JP3307980B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3307980B2 JP3307980B2 JP09519492A JP9519492A JP3307980B2 JP 3307980 B2 JP3307980 B2 JP 3307980B2 JP 09519492 A JP09519492 A JP 09519492A JP 9519492 A JP9519492 A JP 9519492A JP 3307980 B2 JP3307980 B2 JP 3307980B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply
- resist liquid
- resist
- state
- supplying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Nozzles (AREA)
Description
ものであり、特に半導体製造業,液晶基板製造業,磁気
ディスク製造業,多層配線基板製造業,光学部品製造業
をはじめ化学薬品製造業における液体供給技術に利用し
て有効である。
度制御しながら安定して、定量供給する液体供給装置に
適用される。
業,磁気ディスク製造業等の製造プロセスでは、純水,
酸,アルカリ,有機溶剤,液晶,ホトレジスト等の液体
を用いた化学プロセスが多用されている。
これらの薬液処理プロセスにより製造される要求加工寸
法が0.5μmから、0.3μmへと微細化され、薬液中の
気泡,異物等の不純物混入による形状不良が多発し、気
泡、異物等の液中不純物を除去し、クリーンな状態で薬
液供給する技術が要求されている。
例にあるように、ホトレジスト滴下時に、滴下ノズル内
にホトレジスト液を引き込む動作(以下サックバックと
称す)が変動すると、液垂れや、滴下ノズル先端部に付
着物が生成される。この付着物が、滴下したホトレジス
ト液中に混入し、異物および塗布ムラ発生の原因とな
る。ホトレジスト液の供給速度が変動すると、ホトレジ
スト液中に気泡を発生させたり、半導体ウェハ上にホト
レジスト液を滴下した際に、気泡を巻き込み塗布膜厚精
度低下、異物発生の原因となる。
術として種々の液体供給装置が提案されている。
避ける手段として、フィルタ,ポンプ,制御弁を一体化
し、液体供給系内の液溜りを防止し、フィルタにより異
物を除去する方法が特表昭64−500135号公報に
より公知である。
動による液垂れ防止と、供給量変動防止手段としては、
滴下ノズル内のサックバック量を光学的に計測し、制御
する方法が特開昭64−21924号公報と、サックバ
ック弁に作用する駆動圧力値を制御して、サックバック
弁動作速度を制御する。これにより、ゆっくりした速度
で、滴下ノズル内にサックバックして液垂れ防止を行な
う方法が実開平2−81630号公報で公知である。
の変動を防止する手段として、液体容器内の液体に作用
する加圧力と負圧力を切り替えて制御し、液体供給弁の
開閉タイミングを独立に制御する方法が、特開昭63−
76327号公報に開示されている。
期的にはそれなりの効果があるが、長期的には完全では
なく、供給液中の気泡、異物等の不純物を完全に除去
し、高純度な状態で供給速度およびサックバック速度を
精密に制御しながら、精度良く定量供給し、滴下ノズル
からの液垂れ防止を図ることができないことが、本発明
者によって明らかにされた。すなわち、特表昭64−5
00135号記載の液体供給手段では、液体をダイヤフ
ラム膜で負圧吸引し、加圧圧送する。この負圧吸引する
際に、吸引液中に気泡が発生しフィルタ膜にトラップさ
れる。
アベント部から完全に除去できなく、フィルタ膜にトラ
ップされた気泡量に応じ、フィルタろ過面積が減少し、
フィルタ圧損が高くなることが本発明者により明らかに
された。
フィルタ膜に作用する液圧が高くなり、ゲル状異物がフ
ィルタ膜を透過し、フィルタ膜による異物除去効率が悪
くなることが明らかになった。
プ圧力を定圧制御しても液供給速度が変動し、液を定量
定速供給できなくなる問題が発生することが明らかにな
った。さらに、本発明者が液供給速度に関するミクロな
解析を行なった結果、液体供給装置に構成された液体供
給開閉弁の開閉速度が変動すると、液体供給速度が変動
する問題が明らかになった。
報に共通する問題である。この特開昭63−76327
号公報では、別の問題として液体収納容器内の液体に、
直接、ガス加圧を作用させるため、液中にガスが溶け込
み、液供給過程で溶け込んだガスが発泡し、気泡混入の
原因にもなる。
ク時に発生する液垂れと滴下ノズル汚れのメカニズムに
ついて、シリコンオイルを用いて分析した。
引動作速度が適正速度でも、液体供給開閉弁の開動作速
度が変動することにより、滴下ノズルから液が飛び出し
て止まる現象や、滴下ノズルから液垂れする現象が生じ
る。
度が適正でも、開閉弁の閉動作速度が速過ぎると液が、
滴下ノズルから飛び出して止まる現象が生じる。
も、開閉弁の閉動作速度が遅過ぎると、液垂れ現象が生
じる。
題が発生すると共に、サックバック量と供給量が変動す
ることが明らかになった。
液体供給量の関係についても、本発明者は分析した。こ
の結果、(1)開閉弁の開動作速度が速いと、液体供給
初期速度が速くなり供給量も多くなる。
初期速度が遅くなり供給量も少なくなる。
遮断速度が速くなり供給量が少なくなる。
遮断速度が遅くなり供給量が多くなる。
4号公報,実開平2−81630号公報で公知であるサ
ックバック変動防止手段では、液垂れ発生および滴下ノ
ズル先端汚れ防止は解決できないことが明らかになっ
た。
べく、流動体供給装置を構成する流動体供給制御要素
(流動体供給部,流動体供給開閉弁,流動体垂れ防止サ
ックバック弁)について、動作タイミングと動作速度の
両面から組合せ動作制御し、流動体垂れなく、かつ、ク
リーンな状態で定量定速供給する流動体供給技術を提供
することにある。
動体吸引動作などに起因する流動体中の気泡発生を防止
することが可能な流動体供給技術を提供することにあ
る。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば以下の通
りである。
は、収納したレジスト液を供給するレジスト液供給機能
部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を行うレジス
ト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防止機能部
と、これら各要素を制御する構成要素動作制御部とを有
するレジスト液供給システムを用いた半導体装置の製造
方法であって、前記レジスト液の粘度、供給量およびサ
ックバック量を含むレジスト液供給制御情報と、前記レ
ジスト液を供給する供給系の圧力損失、前記各構成要素
の動作時定数を含む制御補正値情報とを前記構成要素動
作制御部に設定する工程と、前記レジスト液供給制御情
報と前記制御補正値情報を用いて、前記レジスト液供給
機能部の供給停止状態から供給状態に切り替える動作タ
イミングを制御し、半導体ウエハ上にホトレジスト液を
滴下する工程とを有するものである。
である流動体圧送機能部に所定加圧力を設定できる流動
体圧送機能圧力制御部を接続し、流動体供給開閉機能部
である流動体供給開閉弁の開閉動作タイミングと動作速
度を所定値に設定できる開閉弁動作制御部を接続し、さ
らに流動体垂れ防止機能部であるサックバック弁の引込
み動作および押し出し動作タイミングと動作速度を所定
値に設定できる流動体垂れ防止動作制御部を接続する。
体供給開閉弁動作制御部および、流動体垂れ防止動作制
御部は主制御部に接続されている。主制御部は設定され
た流動体供給制御条件[流動体の粘度,供給速度(また
は供給時間),供給量,サックバック速度(またはサッ
クバック時間),サックバック量等]に応じ、流動体圧
送機能圧力制御部を制御し、流動体供給機能部の加圧タ
イミング,加圧力立ち上げプロファイル,加圧力立ち下
げプロファイルを制御する。同時に、流動体供給開閉弁
動作制御部を制御し、流動体供給開閉弁の開動作タイミ
ングと開動作速度および閉動作タイミングと閉動作速度
を制御する。さらに、流動体垂れ防止動作制御部を制御
し、流動体垂れ防止機能部の押出し動作タイミングと押
出し動作速度および引込み動作タイミングと引込み動作
速度を制御する。特に、主制御部ではこれらを統合制御
し、流動体供給制御条件を安定して精度良く維持する。
度(または供給時間),供給量等の定量定速供給に関す
る入力情報とサックバック速度(またはサックバック時
間),サックバック量等の定量定速サックバックに関す
る入力情報を主制御部に入力すると、主制御部は流動体
供給装置に構成された流動体供給機能部,流動体供給開
閉弁機能部,流動体垂れ防止機能部等の各流動体供給制
御要素について、動作タイミングと動作速度の両面から
最適制御する。
用させる加圧力値を、実験的に求めた下式で示される粘
度パラメータ,流動体供給系の圧力損失パラメータより
求め設定する。
配管圧力損失) 一方、主制御部では流動体供給開閉弁機能部の開閉動作
タイミングと、開閉動作速度を流動体粘度パラメータと
流動体供給系の圧力損失パラメータおよび、流動体垂れ
防止機能部動作タイミングと動作速度の関係から、実験
的に求められた値により自動的に制御する。
についても、引込み動作タイミングと動作速度および、
押し出し動作タイミングと動作速度も、流動体粘度パラ
メータと流動体供給系の圧力損失パラメータおよび流動
体供給開閉弁機能部動作タイミングと動作速度の関係か
ら実験的に求められた値により自動的に制御する。以上
のように、本発明によれば、主制御部に流動体供給制御
条件情報(流動体の粘度,流動体の供給速度,流動体の
供給量,流動体のサックバック速度,流動体のサックバ
ック量)を入力することにより、主制御部は流動体供給
装置に構成された流動体供給機能部,流動体供給開閉弁
機能部,流動体垂れ防止機能部等の各流動体供給制御要
素の動作タイミングと動作速度を最適制御することか
ら、流動体垂れなく、かつ、クリーンな状態で定量定速
供給し、定量定速サックバックすることができる。
給装置のシステム構成の一例を示すブロック図である。
供給する流動体供給機能部2,供給された流動体1の供
給と遮断を行なう流動体供給開閉弁機能部3,流動体供
給機能部2と流動体供給開閉弁機能部3により、流動体
1の滴下ノズル4からの定量定速滴下5を実現する。
4に至る流動体1の通路には、流動体垂れ防止機能部7
が設けられており、流動体1の滴下ノズル4内への定量
定速サックバック6を行う。
開閉弁機能部3,流動体垂れ防止機能部7は、構成要素
動作制御部8の配下で統括制御されている。
度,流動体1の供給速度,流動体1の供給量,流動体1
のサックバック速度,流動体1のサックバック量等の流
動体供給制御条件情報9と流動体供給装置システムにお
ける図示しない配管経路などが決定されると定まる流動
体供給系の圧力損失,構成された各流動体供給制御要素
の動作時定数等の制御補正値情報10を設定する。
ート図により、図1で示した流動体供給システムの動作
機能について説明する。構成要素動作制御部8は、流動
体供給制御条件情報9と制御補正値情報10により、各
流動体供給制御要素である流動体供給機能部2,流動体
供給開閉弁機能部3,流動体垂れ防止機能部7を制御す
る。
部動作制御信号11により、図2に示すように、流動体
供給機能部2を供給停止状態から、供給状態に切り換え
る動作タイミングT1 と動作スピードS1 を制御する。
ら供給停止状態に切り換える動作タイミングT11と動作
スピードS6 を制御する。
供給機能部2の動作状態を流動体供給機能部動作状態情
報12として取り込む。同様に、構成要素動作制御部8
は、流動体供給開閉弁動作制御信号13により、図2に
示すように、流動体供給開閉弁機能部3を閉状態から、
開状態に切り換える動作タイミングT3 と開動作スピー
ドS2 を制御し、また、流動体供給開閉弁機能部3を開
状態から、閉状態に切り換える動作タイミングT8 と閉
動作スピードS5 を制御する。
給開閉弁機能部3の動作状態を流動体供給開閉弁動作状
態情報14として取り込む。
れ防止機能部動作制御信号15により、図2に示すよう
に、流動体垂れ防止機能部7を引き込み状態から押出し
状態に切り換える動作タイミングT5 と押出し動作スピ
ードS3 を制御し、押出し状態から引込み状態に切り換
える動作タイミングT7 と引込み動作スピードS4 を制
御する。
垂れ防止機能部7の動作状態を流動体垂れ防止機能部動
作状態情報16として取り込む。
した制御動作は、一例として次のようになる。
給停止状態、流動体供給開閉弁機能部3は閉状態、流動
体垂れ防止機能部7は引込み状態にある。
1の粘度,流動体1の供給速度,流動体1の供給量,流
動体1のサックバック速度,流動体1のサックバック量
等の流動体供給制御条件情報9と、流動体供給系の圧力
損失,構成された各流動体供給制御要素の動作時定数等
の制御補正値情報10を設定する。
で流動体供給機能部2は供給停止状態から、供給状態に
切り換える。
動体供給制御条件情報9に基づき、構成要素動作制御部
8で、最適解が求められ流動体供給機能部動作制御信号
11として制御される。
2は供給状態になる。この状態から、遅延時間t1 後の
動作タイミングT3 で、流動体供給開閉弁動作制御信号
13により、流動体供給開閉弁機能部3は閉状態から開
状態に切り換える。この時の遅延時間t1 および開動作
スピードS2 は、流動体供給制御条件情報9と制御補正
値情報10に基づき、構成要素動作制御部8で最適制御
値を決定する。流動体供給開閉弁機能部3は決定された
開動作スピードS2 で開き、動作タイミングT4 で開状
態になる。
後の動作タイミングT5 で流動体垂れ防止機能部7が、
流動体垂れ防止機能部動作制御信号15により、押出し
動作スピードS3 で押出し動作される。動作タイミング
T6 で、流動体垂れ防止機能部7は押出し状態になる。
動作制御部8で決定された最適の流動体垂れ防止機能部
動作制御信号15により、流動体垂れ防止機能部7を引
込み動作スピードS4 で引込み動作する。
後の動作タイミングT8 に、流動体供給開閉弁機能部3
を閉動作スピードS5 にて閉じる。この遅延時間t3 と
流動体垂れ防止機能部7の引込み動作スピードS4 ,流
動体供給開閉弁機能部3の閉動作スピードS5 は、前述
の図8で説明したように、流動体1の粘度等の流動特性
により決定される、滴下ノズルから液が飛び出す現象
や、液垂れする現象を防止する最適解として、構成要素
動作制御部8により決定される。
能部7が引込み状態になり、遅延時間t4 の動作タイミ
ングT11で、流動体供給機能部2が供給状態から、供給
停止状態に切り換える。この切り換え動作スピードS6
で切り換えられる。動作タイミングT12で流動体供給機
能部2は供給停止状態となる。
機能部2,流動体供給開閉弁機能部3,流動体垂れ防止
機能部7の動作状態は、それぞれ、流動体供給機能部動
作状態情報12,流動体供給開閉弁動作状態情報14,
流動体垂れ防止機能部動作状態情報16として取り込
み、構成要素動作制御部8より、流動体供給制御状態情
報として外部出力する。
置によれば、流動体1を、滴下ノズル4からの流動体垂
れ発生および流動体飛び出しによる滴下ノズル4の汚染
などを生じることなく、クリーンな状態で流動体1を定
量定速供給すると共に、定量定速サックバックすること
ができる。
一例として、図3に示すように、半導体ウェハ処理装置
であるホトレジスト塗布装置に用いられているホトレジ
スト供給装置に適用した場合を説明する。
ト液50は加圧力により圧縮し、内容積が変化する内容
積変量型ホトレジスト容器51内に収納されている。こ
の内容積変量型ホトレジスト容器51は、加圧容器52
内にセットする。具体的にはフィルタ53を収納したフ
ィルタ収納容器54の下部に、ホトレジスト容器シール
Oリング55を介してネジ込まれている。
は加圧容器シールOリング56を介して、取外し可能な
クランプ保持具57で組み立てられる。この加圧容器5
2には、加圧容器52内を所定圧力値に制御する電空変
換レギュレータ58が接続されている。
53が内蔵されている。このフィルタ53はフィルタシ
ールOリング59,フィルタシールOリング60を介し
て、取外し可能なクランプ保持具61により、キャップ
62で固定されている。
ップされた気泡をトラップするエアトラップ部63が設
けられている。このエアトラップ部63の一番高い位置
にエア取出し口64が設けられ、エアオペレート型のエ
アベント開閉弁65が接続されている。さらに、このキ
ャップ62には、フィルタ53によりフィルタリングさ
れたホトレジスト液50を取り出すホトレジスト取り出
し口66が設けられ、エアオペレート型の無摺動開閉弁
67,エアオペレート型の無摺動サックバック弁68,
ホトレジスト滴下ノズル69が接続されている。
エアオペレート駆動する加圧力を制御する電空変換レギ
ュレータ70が接続され、無摺動サックバック弁68に
は、無摺動サックバック弁68をエアオペレート駆動す
る加圧力を制御する電空変換レギュレータ71が接続さ
れている。
換レギュレータ58、無摺動開閉弁67をエアオペレー
ト駆動する加圧力を制御する電空変換レギュレータ7
0、無摺動サックバック弁68をエアオペレート駆動す
る加圧力を制御する電空変換レギュレータ71およびエ
アトラップ部63にトラップされたエアを排気するエア
ベント開閉弁65は、空圧制御部72に接続されてい
る。さらに、空圧制御部72は高圧エア源73、ホトレ
ジスト供給制御部74に接続されている。
スプリング併用の無摺動サックバック弁68の一例を示
し、図5に、スプリング併用の無摺動開閉弁67の一例
を示す。
ついて説明すると、スプリング併用の無摺動サックバッ
ク弁68はホトレジスト液引込み部100,ダイヤフラ
ム膜駆動制御室101,ダイヤフラム膜102から構成
されている。
ジスト液50を供給するインレット106,と吐出する
アウトレット107、ホトレジスト液引込みエリア10
8から構成されている。
aを介して当該ダイヤフラム膜102の中心に付勢力を
作用させる円錐状のコイルバネ103が設けられ、ダイ
ヤフラム膜102を、ホトレジスト液引込みエリア10
8の容積が増加する方向に、すなわち、ホトレジスト液
50を、ホトレジスト滴下ノズル69の内部に引込む方
向に常時付勢力を作用させている。ダイヤフラム膜10
2はホトレジストシールOリング104とエアシールO
リング105により、ホトレジスト液引込み部100、
ダイヤフラム膜駆動制御室101にシール固定されてい
る。
フラム膜102を空圧制御する駆動圧力制御エアポート
109が設けられている。
述の図4に例示した構成に限らず、たとえば、図6に示
すように、ダイレクトダイヤフラム膜駆動型の無摺動サ
ックバック弁68Aとしてもよい、すなわち、無摺動サ
ックバック弁68Aは図4で示すスプリング併用の無摺
動サックバック弁68と基本構造は同種であるが、ダイ
ヤフラム膜102を戻すコイルバネ103を取り除いた
ダイヤフラム膜150を用い、ダイヤフラム膜駆動制御
室151に作用する圧力のみを制御する点が異なってい
る。
いずれの場合も、電空変換レギュレータ71を介した高
圧エア源73と、図示しない真空力制御部を介した真空
源により、ダイヤフラム膜駆動制御室101,ダイヤフ
ラム膜駆動制御室151の加圧,負圧吸引などを制御す
る。
いて説明すると、スプリング併用の無摺動開閉弁67は
ホトレジスト供給遮断部110と、弁付きダイヤフラム
膜駆動制御室111,弁付きダイヤフラム膜112から
構成されている。
ストシールOリング113,エアシールOリング114
を介して、ホトレジスト供給遮断部110、弁付きダイ
ヤフラム膜駆動制御室111に固定されている。
ジスト液50を供給するインレット115,アウトレッ
ト116および弁座117から構成されている。弁付き
ダイヤフラム膜駆動制御室111には弁付きダイヤフラ
ム膜112をエア駆動させる駆動圧力制御エアポート1
18と、作用片119aを介して弁付きダイヤフラム膜
112を、弁座117から離間させる方向に付勢力を作
用するコイルバネ119から構成されている。
上述の図5に例示したものに限らず、図7に示すよう
に、ダイレクトダイヤフラム膜駆動型の無摺動開閉弁6
7Aとしてもよい。このダイレクトダイヤフラム膜駆動
型の無摺動開閉弁67Aは、図5で示すスプリング併用
の無摺動開閉弁67のコイルバネ103を取り除いて弁
付きダイヤフラム膜160のみで構成し、弁付きダイヤ
フラム膜駆動制御室161に作用する圧力を加圧力と真
空力(負圧力)を制御し、弁付きダイヤフラム膜160
を駆動制御し、ホトレジスト液供給の開閉動作を制御す
る点が異なっている。
の動作について説明する。ホトレジスト液の粘度,供給
量,供給時間(供給速度=供給量/供給時間),サック
バック量,サックバック時間(サックバック速度=サッ
クバック量/サックバック時間)等のホトレジスト液供
給条件情報75とフィルタ圧力損失,供給系の圧力損
失,構成された無摺動開閉弁67,無摺動サックバック
弁68の動作時定数等の構成制御要素補正情報76をホ
トレジスト供給制御部74に設定して始動すると、ホト
レジスト液供給条件情報75,構成制御要素補正情報7
6に基づき、ホトレジスト供給制御部74は、図1,図
2で示した実施例と同様に、各構成制御要素の動作タイ
ミングと動作スピードを制御する。内容積変量型ホトレ
ジスト容器51を収納した加圧容器52に作用する圧力
値と加圧タイミングを、空圧制御部72,電空変換レギ
ュレータ58を介して最適制御し、無摺動開閉弁67を
エアオペレート駆動する加圧値と加圧タイミングを空圧
制御部72,電空変換レギュレータ70を介して最適制
御し、無摺動サックバック弁68をエアオペレート駆動
する加圧力値と加圧(負圧)タイミングを空圧制御部7
2,電空変換レギュレータ71を介して最適制御する。
部74で行ない、ホトレジスト滴下ノズル69から、定
量定速吐出77,定量定速サックバック78する。
ジスト液50は、内容積変量型ホトレジスト容器51の
内部において圧縮空気などの与圧流体に直接的に接する
ことなく間接的に加圧されることにより、ホトレジスト
滴下ノズル69に送出されるととも、途中に介在する無
摺動開閉弁67および無摺動サックバック弁68のいず
れにおいても、圧縮空気などの制御流体に直接的に接す
ることがない。このため、ホトレジスト液50に対する
ガスの溶け込みや気泡の混入などの不都合が確実に防止
される。
ックバック弁68においては、上述の説明から明らかな
ように、ダイヤフラム膜の変形によって動作する構造で
あるため、摺動部がなく、たとえば通常のシリンダ−ピ
ストン型の動作原理を有する構造に比較して、流体圧や
負圧の印加に対する応答性が迅速かつ確実になり、ホト
レジスト供給制御部74によるホトレジスト液50の供
給/遮断動作動作や、サックバック動作を迅速かつ精密
に遂行することができる。
てなされた発明を、その背景となった利用分野である半
導体ウェハ処理装置について説明したが、これに限定さ
れること無く、特開昭54−48160号公報記載のレ
ジン塗布装置、特開昭57−177365号公報記載の
カラーブラン管用フリットガラス塗布装置、特開昭57
−177570号公報記載のマルチポッティング装置、
特開昭60−95977号公報記載の電子部品接着用デ
ィスペンサーをはじめ、化学工業、薬液工業、バイオテ
クノロジー関連工業、光学工業等で、高純度かつ精度良
く定速で、定量流動体を供給して処理する装置に適用し
て有効である。
表的なものによって得られる効果を説明すれば、下記の
通りである。
度(または供給時間),供給量等の定量定速供給に関す
る入力情報とサックバック速度(またはサックバック時
間),サックバック量等の定量定速サックバックに関す
る入力情報を、主制御部に入力することにより、主制御
部は、流動体供給装置に構成された流動体供給機能部,
流動体供給開閉弁機能部,流動体垂れ防止機能部等の各
流動体供給制御要素の動作タイミングと動作速度を最適
制御することから、流動体を定量定速サックバックする
ことができる。
れ防止機能部の動作タイミングと動作速度を最適制御で
きることから、滴下ノズルから流動体が飛び出して止ま
る現象や、滴下ノズルから流動体垂れする現象が防止で
きる。この結果、滴下ノズル先端部が汚れる問題が生じ
ない。
を最適制御できることから、流動体供給速度を精度良く
制御でき、かつ、供給量も精度良く制御できる。
を最適制御できることから、流動体供給初速度と流動体
供給遮断速度を所定速度変化プロファイルを制御でき
る。
容器を圧縮変形可能な構造体とし、流動体収納容器外か
ら加圧し、流動体に直接ガス加圧をすることなく、加圧
のみにより、流動体加圧圧送することから、流動体を負
圧に吸引吸入する際の気泡発生を防止できる。
とから、流動体内にガスが溶け込む現象が防止できる。
発生する流動体中の気泡発生を防止できる。
して、異物,気泡の混入がないクリーンな状態で、流動
体を定量定速供給し、定量定速サックバックすることが
可能となる。
給時間),供給量等の定量供給に関する入力情報を入力
することにより、自動制御され、所定量、所定速度で、
所定時間、流動体を供給することができることから、流
動体の粘度の異なる種々の流動体を切替えて供給する時
に、各流動体供給制御要素を調整することなく、定量定
速供給することができる。
置等で用いられる感光性ホトレジスト供給装置として、
本発明を適用することにより、異物および気泡を混入さ
せることなく、クリーンな状態でホトレジストを供給す
ることができることから、形状欠陥の無い半導体素子パ
ターンや、液晶パターンを得ることができる。この結
果、高品質な半導体製品や液晶製品を製造することがで
きる。
動体を所要速度で精度良く供給でき、かつ、所要速度
で、所要量サックバックできることから、回転塗布装置
に適用した際には、塗布ムラ発生を生じること無く、高
精度な膜厚を得ることができる。
理装置に適用することにより、ホトレジスト滴下時にサ
ックバック速度とサックバック量を精度良く制御できる
ことから、液垂れや、滴下ノズル先端部に付着物が生成
されることが防止できる。
滴下ノズル先端部の付着物が混入することなく、ホトレ
ジスト塗布膜中に異物を生ぜす、かつ、塗布ムラ発生が
無くなる。
回転塗布処理装置に適用することにより、ホトレジスト
液を所要速度で精度良く、定量供給できるので、半導体
ウェハ等にホトレジスト液を滴下する際の気泡の巻き込
みがなくなるとともに、ホトレジスト液供給速度を精度
良く制御できるので、巻き込み気泡による塗布ムラ、塗
布膜厚の精度低下をなくすことができる。
テム構成の一例を示すブロック図である。
置の構成の一例を示す略断面図である。
置を構成する無摺動サックバック弁の一例を示す略断面
図である。
置を構成する無摺動開閉弁の一例を示す略断面図であ
る。
置を構成する無摺動サックバック弁の一例を示す略断面
図である。
置を構成する無摺動開閉弁の一例を示す略断面図であ
る。
素) 4 滴下ノズル(流動体供給ノズル) 5 定量定速滴下 6 定量定速サックバック 7 流動体垂れ防止機能部(流動体垂れ防止制御要素) 8 構成要素動作制御部(主制御部) 9 流動体供給制御条件情報 10 制御補正値情報 11 流動体供給機能部動作制御信号 12 流動体供給機能部動作状態情報 13 流動体供給開閉弁動作制御信号 14 流動体供給開閉弁動作状態情報 15 流動体垂れ防止機能部動作制御信号 16 流動体垂れ防止機能部動作状態情報 50 ホトレジスト液(流動体) 51 内容積変量型ホトレジスト容器(流動体収納容
器) 52 加圧容器(加圧機構) 53 フィルタ 54 フィルタ収納容器 55 ホトレジスト容器シールOリング 56 加圧容器シールOリング 57 クランプ保持具 58 電空変換レギュレータ 59 フィルタシールOリング 60 フィルタシールOリング 61 クランプ保持具 62 キャップ 63 エアトラップ部 64 エア取出し口 65 エアベント開閉弁 66 ホトレジスト取り出し口 67 無摺動開閉弁(流動体供給開閉弁制御要素) 67A 無摺動開閉弁(流動体供給開閉弁制御要素) 68 無摺動サックバック弁(流動体垂れ防止制御要
素) 68A 無摺動サックバック弁(流動体垂れ防止制御要
素) 69 ホトレジスト滴下ノズル 70 電空変換レギュレータ 71 電空変換レギュレータ 72 空圧制御部 73 高圧エア源 74 ホトレジスト供給制御部(主制御部) 75 ホトレジスト液供給条件情報 76 構成制御要素補正情報 77 定量定速吐出 78 定量定速サックバック 100 ホトレジスト液引込み部 101 ダイヤフラム膜駆動制御室 102 ダイヤフラム膜(第2のダイヤフラム膜) 103 コイルバネ 103a 作用片 104 ホトレジストシールOリング 105 エアシールOリング 106 インレット 107 アウトレット 108 ホトレジスト液引込みエリア 109 駆動圧力制御エアポート 110 ホトレジスト供給遮断部 111 弁付きダイヤフラム膜駆動制御室 112 弁付きダイヤフラム膜(第1のダイヤフラム
膜) 113 ホトレジストシールOリング 114 エアシールOリング 115 インレット 116 アウトレット 117 弁座 118 駆動圧力制御エアポート 119 コイルバネ 119a 作用片 150 ダイヤフラム膜(第2のダイヤフラム膜) 151 ダイヤフラム膜駆動制御室 160 弁付きダイヤフラム膜(第1のダイヤフラム
膜) 161 弁付きダイヤフラム膜駆動制御室
Claims (10)
- 【請求項1】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給機能部の供給停止状態から供
給状態に切り替える動作タイミングを制御し、半導体ウ
エハ上にホトレジスト液を滴下する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給開閉弁機能部を閉状態から開
状態に切り替える動作タイミングを制御し、半導体ウエ
ハ上にホトレジスト液を滴下する工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液垂れ防止機能部を引き込み状態か
ら押出し状態に切り替える動作タイミングを制御し、半
導体ウエハ上にホトレジスト液を滴下する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給機能部の供給停止状態から供
給状態に切り替える動作タイミング、前記レジスト液供
給開閉弁機能部を閉状態から開状態に切り替える動作タ
イミングおよび前記レジスト液垂れ防止機能部を引き込
み状態から押出し状態に切り替える動作タイミングを制
御し、半導体ウエハ上にホトレジスト液を滴下する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記レジスト液供給機能部の供給停止状
態から供給状態に切り替える動作タイミング、前記レジ
スト液供給開閉弁機能部を閉状態から開状態に切り替え
る動作タイミングおよび前記レジスト液垂れ防止機能部
を引き込み状態から押出し状態に切り替える動作タイミ
ングは、この順序で順次遅いことを特徴とする請求項4
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給機能部の供給停止状態から供
給状態に切り替える動作タイミングおよび供給状態から
供給停止状態に切り替える動作タイミングを制御し、半
導体ウエハ上にホトレジスト液を滴下する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給開閉弁機能部を閉状態から開
状態に切り替える動作タイミングおよび開状態から閉状
態に切り替える動作タイミングを制御し、半導体ウエハ
上にホトレジスト液を滴下する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液垂れ防止機能部を引き込み状態か
ら押出し状態に切り替える動作タイミングおよび押出し
状態から引き込み状態に切り替える動作タイミングを制
御し、半導体ウエハ上にホトレジスト液を滴下する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 収納したレジスト液を供給するレジスト
液供給機能部と、供給されたレジスト液の供給と遮断を
行うレジスト液供給開閉弁機能部と、レジスト液垂れ防
止機能部と、これら各要素を制御する構成要素動作制御
部とを有するレジスト液供給システムを用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記レジスト液の粘度、供給量およびサックバック量を
含むレジスト液供給制御情報と、前記レジスト液を供給
する供給系の圧力損失、前記各構成要素の動作時定数を
含む制御補正値情報とを前記構成要素動作制御部に設定
する工程と、 前記レジスト液供給制御情報と前記制御補正値情報を用
いて、前記レジスト液供給機能部の供給停止状態から供
給状態に切り替える動作タイミングおよび供給状態から
供給停止状態に切り替える動作タイミング、前記レジス
ト液供給開閉弁機能部を閉状態から開状態に切り替える
動作タイミングおよび開状態から閉状態に切り替える動
作タイミング、前記レジスト液垂れ防止機能部を引き込
み状態から押出し状態に切り替える動作タイミングおよ
び押出し状態から引き込み状態に切り替える動作タイミ
ングを制御し、半導体ウエハ上にホトレジスト液を滴下
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項10】 前記レジスト液垂れ防止機能部を押出
し状態から引き込み状態に切り替える動作タイミング、
前記レジスト液供給開閉弁機能部を開状態から閉状態に
切り替える動作タイミングおよび前記レジスト液供給機
能部の供給状態から供給停止状態に切り替える動作タイ
ミングは、この順序で順次遅いことを特徴とする請求項
9記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09519492A JP3307980B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09519492A JP3307980B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05293358A JPH05293358A (ja) | 1993-11-09 |
JP3307980B2 true JP3307980B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=14130947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09519492A Expired - Lifetime JP3307980B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3307980B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3483461B2 (ja) * | 1997-04-01 | 2004-01-06 | 宮崎沖電気株式会社 | レジスト吐出システムとレジスト吐出方法 |
JP3824030B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2006-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 気泡発生防止機構およびそれを用いた液処理装置 |
JP4035670B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2008-01-23 | Smc株式会社 | サックバックバルブの制御方法 |
JPH11333359A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法 |
JP3493322B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-02-03 | Smc株式会社 | 液だれ防止方法およびシステム |
JP2000223403A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜の形成方法および塗布処理システム |
JP3490320B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2004-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法および塗布処理装置 |
JP3813777B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2006-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2001153246A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Smc Corp | 液だれ防止装置 |
JP4046628B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給機構および処理液供給方法 |
JP3919211B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2007-05-23 | シーケーディ株式会社 | 流体供給制御装置 |
JP4286597B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2009-07-01 | Okiセミコンダクタ宮崎株式会社 | レジスト塗布装置 |
KR101451857B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2014-10-16 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 |
JP4833271B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2011-12-07 | Okiセミコンダクタ宮崎株式会社 | レジスト塗布方法 |
JP6510765B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2019-05-08 | 兵神装備株式会社 | 流動物吐出システム、及びアキュムレータ |
JP6319117B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
JP6932000B2 (ja) * | 2017-02-08 | 2021-09-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラム |
JP2023117145A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給方法および基板処理装置 |
JP2023132370A (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-22 | 兵神装備株式会社 | ディスペンサシステム |
JP2023132372A (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-22 | 兵神装備株式会社 | ディスペンサシステム |
JP2023132371A (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-22 | 兵神装備株式会社 | ディスペンサシステム |
CN114713450A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 精为佳智控技术(苏州)有限公司 | 一种超微量活塞式灌胶头及其控制*** |
CN117358522B (zh) * | 2023-12-05 | 2024-03-08 | 福建省统一环保科技有限公司 | 高效低耗喷胶枪 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP09519492A patent/JP3307980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05293358A (ja) | 1993-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3307980B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2803859B2 (ja) | 流動体供給装置およびその制御方法 | |
US7594801B2 (en) | Chemical liquid apparatus and deaerating method | |
US7476087B2 (en) | Pump controller for precision pumping apparatus | |
US6554579B2 (en) | Liquid dispensing system with enhanced filter | |
US5527161A (en) | Filtering and dispensing system | |
US6419841B1 (en) | Fluid dispensing system | |
EP1133639B1 (en) | Pump controller for precision pumping apparatus | |
JP4566955B2 (ja) | 薬液供給装置および薬液供給方法 | |
KR101829078B1 (ko) | 필터 정보 태그의 필터 정보를 기초로 펌프의 작동을 제어하기 위한 장치 및 방법 | |
US10403501B2 (en) | High-purity dispense system | |
KR20130054235A (ko) | 펌프의 작동을 최적화하기 위한 방법 및 시스템 | |
KR100774080B1 (ko) | 액체토출장치 및 액체토출방법 | |
JP3952771B2 (ja) | 塗布装置 | |
US10712663B2 (en) | High-purity dispense unit | |
JPH07324680A (ja) | 流動体供給方法および装置 | |
JPH08299880A (ja) | 流動性物質排出装置 | |
US20080041488A1 (en) | Fluid dispensing system for semiconductor manufacturing processes with self-cleaning dispense valve | |
TWI760355B (zh) | 具有彎液面控制的高精度分配系統 | |
KR200460399Y1 (ko) | 시린지 펌프 | |
JP5023565B2 (ja) | 塗布装置および塗布方法並びにディスプレイ用部材の製造方法および製造装置 | |
JPH0745001B2 (ja) | 液体供給装置及び脱泡方法 | |
JPH07123107B2 (ja) | 流体滴下供給装置 | |
JPH0719555Y2 (ja) | 流体滴下供給装置 | |
GB2175278A (en) | Avoiding drips in liquid dispensing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080517 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080517 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120517 Year of fee payment: 10 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |