
【００２１】また、マイクロストリップ線路ａの中心導
体５のスロット孔８を介した結合性を高めるために、中
心導体５の端部の線幅を広くしたり、スロット孔８の形
状をドッグボーン型にしたり、さらには、グランド層６
と接続するビアホール導体を中心導体５の周囲に形成し
てもよい。
体５のスロット孔８を介した結合性を高めるために、中
心導体５の端部の線幅を広くしたり、スロット孔８の形
状をドッグボーン型にしたり、さらには、グランド層６
と接続するビアホール導体を中心導体５の周囲に形成し
てもよい。
【００２２】また、蓋体２は、誘電体基板１の高周波素
子４搭載面を気密に封止すべく、ガラス付け、ロウ付
け、有機接着材などにより誘電体基板１に固定される。
子４搭載面を気密に封止すべく、ガラス付け、ロウ付
け、有機接着材などにより誘電体基板１に固定される。
【００２３】図２、図３は、図１のパッケージを導波管
に接続した時の構造を説明するための図である。そし
て、このパッケージを導波管に接続する場合、導波管９
には、パッケージを接続するための開口が形成されてい
る。図２は、導波管の終端部に形成された開口に接続す
る場合のもので、（ａ）はその接続方法を説明するため
の組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図であ
る。また図３は、導波管の側壁に形成された開口に接続
する場合のもので、（ａ）はその接合方法を説明するた
めの組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図であ
る。
に接続した時の構造を説明するための図である。そし
て、このパッケージを導波管に接続する場合、導波管９
には、パッケージを接続するための開口が形成されてい
る。図２は、導波管の終端部に形成された開口に接続す
る場合のもので、（ａ）はその接続方法を説明するため
の組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図であ
る。また図３は、導波管の側壁に形成された開口に接続
する場合のもので、（ａ）はその接合方法を説明するた
めの組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図であ
る。
【００２４】図２によれば、導波管９の端部は終端壁が
存在しない、電磁気的に開放された開放端部１０を有す
る。この開放端部１０に接続する場合、パッケージの接
続部によって開放端部１０を塞ぐように接続し、導波管
９の中心軸Ｚがパッケージの底面に形成されたグランド
層６のスロット孔８を通過し、かつグランド層６面が中
心軸Ｚと垂直に交わる位置に接続される。
存在しない、電磁気的に開放された開放端部１０を有す
る。この開放端部１０に接続する場合、パッケージの接
続部によって開放端部１０を塞ぐように接続し、導波管
９の中心軸Ｚがパッケージの底面に形成されたグランド
層６のスロット孔８を通過し、かつグランド層６面が中
心軸Ｚと垂直に交わる位置に接続される。
【００２５】一方、図３によれば、導波管９の側壁に開
口１１が形成され、その開口１１に対して、パッケージ
の接続部によって開口１１を塞ぐように接続し、パッケ
ージの底面に形成されたグランド層７のスロット孔８
が、導波管９の中心軸Ｚに対面し、またグランド層７形
成面が中心軸Ｚと平行になる位置に接続される。
口１１が形成され、その開口１１に対して、パッケージ
の接続部によって開口１１を塞ぐように接続し、パッケ
ージの底面に形成されたグランド層７のスロット孔８
が、導波管９の中心軸Ｚに対面し、またグランド層７形
成面が中心軸Ｚと平行になる位置に接続される。
【００２６】また、図２、図３の接続構造においては、
パッケージのグランド層６は、導波管９に形成された開
放端部１０や開口１１を電磁気的に閉じる機能を有し、
図２においては、グランド層６は、導波管９の終端壁と
して機能し、図３においては、導波管９の側壁として機
能することになり、これにより、開口からの電磁波のも
れを防止することができる。望ましくは、図２（ｂ）ま
たは図３（ｂ）に示すように、グランド層６と導波管９
の側壁と接触させて電気的に接続することにより、電磁
波のもれのない接続構造を形成できる。また、開口の大
きさはできるだけ小さくするのがよい。
パッケージのグランド層６は、導波管９に形成された開
放端部１０や開口１１を電磁気的に閉じる機能を有し、
図２においては、グランド層６は、導波管９の終端壁と
して機能し、図３においては、導波管９の側壁として機
能することになり、これにより、開口からの電磁波のも
れを防止することができる。望ましくは、図２（ｂ）ま
たは図３（ｂ）に示すように、グランド層６と導波管９
の側壁と接触させて電気的に接続することにより、電磁
波のもれのない接続構造を形成できる。また、開口の大
きさはできるだけ小さくするのがよい。
【００２７】図２および図３の接続構造によれば、導波
管９を伝送してきた高周波信号は、グランド層６に形成
されたスロット孔８を通じて、キャビティ３内のマイク
ロストリップ線路ａの中心導体５と電磁結合による変換
構造によって、中心導体５上の信号に変換され、高周波
素子４に伝送されることになる。このように、本発明の
構造によれば、キャビティの封止を確実に行いながら、
パッケ−ジを導波管と直接接続できることができる。
管９を伝送してきた高周波信号は、グランド層６に形成
されたスロット孔８を通じて、キャビティ３内のマイク
ロストリップ線路ａの中心導体５と電磁結合による変換
構造によって、中心導体５上の信号に変換され、高周波
素子４に伝送されることになる。このように、本発明の
構造によれば、キャビティの封止を確実に行いながら、
パッケ−ジを導波管と直接接続できることができる。
【００２８】本発明の接続構造によれば、導波管９内の
スロット孔８と対向する位置に、ダイポールアンテナと
して機能する導体層を設けることにより、高周波用パッ
ケージのマイクロストリップ線路ａとグランド層６に形
成したスロット孔８を介して導波管と電磁結合させるこ
とができる。
スロット孔８と対向する位置に、ダイポールアンテナと
して機能する導体層を設けることにより、高周波用パッ
ケージのマイクロストリップ線路ａとグランド層６に形
成したスロット孔８を介して導波管と電磁結合させるこ
とができる。
【００２９】具体的な構造としては、例えば、導波管９
の終端部にパッケージを接続した構造においては、図４
および図５に示すように、導波管９内部に両端が電磁気
的に開放された端部を有し、伝送信号波長の１／２波長
長さの線路からなる導体層１３を例えば、誘電体板１４
の表面に形成し、導波管９内に内接する。これにより、
導波管９内の導体層１３が、スロット孔８を介して励振
し、ダイポールアンテナとして機能し導波管９とパッケ
ージとの接続性をより高めることができる。
の終端部にパッケージを接続した構造においては、図４
および図５に示すように、導波管９内部に両端が電磁気
的に開放された端部を有し、伝送信号波長の１／２波長
長さの線路からなる導体層１３を例えば、誘電体板１４
の表面に形成し、導波管９内に内接する。これにより、
導波管９内の導体層１３が、スロット孔８を介して励振
し、ダイポールアンテナとして機能し導波管９とパッケ
ージとの接続性をより高めることができる。
【００３０】その他、グランド層６の表面に誘電体層を
介して、両端が電磁気的に開放された端部を有する線路
からなる導体層１３をスロット孔８と対峙する位置に伝
送信号波長の１／２波長長さの線路からなる導体層１３
を被着形成してもダイポールアンテナとして機能させる
ことができる。
介して、両端が電磁気的に開放された端部を有する線路
からなる導体層１３をスロット孔８と対峙する位置に伝
送信号波長の１／２波長長さの線路からなる導体層１３
を被着形成してもダイポールアンテナとして機能させる
ことができる。
【００３１】本発明のパッケージにおいては、誘電体基
板は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4 などのセラミッ
クス材料や、ガラス材料、あるいはガラスと無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミック材料により原
料粉末を用いて成形した後、焼成することにより形成さ
れる他、有機系材料からなるプリント基板によって形成
することができる。また、信号の伝達を担う各導体線路
およびグランド層は、タングステン、モリブデンなどの
高融点金属や、金、銀、銅、アルニウム、白金などの低
抵抗金属などにより形成することができ、これらは、従
来の積層技術をもって一体的に形成できることも大きな
特徴である。
板は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4 などのセラミッ
クス材料や、ガラス材料、あるいはガラスと無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミック材料により原
料粉末を用いて成形した後、焼成することにより形成さ
れる他、有機系材料からなるプリント基板によって形成
することができる。また、信号の伝達を担う各導体線路
およびグランド層は、タングステン、モリブデンなどの
高融点金属や、金、銀、銅、アルニウム、白金などの低
抵抗金属などにより形成することができ、これらは、従
来の積層技術をもって一体的に形成できることも大きな
特徴である。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波パッ
ケ−ジの接続構造によれば、キャビティ外部に、スロッ
ト孔を有するグランド層を形成し、このスロット孔と高
周波素子と接続された高周波伝送線路の端部とを対峙さ
せて形成し、このグランド層のスロット孔を介して導波
管と接続することにより、パッケージの封止構造に影響
を与えることなく、導波管との接続を実現することがで
きる。そして、導波管内部にダイポールアンテナとして
機能する導体層を設けることによって導波管とパッケー
ジとの接続性を高めることができる。
ケ−ジの接続構造によれば、キャビティ外部に、スロッ
ト孔を有するグランド層を形成し、このスロット孔と高
周波素子と接続された高周波伝送線路の端部とを対峙さ
せて形成し、このグランド層のスロット孔を介して導波
管と接続することにより、パッケージの封止構造に影響
を与えることなく、導波管との接続を実現することがで
きる。そして、導波管内部にダイポールアンテナとして
機能する導体層を設けることによって導波管とパッケー
ジとの接続性を高めることができる。
【図１】高周波パッケ−ジの一実施態様を説明するため
のもので、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその平面図
（但し、蓋体は図示せず）である。
のもので、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその平面図
（但し、蓋体は図示せず）である。
【図２】図１の高周波用パッケージを開放端部を通じて
導波管と接続する場合の構造を説明するためのもので、
（ａ）は、接続方法を説明するための組み立て斜視図、
（ｂ）は接続した時の断面図である。
導波管と接続する場合の構造を説明するためのもので、
（ａ）は、接続方法を説明するための組み立て斜視図、
（ｂ）は接続した時の断面図である。
【図３】図１の高周波用パッケージを導波管の側壁に形
成された開口を通じて接続する場合の構造を説明するた
めのもので、（ａ）は、接続方法を説明するための組み
立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
成された開口を通じて接続する場合の構造を説明するた
めのもので、（ａ）は、接続方法を説明するための組み
立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
【図４】図１の高周波用パッケージを開放端部を通じて
導波管と接続する場合の他の構造を説明するためのもの
で、（ａ）は、接続方法を説明するための組み立て斜視
図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
導波管と接続する場合の他の構造を説明するためのもの
で、（ａ）は、接続方法を説明するための組み立て斜視
図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
【図５】図１の高周波用パッケージを導波管の側壁に形
成された開口を通じて接続する場合の他の構造を説明す
るためのもので、（ａ）は、接続方法を説明するための
組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
成された開口を通じて接続する場合の他の構造を説明す
るためのもので、（ａ）は、接続方法を説明するための
組み立て斜視図、（ｂ）は接続した時の断面図である。
１ 誘電体基板
２ 蓋体
３ キャビティ
４ 高周波素子
５ 信号導体
６ グランド層
７ 線路端部
８ スロット孔
ａ，ｂ マイクロストリップ線路
９ 導波管
１０ 開放端部
１１ 開口
１２ 終端部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−202520（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−219702（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−51604（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−11502（ＪＰ，Ｕ)
欧州特許出願公開684658（ＥＰ，Ａ
１)
独国特許出願公開4208058（ＤＥ，Ａ
１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 5/107
H01L 23/04
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体材料からなる誘電体基板と、少なく
とも前記誘電体基板と蓋体により形成された高周波素子
を収納するためのキャビティと、前記誘電体基板の一方
の表面の前記キャビティ内に形成され、前記高周波素子
と一端が接続された高周波用伝送線路と、導波管と接続
するための接続部を具備する高周波用パッケージを、導
波管と接続するための構造であって、前記高周波用パッ
ケージの前記接続部が、前記誘電体基板の他方の表面に
設けられたグランド層と、該グランド層の前記高周波用
伝送線路の他端と前記誘電体基板を介して対峙する位置
に設けられスロット孔を具備し、前記導波管が、側壁に
形成された開口を具備し、前記導波管の前記開口に、前
記接続部を前記スロット孔形成面が前記導波管の中心軸
と平行になるように取付けるとともに、前記導波管内の
前記スロット孔と対峙する位置に、ダイポールアンテナ
として機能する導体層を前記グランド層と平行に内設
し、前記高周波用パッケージの前記高周波用伝送線路と
前記スロット孔を介して電磁結合してなることを特徴と
する高周波用パッケージの接続構造。 - 【請求項２】前記高周波用パッケージの前記グランド層
が、前記導波管における側壁として機能する請求項１記
載の高周波用パッケージの接続構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10872997A JP3493278B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 高周波用パッケージの接続構造 |
| DE69835633T DE69835633T2 (de) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | Hochfrequenzbaugruppe |
| US09/067,251 US6239669B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | High frequency package |
| EP98303224A EP0874415B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-27 | High-frequency package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10872997A JP3493278B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 高周波用パッケージの接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303616A JPH10303616A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3493278B2 true JP3493278B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=14492064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10872997A Expired - Fee Related JP3493278B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 高周波用パッケージの接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493278B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100472681B1 (ko) * | 2002-10-21 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 도파관 구조의 패키지 및 그 제조 방법 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10872997A patent/JP3493278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10303616A (ja) | 1998-11-13 |
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