JP2001144512A - 配線基板およびその導波管との接続構造 - Google Patents
配線基板およびその導波管との接続構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表面に形成された信号伝送線路と導波管とを低
損失、低反射で接続できる配線基板と導波管との接続構
造を提供する。 【解決手段】誘電体基板１と、誘電体基板１の一方の表
面に形成された信号伝送線路５と、信号伝送線路５と導
波管Ｂ１とを接続するための接続部を具備するパッケー
ジなどの配線基板であって、接続部が、誘電体基板１の
他方の表面に形成され、信号伝送線路５の終端５ａと対
峙する位置にスロット孔６が形成されてなるグランド層
７と、グランド層７のスロット孔６形成表面に第１誘電
体部９を介して設けられた信号励振用のパッチ導体１０
と、パッチ導体１０表面に形成された第２の誘電体部１
１とを形成する。
損失、低反射で接続できる配線基板と導波管との接続構
造を提供する。 【解決手段】誘電体基板１と、誘電体基板１の一方の表
面に形成された信号伝送線路５と、信号伝送線路５と導
波管Ｂ１とを接続するための接続部を具備するパッケー
ジなどの配線基板であって、接続部が、誘電体基板１の
他方の表面に形成され、信号伝送線路５の終端５ａと対
峙する位置にスロット孔６が形成されてなるグランド層
７と、グランド層７のスロット孔６形成表面に第１誘電
体部９を介して設けられた信号励振用のパッチ導体１０
と、パッチ導体１０表面に形成された第２の誘電体部１
１とを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、高周波用半導体
素子や高周波用受動素子などの高周波素子等を収納する
為の高周波用パッケージ、あるいはそれら素子を収納し
たパッケージを実装する回路基板、あるいは各種素子を
直接表面実装した回路基板などに用いられ、導波管との
接続が可能な配線基板に関し、信号伝送線路−導波管間
で効率よく信号伝送できる配線基板とその導波管との接
続構造に関するものである。
素子や高周波用受動素子などの高周波素子等を収納する
為の高周波用パッケージ、あるいはそれら素子を収納し
たパッケージを実装する回路基板、あるいは各種素子を
直接表面実装した回路基板などに用いられ、導波管との
接続が可能な配線基板に関し、信号伝送線路−導波管間
で効率よく信号伝送できる配線基板とその導波管との接
続構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、社会の情報化が進み、情報の伝達は
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
【０００３】このようにミリ波の応用が進むにつれ、そ
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
【０００４】このような要素技術の中でも、高周波素子
が収納された回路基板あるいはパッケージと、外部電気
回路とをいかに簡単で且つ小型な構造で接続するかが重
要な要素として位置づけられている。とりわけ、伝送損
失の最も小さい導波管が形成された外部電気回路と、高
周波素子を搭載した回路基板あるいはパッケージとをい
かに接続するかが大きな問題であった。
が収納された回路基板あるいはパッケージと、外部電気
回路とをいかに簡単で且つ小型な構造で接続するかが重
要な要素として位置づけられている。とりわけ、伝送損
失の最も小さい導波管が形成された外部電気回路と、高
周波素子を搭載した回路基板あるいはパッケージとをい
かに接続するかが大きな問題であった。
【０００５】従来における回路基板あるいはパッケージ
を外部電気回路に形成された導波管に接続する方法とし
ては、高周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同
軸線路に変換して導波管と接続する方法、外部電気回路
において、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接
続した後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッ
ケージとを接続する方法が採用される。
を外部電気回路に形成された導波管に接続する方法とし
ては、高周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同
軸線路に変換して導波管と接続する方法、外部電気回路
において、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接
続した後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッ
ケージとを接続する方法が採用される。
【０００６】最近では、高周波素子を収納したパッケー
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
【０００８】これに対して、導波管から電磁波の形でパ
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
【０００９】また、キャビティ形成部材をすべて低誘電
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
【００１０】また、特開平１１−１１２２０９号では、
気密封止可能でありかつ伝送線路−導波管の信号接続が
できる技術が提唱されているが、これはマイクロストリ
ップラインの信号をグランド層に設けた開口部を通し誘
電体層を介して導波管に接続するもので、開口部下の誘
電体層厚みのみで信号の透過周波数を調整するので誘電
体厚みの影響が大きく、結果的に特性バラツキが大きく
なり製品としては使えなかった。
気密封止可能でありかつ伝送線路−導波管の信号接続が
できる技術が提唱されているが、これはマイクロストリ
ップラインの信号をグランド層に設けた開口部を通し誘
電体層を介して導波管に接続するもので、開口部下の誘
電体層厚みのみで信号の透過周波数を調整するので誘電
体厚みの影響が大きく、結果的に特性バラツキが大きく
なり製品としては使えなかった。
【００１１】本発明は、前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、前記高周波用パッケージなどの配線基板表
面に形成された信号伝送線路と、導波管とを信号の損失
が小さく、また反射の小さい接続が可能な配線基板とそ
の導波管との接続構造を提供することを目的とするもの
である。
れたもので、前記高周波用パッケージなどの配線基板表
面に形成された信号伝送線路と、導波管とを信号の損失
が小さく、また反射の小さい接続が可能な配線基板とそ
の導波管との接続構造を提供することを目的とするもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、誘電体基板の一方の表面に
信号伝送線路が形成された配線基板において、該誘電体
基板の他方の表面に前記信号伝送線路の終端と対峙する
位置にスロット孔が形成されてなるグランド層を形成
し、そのグランド層のスロット孔形成表面に第１の誘電
体部を介して信号励振用のパッチ導体を設け、さらにそ
のパッチ導体表面に第２の誘電体部とを形成することに
よって、信号伝送線路−導波管間の信号伝送を低損失、
低反射で効率よく行うことが可能であり、また高周波素
子の気密封止をも確実に行うことができることを見出し
た。
について鋭意検討した結果、誘電体基板の一方の表面に
信号伝送線路が形成された配線基板において、該誘電体
基板の他方の表面に前記信号伝送線路の終端と対峙する
位置にスロット孔が形成されてなるグランド層を形成
し、そのグランド層のスロット孔形成表面に第１の誘電
体部を介して信号励振用のパッチ導体を設け、さらにそ
のパッチ導体表面に第２の誘電体部とを形成することに
よって、信号伝送線路−導波管間の信号伝送を低損失、
低反射で効率よく行うことが可能であり、また高周波素
子の気密封止をも確実に行うことができることを見出し
た。
【００１３】また、かかる構造においては、前記第１の
誘電体部および第２の誘電体部の大きさが、接続される
導波管の内径以下である場合、前記第１誘電体部および
前記第２誘電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に
接続され且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体を取
り付け、この金属枠体と導波管のフランジとを接続する
ことが望ましい。
誘電体部および第２の誘電体部の大きさが、接続される
導波管の内径以下である場合、前記第１誘電体部および
前記第２誘電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に
接続され且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体を取
り付け、この金属枠体と導波管のフランジとを接続する
ことが望ましい。
【００１４】さらに、前記誘電体基板の他方の表面に、
第１の誘電体層および第２の誘電体層が前記誘電体基板
と一体的に形成されており、前記第１の誘電体部が前記
第１の誘電体層内に、また前記第２の誘電体部が前記第
２の誘電体層内に設けてもよく、その場合、前記第１及
び第２の誘電体層の前記パッチ導体形成部を中心とする
周囲に、前記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的
に接続するための垂直導体を前記第１及び第２の誘電体
層を貫通して形成し、この垂直導体と導波管の金属壁体
と電気的に接続することが望ましい。
第１の誘電体層および第２の誘電体層が前記誘電体基板
と一体的に形成されており、前記第１の誘電体部が前記
第１の誘電体層内に、また前記第２の誘電体部が前記第
２の誘電体層内に設けてもよく、その場合、前記第１及
び第２の誘電体層の前記パッチ導体形成部を中心とする
周囲に、前記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的
に接続するための垂直導体を前記第１及び第２の誘電体
層を貫通して形成し、この垂直導体と導波管の金属壁体
と電気的に接続することが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】 以下、本発明の配線基板の構造
について、典型的な応用例として高周波用パッケージの
一例を以下に図面をもとに説明する。まず、図１によれ
ば、高周波用パッケージＡ１は、誘電体基板１と、蓋体
２によって形成されたキャビティ３内において、高周波
素子４が誘電体基板１表面に実装搭載され、キャビティ
３内は蓋体２によって気密に封止されている。
について、典型的な応用例として高周波用パッケージの
一例を以下に図面をもとに説明する。まず、図１によれ
ば、高周波用パッケージＡ１は、誘電体基板１と、蓋体
２によって形成されたキャビティ３内において、高周波
素子４が誘電体基板１表面に実装搭載され、キャビティ
３内は蓋体２によって気密に封止されている。
【００１６】誘電体基板１のキャビティ３内の表面に
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端５ａを有
する信号伝送線路５が形成されている。そして、誘電体
基板１の信号伝送線路５が形成された面とは反対の表面
には、一面にグランド層７が形成されており、そしてそ
のグランド層７の信号伝送線路５と対峙する部分には導
体が形成されていない開口部（いわゆる、スロット孔）
６が形成されている。
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端５ａを有
する信号伝送線路５が形成されている。そして、誘電体
基板１の信号伝送線路５が形成された面とは反対の表面
には、一面にグランド層７が形成されており、そしてそ
のグランド層７の信号伝送線路５と対峙する部分には導
体が形成されていない開口部（いわゆる、スロット孔）
６が形成されている。
【００１７】このパッケージにおいては、信号伝送線路
５は、これが中心導体をなし、グランド層７とともにマ
イクロストリップ構造の線路を形成している。なお、信
号伝送線路は上記マイクロストリップ線路に限らず、信
号伝送線路（中心導体）の両脇にグランド層を形成し、
グランド層７とともにグランド付きコプレーナ構造の線
路でも良い。また、誘電体基板１の信号伝送線路５の周
辺には、蓋体２を取り付けるための導体層８が形成され
ている。
５は、これが中心導体をなし、グランド層７とともにマ
イクロストリップ構造の線路を形成している。なお、信
号伝送線路は上記マイクロストリップ線路に限らず、信
号伝送線路（中心導体）の両脇にグランド層を形成し、
グランド層７とともにグランド付きコプレーナ構造の線
路でも良い。また、誘電体基板１の信号伝送線路５の周
辺には、蓋体２を取り付けるための導体層８が形成され
ている。
【００１８】また、図１の高周波用パッケージＡ１にお
いては、グランド層７のスロット孔６形成表面には、第
１の誘電体部９を介して信号励振用のパッチ導体１０が
被着形成されており、さらに、このパッチ導体１０の表
面には、第２の誘電体部１１が設けられている。
いては、グランド層７のスロット孔６形成表面には、第
１の誘電体部９を介して信号励振用のパッチ導体１０が
被着形成されており、さらに、このパッチ導体１０の表
面には、第２の誘電体部１１が設けられている。
【００１９】上記の線路構成において、マイクロストリ
ップ線路の信号伝送線路５は、スロット孔６と電磁結合
されている、言い換えれば電磁結合によりスロット孔６
に給電する。この電磁結合構造は、具体的には、特開平
３−１２９９０３号に記載されており、図１（ｂ）の誘
電体基板１の平面図に示すように、マイクロストリップ
線路の信号伝送線路５の終端５ａがスロット孔６中心か
ら信号周波数の１／４波長の長さＬで突出するように形
成することにより、電磁結合することができる。しか
し、電磁結合は必ずしも前記寸法の組み合わせだけでな
く、その他の組み合わせでも良好な結合は可能である。
ップ線路の信号伝送線路５は、スロット孔６と電磁結合
されている、言い換えれば電磁結合によりスロット孔６
に給電する。この電磁結合構造は、具体的には、特開平
３−１２９９０３号に記載されており、図１（ｂ）の誘
電体基板１の平面図に示すように、マイクロストリップ
線路の信号伝送線路５の終端５ａがスロット孔６中心か
ら信号周波数の１／４波長の長さＬで突出するように形
成することにより、電磁結合することができる。しか
し、電磁結合は必ずしも前記寸法の組み合わせだけでな
く、その他の組み合わせでも良好な結合は可能である。
【００２０】図１（ｃ）は、図１（ａ）の高周波用パッ
ケージＡ１に導波管Ｂ１を接続した時の構造を説明する
ための概略断面図である。高周波用パッケージＡ１のパ
ッチ導体１０を有する第１誘電体部９及び第２誘電体部
１１は、導波管Ｂ１の内壁と同じ、あるいはそれよりも
小さいサイズからなり、導波管Ｂ１との接続時に、導波
管Ｂ１内に配設されるような形状を有する。
ケージＡ１に導波管Ｂ１を接続した時の構造を説明する
ための概略断面図である。高周波用パッケージＡ１のパ
ッチ導体１０を有する第１誘電体部９及び第２誘電体部
１１は、導波管Ｂ１の内壁と同じ、あるいはそれよりも
小さいサイズからなり、導波管Ｂ１との接続時に、導波
管Ｂ１内に配設されるような形状を有する。
【００２１】そして、導波管Ｂ１の開放端のフランジ
Ｂ’をパッケージＡ１のグランド層７に形成されたスロ
ット孔６が導波管の中心となる位置にて当接させるか、
またはフランジＢ’をグランド層７にロウ付けにより接
合するか、あるいはフランジＢ’を誘電体基板１にネジ
止めなどの機械的な接合手段により取り付けて、導波管
Ｂ１の導体壁１２と電気的に接続する。そして、このよ
うにして導波管Ｂ１の導体壁１２とグランド層７とを電
気的に接続することにより、グランド層７と導波管Ｂ１
の電位を共通にする。このとき、第１誘電体部９、第２
誘電体部１１の外周は特に導波管Ｂ１の内壁に接する必
要性はない。
Ｂ’をパッケージＡ１のグランド層７に形成されたスロ
ット孔６が導波管の中心となる位置にて当接させるか、
またはフランジＢ’をグランド層７にロウ付けにより接
合するか、あるいはフランジＢ’を誘電体基板１にネジ
止めなどの機械的な接合手段により取り付けて、導波管
Ｂ１の導体壁１２と電気的に接続する。そして、このよ
うにして導波管Ｂ１の導体壁１２とグランド層７とを電
気的に接続することにより、グランド層７と導波管Ｂ１
の電位を共通にする。このとき、第１誘電体部９、第２
誘電体部１１の外周は特に導波管Ｂ１の内壁に接する必
要性はない。
【００２２】かかる接続構造において、キャビティ３内
にて高周波素子４と接続された信号伝送線路５における
信号は、グランド層７に設けられたスロット孔６により
電磁結合され、さらにパッチ導体１０により励振され、
第２誘電体部１１を通過し信号が導波管Ｂ１に伝達され
る。
にて高周波素子４と接続された信号伝送線路５における
信号は、グランド層７に設けられたスロット孔６により
電磁結合され、さらにパッチ導体１０により励振され、
第２誘電体部１１を通過し信号が導波管Ｂ１に伝達され
る。
【００２３】かかる構造においては、パッチ導体１０
は、信号伝送線路５から上側への電磁波の放射を抑制
し、電磁波を第１誘電体部９および第２誘電体部１１内
に閉じ込める作用を有する。また、第１誘電体部９及び
第２誘電体部１１は、接続部における空気中への電磁場
の分布を抑え放射による変換損失を抑え、またスロット
孔６−パッチ導体１０−導波管Ｂ１の電磁場分布を連続
的にする役割を有する。特に第２誘電体部１１と導波管
Ｂ１の界面において磁場分布が垂直とすることが可能と
なり、その結果、高周波信号の伝送損失の小さい接続構
造を実現できる。
は、信号伝送線路５から上側への電磁波の放射を抑制
し、電磁波を第１誘電体部９および第２誘電体部１１内
に閉じ込める作用を有する。また、第１誘電体部９及び
第２誘電体部１１は、接続部における空気中への電磁場
の分布を抑え放射による変換損失を抑え、またスロット
孔６−パッチ導体１０−導波管Ｂ１の電磁場分布を連続
的にする役割を有する。特に第２誘電体部１１と導波管
Ｂ１の界面において磁場分布が垂直とすることが可能と
なり、その結果、高周波信号の伝送損失の小さい接続構
造を実現できる。
【００２４】図２は、図１の高周波用パッケージＡ１の
変形例を示すパッケージであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は誘電体層の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１と接続
した時の概略断面図である。この高周波用パッケージＡ
２によれば、第１誘電体部９、第２誘電体部１１の周囲
において、グランド層７に金属枠体１３をロウ剤等の導
電性接着剤を用いて取付けることにより、グランド層７
と金属枠体１３とを電気的に接続させ、導波管Ｂ１の開
放端のフランジＢ’をこの金属枠体１３に対して、当接
するか、ロウ付けにより接合するかあるいは金属枠体１
３にネジ止めなどの機械的な接合手段により取り付ける
ことができる。
変形例を示すパッケージであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は誘電体層の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１と接続
した時の概略断面図である。この高周波用パッケージＡ
２によれば、第１誘電体部９、第２誘電体部１１の周囲
において、グランド層７に金属枠体１３をロウ剤等の導
電性接着剤を用いて取付けることにより、グランド層７
と金属枠体１３とを電気的に接続させ、導波管Ｂ１の開
放端のフランジＢ’をこの金属枠体１３に対して、当接
するか、ロウ付けにより接合するかあるいは金属枠体１
３にネジ止めなどの機械的な接合手段により取り付ける
ことができる。
【００２５】かかる構造によれば、導波管Ｂ１を金属枠
体１３を介して高周波用パッケージＡ２に対して強固に
接合することができ、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との
接続信頼性を高めることができる。なお、図２では、誘
電体基板１の底面に形成された２つの誘電体部９、１１
の周囲に一体化した金属枠体１３を形成したが、この金
属枠体１３は、分割した構造であってもよく、それぞれ
接合一体化して誘電体基板１の底面におけるグランド層
７に取り付けることも可能である。
体１３を介して高周波用パッケージＡ２に対して強固に
接合することができ、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との
接続信頼性を高めることができる。なお、図２では、誘
電体基板１の底面に形成された２つの誘電体部９、１１
の周囲に一体化した金属枠体１３を形成したが、この金
属枠体１３は、分割した構造であってもよく、それぞれ
接合一体化して誘電体基板１の底面におけるグランド層
７に取り付けることも可能である。
【００２６】図１、図２の高周波用パッケージにおいて
は、誘電体部９、１１は、グランド層７の表面に誘電体
基板１に一体的に設けられているが、この誘電体部９、
１１は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および信号伝送線
路５を印刷塗布し、同様に未焼成の誘電体部９、１１を
接着剤により接着して、それを一括して同時焼成するこ
とにより作製することも可能であるが、焼成時に脱落す
る可能性がある。
は、誘電体部９、１１は、グランド層７の表面に誘電体
基板１に一体的に設けられているが、この誘電体部９、
１１は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および信号伝送線
路５を印刷塗布し、同様に未焼成の誘電体部９、１１を
接着剤により接着して、それを一括して同時焼成するこ
とにより作製することも可能であるが、焼成時に脱落す
る可能性がある。
【００２７】そこで、図３乃至図４は、第１誘電体部
９、第２誘電体部１１を誘電体基板１と一体的に形成し
てなる高周波用パッケージに関するものである。まず、
図３の高周波用パッケージＡ３によれば、誘電体基板１
の底面に形成されたグランド層７の表面に、第１誘電体
層１４および第２誘電体層１５が積層形成されており、
この第１誘電体層１４と第２誘電体層１５との間には、
パッチ導体１０が内層されている。そして、この第１誘
電体層１４と第２誘電体層１５の前記パッチ導体１０形
成部を中心とする周囲には、前記導波管Ｂ１の導体壁と
前記グランド層７を電気的に接続するための複数の垂直
導体１６が前記第１誘電体層１４及び第２誘電体層１５
を貫通して形成されており、この垂直導体１６によって
囲まれた領域に第１誘電体部９および第２誘電体部１１
が形成されている。
９、第２誘電体部１１を誘電体基板１と一体的に形成し
てなる高周波用パッケージに関するものである。まず、
図３の高周波用パッケージＡ３によれば、誘電体基板１
の底面に形成されたグランド層７の表面に、第１誘電体
層１４および第２誘電体層１５が積層形成されており、
この第１誘電体層１４と第２誘電体層１５との間には、
パッチ導体１０が内層されている。そして、この第１誘
電体層１４と第２誘電体層１５の前記パッチ導体１０形
成部を中心とする周囲には、前記導波管Ｂ１の導体壁と
前記グランド層７を電気的に接続するための複数の垂直
導体１６が前記第１誘電体層１４及び第２誘電体層１５
を貫通して形成されており、この垂直導体１６によって
囲まれた領域に第１誘電体部９および第２誘電体部１１
が形成されている。
【００２８】また、第１誘電体層１４と第２誘電体層１
５との間にはパッチ導体１０に加え導体層１７が形成さ
れており、第１誘電体層１４および第２誘電体層１５の
垂直導体１６同士を高い信頼性をもって接続している。
また、第２誘電体層１５の表面には導波管Ｂ１を接続す
るための導体層１８が被着形成されている。
５との間にはパッチ導体１０に加え導体層１７が形成さ
れており、第１誘電体層１４および第２誘電体層１５の
垂直導体１６同士を高い信頼性をもって接続している。
また、第２誘電体層１５の表面には導波管Ｂ１を接続す
るための導体層１８が被着形成されている。
【００２９】この高周波用パッケージＡ３に対しては、
導波管Ｂ１の開放端のフランジＢ’を第２誘電体層１５
の表面に形成された導体層１８に対して当接するか、ロ
ウ付けにより接合するか、あるいは基板にネジ止めなど
の機械的な接合手段によって取り付ける。
導波管Ｂ１の開放端のフランジＢ’を第２誘電体層１５
の表面に形成された導体層１８に対して当接するか、ロ
ウ付けにより接合するか、あるいは基板にネジ止めなど
の機械的な接合手段によって取り付ける。
【００３０】この図３の構造のパッケージＡ３は、誘電
体基板１と第１誘電体層１４、第２誘電体層１５、導体
層１７、１８、垂直導体１６などを、周知のセラミック
積層技術を用いて一括して焼成して製造することができ
る点で有利である。
体基板１と第１誘電体層１４、第２誘電体層１５、導体
層１７、１８、垂直導体１６などを、周知のセラミック
積層技術を用いて一括して焼成して製造することができ
る点で有利である。
【００３１】図１、図２のパッケージにおいては、高周
波素子４は、誘電体基板１の表面に実装された構造であ
るが、その変形例として、図３のパッケージに示すよう
に、誘電体基板１と第１誘電体層１４によりキャビティ
３を形成して、グランド層７を第１誘電体層１４の表面
に形成して、さらにそのグランド層７の表面に高周波素
子４を実装することも可能である。
波素子４は、誘電体基板１の表面に実装された構造であ
るが、その変形例として、図３のパッケージに示すよう
に、誘電体基板１と第１誘電体層１４によりキャビティ
３を形成して、グランド層７を第１誘電体層１４の表面
に形成して、さらにそのグランド層７の表面に高周波素
子４を実装することも可能である。
【００３２】次に、図４は、さらに他の高周波用パッケ
ージＡ４を説明するためのもので、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）は接続する導波管Ｂ２
の開放端の斜視図、（ｄ）は（ａ）の高周波用パッケー
ジと導波管との接続構造を示す概略断面図である。図４
の高周波用パッケージＡ４によれば、誘電体基板１の底
面に形成されたグランド層７の表面にパッチ導体１０を
具備する第１誘電体層１４、さらにその下部の第２誘電
体層１５が誘電体基板１に対して一体的に形成されてい
る。この第１誘電体層１４および第２誘電体層１５に
は、図４（ｃ）に示すような形状に加工された開放端構
造を有する導波管Ｂ２の対向する長辺側（Ｈ面）の導体
壁１９、２０を挿入するための貫通孔２１が設けられて
いる。また、導波管Ｂ２の他の対向する短辺側の（Ｅ
面）の導体壁２２、２３と接触する部分には導体層２４
が被着形成される。そして、導波管Ｂ２と高周波用パッ
ケージＡ４のグランド層７を同電位にするために、導体
層２４とグランド層７とは、この第１誘電体層１４、第
２誘電体層１５を貫通する複数の垂直導体１６により電
気的に接続されている。
ージＡ４を説明するためのもので、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）は接続する導波管Ｂ２
の開放端の斜視図、（ｄ）は（ａ）の高周波用パッケー
ジと導波管との接続構造を示す概略断面図である。図４
の高周波用パッケージＡ４によれば、誘電体基板１の底
面に形成されたグランド層７の表面にパッチ導体１０を
具備する第１誘電体層１４、さらにその下部の第２誘電
体層１５が誘電体基板１に対して一体的に形成されてい
る。この第１誘電体層１４および第２誘電体層１５に
は、図４（ｃ）に示すような形状に加工された開放端構
造を有する導波管Ｂ２の対向する長辺側（Ｈ面）の導体
壁１９、２０を挿入するための貫通孔２１が設けられて
いる。また、導波管Ｂ２の他の対向する短辺側の（Ｅ
面）の導体壁２２、２３と接触する部分には導体層２４
が被着形成される。そして、導波管Ｂ２と高周波用パッ
ケージＡ４のグランド層７を同電位にするために、導体
層２４とグランド層７とは、この第１誘電体層１４、第
２誘電体層１５を貫通する複数の垂直導体１６により電
気的に接続されている。
【００３３】そして、第１誘電体層１４および第２誘電
体層１５における貫通孔２１と、垂直導体１６によって
囲まれる誘電体が第１誘電体部９、第２誘電体部１１と
して機能することになる。
体層１５における貫通孔２１と、垂直導体１６によって
囲まれる誘電体が第１誘電体部９、第２誘電体部１１と
して機能することになる。
【００３４】この高周波用パッケージＡ４に対しては、
導波管Ｂ２の導体壁１９、２０を第１誘電体層１４、第
２誘電体層１５に形成された貫通孔２１に挿入し、グラ
ンド層７に導体壁１９、２０の端部を当接するか、ロウ
付けにより接合することによって取り付ける。また、同
様に導波管Ｂ２の導体壁２２、２３を第２誘電体層１５
の表面の導体層２４に当接するか、ロウ付けにより接合
させる。
導波管Ｂ２の導体壁１９、２０を第１誘電体層１４、第
２誘電体層１５に形成された貫通孔２１に挿入し、グラ
ンド層７に導体壁１９、２０の端部を当接するか、ロウ
付けにより接合することによって取り付ける。また、同
様に導波管Ｂ２の導体壁２２、２３を第２誘電体層１５
の表面の導体層２４に当接するか、ロウ付けにより接合
させる。
【００３５】かかる高周波用パッケージＡ４において
も、誘電体基板１と、貫通孔２１、導体層２４、第１誘
電体層１４、第２誘電体層１５、垂直導体１６とを周知
のセラミック積層技術を用いて同時焼成することによ
り、一括して製造することができる点で有利である。
も、誘電体基板１と、貫通孔２１、導体層２４、第１誘
電体層１４、第２誘電体層１５、垂直導体１６とを周知
のセラミック積層技術を用いて同時焼成することによ
り、一括して製造することができる点で有利である。
【００３６】なお、図４のパッケージでは、導波管Ｂ２
の長辺側導体壁１９、２０をグランド層７に直接接続し
たが、短辺側導体壁２２、２３をグランド層７に直接接
続して、長辺側導体壁１９、２０を導体層およびビアホ
ール導体を介して接続してもよい。
の長辺側導体壁１９、２０をグランド層７に直接接続し
たが、短辺側導体壁２２、２３をグランド層７に直接接
続して、長辺側導体壁１９、２０を導体層およびビアホ
ール導体を介して接続してもよい。
【００３７】また、パッケージＡ４では第１誘電体層１
４、第２誘電体層１５における貫通孔２１を第２誘電体
層１５のみに形成し第１誘電体層１４には貫通孔部の箇
所に垂直導体（図示せず）を形成し、その垂直導体を介
してグランド層７と導波管Ｂ２の電気的接続を行なって
もよい。
４、第２誘電体層１５における貫通孔２１を第２誘電体
層１５のみに形成し第１誘電体層１４には貫通孔部の箇
所に垂直導体（図示せず）を形成し、その垂直導体を介
してグランド層７と導波管Ｂ２の電気的接続を行なって
もよい。
【００３８】さらには、図１乃至図４では半導体素子を
実装し気密封止したパッケージについて述べたが、半導
体素子を収納したパッケージを実装する回路基板、ある
いは半導体素子を直接実装する回路基板においても同様
のことがいえる。
実装し気密封止したパッケージについて述べたが、半導
体素子を収納したパッケージを実装する回路基板、ある
いは半導体素子を直接実装する回路基板においても同様
のことがいえる。
【００３９】上記図１乃至図４に示した本発明の高周波
パッケージＡ１乃至Ａ４においては、誘電体基板１、第
１誘電体部９、第２誘電体部１１、第１誘電体層１４、
第２誘電体層１５は、セラミックスまたは有機樹脂、あ
るいはそれらの複合体からなる構成することができる。
例えば、セラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4などのセラミック材料や、ガラス材料、あるいは
ガラスとＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯなどの無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミック材料により形
成でき、これらの原料粉末を用いて所定の基板形状に成
形した後、焼成することにより形成される。また、有機
樹脂としては、有機系材料からなるプリント基板やテフ
ロン基板によって形成することができる。
パッケージＡ１乃至Ａ４においては、誘電体基板１、第
１誘電体部９、第２誘電体部１１、第１誘電体層１４、
第２誘電体層１５は、セラミックスまたは有機樹脂、あ
るいはそれらの複合体からなる構成することができる。
例えば、セラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4などのセラミック材料や、ガラス材料、あるいは
ガラスとＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯなどの無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミック材料により形
成でき、これらの原料粉末を用いて所定の基板形状に成
形した後、焼成することにより形成される。また、有機
樹脂としては、有機系材料からなるプリント基板やテフ
ロン基板によって形成することができる。
【００４０】また、信号の伝達を担う各伝送線路および
グランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成す
ることができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜
選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成するこ
とができる。
グランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成す
ることができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜
選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成するこ
とができる。
【００４１】例えば、基板をＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3
Ｎ4などのセラミック材料により形成する場合には、タ
ングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼成
体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼成
すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材料
により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同様
にして８００〜１１００℃の温度で焼成することにより
作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料によ
り形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペースト
を塗布するか、金属箔を接着することにより線路やグラ
ンド層を形成することができる。
Ｎ4などのセラミック材料により形成する場合には、タ
ングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼成
体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼成
すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材料
により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同様
にして８００〜１１００℃の温度で焼成することにより
作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料によ
り形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペースト
を塗布するか、金属箔を接着することにより線路やグラ
ンド層を形成することができる。
【００４２】次に、上記本発明の高周波用パッケージと
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。その結果を図５に示した。図５の結果によれば、高
周波用パッケージと導波管とが７７ＧＨｚにおいて、Ｓ
２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２５ｄＢの
良好な伝送特性をもって接続されていることがわかる。
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。その結果を図５に示した。図５の結果によれば、高
周波用パッケージと導波管とが７７ＧＨｚにおいて、Ｓ
２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２５ｄＢの
良好な伝送特性をもって接続されていることがわかる。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、配
線基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号
の伝送にあたり、低損失、低反射で効率よく行うことが
可能であり、またパッケージ構造においても高周波素子
の気密封止をも確実に行うことができる。
線基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号
の伝送にあたり、低損失、低反射で効率よく行うことが
可能であり、またパッケージ構造においても高周波素子
の気密封止をも確実に行うことができる。
【図１】本発明の一実施態様である高周波用パッケージ
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体層の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造
を説明するための概略断面図である。
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体層の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造
を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施態様である高周波用パッケー
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体層の底
面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明する
ための概略断面図である。
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体層の底
面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明する
ための概略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
層の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説
明するための概略断面図である。
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
層の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説
明するための概略断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ４と導波管Ｂ２との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
層の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ２の開放端を説明す
るための斜視図、（ｄ）は高周波用パッケージＡ４と
（ｃ）の先端構造を有する導波管Ｂ２との接続構造を説
明するための概略断面図である。
ッケージＡ４と導波管Ｂ２との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
層の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ２の開放端を説明す
るための斜視図、（ｄ）は高周波用パッケージＡ４と
（ｃ）の先端構造を有する導波管Ｂ２との接続構造を説
明するための概略断面図である。
【図５】図１の高周波用パッケージＡ１と導波管Ｂ１と
の接続による伝送特性を示す図である。
の接続による伝送特性を示す図である。
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４ 高周波用パッケージ Ｂ１，Ｂ２ 導波管 Ｂ’ フランジ １ 誘電体基板 ２ 蓋体 ３ キャビティ ４ 高周波素子 ５ 信号伝送線路 ５ａ 終端 ６ スロット孔 ７ グランド層 ９ 第１誘電体部 １０ パッチ導体 １１ 第２誘電体部 １４ 第１誘電体層 １５ 第２誘電体層 １６ 垂直導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南上 英博 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板の一方の表面
に形成された信号伝送線路と、該信号伝送線路と導波管
とを接続するための接続部を具備する配線基板であっ
て、前記接続部が、前記誘電体基板の他方の表面に形成
され、前記信号伝送線路の終端と対峙する位置にスロッ
ト孔が形成されてなるグランド層と、該グランド層のス
ロット孔形成表面に形成された第１の誘電体部と、該第
１の誘電体部表面の前記スロット孔と対峙する位置に設
けられた信号励振用のパッチ導体と、該パッチ導体表面
に形成された第２の誘電体部とを具備することを特徴と
する配線基板。 - 【請求項２】前記第１の誘電体部および第２の誘電体部
の大きさが、接続される導波管の内径以下であることを
特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記第１誘電体部および前記第２誘電体部
の周囲に、前記グランド層と電気的に接続され且つ導波
管の導体壁と接続される金属枠体を取り付けてなること
を特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項４】前記誘電体基板の他方の表面に、第１の誘
電体層および第２の誘電体層が前記誘電体基板と一体的
に形成されており、前記第１の誘電体部が前記第１の誘
電体層内に、また前記第２の誘電体部が前記第２の誘電
体層内に設けられていることを特徴とする請求項１記載
の配線基板。 - 【請求項５】前記第１及び第２の誘電体層の前記パッチ
導体形成部を中心とする周囲に、前記導波管の導体壁と
前記グランド層を電気的に接続するための垂直導体が前
記第１及び第２の誘電体層を貫通して形成されてなり、
前記垂直導体によって囲まれた領域が第１の誘電体部お
よび第２の誘電体部を形成していることを特徴とする請
求項４記載の配線基板。 - 【請求項６】誘電体基板と、該誘電体基板の一方の表面
に形成された信号伝送線路と、該信号伝送線路と導波管
とを接続してなる配線基板と導波管との接続構造であっ
て、前記配線基板の接続部が、該誘電体基板の他方の表
面に形成され、前記信号伝送線路の終端と対峙する位置
にスロット孔が形成されてなるグランド層と、該グラン
ド層のスロット孔形成表面に形成された第１の誘電体部
と、該第１の誘電体部表面の前記スロット孔と対峙する
位置に設けられた信号励振用のパッチ導体と、該パッチ
導体表面に形成された第２の誘電体部とを具備すること
を特徴とする配線基板と導波管との接続構造。 - 【請求項７】前記配線基板における前記第１の誘電体部
および第２の誘電体部の大きさが、接続される導波管の
内径以下であることを特徴とする請求項６記載の配線基
板と導波管との接続構造。 - 【請求項８】前記第１誘電体部および前記第２誘電体部
の周囲に、前記グランド層と電気的に接続された金属枠
体が取り付けられ、該金属枠体と前記導波管のフランジ
とを接続固定してなることを特徴とする請求項６記載の
配線基板と導波管との接続構造。 - 【請求項９】前記配線基板における前記誘電体基板の他
方の表面に、第１の誘電体層および第２の誘電体層が前
記誘電体基板と一体的に形成されており、前記第１の誘
電体部が前記第１の誘電体層内に、また前記第２の誘電
体部が前記第２の誘電体層内に設けられていることを特
徴とする請求項６記載の配線基板と導波管との接続構
造。 - 【請求項１０】前記配線基板における前記第１及び第２
の誘電体層の前記パッチ導体形成部を中心とする周囲
に、前記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的に接
続するための垂直導体が前記第１及び第２の誘電体層を
貫通して形成されてなり、前記垂直導体によって囲まれ
た領域が第１の誘電体部および第２の誘電体部を形成し
ており、前記導波管の導体壁と前記垂直導体とが電気的
に接続されてなることを特徴とする請求項９記載の配線
基板と導波管との接続構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31997499A JP2001144512A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 配線基板およびその導波管との接続構造 |
| US09/709,098 US6870438B1 (en) | 1999-11-10 | 2000-11-10 | Multi-layered wiring board for slot coupling a transmission line to a waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31997499A JP2001144512A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 配線基板およびその導波管との接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144512A true JP2001144512A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18116344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31997499A Pending JP2001144512A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 配線基板およびその導波管との接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004112131A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Nec Corp | 平面回路−導波管接続構造 |
| WO2007091470A1 (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | 高周波モジュール |
| JP2013081009A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 高周波線路−導波管変換器 |
-
1999
- 1999-11-10 JP JP31997499A patent/JP2001144512A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004112131A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Nec Corp | 平面回路−導波管接続構造 |
| WO2007091470A1 (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | 高周波モジュール |
| US8040286B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
| JP2013081009A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 高周波線路−導波管変換器 |
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