JP3314568B2 - Apd測定回路の保護装置 - Google Patents
Apd測定回路の保護装置Info
- Publication number
- JP3314568B2 JP3314568B2 JP33858394A JP33858394A JP3314568B2 JP 3314568 B2 JP3314568 B2 JP 3314568B2 JP 33858394 A JP33858394 A JP 33858394A JP 33858394 A JP33858394 A JP 33858394A JP 3314568 B2 JP3314568 B2 JP 3314568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- apd
- circuit
- output
- reverse bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、APD(アバランシ
ェフォトダイオード、以下「APD」という。)測定回
路の保護装置に関し、特に、APDを用いた測定回路に
おいて、APDを異常状態から保護するために使用され
るAPD測定回路の保護装置に関するものである。
ェフォトダイオード、以下「APD」という。)測定回
路の保護装置に関し、特に、APDを用いた測定回路に
おいて、APDを異常状態から保護するために使用され
るAPD測定回路の保護装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術によるAPDを用いた測定回路
を図4により説明する。従来のAPD測定回路は、一端
を終端抵抗器3を介して接地したAPD1と、出力電圧
をAPD1の他端に接続した高電圧発生回路2などから
構成される。高電圧発生回路2には可変抵抗器10、抵
抗器11を介して回路電源が接続されており、この可変
抵抗器10を調節することで高電圧発生回路2の出力電
圧が可変な構成となっている。高電圧発生回路2の出力
電圧はAPD1に逆バイアスされている。そして、光入
力によるAPD1からの出力電流を終端抵抗器3を介し
て測定することで、光強度などを測定している。
を図4により説明する。従来のAPD測定回路は、一端
を終端抵抗器3を介して接地したAPD1と、出力電圧
をAPD1の他端に接続した高電圧発生回路2などから
構成される。高電圧発生回路2には可変抵抗器10、抵
抗器11を介して回路電源が接続されており、この可変
抵抗器10を調節することで高電圧発生回路2の出力電
圧が可変な構成となっている。高電圧発生回路2の出力
電圧はAPD1に逆バイアスされている。そして、光入
力によるAPD1からの出力電流を終端抵抗器3を介し
て測定することで、光強度などを測定している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のAPD
測定回路では、過大な強度の光入力があった場合、ある
いは高電圧発生回路からのAPDの定格を超える逆バイ
アス電圧がかかった場合などには、APDの出力電流が
過剰になり、このためAPDが破損するという問題があ
った。
測定回路では、過大な強度の光入力があった場合、ある
いは高電圧発生回路からのAPDの定格を超える逆バイ
アス電圧がかかった場合などには、APDの出力電流が
過剰になり、このためAPDが破損するという問題があ
った。
【0004】この発明は、容易かつ自動的にAPDの破
損を防ぐAPD測定回路の保護装置を提供することを目
的とする。
損を防ぐAPD測定回路の保護装置を提供することを目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、一端が終端抵抗器を介して接地された
APDを有し、APDからの出力電流を終端抵抗器を介
して測定するAPD測定回路において、APDに逆バイ
アス電圧を供給する電圧供給手段と、APDからの出力
電流が所定の値以上になったことを検出する第1の検出
手段と、第1の検出手段の検出出力により動作して上記
の逆バイアス電圧を下げる電圧調整手段とを備える。
め、この発明は、一端が終端抵抗器を介して接地された
APDを有し、APDからの出力電流を終端抵抗器を介
して測定するAPD測定回路において、APDに逆バイ
アス電圧を供給する電圧供給手段と、APDからの出力
電流が所定の値以上になったことを検出する第1の検出
手段と、第1の検出手段の検出出力により動作して上記
の逆バイアス電圧を下げる電圧調整手段とを備える。
【0006】電圧供給手段は、例えば、高電圧発生回路
と、高電圧発生回路からの出力電圧を可変とするための
調整電圧を供給する可変抵抗器と、可変抵抗器に第1の
基準スケール電圧を供給する第1の基準スケール電圧供
給回路とを備え、また、電圧調整手段は、例えば、第1
の検出手段の検出出力により動作するスイッチ手段と、
スイッチ手段の動作により可変抵抗器に第1の基準スケ
ール電圧より低い電圧である第2の基準スケール電圧を
供給する第2の基準スケール電圧供給回路とを備える。
と、高電圧発生回路からの出力電圧を可変とするための
調整電圧を供給する可変抵抗器と、可変抵抗器に第1の
基準スケール電圧を供給する第1の基準スケール電圧供
給回路とを備え、また、電圧調整手段は、例えば、第1
の検出手段の検出出力により動作するスイッチ手段と、
スイッチ手段の動作により可変抵抗器に第1の基準スケ
ール電圧より低い電圧である第2の基準スケール電圧を
供給する第2の基準スケール電圧供給回路とを備える。
【0007】または、電圧調整手段は、第1の検出手段
の検出出力により動作するスイッチ手段と、スイッチ手
段の動作により逆バイアス電圧を下げる電圧降下回路と
を有し、さらに電圧調整手段が、前記第1の検出手段の
検出出力により動作するスイッチ手段と、前記スイッチ
手段の動作により前記逆バイアス電圧を下げる電圧降下
回路とを有し、前記電圧供給手段が、高電圧発生回路
と、前記高電圧発生回路からの出力電圧を可変とするた
めの調整電圧を供給する可変抵抗器と、前記可変抵抗器
に基準スケール電圧を供給する基準スケール電圧供給回
路とを備える構成とすることもできる。
の検出出力により動作するスイッチ手段と、スイッチ手
段の動作により逆バイアス電圧を下げる電圧降下回路と
を有し、さらに電圧調整手段が、前記第1の検出手段の
検出出力により動作するスイッチ手段と、前記スイッチ
手段の動作により前記逆バイアス電圧を下げる電圧降下
回路とを有し、前記電圧供給手段が、高電圧発生回路
と、前記高電圧発生回路からの出力電圧を可変とするた
めの調整電圧を供給する可変抵抗器と、前記可変抵抗器
に基準スケール電圧を供給する基準スケール電圧供給回
路とを備える構成とすることもできる。
【0008】さらに、電圧供給手段からの逆バイアス電
圧が所定の値以下になったことを検知する第2の検出手
段をさらに有し、第2の検出手段の検出出力により電圧
調整手段が不作動となる構成としても良い。
圧が所定の値以下になったことを検知する第2の検出手
段をさらに有し、第2の検出手段の検出出力により電圧
調整手段が不作動となる構成としても良い。
【0009】
【作用】この発明のAPD測定回路の保護装置では、過
大な光入力やAPDそのものの異常などが原因でAPD
から定格を超える電流が出力された、つまりAPDから
の出力電流が所定の値以上になった場合には、第1の検
出手段の検出出力により電圧調整手段が動作してAPD
への逆バイアス電圧を速やかにかつ自動的に安全な低い
電圧まで低下させる。このため、APDの破損を自動的
に防止することができる。
大な光入力やAPDそのものの異常などが原因でAPD
から定格を超える電流が出力された、つまりAPDから
の出力電流が所定の値以上になった場合には、第1の検
出手段の検出出力により電圧調整手段が動作してAPD
への逆バイアス電圧を速やかにかつ自動的に安全な低い
電圧まで低下させる。このため、APDの破損を自動的
に防止することができる。
【0010】
【実施例】つぎに、この発明の第1の実施例について、
図1を参照して説明する。図1において、APD測定回
路の保護回路は、一端を終端抵抗器3を介して接地され
たAPD1と、出力電圧をAPD1の他端に接続した高
電圧発生回路2と、APD1の出力電圧が基準電圧4A
以上になったこと(APD1からの異常出力)を検出す
るための比較器4と、高電圧発生回路2からの出力が基
準電圧5A以下になったことを検出するための比較器5
と、比較器4の検出出力を記憶する(異常状態を記憶す
る)ためのフリップフロップ(以下、「FF」とい
う。)6と、可変抵抗器10の一端に通常時の基準スケ
ール電圧を供給する定電圧素子7と抵抗器11と、FF
6の出力で駆動されて後述するように基準スケール電圧
を切替えるスイッチ素子9と、スイッチ素子9により駆
動される発光ダイオード8および高電圧発生回路2から
の出力電圧を可変とする調整電圧を供給する可変抵抗器
10などから構成される。
図1を参照して説明する。図1において、APD測定回
路の保護回路は、一端を終端抵抗器3を介して接地され
たAPD1と、出力電圧をAPD1の他端に接続した高
電圧発生回路2と、APD1の出力電圧が基準電圧4A
以上になったこと(APD1からの異常出力)を検出す
るための比較器4と、高電圧発生回路2からの出力が基
準電圧5A以下になったことを検出するための比較器5
と、比較器4の検出出力を記憶する(異常状態を記憶す
る)ためのフリップフロップ(以下、「FF」とい
う。)6と、可変抵抗器10の一端に通常時の基準スケ
ール電圧を供給する定電圧素子7と抵抗器11と、FF
6の出力で駆動されて後述するように基準スケール電圧
を切替えるスイッチ素子9と、スイッチ素子9により駆
動される発光ダイオード8および高電圧発生回路2から
の出力電圧を可変とする調整電圧を供給する可変抵抗器
10などから構成される。
【0011】ここで、FF6は、本実施例では例えば図
3に示したような構成のものが用いられる。つまり、リ
セット回路部分も含めてトランジスタ31〜33と抵抗
器34〜38によって構成される。そして、例えば、セ
ット入力Sに供給される電圧が電源電圧+Vの1/2よ
り大きくなったときセット状態になるとともに、リセッ
ト入力Rに供給される電圧が電源電圧+Vより約0.7
V低くなったときにリセット状態になるように設定され
る。
3に示したような構成のものが用いられる。つまり、リ
セット回路部分も含めてトランジスタ31〜33と抵抗
器34〜38によって構成される。そして、例えば、セ
ット入力Sに供給される電圧が電源電圧+Vの1/2よ
り大きくなったときセット状態になるとともに、リセッ
ト入力Rに供給される電圧が電源電圧+Vより約0.7
V低くなったときにリセット状態になるように設定され
る。
【0012】また、発光ダイオード8は、APD1から
の出力電流が一定値以上、つまりAPD1の出力電圧が
基準電圧4A以上になったこと(異常状態にあること)
を示す表示手段を兼ねており、スイッチ素子9がオンの
間は点灯する。なお、本実施例では、スイッチ素子9に
はNPNトランジスタを用いた。
の出力電流が一定値以上、つまりAPD1の出力電圧が
基準電圧4A以上になったこと(異常状態にあること)
を示す表示手段を兼ねており、スイッチ素子9がオンの
間は点灯する。なお、本実施例では、スイッチ素子9に
はNPNトランジスタを用いた。
【0013】この第1の実施例のAPD測定回路の保護
回路では、電源電圧+Vと抵抗器11、並びに定電圧素
子7により、通常測定時の基準スケール電圧が可変抵抗
器10の一端へ供給される。また、可変抵抗器10から
の調整電圧は、可変抵抗器10により上記の基準スケー
ル電圧を適宜分圧することで変化する。そして、高電圧
発生回路2からAPD1への逆バイアス電圧は、可変抵
抗器10から高電圧発生回路2への調整電圧を適宜変化
させることで変化する。
回路では、電源電圧+Vと抵抗器11、並びに定電圧素
子7により、通常測定時の基準スケール電圧が可変抵抗
器10の一端へ供給される。また、可変抵抗器10から
の調整電圧は、可変抵抗器10により上記の基準スケー
ル電圧を適宜分圧することで変化する。そして、高電圧
発生回路2からAPD1への逆バイアス電圧は、可変抵
抗器10から高電圧発生回路2への調整電圧を適宜変化
させることで変化する。
【0014】ここで、本実施例においては例えば、通常
測定時の基準スケール電圧を12V、異常時の基準スケ
ール電圧を1.2Vと設定されるが、これらは基準スケ
ール電圧の供給方法、あるいはAPD1の必要とする逆
バイアス電圧などから任意に変更できることは勿論であ
る。ただし、異常時の基準スケール電圧は、高電圧発生
回路2の出力を確実に下げることができるような電圧に
設定することが必要である。
測定時の基準スケール電圧を12V、異常時の基準スケ
ール電圧を1.2Vと設定されるが、これらは基準スケ
ール電圧の供給方法、あるいはAPD1の必要とする逆
バイアス電圧などから任意に変更できることは勿論であ
る。ただし、異常時の基準スケール電圧は、高電圧発生
回路2の出力を確実に下げることができるような電圧に
設定することが必要である。
【0015】そして、APD1の出力電圧が基準電圧4
A以上になり、比較器4によってこの異常状態が検出さ
れた場合には、比較器4からFF6のセット入力Sに出
力がされ、この出力によってFF6がセットされて、異
常が起こったことが記憶される。また、FF6がセット
されたことによるFF6からのQ出力により、スイッチ
素子9がオンし、この結果、発光ダイオード8の順方向
電圧によって上記の異常時の基準スケール電圧が供給さ
れる。この発光ダイオード8による基準スケール電圧
は、定電圧素子7によるものよりも低い電圧であり、ま
た高電圧発生回路2に供給された場合において高電圧発
生回路2がAPD1の増倍率が1に近くなるような電圧
しか出力できないような電圧に設定されている。
A以上になり、比較器4によってこの異常状態が検出さ
れた場合には、比較器4からFF6のセット入力Sに出
力がされ、この出力によってFF6がセットされて、異
常が起こったことが記憶される。また、FF6がセット
されたことによるFF6からのQ出力により、スイッチ
素子9がオンし、この結果、発光ダイオード8の順方向
電圧によって上記の異常時の基準スケール電圧が供給さ
れる。この発光ダイオード8による基準スケール電圧
は、定電圧素子7によるものよりも低い電圧であり、ま
た高電圧発生回路2に供給された場合において高電圧発
生回路2がAPD1の増倍率が1に近くなるような電圧
しか出力できないような電圧に設定されている。
【0016】以上のように、第1の実施例では、高電圧
発生回路2の出力を下げたことにより、APDは保護さ
れる。そして、異常となった原因を取り除き、測定を再
開する場合には、FF6をリセットする必要がある。そ
のために、比較器4からの異常検出出力が無く、且つ、
高電圧発生回路2の出力を基準電圧5Aより小さくする
ことが必要となる。また、FF6をリセットした後は、
可変抵抗器10を動かしてAPD1に対する印加電圧を
上げていく。この過程において、印加電圧の上昇に対す
る終端抵抗器3の電圧変化を見ることで、APD異常発
生時におけるAPD1の特性異常の有無について知るこ
とも可能になる。
発生回路2の出力を下げたことにより、APDは保護さ
れる。そして、異常となった原因を取り除き、測定を再
開する場合には、FF6をリセットする必要がある。そ
のために、比較器4からの異常検出出力が無く、且つ、
高電圧発生回路2の出力を基準電圧5Aより小さくする
ことが必要となる。また、FF6をリセットした後は、
可変抵抗器10を動かしてAPD1に対する印加電圧を
上げていく。この過程において、印加電圧の上昇に対す
る終端抵抗器3の電圧変化を見ることで、APD異常発
生時におけるAPD1の特性異常の有無について知るこ
とも可能になる。
【0017】つまり、異常発生後は、過大入力光を取り
去る等して異常の原因を取り除いた後、比較器5の基準
電圧5Aの大きさに対応して高電圧発生回路2の入力電
圧を可変抵抗器10により下げることで、APDへの逆
バイアス電圧を安全な低い電圧状態まで戻し、その後に
復帰操作を行って通常の測定が可能な状態へ復帰させる
ようにしている。
去る等して異常の原因を取り除いた後、比較器5の基準
電圧5Aの大きさに対応して高電圧発生回路2の入力電
圧を可変抵抗器10により下げることで、APDへの逆
バイアス電圧を安全な低い電圧状態まで戻し、その後に
復帰操作を行って通常の測定が可能な状態へ復帰させる
ようにしている。
【0018】なお、本実施例においては、スイッチ素子
9のオンにより通電して発光する発光ダイオード8を設
けたことで異常を作業者等に通知することができるが、
このような通知が不要な場合には発光ダイオード8を省
略して抵抗器11を直接スイッチ素子9に接続する構成
としても良い。また、発光ダイオード8に代えて、例え
ば、ツェナーダイオードなどの定電圧素子、あるいは、
発光ダイオード8の電圧降下に相当する抵抗値を有する
抵抗器等を用いる構成とすることもできる。
9のオンにより通電して発光する発光ダイオード8を設
けたことで異常を作業者等に通知することができるが、
このような通知が不要な場合には発光ダイオード8を省
略して抵抗器11を直接スイッチ素子9に接続する構成
としても良い。また、発光ダイオード8に代えて、例え
ば、ツェナーダイオードなどの定電圧素子、あるいは、
発光ダイオード8の電圧降下に相当する抵抗値を有する
抵抗器等を用いる構成とすることもできる。
【0019】つぎに、第1の実施例の具体的な動作を説
明する。例えば、正常時の基準スケール電圧が12Vの
ときにおける高電圧発生回路2の出力電圧を200Vと
し、また終端抵抗器3を1kΩ、基準電圧4Aを2V、
基準電圧5Aを2Vとする。そして、APD1に対する
印加電圧が160Vのときに何らかの原因によりAPD
1の出力電流が2mAを超える事態が発生したとする。
すると、FF6は比較器4の異常検出出力を得て一瞬で
異常状態を記憶し、これによりスイッチ素子9がオンに
なって基準スケール電圧が正常時の電圧の1/10に下
がる。この結果、APD1に対する印加電圧が16Vに
低下し、また発光ダイオード8が点灯状態になる。
明する。例えば、正常時の基準スケール電圧が12Vの
ときにおける高電圧発生回路2の出力電圧を200Vと
し、また終端抵抗器3を1kΩ、基準電圧4Aを2V、
基準電圧5Aを2Vとする。そして、APD1に対する
印加電圧が160Vのときに何らかの原因によりAPD
1の出力電流が2mAを超える事態が発生したとする。
すると、FF6は比較器4の異常検出出力を得て一瞬で
異常状態を記憶し、これによりスイッチ素子9がオンに
なって基準スケール電圧が正常時の電圧の1/10に下
がる。この結果、APD1に対する印加電圧が16Vに
低下し、また発光ダイオード8が点灯状態になる。
【0020】一方、この異常状態を解除する場合には、
まず異常要因を取り除き、次に可変抵抗器10を動かし
てAPD1に対する印加電圧を2V未満に下げる。印加
電圧が2V未満になったとき、FF6はリセットされ、
スイッチ素子9がオフして発光ダイオード8が消灯す
る。また、高電圧発生回路2への基準スケール電圧が正
常時の電圧である12Vへ復帰する。なお、この状態で
は、可変抵抗器10が上記のように移動しているため、
APD1への印加電圧は160Vではなく20V未満と
なる。この印加電圧は、当然のことであるが、可変抵抗
器10の操作により適宜増減できる。
まず異常要因を取り除き、次に可変抵抗器10を動かし
てAPD1に対する印加電圧を2V未満に下げる。印加
電圧が2V未満になったとき、FF6はリセットされ、
スイッチ素子9がオフして発光ダイオード8が消灯す
る。また、高電圧発生回路2への基準スケール電圧が正
常時の電圧である12Vへ復帰する。なお、この状態で
は、可変抵抗器10が上記のように移動しているため、
APD1への印加電圧は160Vではなく20V未満と
なる。この印加電圧は、当然のことであるが、可変抵抗
器10の操作により適宜増減できる。
【0021】次に、この発明の第2の実施例を説明す
る。図2は第2の実施例のAPD1の保護回路の構成図
である。なお、図2で図1と同じ機能または性能である
構成要素は同じ番号を用いた。対応させて、図2により
説明する。
る。図2は第2の実施例のAPD1の保護回路の構成図
である。なお、図2で図1と同じ機能または性能である
構成要素は同じ番号を用いた。対応させて、図2により
説明する。
【0022】第2の実施例は、第1の実施例において、
発光ダイオード8とスイッチ素子9とを抵抗器11では
なくて高電圧発生回路2の出力側に接続した点が異なる
だけで、その他の点は第1の実施例と同じ構成である。
発光ダイオード8とスイッチ素子9とを抵抗器11では
なくて高電圧発生回路2の出力側に接続した点が異なる
だけで、その他の点は第1の実施例と同じ構成である。
【0023】この第2の実施例では、APD1の出力電
圧が基準電圧4A以上になって比較器4により異常状態
が検出された場合、比較器4からのセット入力Sへの出
力によってFF6がセットされ、異常が記憶される。そ
して、FF6からのQ出力によるスイッチ素子9のオン
によって、発光ダイオード8の順方向電圧降下によって
高電圧発生回路2からAPD1への逆バイアス電圧を安
全な低い電圧まで下がる。
圧が基準電圧4A以上になって比較器4により異常状態
が検出された場合、比較器4からのセット入力Sへの出
力によってFF6がセットされ、異常が記憶される。そ
して、FF6からのQ出力によるスイッチ素子9のオン
によって、発光ダイオード8の順方向電圧降下によって
高電圧発生回路2からAPD1への逆バイアス電圧を安
全な低い電圧まで下がる。
【0024】つまり、第2の実施例では、第1の実施例
のように基準スケール電圧を変更するのではなく、高電
圧発生回路2の出力を発光ダイオード8を介して直接下
げるように構成したものである。そして、この構成によ
れば、高電圧発生回路2からの逆バイアス電圧を直接操
作することから、極めて短時間でAPD1を保護するこ
とが可能となる。また、異常発生後の復帰動作は、第1
の実施例と同様であり、異常の原因を取り除いた後に比
較器5の基準電圧5Aの大きさに対応して高電圧発生回
路2の入力電圧を可変抵抗器10により下げる等の操作
を行なう。
のように基準スケール電圧を変更するのではなく、高電
圧発生回路2の出力を発光ダイオード8を介して直接下
げるように構成したものである。そして、この構成によ
れば、高電圧発生回路2からの逆バイアス電圧を直接操
作することから、極めて短時間でAPD1を保護するこ
とが可能となる。また、異常発生後の復帰動作は、第1
の実施例と同様であり、異常の原因を取り除いた後に比
較器5の基準電圧5Aの大きさに対応して高電圧発生回
路2の入力電圧を可変抵抗器10により下げる等の操作
を行なう。
【0025】また、第1の実施例と同様に、発光ダイオ
ード8による異常表示が必要ない場合には、発光ダイオ
ード8に代えて、定電圧素子や抵抗器等を用いる構成と
しても良い。
ード8による異常表示が必要ない場合には、発光ダイオ
ード8に代えて、定電圧素子や抵抗器等を用いる構成と
しても良い。
【0026】
【発明の効果】この発明によれば、APDからの異常出
力を検出した場合にAPDへの逆バイアス電圧を自動的
に安全な値まで低下させることができ、容易かつ自動的
にAPDの破損を防ぐことができる。
力を検出した場合にAPDへの逆バイアス電圧を自動的
に安全な値まで低下させることができ、容易かつ自動的
にAPDの破損を防ぐことができる。
【図1】この発明の第1の実施例によるAPD測定回路
の保護装置の構成を示す回路図である。
の保護装置の構成を示す回路図である。
【図2】この発明の第2の実施例によるAPD測定回路
の保護装置の構成を示す回路図である。
の保護装置の構成を示す回路図である。
【図3】この発明の実施例で用いるFFの構成を示す回
路図である。
路図である。
【図4】従来技術によるAPD測定回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
1 APD(アバランシェフォトダイオード) 2 高電圧発生回路 3 終端抵抗器 4 比較器 5 比較器 6 FF(フリップフロップ) 7 定電圧素子 8 発光ダイオード 9 スイッチ素子 10 可変抵抗器 11 抵抗器 31〜33 トランジスタ 34〜38 抵抗器
Claims (3)
- 【請求項1】 一端が終端抵抗器(3)を介して接地され
たアバランシェフォトダイオード(1)を有し、前記アバ
ランシェフォトダイオード(1)からの出力電流を前記終
端抵抗器(3)を介して測定するAPD測定回路におい
て、 前記アバランシェフォトダイオード(1)に逆バイアス電
圧を供給する電圧供給手段(2,7,10,11)と、 前記アバランシェフォトダイオード(1)からの出力電流
が所定の値以上になったことを検出する第1の検出手段
(4)と、 前記第1の検出手段(4)の検出出力により動作して前記
逆バイアスを下げる電圧調整手段(6,8,9)とを有し、 前記電圧供給手段(2,7,10,11)が、高電圧発生回路(2)
と、前記高電圧発生回路(2)からの出力電圧を可変とす
るための調整電圧を供給する可変抵抗器(10)と、前記可
変抵抗器(10)に第1の基準スケール電圧を供給する第1
の基準スケール電圧供給回路(7,11)とを有し、また、
前記電圧調整手段(6,8,9)が、前記第1の検出手段(4)の
検出出力により動作するスイッチ手段(6 ,9)と、前記ス
イッチ手段(6,9)の動作により前記可変抵抗器(10)に前
記第1の基準スケール電圧より低い電圧である第2の基
準スケール電圧を供給する第2の基準スケール電圧供給
回路(8)とを有してなることを特徴とするAPD測定回
路の保護装置。 - 【請求項2】 一端が終端抵抗器(3)を介して接地され
たアバランシェフォトダイオード(1)を有し、前記アバ
ランシェフォトダイオード(1)からの出力電流を前記終
端抵抗器(3)を介して測定するAPD測定回路におい
て、 前記アバランシェフォトダイオード(1)に逆バイアス電
圧を供給する電圧供給手段(2,7,10,11)と、 前記アバランシェフォトダイオード(1)からの出力電流
が所定の値以上になったことを検出する第1の検出手段
(4)と、 前記第1の検出手段(4)の検出出力により動作して前記
逆バイアス電圧を下げる電圧調整手段(6,8,9)とを有
し、 前記電圧調整手段(6,8,9)が、前記第1の検出手段(4)の
検出出力により動作するスイッチ手段(6,9)と、前記ス
イッチ手段(6,9)の動作により前記逆バイアス電 圧を下
げる電圧降下回路とを有し、 前記電圧供給手段(2,7,10,11)が、高電圧発生回路(2)
と、前記高電圧発生回路(2)からの出力電圧を可変とす
るための調整電圧を供給する可変抵抗器(10)と、前記可
変抵抗器(10)に基準スケール電圧を供給する基準スケー
ル電圧供給回路(7,11)とを有してなることを特徴とす
るAPD測定回路の保護装置。 - 【請求項3】 前記電圧供給手段(2,7,10,11)からの前
記逆バイアス電圧が所定の値以下になったことを検知す
る第2の検出手段(5)を更に有し、前記第2の検出手段
(5)の検出出力により前記電圧調整手段(6,8,9)が不作動
となることを特徴とする請求項1または2記載のAPD
測定回路の保護装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33858394A JP3314568B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Apd測定回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33858394A JP3314568B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Apd測定回路の保護装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08186924A JPH08186924A (ja) | 1996-07-16 |
JP3314568B2 true JP3314568B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=18319546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33858394A Expired - Fee Related JP3314568B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Apd測定回路の保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3314568B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4379328B2 (ja) | 2004-12-20 | 2009-12-09 | 住友電気工業株式会社 | 光受信器 |
CN106289516B (zh) * | 2016-08-29 | 2018-11-30 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种光模块接收光功率检测的控制方法及其装置 |
JP6954228B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2021-10-27 | 株式会社デンソー | 光検出器およびその制御方法 |
CN116191381A (zh) * | 2023-02-02 | 2023-05-30 | 武汉莱创德技术有限公司 | 一种对应瞬态大光保护apd的***及方法 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP33858394A patent/JP3314568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08186924A (ja) | 1996-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7449897B2 (en) | Current fault detection for light emitters | |
KR920000680B1 (ko) | 과부하 및 단락전류에 대한 집적회로 보호장치 | |
JPH0348674B2 (ja) | ||
US6556405B2 (en) | Programmable controller | |
GB1601999A (en) | Protection circuit for transistorised switch | |
US4013925A (en) | Overload protection circuit for voltage regulator | |
JP3314568B2 (ja) | Apd測定回路の保護装置 | |
JP2801404B2 (ja) | 供給電流をレギュレートするための装置 | |
KR20070056089A (ko) | 오류 검출용 미러 소자 구동 회로 | |
US3643151A (en) | Overcurrent proof constant voltage | |
US7075766B2 (en) | Fault detection in a LED bias circuit | |
JPH114531A (ja) | 電源保護回路及び電源制御方法 | |
JP4129124B2 (ja) | 車両用防眩ミラー装置 | |
US4837653A (en) | Quasi-power measurement circuit | |
JP2724564B2 (ja) | 過電圧警報装置 | |
US4090123A (en) | Regulated power supply crow-bar protection | |
US4929815A (en) | Heating resistor driving circuit which suppresses current spikes | |
EP0880213A1 (en) | Earth-leakage detection circuit | |
GB2138644A (en) | Power Transistor Protection | |
JP3625402B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路およびそれを備えた半導体レーザチップ検査装置並びに組立装置 | |
JP2587750Y2 (ja) | エンジン発電機用制御装置 | |
RU2083045C1 (ru) | Устройство искрозащиты | |
JP3094653B2 (ja) | 過電流防止回路 | |
JP2000152492A (ja) | 過電力保護回路 | |
KR20000055451A (ko) | 스위칭전원의 과전압 및 단락시 전원 보호 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |