JP3317801B2

JP3317801B2 - ２次元電圧検出装置

Info

Publication number: JP3317801B2
Application number: JP30094294A
Authority: JP
Inventors: 宏典高橋; 輝夫晝馬
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1994-01-12
Filing date: 1994-12-05
Publication date: 2002-08-26
Anticipated expiration: 2017-08-26
Also published as: US5585735A; JPH07244086A; EP0663596A2; EP0663596A3

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気光学材料を用いた
電圧検出技術に係り、２次元で電圧を検出する技術に関
する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学変調器を用いた非接触の２次元
電圧分布検出器がある。図１４はその構成例を示したも
のである。この装置の光学系は、被測定物（例えば、Ｉ
Ｃ，液晶パネルなど）２１０上の電極２１２近傍に配置
されたＥＯプローブ１２０にレンズ１３０を介して光源
１４０からの光を２次元的に照射し、ＥＯプローブ１２
０からの反射光をカメラ１６０で撮像する、という構成
になっている。ＥＯプローブ１２０の被測定物２１０側
の面には全反射鏡１２４が形成され、反対側の面にはグ
ランドに電気的に接続された透明電極（ＩＴＯ）１２３
が形成されている。これらの間に挾まれた電気光学材料
１２２は、電極２１２と透明電極（ＩＴＯ）１２３との
間に生じる電界Ｅによってその屈折率が変化し、電界Ｅ
の大きさによって電気光学材料１２２の各部の屈折率は
異なったものになる。

【０００３】光源１４０からの光はＥＯプローブ１２０
に入射する前は同じ円偏光状態であるが、出射後の偏光
状態は、電気光学材料１２２の各部の屈折率の違いによ
り異なったものになる。この偏光状態の相違は検光子１
５０を通過することにより強弱の違いとなって、カメラ
１６０で像として２次元で検出される。そして、この像
をコンピュータで画像処理した後にコンピュータ・スク
リーン１７６で被測定物２１０上の電極２１２に印加さ
れた電圧を２次元の画像として表示し、これを観測でき
るようになっている。

【０００４】図１５も電気光学変調器を用いた２次元電
圧分布検出器の構成例を示したものである。この装置の
光学系では、平行な光を出力する光源１４０が用いら
れ、この平行な光が偏ビームスプリッター１５２でＥＯ
プローブ１２０に照射されるようにして、ＥＯプローブ
１２０で反射した光の強弱がカメラ１６０で２次元で検
出されるようにしたものである。この構成でも、被測定
物２１０上の電極２１２に印加された電圧は、イメージ
ャー１７２及びイメージプロセッサ１７４でカメラ１６
０からの信号が画像処理された後に、コンピュータ・ス
クリーン１７６で２次元の画像として表示され観測し得
るようになっている。

【０００５】これらの装置は、例えば、液晶パネルの製
造工程中において、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や配線
の形成が終わった液晶パネルに電圧を印加して配線等の
欠陥を検査するのに用いられる。そして、ＥＯプローブ
１２０には、図１６に示すように、ガラス基板１２５に
電気光学材料１２２及び反射鏡１２４を形成した構造の
ものが用いられている。また、２次元で電圧分布の検出
がしやすくなるよう図１７に示すように、電極２１２と
の間で電界Ｅを形成するための電極１２６で隔てて柱状
の電気光学材料１２２を多数配置した構造のものが本件
出願人により考案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図１４，１５のような
２次元電圧分布検出器では、空間分解能が悪く、隣接す
る電極を区別しにくく、特に、より集積化されて電極幅
が狭くなったＩＣ内部の評価には適用できなかった。ま
た、大きな変調器を作製するのが難しく、かつ、たとえ
大きな変調器ができても、検出器の光学系が複雑である
ため、大面積を同時に計測することができなかった。

【０００７】そこで、本発明の目的は、空間分解能が高
い２次元電圧検出装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の２次元電圧検出装置は、電界によって屈折
率が変化する電気光学材料を有するＥＯプローブと、光
源と、光検出器と、光源からの光をＥＯプローブに２次
元的に与えるとともに、ＥＯプローブからの反射光を、
被測定物の所定の部分の電圧に応じてその２次元的な強
度が変化するようにして光検出器に導くための光学系と
を含んで構成された光検出手段とを備え、ＥＯプローブ
は、光源からの光を上記電気光学材料に２次元的に導く
光ファイバプレートを含んで構成され、電気光学材料
は、光ファイバプレートの面上、被測定物の側に配置さ
れている。

【０００９】上記電気光学材料は、光ファイバプレート
の面上一様に配置され、或いは、ファイバプレートのコ
アごとに配置されていることを特徴としても良い。或い
は、ファイバプレートのコアごとに配置され、その周囲
には電気的にグランドされた導電材料が形成されている
ことを特徴としても良い。

【００１０】

【作用】本発明では、被測定物の所定の部分の電圧に応
じてＥＯプローブの電気光学材料の屈折率が変化し、こ
の電気光学材料へ光が入射されると、ＥＯプローブから
の反射光の２次元的な強度変化として光検出器で検出さ
れ、被測定物の所定の部分の電圧が２次元的に測定され
るのである。

【００１１】ここで、光源からの光は光ファイバプレー
トの各コアを介して上記電気光学材料に２次元的に導か
れ、被測定物の側に配置された上記電気光学材料で反射
した光は、光ファイバプレートの各コアに戻り、各コア
から出た光がＥＯプローブからの反射光として検出され
る。即ち、光ファイバプレートの各コアに対応した部分
ごとに上記電気光学材料が配置され、等価的に各コアご
とに対応してＥＯプローブが形成されることになる。そ
のため、分解能が高く、光ファイバプレートの口径に応
じた広い面積で被測定物の電圧を２次元的に測定でき
る。

【００１２】

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
前述の従来例と同一または同等のものについてはその説
明を簡略化し若しくは省略するものとする。

【００１３】図１は、本発明の２次元電圧検出装置の構
成例を示したものである。この装置では、光学系に平行
な光を出力する光源１４０が用いられ、この平行な光が
ビームスプリッター１５２でＥＯプローブ３２０にレン
ズ１３０を介して照射される。さらに、ＥＯプローブ３
２０で反射した光はレンズ１３０，１５４を介して像と
して２次元光検出器１６０で２次元で検出されるように
なっている。この時、被測定物２１０上の電極２１２に
印加された電圧に応じて光強度が変化するため、イメー
ジャー及びイメージプロセッサを含む解析装置１７０で
２次元光検出器１６０からの信号が画像処理された後
に、コンピュータ・スクリーン１７６で２次元の画像と
して被測定物２１０上の電圧分布が表示され観測し得る
ようになっている。この点に付いては前述の従来例と同
様であるが、本発明では、ＥＯプローブ３２０にファイ
バープレート（１２６，１２８）が用いられ、かつ、フ
ァイバプレートの先端部のコア１２６中に電気光学材料
１２２が組み込まれた点に特徴がある。ＥＯプローブ３
２０は、クラッド１２８で隔てられた多数のコア１２６
の下部に電気光学材料１２２が埋め込められ、底面には
反射膜１２４が施されている、という構造になってい
る。ファイバープレートはファイバーオプティックプレ
ート（ＦＯＰ）とも呼ばれる。

【００１４】ここで、電気光学材料には、ＬｉＮｂ
Ｏ₃，ＧａＡｓ，ＺｎＴｅ，液晶などのように、電圧が
印加されるとその屈折率が変化し、入射光の偏光状態を
変化させるようなものを用いる。この場合には、その偏
光状態の変化を光強度変化に変換するために、ビームス
プリッター１５２として偏光ビームスプリッターを用い
たり、光検出器１６０の前に検光子を追加したりするの
が望ましい。或いは、光源１４０からの出射光を直線偏
光にするために光源１４０に偏光子を追加したりするの
が望ましい。また、光学バイアスを与えるために、光路
の途中に波長板を追加したりするのが望ましい。

【００１５】このＥＯプローブ３２０のようなファイバ
プレートを用いた光変調器は、例えば、次のようにして
作製することができる。まず、通常のファイバプレート
を、コアのみを選択的にエッチングするようなエッチン
グ液の中に、その底部のみを入れて、ファイバプレート
下部のコアを除去する。次に、電気光学材料を真空蒸着
やスパッタリング蒸着して、コアの中に形成する。ここ
で、電気光学材料の厚さは、ファイバプレート（ＦＯ
Ｐ）のコア径と同程度とそれ以下を基本とし、最大でも
コア径の数倍以内となる。おおよその目安として、１０
μｍ以下が適当である。また、液晶材料の場合には、ス
ピナーなどで液晶材料を塗布したり浸透圧を利用して吸
い上げたりする。最後に、例えばＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の
交互層で形成されるような反射膜を形成する。

【００１６】ファイバプレートは、光ファイバを多数本
束ねたものであり、プレートの下面（Ａ面）の像を、上
面（Ｂ面）に結像させることができる。即ち、ＥＯプロ
ーブ３２０内で光はコア１２６に閉じ込められて伝搬す
る。図２はこれを拡大して示したものである。

【００１７】まず、光源１４０からの入射光は、レンズ
１３０によってＦＯＰ３２０の上面に結像（集光）され
る。この時、各コアに入った光は、下方にむかって進
み、電気光学材料の中で変調され、ミラーで反射され、
戻ってくる。より詳しくは、図２に示すように、Ｂ面か
ら入射した光源１４０からの光はコア１２６中を伝搬
し、反射膜１２４で反射され戻ってくる。この時、電気
光学材料１２２は、電極２１２に印加された電圧によっ
て生じる電界によってその屈折率が変化し、上記光は、
電気光学材料１２２中を往復する間に、被測定デバイス
の被測定電圧に印加された電圧によって変調をうける。

【００１８】電気光学材料１２２は、ファイバプレート
のコア１２６の先端のみに配置され、各々空間的に分離
されている。また、電気光学材料１２２への入射光及び
反射光はともにコア１２６中を伝搬しており、これらの
光路も分離されている。そのため、各コア１２６を伝搬
する光は、そのコア１２６の先端の電気光学材料１２２
でのみ変調をうけ、ほかの電気光学材料１２２で変調さ
れた光と混ざるのが抑えられる。

【００１９】各電気光学材料１２２で変調された光によ
ってファイバプレート上面（Ｂ面）に像が形成され、こ
の像は、レンズ１３０，１５４よって２次元光検出器１
６０の検出面に結像される。こうして、各電気光学材料
１２２によって生じた光変調が２次元光検出器で検出さ
れ、被測定デバイスの２次元電圧分布を測定することが
できる。そして、各電気光学材料１２２で変調された光
が混ざるのが抑えられるため、隣接する電極からの影響
をなくすことができ、分解能の高い２次元の電圧検出を
行うことができる。

【００２０】前述の従来例（図１６）に示したようなガ
ラス基板に電気光学材料からなる薄膜を形成したもので
は、ガラス基板の表面および、材料との界面での反射が
生じた。また、基板通過時に光の散乱が生じる。こうし
た反射、散乱光は底面でのミラーによる反射光に対して
迷光となり、検出に悪影響を及ぼす。本実施例のＥＯプ
ローブ３２０では、各電気光学材料１２２への入射光及
び反射光はともに各電気光学材料１２２のコア１２６中
を伝搬し、光が混ざるのが抑えられるため、分解能の高
い２次元の電圧検出を行うことができる。

【００２１】前述の従来例（図１７）に示したような導
電性材料からなるスペーサーによって電気光学材料が互
いに隔てられているものでは（「昭６４−００９３７
０」）、多数本の電気光学材料を並べて加工する必要が
あるので、精度よく製作するのが困難である。また、同
様の理由で、個数を増したり、一本一本を微細にするこ
とが困難である。本実施例のＥＯプローブ３２０では、
前述した方法や後述する方法により各電気光学材料１２
２を微細に形成することができ、高い空間分解能を得る
ことができる。

【００２２】このように、本発明の２次元電圧検出装置
は、被測定電極２１２に印加された電圧によって生じる
電界によってその屈折率が変化する電気光学材料１２２
を用いて電圧を２次元的に測定するものであり、電気光
学材料１２２をファイバプレートのコアの部分に形成し
たことを特徴とするものであるので、本発明によれば、
高い空間分解能で大面積を計測することができる。

【００２３】ＥＯプローブ３２０は、前述した図３のよ
うな構造だけでなく、電気光学材料１２２の形成の仕方
によって、図４に示すような電気光学材料１２２が突出
した構造になっているもの、図５に示すような電気光学
材料１２２が凹んだ構造になっているものでもよい。ま
た、次の構造を採ることもできる。

【００２４】まず、図６のように、ＦＯＰ３２０の表面
（Ａ面の全面）に電気光学材料からなる薄膜１２２を形
成した構造にすることもできる。この構造においても、
レンズによって入射光をＦＯＰ３２０の上面（Ｂ面）に
結像させる。この時、各コア１２６に入った光は下方に
むかって進み、電気光学材料１２２の中で変調される。
そして、ミラーで反射された光のうち各コア１２６先端
で反射したものが戻ってくる。したがって、等価的に各
コア１２６の先端だけに電気光学材料１２２が形成され
ているのと同等になる。このようなことから、電気光学
材料１２２の厚さは、ＦＯＰ３２０のコア１２６の径と
同程度がそれ以下を基本とし、最大でもコア径の数倍以
内となる。おおよその目安として、１０μｍ以下が適当
である。

【００２５】次に、図７のように、ＦＯＰの底面コア部
分のみに電気光学材料を分離して形成した構造にするこ
ともできる。この構造は、「スパッタリングなどでＦＯ
Ｐ３２０の表面（Ａ面の全面）に電気光学材料からなる
薄膜１２２を形成した上記Ｅ−Ｏプローブを形成した
後、フォトマスクでパターニングして、クラッド１２８
部分の電気光学材料１２２をエッチング（ウエット法，
ドライ法）で除去する」という工程で製作しうる。或い
は他の製作方法として、「ＦＯＰ底面（Ａ面）にレジス
トを塗布した後、パターンニングしてコア１２６部分を
露出させ、真空蒸着若しくはスパッタ蒸着等により露出
したコア１２６部分のみに電気光学材料１２２を形成
し、レジストを取り除く」という工程でも図７の構造が
得られる。

【００２６】コア１２６から入射した光が電気光学材料
１２２を通過して検出されれば良いので、電気光学材料
１２２そのものから反射すればミラー１２４は、必ずし
も必要ではなく、あってもなくてもよい。この点に付い
ては前述の実施例及び以下に示す例でも同じである。

【００２７】また、機械的な強度を向上させるように、
図７のＥ−Ｏプローブの電気光学材料１２２の間隙を補
強材３２１で埋めた構造にすることもできる（図８）。
この構造の補強剤３２１としては、エポキシ系の接着剤
を用いることができる。また、上述の工程で、パターン
ニングして電気光学材料１２２のエッチング後、電気光
学材料１２２上にレジストを残し、この上にガラス材料
３２１等を真空蒸着で形成し、その後リフトオフしてレ
ジスト上のガラス材料３２１を除去して、埋まった補強
材３２１のみ残す、という方法でも図８の構造が得られ
る。

【００２８】また、図１の実施例の場合とは逆に、図１
８、１９に示すように、ＦＯＰの表面のクラッド１２８
を除去してコア１２６を露出させて、その上に電気光学
材料１２２を形成するようにしても良い。さらに、図２
０、２１に示すように、図８の実施例と同様に電気光学
材料の間隔を補強材３２１で埋めた構造にすることもで
きる。

【００２９】ここで図１８に示す構造は、例えば、次の
ようにして製作することができる。まず、ファイバープ
レート上に均一に電気光学材料を蒸着等で形成する。次
に、クラッドのみを選択的にエッチングするようなエッ
チング液の中に、その底部のみを入れて、ファイバープ
レート下部のクラッドを除去する。この際、クラッドは
電気光学材料に覆われているが、電気光学材料は薄いの
でエッチング液はクラッドにしみこんでいってエッチン
グされ、電気光学材料はクラッドが取れる際に一緒には
がれる。この工程は、半導体ＩＣの製造工程のリフトオ
フと呼ばれるものと同様のものである。

【００３０】図１９に示す構造は、例えば、次のように
して製作することができる。まず、図１８と同様にし
て、クラッドをエッチングする。この後、全面にレジス
トを塗布する。これを、パターンニングしてクラッド中
心部のみのレジストを残す。ここに、電気光学材料を真
空蒸着で形成し、その後リフトオフしてレジスト上の電
気光学材料を除去して図１９に示した形状を作る。図２
０，２１に示す補強材は図８と同様にして形成する。

【００３１】図１８，１９，２０，２１に示すような構
造とする場合は、電気光学材料の周囲にクラッドがない
ので、電界が効率的に材料に印加されるようになり検出
感度が向上する。また、隣接する被測定電極からの影響
を受けにくくなるため、空間分解能をさらに高くするこ
とができる。

【００３２】また、ＦＯＰと電気光学材料の界面には、
前述の従来例同様、背面電極１２３をつけ、この背面電
極１２３を接地してもよい。この点に付いては前述の実
施例及び以下に示す例でも同じである。図９（ａ）は、
図３のＥ−Ｏプローブを例に、電気光学材料１２２の周
囲（上面だけでなく、側面にも）に電極１２３を形成し
たものを示したものである。背面電極１２３を接地する
ことによって、背面電極１２３と被測定物２１０の電極
２１２との間に電界が形成されるので、各々の電気光学
材料１２２の電気的な分離をより高められ、解像度を向
上させうる。背面電極１２３は、電気光学材料１２２を
ファイバプレートのコア１２６として形成する前に、あ
らかじめ各クラッド１２６の内壁に金属膜などの導電性
物質を蒸着形成することによって形成しうる。

【００３３】背面電極を接地する場合には、図９（ｂ）
に示すように、ファイバープレートのクラッド１２８の
底面にも電極を設け、これらの電極をすべて接続したう
えで、外部に接地するという方法もある。

【００３４】さらに、ファイバプレートは、Ａ面とＢ面
の面積が等しいものだけでなく、加熱して引き延ばすこ
とによってＡ面又はＢ面の断面積を小さくするなどＡ面
又はＢ面の断面積が異なったものにすることが容易にで
き、Ａ面とＢ面の比は任意に設定することができる。Ｅ
−Ｏプローブ３２０を構成するＦＯＰとしては、図１０
のように、Ａ面をＢ面より小さくしＦＯＰを縮小型のテ
ーパ状ＦＯＰとした構造を持たせることができる。ま
た、逆に、図１１のように、Ｂ面をＡ面より小さくしＦ
ＯＰを拡大型テーパ状ＦＯＰとした構造を持たせること
ができる。どちらの場合も、前述したものと同様にして
電気光学材料１２２を形成することができる。また、反
射膜１２４を形成することもできる。これらのファイバ
プレートを用いたＥ−Ｏプローブ３２０を図１のものと
置き換えることによって、光源１４０、光検出器１６０
などを変更することなくそれぞれ、微小面積と大面積の
２次元電位分布を計測することができる。

【００３５】例えば、半導体ＩＣやＬＳＩの内部のよう
な集積度が高く各素子が微細になっている場合には、図
１０に示すようなＥ−Ｏプローブ３２０を使用する。こ
の場合、Ａ面とＢ面の面積比でＡ面を拡大した像がＢ面
に形成される。そして、被測定デバイス２１０に対向し
て置かれるＡ面は非常に小さく、かつ、各電気光学材料
１２２はクラッド１２８によって分離されているので、
Ｂ面の拡大した像からの出射光を利用して高い空間分解
能を容易に得ることができる。

【００３６】また、例えば大きな液晶パネルなどの被測
定デバイス２１０を広い面積で一度に測定しようとする
場合には、図１１に示すようなＥ−Ｏプローブ３２０を
使用する。この場合、Ａ面とＢ面の面積比でＡ面を縮小
した像がＢ面に形成される。各々の電気光学材料１２２
の大きさは、図１などの場合より大きくなるのでそれぞ
れの１画素も大きくなるが、被測定デバイスの各素子の
寸法も大きいので相対的な解像度には変化がなく、支障
はない。一般に、従来例に示したような光変調器では、
大面積で均一な電気光学材料を作ることは難しいことか
ら、大型のＥ−Ｏプローブを得るのが困難である。しか
し、本発明のようにファイバプレートを用いた光変調器
の場合には、上述した工程から明らかなように、電気光
学材料１２２はファイバのコア１２６内のみであり、作
製は容易である。

【００３７】さらに、光学系についても様々変形が可能
であり、図１ではレンズ１３０，１５４でＥ−Ｏプロー
ブ３２０のＢ面の像を検出器１６０に結像させている例
を示したが、例えば、従来例（図１４）に示したように
レンズ１枚による構成でもよい。

【００３８】図１２は、光路の一部をファイババンドル
３３０で置き換えた光学系について構成例を示したもの
である。ファイババンドル３３０は、多数本のファイバ
を束ねたものであり、容易に曲げることができる。した
がって、被測定デバイス２１０ａと被測定デバイス２１
０ｂを交互に測定しようとする場合には、光源１４０，
レンズ１３０，１５４，ビームスプリッタ１５２，光検
出器１６０を固定したままで、ファイババンドル３３０
を途中から曲げてその先端にとりつけられている光変調
器３２０のみを移動させることができる。

【００３９】図１３は、図１の２次元光検出器１６０に
代えて、複数本の光ファイバ３４０とそれに対応してと
りつけられている複数個の光検出器１６２で置き換えた
ものである。この場合、光検出器１６２には、ＰＩＮフ
ォトダイオードのような応答速度の速いものを用いるこ
とが可能であり、計測器１６３に高速のものを用いれ
ば、２次元の電圧分布の変化していく様子を検出するこ
とができる。

【００４０】また、電気光学材料１２２の屈折率が、ク
ラッド１２８の屈折率より高い場合は、電気光学材料１
２２でコア全体を構成してもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上の通り本発明によれば、光源からの
光は光ファイバプレートの各コアを介して上記電気光学
材料に２次元的に導かれ、被測定物の側に配置された上
記電気光学材料を遍還して反射した光は、光ファイバプ
レートの各コアに戻り、各コアから出た光がＥＯプロー
ブからの反射光として検出されるため、分解能が高く、
光ファイバプレートの口径に応じた広い面積で被測定物
の電圧を２次元的に測定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の構成図。

【図２】ＥＯプローブ３２０内で光がコア１２６に閉じ
込められて伝搬する様子を拡大して示した図。

【図３】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図４】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図５】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図６】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図７】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図８】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図９】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図１０】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図１１】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図１２】ファイババンドル３３０を用いた構成例を示
す図。

【図１３】ファイババンドル３３０を用いた構成例を示
す図。

【図１４】従来例の構成図。

【図１５】従来例の構成図。

【図１６】従来例のＥＯプローブの構成図。

【図１７】従来例のＥＯプローブの構成図。

【図１８】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図１９】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図２０】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【図２１】ＥＯプローブの構成例を示す図。

【符号の説明】

１３０，１５４…レンズ、１４０…光源、１５２…偏光
ビームスプリッタ、１６０…検出器、１２２…電気光学
材料、１２４…反射膜、１２６…コア、１２８…クラッ
ド、３２０…ＥＯプローブ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭64−9370（ＪＰ，Ａ) 特開平５−225933（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−18073（ＪＰ，Ａ) 特開平１−302173（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 15/24 G01R 19/00 G01R 31/28 - 31/302

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電界によって屈折率が変化する電気光学
材料を有するＥＯプローブと、光源と、光検出器と、前記光源からの光を前記ＥＯプロ
ーブに２次元的に与えるとともに、前記ＥＯプローブか
らの反射光を、被測定物の２次元的電圧分布に応じてそ
の２次元的な光強度が変化するようにして前記光検出器
に導くための光学系とを含んで構成された光検出手段と
を備え、前記ＥＯプローブは、前記光源からの光を前記電気光学
材料に２次元的に導く光ファイバプレートを含んで構成
され、前記電気光学材料は、前記光ファイバプレートの面上、
前記被測定物の側に配置されている２次元電圧検出装
置。
【請求項２】前記電気光学材料は、前記光ファイバプ
レートの面上一様に配置されていることを特徴とする請
求項１記載の２次元電圧検出装置。
【請求項３】前記電気光学材料は、前記光ファイバプ
レートのコアごとに配置されていることを特徴とする請
求項１記載の２次元電圧検出装置。
【請求項４】前記電気光学材料は、前記光ファイバプ
レートのコアごとに配置され、その周囲には電気的にグ
ランドされた導電材料が形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の２次元電圧検出装置。