JP3313432B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
キャリアが生成された不純物層を有する半導体装置及び
低温プロセスによって不純物層にキャリアを生成するこ
とを可能とする半導体装置の製造方法に関する。
化にともなって多結晶シリコン、ゲート電極、ソース、
ドレイン拡散層等と金属配線との接続を行うための接続
部の面積は非常に小さくなっている。この結果、配線の
コンタクト(接触)抵抗の増大が大きな問題となってい
る。
に、金属と半導体との仕事関数の差及び半導体中の電気
的に活性化した不純物濃度によって決定される。コンタ
クト抵抗を下げるには、仕事関数の差は小さい方が望ま
しく、また、半導体中の不純物濃度は高い方が望まし
い。このため、半導体中の電気的に活性化した不純物濃
度を高めるための方法として、半導体基板に不純物をイ
オン注入した後、結晶性を回復させるため高温で熱処理
を行って活性化不純物層を形成する方法が用いられてい
る。
半導体基板に不純物をイオン注入した後、不純物をドナ
ーあるいはアクセプタとして機能させるために高温熱処
理をする方法では、熱処理温度における固溶限度以上に
不純物の活性化濃度を高めることは出来なかった。この
ため、不純物層の抵抗やコンタクト抵抗の値を十分に下
げることが出来ない。また、高温熱処理を用いることに
より、不純物が内方拡散してしまうため、不純物濃度が
低下すると共に拡散層の接合が深くなるという問題点が
あった。
度が高く、また、浅い接合深さの不純物層を実現する半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
め、本発明の半導体装置は、少なくともボロンの一部を
12個のボロンからなる20面体構造のクラスタの形態
で含有し、キャリア濃度が4×1020cm−3以上で
ある不純物層をシリコン層内に有することを特徴とす
る。
は、シリコン層中にボロンを、加速電圧が20Kevの
場合1.3×1016cm−2、35Kevの場合1.
5×1016cm−2、60Kevの場合1.8×10
16cm−2の各点を通る直線以上の高ドーズ領域でイ
オン注入し、少なくともボロンの一部が12個のボロン
からなる20面体構造のクラスタの形態として含有する
ように不純物層を形成する工程と、前記不純物層に対し
て、発生した20面体のクラスタの少なくとも一部が残
存するよう、550℃から700℃の炉内雰囲気中で熱
処理を行う工程と、前記不純物層を用いて機能部分を形
成する工程とを備えたことを特徴とする。
る12個のボロンからなるクラスタを形成し、これをア
クセプタとして機能させて正孔を生成する。また、ボロ
ンからなるクラスタの形成方法として、ボロンを含むイ
オン注入、あるいはボロンを含んだ化合物の分解を用い
る。
低温のプロセスで正孔伝導型で、高いキャリア濃度を有
する不純物層を形成することができる。
1は、本発明による半導体装置の製造方法による素子の
製造工程の一例を示している。まず、図1(a)に示さ
れるように単結晶シリコン基板1に、CVD(Chemical
Vapor Deposition) 法で形成した400nmの二酸化シ
リコン膜2を堆積する。次に、図1(b)に示されるよ
うに接続孔をパターニングし、二酸化シリコン膜2に、
1μm×1μmのコンタクト孔3を開孔する。この二酸
化シリコン膜2をマスクとして単結晶シリコン基板1に
室温でボロンイオンB+を加速電圧35keV、ドーズ
量3×1016cm-2でイオン注入する。このイオン注入
により図1(c)に示されるように半導体基板1の開孔
部分に不純物拡散層4が形成される。この後、加熱炉、
乾燥窒素雰囲気中で、550℃で1時間の熱処理を行
う。加熱炉としては抵抗加熱炉を用いた。この後、弗
酸、酢酸、硝酸の混合溶液によって半導体基板表面を約
100nmエッチングし、図1(d)に示されるように
不純物拡散層4をその表面から約100nm掘り下げ
る。次に、図1(e)に示されるように、例えばスパッ
タ法によって、基板に厚さ800nmのアルミニウムを
堆積して金属膜による導電層5を形成する。この導電層
5をコンタクト孔3に合わせてパターニングして電極を
形成する。
ニウム電極と不純物拡散層間のコンタクト抵抗値を実測
すると、8×10-8Ωcm2 であった。この方法による
コンタクト抵抗の低減効果を調べるために、同一条件で
ボロンをイオン注入した後、従来の窒素雰囲気中熱処理
を行った場合(熱処理温度900℃、熱処理時間30
分、不純物拡散層4のエッチングなし)について、コン
タクト抵抗値を実測したところ、4×10-7Ωcm2 で
ある。よって、本実施例では、コンタクト抵抗が著しく
低下している。
導体基板表面のエッチングのみを行わなかった場合のコ
ンタクト抵抗は1×10-7Ωcm2 であり、エッチング
を行った場合よりは高抵抗であったものの、従来例と比
較すると、コンタクト抵抗は1/4に低下している。ま
た、異なる大きさのコンタクト孔を用いた測定でも、略
同じコンタクト抵抗値が得られる。
ン注入後、熱処理を行わず、混合溶液による半導体基板
表面のエッチングを行って不純物拡散層4の表面を掘り
下げてコンタクトを形成した場合には、コンタクト抵抗
値は8×10-8Ωcm2 であり、コンタクト抵抗値を著
しく低下できる。
よって形成したコンタクト部のキャリア濃度、すなわ
ち、活性化された不純物の深さ方向の濃度分布を調べる
と、図2に示したように実施例の条件では表面近傍にお
いて、6×1020cm-3という値が得られていることが
分かる。これに対し、従来例の900℃、30分での窒
素雰囲気中熱処理を行った場合では、コンタクト部のキ
ャリア濃度として1×1020cm-3程度の値しか得られ
ない。
ッチングの関係を調べるため、上記実施例で用いたのと
同じイオン注入条件、すなわち、単結晶シリコン基板に
ボロンを加速電圧35keV、ドーズ量3×1016cm
-2でイオン注入した後、熱処理を行う前と、窒素雰囲気
中550℃で種々の時間で熱処理を行ったときのキャリ
ア濃度分布を調べた。この結果を図3に示す。
時間に拘らず、約0.1〜0.15μmの深さの位置に
約6×1020cm-3の高いキャリア濃度が得られてい
る。また、表面付近では熱処理を行っていないときには
キャリア濃度が1×1019cm-3以下であるのに対し、
1時間の熱処理を行うと、2×1020cm-3のキャリア
濃度が得られる。
グをしない場合のいずれについても、コンタクト形成前
の不純物拡散層の表面キャリア濃度を2×1020cm-3
以上とすることによって、今後のより微細化された半導
体装置にとって必要な1×10-7Ωcm2 以下のコンタ
クト抵抗値を実現することが出来る。
を35keVで種々のドーズ量イオン注入した試料につ
いて、イオン注入直後と、窒素雰囲気中550℃で1時
間の熱処理を行ったときの、キャリア濃度分布の測定結
果から求めた最大キャリア濃度を示す。この結果、ドー
ズ量を1.5×1016cm-2以上とすることによって、
イオン注入直後と、窒素雰囲気中550℃で1時間の熱
処理を行ったときのいずれの場合についても、遷移領域
を挾んで高濃度側の2×1020cm-3以上のキャリア濃
度を有する領域が得られ、更に、最大キャリア濃度4×
1020cm-3も容易に実現できることが判る。
m-2にてボロンをイオン注入した場合のボロンのピーク
濃度は1.5×1021cm-3であり、最大キャリア濃度
2×1020cm-3以上を得るためには加速電圧に拘らず
イオン注入時のボロンピーク濃度として1.5×1021
cm-3以上が必要であると言える。また、このときボロ
ンの60%以上が、12個のボロンからなるクラスタと
なっていることが判明した。
の関係につき調べるべく、加速電圧35keV、20k
eV、60keVの場合について、イオン注入直後のシ
ート抵抗値を測定した。この結果を図5に縦軸をシート
抵抗値、横軸をボロンドーズ量として示す。この図よ
り、加速電圧35keV、ドーズ量1.5×1016cm
-2において得られた5×102 Ω/□と同程度のシート
抵抗値を得るために、加速電圧20keVではドーズ量
1.3×1016cm-2、60keVでは1.8×10c
m-2のドーズ量が必要であることが判る。ボロンの加速
電圧が増加すると注入されたボロンの深さ方向の広がり
が大きくなる。図6に示されるように加速電圧の増加に
伴って低抵抗層を得るために必要なドーズ量が増加する
という結果は、低抵抗層の形成が、イオン注入された全
ボロンのドーズ量ではなく、存在するボロン濃度に依存
していることを示している。加速電圧に特に制限はない
が例えば現在実用されている5〜100KeVを用いる
とが出来る。
を加速電圧35keV、ドーズ量3×1016cm-2でイ
オン注入した後、熱処理時間を1時間とし、種々の温度
により熱処理したときの不純物拡散層4の深さ方向にお
けるキャリア濃度分布を示す。不純物拡散層4の表面か
ら約0.1〜0.15μmの深さのキャリア濃度が、熱
処理温度の増加に伴い減少している。
ャリア濃度は600℃以下での熱処理を行うか、全く熱
処理しないときに得られる。従って、半導体基板最表面
のキャリアの高濃度化はこの条件での熱処理後に基板表
面を約100nmエッチングすることによって実現す
る。この結果、本実施例では、図1のコンタクト部に高
キャリア濃度層4が形成され、コンタクト抵抗値を8×
10-8Ωcm2 まで低下できた。
拡散層深さは伸びず、また、最大キャリア濃度も2×1
020cm-3以上となっており、コンタクトを低抵抗化す
る上で特に問題はない。一方、図7に示されるように,
熱処理温度が700℃以上の場合は、ボロンの内方拡散
及び不活性化によって、キャリア濃度が減少してしま
う。しかし、700℃でのキャリア濃度の値は、従来行
われていたような1×1016cm-2以下の低ドーズイオ
ン注入層を700℃でアニールしたものに比べて優れて
いる。
傍をアモルファス化して上記ボロンイオン注入を行った
場合には、上記実施例とは異なり、イオン注入直後の高
キャリア活性化、また、1×1016cm-2を境とする著
しい電気的挙動の変化はいずれも観察されない。このこ
とから、結晶質(単結晶、多結晶)の状態でイオン注入
することが高キャリア濃度層の低温形成に不可欠と考え
られる。
好ましくは600℃以下にすると、キャリア濃度が高く
かつ浅い拡散層が形成されるという顕著なる効果がもた
らされる原因について更に検討を行った。まず、ボロン
の状態を調べるために、加速電圧を35KeVに固定
し、単結晶シリコン基板にボロンをドーズ量3×1016
cm-2、5×1016cm-2及び1×1017cm-2でイオ
ン注入し、このときの赤外吸収スペクトルを夫々測定し
た。
図では、各ドーズ量における3つの吸収度特性曲線を波
数900cm-1及び740cm-1付近で揃えて表示して
いる。これより、ボロンドーズ量の増加に従って、特定
の波数(680、800、930cm-1付近)において
吸収度が高くなることが判る。これ等の波数における吸
収は、20面体構造を有する12個のボロンからなるク
ラスタに対応している。これより、注入されたボロンの
一部が12個のボロンからなる20面体構造のクラスタ
となっていることが判る。
面体構造のクラスタが存在する構造としては、模式的に
図9に示した形態が考えられる。すなわち、単結晶シリ
コンの格子から、正四面体構造を形成する5個のシリコ
ン原子を取り除き、そこに、20面体構造のクラスタを
置換する。この場合、5個のシリコン原子と20面体構
造のボロンクラスタの大きさは、10%も異ならない。
12個のボロンからなる20面体構造のクラスタは不対
電子対を12個持つのに対し、5個の原子を取除いた単
結晶シリコン格子も不対電子を12個持ち、未結合手の
ない置換が可能である。
イオンの注入においては、シリコン基板を水冷すること
によって基板温度を室温から80℃の間に保って行っ
た。そこで、基板温度の影響を調べるために、基板を液
体窒素で冷却してボロンイオン注入を行った。その結
果、ボロンからなるクラスタの存在を示す赤外吸収特性
は得られなかった。この理由は、基板を冷却した場合は
イオン注入層がアモルファス化することに起因すると考
えられる。
純物注入を行った熱処理前の半導体基板について、ボロ
ン及びキャリアの基板表面から深さ方向の濃度を測定し
た。これを図10に示す。このような、キャリア濃度測
定を種々のドーズ量の試料について行うことにより、キ
ャリア濃度とボロンドーズ量の関係を求めた結果、図1
1に示す特性曲線が得られた。この結果から、ボロンド
ーズ量を1×1016cm-2とすることにより、正孔伝導
型で、高いキャリア濃度が得られること、及び得られる
キャリア濃度はボロンドーズ量の略1/6となっている
ことが判る。
面体構造を有する12個のボロンからなるクラスタの存
在に起因した吸収の強度を、シートキャリア濃度に対し
て調べたところ、図12に示したように、赤外吸収の強
度とシートキャリア濃度とは略比例関係にある。これ
は、12個のボロンからなるクラスタがアクセプタとし
て機能することを示している。
るクラスタが、2価のアクセプタとして働くと考えると
合理的に説明できる。ちなみに、D.W.Bullet,AIP Conf.
Proc.,170,22(1991),The electric origin of disorder
in boron and boron-rich borides によれば、12個
のボロンからなる20面体構造のクラスタは2価のイオ
ンになることが示されており、上記した不純物層中に1
2個のボロンからなる20面体構造のクラスタが生成
し、2価のアクセプタとして機能するとの仮定が支持さ
れる。
べるために、35KeV、ドーズ量1×1017cm-2で
基板にボロンイオン注入を行い、熱処理を行わないも
の、乾燥窒素雰囲気中で550℃、700℃及び900
℃の熱処理を行ったものについて、キャリアの深さ方向
の濃度を測定した。この結果、図13に示すキャリア濃
度特性曲線を得た。熱処理温度が高くなると、キャリア
濃度は減少している。この熱処理温度の増大に伴うキャ
リア濃度の減少は、12個のボロンからなるクラスタ
が、2価のアクセプタとして働かなくなることによると
考えられる。12個のボロンからなる20面体構造のク
ラスタは、シリコンと化合すると、12のボロンの内2
個がシリコンと置き代ったB10Si2 なる化合物の構造
をとる。この化合物は電気的に中性を示し、アクセプタ
として機能しない。従って、12個のボロンからなる2
0面体構造のクラスタを減らさないようにするために
は、ドーピングを行った後の熱処理工程を、例えば、シ
リコンとの間での構造変化が進行する700℃よりも高
くしないことが重要である。なお、12個のボロンのう
ちの1個がシリコンと置き替わったB11Siは1価のア
クセプタとして機能するので、このB11Siが残るよう
な熱処理条件であれば、キャリアの高濃度化には有効で
ある。
る20面体構造のクラスタとの関係について検討する。
単結晶シリコン基板上の300nmの熱酸化膜上に、L
P(低圧)CVD法で400nmの多結晶シリコン膜を
形成し、この膜中にボロンを加速電圧35KeV、ドー
ズ量1×1017cm-2でイオン注入した。このときの、
ボロンの状態も、12個のボロンからなる20面体構造
のクラスタを含むことを確認した。そこで、ボロンドー
ズ量とシートキャリア抵抗との関係を調べたところ、図
14に示す結果が得られた。
晶膜の場合である図11の特性とを比較すると、多結晶
膜の場合には、同じドーズ量で得られるキャリア濃度は
より低いことが判る。これは、12個のボロンからなる
20面体構造のクラスタはアクセプタとして正孔を有し
ているものの、多結晶シリコン中の結晶粒界の存在によ
って生成されたキャリアが電気的に不活性化されるため
と考えられる。
なる20面体構造のクラスタを生成することができると
いうことを利用して、低抵抗ポリシリコン配線の低温形
成を行うことができる。例えば、第2の実施例である図
15に示すように、単結晶シリコン21の表面に二酸化
シリコン膜22及び拡散層23が形成されている半導体
装置(図15(a))の表面に意図的に不純物を入れな
いノンドープ(高抵抗)多結晶シリコン膜24を200
nm堆積する(同図(b))。この上に、フォトレジス
ト25を塗布し、低抵抗化したい領域だけが露出するよ
うにパターニングする(同図(c))。この基板に、ボ
ロンを加速電圧35KeV、ドーズ量1×1017cm-2
でイオン注入する。この結果、ボロンのイオン注入され
た領域26のみが高濃度にボロンを含有する低抵抗多結
晶シリコン膜となる。また、プロセス中での最高温度が
多結晶シリコンの堆積温度を越えないような低温プロセ
スで多結晶シリコン配線が可能となる。なお、多結晶シ
リコンの比抵抗は、ボロンイオン注入の行われた領域と
行われていない領域で夫々10-1Ωcm、105 Ωcm
であり、比抵抗の値は大きく異なる。従って、ボロンイ
オン注入後のイオン注入されていない領域の剥離は、素
子構造等により、行っても行わなくても良い。同図
(e)には、低抵抗多結晶シリコン膜26のみが残るよ
うにパターニングしたときの例を示している。
からなる20面体構造のクラスタを生成する場合につい
て説明する。基板表面の自然酸化膜等を十分に剥離し
た、シリコン基板上に、ジシラン、ジボランの混合ガス
を原材料として、LPCVD法により、ボロンを含有し
たシリコン薄膜を堆積する。このときの堆積条件は、ジ
シランの流量を100SCCM、ジボランの流量は20SCCM
とし、圧力は100mTorr、温度は570℃とした。
度とキャリア濃度との関係を示している。同図に実線で
示すようにボロン濃度が低いときにはキャリア濃度とボ
ロン濃度が一致しているが、ボロン濃度が高くなると、
キャリア濃度はボロン濃度よりも低くなり、ボロン濃度
の約1/6となっている。この結果は、上述した例と同
様に、ボロンが12個からなるクラスタを形成し、2価
のアクセプタとして働いていると考えると説明できる。
この場合も、赤外吸収を調べてみると、12個のボロン
からなるクラスタの存在が確認された。
ボロン濃度とキャリア濃度との関係は、図16に点線で
示すような結果が得られた。堆積温度を570℃にした
場合に比較して、ボロン濃度が高い領域でキャリア濃度
が極めて低くなっている。このような違いは、堆積温度
が高いとジボランが容易に分解され、12個のボロンか
らなるクラスタが形成されるのに対し、堆積温度が低く
なると、気相中でジボランが分解されず、又、基板表面
での原子の移動も起こりにくくなるため、ボロンのクラ
スタが形成されなくなったと考えられる。
おいては、イオン注入の不純物種としてボロンを用いた
が、ボロンを含有する他のイオン種、例えばBF+ 、B
F2 + 等を用いた場合でも、同様の効果を得ることがで
きた。
積した後にイオン注入及び熱処理を行ったが、その順序
は逆でも良い。また、シリコン表面のエッチングにドラ
イエッチング等他のエッチング方法を用いても良い。二
酸化シリコン膜は、窒化シリコン膜等、他の薄膜でも良
い。
らず、銅、タングステン、チタン等、他の金属は勿論の
こと、導電性を有する化合物でも良い。特に、シリコン
を含むシリサイド等の化合物を電極もしくは電極の下地
として用いる場合には、化合物形成時のシリコンとの反
応によって界面を不純物が活性化した領域内に位置させ
ることにより、半導体基板表面のエッチングに替えるこ
ともできる。例えば、ボロンイオン注入後、Niをスパ
ッターし、550℃で熱処理して基板Siと合金化し、
Niシリサイド層を形成すればよい。また、本発明は、
半導体/半導体等のコンタクトについても適用できる。
い高濃度の活性化不純物層形成法を、半導体製造装置に
おける拡散層の形成に対して応用できるのは勿論であ
る。
LDD(Lightly Doped Drain) 構造のMOSトランジス
タの製造工程に適用した例を示している。図17におい
て図1と対応する部分には同一符号を付している。
方位(100)、比抵抗4〜6Ωcmのn型シリコン基
板1を用い、通常の選択酸化法によって0.6μm程度
の素子分離絶縁膜2aを形成する。次いで、熱酸化法に
よって10nmのゲート酸化膜11を形成する。この上
にゲートとして100nmの不純物ドープ多結晶シリコ
ン膜12、配線層として300nmのタングステンシリ
サイド膜13を順次形成する。更に、その表面にLPC
VD法によって150nmのシリコン酸化膜14を形成
する。この後、これらの積層膜を反応性イオンエッチン
グ法によりエッチングして、ゲート電極をパターニング
する。
てボロンイオンをイオン注入して、ソース、ドレイン領
域に低濃度p型不純物層15を形成する。イオン注入条
件は、例えば、加速電圧10keV、ドーズ量5×10
13cm-2とする。イオン注入後の熱処理は、700℃、
30分とする。
ト電極側壁に厚み100nm程度のシリコン酸化膜16
を形成する。この側壁酸化膜16は、全面に150nm
のシリコン酸化膜をCVD法により堆積した後、異方性
ドライエッチングにより全面エッチングすることにより
得られる。
板が露出しているソース、ドレイン領域のp型不純物層
15に、ボロンイオンを注入し、高濃度拡散層4を形成
した。イオン注入条件は、例えば加速電圧35keV、
ドーズ量2×1016cm-2とする。イオン注入後の熱処
理は行っていない。
膜17をCVD法により堆積する。更に、図17(c)
に示すように、シリコン酸化膜17中にコンタクト孔3
を異方性ドライエッチングにより開口する。開孔により
露出したシリコン表面をドライエッチングにより100
nmエッチングした後、例えばシリコン、銅を夫々0.
5%ずつ含有するアルミニウム5を800nm堆積した
(図8(c)はこの工程まで示している)。このアルミ
ニウム膜5を電極として用いるようにパターニングンし
た後、450℃で15分、水素を10%含む窒素雰囲気
中で熱処理した。
の実施例のようにウエットエッチングによって行っても
良い。
ルのOFF抵抗とコンタクト抵抗を測定したところ、チ
ャネル長0.8μm、チャネル幅1.1μm、コンタク
ト径0.8μm(一辺)の素子について、夫々2000
Ω、2Ωである。
ドレイン領域15へのボロンイオン注入を、例えば、通
常行われている加速電圧35keV、ドーズ量5×10
15cm-2とし、また、イオン注入後の熱処理は、850
℃、30分とした場合には、同一サイズの素子につい
て、チャネルのOFF抵抗とコンタクト抵抗は夫々20
00Ω、30Ωとなった。このように、本発明により、
半導体素子におけるコンタクト抵抗値を大幅に減少する
ことが出来る。このチャネルのOFF抵抗とコンタクト
抵抗の差は、素子サイズが縮小されるに従い少なくな
る。近似的には、素子サイズが1/kに縮小されるとチ
ャネルのOFF抵抗は変化しないのに対し、コンタクト
抵抗はk2 倍になる。従って、本実施例で示した素子よ
りも微細な素子については、本方法によるコンタクト抵
抗値の低減は一層有効な方法となる。また、本発明のプ
ロセスは低温度プロセスであるので、いわゆる多層配線
基板にも好適である。
に直接高濃度不純物層を形成しているが、単結晶シリコ
ン基板上にCVD法等によって更に単結晶シリコン層を
形成し、これを新たな基板とするような場合にも本発明
を適用することが出来る。
度の高い接合が要求される箇所に本発明を種々適用する
ことができる。
は、12個のボロンからなる20面体構造のクラスタの
形態で含有する不純物層を有するので、浅く、活性度の
高い拡散層を形成することが可能となる。また、本発明
の半導体装置の製造方法は、半導体基板の不純物層に高
濃度ドーピングを行い、不純物層に12個のボロンから
なる20面体構造のクラスタを生成する工程を有し、こ
のクラスタが後の工程で残るようにするので、浅く、活
性度の高い拡散層を形成することが可能となる。特に、
次世代LSIの性能を大幅に引き出すことが可能にな
る。
を示すグラフ。
の時間で熱処理を行ったときのキャリアプロファイルを
示すグラフ。
て、イオン注入直後と、窒素雰囲気中550℃で1時間
の熱処理を行ったときの、キャリア濃度の測定結果から
求めた最大キャリア濃度を示すグラフ。
ズ量とシート抵抗値の関係を示すグラフ。
度の深さ方向の分布を示すグラフ。
面体構造のクラスタが存在する場合の結晶構造を示す模
式図。
方向の濃度を示すグラフ。
を示すグラフ。
因した吸収の強度及びシートキャリア濃度の関係を示す
グラフ。
1時間の熱処理を行った場合の深さ方向のキャリア濃度
を示すグラフ。
濃度との関係を示すグラフ。
成に適用した例を示す工程図。
膜中のボロン濃度との関係を示すグラフ。
製造に適用した例の製造工程を示す図。
基板
Claims (7)
- 【請求項1】少なくともボロンの一部を12個のボロン
からなる20面体構造のクラスタの形態で含有し、キャ
リア濃度が4×1020cm−3以上である不純物層を
シリコン層内に有する半導体装置。 - 【請求項2】前記シリコン層がシリコン基板であること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】前記シリコン層がシリコン基板上に形成さ
れた多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項1
に記載の半導体装置。 - 【請求項4】シリコン層中にボロンを、加速電圧が20
Kevの場合1.3×1016cm−2、35Kevの
場合1.5×1016cm−2、60Kevの場合1.
8×1016cm−2の各点を通る直線以上の高ドーズ
領域でイオン注入し、少なくともボロンの一部が12個
のボロンからなる20面体構造のクラスタの形態として
含有するように不純物層を形成する工程と、 前記不純物層に対して、発生した20面体のクラスタの
少なくとも一部が残存するよう、550℃から700℃
の炉内雰囲気中で熱処理を行う工程と、 前記不純物層を用いて機能部分を形成する工程とを備え
た半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】前記シリコン層がシリコン基板であり、前
記機能部分は前記シリコン基板表面部に形成された拡散
層であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項6】イオン注入後、前記シリコン基板表面をエ
ッチングして所望の導電層を形成することを特徴とする
請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】前記シリコン層が多結晶シリコン層であ
り、前記機能部が前記多結晶シリコン層上に形成された
配線層であることを特徴とする請求項4に記載の半導体
装置の製造方法。
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