JP3282207B2 - 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

透過型位相シフトマスクおよびその製造方法

Info

Publication number
JP3282207B2
JP3282207B2 JP4266692A JP4266692A JP3282207B2 JP 3282207 B2 JP3282207 B2 JP 3282207B2 JP 4266692 A JP4266692 A JP 4266692A JP 4266692 A JP4266692 A JP 4266692A JP 3282207 B2 JP3282207 B2 JP 3282207B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist
light
film
shifter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4266692A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05241320A (ja
Inventor
直行 石渡
健雄 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4266692A priority Critical patent/JP3282207B2/ja
Publication of JPH05241320A publication Critical patent/JPH05241320A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3282207B2 publication Critical patent/JP3282207B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透過型位相シフトマスク
の製造方法に関する。近年、半導体装置の微細化が進
み、ウェハ上に０．３〜０．５ｍのパターン形成技術が
要求されている。その手段として位相シフトマスク（レ
チクル）を用いて露光の際に解像力を向上させる方法が
用いられている。
【０００２】
【従来の技術】図３(A) 〜(D) は従来例による透過型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。
【０００３】図３(A) において，石英基板１上にシフタ
層２とレジスト膜４とを順に被着する。図３(B) におい
て，電子ビーム(EB)露光, 現像を行ってレジスト膜４を
パターニングする。
【０００４】図３(C) において，レジストパターンをマ
スクにして，シフタ層２をエッチングしてシフタを形成
する。図３(D) において，レジスト膜を剥離して，透過
型位相シフトマスクが完成する。周知のように，透過型
位相シフトマスクはシフタエッジにおいてマスクの透過
光の位相が反転するようにエッジ両側の厚さが調整され
ているため，シフタエッジが微小幅の黒パターンと等価
になることを利用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例の方法で作製さ
れた透過型位相シフトマスクは，本来，遮光膜で形成し
なければならないパターン，例えばステッパの位置合わ
せマーク等の形成が不可能であった。従って，透過型位
相シフトマスクではウエハ上での位置合わせができない
ことから実用性に問題があった。
【０００６】本発明は透過型位相シフトマスクにおい
て，通常の遮光膜パターンを形成できる方法の提供を目
的とする。
【０００７】上記課題の解決は、透明基板１上に、エッ
ジ部が透過光の位相が反転するような厚さを有するシフ
タ層２からなるシフタパターンと該シフタ層２が形成さ
れない該透明基板面のパターンのみにより構成され、該
シフタ層２のエッジ部が所望の回路パターンとなるよう
に形成された回路パターン領域と、該透明基板上に形成
され、下層をシフタ層とし上層を遮光膜とする積層構造
からなる位置合わせパターンとを有し、該回路パターン
領域上には遮光膜が形成されない透過型位相シフトマス
クの製造方法であって、透明基板１上にシフタ層２と遮
光膜３と第１のレジスト膜４を順次被着する工程と、該
第１のレジスト膜４をパターニングして、該シフタ層２
からなるパターンおよび該位置合わせパターンを転写し
た該第１のレジスタ膜４からなる第１のレジストパター
ンを形成する工程と、該第１のレジストパターンをマス
クにして該遮光膜３及び該シフタ層２を順次エッチング
し、該第１のレジスト膜４を除去する工程と、該透明基
板１上全面に第２のレジスト膜５を被着する工程と、該
回路パターン領域上の該第２のレジスト膜５をすべて除
去して第２のレジストパターンを形成する工程と、該第
２のレジストパターンをマスクにしたエッチングにより
該回路パターン領域上に形成された該遮光膜３をすべて
除去し、該第２のレジスト膜５を除去する工程とを有す
ることを特徴とする透過型位相シフトマスクの製造方法
により達成される。
【０００８】
【作用】本発明では，石英基板上にシフタ層で形成され
たパターンを有する領域と，シフタ層と遮光層の積層構
造からなるパターンを有する領域とがあり，その製造方
法としては，石英基板上にシフタ層と遮光膜の２層を形
成し，この２層の膜に従来例と同様にシフタパターンお
よび位置合わせパターンを形成し，シフタパターン上の
遮光膜を除去するようにしている。
【０００９】この工程により，遮光部を必要とする領域
を選択的に設定することができるため，例えばマスク上
にステッパの位置合わせマーク等の形成が可能となる。
【００１０】
【実施例】図１(A),(B) および図２(C) 〜(E) は本発明
の実施例の説明図である。図の左側は平面図，右側は断
面図である。
【００１１】図１(A) において，石英基板１上にシフタ
層２と遮光膜３と第１のレジスト膜４を順に被着し，電
子ビーム露光, 現像を行って第１のレジスト膜４をパタ
ーニングし，このレジストパターンをマスクにしたエッ
チングにより遮光膜パターンを形成する。
【００１２】図１(B) において，第１のレジスト膜４か
らなるレジストパターンをマスクにして，シフタ層２を
エッチングする。次いで，第１のレジスト膜４からなる
レジストパターンを剥離する。
【００１３】図２(C) において，基板上全面に第２のレ
ジスト膜５を被着する。図２(D) において，第２のレジ
スト膜５をパターニングして遮光膜を除去する領域（主
にデバイス回路を形成する領域）の第２のレジスト膜５
を除去する。
【００１４】図２(E) において，第２のレジスト膜５か
らなるレジストパターンをマスクにしたエッチングによ
り遮光膜を除去してシフタを形成する。次いで，残って
いる第２のレジスト膜５を剥離して，マスクを完成す
る。
【００１５】ここで，シフタ層２は石英基板自身あるい
は蒸着，スパッタ等による二酸化シリコン(SiO2)薄膜，
スピンオングラス(SOG) 薄膜等を用いる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば，透過型位相シフトマス
クにおいて，位置合わせマーク等の遮光膜パターンをマ
スク上に形成することができ，透過型位相シフトマスク
の実用化に寄与することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の説明図（１）
【図２】 本発明の実施例の説明図（２）
【図３】 従来例の説明図
【符号の説明】 １ 透明基板で石英基板 ２ シフタ層 ３ 遮光膜 ４ 第１のレジスト膜 ５ 第２のレジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透明基板上に、エッジ部が透過光の位相が
    反転するような厚さを有するシフタ層からなるシフタパ
    ターンと該シフタ層が形成されない該透明基板面のパタ
    ーンのみにより構成され、該シフタ層のエッジ部が所望
    の回路パターンとなるように形成された回路パターン領
    域と、 該透明基板上に形成され、下層をシフタ層とし上層を遮
    光膜とする積層構造からなる位置合わせパターンとを有
    し、 該回路パターン領域上には遮光膜が形成されない透過型
    位相シフトマスクの製造方法であって、 透明基板上にシフタ層と遮光膜と第１のレジスト膜を順
    次被着する工程と、 該第１のレジスト膜をパターニングして、該シフタ層か
    らなるパターンおよび該位置合わせパターンを転写した
    該第１のレジスタ膜からなる第１のレジストパターンを
    形成する工程と、 該第１のレジストパターンをマスクにして該遮光膜及び
    該シフタ層を順次エッチングし、該第１のレジスト膜を
    除去する工程と、 該透明基板上全面に第２のレジスト膜を被着する工程
    と、 該回路パターン領域上の該第２のレジスト膜をすべて除
    去して第２のレジストパターンを形成する工程と、 該第２のレジストパターンをマスクにしたエッチングに
    より該回路パターン領域上に形成された該遮光膜をすべ
    て除去し、該第２のレジスト膜を除去する工程と、を有
    することを特徴とする透過型位相シフトマスクの製造方
    法。
JP4266692A 1992-02-28 1992-02-28 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法 Expired - Lifetime JP3282207B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4266692A JP3282207B2 (ja) 1992-02-28 1992-02-28 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4266692A JP3282207B2 (ja) 1992-02-28 1992-02-28 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05241320A JPH05241320A (ja) 1993-09-21
JP3282207B2 true JP3282207B2 (ja) 2002-05-13

Family

ID=12642345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4266692A Expired - Lifetime JP3282207B2 (ja) 1992-02-28 1992-02-28 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3282207B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4619043B2 (ja) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP2011002859A (ja) * 2010-10-04 2011-01-06 Hoya Corp 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05241320A (ja) 1993-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2723476B2 (ja) 位相反転マスクの製造方法
US6569581B2 (en) Alternating phase shifting masks
US6630408B1 (en) Self alignment process to fabricate attenuated shifting mask with chrome border
JP3282207B2 (ja) 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH1073914A (ja) ハーフトーン位相シフトマスク
US20040023129A1 (en) Method of manufacturing phase shift mask and phase shift mask
JPH0466345B2 (ja)
JPH05249649A (ja) フォトマスクおよびその製造方法
JPH06252031A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH04291345A (ja) パターン形成方法
WO2000045222A1 (fr) Masque photolithographique et procede de fabrication de celui-ci
JP2002244270A (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
KR100226738B1 (ko) 마스크의 제조 방법
KR0138066B1 (ko) 위상반전마스크 제작 방법
JP2745988B2 (ja) フォトマスクの製造方法
JPH0822114A (ja) 位相反転マスクの製造方法
JPH06289593A (ja) マスクの製造方法
KR0185785B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
GB2287799A (en) Phase shift mask and method for fabricating the same
KR940001503B1 (ko) 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법
KR960000183B1 (ko) 크롬막이 부가된 위상반전마스크 및 그 제조 방법
JPH03142466A (ja) 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク
JP4207411B2 (ja) レベンソン型位相シフトマスクの製造方法
KR100353404B1 (ko) 반도체 마스크 제조방법
JPH04298745A (ja) 位相シフトマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010918

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020129

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080301

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120301

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term